KR101082834B1 - 고주파 고출력 증폭기 - Google Patents

고주파 고출력 증폭기

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Abstract

본 발명에 따른 고주파 고출력 증폭기는, 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 광대역 입력 매칭부와, GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 광대역 입력 매칭부로부터 매칭된 입력 신호를 제공받고, 상기 제공받은 매칭된 입력 신호를 증폭하는 증폭부를 포함한다.
이와 같이, 본 발명은 GaN 반도체 트랜지스터 및 광대역 입출력 임피던스 매칭을 이용하여 고주파 고출력 증폭기를 구성함으로써, 2G의 20개 이상의 CDMA 채널, 3G의 4개 이상의 W-CDMA 채널 및 4G의 3개 이상의 OFDM 채널을 동시에 입력으로 하여 증폭할 수 있기 때문에 전력 소모를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 크기를 축소할 수 있어 운용 및 유지 보수를 쉬운 장점이 있다.
GaN, 반도체, 증폭기, 기지국, 광대역

Description

고주파 고출력 증폭기{HIGH FREQUENCY AND OUTPUT AMPLIFIER}
본 발명은 중폭기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광대역한 다수개의 대역을 하나의 증폭기를 이용하여 증폭할 수 있는 고주파 고출력 증폭기에 관한 것이다.
GaN 반도체는 개발된 당시부터 엄청난 새로운 산업을 창출하고 있다. 특히, 기존의 실리콘이나 화합물 반도체가 감당하기 어려운 청색 다이오드의 개발과 생산으로 LDC, PDP 산업의 새로운 창출과 백색 다이오드의 개발과 생산으로 조명 시장의 도래, GaN 쇼트키 다이오드의 개발과 생산으로 하이브리드카, 태양광, 풍력 에너지의 효율적인 전지에 저장과 전자기기의 전원 컨버터의 효율 상으로 에너지의 효율을 높이는데 많은 기여를 하고 있다.
이와 같이 기술이 발전함에 따라 무선 통신, 유선 통신 분야에서도 다양한 주파수 대역과 많은 채널의 사용에 따른 에너지 효율과 친환경적인 제품이 요구된다.
이와 같은 고출력 GaN 반도체 트랜지스터는 2G, 3G, 4G 3개 대역을 동시에 고주파 800MHz-27000MHz을 증폭하게 할 수 있는 광대역 특성을 갖고 있을 뿐 아니라, 이 광대역에 사용하는 수십 채널의 다양한 채널을 하나의 증폭기를 이용해 고주파, 고출력 신호를 증폭시키는 것이 가능하게 하였다.
종래의 고주파 고출력 반도체를 이용한 증폭기에 대해 설명하면 아래와 같다.
종래의 증폭기는 일반적인 실리콘 LDMOS 반도체 또는 화합물 반도체 트랜지스터를 이용하는데, 이러한 일반적인 실리콘 LDMOS 반도체 및 화합물 반도체 트랜지스터의 특성은 아래의 표1과 같다.
Figure 112009002179664-pat00001
상기의 표1에서 알 수 있듯이, 실리콘 LDMOS 반도체 및 화합물 반도체 트랜지스터는 에너지 밴드 갭이 적을 뿐만 아니라 입출력 캐패시턴스가 높고, 반도체 칩의 게이트 길이에 따른 출력 밀도가 낮아 고출력과 광대역 다수 채널 증폭기로 이용하기에 입출력 임피던스 낮아 매칭점이 상대적으로 축소되기 때문 고주파, 고출력에 광대역이 매우 힘이 들고, 다수 채널이 동시에 입력될 때 직선성이 떨어지는 문제점이 있다.
일반적으로 중계기나 기지국 장비는 2G, 3G, 4G의 3개의 증폭기로 각각을 증폭한다. 즉, 820MHz-960MHz 셀룰라나 GSM 대역의 50MHz 대역폭 이내, 1720-1920MHz PCS, DECT 대역의 100MHz 대역폭이내의 2G를 증폭기로 증폭하고, 1920-2170MHz 대역 내의 W-CDMA, UMTS, 60MHz 이내의 3G를 증폭기로 증폭하며, 2300-2700MHz 와이브로, 와이맥스 대역의 100MHz 이내의 4G를 증폭기로 증폭한다.
이와 같이, 중계기나 기지국에는 각기 다른 주파수 대역, 예컨대 2G, 3G, 4G의 주파수 대역을 각각 증폭하기 위해서 각기 다른 주파수 대역을 증폭하는 증폭기를 필요하며, 이에 따른 운용, 설치, 유지, 보수의 비용이 천문학적으로 들어가는 문제점이 있다.
종래의 고주파 고출력 증폭기는 각각의 주파수 대역에 각각의 증폭기를 이용하여 사용하기 때문에 하나의 통신 서비스 업체가 각각의 주파수 대역을 이용하여 서비스를 제공할 때 많은 중계기, 기지국을 설치 및 운용해야 하기 때문에 설치 및 유지 보수가 어려울 뿐만 아니라 전력 소비가 많은 단점이 있다.
또한, 종래의 고주파 고출력 증폭기는 새로운 차세대 통신 서비스를 제공할 때마다 새로운 통신 시스템을 설치해야 하는 문제점을 갖고 있다.
본 발명은 GaN 반도체 트랜지스터 및 광대역 입출력 임피던스 매칭을 이용하여 고주파 고출력 증폭기를 구성함으로써, 2G의 20개 이상의 CDMA 채널, 3G의 4개 이상의 W-CDMA 채널 및 4G의 3개 이상의 OFDM 채널을 동시에 입력으로 하여 증폭할 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 고주파 고출력 증폭기는, 마이크로스트립라인과 RLC로 구성되며, 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 광대역 입력 매칭부와, GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 상기 광대역 입력 매칭부로부터 매칭된 입력 신호를 제공받고, 상기 제공받은 매칭된 입력 신호를 증폭하는 증폭부를 포함한다.
다른 견지에서 본 발명에 따른 고주파 고출력 증폭기는, 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호를 제 1 차 증폭하는 제 1 증폭단과, 상기 제 1 증폭단의 출력단에 위치하여 상기 제 1 차 증폭된 입력 신호를 제 2 차 증폭하는 제 2 증폭단과, 상기 제 2 차 증폭된 신호를 제 1, 2 신호로 분리하는 신호 분리부와, 상기 신호 분리부에서 제 1, 2 신호를 각각 증폭하여 출력하는 제 3 증폭단과, 상기 각각 증폭된 제 1, 2 신호를 결합하는 신호 결합부를 포함하며, 상기 제 1, 2, 3 증폭단은, GaN 반도체 트랜지스터로 구성되며, 상기 제 1 증폭단은 상기 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 광대역 입력 매칭부와, 상기 GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 상기 광대역 매칭된 입력 신호를 증폭하는 증폭부와, 상기 증폭부의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행하는 출력 매칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 GaN 반도체 트랜지스터 및 광대역 입출력 임피던스 매칭을 이용하여 고주파 고출력 증폭기를 구성함으로써, 2G의 20개 이상의 CDMA 채널, 3G의 4개 이상의 W-CDMA 채널 및 4G의 3개 이상의 OFDM 채널을 동시에 입력으로 하여 증폭할 수 있기 때문에 전력 소모를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 크기를 축소할 수 있어 운 용 및 유지 보수를 쉬운 장점이 있다.
또한, 본 발명은 하나의 증폭기를 이용하여 서로 다른 주파수 및 채널대의 신호를 동시에 입력받아 증폭할 수 있기 때문에 주파수 변화나 채널 변화 등에 업그레이드가 용이할 뿐만 아니라 배치와 운용 및 설치에 효율을 극대화시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 아울러 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명의 실시 예에서는 응용 프로그램의 함수 정보를 토대로 입력 데이터를 검증할 수 있는 검증 코드를 삽입한 후 이를 이용하여 입력 데이터에 대한 유효성을 검증할 수 있는 응용 프로그램 패치 장치 및 방법에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 고주파 고출력 증폭기를 도시한 회로도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 고출력 증폭기는 GaN 반도체 트랜지스터로 구성된 증폭부(100), 증폭부(100)의 앞단에 연결된 광대역 입력 매칭부(110) 및 증폭부(100)의 뒤단에 연결된 출력 매칭부(120)로 구성된다.
증폭부(100)는 광대역 입력 매칭부(110)로부터 출력되는 신호를 증폭하여 출 력하는 수단으로서, GaN 반도체 트랜지스터를 이용하여 구현된다. 여기서, GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에는 전원 회로(미도시됨)로부터 부전압이 공급되고, 드레인에는 높은 정전압을 공급된다.
증폭부(100)의 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트 선폭은 입력 신호의 크기에 의거하여 결정될 수 있다.
본 발명에서는 증폭부(100)의 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에 전압이 공급된 후 드레인에 전압이 공급되도록 하고, 게이트에 공급되는 전압의 조정을 통해 입출력 임피던스를 변화시킬 수 있을 뿐만 아니라 증폭부(100)의 타입을 결정할 수 있다. 즉, 게이트에 공급되는 전압에 의거하여 증폭부(100)의 타입이 A-class, AB-class 또는 C-class로 구성될 수 있다.
광대역 입력 매칭부(110)는 마이크로 스트립라인과 RLC를 이용하여 구성되어 입력 신호, 즉 2G, 3G, 4G의 트리플 밴드(triple band) 주파수 대역, 예컨대 800-2700MHz를 갖는 입력 신호에 대한 광대역 입력 매칭을 수행한 후 이를 증폭부(100)에 출력한다.
상기와 같은 구성을 갖는 고주파 고출력 증폭기가 적용되는 예에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 GaN 반도체 트랜지스터를 이용한 고주파 고출력 증폭기를 도시한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 고주파 고출력 증폭기는 2G, 3G, 4G의 트리플 밴드(triple band) 주파수 대역, 예컨대 800-2700MHz을 동시에 증폭할 수 있으며, 그 구성은 제 1 증폭단(200), 제 2 증폭단(210), 제 3 증폭단(220), 신호 분리부(230) 및 신호 결합부(240)를 포함한다. 제 1 증폭단(200)은 제 1 광대역 입력 매칭부(201), 제 1 증폭부(203) 및 제 1 출력 매칭부(205)를 포함하고, 제 2 증폭단(210)은 제 2 광대역 입력 매칭부(211), 제 2 증폭부(213) 및 제 2 출력 매칭부(215)를 포함하며, 제 3 증폭단(220)은 제 3a, 3b 광대역 입력 매칭부(221a, 221b), 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b) 및 제 3a, 3b 출력 매칭부(225a, 225b)를 포함한다.
제 1 증폭단(200)은 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호를 제 1 차 증폭한 후 이를 제 2 증폭단(210)에 출력한다.
제 1 광대역 입력 매칭부(201)는 제 1 증폭부(203)에 연결되어 입력 신호, 즉 트리플 밴드 주파수 대역을 갖는 입력 신호에 대한 광대역 입력 매칭을 수행한다.
전원 공급부(250)는 제 1 증폭부(203)의 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에 필요한 부전압을 공급하고, 제 1 증폭부(203)의 GaN 반도체 트랜지스터의 드레인에 높은 정전압을 공급한다.
제 1 광대역 입력 매칭부(201)는 마이크로 스트립라인과 RLC를 이용하여 구성되어 입력 신호에 대한 광대역 입력 매칭을 수행한 후 이를 제 1 증폭부(203)에 출력한다.
제 1 증폭부(203)는 입력 신호가 적기 때문에 게이트 폭이 작은, 예컨대 1mm-4mm 정도 갖는 GaN 반도체 트랜지스터를 이용하여 구성된다.
제 1 출력 매칭부(205)는 마이크로 스트립라인과 L,C를 이용하여 구성되어 제 1 증폭부(203)의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행한 후 이를 제 2 광대역 입력 매칭부(211)에 출력한다.
제 1 증폭부(203)의 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에 전압이 공급된 후 드레인에 전압이 공급되도록 전원 공급부(250)가 제어되고, 게이트에 공급되는 전압의 조정을 통해 입출력 임피던스를 변화시킬 수 있을 뿐만 아니라 제 1 증폭부(203)의 타입을 결정할 수 있다. 즉, 게이트에 공급되는 전압에 의거하여 제 1 증폭부(203)의 타입이 A-class, AB-class 또는 C-class로 구성될 수 있다.
이와 같은 구성을 통해 제 1 증폭부(203)는 광대역인 2G, 3G, 4G 트리플 대역의 입력 신호를 10-13dB(10-20배)로 증폭하여 출력한다.
제 2 증폭단(210)은 제 1 증폭단(200)의 출력단에 위치하여 제 1 차 증폭된 입력 신호를 제 2 차 증폭하여 신호 분리부(230)에 출력한다.
제 2 광대역 입력 매칭부(211)는 제 2 증폭부(213)에 연결되어 입력 신호에 대해 광대역 입력 매칭을 수행한다.
전원 공급부(250)는 제 2 증폭부(213)의 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에 필요한 부전압을 공급하고, 제 2 증폭부(213)의 GaN 반도체 트랜지스터의 드레인에 높은 정전압을 공급한다.
또한, 전원 공급부(250)에 의해 공급되는 게이트 전압의 조정을 통해 입출력 임피던스를 변화시킬 수 있을 뿐만 아니라 제 2 증폭부(213)의 타입을 결정할 수 있다. 즉, 게이트에 공급되는 전압에 의거하여 제 2 증폭부(213)의 타입이 A-class, AB-class 또는 C-class로 구성될 수 있다.
제 2 광대역 입력 매칭부(211)는 마이크로 스트립라인과 RLC를 이용하여 구성되어 제 1 증폭부(203)에서 증폭되어 제 1 출력 매칭부(205)에 의해 광대역 매칭된 신호에 대한 광대역 입력 매칭을 수행한 후 이를 제 2 증폭부(213)에 출력한다.
제 2 증폭부(213)는 제 1 증폭부(203)에 의해 10-13dB 정도 증폭된 신호를 입력으로 받기 때문에 게이트 폭이 4mm-16mm 정도의 크기를 갖는 GaN 반도체 트랜지스터를 이용하여 구성된다.
제 2 출력 매칭부(215)는 마이크로 스트립라인과 L,C를 이용하여 구성되어 제 2 증폭부(213)의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행한 후 이를 신호 분리부(230)에 출력한다.
신호 분리부(230)는 제 2 증폭단(210)에서 출력된 신호를 제 1, 2 신호로 분리한 후 각기 다른 라인을 통해 제 1, 2 신호를 제 3 증폭단(220)에 출력한다. 즉, 신호 분리부(230)는 제 1, 2 증폭단(200, 210)의 제 1, 2 증폭부(203, 213)에 의해 증폭된 신호, 즉 20-25dB 정도 증폭된 신호를 두 개의 신호로 분리한 후 분리된 각각의 신호를 제 3a 광대역 입력 매칭부(221a) 및 제 3b 광대역 입력 매칭부(221b)에 출력한다.
제 3a, 3b 광대역 입력 매칭부(221a, 221b)는 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)에 각각 연결되어 마이크로스트립 라인과 R,L,C로 구성되어 분리된 제 1, 2 신호 각각에 대해 광대역 입력 매칭을 수행한 후 이를 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)에 출력한다. 즉, 제 3 증폭단(220)을 구성하는 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)는 병렬로 연결되어 있기 때문에 제 1, 2 증폭단(200, 210)에 의해 20-25dB 증폭된 신 호가 두 개로 분리되어 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)에 각각 입력된다.
이와 같이 마지막 증폭단을 구성하고 있는 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)는 고출력 증폭을 해야 하기 때문에 게이트 선폭을 3-36mm의 다양한 크기를 갖는 GaN 반도체 트랜지스터를 사용하는데, 즉 증폭기가 장착된 시스템에서 필요한 신호 크기에 따라 선택하여 사용할 수 있다.
전원 공급부(250)는 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)의 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에 필요한 부전압을 공급하도록 제어됨과 더불어 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)의 GaN 반도체 트랜지스터의 드레인에 높은 정전압을 공급하도록 제어된다.
또한, 전원 공급부(250)에 의해 공급되는 게이트 전압의 조정을 통해 입출력 임피던스를 변화시킬 수 있을 뿐만 아니라 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)의 타입을 결정할 수 있다. 즉, 게이트에 공급되는 전압에 의거하여 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)의 타입이 A-class, AB-class 또는 C-class로 구성될 수 있다.
제 3a, 3b 출력 매칭부(225a, 225b)는 마이크로 스트립라인과 L,C를 이용하여 구성되어 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행한 후 이를 신호 결합부(240)에 출력한다.
신호 결합부(240)는 제 3a, 3b 출력 매칭부(225a, 225b)에서 출력되는 신호를 결합하여 출력한다.
신호 분리부(230)와 신호 결합부(240)는 응용 방법에 따라 크게 두 가지, 즉 푸시-풀(push-pull) 방식과 밸런스드(balanced) 방식으로 구성될 수 있다.
먼저, 푸시-풀 방식에 대해 설명하면, 신호 분리부(230)는 제 2 출력 매칭 부(215)에서 출력되는 신호를 푸시-풀(push-pull) 방식으로 180도 위상차가 나게 하여 분리한 후 분리된 신호 각각을 제 3a, 3b 광대역 입력 매칭부(120a, 120b)에 출력하고, 신호 결합부(240)는 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)에 의해 증폭된 신호를 결합하여 출력한다. 이에 따라, 입출력 임피던스 매칭이 한 개의 증폭기를 사용하는 것보다 4배 높게 매칭이 가능하기 때문에 매칭이 보다 쉬운 장점이 있다.
두 번째 밸런스드 방식에 대해 설명하면, 신호 분리부(230)는 제 2 출력 매칭부(215)에서 출력되는 신호를 밸런스드(balanced) 방식으로 90도 위상차가 나게 하여 분리한 후 분리된 신호 각각을 제 3a, 3b 광대역 입력 매칭부(120a, 120b)에 출력하고, 신호 결합부(240)는 제 3a, 3b 증폭부(223a, 223b)에 의해 증폭된 신호를 결합하여 출력한다. 이에 따라, 좋은 아이솔레이션(isolation)을 확보할 수 있을 뿐만 아니라 입출력 임피던스 매칭이 쉬운 장점이 있다.
상기와 같은 고주파 고출력 증폭기에서 2G(882MHz), 3G(2140GHz), 와이브로(2350GHz) 및 GSM 시스템에서 이용되는 1940GHz의 신호를 입력 신호로 하여 증폭한 결과는, 도 3에 도시된 바와 같이, 35dB 이득에 전체 전력 33.19dBm과 광대역을 이득 평탄도로 증폭한 것을 알 수 있다. 즉, 2G 신호는 A점과 같이 증폭되고, 3G 신호는 C점과 같이 증폭되며, 와이브로 신호는 C점과 같이 증폭되며, 1940GHz 신호는 D점과 같이 증폭되는 것을 알 수 있다.
지금까지 본 발명의 실시예에 국한하여 설명하였으나 본 발명의 기술이 당업자에 의하여 용이하게 변형 실시될 가능성이 자명하다. 이러한 변형된 실시 예들은 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상에 포함된다고 하여야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 고주파 고출력 증폭기를 도시한 회로도이며,
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 GaN 반도체 트랜지스터를 이용한 고주파 고출력 증폭기를 도시한 회로도이며,
도 3은 본 발명에 따른 고주파 고출력 증폭기를 적용하여 서로 다른 대역을 갖는 광대역 신호를 증폭한 결과를 도시한 도면이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
100 : 광대역 입력 매칭부 110 : 증폭부
200 : 제 1 증폭단 210 : 제 2 증폭단
220 : 제 3 증폭단 230 : 신호 분리부
240 : 신호 결합부 250 : 전원 공급부

Claims (17)

  1. 마이크로스트립라인과 RLC로 구성되며, 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 광대역 입력 매칭부와,
    GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 상기 광대역 입력 매칭부로부터 매칭된 입력 신호를 제공받고, 상기 제공받은 매칭된 입력 신호를 증폭하는 증폭부
    를 포함하는 고주파 고출력 증폭기.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트 선폭은, 상기 입력 신호의 크기에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전압 크기에 의거하여 상기 증폭부의 타입을 A-class, AB-class 또는 C-class로 결정하는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  5. 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호를 제 1 차 증폭하는 제 1 증폭단과,
    상기 제 1 증폭단의 출력단에 위치하여 상기 제 1 차 증폭된 입력 신호를 제 2 차 증폭하는 제 2 증폭단과,
    상기 제 2 차 증폭된 신호를 제 1, 2 신호로 분리하는 신호 분리부와,
    상기 신호 분리부에서 제 1, 2 신호를 각각 증폭하여 출력하는 제 3 증폭단과,
    상기 각각 증폭된 제 1, 2 신호를 결합하는 신호 결합부를 포함하며,
    상기 제 1, 2, 3 증폭단은, GaN 반도체 트랜지스터로 구성되며,
    상기 제 1 증폭단은,
    상기 트리플 밴드의 주파수 대역을 갖는 입력 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 광대역 입력 매칭부와,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 상기 광대역 매칭된 입력 신호를 증폭하는 증폭부와,
    상기 증폭부의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행하는 출력 매칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 광대역 입력 매칭부는, 마이크로 스트립라인과 RLC로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트 선폭은, 상기 입력 신호의 크기에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 증폭단은,
    상기 제 1 증폭단에서 출력되는 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 광대역 입력 매칭부와,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 상기 광대역 입력 매칭부에서 출력되는 신호를 증폭하는 증폭부와,
    상기 증폭부의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행하는 출력 매칭부
    를 포함하는 고주파 고출력 증폭기.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광대역 입력 매칭부는, 마이크로 스트립라인과 RLC로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트 선폭은, 상기 입력 신호의 크기에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  12. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 3 증폭단은,
    상기 제 1 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 제 1 광대역 입력 매칭부와,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 상기 제 1 광대역 매칭 입력부에서 출력되는 신호에 대한 증폭을 수행하는 제 1 증폭부와,
    상기 제 1 증폭부의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행한 후 상기 신호 결합부에 출력하는 제 1 출력 매칭부와,
    상기 제 2 신호에 대한 광대역 매칭을 수행하는 제 2 광대역 입력 매칭부와,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터로 구성되어 상기 제 2 광대역 매칭 입력부에서 출력되는 신호에 대한 증폭을 수행하는 제 2 증폭부와,
    상기 제 2 증폭부의 출력에 대한 광대역 매칭을 수행한 후 상기 신호 결합부에 출력하는 제 2 출력 매칭부
    를 포함하는 고주파 고출력 증폭기.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 또는 제 2 광대역 입력 매칭부는, 마이크로 스트립라인과 RLC로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트 선폭은, 상기 입력 신호의 크기에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  15. 제 5 항에 있어서,
    상기 GaN 반도체 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전압 크기에 의거하여 상기 제 1, 2, 3 증폭단의 증폭기 타입을 A-class, AB-class 또는 C-class로 결정하는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  16. 제 5 항에 있어서,
    상기 신호 분리부는, 상기 제 2 증폭단에서 출력된 신호를 180도 위상차가 나도록 상기 제 1, 2 신호로 분리하는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
  17. 제 5 항에 있어서,
    상기 신호 분리부는, 상기 제 2 증폭단에서 출력된 신호를 90도 위상차가 나도록 상기 제 1, 2 신호로 분리하는 것을 특징으로 하는 고주파 고출력 증폭기.
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