KR101091869B1 - Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same - Google Patents
Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101091869B1 KR101091869B1 KR1020090055635A KR20090055635A KR101091869B1 KR 101091869 B1 KR101091869 B1 KR 101091869B1 KR 1020090055635 A KR1020090055635 A KR 1020090055635A KR 20090055635 A KR20090055635 A KR 20090055635A KR 101091869 B1 KR101091869 B1 KR 101091869B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- layer
- low refractive
- substrate
- conductive film
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/18—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
Abstract
본 발명은 탄소나노튜브 도전막 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막은 기질과, 탄소나노튜브 전극층과, 보호층과, 저굴절층을 포함한다. 탄소나노튜브 전극층은 기질의 일측에 형성된다. 보호층은 탄소나노튜브 전극층 상에 형성되며 세라믹 바인더를 포함하여 이루어진다. 저굴절층은 기질 일측에 형성되며, 저굴절 바인더를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면, 도전막의 전도성 및 투광성을 떨어뜨리지 않고 내구성이 향상된 탄소나노튜브 도전막을 제조할 수 있다.The present invention provides a carbon nanotube conductive film and a method of manufacturing the same. A carbon nanotube conductive film according to a preferred embodiment of the present invention includes a substrate, a carbon nanotube electrode layer, a protective layer, and a low refractive layer. The carbon nanotube electrode layer is formed on one side of the substrate. The protective layer is formed on the carbon nanotube electrode layer and comprises a ceramic binder. The low refractive layer is formed on one side of the substrate, and comprises a low refractive binder. According to the present invention, it is possible to produce a carbon nanotube conductive film having improved durability without deteriorating the conductivity and light transmittance of the conductive film.
탄소나노튜브 도전막, 세라믹 바인더, 딥코팅 Carbon nanotube conductive film, ceramic binder, dip coating
Description
본 발명은 탄소나노튜브 도전막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 각종 디스플레이 분야나, 정전방지제품이나, 터치패널분야나, 투명 발열체를 포함하는 다양한 분야에 적용될 수 있다.The present invention relates to a carbon nanotube conductive film and a manufacturing method thereof, and can be applied to various display fields, antistatic products, touch panel fields, and various fields including a transparent heating element.
일반적으로 투명전도성 필름은 높은 전도성 (예를 들면, 1x103Ω/sq 이하의 면저항)과 가시영역에서 높은 투과율(80%이상)을 가진다. 이에 따라서 상기 투명전도성 필름은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid crystal Display, LCD)소자, 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED), 유기전계발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED), 터치패널 또는 태양전지 등에서 각종 수광소자와 발광소자의 전극으로 이용되는 것 이외에 자동차 창유리나 건축물의 창유리 등에 쓰이는 대전 방지막, 전자파 차폐막 등의 투명전자파 차폐제 및 열선 반사막, 냉동 쇼케이스 등의 투명 발열체로 사용되고 있다. In general, transparent conductive films have high conductivity (for example, sheet resistance of 1 × 10 3 Ω / sq or less) and high transmittance (80% or more) in the visible region. Accordingly, the transparent conductive film may include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD) device, a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode (OLED), and an organic light emitting diode (OLED). ), As an electrode of various light-receiving elements and light-emitting elements in touch panels or solar cells, as well as transparent electromagnetic wave shielding agents such as antistatic films and electromagnetic wave shielding films used in automobile window glass or building window glass, and transparent heating elements such as heat ray reflecting films and refrigerated showcases. It is used.
최근에는 기질 상에 코팅되는 전극을 탄소나노튜브로 하는 것에 대한 연구가 진행되고 있다.Recently, research has been made on using carbon nanotubes as electrodes coated on a substrate.
상기 탄소나노튜브는 이론적 퍼콜레이션 농도가 0.04%에 불과하여 광학적 성질을 유지시키면서 전도성을 구현할 수 있는 이상적인 재료로 평가되고 있으며, 나노미터 단위로 특정 기질 위에 박막으로 코팅하게 되면 가시광선 영역에서 빛이 투과되어 투명성을 나타내며, 탄소나노튜브가 가지고 있는 고유한 특성인 전기적 성질을 유지하게 되어 투명전극으로 사용할 수 있다. The carbon nanotube is evaluated as an ideal material that can realize conductivity while maintaining optical properties with a theoretical percolation concentration of only 0.04%, and when a thin film is coated on a specific substrate in nanometer units, light is emitted in the visible region. Transmitted to show transparency, and maintains the electrical properties that are inherent characteristics of carbon nanotubes can be used as a transparent electrode.
탄소나노튜브를 전극으로 하는 도전막은 기질 상에, 탄소나노튜브 분산액을 코팅함으로써 이루어지며, 그 코팅방법으로서는 분산액의 필터링 전이방식, 스프레이 코팅방식, 바인더 혼합액을 이용한 코팅 방식이 가장 많이 활용된다. 그 중 스프레이 코팅방식은 대면적에 적용 가능하고. 바인더와 CNT의 혼합이 불필요하다는 장점을 가지므로, 보다 많이 사용되고 있다.The conductive film using carbon nanotubes as an electrode is formed by coating a carbon nanotube dispersion on a substrate. As the coating method, a filtering transition method, a spray coating method, and a coating method using a binder mixture are most commonly used. Among them, spray coating method is applicable to large area. Since it has the advantage that the mixing of the binder and CNT is unnecessary, it is used more and more.
그런데, 스프레이 코팅 방법은 탄소나노튜브가 외부에 노출되어 있어 제조 과정에서의 스크래치나 환경적인 내구성에서 단점을 가지고 있다. However, the spray coating method has a disadvantage in scratches and environmental durability in the manufacturing process because the carbon nanotubes are exposed to the outside.
또한 탄소나노튜브 전극은 기존 투명전극 재료인 ITO에 비하여 코팅 후 투명전극의 투과도가 낮은 단점을 가진다. In addition, carbon nanotube electrodes have a disadvantage that the transmittance of the transparent electrode after coating is lower than that of ITO, which is a conventional transparent electrode material.
