KR101075243B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 162
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 149
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- -1 cleaning Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대한 식각공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한것이다.
일반적인 반도체 제조 공정은 기판상에 세정, 도포, 증착, 현상, 이온주입, 화학적 기계적평탄화, 그리고 식각 등의 처리 공정들을 포함한다. 이러한 처리 공정들 중 식각 공정은 기판에 회로 패턴을 형성하기 위하여 불필요한 부분을 선택적으로 제거하는 공정이다.
통상의 식각공정은 기판에 약액을 공급하여 기판 표면의 불필요한 부분을 선택적으로 제거한 후, 세정액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 약액 및 반응부산물을 세정하고, 세정된 기판에 건조가스를 제공하여 기판을 건조시키는 공정이 순차적으로 진행된다.
일반적으로 식각공정에 사용되는 공정챔버의 벽면에는 약액등이 공급되는 공급통로와, 약액등이 배출되는 배출통로가 고정된 지점에 위치한다. 이 경우, 공급통로를 통해 공급된 약액은 기판 처리에 제공된 후, 배출통로가 형성된 지점을 따 라 일정한 방향으로 이동한다. 약액이 기판의 처리면을 일정한 방향만으로 이동하게 되면, 약액이 이동하는 방향에 대해서만 기판의 처리면에 전단응력이 발생된다. 이는 기판의 균일한 처리를 방해하는 요인이 된다.
본 발명의 목적은 기판의 전체면을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들을 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판처리장치를 제공한다. 기판처리장치는 내부공간을 가지며, 약액이 공급되는 공급통로와 상기 약액이 배출되는 배출통로가 서로 상이한 벽면에 형성된 공정챔버; 상기 공급통로가 형성된 벽면 또는 상기 배출통로가 형성된 벽면을 이동시키는 구동부재; 상기 내부공간에 위치하며, 기판을 지지하는 기판지지부재를 포함한다.
상기 구동부재는 배출통로가 형성된 벽면을 이동시킨다. 구체적으로, 상기 배출통로가 형성된 벽면은 회전이동된다.
상기 공정챔버를 감싸는 케이싱; 상기 케이싱과 연결되며, 상기 케이싱에 일시적으로 머무르는 약액을 배출시키는 약액배출라인을 더 포함한다.
일 실시예에 의하면, 상기 공급통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 측벽 이고, 상기 배출통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 상부벽이다. 상기 공정챔버의 상부벽은 상기 공정챔버의 측벽에 고정되며, 홀이 형성된 고정벽; 상기 홀에 설치되며, 상기 구동부재에 의하여 회전하는 플레이트를 포함하되, 상기 배출통로는 상기 플레이트에 형성된다. 상기 배출통로는 상기 플레이트의 가장자리 영역에 형성된다. 상기 배출통로는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 상기 플레이트의 회전축을 중심으로 링형상으로 배치된다. 상기 구동부재는 상기 공정챔버의 상부에 위치하며, 상기 플레이트와 결합하는 구동축; 및 상기 구동축을 축방향을 중심으로 회전시키는 구동기를 포함한다.
다른 실시예에 의하면, 상기 공급통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 상부벽이고, 상기 배출통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 측벽이며, 상기 구동부재는 상기 공정챔버의 측벽을 회전시킨다. 상기 배출통로는 상기 공정챔버의 측벽에 회전방향을 따라 복수개 형성된다.
또 다른 실시예에 의하면, 상기 공정챔버는 상기 공급통로가 형성된 일측벽 및 상기 일측벽 대향되는 타측벽이 개방된 몸체; 및 개방된 상기 타측벽을 감싸며, 상기 배출통로가 형성된 플레이트를 포함하되, 상기 구동부재는 상기 플레이트를 상기 타측벽을 따라 회전시킨다. 상기 배출통로는 상기 플레이트의 회전방향을 따라 복수개 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치,
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 공정챔버의 어느 하나의 벽면에 형성된 공급통로로 약액을 공급하여 기판을 처리하고, 상기 공급통로가 형성된 벽면과 상이한 벽면에 형성된 배출통로를 통하여 상기 약액을 배 출시키되, 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 약액이 공급되는 위치 또는 상기 약액이 배출되는 위치가 변경된다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판이 처리되는 동안 상기 약액이 배출되는 위치가 이동되며, 상기 약액이 배출되는 위치의 이동은 상기 배출통로가 형성된 벽면의 이동으로 일어난다.
