KR101072296B1 - 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 하나의 발열부를 이용하여 2 축 상의 가속도를 측정하기 위한 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치는, 상부에 탄성 박막이 형성된 기판; 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 인가되는 전류에 의해 발열하는 발열부; 상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 온도를 감지하는 두 쌍의 온도 감지부; 및 상기 감지된 온도를 이용하여 가속도를 측정하는 연산 회로를 포함한다.
상기와 같은 본 발명은, 한 개의 발열부를 이용하여 두 축 상의 가속도를 측정함으로써, 소자의 부피를 줄일 수 있고, 열 손실이 적은 소자를 구현할 수 있으며, 정확한 가속도의 방향과 크기를 측정할 수 있는 이점이 있다.
가속도, 열 대류
Description
본 발명은 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 열 대류를 이용한 마이크로 가속도 측정 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호 : 2006-S-006-3, 과제명 : 유비쿼터스 단말용 부품/모듈]
최근 인간을 중심으로 사물에 대한 정보를 얻는 유비쿼터스(ubiquitous) 환경에 대한 관심이 늘어나면서 짧은 시간 동안 정밀하고 다양한 정보를 얻을 수 있는 고성능 센서들의 개발이 요구되고 있다.
이 중에는 사물의 가속도를 측정함으로써 생활의 편리함을 누리게끔 하는 가속도 센서가 있는데, 이러한 가속도 센서는 자동차의 에어백 시스템 등에 널리 사용되고 있다. 최근에는 휴대형 제품의 게임기에 사용되는 등 소형 가속도 센서의 수요가 점점 증가하고 있다.
종래의 가속도 센서는 가속도 검출에 고체 질량체(proof mass)를 이용하여 그 부피가 컸으나, 현재에는 미세 가공 기술(Micro Electro Mechanical System; MEMS)의 발달로 인해 가속도 센서의 초소형화가 가능하게 되었다.
상기와 같은 가속도 센서의 하나로는 가열된 유체의 대류 현상을 이용하여 가속도를 측정하는 열 대류형 마이크로 가속도 센서가 있다. 그러나, 종래 이용되는 열 대류형 마이크로 가속도 센서는, 하나의 센서를 가지고 어느 한 방향으로의 가속도만 측정할 수 있을 뿐이고, 전 방향으로의 가속도를 측정하는 경우, 다 수의 센서를 이용하여야 하기 때문에 그 부피가 커지는 단점이 있다.
따라서, 작은 부피를 가지는 하나의 센서를 이용하여 전 방향의 가속도를 측정하기 위한 장치가 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 하나의 발열부를 이용하여 2 축 상의 가속도를 측정하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 하기의 설명 및 본 발명의 일실시 예에 의하여 파악될 수 있다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치는, 상부에 탄성 박막이 형성된 기판; 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 인가되는 전류에 의해 발열하는 발열부; 상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 온도를 감지하는 두 쌍의 온도 감지부; 및 상기 감지된 온도를 이용하여 가속도를 측정하는 연산 회로를 포함한다.
바람직하게, 상기 온도 감지부는, 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나는 제 1 축 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부 및 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나며 상기 제 1 축에 직교하는 제 2 축 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부를 포함한다.
또한, 이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법은, 기판 상부에 탄성 박막을 형성하는 단계; 상기 탄성 박막의 중심부에 발열부를 형성하는 단계; 및 상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 두 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 온도 감지부를 형성하는 단계는, 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나는 제 1 축 상에 한 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계; 및 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나며 상기 제 1 축에 직교하는 제 2 축 상에 한 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은, 한 개의 발열부를 이용하여 두 축 상의 가속도를 측정함으로써, 소자의 부피를 줄일 수 있고, 열 손실이 적은 소자를 구현할 수 있으며, 정확한 가속도의 방향과 크기를 측정할 수 있는 이점이 있다.
하기에서 본 발명을 설명함에 있어 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1의 (a)은 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 평면도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치는, 하부에 공간이 형성된 기판(100), 상기 기판 상에 형성된 탄성 박막(110), 상기 탄성 박막(110) 상에 형성된 발열부(120), 상기 발열부(120)를 위한 발열부 전극(122), 온도 측정을 위한 온도 감지부(130) 및 가속도의 계산을 위한 연산 회로(미도시)를 포함한다.
본 발명의 일실시 예에 따른 기판(100)은, 실리콘 기판 등을 이용할 수 있으며, 상부에 형성되는 탄성 박막(110)의 하면이 노출되도록 중심부에 공간이 형성되어 있다. 상기 공간은, 기판(100)으로 열 전도도가 매우 큰 실리콘 기판 등을 이용하는 경우 상기 기판(100)으로의 열 확산을 방지하기 위하여 형성된다. 열 전도도가 큰 기판을 이용하는 경우 기판으로의 열 손실이 커지고, 이에 따라 소비 전력이 늘어나게 되므로, 상기와 같이, 기판의 하면에 공간을 형성함으로써 소비 전력을 낮출 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일실시 예에 따른 탄성 박막(110)은, 기판(100) 상부에 형성되며 이후 형성되는 구조물들을 지지한다. 탄성 박막(110)은, 발열부(120)의 발열에 의하여 깨지거나 변성을 일으킬 수 있는데, 이를 위하여 본 발명에서는 압축 응력이 우수한 산화 실리콘 막(SiO2)과 신장 응력이 우수한 질화 실리콘 막(Si3N4)의 복합층 구조를 갖는 탄성 박막(110)을 형성한다. 바람직하게는, 탄성 박막(110)을 하부 산화 실리콘 막(112), 질화 실리콘 막(114) 및 상부 산화 실리콘 막(116)의 적층 구조로 형성한다.
본 발명의 일실시 예에 따른 발열부(120)는, 탄성 박막(110) 상에 형성되며 발열부 전극(122)으로부터 전력을 공급받아 발열을 한다. 상기 발열부(120)의 발열에 의하여 전체 구조물의 상부에서 유체의 온도가 상승하는데, 상기 발열부(120)는 상기 유체의 온도가 모든 방향으로 동일할 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다.
도 1의 (a)를 참조하면 그 일실시 예로써 동심원 모양의 발열부(120)가 형성되어 있음을 알 수 있으며, 상기 발열부(120)의 모양은 도 1의 (a)에 도시된 바와 같은 동심원 모양에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 발열부(120)는 주울열(Jule's heat)에 의한 열이 발생한다. 바람직하게, 상기 발열부(120)는, 폴리 실리콘(poly silicon), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 백금(Pt) 중 어느 하나의 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 티타늄(Ti)과 백금이 적층된 2 층 구조로 상기 발열부(120)를 형성할 수도 있다.
본 발명의 일실시 예에 따른 발열부 전극(122)은, 탄성 박막(110) 상에 형성 되며 외부로부터 인가되는 전력을 발열부(120)로 공급해주는 역할을 한다. 바람직하게, 상기 발열부 전극(122)은, 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 중 어느 하나의 물질을 이용하여 형성한다.
본 발명의 일실시 예에 따른 온도 감지부(130)는, 탄성 박막(110) 상에 형성되며 발열부(120)의 발열에 따라 온도가 상승한 유체의 온도를 감지하고, 감지된 온도를 외부로 출력한다.
좀 더 상세히 설명하면, 온도 감지부(130)는 발열부(120)를 중심으로 서로 대칭되도록 형성되어 온도를 감지하는데, 바람직하게는, 상기 기판(100)에 평행하고 상기 발열부(120)의 중심을 지나는 제 1 축(이하, x 축이라 한다) 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부(132, 134) 및 상기 기판(100)에 평행하고 상기 발열부(120)의 중심을 지나며 상기 x 축에 직교하는 제 2 축(이하, y 축이라 한다) 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부(136, 138)를 포함한다.
상기 x 축 상의 온도 감지부는 + x 축 방향의 온도 감지부(132) 및 - x 축 방향의 온도 감지부(134)를 포함하고, 상기 y 축 상의 온도 감지부는 + y 축 방향의 온도 감지부(136) 및 - y 축 방향의 온도 감지부(138)를 포함한다.
도 1의 (c)는 작용하는 가속도가 없는 경우에 측정된 온도 분포를 보여주는 도면으로, 17mA의 전류를 인가한 경우의 온도 분포를 보여준다. 도 1의 (c)를 참조하면, 발열부(120)에 의하여 상승한 유체의 온도가 x 축 및 y 축에 각각 직교하는 z 축 상에서 서로 대칭적으로 나타남을 알 수 있다.
상기와 같은 온도 분포를 좀 더 정밀하게 측정하기 위하여 본 발명에 따른 온도 감지부(130)는, 바람직하게는 각각이 부채꼴 모양으로 형성되며, 전체적으로 동심원 모양을 이루는 4개의 온도 감지부(132, 134, 136, 138)를 포함한다. 또한, 바람직하게, 상기 발열부 전극(122)은, 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 중 어느 하나의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
상기와 같은 온도 감지부(130)에서 감지된 온도는 연산 회로(미도시)로 출력되며, 상기 연산 회로는 이를 이용하여 가속도의 크기 및 방향을 계산하게 된다. 한편, 상기 연산 회로는 온도 감지부(130)에서 감지된 온도를 이용하여 가속도를 계산할 뿐만 아니라, 온도 감지부(130)의 양단에 걸리는 전압을 측정하고, 이를 이용하여 가속도를 계산할 수도 있는데, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 공정을 보여주기 위한 도면이다. 이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 공정에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판 상에 탄성 박막(110)을 형성한다. 전술한 바와 같이 상기 탄성 박막(110)은 산화 실리콘 막과 질화 실리콘 막의 복합층으로 형성할 수 있으며, 바람직하게는 도면에 도시된 바와 같이 하부 산화 실리콘 막(112), 질화 실리콘 막(114) 및 상부 산화 실리콘 막(116)의 적층 구조를 이루도록 형성한다.
이후, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 탄성 박막(110) 상부의 중앙에 위치하도록 발열부(120)를 형성하고, 발열부(120)에 전력을 공급하기 위한 발열부 전극(122)을 형성한다. 상기 발열부(120)는 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 중 어느 하나의 물질로 형성할 수 있다.
이후, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 온도 감지부(130)를 형성한다. 온도 감지부(130)는 발열부(120)를 중심으로 서로 대칭되도록 형성하는데, 바람직하게는, 상기 기판(100)에 평행하고 상기 발열부(120)의 중심을 지나는 x 축 상에 한 쌍의 온도 감지부(132, 134)를 형성하고, 상기 기판(100)에 평행하고 상기 발열부(120)의 중심을 지나며 상기 x 축에 직교하는 y 축 상에 한 쌍의 온도 감지부(136, 138)를 형성한다.
좀 더 정밀한 온도 분포의 측정을 위하여, 바람직하게는 온도 감지부(130) 각각이 부채꼴 모양을 이루도록 형성하며, 전체적으로는 동심원 모양을 이루도록 형성한다. 상기 온도 감지부(130)는 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 중 어느 하나의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
한편, 상기 발열부(120), 발열부 전극(122) 및 온도 감지부(130)는 설계자의 의도에 따라 동시에 형성할 수도 있고, 그 형성 순서를 달리할 수도 있다.
이후, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 기판(100)으로의 열 손실을 방지하기 위하여 탄성 박막(110)이 노출되도록 기판의 하부를 식각한다.
한편, 도면에 도시하지는 않았지만, 이후의 공정에서 발열부 전극(122) 및 각각의 온도 감지부(132, 134, 136, 138)의 일단 또는 양단을 전력 공급을 위한 외부 회로 또는 가속도의 연산을 위한 연산 회로와 연결하며, 상기 유체의 누출을 억제하기 위하여 상기 단계들로 제조된 전체 구조물 상부에 패키징을 하거나, 전체 구조물을 포함하도록 패키징을 할 수 있다.
이하에서는, 상기와 같은 공정에 의하여 제작된 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 측정 방법에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치를 이용하여 가속도를 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3의 (a)는 + x 축 방향으로 가속도가 작용하고 있음을 보여주는 도면이고, 도 3의 (b)는 이러한 경우 x 축 상에 위치한 온도 감지부(132, 134)에서 측정된 온도를 보여주는 도면이다.
도 3의 (b)에는, 가속도가 작용하지 않을 때의 온도 분포를 나타내는 실선의 그래프(310)와 + x 축 방향으로 가속도가 작용할 때의 온도 분포를 나타내는 점선의 그래프(320)가 나타나 있다.
실선의 그래프(310)를 참조하면, 가속도가 작용하지 않는 경우에는 발열 부(120)를 중심으로 대칭적인 온도 분포가 형성됨을 알 수 있다.
이후, 가속도가 작용하면 발열부(120)의 발열에 의하여 온도가 상승한 유체가 가속도와 중력 가속도가 더해진 벡터의 반대 방향으로 이동하게 되는데, 점선의 그래프(320)가 이러한 온도 분포를 보여준다. 점선의 그래프(320)를 참조하면, 온도 분포가 - x 축 상으로 이동한 비대칭적인 형태로 형성됨을 알 수 있다.
왜냐하면, 가속도가 + x 축 방향으로 작용하게 되면 온도가 상승한 유체가 - x 축 방향으로 이동하게 되고, 이에 따라 - x 축 방향의 온도 감지부(134)의 온도 TX-가 + x 축 방향의 온도 감지부(132)의 온도 TX+보다 커지기 때문이다.
이러한 경우, - x 축 방향의 온도 감지부(134)의 온도 TX-와 + x 축 방향의 온도 감지부(132)의 온도 TX+의 차이는 <수학식 1>과 같이 나타낼 수 있다.
<수학식 1>
ΔT = TX+ - TX-
상기와 같이 계산된 온도의 차를 이용하여 연산 회로는 가속도의 크기 및 방향을 계산하게 된다. 즉, 온도의 차의 크기로 가속도의 크기를 알 수 있으며, 온도의 차가 변하는 것을 이용하여 가속도의 방향을 알 수 있다.
한편, 온도 감지부(130)에 걸리는 전압을 이용하여 가속도의 크기 및 방향을 측정할 수도 있는데, 이에 대하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 온도 감지부(130)는 온도에 따라 저항이 변화하는 물질로 형 성할 수 있는데, 그러한 경우, 가속도가 작용하지 않는다면, x 축 상에 위치하는 한 쌍의 온도 감지부(132, 134)와 y 축 상에 위치하는 한 쌍의 온도 감지부(136, 138)는 각각 동일한 저항을 갖는다.
이때, 만약 + x 축 방향으로 가속도가 작용하면, 전술한 바와 같이, - x 축 방향의 온도 감지부(134)의 온도 TX-가 + x 축 방향의 온도 감지부(132)의 온도 TX+보다 커지게 되고, 따라서, - x 축 방향의 온도 감지부(134)의 저항 RX-이 + x 축 방향의 온도 감지부(132)의 저항 RX+보다 커지게 된다.
상기와 같이, 저항이 변화하는 경우 온도 감지부(130)의 각각의 양단에 걸리는 전압이 달라지는데, 연산 회로는 이러한 전압을 측정하여 가속도를 계산한다.
이때, x 축 상의 온도 감지부(132, 134)의 전압 차 ΔVx는 <수학식 2>와 같이 나타낼 수 있고, y 축 상의 온도 감지부(136, 138)의 전압 차 ΔVy는 <수학식 3>과 같이 나타낼 수 있다.
<수학식 2>
ΔVx = Vx+ - Vx-
<수학식 3>
ΔVy = Vy+ - Vy-
상기와 같이 계산된 전압 차(ΔVx, ΔVy)를 이용하여 연산 회로는 가속도의 크기 및 방향을 측정하게 된다. 즉, 상기와 같은 전압 차의 크기로 작용하는 가속 도의 크기를 측정하며, 전압 차가 바뀌는 것을 이용하여 가속도의 방향을 측정한다.
한편, 상기와 같이 전압 차를 이용하여 가속도를 측정하는 경우, 좀 더 원활한 측정을 위하여 연산 회로는 차동 증폭 회로를 포함할 수 있다. 도 4는 이러한 차동 증폭 회로를 포함하는 연산 회로를 보여주는 도면이다.
이러한 차동 증폭 회로를 이용하여 증폭된 x 축 상의 온도 감지부(132, 134)의 전압 차는 <수학식 4>와 같이 나타낼 수 있고, y 축 상의 온도 감지부(136, 138)의 전압 차는 <수학식 5>와 같이 나타낼 수 있다.
<수학식 4>
ΔVx_out = AdΔVx = Ad(Vx+ - Vx-)
<수학식 5>
ΔVy_out = AdΔVy = Ad(Vy+ - Vy-)
여기서, Ad는 차동 증폭 회로의 증폭비를 나타내고, 상기와 같은 차동 증폭 회로의 출력 값의 크기를 이용하여 가속도의 크기를 측정하며, 출력 값의 차가 바뀌는 것을 이용하여 가속도의 방향을 측정한다. 만약, 작용하는 가속도가 없는 경우에는 전압 차가 같기 때문에 차동 증폭 회로의 출력 전압은 0이 된다.
한편, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였 지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안 될 것이다.
도 1의 (a)은 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 평면도,
도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 단면도,
도 1의 (c)는 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치 상에 작용하는 가속도가 없는 경우에 측정된 온도 분포를 보여주는 도면,
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 공정을 보여주기 위한 도면,
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치를 이용하여 가속도를 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면,
도 4는 차동 증폭 회로를 포함하는 연산 회로를 보여주는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판
110 : 탄성 박막
120 : 발열부
122 : 발열부 전극
132, 134, 136, 138 : 온도 감지부
Claims (13)
- 기판;상기 기판의 상부에 형성되며, 산화 실리콘 막(SiO2) 및 질화 실리콘 막(Si3N4)의 복합층 구조를 갖는 탄성 박막;상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 인가되는 전류에 의해 발열하는 발열부;상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 형성되며 온도를 감지하는 두 쌍의 온도 감지부; 및상기 감지된 온도를 이용하여 가속도를 측정하는 연산 회로를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 온도 감지부는,상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나는 제 1 축 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부 및 상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나며 상기 제 1 축에 직교하는 제 2 축 상에 형성되는 한 쌍의 온도 감지부를 포함하는열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 온도 감지부는,온도에 따라 저항이 변하는 물질로 이루어진열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판으로의 열 확산을 방지하기 위하여 상기 탄성 박막의 하면이 노출되도록 상기 기판의 중심부에 형성되는 공간을 더 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부는,폴리 실리콘(poly silicon), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 백금(Pt) 중 어느 하나의 물질로 이루어진열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 연산 회로는,상기 온도 감지부의 저항 변화에 따른 출력 전압의 차이 값을 이용하여 상기 가속도의 크기 및 방향을 계산하는열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 연산 회로는,상기 출력 전압의 차이 값을 증폭하는 차동 증폭 회로를 포함하는열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치.
- 기판 상부에 하부 산화 실리콘 막(SiO2), 질화 실리콘 막(Si3N4) 및 상부 산화 실리콘 막(SiO2)을 순차적으로 적층하여 탄성 박막을 형성하는 단계;상기 탄성 박막의 중심부에 발열부를 형성하는 단계; 및상기 발열부를 중심으로 서로 대칭되도록 상기 탄성 박막의 상부에 두 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계를 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 온도 감지부를 형성하는 단계는,상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나는 제 1 축 상에 한 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계; 및상기 기판에 평행하고 상기 발열부의 중심을 지나며 상기 제 1 축에 직교하는 제 2 축 상에 한 쌍의 온도 감지부를 형성하는 단계를 포함하는열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 탄성 박막이 노출되도록 상기 기판의 하부를 식각하는 단계를 더 포함하는 열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제 9 항에 있어서, 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 형성하는 단계는,폴리 실리콘(poly silicon), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 백금(Pt) 중 어느 하나의 물질로 상기 발열부 및 상기 온도 감지부를 형성하는 단계를 포함하는열 대류형 마이크로 가속도 측정 장치의 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
| US5581034A (en) * | 1995-01-13 | 1996-12-03 | Remec, Inc. | Convective accelerometer and inclinometer |
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