디스플레이의 투명전극이 가져야 할 중요한 특징은 투과도와 면저항이다. 투명전극의 투과도는 최종제품인 패널의 투과도를 결정지으며 구동시 소비자가 느끼는 화면의 선명도와 직접 연관되는 중요한 특징으로 제품의 사양이 높아질수록 고 투과성의 투명전극이 요구된다. 투명전극의 면저항은 투명전극이 사용되는 패널의 구동전압과 제품의 동작특성에 영향을 주기 때문에 다양한 환경에서 원래의 면 저 항값이 유지되는 투명전극이 필요하다. 즉 사용환경에 대한 투명전극의 면저항값에 대한 변화가 최소화될 수 있도록 전극 내구성을 확보하는 것은 매우 중요하다.An important characteristic of the transparent electrode of the display is the transmittance and sheet resistance. The transmittance of the transparent electrode determines the transmittance of the panel, which is the final product, and is an important feature that is directly related to the clarity of the screen that the consumer feels when driving. Since the sheet resistance of the transparent electrode affects the driving voltage of the panel in which the transparent electrode is used and the operation characteristics of the product, a transparent electrode in which the original surface resistance value is maintained in various environments is required. That is, it is very important to secure electrode durability so that the change in the sheet resistance value of the transparent electrode with respect to the use environment can be minimized.
따라서, 본 발명은 우수한 투과성, 고온고습 안정성, 내약품성에 대한 내구성을 가지는 동시에 우수한 도전성 및 투과도를 가지는 탄소나노튜브 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a carbon nanotube conductive film having excellent permeability, high temperature and high humidity stability, durability against chemical resistance, and having excellent conductivity and transmittance.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막은 기질과, 탄소나노튜브 전극층과, 보호층과, 저굴절층을 포함한다. Therefore, the carbon nanotube conductive film according to the preferred embodiment of the present invention includes a substrate, a carbon nanotube electrode layer, a protective layer, and a low refractive layer.
탄소나노튜브 전극층은 기질의 일측에 형성된다. 보호층은 상기 탄소나노튜브 전극층 상에 형성되며, 세라믹 바인더를 포함하여 이루어진다. 저굴절층은 상기 기질 타측에 형성되며, 저굴절 바인더를 포함하여 이루어진다. The carbon nanotube electrode layer is formed on one side of the substrate. The protective layer is formed on the carbon nanotube electrode layer and comprises a ceramic binder. The low refractive layer is formed on the other side of the substrate, and comprises a low refractive binder.
상기 보호층은 탄소나노튜브를 포함할 수 있다.The protective layer may include carbon nanotubes.
상기 보호층 상에 저굴절층이 더 형성될 수 있다.A low refractive layer may be further formed on the protective layer.
본 발명의 다른 측면에서의 탄소나노튜브 도전막은 기질과, 탄소나노튜브 전극층과, 저굴절출을 포함한다.In another aspect of the present invention, the carbon nanotube conductive film includes a substrate, a carbon nanotube electrode layer, and low refractive index.
탄소나노튜브 전극층은 상기 기질 일측에 형성된다. The carbon nanotube electrode layer is formed on one side of the substrate.
저굴절층은 상기 기질 타측 및 탄소나노튜브 전극층 외면에 형성되며, 세라믹 바인더를 포함하여 이루어진다.The low refractive layer is formed on the other side of the substrate and the outer surface of the carbon nanotube electrode layer, and comprises a ceramic binder.
이 경우, 상기 탄소나노튜브 전극층은 상기 기질 및 상기 기질의 타측에 형성된 저굴절층 사이에도 개재된다.In this case, the carbon nanotube electrode layer is also interposed between the substrate and the low refractive layer formed on the other side of the substrate.
상기 보호층 및 저굴절층을 이루는 세라믹은, 산화주석, 산화 이트륨, 산화마그네슘, 산화규소, 산화아연, 및 실리콘 중에서 선택된 하나를 기본 골격 구조로 가지는 것으로, 상기 보호층 및 저굴절층의 농도는 고형분 20wt% 이하일 수 있다. 이 경우, 상기 보호층은 하나 이상의 알킬기를 측쇄로 가질 수 있다. The ceramic constituting the protective layer and the low refractive index layer has a basic skeleton structure selected from tin oxide, yttrium oxide, magnesium oxide, silicon oxide, zinc oxide, and silicon, and the concentration of the protective layer and the low refractive layer is Solids may be 20 wt% or less. In this case, the protective layer may have one or more alkyl groups as side chains.
상기 보호층 및 저굴절층의 두께는 10-500nm일 수 있다. The thickness of the protective layer and the low refractive layer may be 10-500nm.
보호층 두께/탄소나노튜브 전극층 두께 비가 2이하인 것이 바람직하다.The protective layer thickness / carbon nanotube electrode layer thickness ratio is preferably 2 or less.
한편, 본 발명의 또 다른 측면에서의 탄소나노튜브 도전막의 제조방법은, 기질을 준비하는 단계와, 상기 기질 일측에 탄소나노튜브를 코팅하여 탄소나노튜브 전극층을 형성하는 단계와, 상기 탄소나노튜브 전극층의 외면 및 상기 기질의 타측에 세라믹 소재로 이루어진 저굴절층을 동시에 형성시키는 단계를 포함한다.On the other hand, the carbon nanotube conductive film production method in another aspect of the present invention, the step of preparing a substrate, the carbon nanotube coating on one side of the substrate to form a carbon nanotube electrode layer, the carbon nanotube And simultaneously forming a low refractive layer made of a ceramic material on an outer surface of the electrode layer and the other side of the substrate.
