KR101087977B1 - 기판처리장치와 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치와 기판처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101087977B1
KR101087977B1 KR1020080136810A KR20080136810A KR101087977B1 KR 101087977 B1 KR101087977 B1 KR 101087977B1 KR 1020080136810 A KR1020080136810 A KR 1020080136810A KR 20080136810 A KR20080136810 A KR 20080136810A KR 101087977 B1 KR101087977 B1 KR 101087977B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light
reflecting
reflected
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020080136810A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100078525A (ko
Inventor
김은석
허성진
이성용
박순옥
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020080136810A priority Critical patent/KR101087977B1/ko
Publication of KR20100078525A publication Critical patent/KR20100078525A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101087977B1 publication Critical patent/KR101087977B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 따른 기판처리장치와 기판처리방법은 기판이 내부로 반입되는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판이 진행하는 일측면으로 광을 주사하고, 광을 수광하는 광학센서; 상기 기판이 진행하는 일측면에 상기 광학센서와 다른 위치에서 광을 반사하는 제 1반사부; 상기 기판이 진행하는 타측면에 위치하여 상기 기판을 투과하는 광을 상기 제 1반사부로 반사하는 제 2반사부를 구비하여 기판 또는 더미 기판이 기판처리장치의 챔버 내부로 진입하였을 때 이 기판의 진입 및 파손여부를 감지하는 광학센서의 광경로를 연장하거나 또는 광량을 감소시켜 기판이 없을 때와 기판이 있을 때의 광량차이를 크게 하여 기판 감지효율을 향상시키도록 하는 효과가 있다.

Description

기판처리장치와 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판처리장치와 기판처리방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판의 진입 및 파손여부를 감지하도록 하는 기판처리장치와 기판처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 및 디스플레이를 제조하는 기판처리장치는 웨이퍼 또는 유리 기판의 공정처리와 함께 주기적으로 더미 기판을 공정챔버로 반입하여 유지관리 공정을 수행한다.
한편, 기판을 처리하기 위한 기판처리장치는 반입되는 기판의 파손 또는 기판의 반입여부를 판단하기 위한 기판감지장치를 구비한다. 종래의 기판감지장치는 기판이 반입되는 위치로 광을 입사하고 이 광이 기판에서 반사되는 광량을 측정하여 기판의 반입과 파손여부를 판단한다.
그런데, 디스플레이 제조 공정 중에 사용되는 기판은 공정초기에 투명한 유 리 기판이고, 또한 공정 중 사용되는 더미 기판의 경우에도 투명한 유리 기판이다. 따라서 이러한 투명 기판의 감지를 광학적으로 수행하는 종래의 기판감지장치는 감지 대상이 유리 기판인 경우 유리 기판의 높은 광투과율로 인하여 기판이 감지될 때와 감지되지 않을 때의 광 세기차이를 식별하지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 기판을 감지하는 광의 경로를 변경하거나 연장하여 기판감지효율을 향상시키도록 하는 기판처리장치와 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판이 내부로 반입되는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판이 진행하는 일측면으로 광을 주사하고, 광을 수광하는 광학센서; 상기 기판이 진행하는 일측면에 상기 광학센서와 다른 위치에서 광을 반사하는 제 1반사부; 상기 기판이 진행하는 타측면에 위치하여 상기 기판을 투과하는 광을 상기 제 1반사부로 반사하는 제 2반사부를 구비한다.
상기 제 2반사부는 상기 광학센서에서 주사되는 광을 측방으로 반사하는 제 1반사거울과 상기 제 1반사거울에서 반사되는 광을 상기 제 1반사부로 반사하는 제 2반사거울을 포함할 수 있다.
상기 제 1반사거울과 상기 광학센서 사이의 위치에는 광을 분할하는 제 1하 프미러가 구비될 수 있다.
상기 제 2반사거울과 상기 제 1하프미러 사이에는 상기 제 2반사거울로 진행하는 광을 분할하는 제 2하프미러가 구비될 수 있다.