다른 실시예에 의하면, 상기 배출통로는 복수개 형성되며, 상기 약액이 배출되는 위치의 이동은 상기 배출통로과 각각 연결되며, 상기 약액을 배출시키는 약액배출라인들을 기 설정된 순서로 열거나 닫으면서 일어난다.
상기 배출통로로 배출된 상기 약액은 상기 공정챔버를 감싸는 케이싱에 일시적으로 머무르며, 상기 케이싱과 연결되는 약액배출라인을 통해 배출된다.
본 발명에 의하면, 약액의 흐름에 의한 전단응력이 기판의 전체면에 균일하게 발생하므로, 기판 전체면이 균일하게 처리된다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면, 도 1 내지 도 5를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(1)는 공정처리부(100), 약액공급부(200), 그리고 약액회수부(300)를 포함한다.
공정처리부(100)는 기판(W)에 대한 공정처리를 수행하며, 약액공급부(200)는 공정처리부(100)로 기판(W)을 처리하기 위한 약액을 공급한다. 약액회수부(300)는 공정처리부(100)에서 배출된 약액을 외부로 배출시킨다. 이하, 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.
공정처리부(100)는 공정챔버(110), 구동부재(120), 그리고 기판 지지부재(130)를 포함한다.
공정챔버(110)는 기판(W)에 대한 공정처리가 수행되는 내부공간(111)을 갖는다. 구체적으로, 공정챔버(110)는 상부벽(110a), 상부벽(110a)의 하부에 상부벽(110a)과 대향하도록 제공되는 하부벽(110b), 그리고 상부벽(110a)의 외주면 및 하부벽(110b)의 외주면을 따라 제공되는 측벽(110c)을 가진다. 상부벽(110a)과 하부벽(110b)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원판으로 제공된다. 공정챔버(110)의 어느 하나의 벽면에는 약액이 공급되는 공급통로(112)가 형성되며, 공급통로(112)가 형성된 벽면과 상이한 공정챔버(110)의 벽면에는 약액이 배출되는 배출통로(115)가 형성된다. 기판(W)을 처리하는 동안, 공급통로(112)가 형성된 벽면 또는 배출통로(115)가 형성된 벽면은 후술하는 구동부재(120)에 의하여 이동한다. 실시예에 의 하면, 공급통로(112)가 형성된 벽면(110c)은 공급통로(112)가 기 설정된 위치를 유지하도록 고정되며, 배출통로(115)가 형성된 벽면(110a)이 이동한다. 구체적으로, 배출통로(115)가 형성된 상부벽(110a)이 측벽(110c)의 상단을 따라 회전한다. 또는, 공정챔버(110)의 상부벽(110a)의 개방된 부분에 배출통로(115)가 형성된 플레이트(113)가 제공되며, 플레이트(113)가 회전한다.
구동부재(120)는 기판(W) 처리가 진행되는 동안 공급통로(112)가 형성된 벽면(110c)과 배출통로(115)가 형성된 벽면(110a)을 이동시킨다. 일 예에 의하면, 구동부재(120)는 배출통로(115)가 형성된 벽면(110a)을 회전이동시킨다. 약액이 배출되는 동안, 배출통로(115)가 형성된 공정챔버(110)의 벽면(110a)이 움직이므로, 내부공간(111)에서 기판(W)처리에 제공되는 약액의 흐름이 지속적으로 변하게 된다. 약액의 흐름변화는 약액의 이동에 의하여 기판(W) 처리면에 발생하는 전단응력(shear stress)의 크기를 균일하게 한다. 만약, 배출통로(115)가 고정된 위치에 있게 되면, 약액은 배출통로(115)를 향하여 일정한 방향으로만 이동한다. 이는 약액이 이동하는 방향으로 상대적으로 큰 전단응력을 기판(W)의 처리면에 발생시켜, 기판(W)의 처리를 불균일하게 하는 요인이 될 수 있다. 그러나, 본 발명에서는 약액이 배출되는 동안, 배출통로(115)가 지속적으로 움직이므로 약액은 고정된 방향으로 이동하지 않는다. 이처럼 약액이 일정한 방향으로 흐르지 않고, 지속적으로 흐름이 변하므로 기판(W)의 전체면에 전단응력이 균일하게 발생될 수 있다.