상기 저굴절층을 형성하는 단계는, 상기 탄소나노튜브 전극층이 형성된 기질을 저굴절층 용액에 딥코팅함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 저굴절층을 형성시키는 단계는, 물, 알코올 및 일반 유기용제 계통의 용매를 가진 코팅액에 상기 세라믹이 상기 코팅액의 무게 대비 10wt% 이하로 희석된 상태에서, 상기 탄소나노튜브 전극층이 형성된 기질을 딥코팅함으로써 이루어질 수 있다. 또한, 상기 딥코팅의 속도는 1 내지 50cm/min일 수 있다. The forming of the low refractive layer may be performed by dip coating a substrate on which the carbon nanotube electrode layer is formed into a low refractive layer solution. In this case, the step of forming the low refractive index layer, the carbon nanotube electrode layer is in a state in which the ceramic is diluted to 10wt% or less relative to the weight of the coating liquid in a coating liquid having water, alcohol and a solvent of a general organic solvent system It can be done by dipcoating the formed substrate. In addition, the speed of the dip coating may be 1 to 50cm / min.
상기 저굴절층을 형성하는 단계 이전에, 상기 탄소나노튜브 전극층 상에 알킬기를 측쇄로 가지는 세라믹을 코팅한 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. Prior to forming the low refractive layer, the method may further include forming a protective layer coated with a ceramic having an alkyl group as a side chain on the carbon nanotube electrode layer.
상기 저굴절층의 두께는 10 내지 500nm 일 수 있다. The low refractive layer may have a thickness of about 10 nm to about 500 nm.
한편, 상기 탄소나노튜브 전극층을 형성시키는 단계는, 상기 탄소나노튜브 전극층을 상기 기질의 타면에도 형성시키는 단계를 포함할 수 있다.Meanwhile, the forming of the carbon nanotube electrode layer may include forming the carbon nanotube electrode layer on the other surface of the substrate.
본 발명에 따르면, 세라믹 바인더를 탄소나노튜브 필름에 양면 코팅함으로써, 고 투과성과 고 전도성, 고온고습 및 화학안정성에 대한 고 내구성을 가지는 탄소나노튜브 도전막을 얻을 수 있다. According to the present invention, by coating the ceramic binder on both sides of the carbon nanotube film, a carbon nanotube conductive film having high permeability, high conductivity, high temperature, high humidity, and high durability against chemical stability can be obtained.
또한, 상기 보호층 및 저굴절층을 동시에 딥코팅함으로써, 탄소나노튜브 도전막의 내구성 및 투과성이 향상된다. In addition, by simultaneously coating the protective layer and the low refractive layer, the durability and permeability of the carbon nanotube conductive film is improved.
이하 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막 및 이의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a carbon nanotube conductive film and a method for manufacturing the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜 도전막(1)을 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 A부를 확대도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a carbon nanotube
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브 도전막(1)은 기질(10)과 탄소나노튜브 전극층(20)과, 보호층(30)과, 저굴절층(40)을 구비한다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the carbon nanotube
기질(10)은 투명재질일 수 있으며 이에 따라 유리, PET, PC등의 투명 폴리머로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 기질(10)은 고투명 무기물 기판 또는 투명 폴리머 기판으로 이루어져서 유연성을 가지는 것이 바람직하다.
기질(10)의 적어도 일측에 탄소나노튜브 전극층(20)이 형성된다. 탄소나노튜브 전극층(20)은 탄소나노튜브를 포함한다. 탄소나노튜브(Carbon Nanotube:CNT) 는 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브형태를 이루고 있고, 튜브의 직경이 나노미터 수준으로 극히 작아서 특유의 전기 화학적 특성을 나타낸다. 이러한 탄소나노튜브를 플라스틱이나 유리 기판에 얇은 도전막으로 형성시키면 가시광선 영역에서 높은 투과도와 전도성을 나타내므로 투명전극으로 사용이 가능하다.The carbon
보호층(30)은 상기 탄소나노튜브 전극층(20) 일측에 형성되며, 세라믹 바인더(31)를 포함하여 이루어진다. 상기 보호층(30)은 탄소나노튜브 전극층(20)을 외부로부터 보호하는 기능을 한다. 이 경우 도전막의 투명성 및 전기 전도성을 저하시키지 않아야 한다.The
상기 보호층(30)은 세라믹 소재의 바인더 소재로 이루어질 수 있다. 일반적으로 세라믹 바인더(31)는 광투과도가 높은 코팅막의 제조가 가능하고, 접착력이 우수하여 미세균열보강에 유리하고, 내열, 내화특성이 우수하며, 코팅 적용이 유용하다.The
상기 세라믹 고분자로 이루어진 보호층(30)은 산화안정성이 우수하여 내후성이 뛰어나고, 저 표면장력을 가져서 내오염성을 가지고, 투과성이 우수하다.The
또한, 세라믹의 유기기는 탄소나노튜브와 혼합이 용이하고 안정성을 유지한다. 이에 따라서 상기 보호층(30)이 탄소나노튜브 전극층(20)과 표면과 접촉 안정성을 가진다.In addition, organic groups of ceramics are easily mixed with carbon nanotubes and maintain stability. Accordingly, the
상기 세라믹 바인더(31)는 그 용도에 따라 전도성 물질의 산화주석(SnO2), 발수성이 강한 산화이트륨(Y2O3), 전자필터로 사용되는 산화마그네슘(MgO), 접착제 로 사용되는 산화규소(SiO2), 자외선 차단제인 산화아연(ZnO), 실리콘 등을 선택할 수 있다. 이 경우, 상기 저굴절층(40)의 농도는 고형분 20wt% 이하인 것이 바람직하다.The
그 중 세라믹 바인더(31)의 하나의 예로서 실리콘(silicone) 바인더는 규소 원소에 치환된 관능기에 따라 다양한 물성을 나타낸다. 이들 관능기는 다양한 화학반응으로 다른 관능기로 변환될 수 있으며, 메틸기 이외에도 페닐기, 비닐기, 삼불화프로필기, 알킬기 등과 같은 유기기가 치환되어서 상업적으로 많이 사용된다.As one example of the
상기 실리콘 바인더는 무기 주쇄에 결합된 유기기가 동시에 한 물질 내에 존재한다. 예를 들어, 대부분의 실리콘 분자는 폴리실록산(polysiloxane) [-Si(RR')-O-]n 형태의 주쇄를 가진 구조로 되어 있다. 실리콘 고분자는 낮은 표면장력을 가지고 있어 강한 소수성을 나타내며, 이러한 성질로 인하여 발수성 재료로 별다른 개질 과정 없이 쉽게 사용될 수 있다. In the silicone binder, organic groups bonded to the inorganic main chain are simultaneously present in one material. For example, most silicon molecules have a structure having a main chain in the form of polysiloxane [-Si (RR ')-O-] n. Silicone polymer has a low surface tension and shows strong hydrophobicity, and because of this property, it can be easily used as a water repellent material without any modification process.
저굴절층(40)은 상기 기질(10) 타측에 형성되며, 저굴절 바인더를 포함하여 이루어진다. 상기 저굴절층(40)은, 이를 통과하는 빛의 굴절을 작게 하여서, 탄소나노튜브 도전막 전체의 투명성을 향상시킨다. The low
상기 저굴절층(40)의 두께가 10-500nm인 것이 바람직한데, 이 두께가 저굴절 바인더로 일정 두께 이상으로 기질(10)에 코팅될 때 필름의 투과도가 가장 우수하기 때문이다. It is preferable that the thickness of the low
또한, 상기 보호층(30)도 수 내지 수백 나노미터 단위의 두께를 가지는 것이 바람직한데, 이는 상기 탄소나노튜브 전극층(20)의 전도성을 유지시키기 위해서이 다. 일반적으로 바인더 물질은 높은 전도성을 가지고 있지 않으며 실리콘 바인더 역시 투명전극에서 요구하는 1kΩ/sq이하의 면저항을 가지지는 못하는 문제점을 해결하기 위하여, 탄소나노튜브 일측에 나노 단위의 얇은 세라믹 코팅막을 형성하여 아래층에 있는 탄소나노튜브 전극층(20)의 전극적인 특성을 최대한 저하시키지 않도록 하는 것이다. 바람직하게는 보호층 두께/탄소나노튜브 전극층 두께 비가 2 이하인 범위에서 조절하여야 한다.In addition, the
도면에는 도시되지는 않으나, 상기 탄소나노튜브 전극층(20)은 상기 기질의 타면에도 형성될 수 있다. 즉, 상기 탄소나노튜브 전극층이 기질의 양면에 형성될 수 있고, 이 경우, 상기 저굴절층(40)은 상기 기질 타면에 형성된 탄소나노튜브 전극층 외면을 덮도록 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, the carbon
도 3은 도 2의 변형예를 도시한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 탄소나노튜브 전극층(20)의 전도성을 유지시키기 위해서, 상기 보호층(30)이 탄소나노튜브(33)를 더 포함할 수 있다. 즉, 세라믹 바인더(31)와 탄소나노튜브(33) 및 극성 용매를 일정한 비율로 섞은 코팅용액을 만들어서, 상기 탄소나노튜브 전극층(20)에 코팅함으로써, 보호층(30)의 코팅으로 인한 면저항 증가의 단점을 극복하고 탄소나노튜브의 전극 특징을 유지할 수 있다. 3 is a diagram illustrating a modification of FIG. 2. As shown in FIG. 3, in order to maintain the conductivity of the carbon
도 4는 본 발명의 다른 측면에서의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막(2)을 도시한 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브 도전막(2)은 기질(10)과, 탄소나노튜브 전극층(20)과, 저굴절층(40)을 구비한다. 이 경우, 상기 저굴절층(40)은 상기 기질(10) 타측 및 탄소나노튜브 전극층(20) 외면에 형성되며, 세라믹 바인더를 포함하여 이루어진다. 4 is a view showing a carbon nanotube
상기 저굴절층(40)은 세라믹 소재의 바인더 소재로 이루어질 수 있다. 일반적으로 세라믹 바인더는 광투과도가 높은 코팅막의 제조가 가능하고, 접착력이 우수하여 미세균열보강에 유리하고, 내열, 내화특성이 우수하며, 코팅 적용이 유용하다.The low
상기 세라믹 고분자로 이루어진 저굴절층(40)은 산화안정성이 우수하여 내후성이 뛰어나고, 저 표면장력을 가져서 내오염성을 가지고, 투과성이 우수하다.The low
또한, 세라믹의 유기기는 탄소나노튜브와 혼합이 용이하고 안정성을 유지한다. 이에 따라서 상기 저굴절층(40)이 탄소나노튜브 전극층(20)과 표면과 접촉 안정성을 가진다.In addition, organic groups of ceramics are easily mixed with carbon nanotubes and maintain stability. Accordingly, the low
상기 세라믹 바인더는 그 용도에 따라 전도성 물질의 산화주석(SnO2), 발수성이 강한 산화이트륨(Y2O3), 전자필터로 사용되는 산화마그네슘(MgO), 접착제로 사용되는 산화규소(SiO2), 자외선 차단제인 산화아연(ZnO), 실리콘 등을 선택할 수 있다. 이 경우, 상기 보호층(30) 및 저굴절층(40)의 농도는 고형분 20wt% 이하인 것이 바람직하다.The ceramic binder may be tin oxide (SnO 2) of a conductive material, yttrium oxide (Y 2 O 3) having strong water repellency, magnesium oxide (MgO) used as an electronic filter, silicon oxide (SiO 2) used as an adhesive, and a sunscreen agent. Zinc oxide (ZnO), silicon and the like can be selected. In this case, the concentration of the
그 중 세라믹 바인더의 하나의 예로서 실리콘(silicone) 바인더는 규소 원소에 치환된 관능기에 따라 다양한 물성을 나타낸다. 이들 관능기는 다양한 화학반응으로 다른 관능기로 변환될 수 있으며, 메틸기 이외에도 페닐기, 비닐기, 삼불화프로필기, 알킬기 등과 같은 유기기가 치환되어서 상업적으로 많이 사용된다. As one example of the ceramic binder, a silicone binder exhibits various physical properties according to a functional group substituted with a silicon element. These functional groups may be converted to other functional groups by various chemical reactions, and in addition to the methyl group, organic groups such as phenyl group, vinyl group, propyl trifluoride group, alkyl group, etc. are substituted and are widely used commercially.
상기 실리콘 바인더는 무기 주쇄에 결합된 유기기가 동시에 한 물질 내에 존 재한다. 예를 들어, 대부분의 실리콘 분자는 폴리실록산(polysiloxane) [- Si(RR')-O-]n 형태의 주쇄를 가진 구조로 되어 있다. 실리콘 고분자는 낮은 표면장력을 가지고 있어 강한 소수성을 나타내며, 이러한 성질로 인하여 발수성 재료로 별다른 개질 과정 없이 쉽게 사용될 수 있다.The silicon binder is present in the material at the same time the organic group bonded to the inorganic backbone. For example, most silicon molecules have a structure having a main chain in the form of polysiloxane [-Si (RR ')-O-] n. Silicone polymer has a low surface tension and shows strong hydrophobicity, and because of this property, it can be easily used as a water repellent material without any modification process.
상기 저굴절층(40)의 두께가 10-500nm인 것이 바람직한데, 이 두께가 저굴절 바인더로 일정 두께 이상으로 기질(10)에 코팅될 때 필름의 투과도가 가장 우수하고, 상기 탄소나노튜브 전극층(20)의 전도성을 유지시키기 위해서이다. 일반적으로 바인더 물질은 높은 전도성을 가지고 있지 않으며 실리콘 바인더 역시 투명전극에서 요구하는 1kΩ/sq이하의 면저항을 가지지는 못하는 문제점을 해결하기 위하여, 탄소나노튜브 일측에 나노 단위의 얇은 세라믹 코팅막을 형성하여 아래층에 있는 탄소나노튜브 전극층(20)의 전극적인 특성을 최대한 저하시키지 않도록 하는 것이다. 바람직하게는 저굴절층 두께/탄소나노튜브 전극층 두께 비가 2 이하인 범위에서 조절하여야 한다.It is preferable that the thickness of the low
또한, 상기 저굴절층(40)이 탄소나노튜브 전도층(20)이 형성된 기질(10)의 양면을 동시에 형성시킬 수 있다. 예를 들면, 저굴절층(40)을 딥 코팅방식으로, 상기 탄소나노튜브 전극층(20)이 형성된 기질(10) 양면에 코팅할 수 있다. 이에 따라서, 투명전극의 투과도 향상과 더불어 전극의 내구성이 향상되는 동시 효과를 얻을 수 있다.In addition, the low
일반적으로 탄소나노튜브는 코팅 기질(10)의 특성에 직접적인 영향을 받아 전극의 특성을 나타내기 때문에 코팅 기질(10)의 양면이 동일하게 세라믹층으로 보 호될 때 열적인 내구성이 크게 향상된다. 탄소나노튜브 전극층(20)이 코팅된 면에만 저굴절층(40)이 올려질 때, 보호되지 않는 아래 기질(10)의 타면부는 열에 대한 영향으로 변형될 수 있다. 그러나, 본 발명에 의하면, 탄소나노튜브 전극층(20)이 형성된 기질(10)의 일측 및 타측이 모두 보호됨으로써 수축 팽창에 대한 기질(10)의 변화가 줄어들기 때문이다. In general, carbon nanotubes are directly affected by the properties of the
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막 제조 방법의 각 단계를 도시한 블록도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브 도전막 제조 방법은, 기질을 준비하는 단계(S10)와, 상기 기질 일측에 탄소나노튜브를 코팅하여 탄소나노튜브 전극층을 형성하는 단계(S20)와, 상기 탄소나노튜브 전극층의 외면 및 상기 기질의 타측에 세라믹 소재로 이루어진 저굴절층을 동시에 형성시키는 단계(S40)를 포함한다.5 is a block diagram showing each step of the carbon nanotube conductive film manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the carbon nanotube conductive film manufacturing method includes preparing a substrate (S10), and coating a carbon nanotube on one side of the substrate to form a carbon nanotube electrode layer (S20); And simultaneously forming a low refractive layer made of a ceramic material on the outer surface of the carbon nanotube electrode layer and the other side of the substrate (S40).