기판이 챔버 내부로 진입하면 상기 기판 측으로 광을 주사하여 상기 광이 상기 기판을 첫 번째 투과하도록 하고, 상기 기판을 투과하는 광을 상기 기판 측으로 반사하여 상기 기판을 두 번째 투과하도록 하고, 상기 기판을 두 번째 투과하는 광을 상기 기판 측으로 반사하여 상기 기판을 세 번째 투과시키고, 상기 기판을 세 번째 투과하는 광을 반사하여 상기 기판을 네 번째 투과시켜 감지할 수 있다.
상기 기판을 투과하는 광을 하프미러를 투과시켜 광의 세기를 감소시킬 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치와 기판처리방법은 공정처리용 기판 또는 더미 기판이 기판처리장치의 챔버 내부로 진입하였을 때 이 기판의 진입 및 파손여부를 감지하는 광학센서의 광경로를 연장하거나 또는 광량을 감소시켜 기판이 감지될 때와 기판이 감지되지 않을 때의 광량차이를 크게 하여 기판 감지효율을 향상시키도록 하는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이 기판처리장치는 기판(S)이 내부로 반입되는 챔버(100)를 구비한다. 본 실시예에서 챔버(100)는 트랜스퍼 챔버(100)와 연결되어 외부로부터 기판(S)이 최초 반입되는 로드락 챔버(100)(Load-lock chamber)일 수 있다. 그리고 기판(S)은 더미 글라스(dummy glass 또는 bare glass)일 수 있다.
그리고 챔버(100) 내부에는 로봇(150)에 의하여 챔버(100) 내부로 반입되는 기판(S)이 안착되는 스테이지(110)가 구비된다. 스테이지(110)에는 기판(S)을 스테이지(110)로 안내하는 리프트 핀(120)과 리프트 핀(120)을 승강시키는 리프트 핀 구동장치(121)가 구비된다.
또한 챔버(100)의 일측면에는 기판(S)이 챔버(100)의 내부로 반입되도록 형성된 진입부(130)와 이 진입부(130)를 개폐하는 게이트 밸브(140)가 구비되고, 챔버(100)의 진입부(130) 내측에는 기판 감지부(200)가 구비된다.
도 2는 본 실시예에 따른 기판처리장치에 구비되는 기판 감지부를 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이 기판 감지부(200)는 챔버(100) 내부에 설치되어 기판이 진행하는 일측면, 즉 챔버(100) 상부에 위치하여 광을 기판(S) 측으로 주사하고, 다시 반사되는 광을 감지하도록 발광부와 수광부가 함께 구비된 광학센서(210)를 구비한다.
그리고 광학센서(210)의 측부에는 제 1반사부(220)가 구비된다. 제 1반사부(220)는 반사거울 일 수 있다. 또한 기판(S)이 진행하는 타측면, 즉 챔버(100)의 하부에는 광학센서(210)에서 주사되는 광을 제 1반사부(220)측으로 반사하는 제 2 반사부(230)가 구비된다.
이 제 2반사부(230)는 광학센서(210)에서 주사되는 광을 측방으로 반사하는 제 1반사거울(231)과 제 1반사거울(231)에서 반사되는 광을 제 1반사부(220)로 반사하는 제 2반사거울(232)을 포함한다.
이하에서는 도 1과 도 2에 도시된 기판처리장치의 기판감지방법에 대하여 설명한다. 도 3은 본 실시예에 따른 기판처리방법을 도시한 순서도이다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 기판처리방법의 수행을 위하여 기판 감지부(200)는 기판(S)이 로봇(150)에 의하여 챔버(100) 내부로 진입할 때 광학센서(210)의 발광부가 기판(S) 측으로 광을 조사한다.