실시예에 의하면, 공정챔버(100)의 상부벽은 고정벽(100a)과, 플레이트(113)를 포함한다. 고정벽(100a)은 가장자리부가 측벽(110c)에 고정되며, 홀이 형성된 다. 홀은 고정벽(100a)의 중심영역에 형성된다. 플레이트(113)는 고정벽(100a)의 홀에 설치되며, 플레이트(113)에는 배출통로(115)가 형성된다. 배출통로(115)는 플레이트(114)의 가장자리영역에 서로 이격하여 복수개 형성되며, 플레이트(114)의 회전축을 중심으로 링 형상으로 배치된다. 구동부재(120)는 플레이트(113)를 회전시키는 구동축(121)과 구동축(121)에 회전력을 제공하는 구동기(122)를 포함한다. 구동축(121)은 중공축 형상으로, 공정챔버(100)의 상부에 위치한다. 구동축(121)은 일단이 플레이트(113)와 결합하며, 타단이 구동기(122)와 연결된다. 구동축(121)은 구동기(122)로부터 회전력을 제공받아 축방향을 중심으로 회전하며, 구동축(121)의 회전에 의하여 플레이트(113)가 회전된다. 플레이트(113)의 회전으로 배출되는 약액의 흐름이 배출통로(115)를 따라 지속적으로 변한다. 이로 인하여, 기판(W)의 처리면에 균일한 전단응력이 발생한다.
기판지지부재(130)는 공정챔버(110)의 내부공간에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판지지부재(130)는 지지를레이트(131), 지지핀(132), 그리고 척킹핀(133)을 포함한다.
지지플레이트(131)는 원판 형상으로 제공되며, 상면에는 지지플레이트(131)의 상면으로부터 상부로 제공되어 기판(W)의 하면을 지지하는 복수개의 지지핀(132)들과, 기판(W)의 측부를 지지하는 복수개의 척킹핀(133)들이 설치된다. 지지핀(132)들은 상부가 뾰족한 막대형상으로 지지플레이트(131)의 상면에 일정간격으로 다수 배치된다. 척킹핀(133)들은 상부가 하부에 비해 좁은 막대형상으로, 서로 대향하여 일정간격 다수 배치된다. 척킹핀(133)들은 기판(W)을 고정시키기 위하 여 지지플레이트(131)의 중심방향으로 일정거리 이동이 가능하다.
약액공급부(200)는 공정챔버(110)의 벽면에 형성된 공급통로(112)를 통하여 내부공간(111)으로 약액을 공급한다. 약액공급부(200)는 약액을 저장하는 약액저장부(220) 및 약액저장부(220)에 저장된 약액을 공정챔버(110)로 공급하는 약액공급라인(210)을 포함한다. 약액공급라인(210)은 일단이 약액저장부(220)와 연결되고 타단이 공급통로(112)가 형성된 공정챔버(110)의 측벽(110c)과 연결된다. 약액 공급라인(210)은 공정챔버(110)의 측벽(110c)을 따라 형성된 공급통로(112)들에 대응하여 복수개 제공될 수 있다. 각각의 약액공급라인(210)상에는 공급되는 약액의 유량을 조절할 수 있는 약액조절밸브(230)가 설치된다. 실시예에 의하면, 복수개의 약액공급라인(210)으로 동일한 유체를 제공하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 또는, 시간 순서에 따라 각각의 약액공급라인(210)으로 상이한 유체를 제공할 수 있다. 예컨데, 어느 하나의 약액공급라인(210)으로 플루오르화 수소를 공급하여 기판(W) 표면을 선택적으로 식각한 후, 다른 하나의 약액공급라인(210)으로 세정액을 공급하여 식각된 기판(W)을 세정할 수 있다. 세정액으로 예컨데, 이소프로필 알코올(isopropanol)이 사용될 수 있다. 그리고, 또 다른 하나의 약액공급라인(210)으로 세정된 기판(W)으로 초임계 상태의 이산화탄소(CO2)를 제공하여 기판(W)을 건조시킬 수 있다.
약액회수부(300)는 공정챔버(110)의 배출통로(115)로 배출된 약액을 외부로 배출시킨다. 약액회수부(300)는 케이싱(310) 및 배출라인(320)을 포함한다.
케이싱(310)은 공정챔버(110)의 외측면을 감싸도록 제공되며, 배출통로(115)에서 배출된 약액이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 실시예에 의하면, 케이싱(310)은 내부공간(311)을 갖는 원통 형상으로 제공되며, 케이싱(310)의 내부공간(311)에 공정챔버(110)가 위치한다. 케이싱(310)의 측벽에는 기판(W)이 반입되는 개구(미도시)가 형성된다. 공정챔버(110)의 배출통로(115)에서 배출된 약액은 케이싱(310)의 내측면 및 공정챔버(110)의 외측면에 의해 제공되는 케이싱(310)의 내부공간(311)에 일시적으로 머무른다. 내부공간(311)에 머무르는 약액은 케이싱(310)의 벽면에 형성된 배출홀(312)과 연결된 배출라인(320)을 따라 외부로 배출된다. 실시예에 의하면, 배출홀(312)은 케이싱(310)의 하부벽에 복수개 형성된다. 배출라인(320)은 복수개의 배출홀(312)들과 각각 연결되며, 배출홀(312)을 통해 배출된 약액을 약액저장부(미도시)로 이동시킨다. 약액저장부는 배출되는 약액의 종류에 따라 복수개 제공될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치(1)를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 공정챔버(110)는 기판지지부재(130)가 놓이는 공급통로(112)가 형성된 상부벽(110a), 상부벽(110a)의 하부에 상부벽(110a)과 대향되도록 제공되는 하부벽(110b), 그리고 상부벽(110a)의 외주면과 하부벽(110b)의 외주면을 따라 제공되며, 배출통로(115)가 형성된 측벽(110c)을 가진다. 배출통로(115)는 측벽(110c)의 회전방향을 따라 복수개 형성된다. 구동부재(120)에 의하여, 공급통로(112)가 형성된 상부벽(110a) 또는 배출통로(115)가 형성된 측벽(110c)이 이동 한다. 실시예에 의하면, 배출통로(115)가 형성된 측벽(110c)이 하부벽(110b)의 외주면과 상부벽(110a)의 외주면을 따라 회전이동한다. 배출통로(115)가 형성된 측벽(110c)의 회전으로 내부공간(111)에서 약액의 흐름이 지속적으로 변하며, 이로 인하여 기판(W)의 처리면에 균일한 전단응력이 발생한다.
한편, 약액 공급부(200) 및 약액 회수부(300)는 도 1과 대응되는 구조를 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치(1)를 나타내는 평단면도이다.
도 3을 참조하면, 공정챔버(100)는 몸체(110) 및 몸체(110)의 개방된 측벽(110b)을 감싸는 플레이트(111)를 포함한다. 몸체(110)는 상부벽(미도시), 상부벽의 하부에 상부벽과 대향되도록 제공되는 하부벽(미도시), 상부벽의 외주면과 하부벽의 외주면을 따라 제공되는 측벽(110a, 110b)을 포함한다. 실시예에 의하면, 몸체(110)의 측벽(110a, 110b)은 약액이 공급되는 공급통로(112)가 형성된 일측벽(110a)과 일측벽(112)에 대향되는 타측벽(110b)을 포함한다. 공급통로(112)에는 약액 공급라인(210)이 연결된다. 타측벽(110b)은 일부가 개방되도록 제공된다. 타측벽(110b)은 일측벽(110a)과 동일한 반경으로 일측벽(110a)에서 연장된다. 몸체(110)의 개방된 측벽(110b)에는 몸체(110)의 개방된 부분을 감싸는 플레이트(111)가 제공된다. 플레이트(111)는 구동부재(120)에 의하여 개방된 타측벽(110b)을 따라 기 설정된 각도로 회전한다. 플레이트(110)가 이동하는 타측벽(110b)의 외측면은 일측벽(110a)의 외측면과 상이한 높이를 가지도록 단차진다. 플레이트(111)는 단차진 타측벽(110b)의 외측면을 따라 기설정된 각도로 왕복회전한다. 플레이트(111)에는 배출통로(115)가 플레이트(111)의 회전방향을 따라 복수개 형성된다. 플레이트(111)의 회전에 의하여 배출통로(115)가 이동된다. 약액이 토출되는 동안 배출통로(115)가 기 설정된 각도로 왕복회전하므로, 내부공간(미도시)에서 약액의 흐름이 지속적으로 변한다. 이로 인하여, 기판(W)의 처리면에 균일한 전단응력이 발생된다.
한편, 약액 공급부(200) 및 약액 회수부(300)는 도 1과 대응되는 구조를 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상술한 실시예에서는 기판(W)의 처리면에 제공되는 약액의 흐름을 지속적으로 변화시키기 위하여 공급통로가 형성된 측벽 또는 배출통로가 형성된 측벽을 이동시키는 것으로 기술하였다. 그러나, 기판의 처리면에 제공되는 약액의 흐름을 지속적으로 변화시키기 위한 구성은 이에 한정되지 않는다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판처리장치(1)를 나타내는 평단면도이다.
도 4를 참조하면, 공정챔버(110)는 기판지지부재(130)가 놓이는 상부벽(미도시), 상부벽의 하부에 상부벽과 대향되도록 제공되는 하부벽(미도시), 상부벽의 외주면과 하부벽의 외주면을 따라 제공되는 측벽(110c)을 포함한다. 상부벽에는 약액이 공급되는 공급통로(미도시)가 형성되며, 측벽(100c)에는 약액이 배출되는 배출통로(115)가 측벽을 따라 복수개 형성된다.
약액 회수부(300)는 배출통로로 배출된 약액을 배출시키는 약액배출라 인(310), 배출된 약액을 저장하는 약액저장부(미도시), 각각의 약액배출라인(310)에 설치되며, 약액배출라인(310)을 통해 배출되는 약액의 유량을 조절하는 약액조절밸브(320), 그리고 약액조절밸브(320)들을 조절하는 밸브조절부(330)를 포함한다.
약액배출라인(310)들은 각각의 배출통로(115)마다 제공되며, 배출통로(115)와 약액저장부를 연결한다. 밸브조절부(330)는 각각의 약액배출라인(310)상에 설치되는 약액조절밸브(320)들을 기 설정된 순서로 개폐시킨다. 밸브조절부(330)는 각각의 약액조절밸브(320)들을 순차적으로 개폐시킬 수 있거나, 그룹지정된 약액조절밸브(320)들을 순차적으로 개폐시킬 수 있다. 밸브조절부(330)는 기설정된 순서로 약액조절밸브(320)를 개폐시키므로, 약액이 배출되는 동안 약액이 배출되는 위치가 이동하게 된다. 이로 인하여, 내부공간(미도시)에서 약액의 흐름이 지속적으로 변하여 기판(W)의 처리면에 균일한 전단응력이 발생될 수 있다.
한편, 상기와 같은 효과는 복수개의 공급통로로 약액을 공급하는 약액공급라인상에 설치되는 약액조절밸브들을 기 설정된 순서로 개폐시킴으로써도 달성될 수 있다. 이는 당업자가 상기 기재들로부터 용이하게 도출할 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)를 사용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
기판 처리 방법은 공정챔버의 내부공간으로 기판(W)을 로딩시키는 로딩 단 계, 기판(W)에 대한 공정처리를 수행하는 공정단계, 그리고 공정처리가 완료된 기판(W)을 언로딩시키는 언로딩 단계를 포함한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 케이싱(310)의 측벽 및 공정챔버(110)의 측벽에 형성된 개구(미도시)를 통하여 기판(W)이 공정챔버(110)의 내부공간(111)으로 반입되어 기판지지부재(130)에 로딩된다.
기판지지부재(130)에 기판(W)이 로딩되면, 공급통로(112)와 연결된 약액공급라인을 통하여 공정챔버(110)의 내부공간(111)으로 약액이 공급되어 기판(W)에 대한 공정처리가 수행된다. 기판(W) 처리에 제공된 약액은 공급통로(112)가 형성된 벽면과 상이한 벽면에 형성된 배출통로(115)를 통하여 배출된다. 이때, 기판(W)을 처리하는 동안, 약액이 공급되는 위치 또는 약액이 배출되는 위치가 변경된다. 약액이 공급되는 위치가 변경되거나, 약액이 배출되는 위치가 변경되면, 내부공간(111)에서 약액의 흐름이 지속적으로 변한다. 이는 기판(W)의 처리면에 균일한 전단응력이 발생시켜 기판(W) 처리가 균일하게 일어나도록 한다.
실시예에 의하면, 공급통로(112)가 공정챔버(110)의 측벽(110c)에 형성되고, 배출통로(115)는 공정챔버(110)의 상부벽(110a)에 제공되는 플레이트(113)에 형성된다. 약액이 배출되는 위치의 이동은 배출통로(115)가 형성된 플레이트(113)가 회전이동됨으로써 일어난다. 플레이트(113)의 회전에 의해 배출통로(115)가 회전하여 내부공간(111)에서 약액의 흐름이 배출통로(113)를 따라 지속적으로 변한다.
다른 실시예(도 2 참조)에 의하면, 공급통로(112)는 공정챔버(110)의 상부 벽(110a)에 형성되며, 배출통로(115)는 공정챔버(110)의 측벽(110c)을 따라 복수개 형성된다. 약액이 배출되는 위치의 이동은 측벽(110c)의 회전에 의해 배출통로(115)가 회전이동됨으로써 일어난다. 측벽(110c)의 회전에 의해 내부공간(111)에서 약액의 흐름이 배출통로(115)를 따라 지속적으로 변한다.
또 다른 실시예(도 3 참조)에 의하면, 공급통로(112)는 공정챔버(110)의 일측벽(110a)에 형성되고, 배출통로(115)는 개방된 타측벽(110b)을 감싸는 플레이트(111)에 형성된다. 플레이트(111)는 공급통로(112)가 형성된 일측벽(110a)과 대향되도록 제공된다. 약액이 배출되는 위치의 이동은 플레이트(111)가 개방된 타측벽(110b)을 따라 기 설정된 각도로 반복회전이동함으로써 일어한다. 플레이트(111)의 반복회전이동에 의해 내부공간(111)에서 약액의 흐름이 배출통로(115)를 따라 지속적으로 변한다.
한편, 상술한 기판(W) 처리 방법은 배출통로가 형성된 벽면이 이동되는 것으로 기재하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 공급통로가 형성된 벽면을 이동시킴으로써, 내부공간에서 약액의 흐름이 지속적으로 변화시킬 수 있다.
또한, 내부공간에서 지속적인 약액의 흐름 변화는 공정챔버의 벽면에 형성된 공급통로와 연결되며, 공급통로로 약액을 제공하는 약액공급라인의 개폐에 의해서도 일어날 수 있다. 복수개의 공급통로와 각각 연결되는 약액공급라인들상에 설치된 약액조절밸브를 기 설정된 순서에 따라 순차적으로 열고 닫음으로써, 약액이 공급되는 위치가 이동하게 된다. 이는 내부공간에서 약액의 흐름을 지속적으로 변화시켜, 기판(W)의 처리면에 균일한 전단응력을 발생시킨다.
그리고, (도 4 참조)내부공간에서 약액의 흐름의 지속적인 변화는 약액을 배출하는 약액배출라인(310)을 개폐시킴으로써 발생될 수 있다. 복수개의 배출통로(115)와 각각 연결되는 약액배출라인(310)들상에 설치된 약액조절밸브(320)를 기 설정된 순서에 따라 순차적으로 열고 닫음으로써, 약액이 배출되는 지점이 이동하게 된다. 이는 내부공간에서 약액의 흐름을 지속적으로 변화시켜, 기판(W)의 처리면에 균일한 전단응력을 발생시킨다.
기판(W)에 대한 공정처리가 완료되면, 기판(W)은 이송로봇(미도시)에 의하여 언로딩되며 후속공정을 위하여 공정챔버(110)로부터 반출된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 평단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 평단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
Claims (17)
- 내부공간을 가지며, 약액이 공급되는 공급통로와 상기 약액이 배출되는 배출통로가 서로 상이한 벽면에 형성된 공정챔버;상기 배출통로가 형성된 벽면을 이동시키는 구동부재; 및상기 내부공간에 위치하며, 기판을 지지하는 기판지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 배출통로가 형성된 벽면은 회전이동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정챔버를 감싸는 케이싱;상기 케이싱과 연결되며, 상기 케이싱에 머무르는 약액을 배출시키는 약액배출라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1 항, 제 3 항 그리고 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 공급통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 측벽이고, 상기 배출통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 상부벽인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 공정챔버의 상부벽은상기 공정챔버의 측벽에 고정되며, 홀이 형성된 고정벽;상기 홀에 설치되며, 상기 구동부재에 의하여 회전하는 플레이트를 포함하되,상기 배출통로는 상기 플레이트에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 배출통로는 상기 플레이트의 가장자리 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 배출통로는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 상기 플레이트의 회전축을 중심으로 링형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 구동부재는상기 공정챔버의 상부에 위치하며, 상기 플레이트와 결합하는 구동축; 및상기 구동축을 축방향을 중심으로 회전시키는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1 항, 제 3 항 그리고 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 공급통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 상부벽이고, 상기 배출통로가 형성된 벽면은 상기 공정챔버의 측벽이며,상기 구동부재는 상기 공정챔버의 측벽을 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 배출통로는 상기 공정챔버의 측벽에 회전방향을 따라 복수개 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1 항, 제 3 항 그리고 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 공정챔버는상기 공급통로가 형성된 일측벽 및 상기 일측벽 대향되는 타측벽이 개방된 몸체; 및개방된 상기 타측벽을 감싸며, 상기 배출통로가 형성된 플레이트를 포함하되,상기 구동부재는 상기 플레이트를 상기 타측벽을 따라 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 배출통로는 상기 플레이트의 회전방향을 따라 복수개 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치,
- 삭제
- 공정챔버의 어느 하나의 벽면에 형성된 공급통로로 약액을 공급하여 기판을 처리하고, 상기 공급통로가 형성된 벽면과 상이한 벽면에 형성된 배출통로를 통하여 상기 약액을 배출시키되,상기 기판으로 약액을 공급하는 동안, 상기 약액이 배출되는 위치가 이동되며,상기 약액이 배출되는 위치의 이동은 상기 배출통로가 형성된 벽면의 이동으로 일어나는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 공정챔버의 어느 하나의 벽면에 형성된 공급통로로 약액을 공급하여 기판을 처리하고, 상기 공급통로가 형성된 벽면과 상이한 벽면에 형성된 배출통로를 통하여 상기 약액을 배출시키되,상기 기판으로 약액을 공급하는 동안, 상기 약액이 공급되는 위치 또는 상기 약액이 배출되는 위치가 변경되며,상기 배출통로는 복수개 형성되며,상기 약액이 배출되는 위치의 이동은상기 배출통로과 각각 연결되며, 상기 약액을 배출시키는 약액배출라인들을 기 설정된 순서로 열거나 닫으면서 일어나는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 배출통로로 배출된 상기 약액은 상기 공정챔버를 감싸는 케이싱에 머무르며, 상기 케이싱과 연결되는 약액배출라인을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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