KR101090347B1 - Etcher for substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 식각장치에 관한 것으로, 본 발명 기판 식각장치는 식각액을 분사하는 노즐을 구비하여, 유입구를 통해 상부배스 내부로 이송된 기판의 상부에 식각액을 도포하여 식각공정을 진행하는 기판 식각장치에 있어서, 상기 상부배스의 천장에 위치하여 상기 상부배스의 천장을 포함한 내부 전체를 적시는 액을 분사하는 제1분사부를 더 포함한다. 상기 제1분사부는, 상기 액이 공급되는 공급관과, 상기 공급관의 하단부에 위치하여 다수의 분사구를 통해 상기 액을 전체면에서 분사하는 구형 분사노즐을 포함할 수 있다. 상기 제1분사부는, 식각액이 공급되는 공급관과, 상기 공급관의 하단부에 회전가능하게 결합되고, 다수의 경사분사구를 통해 상기 액을 전체면에서 분사하는 회전분사노즐을 포함할 수 있다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 식각액 탱크의 전환주기 등 공정라인의 주기적인 휴지기간 동안 식각장치의 천장을 포함한 내부를 습한 분위기로 만드는 액을 분사하여 석출물의 결정화를 어렵게 하여, 공정라인의 운전을 그 석출물 제거를 위하여 특별히 중단시키지 않고도, 석출물의 낙하에 의한 공정불량의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a substrate etching apparatus, the substrate etching apparatus of the present invention includes a nozzle for injecting the etching liquid, a substrate etching apparatus for applying the etching liquid to the upper portion of the substrate transferred into the upper bath through the inlet to proceed the etching process The method may further include a first injection unit disposed on the ceiling of the upper bath and spraying a liquid to wet the entire interior including the ceiling of the upper bath. The first injection unit may include a supply pipe to which the liquid is supplied, and a spherical injection nozzle positioned at a lower end of the supply pipe to inject the liquid from the entire surface through a plurality of injection holes. The first spraying unit may include a supply pipe to which an etchant is supplied, and a rotary spray nozzle which is rotatably coupled to a lower end of the supply pipe and sprays the liquid on the entire surface through a plurality of inclined spray ports. The present invention configured as described above makes it difficult to crystallize precipitates by spraying a liquid that makes the interior including the ceiling of the etching apparatus a humid atmosphere during the periodic idle period of the process line, such as the switching cycle of the etchant tank, and thus the operation of the process line. There is an effect that can prevent the occurrence of a process failure due to the falling of the precipitate, without special interruption to remove the precipitate.

Description

기판 식각장치{Etcher for substrate}Substrate Etching Equipment {Etcher for substrate}

본 발명은 기판 식각장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학물의 석출을 방지할 수 있는 기판 식각장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate etching apparatus, and more particularly to a substrate etching apparatus capable of preventing the deposition of chemicals.

일반적으로 평판 디스플레이 패널을 제작하기 위하여 사용되는 대면적의 유리 기판은 이송이 진행되면서, 그 평판 디스플레이 제작에 필요한 세정, 증착, 포토 리소그래피, 식각 등의 공정들이 진행된다.In general, a glass substrate having a large area used for manufacturing a flat panel display panel is transferred, and processes such as cleaning, deposition, photolithography, and etching required for manufacturing the flat panel display are performed.

상기 평판 디스플레이 제작공정 중 식각공정은 희석된 식각액(etchant)을 포토 리소그래피 공정이 완료된 기판의 상부에 분사하여 원하는 식각대상층을 소정의 깊이로 식각하는 공정이다. 이때 식각액에 포함된 유기산과 금속(대표적으로 Cu)이 반응하여 파우더가 발생하게 된다.An etching process of the flat panel display manufacturing process is a process of etching a desired etching target layer to a predetermined depth by spraying a diluted etchant on the upper part of the substrate where the photolithography process is completed. At this time, the organic acid included in the etchant and the metal (typically Cu) react to generate powder.

이 파우더는 식각 공정이 진행되는 식각로 내의 건조한 부분에서 고체로 결정화되고, 시간이 지날수록 성장하게 된다. 특히 식각액이 직접 접촉되지 않는 에칭공간(etching bath)의 천장이나 에칭공간의 기판 유입구 부분에서의 성장이 두드러진다.
The powder crystallizes into a solid in the dry portion of the etch furnace where the etching process proceeds and grows over time. In particular, growth in the ceiling of the etching bath or the substrate inlet portion of the etching space where the etchant is not directly contacted is prominent.