이에 따라 기판(S)을 첫 번째 투과하는 광은 제 2반사부(230)의 제 1반사거울(231)로 진행하게 되는데(S100), 이때 광의 세기는 광이 기판을 투과하면서 산란 및 분산에 의하여 작아진다. 이후 제 1반사거울(231)은 제 2반사거울(232)로 광을 반사하고, 제 2반사거울(232)은 제 1반사부(220)로 광을 진행시킨다. 이때 광은 두 번째로 기판(S)을 투과하면서 다시 광의 세기가 감소한다(S110).
계속해서 제 1반사부(220)에서 반사되는 광은 세 번째로 기판(S)을 투과하게 되는데(S120), 이 세 번째로 기판(S)을 투과하면서 광의 세기는 계속해서 감소하게 되고, 다시 제 2반사거울(232)에서 제 1반사거울(231)로 진행한 광이 네 번째로 기판(S)을 투과하면서 광학센서(210)로 진행함에 따라 광의 세기는 네 번째로 감소하게 된다(S130).
이와 같이 광이 네 번의 기판(S) 투과하면서 광 세기가 지속적으로 감소되어 최종적으로 광학센서(210)에서 광을 감지할 때 최초 입사시의 광량보다 매우 작은 크기로 광의 세기가 감소하게 되어 기판 유무 및 기판 파손상태를 식별할 수 있도록 한다.
반면에 기판(S)이 진입하지 않거나 파손된 경우 광은 기판(S)을 투과하지 않거나 투과 횟수가 작기 때문에 정상적인 기판(S)이 진입하였을 때보다 광 세기의 감소가 작게 되므로 최초 발광시의 광 세기와 수광시의 광세기 차이가 허용치 이내에서 같다면 기판(S) 진입이 실패하였거나 기판(S)이 파손된 경우로 판단할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판방지장치 및 방법에 대한 다른 실시예들을 설명한다.
도 4는 다른 실시예에 따른 기판처리장치에 구비되는 기판 감지부를 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이 제 1반사부(220)를 경사지게 위치시키고, 제 2반사부(230)를 반사경로에 맞게 경사지게 위치시켜 광이 진행하도록 하여 광로의 길이가 첫 번째 실시예보다 더 길어지게 실시할 수 있다.
이 실시예에서는 광로의 길이를 더욱 길게 하고, 광이 첫 번째 실시예에서와 같이 기판(S)을 4회 투과하도록 함으로써 발광시의 광의 세기와 수광시의 광의 세기의 차이를 더욱 크게 할 수 있다. 이렇게 발광시의 광의 세기와 수광시의 광의 세기를 더욱 크게 하면 기판(S)의 유무와 파손 감지효율이 더욱 향상될 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치에 구비되는 기판 감지부를 도시 한 도면이다. 이 실시예는 보다 큰 광 세기의 차이를 위하여 광이 진행하는 경로 상에 하프미러(half mirror)를 설치하여 광량의 감소가 더욱 커지게 구성한 실시예이다.
도 5에 도시된 바와 같이 본 실시예에서 제 1반사부(220)는 도 2의 첫 번째 실시예와 동일하게 실시된다. 그러나 제 2반사부(230)는 제 1반사거울(231)로 진행하는 광의 경로 상에 설치되어 광을 분할하는 제 1하프미러(233)와 제 1하프미러(233)에서 분할되어 제 2반사거울(232)로 진행하는 광을 분할하는 제 2하프미러(234)를 구비한다.
이와 같이 구성된 기판 감지부(200)는 첫 번째와 두 번째 실시예의 경우와 같이 광이 기판(S)을 4회 투과하지만, 이에 더하여 4번의 광 분할로 첫 번째와 두 번째 실시예의 경우보다 더욱 큰 광 세기 감소기능을 발휘한다.
구체적으로 기판 감지부(200)의 동작을 설명하면, 최초 광학센서(210)에서 광이 기판(S) 측으로 주사되면 광은 기판(S)을 첫 번째 투과한 후 제 1하프미러(233)에 입사되어 분할된다. 이때 분할되는 광 중 반사되는 광은 제 2하프미러(234) 측으로 진행하고, 제 1하프미러(233)를 투과하는 광은 제 2하프미러(234) 측으로 진행한다.
이때 제 1하프미러(233)를 투과하는 광은 제 1반사거울(231)에서 반사되어 다시 제 1하프미러(233)측으로 진행하여 분할되는데, 이때 분할되는 광 중 반사되는 광은 소실되고, 투과하는 광만이 다시 기판(S)을 투과하여 광학센서(210)의 수광부로 진행하여 감지된다.
한편, 제 1하프미러(233)에서 반사되는 광은 제 2하프미러(234) 측에서 다시 분할되고, 분할된 광 중 반사되는 광은 기판(S)을 투과하여 제 1반사부(220)로 진행하고, 제 1반사부(220)에서 반사되는 광은 기판(S)을 다시 투과하여 제 2하프미러(234)에서 다시 분할된다. 또한 계속해서 제 1하프미러(233)에서 다시 분할되어 분할시 제 1하프미러(233)를 투과하는 광은 소실되고, 반사되는 광만이 기판(S)을 투과하여 광학센서(210)의 수광부로 진행하여 감지된다.
한편, 제 2하프미러(234)에서 처음으로 분할되는 광 중 제 2하프미러(234)를 투과하는 광은 제 2반사거울(232)에서 반사되어 다시 제 2하프미러(234) 측으로 진행하고, 이때 제 2하프미러(234)에서 분할되는 광 중 반사되는 광은 소실되고, 제 2하프미러(234)를 투과하는 광은 제 1하프미러(233)에서 일부 분할되어 소실된 후 기판(S)을 투과하여 광학센서(210)로 진행하여 감지된다.
이와 같이 광이 총 4회 기판을 투과하고, 동시에 각각의 하프미러(233)(234)에서 4회 분할되어 진행하면서 광의 세기를 급격히 감소되어 광학센서(210)에서 광이 최초 주사될 때와 최종 수광될 때의 광 세기의 차이가 매우 커지기 때문에 기판(S)이 파손되거나 진입 실패했을 때와 기판(S)이 진입 성공하였을 때의 광의 세기의 차이를 현격하게 구분할 수 있으므로 기판감지오류를 최소화할 수 있다.
이 세 번째 실시예의 경우 하프미러(233)(234)를 이용하여 광을 분할하기 때문에 기판(S)이 없을 때도 광의 세기가 감소하게 되지만 광의 세기가 감소함에 따라 기판(S)이 있을 때와 없을 때의 광의 세기가 작기 때문에 기판(S) 유무에 따라 비교하여야 하는 광 세기 비교값 자체가 작아지기 때문에 기판(S) 유무 판단을 위 한 판단 기준값의 단위를 작게 할 수 있으므로 매우 작은 감지값으로 매우 정밀하게 기판(S)을 감지할 수 있도록 한다.
한편, 전술한 실시예와 달리 광학계의 구성을 개량하여 본 발명의 기술적 사상을 변형 실시할 수 있을 것이다. 예를 들어 하프미러(233)(234)를 1개로만 실시하거나 제 2반사부(230)에서 반사거울을 채용하지 않고, 하프미러(233)(234)만으로 제 2반사부(230)를 구성하는 방법 등도 본 발명의 기술적 사상을 달성하기 위한 변형된 실시예가 될 수 있다. 그러나 이러한 변형된 실시예는 본 발명의 기술적 사상인 광량을 감소시켜 기판 감지효율을 향상시키는 것이라면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 실시예에 따른 기판처리장치에 구비되는 기판 감지부를 도시한 도면이다.
도 3은 본 실시예에 따른 기판처리방법을 도시한 순서도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 기판처리장치에 구비되는 기판 감지부를 도시한 도면이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치에 구비되는 기판 감지부를 도시한 도면이다.
삭제
삭제

Claims (6)

  1. 기판이 챔버 내부로 진입하면 상기 기판의 일측으로 광학센서에서 광을 조사하여 상기 광이 상기 기판을 첫 번째 투과하도록 하고,
    상기 기판을 첫 번째 투과한 상기 광을 제 1반사거울을 이용하여 측방으로 반사시키고, 상기 제 1반사거울에서 반사되는 상기 광을 제 2반사거울을 이용하여 반사하여 상기 광이 상기 기판의 타측으로 조사되어 상기 기판을 두 번째 투과하도록 하고,
    상기 기판을 두 번째 투과한 상기 광을 제 1반사부에서 상기 제 2반사거울 측으로 반사하여 상기 광이 상기 기판을 세 번째 투과하도록 하고,
    상기 제 2반사거울에서 반사되는 상기 광이 상기 제 1반사거울에서 반사되도록 하고, 상기 제 1반사거울에서 상기 광학센서 측으로 상기 광을 반사하여 상기 광이 상기 기판을 네 번째 투과하도록 하고,
    상기 광이 네 번째 투과한 상기 광의 세기를 감지하여 상기 광학센서에서 최초 조사된 광의 세기와 상기 기판을 네 번째 투과한 광의 세기를 비교하여 상기 챔버 내부로 진입하는 상기 기판의 진입 및 파손 여부를 판별하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판을 투과하는 광이 하프미러를 투과하도록 하여 광의 세기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
KR1020080136810A 2008-12-30 2008-12-30 기판처리장치와 기판처리방법 KR101087977B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080136810A KR101087977B1 (ko) 2008-12-30 2008-12-30 기판처리장치와 기판처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080136810A KR101087977B1 (ko) 2008-12-30 2008-12-30 기판처리장치와 기판처리방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100078525A KR20100078525A (ko) 2010-07-08
KR101087977B1 true KR101087977B1 (ko) 2011-12-01

Family

ID=42639733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080136810A KR101087977B1 (ko) 2008-12-30 2008-12-30 기판처리장치와 기판처리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101087977B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003344307A (ja) * 2002-05-31 2003-12-03 Cradle Corp 光学検査装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003344307A (ja) * 2002-05-31 2003-12-03 Cradle Corp 光学検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100078525A (ko) 2010-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5907180B2 (ja) 太陽電池セルの検査装置および太陽電池セルの処理装置
TWI414778B (zh) Substrate detection device and method
CN102414821B (zh) Soi晶片的检查方法
JPWO2009031420A1 (ja) 透明板体内部の微小異物を検出する方法及びその装置
KR101123638B1 (ko) 스크래치 검사장치 및 방법
US20100029019A1 (en) Detecting materials on wafer and repair system and method thereof
KR101981182B1 (ko) 기판 감시장치 및 기판 감시방법
US7379174B2 (en) Wafer detecting device
CN100401465C (zh) 用于集成的多用途光学对准的系统和方法
CN103033143B (zh) 光学探测器
US7894053B2 (en) Inspection apparatus
JP2007227781A (ja) 基板の位置ずれ検査機構，処理システム及び基板の位置ずれ検査方法
CN106198562B (zh) 一种玻璃基板检测方法、装置及系统
KR101087977B1 (ko) 기판처리장치와 기판처리방법
CN107664476B (zh) 一种用于半导体设备的光学检测装置和检测方法
CN109596640B (zh) 异物检测方法及装置
US7219676B2 (en) Substrate detecting apparatus
KR101173686B1 (ko) 카세트 내의 평판 디스플레이용 기판 유무 및 파손 여부 검사 장치
US6992316B2 (en) Angled sensors for detecting substrates
JP2012185031A (ja) マスク検査方法およびその装置
US20050006606A1 (en) Missing die detection
KR101225667B1 (ko) 검출장치를 포함한 플라즈마 처리장치
JP2006250603A (ja) 光センサによるセンシング方法及び装置
KR100715982B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20070089445A (ko) 웨이퍼 로딩 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141125

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee