KR101087491B1 - 가스 공급 플레이트 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Abstract

가스 공급 플레이트 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치가 개시된다. 이러한 가스 공급 플레이트는 베이스 플레이트, 다수의 그루브들 및 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 상기 베이스 플레이트는 제1 면 및 상기 제1 면과 반대의 제2 면을 갖는다. 상기 다수의 그루브들은 제1 방향을 따라서 서로 나란하게 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되도록 상기 제2 면에 형성된다. 상기 다수의 가스 분사홀들은 상기 다수의 그루브 사이에, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하도록 형성된다. 따라서, 사다리형 전극의 선형 전극 사이에 플라즈마가 집중되는 것을 방지하여, 사다리형 전극의 형상이 증착막에 전사되는 것을 방지할 수 있다.

Description

가스 공급 플레이트 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치{Gas Providing Plate for Plasma Generation and Apparatus for Generating plasma}
본 발명은 가스 공급 플레이트 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 사다리형 전극을 위한 가스 공급 플레이트 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
일반적으로, 집적회로장치, 액정표시장치, 태양전지 등과 같은 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 공정 중에서, 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 플라즈마 강화 화학기상증착(Plasma Enhanced Camical Vapor Deposition : PECVD) 장치를 통해 진행된다.
PECVD 장치는 챔버의 내부 공간에 형성되어 피처리 기판을 지지 및 가열하기 위한 기판 지지부, 기판 지지부의 상부에 형성되어 피처리 기판을 향해 공정 가스를 분사하는 가스 공급부, 가스를 배출하는 가스 배출부 및 플라즈마 발생부를 포함한다.
한편, 종래에는 플라즈마를 이용하여 기판 위에 필요한 재질의 막을 형성하기 위해 대면적 평판 전극을 사용하였다. 대면적 평판 전극을 사용하는 경우 고밀 도 플라즈마를 발생시키기 위하여 주파수를 증가시키는데, 이때 주파수가 증가함에 따라 전극에서 급격한 전력 손실이 있다. 이를 개선하기 위해서, 사다리 형상의 전극이 개발되었다. 이러한 사다리 형상의 전극은 외각의 프레임 사이에 다수의 선형 전극을 나란히 배치한 형상이다.
한편, 전극과 기판 사이의 거리인 공정 간극은 플라즈마의 분포 및 증착 균일도와 직결되는 중요한 공정변수인데, 공정상의 요구에 의해 공정 간극이 선형 전극들의 간격에 필적하게 되는 경우, 플라즈마가 사다리형 전극의 선형 전극 사이의 공간에 집중되면서, 공정간극에서의 플라즈마의 분포가 왜곡되고, 그 결과로 전극의 모양이 증착막에 전사되는 현상이 발생되는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 증착막이 사다리형 전극의 모양이 전사되는 것을 방지하여 증착의 균일도를 향상시킬 수 있는 가스 공급 플레이트를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 이러한 가스 공급 플레이트를 포함한 플라즈마 발생장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 특징에 따른 가스 공급 플레이트는 베이스 플레이트, 다수의 그루브들 및 다수의 가스 분사홀들을 포함한다. 상기 베이스 플레이트는 제1 면 및 상기 제1 면과 반대의 제2 면을 갖는다. 상기 다수의 그루브들은 제1 방향을 따라서 서로 나란하게 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되도록 상기 제2 면에 형성된다. 상기 다수의 가스 분사홀들은 상기 다수의 그루브 사이에, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하도록 형성된다.
예컨대, 이러한 가스 공급 플레이트는 상기 플라즈마 상기 제1 방향으로 연장되어, 상기 다수의 그루브들의 제1 단부 및 제2 단부를 각각 연결하는 제1 연결 그루브 및 제2 연결 그루브를 더 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 가스 분사홀들은 벌집 무늬의 중심에 위치되도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 가스 분사홀들 각각은 가스 유입구, 가스 분사구 및 연결구를 포 함할 수 있다. 이때, 상기 가스 유입구는 제1 지름을 갖고, 상기 제1 면 측에 형성된다. 상기 가스 분사구는 제2 지름을 갖고, 상기 제2 면 측에 형성될 수 있다. 상기 연결구는 상기 가스 유입구와 상기 가스 분사구를 연결하며, 상기 제1 지름 및 상기 제2 지름보다 작은 제3 지름을 갖도록 형성될 수 있다.
이때, 상기 가스 유입구는 상기 1면에 접하는 부분이 원통형의 형상이며, 상기 연결구 방향으로 깔때기 형상으로 형성되고, 상기 가스 분사구는 상기 제2 면에 접하는 부분이 원통형의 형상이며, 상기 연결구 방향으로 깔때기 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 가스 유입구는 하나 이상의 상기 가스 분사구 및 상기 연결구와 연결될 수 있다.
한편, 상기 가스 공급 플레이트는 유전체 또는 유전체로 코팅된 금속으로 형성된다. 예컨대, 상기 유전체는 테프론, 쿼츠 또는 세라믹 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 그루브들은 플라즈마 발생용 전극을 지지하기 위한 지지홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 플라즈마 발생장치는 챔버, 가스 공급부, 플라즈마 발생부, 기판 지지부 및 가스 배출부를 포함한다. 상기 가스 공급부는 상기 챔버 내부에 가스를 공급한다. 상기 플라즈마 발생부는 가스 공급 플레이트 및 상기 가스 공급 플레이트에 삽입된 사다리 형상의 전극을 포함하고, 상기 가스 공급부로부터 공급된 가스를 이용하여 플라즈마를 생성한다. 상기 기판 지지부 는 상기 챔버 내부에서 기판을 지지한다. 상기 가스 배출부는 반응 후의 가스를 배출한다. 여기서, 상기 가스 공급 플레이트는 제1 면 및 상기 제1 면과 반대의 제2 면을 갖는 베이스 플레이트, 제1 방향을 따라서 서로 나란하게 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되도록 상기 제2 면에 형성된 다수의 그루브(groove)들, 및 상기 다수의 그루브 사이에, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하도록 형성된 다수의 가스 분사홀들을 포함한다.
이와 같은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 가스 공급 플레이트에 따르면, 플라즈마가 사다리형 전극의 선형 전극 사이의 공간에 집중되는 것을 막아 공정간극에서의 플라즈마의 분포가 왜곡을 방지함으로써, 전극의 모양이 증착막에 전사되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 선형 전극부 사이에 빈 공간보다 유전율이 큰 유전체가 존재하게 되므로, 선형 전극부들 사이에 형성되는 캐패시턴스가 증가하게 되고, 따라서, 고주파수로 갈수록 임피던스가 감소하는 효과를 갖는다. 결과적으로 고주파수에서 선형 전극부의 임피던스가 감소하게 되므로 RF 파워의 전달효율이 향상된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 가스 공급 플레이트의 사시도이다. 도 2는 도 1에서 도시된 가스 공급 플레이트의 부분 절개 사시도이고, 도 3은 도 1에서 도시된 가스 공급 플레이트에 형성된 가스 분사홀의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 1 내지 3을 참조하면, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 가스 공급 플레이트(100)는 베이스 플레이트(110), 다수의 그루브(120)들 및 다수의 가스 분사홀(130)들을 포함한다.
상기 베이스 플레이트(110)는 예컨대, 사각형의 플레이트 형상으로 형성되며, 제1 면 및 상기 제1 면과 반대의 제2 면을 갖는다. 상기 가스 공급 플레이트(100)는 유전체 또는 유전체로 코팅된 금속으로 형성된다. 예컨대, 상기 유전체는 테프론(Teflon), 쿼츠(Quartz), 세라믹 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 다수의 그루브(120)들은 제1 방향(D1)을 따라서 서로 나란하게 배치되며, 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장되도록 상기 제2 면에 형성된다. 예컨대, 상기 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)은 서로 수직하다.
이러한 다수의 그루브(120)들은 도 5에서 도시된 사다리형 전극(501)의 선형 전극부(501a)가 삽입되는 부분으로, 사다리형 전극(501)이 삽입되어, 선형 전극부(501a) 사이에 플라즈마가 집중되는 것을 방지한다. 따라서, 증착되는 막에 사리형 전극(501)의 사다리 형상이 전사되는 것을 방지할 수 있다.
더욱이, 상기 선형 전극부(501a) 사이에, 빈 공간보다 유전율이 큰 유전체가 존재하게 되므로, 선형 전극부들 사이에 형성되는 캐패시턴스가 증가하게 되고, 따라서, 고주파수로 갈수록 임피던스가 감소하는 효과를 갖는다. 결과적으로 고주파수에서 선형 전극부의 임피던스가 감소하게 되므로 RF 파워의 전달효율이 향상된다.
이러한 다수의 그루브(120)들에는 도 5의 사다리형 전극(501)을 고정하기 위한 지지홀(150)들이 형성될 수 있다. 즉, 선형 전극부(501)에 돌출부(도시안됨)가 형성되고, 이러한 돌출부가 지지홀(150)을 관통하며, 상기 베이스 플레이트(110)의 제1 면에서 너트체결되어 고정될 수 있다.
또한, 가스 공급 플레이트(100)는 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어, 상기 다수의 그루브들의 제1 단부 및 제2 단부를 각각 연결하는 제1 및 제2 연결 그루브(140)를 더 포함한다. 이러한 제1 및 제2 연결 그루브(140)에는, 도 5의 사다리형 전극(501)의 프레임(501b)이 삽입된다.
가스 공급 플레이트(100)의 외곽부에는, 플라즈마 발생장치의 챔버(도시안됨) 내부에 가스 공급 플레이트(100)를 고정하기 위한 플레이트 고정홀(160)이 형성된다. 이러한 플레이트 고정홀(160)를 관통하는 볼트와 너트(도시안됨) 체결을 통해서 가스 공급 플레이트(100)가 챔버(도시안됨)에 고정될 수 있다.
한편, 상기 다수의 가스 분사홀(130)들은 상기 다수의 그루브(120) 사이에, 상기 베이스 플레이트(110)의 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하도록 형성된다. 상기 다수의 가스 분사홀(130)들은 상기 다수의 그루브(120) 사이에서 다양한 형상으로 배열될 수 있다. 또한, 상기 다수의 가스 분사홀(130)들은 다양한 크기로 형성될 수 있다.
사다리 형 전극의 외곽부와 중앙부에서 형성되는 플라즈마가 불균일할 경우, 예컨대, 중앙부의 밀도가 외곽부의 밀도보다 높을 경우에는 외곽부의 가스 분사홀(130)들의 크기를 크게 하거나 밀도를 높게 하여 플라즈마를 균일하게 생성할 수 있다.
본 실시예에서는 예컨대, 주어진 면적내에서 균일하면서 콤팩트하게 가스 분사홀(130)을 배치하기 위해서, 도 3에서 도시된 바와 같이, 상기 가스 분사홀(130)들은 벌집 무늬의 중심에 위치되도록 배치된다.
이러한 가스 분사홀(130)들은 다양한 단면 형상을 가질 수 있다. 이러한 가스 분사홀(130)들의 단면 형상은 아래의 도 4a 및 4b를 참고로 설명한다.
도 4a는 가스 분사홀의 형상을 보여주는, 도 1에서 도시된 가스 공급 플레이 트의 단면도이다. 도 4b는 가스 분사홀의 형상을 보여주는, 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 가스 공급 플레이트의 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 가스 분사홀들 각각은, 가스 공급 플레이트의 상기 제1 면 측에 형성된 가스 유입구(130a), 가스 공급 프레이트의 상기 제2 면 측에 형성된 가스 분사구(130b) 및 상기 가스 유입구(130a)와 상기 가스 분사구(130b)를 연결하는 연결구(130c)를 포함한다.
상기 가스 유입구(130a)는 제1 지름을 갖고, 상기 가스 분사구(130b)는 제2 지름을 갖으며, 상기 연결구(130c)는 상기 제1 지름 및 상기 제2 지름보다 작다. 예컨대, 상기 가스 유입구(130a)의 제1 지름 및 상기 가스 분사구(130b)의 제2 지름이 동일하도록, 상기 가스 분사홀이 형성될 수 있다.
상기 가스 유입구(130a)는 상기 1면에 접하는 부분이 원통형의 형상이며, 상기 연결구(130c) 방향으로 깔때기 형상으로 형성되고, 상기 가스 분사구(130b)는 상기 제2 면에 접하는 부분이 원통형의 형상이며, 상기 연결구(130c) 방향으로 깔때기 형상으로 형성된다.
도 4a에서, 가스 분사홀들 각각은 각진 깔때기 형상으로 도시되어 있으나, 모래시계와 같이, 굴곡이게 형성된 깔때기 형상으로 형성될 수도 있다. 또한, 가스 분사홀들의 가스 유입구(130a) 및 가스 분사구(130b)는 원통형상이 아닌 테이퍼진 형상으로 형성될 수 있다. 보다 상세히, 가스 분사홀들 각각은 모래시계 형상으로 형성될 수도 있다.
도 4b를 참조하면, 하나의 가스 유입구(130d)는 두 개 이상의 상기 가스 분 사구(130b) 및 상기 연결구(130c)와 연결될 수 있다. 예컨대, 본 실시예에서는 하나의 가스 유입구(130d)는 두 개의 가스 분사구(130b) 및 연결구(130c)와 연결된다.
이와 같이, 하나의 가스 유입구(130d)가 두 개 이상의 상기 가스 분사구(130b) 및 상기 연결구(130c)와 연결되면, 가스의 유입이 보다 원활하게 진행될 수 있다.
도 1 내지 4b에서 도시된 가스 공급 플레이트들은 베이스 플레이트(110)의 상기 제2 면이 함몰되어 그루브가 형성되어 있으나, 이와 다르게, 평판의 베이스 플레이트에 선형의 돌출부를 부착하여, 도 1 내지 4b에서 도시된 가스 공급 플레이트와 동일한 구조를 갖도록 형성할 수 있다. 이때, 평판의 베이스 플레이트에는 도 4a 또는 4b에서 도시된 가스 유입구(130a, 130d) 및 연결구(130c)를 형성하고, 선형의 돌출부에는 가스 분사구(130b)를 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명에 의한 가스 공급 플레이트와 사다리형 전극이 결합된 플라즈마 발생부를 보여주는 사시도이고, 도 6은 도 5에 의한 플라즈마 발생부를 포함하는, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 플라즈마 발생장치의 개략적인 단면도이다.
도 5 및 6을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 의한 플라즈마 발생장치(600)는 챔버(650), 가스 공급부(610), 플라즈마 발생부(620), 기판 지지부(630) 및 가스 배출부(640)를 포함한다.
상기 가스 공급부(610)는 상기 챔버(650) 내부에 가스를 공급한다. 상기 플라즈마 발생부(620)는 가스 공급 플레이트(100) 및 상기 가스 공급 플레이트(100)에 삽입된 사다리 형상의 전극(501)을 포함하고, 상기 가스 공급부(610)로부터 공급된 가스를 이용하여 플라즈마를 생성한다. 이러한 사다리 형상의 전극(501)은 예컨대, 제1 방향(D1)으로 나란하게 연장된 두 개의 프레임(501b) 및 그 사이에, 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2) 방향으로 연장되어 부착된 다수의 선형 전극부(501a)를 포함한다.
상기 가스 공급 플레이트(100)는 앞서 설명한 가스 공급 플레이트들 중 어느 하나가 사용될 수 있으며, 사다리 형상의 전극(501) 또한 종래의 어떠한 사다리 형상의 전극도 적용될 수 있다.
상기 기판 지지부(630)는 상기 챔버(650) 내부에서 기판(S)을 지지한다. 상기 가스 배출부(640)는 반응 후의 가스를 배출한다. 본 실시예에서 가스 공급 플레이트(100)를 제외한 구성요소는 종래의 것이 적용될 수 있으므로 더 이상의 설명은 생략한다.
이하, 본 발명에 따른 가스 공급 플레이트의 효과에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 7a 및 7b는 각각 종래 가스 공급 플레이트 및 본 발명에 의한 가스 공급 플레이트에 의해 형성된 막질을 보여주는 사진들이다.
도 7a 및 7b를 참조하면, 평판형의 종래의 가스 공급 플레이트에 의해 형성 된 막질은 사다리형 전극의 선형 전극부의 모양이 전사되어 선형의 무늬가 뚜렷이 보여지는 반면, 본 발명에서와 같이 그루브가 형성되어 그루브에 사다리형 전극이 삽입되는 가스 공급 플레이트에 의해 형성된 막질은 선형 전극부 사이의 공간이 가스 공급 플레이트에 의해 플라즈마가 집중되는 공간이 원천적으로 봉쇄되어 선형의 무늬가 상당히 완화되어 있는 것을 볼 수 있다.
더욱이, 사다리형 전극의 선형 전극부 사이가 공간으로 채워진 종래의 가스 공급 플레이트에 비해 본 발명에 의한 가스 공급 플레이트는 사다리형 전극의 선형 전극부 사이의 공간이 유전율이 상대적으로 큰 유전체에 의해 채워지므로, 주파수가 증가할수록 임피던스가 감소하게 되어 RF파워의 전달 효율이 향상된다. 따라서, 동일시간 동안 형성된 막질이 두꺼워진 것을 확인할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 가스 공급 플레이트의 사시도이다.
도 2는 도 1에서 도시된 가스 공급 플레이트의 부분 절개 사시도이다.
도 3은 도 1에서 도시된 가스 공급 플레이트에 형성된 가스 분사홀의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 4a는 가스 분사홀의 형상을 보여주는, 도 1에서 도시된 가스 공급 플레이트의 단면도이다.
도 4b는 가스 분사홀의 형상을 보여주는, 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 가스 공급 플레이트의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 가스 공급 플레이트와 사다리형 전극이 결합된 플라즈마 발생부를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5에 의한 플라즈마 발생부를 포함하는, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 플라즈마 발생장치의 개략적인 단면도이다.
도 7a 및 7b는 각각 종래 가스 공급 플레이트 및 본 발명에 의한 가스 공급 플레이트에 의해 형성된 막질을 보여주는 사진들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 가스 공급 플레이트 110: 베이스 플레이트
120: 그루브 130: 가스 분사홀
140: 연결 그루브 130a, 130d: 가스 유입구
130b: 가스 분사구 130c: 연결구
501: 사다리형 전극 600: 플라즈마 발생장치
610: 가스 공급부 620: 플라즈마 발생부
630: 기판 지지부 640: 가스 배출부
650: 챔버

Claims (13)

  1. 제1 면 및 상기 제1 면과 반대의 제2 면을 갖는 베이스 플레이트;
    제1 방향을 따라서 서로 나란하게 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되도록 상기 제2 면에 형성된 다수의 그루브(groove)들; 및
    상기 다수의 그루브 사이에, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하도록 형성된 다수의 가스 분사홀들을 포함하는 가스 공급 플레이트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 방향으로 연장되어, 상기 다수의 그루브들의 제1 단부 및 제2 단부를 각각 연결하는 제1 연결 그루브 및 제2 연결 그루브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가스 분사홀들은 벌집 무늬의 중심에 위치되도록 배치된 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가스 분사홀들 각각은,
    상기 제1 면 측에 형성된 가스 유입구;
    상기 제2 면 측에 형성된 가스 분사구; 및
    상기 가스 유입구와 상기 가스 분사구를 연결하는 연결구를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가스 유입구는 제1 지름을 갖고, 상기 가스 분사구는 제2 지름을 갖으며, 상기 연결구는 상기 제1 지름 및 상기 제2 지름보다 작은 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가스 유입구는 상기 1면에 접하는 부분이 원통형의 형상이며, 상기 연결구 방향으로 깔때기 형상으로 형성되고,
    상기 가스 분사구는 상기 제2 면에 접하는 부분이 원통형의 형상이며, 상기 연결구 방향으로 깔때기 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  7. 제4항에 있어서, 상기 가스 유입구는 하나 이상의 상기 가스 분사구 및 상기 연결구와 연결된 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  8. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 플레이트는 유전체 또는 유전체로 코팅된 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유전체는 테프론, 쿼츠 또는 세라믹 중 적어도 어느 하나를 포함한 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  10. 제1항에 있어서, 상기 그루브들은 플라즈마 발생용 전극을 지지하기 위한 지 지홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 플레이트.
  11. 챔버;
    상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스 공급부;
    가스 공급 플레이트 및 상기 가스 공급 플레이트에 삽입된 사다리 형상의 전극을 포함하고, 상기 가스 공급부로부터 공급된 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부;
    상기 챔버 내부에서 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
    반응 후의 가스를 배출하는 가스 배출부를 포함하고,
    상기 가스 공급 플레이트는 제1 면 및 상기 제1 면과 반대의 제2 면을 갖는 베이스 플레이트, 제1 방향을 따라서 서로 나란하게 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되도록 상기 제2 면에 형성된 다수의 그루브(groove)들, 및 상기 다수의 그루브 사이에, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하도록 형성된 다수의 가스 분사홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 가스 분사홀들은 벌집 무늬의 중심에 위치되도록 배치되고, 상기 가스 분사홀들 각각은,
    제1 지름을 갖고, 상기 제1 면 측에 형성된 가스 유입구;
    제2 지름을 갖고, 상기 제2 면 측에 형성된 가스 분사구; 및
    상기 가스 유입구와 상기 가스 분사구를 연결하며, 상기 제1 지름 및 상기 제2 지름보다 작은 제3 지름을 갖는 연결구를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 가스 유입구는 하나 이상의 상기 가스 분사구 및 상기 연결구와 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
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