이와 같이 고체로 결정화된 화학적 반응물들이 식각공정이 진행되는 기판으로 낙하하면 공정불량을 유발하며, 기판 유입구에 성장된 석출물은 유입되는 기판의 표면과 마찰되어 그 기판을 손상시키기 때문에 반드시 제거가 되어야 한다.
When the chemical reactants crystallized as solid fall onto the substrate where the etching process proceeds, process defects occur, and the precipitates grown at the substrate inlet must be removed because they rub against the surface of the incoming substrate and damage the substrate. .

종래에는 이와 같이 식각조 내에서 발생하는 석출물을 제거하기 위하여 일정한 주기로 공정의 진행을 중단한 상태에서 그 식각조 내의 석출물을 수작업으로 긁어내어 제거하고 있다.Conventionally, in order to remove the precipitates generated in the etching bath as described above, the precipitates in the etching bath are manually scraped off while the process is stopped.

이때 석출물의 제거 작업 시간 동안에는 전체 공정라인의 운전이 중단되어 평판 디스플레이 제조의 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.
At this time, the operation of the entire process line is interrupted during the removal operation time of the precipitate has a problem of lowering the productivity of flat panel display manufacturing.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전체 공정라인의 운전을 중단시키지 않고도 석출물에 의한 공정불량 발생을 방지할 수 있는 기판 식각장치를 제공함에 있다.The problem to be solved by the present invention in view of the above problems is to provide a substrate etching apparatus that can prevent the process defects caused by the precipitate without interrupting the operation of the entire process line.

또한 기판이 식각장치로 공급될 때 석출물에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 기판 식각장치를 제공함에 있다.
In addition, to provide a substrate etching apparatus that can be prevented from being damaged by the precipitate when the substrate is supplied to the etching apparatus.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 식각액을 분사하는 노즐을 구비하여, 유입구를 통해 상부배스 내부로 이송된 기판의 상부에 식각액을 도포하여 식각공정을 진행하는 기판 식각장치에 있어서, 상기 상부배스의 천장에 위치하여 상기 상부배스의 천장을 포함한 내부 전체를 적시는 액을 분사하는 제1분사부를 더 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate etching apparatus including a nozzle for injecting an etchant, and applying an etchant to an upper portion of a substrate transferred into an upper bath through an inlet to perform an etching process. Located on the ceiling of the upper bath further comprises a first injection unit for injecting a liquid to wet the entire interior including the ceiling of the upper bath.

상기 제1분사부는, 식각액이 공급되는 공급관과, 상기 공급관의 하단부에 위치하여 다수의 분사구를 통해 상기 액을 전체면에서 분사하는 구형 분사노즐을 포함할 수 있다.The first injection unit may include a supply pipe to which an etchant is supplied, and a spherical injection nozzle positioned at a lower end of the supply pipe to inject the liquid from the entire surface through a plurality of injection holes.

상기 제1분사부는, 상기 액이 공급되는 공급관과, 상기 공급관의 하단부에 회전가능하게 결합되고, 다수의 경사분사구를 통해 상기 액을 전체면에서 분사하는 회전분사노즐을 포함할 수 있다.
The first spraying unit may include a supply pipe to which the liquid is supplied, and a rotary spray nozzle which is rotatably coupled to the lower end of the supply pipe and sprays the liquid on the entire surface through a plurality of inclined spray ports.

상기와 같은 구성의 본 발명은 식각액 탱크의 전환주기 등 공정라인의 주기적인 휴지기간 동안 식각장치의 천장을 포함한 내부에 식각액을 분사하여 석출물을 제거하고, 그 식각장치의 천장을 포함한 내부를 습한 분위기로 만들어 석출물의 결정화를 어렵게 하여, 공정라인의 운전을 그 석출물 제거를 위하여 특별히 중단시키지 않고도 공정불량의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention having the above configuration removes precipitates by spraying the etchant into the interior including the ceiling of the etching apparatus during the periodic rest period of the process line such as the switching cycle of the etchant tank, and the atmosphere including the ceiling of the etching apparatus in a humid atmosphere. This makes it difficult to crystallize the precipitates, and there is an effect that can prevent the occurrence of process defects without specially stopping the operation of the process line for removing the precipitates.

