KR101094050B1 - 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 도허티(Doherty) 증폭기를 포함하여 복수개의 전력 증폭기들을 병렬로 연결하는 다중 병렬 전력 증폭기를 위한 동적 바이어스 공급 장치에 관한 것이다. 상기 동적 바이어스 공급 장치는 상기 복수개의 병렬 전력 증폭기들에 각각 대응하는 복수개의 스위칭부를 포함한다. 그에 따라 다중 병렬구조의 전력증폭기를 위한 다중의 분산형 동적 바이어스 스위칭 회로로 분산하여 이용하므로 추가적인 연결 구조에서 발생되는 불필요한 성능 열화를 제거하여 전력증폭기 고 효율화와 고 선형화를 달성할 수 있다.
동적 바이어스 공급장치, 다중 스위치 병렬 전력 증폭기, ET(Envelope Tracking), EER(Envelope Elimination & Restoration), Doherty 증폭기
Description
본 발명은 소위 무선통신에서 고 효율화와 고 선형성을 위해 사용하는 기지국용 전력 증폭기 또는 단말기용 전력 증폭기에 바이어스를 제공하는 장치에 관한 것이다.
종래, 전력증폭기의 동적 바이어스를 위해 여러 가지 회로나 장치가 알려져 있다. 이러한 동적 바이어스 스위칭 회로는 전력증폭기에 동적 바이어스를 스위칭 한다.
도 1은 일반적인 동적 바이어스 스위칭 장치의 구성을 나타낸 블록 구성도이다.
도 1에는 전력증폭기의 동적 바이어스 공급을 위해 기존에 제안된 공급장치구조의 예를 나타내고 있다. 이 장치는 입력되는 신호를 분배기를 통해 주 경로(제한기부, 지연부 와 주 증폭기)와 바이어스를 위한 경로(포락선신호 검출부 및, 포락선신호 처리부 및 스위칭부)로 제공한다.
일반적으로 입력신호는 크기 및 위상정보를 가지는 신호로 되어 있다. 분배 기(10)는 수신한 입력 신호를 2개의 신호로 분배하여 제한기부(20) 및 포락선 신호 검출부(50)에게 각각 제공한다.
주 경로에서, 제한기부(20)는 입력 신호가 포함하고 있는 크기 및 위상 정보 중 위상 신호를 추출하고, 주 증폭기(40)로 입력되는 신호가 포락선 신호처리부 및 스위칭부(60)에 의해 주 증폭기에 전달되는 스위칭의 동기를 맞춰주는 지연부(30)를 포함한다. 이렇게 처리된 신호는 주 증폭기(40)에 제공된다. 주 증폭기(40)는 지연부의 출력 신호를 제공받아 원하는 크기로 증폭한다.
바이어스를 위한 경로에서, 포락선 신호 검출부(50)는 분배기(10)로부터 입력 신호를 수신하면, 입력 신호의 크기 및 위상 신호를 포락선(envelop) 신호로 변환하고 포락선 신호를 포락선 신호처리부 및 스위칭부(60)로 제공한다. 포락선 신호처리부 및 스위칭부(60)는 포락선 신호 검출부(50)로부터 제공된 포락선 신호에 따라 스위칭시에 필요한 적절한 신호 레벨을 가진 동적 신호를 생성한다. 또한, 포락선 신호처리부 및 스위칭부(60)는 동적 신호(동적으로 변하는 입력의 크기 및 위상신호)에 의해 주 증폭기(40)에 바이어스 전압 및 전류를 인가하게 된다. 동적 바이어스가 주 증폭기(40)의 바이어스로 공급되면 동적 바이어스에 따라 고선형성 및 고효율화를 달성할 수 있게 된다.
종래에 알려진 동적 바이어스 공급장치로는 흔히 EER(Envelope Elimination & Restoration)과 Hybrid-EER이 있다. EER의 경우, 위에서 설명한 제한기를 포함하는 구성을 이야기 한다. 주 증폭기의 경우, 비선형 증폭기를 사용하게 된다. Hybrid-EER의 경우는, 기본 EER구조와 다르게, 주 증폭기가 위상 신호를 수신하는 대신에 입력 신호를 그대로 받아들여 사용하는 구조를 가지고 있다. 그러므로 도 1에서 제한기가 빠진 상태를 이야기 한다. 이 구조는 ET의 주 증폭기의 경로와 동일하며, 동적 바이어스 공급장치와 주 증폭기의 경우 EER을 사용하므로 Hybrid-EER이라 불린다.
도 1의 경우, 종래에 알려진 동적 바이어스 공급장치로서 ET(Envelope Tracking) 또는 DBS(Dynamic Bias Supply)로 구성이 가능하게 된다.
ET 또는 DBS(Dynamic Bias Supply)는 분배기, 포락선신호 검출부, 지연부, 포락선신호 처리부 및 스위칭부 및 주 증폭기를 포함하며, 도 1에 개시된 동적 바이어스 공급 장치와 유사하므로 그 상세한 설명은 생략한다. 주 증폭기는 입력 신호를 그대로 사용하게 되며, 주 증폭기로서는 선형 증폭기 모드의 주 증폭기를 사용하게 된다. 또한 포락선신호 검출부로 입력되어 적당한 동적 레벨로 변환된 포락선 신호는 포락선 신호처리부 및 스위칭부로 입력되며, 포락선 신호처리부 및 스위칭부는 이렇게 입력된 신호를 이용하여 주 증폭기에게 동적 바이어스 공급한다.
DBS(Dynamic-Bias Supply)와 ET는 유사하게 동작한다. 다른 점으로는 DBS는 변하는 동적 레벨을 모두 따라가는 구조가 아닌 적당한 기준 레벨을 정해 기준레벨 이하의 동적 레벨은 주 증폭기의 낮은 출력 전압 및 전류 레벨로 바이어스를 공급하며, 기준레벨 이상에서는 주 증폭기의 높은 출력 전압 및 전류 레벨로 바이어스를 공급하는 구조를 가진다. 즉, DBS는 듀얼 또는 여러 가지 기준레벨 별로 다른 동적 바이어스 전압 및 전류를 공급하는 구조를 가진다.
또한, 종래에 알려진 동적 바이어스 공급장치로 DDBS가 있다. DDBS는 전술한 DBS와 유사하게 동작하며, 분배기를 통해 입력 신호를 받아 포락선 신호를 검출해서 사용하는 방식이 아닌 DSP나 FPGA로 구현된 모뎀을 통해 입력신호를 변조했던 크기 및 위상신호를 RF신호로 변조하기 전에 크기신호만 얻어 바로 사용함으로써 기존의 DBS보다 간편해진 구조를 가진다.
한편, 전력 증폭기는 하나의 전력 증폭기로 구성될 수도 있지만, 복수 개의 전력 증폭기로 구성될 수 있다. 이와 같이 복수개의 전력 증폭기들로 이루어진 전력 증폭기를 다중 병렬 전력 증폭기라고 한다.
다중 병렬 전력증폭기의 경우에는 복수개의 전력 증폭기를 포함하기 때문에, 복수개의 전력 증폭기들에 바이어스를 공급해야 한다.
일반적인 경우, 다중 병렬 구조 전력 증폭기의 동적 바이어스 스위칭 회로는 하나의 동적 바이어스 회로를 다중 병렬의 전력증폭기 모두가 공유하여 사용하는 구조로 되어 있다.
도 2는 다중 병렬 전력증폭기 특히, 2단 병렬 전력 증폭기를 위한 동적 바이어스 공급장치의 구조를 나타낸다. 이 구성의 경우 도 1 에서 설명한 고효율 및 고선형성을 이루기 위한 증폭기 구성의 예를 2단 병렬을 가지는 구조로 변형한 것이다. 포락선 신호처리부 및 스위칭부(140)는 포락선 신호처리부(142) 및 스위칭부(144)를 포함하는데, 이에 대한 설명은 도 1을 참조한다.
도 2를 참조하면, 동적 바이어스 공급장치는 입력 네트워크(210) 및 출력 네트워크(230)를 포함한다. 입력 네트워크(210) 및 출력 네트워크(230)는 다중병렬을 정합하기 위한 네트워크와 증폭기의 입/출력 정합회로를 포함한다.
이와 같이 전력 증폭기를 다중 병렬로 구성하는 경우, 단일 동적 바이어스 공급장치를 이용하는 경우 스위칭부(144)로부터의 바이어스를 공급받는 a 라인(220)과 다르게, b 라인(222)처럼 불필요한 라인을 포함해야 하는 단점을 가지고 있다. 이렇게 발생된 불필요한 라인의 경우, 전력 증폭기(224)간의 불필요한 미스매치(mismatch)를 발생시키게 되면 이렇게 발생된 미스매치에 의해서 메모리 효과, 비선형성 및 효율저하의 성능열화가 발생되어 고선형성 및 고 효율화의 성능 열화를 증가 시키게 된다.
다시 말해, 도 2에서 나타낸 바와 같이 동적 바이어스를 공급하기 위해 많은 구성의 예가 제안되고 발표되고 있다. 그러나, 이 구조들의 경우 다중병렬을 가지는 구조의 전력 증폭기에 장착되는 경우 단일 동적 바이어스 공급장치로 구성이 되면 고선형성 및 고효율화에 성능 열화를 가져오게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 동적 바이어스 공급장치를 사용하는 다중병렬의 전력 증폭기의 구성에 있어 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급 장치를 제공하여 불필요하게 발생되는 성능 열화요소를 제거하여 전력증폭기 고 효율화와 고 선형화를 달성할 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따라, 도허티(Doherty) 증폭기를 포함하여 복수개의 전력 증폭기들을 병렬로 연결하는 다중 병렬 전력 증폭 기를 위한 동적 바이어스 공급 장치에 있어서, 상기 복수개의 병렬 전력 증폭기들에 각각 대응하는 복수개의 스위칭부를 포함한다.
여기에서, 상기 동적 바이어스 공급 장치는 포락선 신호에 따라 상기 스위칭부들에 필요한 신호 레벨을 가진 동적 신호를 생성하고, 생성된 신호를 상기 스위칭부들로 각각 제공하는 복수개의 포락선 신호 처리부를 더 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 동적 바이어스 공급 장치는 상기 복수개의 스위칭부에 포락선에 대한 동적 신호를 공급하는 한 개의 포락선 신호 처리부를 더 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 복수개의 스위칭부에 대하여 한 개의 포락선 신호 처리부를 갖는 구조가 한 개 또는 그 이상의 개수가 병렬로 연결되어 사용될 수 있다.
여기에서, 상기 동적 바이어스 공급장치는 밸런스형(Balanced) 증폭기, 도허티(Doherty) 증폭기, 피드포워드(Feed-forward) 증폭기, 피드백 증폭기(Feedback amplifier), 및 폴라(Polar) 송신기를 포함하는, 다중 병렬 구조를 사용하는 모든 증폭기에 대하여 적용될 수 있다.
여기에서, 상기 동적 바이어스 공급장치는, EER(Envelope Elimination and Restoration), Hybrid-EER, ET(Envelope Tracking) 또는 DBS(Dynamic-Bias Switching)에 적용될 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따른 동적 인터페이스 공급장치에 따르면, 다중 병렬구조의 전력증폭기를 위한 다중의 분산형 동적 바이어스 스위칭 회로로 분산하여 이용하므로 추가적인 연결 구조에서 발생되는 불필요한 성능 열화를 제거하여 전력증폭기 고 효율화와 고 선형화를 달성할 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접 속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 동적 바이어스 공급 장치를 2단 병렬구조로 구성한 예이다.
도 3에 나타낸 다중병렬 구조의 경우, 위에서 설명한 도 1 에 도시된 구조뿐 만 아니라 밸런스형(Balanced)/ 도허티(Doherty)/ 피드포워드(Feed-forward)/ 피드백 증폭기(Feedback amplifier/ 폴라(Polar)(또는 polar modulation) 송신기 등 병렬로 다중병렬을 구성할 수 있는 모든 구조를 포함한다. 또한, 주 증폭기(224)는 LDMOS, GaN, FET등 증폭을 위해 사용되는 모든 재료의 소자를 포함한다.
주 증폭기가 2개의 증폭기들(332, 342)를 갖는 2단 병렬 전력 증폭기인 경우 2단 병렬의 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급장치를 구성한다.
도 3를 참조하면, 동적 바이어스 공급장치는 입력 네트워크 및 출력 네트워크를 포함한다. 입력 네트워크 및 출력 네트워크는 다중병렬을 정합하는 기능을 수행하고, 네트워크와 증폭기의 입력 및 출력을 정합하는 정합회로를 각각 포함한다.
전력 증폭기에 포락선 신호 처리부와 2단의 병렬 스위칭부가 바이어스를 공급한다. 즉, 각 전력 증폭기(332, 342)에 바이어스를 공급하는 포락선 신호 처리부 및 스위칭부(310, 350)가 각각 제공된다.
포락선 신호 처리부 및 스위칭부(310, 350)는 포락선 신호 처리부(312, 352) 및 스위칭부(314,354)를 포함한다.
포락선 신호처리부(312, 352)는 수신하는 포락선 신호에 따라 스위칭부(314, 354)에 필요한 적절한 신호 레벨을 가진 동적 신호를 생성하고, 생성된 동적 신호를 스위칭부(314, 354)으로 제공한다.
스위칭부(314, 354)로부터 전력 증폭기(332, 342)에 바이어스를 공급하기 위해 a 라인(330, 340)이 스위칭부(314, 354)와 전력 증폭기(332, 342) 사이에 각각 연결되어 있다. a 라인은 바이어스 공급 라인이다.
a 라인은 일반적으로 사용되는 λ/4라인을 나타내며, 이는 인덕터나 바이어스를 제공할 수 있는 모든 구조를 포함한다. 커패시터(Capacitor)(도시 생략)가 또한 a 라인(330, 340)과 전력 증폭기(332, 342) 사이에 연결될 수도 있다. 이 커패시터는 2nd 전력을 접지로 연결시키는 RF적인 단락을 형성하며, 그 위치는 변경될 수 있다. 즉, 커패시터는 일반적으로 알려진 2nd 단락부(short) 및 바이어스를 위한 바이패스(bypass) 소자를 말한다.
스위칭부((314, 354)는 동적 신호(동적으로 변하는 입력의 크기 및 위상신호)에 의해 각 전력 증폭기(332, 342)에 바이어스 전압 및 전류를 인가하게 된다. 동적 바이어스가 전력 증폭기(332, 342)의 바이어스로 공급된다.
상기 스위칭부는 에미터플로워(Emitter follower) 구조를 가지는 BJT(Bipolar Junction Transistor)로 구성될 수 있다. BJT가 스위칭 동작을 하게 되면 입력되는 신호는 포락선 신호처리부의 출력되는 동적 레벨에 따라 스위칭 동작을 하게 된다. 스위칭부는 이에 한정되지 않고, 종래에 스위칭 소자로 사용되는 모든 재료와 공정을 포함한 트랜지스터/스위치 등이 포함하며, 그 예로 BJT, N-MOS, 또는 P-MOS 트랜지스터 등 스위칭이 가능한 소자를 모두 포함한다.
이와 같이, 도 3에 도시된 본 발명에 따른 동적 바이어스 공급장치는 주 증폭기를 구성하는 복수개의 전력 증폭기들에 각각 바이어스를 공급하는 포락선 신호 처리부 와 2단의 병렬 스위칭부를 구비한다.
그러므로, 본 발명에 따른 동적 바이어스 공급장치는 종래 기술에서 스위칭부로부터 제공되는 바이어스를 복수개의 전력 증폭기들에 공급하기 위한 도 3에서와 같은 b 라인이 없기 때문에 전력 증폭기들(332,342) 간의 불필요한 미스매치(mismatch)를 발생시키지 않으므로 미스매치에 의해서 메모리 효과, 비선형성 및 효율저하 등의 성능열화를 겪지 않게 된다.
즉, 이렇게 함으로써, 포락선 신호처리부 와 2단의 병렬 스위칭부를 바로 전력 증폭기에 연결하므로 불필요하게 구조상 발생되었던 연결 선로를 제거하여 주 증폭기의 고선형성 및 고효율화 효과를 가져올 수 있게 된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 동적 바이어스 공급 장치를 2단 병렬구조로 구성한 예이다.
도 4에 도시된 동적 바이어스 공급 장치는 도 4에 도시된 동적 바이어스 공급 장치와 그 구성이 유사하며, 유사한 구성요소에 대해서는 도 3의 설명을 참조한다.
도 4와 같이, 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급장치의 구성은 주 증폭기의 성능 열화에 영향이 없는 포락선 신호 처리부를 공유하여 사용하는 구성도 가능하다.
구체적으로, 도 4에 도시된 동적 바이어스 공급 장치는 도 3에 도시된 동적 바이어스 공급 장치와 달리 포락선 신호처리부(412)를 복수 개의 전력 증폭기들(432,442)이 공유한다.
구체적으로, 포락선 신호처리부(412)는 수신하는 포락선 신호에 따라 스위칭 부(414,450)에 필요한 적절한 신호 레벨을 가진 동적 신호를 생성하고 각 스위칭부(414,450)에 각각 제공한다.
스위칭부(414, 450)로부터 전력 증폭기(432, 442)에 바이어스를 공급하기 위해 a 라인(430, 440)이 스위칭부(314, 354)와 전력 증폭기(332, 342) 사이에 각각 연결되어 있다.
도 5은 본 발명에 따라 다중 병렬 전력 증폭기를 위한 동적 바이어스 공급 장치를 간략하게 나타낸 도면이다.
도 5의 동적 바이어스 공급장치는 본 발명에 따라 다중병렬구조를 가지는 전력 증폭기부에 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급장치를 다중병렬로 구성한 예이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 입력 신호는 입력 네트워크(510)를 통해 전력 증폭기들(531~53N)에 입력되고, 각 전력 증폭기들(531 내지 53N)에게 바이어스를 제공하는 스위칭부를 전력 증폭기들(531 내지 53N)의 개수(521 내지 51N)만큼 구비한다.
도 5과 같이, 다중병렬을 가지는 전력 증폭기부에 포락선 신호처리부 및 스위칭부를 가지게 된다면 단일 동적 바이어스 공급회로를 장착하여 발생되는 불필요한 성능 열화를 제거할 수 있게 된다. 이는 고선형성과 고효율을 꾀하는 도1, 2의 구성 회로의 성능을 최대한 유지할 수 있을 것이다.
본 발명은 전력증폭기의 입력신호의 크기 및 위상을 동적 바이어스회로의 입력으로 받아서 전력 증폭기에 바이어스를 공급해주는 모든 구조에 해당하며, 전력 증폭기의 경우 고 효율화와 고 선형성을 위해 동적 바이어스 스위칭 회로의 장착이 가능한 다중 병렬을 가지는 모든 구조의 전력 증폭기에 적용 가능하다는 특징을 가진다.
본 발명은 전력 증폭기의 고선형성과 고효율을 꾀하는 도1의 구조를 다중병렬을 가지는 전력 증폭기 또는 단말기의 전력 증폭기에 적용 시에도 1단 의 구성 성능과 같이 다중 병렬에서도 고 효율화 및 고 선형화을 유지할 수 있게 하는 구조로 작용하게 된다. 또한 전력 증폭기의 동적 바이어스 공급장치를 이용하여 고 효율화 및 고 선형화를 이용하는 기술에 모두 적용이 가능하게 된다. 이상 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 상세히 기술하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어 통상적인 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시 예 들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
도 1은 일반적인 동적 바이어스 스위칭 장치의 구성을 나타낸 블록 구성도이다.
도 2는 다중 병렬 전력증폭기 특히, 2단 병렬 전력 증폭기를 위한 동적 바이어스 공급장치의 구조를 나타낸다.
도 3는 본 발명의 일 실시 예에 따른 동적 바이어스 공급 장치를 2단 병렬구조로 구성한 예이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 동적 바이어스 공급 장치를 2단 병렬구조로 구성한 예이다.
도 5은 본 발명에 따라 다중 병렬 전력 증폭기를 위한 동적 바이어스 공급 장치를 간략하게 나타낸 도면이다.
Claims (6)
- 도허티(Doherty) 증폭기를 포함하여 복수개의 전력 증폭기들을 병렬로 연결하는 다중 병렬 전력 증폭기를 위한 동적 바이어스 공급 장치에 있어서,상기 복수개의 병렬 전력 증폭기들에 각각 대응하는 복수개의 스위칭부; 및포락선 신호에 따라 상기 스위칭부들에 필요한 신호 레벨을 가진 동적 신호를 생성하고, 생성된 신호를 상기 스위칭부들로 각각 제공하는 복수개의 포락선 신호 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 바이어스 공급장치.
- 삭제
- 도허티(Doherty) 증폭기를 포함하여 복수개의 전력 증폭기들을 병렬로 연결하는 다중 병렬 전력 증폭기를 위한 동적 바이어스 공급 장치에 있어서,상기 복수개의 병렬 전력 증폭기들에 각각 대응하는 복수개의 스위칭부; 및상기 복수개의 스위칭부에 포락선에 대한 동적 신호를 공급하는 한 개의 포락선 신호 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 동적 바이어스 공급장치.
- 제3항에 있어서,상기 복수개의 스위칭부에 대하여 한 개의 포락선 신호 처리부를 갖는 구조가 한 개 또는 그 이상의 개수가 병렬로 연결되어 사용되는 것을 특징으로 하는 동적 바이어스 공급장치.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 동적 바이어스 공급장치는 밸런스형(Balanced) 증폭기, 도허티(Doherty) 증폭기, 피드포워드(Feed-forward) 증폭기, 피드백 증폭기(Feedback amplifier), 및 폴라(Polar) 송신기를 포함하는, 다중 병렬 구조를 사용하는 모든 증폭기에 대하여 적용되는 것을 특징으로 하는 동적 바이어스 공급장치.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 동적 바이어스 공급장치는, EER(Envelope Elimination and Restoration), Hybrid-EER, ET(Envelope Tracking) 또는 DBS(Dynamic-Bias Switching)에 적용되는 것을 특징으로 하는 동적 바이어스 공급 장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090067212A KR101094050B1 (ko) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급장치 |
US12/705,208 US8054126B2 (en) | 2009-07-23 | 2010-02-12 | Dynamic bias supply devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090067212A KR101094050B1 (ko) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110009815A KR20110009815A (ko) | 2011-01-31 |
KR101094050B1 true KR101094050B1 (ko) | 2011-12-19 |
Family
ID=43496768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090067212A KR101094050B1 (ko) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | 다중 스위치를 갖는 동적 바이어스 공급장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8054126B2 (ko) |
KR (1) | KR101094050B1 (ko) |
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
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