KR101072293B1 - Heat-radiant layer coated semiconductor - Google Patents
Heat-radiant layer coated semiconductor Download PDFInfo
- Publication number
- KR101072293B1 KR101072293B1 KR1020110043302A KR20110043302A KR101072293B1 KR 101072293 B1 KR101072293 B1 KR 101072293B1 KR 1020110043302 A KR1020110043302 A KR 1020110043302A KR 20110043302 A KR20110043302 A KR 20110043302A KR 101072293 B1 KR101072293 B1 KR 101072293B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- binder
- semiconductor component
- oxide
- heat dissipation
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
본 발명은 반도체 부품의 표면에 방사율이 높은 고방사율 재료를 코팅하여 대류와 함께 복사에 의하여 반도체 부품에서의 효율적인 방열을 도모하기 위한 방열 코팅제가 코팅된 반도체 부품에 관한 것으로, 반도체 부품 표면에 적외선 방사체 분말과 바인더로 이루어진 방열 코팅제가 코팅되어 방열 코팅층이 형성되되, 상기 적외선 방사체 분말은 옥, 세르사이트, 코디에라이트, 게르마늄, 산화철, 운모, 이산화망간, 실리콘카바이드, 맥섬석, 카본, 산화구리, 산화코발트, 산화니켈, 오산화안티몬, 산화주석, 산화크롬, 질화붕소, 질화알루미늄 및 질화규소 중 어느 하나 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물이고, 상기 바인더는, 실란 바인더, 유기 바인더, 실리콘 화합물 바인더, 무기바인더, 유무기하이브리드 바인더, 글래스 프릿(glass frit) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방열 코팅층이 형성된 반도체 부품을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 반도체 부품 표면에 고방사율의 방열 코팅층을 형성하여 반도체 부품 표면의 방사율을 높여 기존의 반도체 부품 표면에서의 대류와 함께 복사에 의해서도 열이 잘 방출되도록 하는 이점이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor component coated with a heat radiation coating agent for coating a high emissivity material having a high emissivity on a surface of a semiconductor component for efficient heat dissipation in the semiconductor component by radiation and convection. A heat-dissipating coating layer consisting of a powder and a binder is coated to form a heat-dissipating coating layer, wherein the infrared emitter powder is jade, cerite, cordierite, germanium, iron oxide, mica, manganese dioxide, silicon carbide, macsumite, carbon, copper oxide, and cobalt oxide. , Nickel oxide, antimony pentoxide, tin oxide, chromium oxide, boron nitride, aluminum nitride and silicon nitride, or any mixture of two or more thereof, and the binder is a silane binder, an organic binder, a silicon compound binder, an inorganic binder, or not. Either geometric hybrid binder or glass frit And the semiconductor component is formed of a heat coating layer, characterized in that the technical gist. As a result, a high emissivity heat dissipation coating layer is formed on the surface of the semiconductor component, thereby increasing the emissivity of the surface of the semiconductor component, thereby allowing heat to be well released by radiation along with convection on the existing semiconductor component surface.
Description
본 발명은 반도체 부품의 표면에 방사율이 높은 고방사율 재료를 코팅하여 대류와 함께 복사에 의하여 반도체 부품에서의 효율적인 방열을 도모하기 위한 방열 코팅층이 형성된 반도체 부품에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor component having a heat dissipation coating layer for coating a high emissivity material having a high emissivity on a surface of the semiconductor component for efficient heat dissipation in the semiconductor component by radiation and convection.
일반적으로 전자제품 내에는 다수의 전자소자가 장착되어 있으며, 이들 전자소자는 전자제품의 성능을 결정하는 중요한 역할을 수행한다. 전자소자는 대부분 전류를 통과시키는 도체로 이루어지는 것이 대부분이나, 최근에는 도체와 부도체의 중간정도의 저항을 갖는 반도체가 많이 사용되고 있으며, 다수의 소자가 집적된 반도체 칩의 형태로 제공되고 있다. 본 발명에서의 반도체 부품이라 함은 이러한 반도체 칩 또는 다양한 기능을 가지는 반도체 칩이 케이스에 복수개 실장되어 모듈로 제공되는 것 등을 포함한다.In general, a plurality of electronic devices are mounted in electronic products, and these electronic devices play an important role in determining the performance of electronic products. In most cases, electronic devices are made of a conductor through which a current passes. However, in recent years, many semiconductors having intermediate resistances between conductors and non-conductors are used, and a plurality of devices are provided in the form of integrated semiconductor chips. In the present invention, the semiconductor component includes a plurality of such semiconductor chips or semiconductor chips having various functions provided in a case and provided as a module.
이러한 반도체 부품에서 전류가 흐르게 되면 저항에 의해서 열이 발생하게 된다. 열이 많이 발생될 경우 반도체 부품의 특성이 불안정하게 되고 고장이 발생하며 수명이 짧아지게 된다.When current flows in such a semiconductor component, heat is generated by resistance. If a lot of heat is generated, the characteristics of the semiconductor parts become unstable, failures occur, and the life span is shortened.
이러한 현상을 개선하기 위하여 열이 많이 발생되는 반도체 부품에 방열판 및 히터파이프를 부착하여 냉각시키거나 팬에 의한 강제 공랭식 냉각방식을 사용하고 있다. 새로이 반도체 부품 자체 또는 부품 주변의 방열 구조를 변경하거나 부가하여 반도체 부품의 냉각이 이루어지도록 하는 방법도 사용하고 있지만, 이는 비경제적이며 장치의 규모가 커지게 되고, 기존의 반도체 부품의 방열 구조를 변경하여야 하는 등 생산성이나 실용화 등의 문제가 있게 된다.In order to improve such a phenomenon, a heat sink and a heater pipe are attached to the semiconductor component which generates a lot of heat, and a cooling or forced air cooling by a fan is used. In addition, a new method of changing or adding a heat dissipation structure around the semiconductor part itself or around the part is used, but this method is uneconomical and the size of the device is increased, and the heat dissipation structure of the existing semiconductor part is changed. There are problems such as productivity and practical use.
한편, 반도체 부품의 방열을 위한 종래기술로는 대한민국특허청 등록특허공보 10-1017338호 "반도체 패키지의 실장 장치", 대한민국특허청 공개특허공보 10-2010-0028606호 "반도체 장치", 대한민국특허청 등록특허공보 10-0998213호 "PCB 냉각장치", 대한민국특허청 공개특허공보 10-2010-0114076호 "반도체 소자 모듈 및 그 제조방법" 등이 있다.On the other hand, the prior art for heat dissipation of semiconductor components include the Republic of Korea Patent Office Publication No. 10-1017338 "Mounting Device of Semiconductor Package", Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0028606 "Semiconductor Device", Republic of Korea Patent Office 10-0998213 "PCB cooling apparatus", Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0114076 "semiconductor device module and its manufacturing method" and the like.
상기 "반도체 패키지의 실장 장치" 기술은 전력용 반도체의 발열면을 시스템 케이스와 독립적으로 함으로써, 독립된 방열 시스템을 설계하여 고주파에서의 전기적 특성을 손상시키지 않고, 방열 특성이 우수한 실장 장치를 갖는 시스템을 용이하게 설계할 수 있도록 한 것이다. 그리고, 상기 "반도체 장치" 기술은 복수의 반도체칩이 봉입된 반도체 장치의 방열성의 향상을 도모하기 위한 것으로, 입력측 판형상 리드부상에 MOSFET 칩이 배치되고, 판형상 리드부가 노출되어 있는 구조를 형성함으로써, 반도체 장치의 방열성을 높인 것이다. 그리고, 상기 "PCB 냉각장치" 기술은 형상기억합금으로 이루어지는 방열판이 PCB에 배치된 반도체 소자들과 직접 접촉되거나 접촉이 해제되도록 함으로써 PCB에서 발생되는 열을 효과적으로 방열시킬 수 있도록 하는 것이다. 그리고, 상기 "반도체 소자 모듈 및 그 제조방법" 기술은 반도체 소자의 표면에 전극면을 형성하는 동시에, 고열전도성의 세라믹 기판측에도 대응하는 배선면을 형성하여, 상온 접합법을 사용하여, 서로 접합하므로, 전기적 접속이 확실한 고방열성을 갖는 구조의 반도체 소자 모듈을 제공하는 것이다.The " semiconductor package mounting device " technology designes a heat dissipation surface of a power semiconductor independent of a system case, thereby designing an independent heat dissipation system without damaging the electrical characteristics at a high frequency and providing a system having excellent heat dissipation characteristics. It is designed to be easy to design. The "semiconductor device" technique is intended to improve the heat dissipation of a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are enclosed, and forms a structure in which a MOSFET chip is disposed on an input side plate-shaped lead portion and the plate-shaped lead portion is exposed. This improves the heat dissipation of the semiconductor device. In addition, the "PCB cooler" technology is to allow the heat sink made of the shape memory alloy to be in direct contact with or released from the semiconductor elements disposed on the PCB to effectively dissipate heat generated from the PCB. In addition, the "semiconductor element module and its manufacturing method" technique forms an electrode surface on the surface of the semiconductor element, and also forms a wiring surface corresponding to the ceramic substrate side of high thermal conductivity, and joins each other using a normal temperature bonding method, It is to provide a semiconductor device module having a structure having high heat dissipation that is sure of electrical connection.
상기의 종래기술들은 기존의 반도체 부품 주변의 방열 구조를 변경하거나, 반도체 부품 자체의 배치 및 구성을 변경하거나, 반도체 부품에 별도의 구성요소를 부가하여 방열이 이루어지도록 하는 것이다. 이는 앞서 언급한 바와 같이 설계 단계에서부터 비용이 많이 소요되고, 반도체 부품의 배치 설계가 특정 구조로 제한적이게 되어 다양한 분야에 이용하지 못할 뿐만 아니라, 장치의 규모가 커지게 되며, 기존의 반도체 부품 또는 그의 방열 구조를 변경하여야 하는 등 생산성이나 실용화 등의 문제가 있게 된다. 또한, 상기 종래기술들은 각각 그에 해당하는 특정 반도체 부품 구조에만 국한되어 적용할 수 있어 비실용적이다.The prior art is to change the heat dissipation structure around the conventional semiconductor component, to change the arrangement and configuration of the semiconductor component itself, or to add a separate component to the semiconductor component to the heat dissipation. As mentioned above, this is expensive from the design stage, and the layout design of semiconductor components is limited to a specific structure, which makes it impossible to use them in various fields, and the size of the device becomes large, and the existing semiconductor components or their There are problems such as productivity and practical use such as the need to change the heat dissipation structure. In addition, the above conventional techniques are impractical because they can be applied only to a specific semiconductor component structure corresponding thereto.