또한 본 발명은 특별하게 기판이 식각장치 내부로 공급되는 공급구 주변으로도 식각액을 분사하여, 그 공급구의 주변의 석출물을 제거함과 아울러 그 공급구 주변을 습한 분위기로 만들어 석출물의 결정화를 어렵게 하여, 기판이 공급될 때 석출물에 마찰되어 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention particularly sprays the etchant to the vicinity of the supply port in which the substrate is supplied to the inside of the etching apparatus, to remove the precipitates around the supply port and to make the surroundings of the supply port in a humid atmosphere, making the precipitates difficult to crystallize, When the substrate is supplied there is an effect that can be prevented from being damaged by rubbing on the precipitate.

이와 같이 본 발명은 식각장치에서 사용되는 복수의 식각액 탱크의 전환 주기 등 휴지기간에 석출물을 제거하고, 석출물의 성장을 방지함으로써, 식각장치 내부의 석출물을 제거하기 위한 전체 공정라인의 운전중단이 요구되지 않기 때문에 평판 디스플레이 패널의 생산성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.
As described above, the present invention is required to stop the operation of the entire process line to remove the precipitate in the etching apparatus by removing the precipitate during the rest period such as the switching cycle of the plurality of etchant tanks used in the etching apparatus and preventing the growth of the precipitate. Since this is not the case, there is an effect that can reduce the productivity of the flat panel display panel.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 식각장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에서 제1분사부의 일실시 구성도이다.
도 3은 도 1에서 제1분사부의 다른 실시예의 구성도이다.
도 4는 도 3에서 A-A방향의 단면도이다.
도 5는 도 1에서 제1분사부의 또 다른 실시예의 구성도이다.
도 6은 도 1에서 제2분사부 일실시예의 일부 상세 구성도이다.1 is a block diagram of a substrate etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment of the first injection unit in FIG. 1.
3 is a configuration diagram of another embodiment of the first injection unit in FIG. 1.
4 is a cross-sectional view taken along the AA direction in FIG. 3.
5 is a configuration diagram of still another embodiment of the first injection unit in FIG. 1.
FIG. 6 is a detailed configuration view of a second injection part in the embodiment of FIG. 1.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 기판 식각장치의 다양한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, various embodiments of the substrate etching apparatus of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 식각장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a substrate etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 식각장치는, 기판(S)이 내부로 공급될 수 있는 공급구(12)를 구비하는 상부배스(10)와, 상기 상부배스(10)의 내부에서 공급된 기판(S)에 식각액을 도포하는 노즐(11)과, 상기 기판(S)을 이송하는 이송롤러(40)와, 상기 상부배스(10)의 천장에 적어도 하나 이상이 결합되어 상기 상부배스(10)의 천장을 포함하는 전 영역을 적시는 액을 고르게 분사하는 제1분사부(30)와, 상기 공급구(12)의 주변으로 상기 액을 분사하는 제2분사부(50)와, 상기 상부배스(10)와는 격벽(23)으로 분리되며, 상기 노즐(11)에 식각액을 선택적으로 공급하는 제1 및 제2탱크(21,22)를 구비하는 하부배스(20)를 포함하여 구성된다.
Referring to FIG. 1, a substrate etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention includes an upper bath 10 having a supply port 12 through which a substrate S may be supplied, and the upper bath 10. At least one is coupled to the nozzle 11 for applying an etchant to the substrate (S) supplied from the inside, the transfer roller 40 for transferring the substrate (S), and the ceiling of the upper bath (10) The first injection unit 30 for evenly spraying the liquid soaking the entire area including the ceiling of the upper bath 10, and the second injection unit 50 for spraying the liquid around the supply port 12 ) And the lower bath 20 which is separated from the upper bath 10 by a partition 23 and includes first and second tanks 21 and 22 for selectively supplying an etchant to the nozzle 11. It is configured to include.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 식각장치의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the configuration and operation of the substrate etching apparatus according to the preferred embodiment of the present invention configured as described above in more detail.

먼저, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 식각장치는 상부배스(10)에 의해 외부와는 차단되는 식각공간이 제공된다. 상기 상부배스(10)의 하부에는 격벽(23)에 의해 그 상부배스(10)가 제공하는 식각공간과는 분리되는 하부배스(20)가 위치하며, 그 하부배스(20)에는 식각액을 각각 저장하는 탱크(21,22)가 마련된다.First, the substrate etching apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is provided with an etching space that is blocked from the outside by the upper bath (10). The lower bath 20 is separated from the etching space provided by the upper bath 10 by the partition 23 at the lower part of the upper bath 10, and the etching solution is stored in the lower bath 20, respectively. Tanks 21 and 22 are provided.

도 1에서는 탱크(21,22)만이 하부배스(20) 내에 위치하는 것으로 간략하게 도시하였으나, 식각액의 회수에 필요한 라인들과 식각액을 공급하기 위한 펌프, 탱크(21,22)를 선택하기 위한 밸브등 식각공정에 필요한 다양한 구성요소들이 위치할 수 있다.
In FIG. 1, only the tanks 21 and 22 are located in the lower bath 20, but the lines necessary for the recovery of the etchant, the pump for supplying the etchant, and the valve for selecting the tank 21 and 22 are shown. Etc. Various components required for the etching process may be located.

상기 상부배스(10)의 일측에는 기판(S)을 상기 상부배스(10)가 정의하는 식각공간으로 공급하기 위한 공급구(12)를 구비하고 있으며, 그 공급구(12)를 통해 식각공간으로 공급된 기판(S)의 상면에는 상기 두 탱크(21,22) 중 하나의 탱크로부터 식각액을 공급받아 분사하는 노즐(11)에 의해 식각액이 도포되고, 평판디스플레이 제조공정에서 요구되는 식각공정이 진행된다.One side of the upper bath 10 is provided with a supply port 12 for supplying the substrate (S) to the etching space defined by the upper bath 10, through the supply port 12 to the etching space The etching liquid is applied to the upper surface of the supplied substrate S by the nozzle 11 which receives and sprays the etching liquid from one of the two tanks 21 and 22, and the etching process required in the flat panel display manufacturing process is performed. do.

상기 기판(S)은 그 상부배스(10)의 내에서 저면을 지지하는 이송롤러(40)들의 구동에 의해 이동하게 된다.
The substrate S is moved by driving the feed rollers 40 supporting the bottom surface in the upper bath 10.

이와 같이 연속적으로 공급되는 기판(S)들을 탱크(21)의 식각액을 사용하여 식각하여, 그 탱크(21)에 저장된 식각액이 소진되면 다른 탱크(22)의 식각액을 사용하여 식각공정을 계속 진행할 수 있도록 탱크의 전환이 이루어진다.As described above, the substrates S continuously supplied are etched using the etchant of the tank 21, and when the etchant stored in the tank 21 is exhausted, the etching process may be continued using the etchant of the other tank 22. So that the tank is switched over.

이 탱크의 전환 시간동안 상기 상부배스(10)의 천장에 적어도 하나 이상 고정된 제1분사부(30)에서 상부배스(10)의 천장을 포함한 내면 전체에 고르게 액을 분사한다.During the switching time of the tank, the liquid is evenly sprayed on the entire inner surface including the ceiling of the upper bath 10 in the first injection unit 30 fixed to the ceiling of the upper bath 10.

이와 같은 상기 액의 분사에 의하여 상기 식각액의 반응으로 발생되는 석출물을 제거하고, 그 석출물이 결정화되지 않도록 상부배스(10)의 내부 분위기를 습한 분위기로 만들게 된다.As a result of the injection of the liquid, precipitates generated by the reaction of the etching solution are removed, and the internal atmosphere of the upper bath 10 is made into a humid atmosphere so that the precipitates do not crystallize.

즉, 제1분사부(30)로 상부배스(10)의 천장등에 액을 분사하여 적셔둠으로써, 식각액에 접촉되지 않는 상부배스 천장등의 내벽에서 석출물이 결정화되는 것을 방지하게 된다.That is, by spraying and soaking the liquid on the ceiling of the upper bath 10 with the first spraying part 30, the precipitates are prevented from crystallizing on the inner wall of the ceiling of the upper bath that does not come into contact with the etchant.

상기 액은 탱크(21,22)에 저장되고 상기 노즐(11)을 통해 분사되는 식각액과 동일한 식각액을 사용할 수 있으며, 상기 석출물의 성장을 방지할 수 있는 다른 기타의 액체를 사용할 수 있다. 그 액의 다른 예로는 세정수나 현상액을 사용할 수 있으나, 세정수나 현상액을 사용하는 경우에는 식각공정에서 사용하는 식각액과 혼합되지 않도록 별도의 드레인라인을 통해 드레인시켜야 한다.
The liquid may use the same etching liquid as the etching liquid stored in the tanks 21 and 22 and injected through the nozzle 11, and other liquids capable of preventing the growth of the precipitates may be used. As another example of the solution, washing water or developer may be used. However, when the washing water or developer is used, it should be drained through a separate drain line so as not to be mixed with the etching solution used in the etching process.

이하에서는 상기 제1분사부(30)에서 분사되는 액이 식각액인 것을 예로 하여 설명하며, 이후에 설명될 제2분사부에서 분사되는 액 또한 식각액을 예로하여 설명한다.
Hereinafter, the liquid sprayed from the first spraying unit 30 will be described as an example, and the liquid sprayed from the second spraying unit to be described later will also be described using the etching liquid as an example.

도 2는 상기 제1분사부(30)의 일실시 구성도이다.2 is a configuration diagram of the first injection unit 30.

도 2를 참조하면 상기 제1분사부(30)는 식각액이 공급되는 공급관(31)과, 상기 공급관(31)의 하단부에 위치하여 상기 식각액을 공급받아 방사형으로 마련된 다수의 분사구(33)를 통해 분사하는 분사노즐(32)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, the first injection part 30 is located at a supply pipe 31 through which an etchant is supplied, and is provided at a lower end of the supply pipe 31 to receive the etchant through a plurality of radially provided injection holes 33. It comprises a spray nozzle 32 for spraying.

상기 분사노즐(32)은 식각액의 고른 분사를 위하여 중공된 구형상인 것이 바람직하다.The injection nozzle 32 is preferably a hollow spherical shape for evenly spraying the etchant.

상기 분사구(33)의 수는 필요에 따라 결정될 수 있으며, 그 분사노즐(32)이 고정식일 때 구 분사구(33)의 방향은 구형 분사노즐(32)의 중심방향을 향하도록 천공된 것이며, 따라서 공급되는 식각액의 압력에 의해 각 분사구(33)에서 직선방향으로 식각액이 분사되어 상부배스(10)의 내벽을 식각액로 세정함과 아울러 이후의 식각공정에서도 습한 상태를 유지할 수 있게 된다.
The number of the injection holes 33 may be determined as necessary, and when the injection nozzles 32 are fixed, the direction of the old injection holes 33 is perforated to face the center direction of the spherical injection nozzles 32, and thus The etching liquid is injected in a straight direction from each injection hole 33 by the pressure of the etching liquid supplied to clean the inner wall of the upper bath 10 with the etching liquid and also maintain a wet state in the subsequent etching process.

도 3은 상기 제1분사부(30)의 다른 실시예의 구성도이고, 도 4는 도 3에서 A-A방향의 단면도이다.3 is a configuration diagram of another embodiment of the first injection part 30, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the direction A-A in FIG.

도 3과 도 4를 각각 참조하면 제1분사부(30)의 다른 실시예는, 식각액이 공급되는 식각액공급관(34)과, 상기 식각액공급관(34)의 끝단에 회전가능하게 결합되며, 다수의 경사분사구(36)가 마련되어 회전하면서 상기 식각액공급관(34)을 통해 공급된 식각액을 분사하는 회전분사노즐(35)을 포함하여 구성된다.
3 and 4, another embodiment of the first injection unit 30 includes an etchant supply pipe 34 to which an etchant is supplied and rotatably coupled to an end of the etchant supply pipe 34. Inclined injection port (36) is provided and comprises a rotary spray nozzle (35) for spraying the etchant supplied through the etchant supply pipe 34 while rotating.

상기 회전분사노즐(35)은 상기 식각액공급관(34)의 외주면에 마련된 가이드홈(미도시)에 상단부 내측 돌출부분(미도시)이 끼움결합된 것일 수 있으며, 그 식각액공급관(34)을 통해 공급된 식각액의 분사압력과 분사구의 경사각도 및 방향에 의하여 회전하게 된다.The rotary spray nozzle 35 may be a guide groove (not shown) is fitted to the upper inner protruding portion (not shown) provided on the outer circumferential surface of the etching liquid supply pipe 34, the supply through the etching liquid supply pipe 34 It rotates according to the injection pressure of the etched liquid and the inclination angle and direction of the injection hole.

상기 회전분사노즐(35)도 여러방향으로의 고른 식각액의 분사를 위하여 중공된 구형상인 것이 바람직하다.
It is preferable that the rotary spray nozzle 35 also has a hollow spherical shape for spraying the etching solution in various directions.

상기 회전분사노즐(35)의 회전을 위하여 상기 다수의 경사분사구(36)는 그 회전분사노즐(35)의 단면에서 원형 내부의 접선방향으로 경사지게 천공된다. 모든 경사분사구(36)의 경사방향 및 각도는 동일하게 하는 것이 일정한 방향 및 속도로 상기 회전분사노즐(35)이 회전하는 것에 유리하다.
In order to rotate the rotary spray nozzle 35, the plurality of inclined spray nozzles 36 are inclined in a tangential direction in a circular interior in a cross section of the rotary spray nozzle 35. It is advantageous for the rotational injection nozzle 35 to rotate in a constant direction and speed so that the inclination directions and angles of all the inclined injection ports 36 are the same.