상기 단계를 도 5와 함께 도 4를 참조하여 상세히 설명하면, 탄소나노튜브 도전막을 제조시키기 위하여, 먼저 기질(10)을 준비하는 단계(S10)를 거친다. 상기 기질(10)은 상기한 바와 같이 유리나, 유연성 있는 고분자 폴리머일 수 있다.The above step will be described in detail with reference to FIG. 4 along with FIG. 5. In order to manufacture the carbon nanotube conductive film, the step of preparing the
그 후에, 상기 기질(10) 상에 탄소나노튜브를 코팅하여 탄소나노튜브 전극층(20)을 형성하는 단계(S20)를 거친다. 이 경우, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 구조의 탄소나노튜브이거나 다중벽 구조의 탄소나노튜브 일수 있다. Thereafter, the carbon nanotubes are coated on the
상기 탄소나노튜브 전극층(20)의 코팅 방법은 스프레이 코팅, 분산액의 필터링 전이방식, 바인더 혼합액을 이용한 코팅 방식 등을 이용할 수 있다. The coating method of the carbon
그 후, 상기 기질(10)의 양측에 세라믹 소재로 이루어진 저굴절층(40)을 형 성시키는 단계(S40)를 거친다. Thereafter, a step (S40) of forming a low
상기 탄소나노튜브 전도층 일면 및 상기 기질(10) 양면에 각각 세라믹 소재로 이루어진 저굴절층(40)을 형성시킴으로써, 탄소나노튜브 도전막의 산화안정성 및 내후성을 향상시키고, 저 표면장력을 가져서 내오염성을 가지며, 투과성이 우수하도록 할 수 있다.By forming a low
이 경우, 상기 탄소나노튜브 전극층(20)을 형성시키는 단계(S20)는, 상기 탄소나노튜브 전극층(20)을 상기 기질의 타면에도 형성시키는 단계를 포함하고, 상기 저굴절층(40)을 형성시키는 단계는 상기 기질(10)의 양면에 형성된 탄소나노튜브 전극층 외면에 상기 저굴절층(40)을 형성시키도록 할 수 있다. In this case, the forming of the carbon nanotube electrode layer 20 (S20) includes forming the carbon
상기 저굴절층(40)은 상기 탄소나노튜브 전극층(20)이 형성된 기질(10)에, 딥코팅을 통하여 상기 알킬기를 측쇄로 가지는 실리콘 바인더를 양면 코팅함으로써 이루어질 수 있다.The low
이에 딥코팅용으로 사용될 수 있는 용매는 알코올류, 아민류, 증류수 및 일반적인 유기 용매를 선정할 수 있고, 상기 실리콘 바인더는 상기 용매에 분산을 위해 말단에 수용성을 위한 폴리에틸렌 옥사이드기를 가질 수 있다. The solvent that can be used for the dip coating may be selected from alcohols, amines, distilled water and a general organic solvent, the silicone binder may have a polyethylene oxide group for water solubility at the end for dispersion in the solvent.
상기 용매는, 저굴절층(40)을 상기 탄소나노튜브 전극층(20)에 코팅 후 제거가 용이하도록, 끓는점이 120℃ 이하인 것이 바람직하다.The solvent has a boiling point of 120 ° C. or less so that the low
상기 실리콘 고분자로 이루어진 저굴절층(40)은 산화안정성이 우수하여 내후성이 뛰어나고, 저 표면장력을 가져서 내오염성을 가지고, 투과성이 우수하다.The low
상기 딥코팅 단계를 보다 상세히 설명하면, 먼저 딥코팅에 사용될 담지 용액을 준비한다. 이 경우, 상기 용액 준비를 위한 바인더의 희석액은 용액 대비 10wt% 이하로 희석시킨다. When the dip coating step is described in more detail, first, a supporting solution to be used for dip coating is prepared. In this case, the dilution of the binder for the solution preparation is diluted to 10wt% or less relative to the solution.
삭제delete
상기 희석 코팅액을 딥코팅을 위한 용기에 채운다. The diluted coating solution is filled into a container for dip coating.
그 후에 탄소나노튜브 전극층(20)이 형성된 기질(10)에 상기 세라믹 소재를 딥코터를 이용하여 양면 코팅 한다. Thereafter, the ceramic material is coated on both surfaces of the
딥코팅의 속도는 1 ~ 50cm/min 범위로 조절한다. 일반적으로 딥코팅에서는 코팅 속도에 따라 박막의 두께가 반비례하는 결과를 나타낸다. 즉 담지 속도가 빠르면 두꺼운 코팅층을 얻고 담지 속도가 느릴수록 코팅층의 두께가 얇아진다. 딥코팅의 속도가 50cm/min이상이면 코팅층의 두께가 두꺼워 전기 전도도 및 광 투과도가 저하되는 문제가 나타나며 1cm/min이하인 경우에는 코팅의 생산성 및 박막의 두께가 얇아져 내구성이 떨어지는 문제점이 나타난다. The speed of dip coating is controlled in the range of 1 to 50 cm / min. In general, in the deep coating, the thickness of the thin film is inversely proportional to the coating speed. In other words, the higher the supporting speed, the thicker the coating layer, and the lower the supporting speed, the thinner the coating layer. If the speed of the dip coating is more than 50cm / min thickness of the coating layer is a problem that the electrical conductivity and light transmittance is reduced, and when the 1cm / min or less, the coating productivity and the thickness of the thin film appears to have a problem that the durability is poor.
이 경우, 상기 코팅의 두께는 코팅 후 탄소나노튜브 전극층(20) 표면의 안정화와 전도성을 유지할 수 있도록 조절한다. 바람직하게는 탄소나노튜브 초기 면저항 대비 50%이하로 면저항이 변화하지 않는 범위에서 코팅하는 것이 바람직하다. 상기 코팅의 두께는 10~500nm인 것이 바람직한데, 상기 코팅의 두께가 500nm 이상이면 광 투과도가 저하되며, 10nm이하이면 내구성 특성이 저하된다.In this case, the thickness of the coating is adjusted to maintain the stability and conductivity of the surface of the carbon
상기 딥코팅용으로 사용될 수 있는 용매는 알코올류, 아민류, 증류수 및 일 반적인 유기 용매를 선정할 수 있고, 상기 실리콘 바인더는 상기 용매에 분산을 위해 말단에 수용성을 위한 폴리에틸렌 옥사이드기를 가질 수 있다. The solvent that can be used for the dip coating may be selected alcohols, amines, distilled water and a general organic solvent, the silicone binder may have a polyethylene oxide group for water solubility at the end for dispersion in the solvent.
상기 용매는, 저굴절층(40)을 상기 탄소나노튜브 전극층(20)에 코팅 후 제거가 용이하도록, 끓는점이 120℃ 이하인 것이 바람직하다.The solvent has a boiling point of 120 ° C. or less so that the low
일반적으로 탄소나노튜브 전극층(20) 제조에서는 부착 안정화를 위하여 기질(10)에 탄소나노튜브를 코팅 후 열처리를 통한 안정화 과정을 거치게 되는데 이러한 안정화의 방법은 기질(10)의 표면에 있는 열가소성의 성격을 띠는 접착층이 탄소나노튜브의 가닥 밑 부분을 감싸면서 가능해진다. 그러나 이러한 열처리 과정중에 기질(10)의 변화가 많이 일어나게 되어 탄소나노튜브 전극의 면저항값이 코팅 직후와 비교했을 때 많이 증가하는 단점이 발생된다. 이 결과로 전도성에 대한 특성을 유지해야 하는 투명전극의 특성을 많이 감소시키게 된다. 그러나 본 발명에서 제시하는 기질(10)에 탄소나노튜브를 코팅한 후 딥코팅을 하여 상하부 양면에 실리콘 저굴절층(40)을 형성하고 열처리 안정화 과정을 거치면 앞의 두 경우에서 나타나는 면저항의 증가 현상이 억제되어 상대적으로 낮은 면저항을 가진 필름을 제조할 수 있게 된다. In general, the carbon
이는 딥코팅을 통해 양면으로 코팅된 저굴절층(40)이 기질(10)의 형태 변화를 최소화하여 투명전극의 면저항값이 크게 증가하지 않고 코팅직후의 면저항값을 유지하게 된다. 따라서 딥코팅을 통한 양면 저굴절층(40)의 형성은 투과도의 증가와 동시에 면저항의 유지에 의해 고투과성과 고전도성의 투명전극을 제조할 수 있게 한다. This is because the low
또한, 상기 세라믹의 결합된 반응기의 종류를 적절하게 설정한다면, 탄소나노튜브 도전막의 유연성을 유지할 수 있다. 예를 들어, 실리콘에 결합된 반응기의 종류인 알킬기 하나 이상을 측쇄로 선정함으로써 플렉서블한 코팅면에서 세라믹 바인더(31)가 가지는 코팅성을 유지할 수 있다. 이 경우, 상기 측쇄 알킬기의 탄소 수는 5개에서15개 사이인 것이 바람직하다.In addition, if the type of the combined reactor of the ceramic is properly set, the flexibility of the carbon nanotube conductive film can be maintained. For example, by selecting at least one alkyl group, which is a kind of reactor bonded to silicon, as a side chain, the coating property of the
한편, 상기 저굴절층(40)을 형성시키는 단계(S40) 이전에, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 탄소나노튜브 전극층(20) 상에 알킬기를 측쇄로 가지는 세라믹을 코팅하여 보호층(30)을 형성하는 단계(S30)를 거칠 수 있다. Meanwhile, before forming the low refractive index layer 40 (S40), as shown in FIG. 1, the
상기 세라믹 고분자로 이루어진 보호층(30)은 산화안정성이 우수하여 내후성이 뛰어나고, 저 표면장력을 가져서 내오염성을 가지고, 투과성이 우수하다.The
이 경우, 상기 보호층(30)은 수 내지 수백 나노미터 단위의 두께를 가지는 것이 바람직한데, 이는 상기 탄소나노튜브 전극층(20)의 전도성을 유지시키기 위해서이다. 일반적으로 바인더 물질은 높은 전도성을 가지고 있지 않으며 실리콘 바인더 역시 투명전극에서 요구하는 1kΩ/sq이하의 면저항을 가지지는 못하는 문제점을 해결하기 위하여, 탄소나노튜브 위에 나노 단위의 얇은 세라믹 코팅막을 형성하여 아래층에 있는 탄소나노튜브 전극층(20)의 전극적인 특성을 최대한 저하시키지 않도록 하는 것이다. 바람직하게는 보호층(30)두께/탄소나노튜브 전극층(20) 두께 비가 2 이하인 범위에서 조절하여야 한다.In this case, the
저굴절층(40)을 코팅한 후에, 상기 저굴절층(40)을 경화시키는 단계를 더 거칠 수 있다. 또한 보호층(30)을 코팅한 후에, 상기 보호층(30)을 경화시키는 단계 를 거칠 수 있다. 이를 위하여 경화 전 전처리 온도를 40 ~ 60℃에서 1시간 정도 예열 시간을 가지고, 그 후에 완전한 경화를 위하여 100℃ ~ 150℃, 보다 바람직하게는125℃ ~ 135℃에서 60분으로 경화할 수 있다. 상기 열처리 온도와 열처리 시간은 기판의 종류와 바인더의 특성에 따라 조절될 수 있다. After coating the low
<실시예><Examples>
실시예는 탄소나노튜브 전극층(20)이 코팅된 일면 및 기질(10)의 타면에 각각 실리콘 바인더로 이루어진 보호층(30) 및 저굴절층(40)을 코팅하였다.In the embodiment, the
비교예는 기질(10) 상에 탄소나노튜브 전극층(20)을 코팅하였으며, 별도의 양면 저굴절층(40)이 코팅되지 않았다. In the comparative example, the carbon
제조된 투명전극의 특성 평가를 위해 코팅 후의 투과도와 면저항을 측정하였다. 또한 내구성 특성을 확인하기 위해 고온고습 테스트를 실시하였다. 이 경우, 실험조건은 65℃, 95%, 240시간으로 항온항습기를 이용하였다. In order to evaluate the properties of the prepared transparent electrode, the transmittance and sheet resistance after coating were measured. In addition, high temperature and high humidity tests were conducted to confirm durability characteristics. In this case, the experimental conditions were a constant temperature and humidity chamber at 65 ℃, 95%, 240 hours.
면저항(Ω/□)Before heat treatment
Sheet resistance (Ω / □)
면저항(Ω/□)After heat treatment
Sheet resistance (Ω / □)
R/Ro(고온고습 후 면저항/초기면저항)High temperature and high humidity durability
R / Ro (surface resistance / initial surface resistance after high temperature and high humidity)
실시예의 경우 투과도가 89%이며 열처리 전 면저항이 600Ω/□, 열처리 후 면저항 (Ro)700 Ω/□으로 나타났으며 이를 65℃, 95%, 240시간 고온고습 test후 면저항(R)의 변화율 R/Ro < 1.1으로 안정함을 알 수 있었다. In the case of Example, the transmittance was 89% and the sheet resistance before heat treatment was 600 Ω / □, and the sheet resistance (Ro) 700 Ω / □ after heat treatment, which was 65 ℃, 95%, and the rate of change of surface resistance (R) after 240 hours high temperature and high humidity test. It was found that / Ro <1.1.
비교예의 경우, 초기 면저항이 600Ω/□인 열처리 안정화 후 면저항 값(Ro)이 900 Ω/□으로 면저항의 증가가 되어서, 도전성이 열화된다. 고온고습 테스트 후 면저항(R) 변화율 R/Ro = >1.6으로 불안정함을 알 수 있었다. 즉, 일반적인 투명전극 요구특성인 변화율 (R/Ro) 1.2%이상으로 나타나 고온 고습의 특성에 안정화하지 못함을 알 수 있다. In the comparative example, the sheet resistance value Ro increases to 900 Ω / □ after heat treatment stabilization with an initial sheet resistance of 600? It was found that the sheet resistance (R) change rate R / Ro => 1.6 was unstable after the high temperature and high humidity test. In other words, the change rate (R / Ro) of 1.2% or more, which is a required characteristic of a transparent electrode, may be found to be unstable at high temperature and high humidity.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막의 일단면을 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing one end surface of a carbon nanotube conductive film according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 도1의 A부를 확대도시한 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 1.
도 3은 도 2의 변형예를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a modification of FIG. 2.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막의 일단면을 도시한 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing one end surface of the carbon nanotube conductive film according to another embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브 도전막의 제조방법을 도시한 블록도이다.5 is a block diagram showing a method of manufacturing a carbon nanotube conductive film according to a preferred embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
1, 2: 탄소나노튜브 도전막 10:기질1, 2: carbon nanotube conductive film 10: substrate
20: 탄소나노튜브 전극층 30: 보호층20: carbon nanotube electrode layer 30: protective layer
31: 세라믹 바인더 40: 저굴절층31: ceramic binder 40: low refractive layer
Claims (17)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090055635A KR101091869B1 (en) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same |
PCT/KR2010/003992 WO2010151013A2 (en) | 2009-06-22 | 2010-06-21 | Carbon nanotube conductive film and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090055635A KR101091869B1 (en) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100137288A KR20100137288A (en) | 2010-12-30 |
KR101091869B1 true KR101091869B1 (en) | 2011-12-12 |
Family
ID=43387016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090055635A KR101091869B1 (en) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101091869B1 (en) |
WO (1) | WO2010151013A2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160100143A (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-23 | 동우 화인켐 주식회사 | Film Touch Sensor |
JP7033257B2 (en) * | 2018-08-13 | 2022-03-10 | トヨタ自動車株式会社 | Secondary battery electrodes and secondary batteries |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070660A (en) | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Kuraray Co Ltd | Transparent conductive film and its manufacturing method |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4488826B2 (en) * | 2004-07-29 | 2010-06-23 | タキロン株式会社 | Antistatic resin molding |
JP2006035771A (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Takiron Co Ltd | Conductive layer transfer sheet |
KR100628031B1 (en) * | 2005-07-27 | 2006-09-26 | (주) 나노텍 | Thermally improve conductive carbon sheet base on mixed carbon material of expanded graphite powder and carbon nano tube powder |
-
2009
- 2009-06-22 KR KR1020090055635A patent/KR101091869B1/en not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-06-21 WO PCT/KR2010/003992 patent/WO2010151013A2/en active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070660A (en) | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Kuraray Co Ltd | Transparent conductive film and its manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100137288A (en) | 2010-12-30 |
WO2010151013A2 (en) | 2010-12-29 |
WO2010151013A3 (en) | 2011-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101187810B1 (en) | Transparent conductive sheet including anti-reflection layer and the method for manufacturing the same | |
JP2012524966A (en) | Carbon nanotube conductive film and manufacturing method thereof | |
US20100028634A1 (en) | Metal oxide coatings for electrically conductive carbon nanotube films | |
CN105122190A (en) | Display apparatus with capacitive touch panel | |
KR101813749B1 (en) | Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same | |
US20050209392A1 (en) | Polymer binders for flexible and transparent conductive coatings containing carbon nanotubes | |
KR101737156B1 (en) | Transparent conductor and apparatus comprising the same | |
CN105247393A (en) | Display device with capacitive touch panel | |
CN105210137A (en) | Display device with capacitive touch panel | |
WO2008143714A2 (en) | Protective coatings for porous conductive films and coatings | |
JP4871846B2 (en) | Film with transparent conductive film for touch panel and touch panel using the same | |
US20140186587A1 (en) | Transparent conductor and apparatus including the same | |
KR20110027297A (en) | Transparent conductive film, touch panel and display device comprising the same | |
TW201538636A (en) | Low refractive composition, method for producing the same, and transparent conductive film | |
KR101147227B1 (en) | manufacturing mathod of conductive coatings with metal oxide-wrapped carbon nanotubes and the conductive coatings thereby | |
KR102003427B1 (en) | Flexible liquid crystal film using fiber-based foldable transparent electrode and fabrication method thereof | |
KR101091869B1 (en) | Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same | |
KR101128291B1 (en) | Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same | |
KR101097417B1 (en) | Carbon nanotube conductive layer and the method for manufacturing the same | |
KR101859777B1 (en) | Optical film with improved visibility of Ag nanowire | |
KR101173516B1 (en) | Method for manufacturing carbon nano tube film with pattern | |
KR20150118449A (en) | Photo-curable composition of UV protecting and antioxidation UV-curing over coating solution for transparent conductive film | |
KR20170090895A (en) | Superb optical characteristics silver nanowire, coating film and preparing method of the same | |
KR101541954B1 (en) | Coating composition for low refractive layer and transparent conductive film including the same | |
KR101162354B1 (en) | Method for manufacturing a conductive film including CNT |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |