KR101077862B1 - 발광다이오드의 코팅 방법 - Google Patents

발광다이오드의 코팅 방법 Download PDF

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방동수
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Abstract

본 개시는 다층구조 반도체층 및 그에 구비된 본딩 패드를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 있어서, 본딩 패드 위에 설정된 두께로 구비되며, 하면 및 하면의 면적보다 넓은 상면을 가지는 본딩패드 커버층을 형성하는 단계; 본딩패드 커버층이 형성된 다층구조의 반도체층에 코팅물질층을 도포하는 단계; 코팅물질층을 경화시키는 단계; 및 본딩패드 커버층을 제거하여 본딩 패드를 노출시키는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 관한 것이다.

Description

발광다이오드의 코팅 방법{COATING METHOD FOR LIGHT EMITTING DIODE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 발광소자의 코팅 방법에 관한 것으로, 특히 와이어본딩(wire-bonding) 공정 전 칩(chip) 단위의 발광소자에 적용될 수 있는 발광소자의 코팅 방법에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 도면으로서, 발광소자(110)의 코팅 공정은 다이본딩(die-bonding) 공정 및 와이어본딩(wire-bonding) 공정이 완료된 상태에서 진행된다.
다이본딩 공정은 칩(chip) 단위의 발광소자(110)를 접착물질을 이용하여 마운트(120)에 고정시키는 공정을 의미한다.
와이어본딩 공정은 마운트(120)와 일체로 구비되며 전원이 도입되는 리드프레임(130)과 발광소자(110)를 전기적으로 연결시키는 공정을 의미하며, 양자의 연결에는 가는 금속선(140)이 이용되는 것이 일반적이다.
발광소자(110)의 코팅 공정은 와이어본딩된 발광소자(110)에 유동성을 가지는 코팅물질(150)을 공급하고, 이를 경화시키는 방법에 의한다.
경화된 코팅물질(150)의 형상은 코팅물질(150)의 유동성, 공급된 양, 마운트(120)의 형상 등에 따라 결정된다.
따라서, 발광소자(110)에 일정한 두께로 코팅물질(150)을 코팅한다 하더라도 실제로 발광 소자의 측면에 코팅된 두께는 상면에 코팅된 두께와 다르게 되고 결국 빛이 투과하는 코팅 물질의 두께가 다르므로, 발광소자(110)로부터 코팅물질(150)을 통해 방출되는 빛의 색의 균일성이 떨어지는 문제가 있다.
또한, 발광소자(110)의 코팅 공정이 다이본딩 공정 및 와이어본딩 공정 후에 진행되므로, 코팅 공정에서 불량이 발생되는 경우 다이본딩 공정 및 와이어본딩 공정에 쓰인 재료를 모두 폐기하여야 하므로 비용적으로 큰 손실이 발생되는 문제가 있다.
또한, 복수 개의 발광소자(110)를 코팅하는 경우, 각각의 발광소자(110) 마다 별도로 코팅물질(150)을 공급하여야 하므로 공정의 효율이 떨어지는 문제가 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 다층구조 반도체층 및 그에 구비된 본딩 패드를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 있어서, 본딩 패드 위에 설정된 두께로 구비되며, 하면 및 하면의 면적보다 넓은 상면을 가지는 본딩패드 커버층을 형성하는 단계; 본딩패드 커버층이 형성된 다층구조의 반도체층에 코팅물질층을 도포하는 단계; 코팅물질층을 경화시키는 단계; 및 본딩패드 커버층을 제거하여 본딩 패드를 노출시키는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 발광다이오드의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 2 내지 도 8은 본 개시에 따른 발광다이오드의 코팅 방법의 일 예를 단계별로 설명하는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 2 내지 도 8은 본 개시에 따른 발광다이오드의 코팅 방법의 일 예를 단계별로 설명하는 도면으로서, 복수의 발광다이오드(10)를 소정의 간격만큼 떨어뜨려 위치시키는 단계(도 2 참조.), 본딩 패드(15a,15b) 위에 설정된 두께의 본딩패드 커버층(17a,17b,18a,18b)을 형성하는 단계(도 3 내지 도 5 참조), 본딩패드 커버층(17a,17b,18a,18b) 및 다층구조의 반도체층(11)에 코팅물질층(20)을 도포하는 단계(도 6 참조), 코팅물질층(20)을 선택적을 경화시키고 경화되지 않은 부분을 제거하는 단계(도 7 참조), 본딩패드 커버층(17a,17b,18a,18b)을 제거하여 본딩 패드(15a,15b)를 노출시키는 단계(도 8 참조)를 포함한다.
도 2를 참조하면, 발광다이오드(10)는 전자를 제공하는 n형 반도체층(11c)과, 정공을 제공하는 p형 반도체층(11a)과, n형 반도체층(11c) 및 p형 반도체층(11a) 사이에 개재되며 제공된 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 발생되는 활성층(11b)을 포함하는 다층구조로 구비된다.
다층구조의 반도체층(11)을 구성하는 물질은 3족 질화물 반도체, 2족 산화물 반도체, 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체를 예로 들 수 있다.
다층구조의 반도체층(11)은 기판(13) 위에 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.
기판(13)은 3족 질화물 반도체가 성장되는 경우 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용될 수 있다.
한편, n형 반도체층(11c) 위와, p형 반도체층(11a) 위에는 각각 본딩 패드(15a,15b)가 구비된다.
본딩 패드(15a,15b)는 와이어 본딩을 위한 구성으로 전기 전도성 물질로 구비되며, 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti)을 포함하는 물질로 구비되는 것이 바람직하며, 그 밖에 금(Au), 알루미늄(Al) 등이 더 함유된 물질로 구비될 수 있다.
이에 의해, 본딩 패드(15a,15b)를 통해 빛이 투과되는 것이 방지되므로, 본딩 패드(15a,15b)가 포토 마스크로서 사용될 수 있게 된다.
구체적으로, 포토 마스크의 금속 재료로는 크롬(Cr)이 가장 많이 사용되는데, 그 이유로는 쿼츠(quartz) 나 글래스 등에의 접착력이 좋고 패턴의 정밀도가 높으며, 세정시에 화학 약품에 강한 특성을 보이는 등 전체적으로 수명이 길기 때문이다.
여기서, 다층구조의 반도체층(11)이 성장된 기판(13)을 소위 '에피 웨이퍼(Epi-wafer)'라 하며, 발광다이오드(10)는 발광부 및 전극이 형성된 에피 웨이퍼를 절단하는 공정에 의해 형성된다.
에피 웨이퍼를 절단하는 공정은 레이저 또는 다이아몬드 커팅기를 이용하여 진행된다.
에피 웨이퍼를 절단하는 공정에 의해 분리된 복수 개의 발광다이오드(10)는 고정부재(30)에 부착되어 제각각 움직이는 것이 방지된다.
고정부재(30)는 접착제가 도포된 투광성의 기판이나 연신 가능한 물질(예: 투명테이프)로 구비될 수 있다.
고정부재(30)에 부착된 복수 개의 발광다이오드(10) 사이의 간격은 고정부재(30)를 연신시킴으로써 넓혀질 수 있다.
이와 달리, 분리된 복수 개의 발광다이오드(10)를 성능검사를 통해 성능에 따라 배열시키는 공정이 추가될 수 있는데, 이 과정에서 발광다이오드(10) 사이의 간격이 형성된 상태로 배열될 수 있다.
다음으로, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 먼저 고정부재(30) 위에 소정의 간격만큼 떨어져 배치된 발광다이오드(10)의 본딩 패드(15a,15b) 위에 본딩패드 커버층(17a,17b)을 형성하기 위해 소정의 감광물질(photoresist)(17)을 발광다이오드(10)에 도포하고, 노광과정을 거쳐 본딩 패드(15a,15b) 위에 본딩패드 커버층(17a,17b)을 형성한다.
여기서, 본딩패드 커버층(17a,17b)의 현상과정은 진행하지 않는다.
본딩패드 커버층(17a,17b)은, 후술하는 코팅물질층(20)이 발광다이오드(10) 및 본딩 패드(15a,15b)에 직접 도포되는 경우 본딩 패드(15a,15b)에 대응되는 부분의 코팅물질층(20)을 선택적으로 제거하여 본딩 패드(15a,15b)를 노출시키는 공정이 쉽지 않으므로 이를 해소하기 위한 것이다.
이를 위해, 본딩패드 커버층(17a,17b)은 코팅물질층(20)이 발광다이오드(10)에 도포된 상태에서 본딩패드 커버층(17a,17b)이 효과적으로 제거될 수 있도록 코팅물질층(20)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직하다.
즉, 본딩패드 커버층(17a,17b)과 본딩 패드(15a,15b)의 두께의 합이 코팅물질층(20)의 두께보다 크게 구비되는 것이 바람직하다,
특히, 본딩패드 커버층(17a,17b)과 본딩 패드(15a,15b)의 두께의 합이 코팅물질층(20)의 두께의 1.3배 이상으로 형성되는 경우 보다 확실한 효과를 예상할 수 있다.
한편, 본딩패드 커버층(17a,17b)의 효과적인 제거를 위해, 감광물질(17)은 빛에 노출된 부분이 노광 후 현상과정에서 제거되는 양성 감광물질(positive photoresist)(예: AZ계열의 감광물질)로 구비되는 것이 바람직하다.
양성 감광물질의 경우, 현상 후 남겨진 감광물질의 제거가 용이한 이점을 가지고 있기 때문이다.
또한, 본 개시에 있어서, 본딩 패드(15a,15b)를 포토 마스크로 하여 본딩 패드(15a,15b) 위에 본딩패드 커버층(17a,17b)을 형성하는 것이 가능해지기 때문이다.
구체적으로, 다층구조의 반도체층(11)으로부터 본딩 패드(15a,15b)를 향하는 방향으로 광을 조사함으로써 본딩 패드(15a,15b) 위에 본딩패드 커버층(17a,17b)을 형성하는 것이 가능해진다.
이에 의하면, 상대적으로 크기가 매우 작은 본딩 패드(15a,15b)에 대응되는 포토 마스크의 제작에 소요되는 공수 및 제작의 어려움도 해소될 수 있게 된다.
다음으로, 본딩패드 커버층(17a,17b)을 형성하는 감광물질(17) 위에 또 하나의 감광물질(18)을 도포한다.
감광물질(18)은 본딩패드 커버층(18a,18b)을 형성하기 위함이다.
감광물질(18)은 열경화성 물질 또는 광경화성 물질로 구비될 수 있다.
본딩패드 커버층(18a,18b)은 앞서 설명한 본딩패드 커버층(17a,17b)과 단차지게 형성된다.
구체적으로, 본딩패드 커버층(18a,18b)은 본딩패드 커버층(17a,17b)의 면적보다 큰 크기의 패턴을 가지는 포토 마스크(50)을 이용하여 감광물질(18)을 부분적으로 경화시켜 형성된다.
이때, 본딩패드 커버층(17a,17b)이 패턴 내에 위치되도록 정렬된 상태에서 감광물질(18)을 경화시키는 것이 바람직하다.
한편, 본딩패드 커버층(17a,17b)과 본딩패드 커버층(18a,18b)이 서로 단차지게 형성되도록 하기 위해, 감광물질(18)은 감광물질(17)과 감광도가 서로 다른 물질로 구비되는 것이 바람직하다.
이와 달리, 감광물질(17)과 감광물질(18)을 같은 물질로 하여 단차가 형성된 본딩패드 커버층(17a,17b,18a,18b)이 일체로 형성될 수도 있다.
이를 위한 방법으로는 MCB용액에 soaking하는 방법으로 형성될 수 있다.
구체적으로, 같은 종류의 감광 물질(17, 18)을 도포한 후 소프트 베이크 과정을 거친 다음 일정 패턴을 가지는 (50) 이용하여 감광물질(17, 18)을 노광시킨다.
노광된 기판을 MCB(MonoChloroBenzene) 용액에 일정 시간 soaking하면 감광물질이 접촉한 MCB와 반응하여 일정 두께가 단단하게 경화되어 현상액에 의해 잘 제거되지 않는 상태로 바뀌게 된다.
단단하게 경화되는 두께는 MCB에 soaking하는 시간에 의해 조절될 수 있다.
Soaking이 끝난 기판은 다시 한 번 베이크 과정을 거쳐 잔류한 MCB 성분을 제거한다.
다음으로, 도 5와 같이 경화되지 않은 감광물질(17) 및 감광물질(18)을 제거하여 본딩 패드(15a,15b) 위에 본딩패드 커버층(17a,17b,18a,18b)을 형성한다.
다음으로, 도 6 및 도 7을 참조하면, 본딩 패드(15a,15b) 위에 본딩패드 커버층(17a,17b,18a,18b)이 형성된 발광다이오드(10)에 코팅물질층(20)을 도포한다.
여기서, 코팅물질층(20)은 본딩패드 커버층(17a,17b)보다 낮은 높이로 도포된다.
또한, 본딩패드 커버층(17a,17b)과 단차지게 형성된 본딩패드 커버층(18a,18b)에 의해 본딩패드 커버층(17a,17b)의 상단부와 본딩패드 커버층(18a,18b)의 하면에는 코팅물질층(20)의 코팅이 억제된다.
이에 의해, 추후 본딩 패드(15a,15b)의 노출을 위해 본딩패드 커버층(17a,17b,18a,18b)을 제거하는 공정이 보다 수월해지는 이점을 가지게 된다.
한편, 본 예에서 코팅물질층(20)의 도포 속도가 적절히 조절되는 것이 바람직하다.
코팅물질층(20)을 도포하는 속도가 빠를 경우 도포된 코팅물질층(20)이나 복수 개의 발광다이오드(10) 사이의 간격에 기포가 생길 수 있기 때문이다.
코팅물질층(20)은 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질 또는 열 또는 적외선에 의해 경화되는 열경화성 물질로 구비될 수 있다.
광경화성 물질은 UV epoxy, UV-patternable polymer를 예로 들 수 있으며, 이 밖에 광에 의해 경화 또는 패터닝될 수 있는 수지로 구비될 수 있다.
일반적으로, 열경화성 수지는 열(또는 적외선)에 의해 경화되는 수지로서 안정적인 특성 및 신뢰성을 갖는다. 반면에 광경화성 수지에 비하여 경화 시간이 오래 걸리고, 패터닝이 요구되거나 국부적으로 경화시키고자 할 때에는 사용할 수 없는 단점이 있다.
이에 비해 광경화성 수지는 일반적으로 자외선에 의해 경화되는 수지로서 짧은 시간에 경화가 이루어지므로 공정 시간이 단축되고 국부적 경화가 요구되거나, 패터닝이 요구되는 경우에도 사용될 수 있는 장점이 있다.
코팅물질층(20)에는 활성층(11b)에서 방출되는 빛의 파장을 변화시키는 형광체(23)가 혼입될 수 있다.
이에 의해, 발광다이오드(10)에서 방출되는 빛의 색이 다양하게 연출될 수 있다.
한편, 도포된 코팅물질층(20)의 선택적인 경화를 위해 발광다이오드(10)의 상부에 포토 마스크(40)가 구비된다.
포토 마스크(40)는, 복수 개의 발광다이오드(10)에 대응되는 수로 구획된 윈도우(A), 즉 빛이 투과되는 영역과, 복수 개의 발광다이오드(10) 사이의 간격에 정렬되는 빛이 통과하지 못하는 영역(B)의 마스크 패턴을 가진다.
복수 개의 윈도우(A)는 복수 개의 발광다이오드(10)와 정렬되도록 구비되며, 각 윈도우(A)의 외곽선의 내부에 발광다이오드(10)가 위치된다.
이에 의해, 각 윈도우(A)의 외곽선과 그에 대응되는 발광다이오드(10)의 측면 사이에 소정의 수평 간격(W)이 형성된다.
다음으로, 포토 마스크(40)의 하부로부터 발광다이오드(10)의 상부를 향하는 방향으로 코팅물질층(20)의 경화를 위한 빛이 조사된다.
여기서, 빛은 광경화성 물질의 경우 자외선 영역의 빛이, 열경화성 물질의 경우 적외선 영역의 빛 또는 열이 사용될 수 있다.
본 예에서 발광다이오드(10)의 측면에 코팅물질(20)이 코팅되는 두께는 각 윈도우(A)의 외곽선과 그에 대응되는 발광다이오드(10)의 측면 사이의 수평 간격(W)에 따라 결정된다.
따라서, 윈도우(A)의 외곽선과 발광다이오드(10)의 측면 사이의 수평 간격(W) 조절을 통해 발광다이오드(10)의 측면에 코팅물질(20)이 코팅되는 두께를 최적화시킬 수 있을 것이다.
또한, 본 예에서 발광다이오드(10)의 측면 코팅 두께가 일정하도록 빛은 다층구조 반도체층(11)에 수직한 방향으로 조사되는 것이 바람직하다.
다음으로, 코팅물질층(20)에서 경화되지 않은 부분이 제거된다.
이 과정에서 복수 개의 발광다이오드(10)는 서로 분리된 상태로 코팅되므로, 각각의 발광다이오드(10) 별로 분리를 위한 기계적 공정이 불필요하게 된다.
다음으로, 도 7을 참조하면, 본딩 패드(15a,15b) 위에 형성된 본딩패드 커버층(17a,17b)을 제거하여 본딩 패드(15a,15b)를 노출시킨다.
본딩 패드 커버층(17a,17b) 제거는 감광제 제거용액을 사용함으로써 이루어 진다. 기판을 감광제 제거 용액에 일정 시간 담그거나 스프레이 또는 퍼들 방식 등을 이용한다. 감광제 제거 용액으로는 PR 전용 Remover 또는 아세톤을 사용할 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 본딩패드 커버층은 하면에서 상면 방향으로 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(2) 본딩패드 커버층을 형성하는 단계는, 본딩 패드 위에 구비되며 본딩 패드와 실질적으로 같은 면적을 가지는 제1 본딩패드 커버층을 형성하는 단계; 및 제1 본딩패드 커버층 위에 구비되며 제1 본딩패드 커버층의 면적보다 넓은 면적을 가지며 제1 본딩패드 커버층을 커버하는 제2 본딩패드 커버층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(3) 제1 본딩패드 커버층을 형성하는 단계는, 다층구조의 반도체층 및 본딩 패드에 제1 감광물질(photoresist)을 도포하는 단계; 및 본딩 패드 위해 도포된 제1 감광물질을 선택적으로 경화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(4) 제1 감광물질을 선택적으로 경화시키는 단계는, 다층구조 반도체층에서 본딩 패드를 향하는 방향으로 본딩 패드를 투과하지 못하는 광을 조사하여 본딩 패드에 도포된 제1 감광물질을 선택적으로 경화시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(5) 제2 본딩패드 커버층을 형성하는 단계는, 선택적으로 경화된 제1 감광물질이 도포된 다층구조의 반도체층에 제2 감광물질을 도포하는 단계; 제1 본딩패드 커버층의 면적보다 큰 크기의 패턴을 가지는 마스크를 제1 본딩패드 커버층이 패턴 내에 위치되도록 정렬하여 제2 감광물질을 선택적으로 경화시키는 단계; 및 경화되지 않은 제2 감광물질 및 제1 감광물질을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(6) 제1 본딩패드 커버층은 코팅물질층 위로 노출될 수 있는 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(7) 본딩패드 커버층 및 본딩 패드의 두께의 합은 코팅물질층의 두께의 1.3배 이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(8) 코팅물질층은 열경화성 수지 또는 광경화성 수지로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(9) 코팅물질층은 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
본 개시에 따른 하나의 발광다이오드의 코팅 방법에 의하면, 발광다이오드를 마운트에 고정하거나, 와이어 본딩 공정 전에 코팅 공정이 이루어지므로 코팅 불량으로 인한 비용의 손실을 줄일 수 있는 이점을 가질 수 있다.
또한 본 개시에 따른 다른 발광다이오드의 코팅 방법에 의하면, 코팅물질층이 복수의 발광다이오드에 동시에 도포된 상태에서 광경화 또는 열경화에 의해 코팅이 이루어지므로 코팅 공정에 소요되는 공수를 줄일 수 있다. 따라서, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
본 개시에 따른 또 다른 발광다이오드의 코팅 방법에 의하면, 본딩패드 커버층에 의해 패드 전극을 용이하게 외부로 노출시킬 수 있으며, 패드 전극의 주변에 형성되는 코팅물질층의 질을 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 다층구조 반도체층 및 그에 구비된 본딩 패드를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 있어서,
    본딩 패드 위에 설정된 두께로 구비되며, 하면 및 하면의 면적보다 넓은 상면을 가지는 본딩패드 커버층을 형성하는 단계;
    본딩패드 커버층이 형성된 다층구조의 반도체층에 코팅물질층을 도포하는 단계;
    코팅물질층을 경화시키는 단계; 및
    본딩패드 커버층을 제거하여 본딩 패드를 노출시키는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    본딩패드 커버층은 하면에서 상면 방향으로 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    본딩패드 커버층을 형성하는 단계는,
    본딩 패드 위에 구비되며 본딩 패드와 실질적으로 같은 면적을 가지는 제1 본딩패드 커버층을 형성하는 단계; 및
    제1 본딩패드 커버층 위에 구비되며 제1 본딩패드 커버층의 면적보다 넓은 면적을 가지며 제1 본딩패드 커버층을 커버하는 제2 본딩패드 커버층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    제1 본딩패드 커버층을 형성하는 단계는,
    다층구조의 반도체층 및 본딩 패드에 제1 감광물질(photoresist)을 도포하는 단계; 및
    본딩 패드 위해 도포된 제1 감광물질을 선택적으로 경화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    제1 감광물질을 선택적으로 경화시키는 단계는,
    다층구조 반도체층에서 본딩 패드를 향하는 방향으로 본딩 패드를 투과하지 못하는 광을 조사하여 본딩 패드에 도포된 제1 감광물질을 선택적으로 경화시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  6. 청구항 3에 있어서,
    제2 본딩패드 커버층을 형성하는 단계는,
    선택적으로 경화된 제1 감광물질이 도포된 다층구조의 반도체층에 제2 감광물질을 도포하는 단계;
    제1 본딩패드 커버층의 면적보다 큰 크기의 패턴을 가지는 마스크를 제1 본딩패드 커버층이 패턴 내에 위치되도록 정렬하여 제2 감광물질을 선택적으로 경화시키는 단계; 및
    경화되지 않은 제2 감광물질 및 제1 감광물질을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  7. 청구항 3에 있어서,
    제1 본딩패드 커버층은 코팅물질층 위로 노출될 수 있는 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  8. 청구항 3에 있어서,
    제1 본딩패드 커버층 및 본딩 패드의 두께의 합은 코팅물질층의 두께의 1.3배 이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    코팅물질층은 열경화성 수지 또는 광경화성 수지로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    코팅물질층은 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
  11. 청구항 3에 있어서,
    제1 본딩패드 커버층과 제2 본딩패드 커버층은 단차지게 형성되며,
    본딩패드 커버층 및 본딩 패드의 두께의 합은 코팅물질층의 두께의 1.3배 이상으로 구비되고,
    코팅물질층은 형광체를 포함하며,
    코팅물질층은 열경화성 수지 또는 광경화성 수지로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001135861A (ja) 2000-10-06 2001-05-18 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2004048067A (ja) 2003-10-14 2004-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光部品およびその製造方法
JP2009010109A (ja) 2007-06-27 2009-01-15 Namics Corp 発光ダイオードチップの封止体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135861A (ja) 2000-10-06 2001-05-18 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2004048067A (ja) 2003-10-14 2004-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光部品およびその製造方法
JP2009010109A (ja) 2007-06-27 2009-01-15 Namics Corp 発光ダイオードチップの封止体の製造方法

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