도 5는 상기 제1분사노즐(30)의 다른 실시 구성도이다. 5 is another embodiment of the first spray nozzle 30.

도 5를 참조하면, 회전분사노즐(35)이 식각액의 공급압력에 의해 회전할 수 있도록 경사분사구(36)가 상기 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 형태로 접선방향으로 경사지게 천공되어 위치한다. Referring to FIG. 5, the inclined injection port 36 is inclined in the tangential direction so as to be rotated by the supply pressure of the etching liquid so that the rotary injection nozzle 35 may rotate.

그러나 그 경사분사구(36)의 위치가 상하방향으로 나선형으로 배치되어 있으며, 좌우로 인접한 다른 경사분사구(36)와 수평위치에서 중첩되지 않도록 배치된다.However, the position of the inclined jet sphere 36 is arranged in a spiral in the vertical direction, so as not to overlap in the horizontal position with the other inclined jet sphere 36 adjacent to the left and right.

이와 같은 배치는 회전분사노즐(35)이 회전할 때 각 경사분사구(36)에 의해 분사되는 위치가 모두 다르도록 하여, 상기 상부챔버(10)의 내벽 전체에 보다 고르게 식각액을 분사할 수 있게 된다.
This arrangement makes it possible to spray the etching liquid more evenly on the entire inner wall of the upper chamber 10 by rotating the spray nozzle 35 so that the positions sprayed by the inclined nozzles 36 are all different. .

이처럼 본 발명은 상부배스(10)의 천장에 적어도 하나 이상의 제1분사부(30)를 마련하여 식각공정에서 발생하는 석출물을 주기적으로 제거하고, 그 석출물의 결정화가 어려운 습한 분위기로 상부배스(10)를 유지할 수 있게 된다.
As such, the present invention provides at least one first spraying unit 30 on the ceiling of the upper bath 10 to periodically remove precipitates generated in the etching process, and the upper bath 10 in a humid atmosphere in which the precipitates are difficult to crystallize. ) Can be maintained.

상기 제1분사부(30)의 사용에 의하여 상부배스(10)의 내측 전 영역에서 석출물의 제거 및 습한 분위기를 유지할 수 있으나, 식각액을 기판(S)에 분사 또는 도포하는 노즐(11)이 공급구(12)를 가리고 있는 상태로 설치되어 있을 수 있으며, 따라서 그 공급구(12)의 주변은 식각액이 분사되지 않을 수 있다.The use of the first spray unit 30 may remove the precipitate from the entire inner region of the upper bath 10 and maintain a humid atmosphere, but the nozzle 11 for spraying or applying the etchant to the substrate S is supplied. It may be installed in a state that covers the sphere 12, and therefore the etching solution may not be injected around the supply port 12.

이와 같이 제1분사부(30)의 사각영역을 감안하여 본 발명은 상기 노즐(11)에 의해 가려진 공급구(12)의 주변으로 식각액을 분사하는 제2분사부(50)를 더 포함할 수 있다.
As described above, the present invention may further include a second injection unit 50 for injecting an etchant to the periphery of the supply port 12 covered by the nozzle 11 in consideration of the rectangular area of the first injection unit 30. have.

도 6은 제2분사부(50) 일실시예의 일부 상세 구성도이다.6 is a detailed configuration diagram of one embodiment of the second injection unit 50.

도 6을 참조하면 본 발명의 일실시예에 따른 제2분사부(50)는, 식각액이 공급되는 공급관(51)과, 상기 공급관(51)의 외면에 소정간격으로 다수 배치되어 상기 공급관(51)을 통해 공급되는 식각액을 상기 공급구(12)의 주변영역으로 분사하는 분사부(52)와, 베어링(53)에 의해 회전가능하게 상기 공급관(51)에 결합되며, 상기 분사부(52)의 사이 사이에 각각 배치되는 다수의 아이들롤러(54)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 6, the second injection unit 50 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of supply pipes 51 to which an etchant is supplied, and a plurality of second injection parts 50 at predetermined intervals on an outer surface of the supply pipe 51. Injecting the etchant supplied through the injection to the peripheral region of the supply port 12 and 52, the bearing 53 is rotatably coupled to the supply pipe 51, the injection portion 52 It is configured to include a plurality of idle rollers 54 respectively disposed between.

상기 분사부(52)는 상기 공급관(51)에 연통되어 식각액을 공급받는 노즐몸체(55)와 그 노즐몸체(55)에서 상기 공급구(12)의 주변부로 돌출되어 노즐몸체(55)에 공급된 식각액을 분사하는 다수의 분사노즐(56)을 포함하여 구성될 수 있다.
The injection unit 52 communicates with the supply pipe 51 and protrudes from the nozzle body 55 and the nozzle body 55 to the periphery of the supply port 12 to supply the nozzle body 55. It may be configured to include a plurality of injection nozzles 56 for spraying the etched solution.

상기 공급관(51)은 상부배스(10) 내에서 기판(S)을 이송하는 이송축(40)들과 동일하게 기판(S)의 폭방향으로 고정되어 위치하며, 자체가 회전하지 않기 때문에 다른 이송축(40)들과는 다르게 기판(S)을 이송하는 구동력을 전달하지 않는다.
The supply pipe 51 is fixedly positioned in the width direction of the substrate S in the same manner as the transfer shafts 40 for transporting the substrate S in the upper bath 10, and the other feeds are not rotated. Unlike the shafts 40, the driving force for transferring the substrate S is not transmitted.

상기 공급관(51)의 외주면에는 소정의 간격으로 분사부(52)가 배치되어 있다. 이때 분사부(52)의 수와 간격은 상기 분사노즐(56)에 의한 공급구(12)의 상부와 하부의 식각액이 분사되는 면적을 고려하여 적정한 수와 간격으로 배치할 수 있다.
On the outer circumferential surface of the supply pipe 51, injection parts 52 are arranged at predetermined intervals. At this time, the number and spacing of the injection unit 52 may be arranged at an appropriate number and interval in consideration of the area in which the etching liquid of the upper and lower portions of the supply port 12 by the injection nozzle 56 is injected.

상기 공급관(51)과 분사부(52)는 연통된 것으로, 그 공급관(51)을 통해 공급되는 식각액이 각 분사부(52)를 통해 공급구(12)로 분사될 수 있는 구조이다.The supply pipe 51 and the injection unit 52 are in communication with each other, and the etching liquid supplied through the supply pipe 51 may be sprayed to the supply port 12 through each injection unit 52.

상기 분사부(52)는 상기 식각액을 기판(S)에 분사하는 노즐(11)보다 낮은 위치에 위치하며, 그 분사부(52)의 분사노즐(56)은 상향의 각도로 상기 노즐(11)을 회피하여 공급구(12)의 상부측과 하부측에 식각액을 분사한다.
The injection unit 52 is positioned at a lower position than the nozzle 11 for injecting the etchant to the substrate S, and the injection nozzle 56 of the injection unit 52 is at an upward angle to the nozzle 11. In order to avoid the above, the etching liquid is injected to the upper side and the lower side of the supply port 12.

또한, 상기 공급관(51)이 설치된 영역에서의 기판(S) 이송의 안정성을 확보하기 위하여 상기 공급관(51)에는 다수의 아이들롤러(54)가 배치되어 기판(S)이 그 공급관(51)의 위치에서 하향으로 처짐이 발생하지 않도록 한다.In addition, in order to ensure the stability of the transfer of the substrate (S) in the region in which the supply pipe (51) is installed, a plurality of idle rollers (54) are arranged in the supply pipe (51) so that the substrate (S) of the supply pipe (51) Do not deflect downward from the position.

상기 아이들롤러(54)는 베어링(53)에 의해 상기 공급관(51)에 회전가능하게 결합되며, 상부배스(10)의 내부로 공급된 기판(S)의 저면이 그 아이들롤러(54)에 접촉 지지되어 이송될 수 있게 된다.
The idle roller 54 is rotatably coupled to the supply pipe 51 by a bearing 53, and the bottom surface of the substrate S supplied into the upper bath 10 contacts the idle roller 54. It can be supported and transported.

상기 분사부(52) 또한 탱크(21,22)의 교체시간 중에 식각액을 그 공급구(12)의 주변으로 분사하는 것으로, 종래와 같이 석출물의 제거를 위하여 별도의 공정중단 없이 석출물을 제거할 수 있게 된다.
The injection unit 52 also by spraying the etchant to the periphery of the supply port 12 during the replacement time of the tank (21, 22), it can remove the precipitate without a separate process for removing the precipitate as in the prior art Will be.

전술한 바와 같이 본 발명에 따른 대면적 기판의 식각장치에 대하여 바람직한 실시예들을 상세히 설명하였지만, 시스템 및 그 방법에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
As described above, preferred embodiments of the etching apparatus of the large-area substrate according to the present invention have been described in detail, but preferred embodiments of the system and method thereof have been described, but the present invention is limited to the above-described embodiments. Rather, various modifications and implementations can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings, which also belong to the invention.

10:상부배스 11:노즐
12:공급구 20:하부배스
21,22:탱크 23:격벽
30:제1분사부 31,34:공급관
32:분사노즐 33:분사구
35:회전분사노즐 36:경사분사구
40:이송축 50:제2분사부
51:공급관 52:분사부
53:베어링 54:아이들롤러
55:노즐몸체 56:분사노즐10: upper bath 11: nozzle
12: supply port 20: lower bath
21, 22: tank 23: bulkhead
30: 1st injection part 31, 34: supply pipe
32: spray nozzle 33: spray nozzle
35: rotating jet nozzle 36: inclined jet
40: feed axis 50: second injection unit
51: supply pipe 52: injection unit
53: bearing 54: idle roller
55: nozzle body 56: injection nozzle

Claims (8)

식각액을 분사하는 노즐을 구비하여, 유입구를 통해 식각공간 내부로 이송된 기판의 상부에 식각액을 도포하여 식각공정을 진행하는 기판 식각장치에 있어서,
액이 공급되는 공급관; 및
상기 공급관의 하단부에 위치하여 다수의 분사구를 통해 상기 액을 전체면에서 분사하는 구형 분사노즐을 구비하여, 상기 식각공간의 천장을 포함한 내부에 액을 분사하는 제1분사부를 더 포함하는 기판 식각장치.

In the substrate etching apparatus having a nozzle for injecting the etching liquid, the etching liquid is applied to the upper portion of the substrate transferred into the etching space through the inlet to proceed the etching process,
Supply pipe to which the liquid is supplied; And
Substrate etching apparatus having a spherical injection nozzle located in the lower end of the supply pipe for injecting the liquid from the entire surface through a plurality of injection holes, further including a first injection unit for injecting the liquid inside the ceiling of the etching space .

삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1분사부는,
상기 액이 공급되는 공급관; 및
상기 공급관의 하단부에 회전가능하게 결합되고, 다수의 경사분사구를 통해 상기 액을 전체면에서 분사하는 회전분사노즐을 포함하는 기판 식각장치.
The method of claim 1,
The first injection unit,
A supply pipe to which the liquid is supplied; And
The substrate etching apparatus rotatably coupled to the lower end of the supply pipe, comprising a rotary spray nozzle for ejecting the liquid from the entire surface through a plurality of inclined nozzles.
삭제delete 제3항에 있어서,
상기 다수의 경사분사구는,
상기 회전분사노즐에서 인접한 다른 경사분사구와 그 높이가 다르게 마련된 것을 특징으로 하는 기판 식각장치.
The method of claim 3,
The plurality of inclined injection sphere,
Substrate etching apparatus, characterized in that the height is provided different from the other inclined jet port adjacent to the rotary nozzle.
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 유입구측을 적시는 액을 분사하는 제2분사부를 더 포함하는 기판 식각장치.
The method according to claim 1 or 3,
The substrate etching apparatus further comprises a second injection unit for injecting a liquid to wet the inlet side.
제6항에 있어서,
상기 제2분사노즐은,
기판의 폭방향으로 설치된 공급관;
상기 공급관의 외면에 소정간격으로 배치되어 상기 공급관을 통해 공급된 상기 액을 분사하는 분사부; 및
상기 공급관에 회전가능하게 결합되어 이송되는 상기 기판을 지지하는 아이들롤러를 포함하는 기판 식각장치.
The method of claim 6,
The second spray nozzle,
A supply pipe installed in the width direction of the substrate;
An injection unit disposed on an outer surface of the supply pipe at a predetermined interval to inject the liquid supplied through the supply pipe; And
And an idle roller supporting the substrate being rotatably coupled to the supply pipe.
제6항에 있어서,
상기 제1분사노즐과 제2분사노즐에서 분사되는 상기 액은 식각액인 것을 특징으로 하는 기판 식각장치.The method of claim 6,
And the liquid sprayed from the first spray nozzle and the second spray nozzle is an etchant.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5599725A (en) * 1979-01-26 1980-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for manufacturing semiconductor device
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5599725A (en) * 1979-01-26 1980-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for manufacturing semiconductor device
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