즉, 기존의 냉각 방법으로는 반도체 부품의 컴팩트화, 대용량화, 고출력화의 경우 여전히 방열의 문제가 발생되고 있으며, 특히 최근의 고출력을 요하는 전력용 반도체나, LED 등이 사용되는 광반도체 소자 등에 적용시 더욱 문제가 되고 있어, 그 연구가 더욱 필요한 실정이다.In other words, the existing cooling method is still a problem of heat dissipation in the case of compact, large-capacity, high output of the semiconductor components, especially power semiconductors that require the latest high output, optical semiconductor devices such as LEDs, etc. As it becomes more problematic in application, it is necessary to study more.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기존의 반도체 부품을 그대로 이용하면서, 반도체 부품의 표면에 방사율이 높은 고방사율 재료를 코팅하여 기존의 대류와 함께 복사에 의한 반도체 부품 표면에서의 효율적인 방열을 도모하기 위한 방열 코팅층이 형성된 반도체 부품의 제공을 그 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems, while using a conventional semiconductor component as it is, by coating a high emissivity material with a high emissivity on the surface of the semiconductor component to provide efficient heat dissipation on the surface of the semiconductor component by radiation with conventional convection It is an object of the present invention to provide a semiconductor component having a heat dissipation coating layer formed therein.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 부품 표면에 적외선 방사체 분말과 바인더로 이루어진 방열 코팅제가 코팅되어 방열 코팅층이 형성되되, 상기 적외선 방사체 분말은 옥, 세르사이트, 코디에라이트, 게르마늄, 산화철, 운모, 이산화망간, 실리콘카바이드, 맥섬석, 카본, 산화구리, 산화코발트, 산화니켈, 오산화안티몬, 산화주석, 산화크롬, 질화붕소, 질화알루미늄 및 질화규소 중 어느 하나 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물이고, 상기 바인더는, 실란 바인더, 유기 바인더, 실리콘 화합물 바인더, 무기바인더, 유무기하이브리드 바인더, 글래스 프릿(glass frit) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방열 코팅층이 형성된 반도체 부품을 기술적 요지로 한다.In order to achieve the above object, the present invention, the heat dissipation coating layer consisting of an infrared emitter powder and a binder is coated on the surface of the semiconductor component to form a heat dissipation coating layer, the infrared emitter powder is jade, cerite, cordierite, germanium, iron oxide, Mica, manganese dioxide, silicon carbide, macsumite, carbon, copper oxide, cobalt oxide, nickel oxide, antimony pentoxide, tin oxide, chromium oxide, boron nitride, aluminum nitride and silicon nitride, or a mixture of two or more thereof, and the binder The technical gist of the present invention is a semiconductor component having a heat dissipation coating layer, which is any one of a silane binder, an organic binder, a silicon compound binder, an inorganic binder, an organic / inorganic hybrid binder, and a glass frit.
여기에서, 상기 실란 바인더는, 4개의 알콕시기를 가지는 실란을 포함하되, 상기 4개의 알콕시기를 가지는 실란은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-i-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란으로 이루어진 군 중 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.Here, the silane binder includes a silane having four alkoxy groups, wherein the silane having four alkoxy groups is tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxy It is preferable to include one or more of the group consisting of silane and tetra-n-butoxysilane.
또한, 상기 실란 바인더는, 기능성 유기 알콕시 실란으로써 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알킬기, 비닐기, 아민기 및 에폭시 작용기 중 하나 이상을 지니는 실란을 포함하되, 기능성 알콕시 실란이 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, i-프로필트리메톡시실란, i-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-펜틸트리메톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, n-헵틸트리메톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-히드록시에틸트리메톡시실란, 2-히드록시에틸트리에톡시실란, 2-히드록시프로필트리메톡시실란, 2-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-히드록시프로필트리메톡시실란, 3-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 트리알콕시실란류와 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-n-프로필디에톡시실란, 디-i-프로필디메톡시실란, 디-i-프로필디에톡시실란, 디-n-부틸디메톡시실란, 디-n-부틸디에톡시실란, 디-n-펜틸디메톡시실란, 디-n-펜틸디에톡시실란, 디-n-헥실디메톡시실란, 디-n-헵틸디메톡시실란, 디-n-헵틸디에톡시실란, 디-n-옥틸디메톡시실란, 디-n-옥틸디에톡시실란, 디-n-시클로헥실디메톡시실란, 디-n-시클로헥실디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 디알콕시실란류로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 1종인 것이 바람직하다.In addition, the silane binder includes a silane having at least one of an acrylic group, a methacryl group, an allyl group, an alkyl group, a vinyl group, an amine group and an epoxy functional group as a functional organic alkoxy silane, and the functional alkoxy silane is methyltrimethoxy Silane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxy Silane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-heptyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloro Propyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluoro Propyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2 -Hydroxyethyltriethoxysilane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane, 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltriethoxysilane, 3 -Mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3- Glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxy Propyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltriethoxysilane, 3-ureidodorf Trialkoxysilanes consisting of philtrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane and mixtures thereof, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, di- n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-i-propyldimethoxysilane, di-i-propyldiethoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxy Silane, di-n-pentyldimethoxysilane, di-n-pentyldiethoxysilane, di-n-hexyldimethoxysilane, di-n-heptyldimethoxysilane, di-n-heptyldiethoxysilane, di-n -Octyldimethoxysilane, di-n-octyldiethoxysilane, di-n-cyclohexyldimethoxysilane, di-n-cyclohexyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane and mixtures thereof It is preferable that it is 1 type chosen from the group which consists of the dialkoxysilanes which consist of these, and mixtures thereof.
또한, 상기 유기 바인더는, 탄소사슬의 양 말단 또는 사슬의 측쇄에 열중합이 가능한 비닐기, 아크릴기, 에스테르기, 우레탄기, 에폭시기, 아미노기, 이미드기 및 열경화가 가능한 유기 관능기를 적어도 1관능기 이상을 함유하는 유기고분자, 그리고 광중합이 가능한 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 메타아크릴레이트기 및 광경화가 가능한 유기 관능기를 적어도 1관능기 이상을 함유하는 유기고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것이 바람직하며, 또한, 상기 유기고분자는 탄화수소기의 일부 수소가 불소로 치환된 것을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the organic binder is at least one functional group of a vinyl group, an acrylic group, an ester group, a urethane group, an epoxy group, an amino group, an imide group, and a thermosetting organic functional group capable of thermal polymerization at both ends of the carbon chain or the side chain of the chain. It is preferably one selected from the group consisting of organic polymers containing at least one functional group and an organic polymer containing the above, and a vinyl group, an allyl group, an acryl group, a methacrylate group and a photocurable organic functional group capable of photopolymerization. In addition, the organic polymer preferably contains a part of hydrogen of the hydrocarbon group is substituted with fluorine.
또한, 상기 실리콘 화합물 바인더는, 실록산(-Si-O-)을 기본으로 하면서, 실리콘 원자의 4개 결합부위 중 어느 하나에 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 탄화수소기를 가지는 물질이며, 상기 탄화수소기는 알킬기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알콕시기, 방향족기, 아미노기, 에테르기, 에스테르기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상을 가지거나, 상기 탄화수소기의 일부 수소가 불소로 치환된 것을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the silicone compound binder is a substance having a linear, branched or cyclic hydrocarbon group at any one of the four bonding sites of silicon atoms, based on siloxane (-Si-O-), wherein the hydrocarbon group is an alkyl group, Ketone group, acrylic group, methacryl group, allyl group, alkoxy group, aromatic group, amino group, ether group, ester group, nitro group, hydroxy group, cyclobutene group, carboxyl group, alkyd group, urethane group, vinyl group, nitrile It is preferable to have group, hydrogen, or epoxy functional group which is independent or has 2 or more types, or in which some hydrogen of the said hydrocarbon group was substituted by fluorine.
또한, 상기 무기바인더는, 수 분산된 콜로이드 실리카에 Li+, Na+, K+, Mg2+, Pb2+, Ca2+ 중 하나 이상의 이온을 포함하는 물질을 첨가하여 형성된 것이 바람직하며, 또한, 상기 Li+, Na+, K+, Mg2+, Pb2+, Ca2+ 중 하나 이상의 이온을 포함하는 물질은 수산화물인 LiOH, NaOH, KOH, Mg(OH)2, Pb(OH)2, Ca(OH)2인 것이 바람직하다.In addition, the inorganic binder is preferably formed by adding a substance containing at least one ion of Li + , Na + , K + , Mg 2+ , Pb 2+ , Ca 2+ to the water dispersed colloidal silica, , The material containing at least one ion of Li + , Na + , K + , Mg 2+ , Pb 2+ , Ca 2+ is a hydroxide LiOH, NaOH, KOH, Mg (OH) 2 , Pb (OH) 2 , Ca (OH) 2 is preferred.
또한, 상기 유무기하이브리드 바인더는, 콜로이드 무기입자 100중량부에 대해 실란 0.1~150중량부 또는 유기수지 0.1~150중량부를 혼합하여 형성되는 것이 바람직하며, 또한, 상기 콜로이드 무기입자는, 실리카, 알루미나, 산화마그네슘, 티타니아, 지르코니아, 산화주석, 산화아연, 바륨타이타네이트, 지르코늄타이타네이트 및 스트론튬타이타네이트 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the organic-inorganic hybrid binder is preferably formed by mixing 0.1 to 150 parts by weight of silane or 0.1 to 150 parts by weight of organic resin with respect to 100 parts by weight of colloidal inorganic particles, and the colloidal inorganic particles may be formed of silica or alumina. Preference is given to using any one or a mixture of magnesium oxide, titania, zirconia, tin oxide, zinc oxide, barium titanate, zirconium titanate and strontium titanate.
또한, 상기 반도체 부품 표면과 방열 코팅층 사이에는 프라이머 처리가 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 프라이머 처리는, 실란, 유기수지, 실리콘 화합물, 무기바인더, 유무기하이브리드 바인더, 글래스 프릿(glass frit) 중 어느 하나를 사용하여 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, a primer treatment is preferably performed between the surface of the semiconductor component and the heat dissipation coating layer. The primer treatment may include any one of a silane, an organic resin, a silicon compound, an inorganic binder, an organic / inorganic hybrid binder, and glass frit. It is preferable to use.
또한, 상기 방열 코팅층 표면에는 보호층이 더 형성되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a protective layer is further formed on the surface of the heat dissipation coating layer.
또한, 보호층은, 실란, 유기수지, 실리콘 화합물, 무기바인더, 유무기하이브리드 바인더, 글래스 프릿(glass frit) 중 어느 하나의 재료로 이루어진 것이 바람직하다.In addition, the protective layer is preferably made of any one of a silane, an organic resin, a silicone compound, an inorganic binder, an organic / inorganic hybrid binder, and glass frit.
상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은, 기존의 반도체 부품 구조를 그대로 이용하면서, 반도체 부품 표면에 고방사율의 방열 코팅제를 코팅하여 반도체 부품 표면의 방사율을 높여 기존의 반도체 부품 표면에서의 대류와 함께 복사에 의해서도 열이 잘 방출되도록 하여 방출 효율을 높이고, 다양한 형태의 모든 반도체 부품에 적용할 수 있어 그 활용도 및 경제적인 효과가 우수하며, 이에 따라 반도체 부품의 컴팩트화도 가능한 효과가 있다.According to the above problem solving means, the present invention, while using the existing semiconductor component structure as it is, by coating a high emissivity heat-dissipating coating on the surface of the semiconductor component to increase the emissivity of the semiconductor component surface and radiates with convection on the existing semiconductor component surface The heat dissipation can be well discharged to increase the emission efficiency, and can be applied to all kinds of semiconductor components in various forms, so that the utilization and economic effects are excellent. Accordingly, the semiconductor components can be made compact.
도 1 - 본 발명의 실시예에 따른 형광등용 안정기에서 방열판에 방열코팅층이 형성되지 않은 고전압 및 저전압 측 반도체의 방열판의 표면과 방열판에 방열코팅층이 형성된 고전압 및 저전압 측 반도체의 방열판의 표면의 온도 측정 결과를 나타낸 도.1-Measurement of the temperature of the surface of the heat sink of the high voltage and low voltage side semiconductor having the heat dissipation coating layer is not formed on the heat sink and the surface of the heat sink of the high voltage and low voltage side semiconductor in which the heat dissipation coating layer is formed on the heat sink in the ballast for a fluorescent lamp according to an embodiment of the present invention Figure showing the results.
본 발명은 반도체 부품의 표면에 방사율이 높은 고방사율의 방열 코팅제를 코팅하여 방열 코팅층을 형성함으로써 열의 복사 현상에 의하여 열이 반도체 부품 표면으로부터 잘 방출되도록 하는 것이다. 여기서, 상기 반도체 부품의 표면에 방열 코팅제를 코팅할 수도 있으나, 따로이 반도체 부품 외부에 방열 구조를 가지는 방열판, 방열핀, 또한 반도체 부품과 접하는 케이스 등에 방열 코팅제를 코팅할 수도 있어 반도체 부품 표면 또는 반도체 부품의 방열 구조의 표면에 방열 코팅층이 형성된 구조를 포함하는 개념이며, 이는 당업자에게는 자명한 정도일 것이다. The present invention is to form a heat radiation coating layer by coating a high emissivity heat radiation coating agent on the surface of the semiconductor component to form a heat radiation coating layer so that heat is well released from the surface of the semiconductor component. Here, the heat dissipation coating agent may be coated on the surface of the semiconductor component, but the heat dissipation coating having a heat dissipation structure, a heat dissipation fin, or a case in contact with the semiconductor component may be coated on the outside of the semiconductor component. The concept includes a structure in which a heat dissipation coating layer is formed on a surface of the heat dissipation structure, which will be apparent to those skilled in the art.
상기 방열 코팅제는 적외선 방사체 분말과 바인더로 이루어져 반도체 부품 표면에 코팅되어 방열 코팅층을 형성하는 것으로서, 상기 적외선 방사체 분말은, 옥, 세르사이트, 코디에라이트, 게르마늄, 산화철, 운모, 이산화망간, 실리콘카바이드, 맥섬석, 카본, 산화구리, 산화코발트, 산화니켈, 오산화안티몬, 산화주석, 산화크롬, 질화붕소, 질화알루미늄 및 질화규소 중 어느 하나 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용한다. 그리고, 상기 바인더로는, 실란 바인더, 유기 바인더, 실리콘 화합물 바인더, 무기바인더, 유무기하이브리드 바인더, 글래스 프릿(glass frit) 중 어느 하나를 사용한다.The heat dissipation coating agent is composed of an infrared emitter powder and a binder to be coated on the surface of the semiconductor component to form a heat dissipation coating layer, the infrared emitter powder, jade, cerite, cordierite, germanium, iron oxide, mica, manganese dioxide, silicon carbide, Any one or mixtures of at least one of gansumite, carbon, copper oxide, cobalt oxide, nickel oxide, antimony pentoxide, tin oxide, chromium oxide, boron nitride, aluminum nitride and silicon nitride are used. As the binder, any one of a silane binder, an organic binder, a silicon compound binder, an inorganic binder, an organic / inorganic hybrid binder, and glass frit is used.
또한, 상기 반도체 부품 표면과 상기 방열 코팅층 사이에는 프라이머 처리가 이루어지도록 하여 방열 코팅층의 접착력을 향상시킨다. 상기 프라이머로서는, 실란, 유기수지, 실리콘 화합물, 무기바인더, 유무기하이브리드 바인더, 글래스 프릿(glass frit)을 사용한다.In addition, a primer treatment is performed between the surface of the semiconductor component and the heat dissipation coating layer, thereby improving adhesion of the heat dissipation coating layer. As the primer, a silane, an organic resin, a silicone compound, an inorganic binder, an organic / inorganic hybrid binder, and glass frit are used.
또한, 상기 방열 코팅층 표면에는 방열 코팅층을 보호하고 표면을 매끄럽게 하기 위하여 보호층이 더 형성되며, 상기 보호층은 실란, 유기수지, 실리콘 화합물, 무기바인더, 유무기하이브리드 바인더, 글래스 프릿(glass frit) 중 어느 하나의 재료로 이루어진다.In addition, a protective layer is further formed on the surface of the heat dissipation coating layer in order to protect the heat dissipation coating layer and smooth the surface. The protective layer may be silane, organic resin, silicon compound, inorganic binder, organic / inorganic hybrid binder, glass frit. It is made of either material.
또한, 상기 실란 바인더는, 4개의 알콕시기를 가지는 실란을 포함하되, 상기 4개의 알콕시기를 가지는 실란은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-i-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란으로 이루어진 군 중 하나 이상을 포함하여 사용한다.In addition, the silane binder includes a silane having four alkoxy groups, and the silane having four alkoxy groups includes tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, and tetra-i-propoxysilane. , Tetra-n-butoxysilane and one or more of the group consisting of.
또한, 상기 실란 바인더는, 기능성 유기 알콕시 실란으로써 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알킬기, 비닐기, 아민기 및 에폭시 작용기 중 하나 이상을 지니는 실란을 포함하되, 기능성 알콕시 실란이 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, i-프로필트리메톡시실란, i-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-펜틸트리메톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, n-헵틸트리메톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-히드록시에틸트리메톡시실란, 2-히드록시에틸트리에톡시실란, 2-히드록시프로필트리메톡시실란, 2-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-히드록시프로필트리메톡시실란, 3-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 트리알콕시실란류와 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-n-프로필디에톡시실란, 디-i-프로필디메톡시실란, 디-i-프로필디에톡시실란, 디-n-부틸디메톡시실란, 디-n-부틸디에톡시실란, 디-n-펜틸디메톡시실란, 디-n-펜틸디에톡시실란, 디-n-헥실디메톡시실란, 디-n-헵틸디메톡시실란, 디-n-헵틸디에톡시실란, 디-n-옥틸디메톡시실란, 디-n-옥틸디에톡시실란, 디-n-시클로헥실디메톡시실란, 디-n-시클로헥실디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 디알콕시실란류로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 1종을 사용한다.In addition, the silane binder includes a silane having at least one of an acrylic group, a methacryl group, an allyl group, an alkyl group, a vinyl group, an amine group and an epoxy functional group as a functional organic alkoxy silane, and the functional alkoxy silane is methyltrimethoxy Silane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxy Silane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-heptyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloro Propyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluoro Propyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2 -Hydroxyethyltriethoxysilane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane, 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltriethoxysilane, 3 -Mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3- Glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxy Propyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltriethoxysilane, 3-ureidodorf Trialkoxysilanes consisting of philtrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane and mixtures thereof, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, di- n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-i-propyldimethoxysilane, di-i-propyldiethoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxy Silane, di-n-pentyldimethoxysilane, di-n-pentyldiethoxysilane, di-n-hexyldimethoxysilane, di-n-heptyldimethoxysilane, di-n-heptyldiethoxysilane, di-n -Octyldimethoxysilane, di-n-octyldiethoxysilane, di-n-cyclohexyldimethoxysilane, di-n-cyclohexyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane and mixtures thereof One kind selected from the group consisting of dialkoxysilanes consisting of and mixtures thereof is used.
또한, 상기 유기 바인더는, 탄소사슬의 양 말단 또는 사슬의 측쇄에 열중합이 가능한 비닐기, 아크릴기, 에스테르기, 우레탄기, 에폭시기, 아미노기, 이미드기 및 열경화가 가능한 유기 관능기를 적어도 1관능기 이상을 함유하는 유기고분자, 그리고 광중합이 가능한 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 메타아크릴레이트기 및 광경화가 가능한 유기 관능기를 적어도 1관능기 이상을 함유하는 유기고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종이며, 또한 상기 유기고분자는 탄화수소기의 일부 수소가 불소로 치환된 것을 포함하는 것을 사용한다.In addition, the organic binder is at least one functional group of a vinyl group, an acrylic group, an ester group, a urethane group, an epoxy group, an amino group, an imide group, and a thermosetting organic functional group capable of thermal polymerization at both ends of the carbon chain or the side chain of the chain. It is one type selected from the group consisting of organic polymers containing at least one functional group and an organic polymer containing the above and a vinyl group, an allyl group, an acryl group, a methacrylate group and a photocurable organic functional group capable of photopolymerization. The organic polymer may be one containing a part of hydrogen of the hydrocarbon group is substituted with fluorine.
또한, 상기 실리콘 화합물 바인더는, 실록산(-Si-O-)을 기본으로 하면서, 실리콘 원자의 4개 결합부위 중 어느 하나에 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 탄화수소기를 가지는 물질이며, 상기 탄화수소기는 알킬기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알콕시기, 방향족기, 아미노기, 에테르기, 에스테르기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상을 가지거나, 상기 탄화수소기의 일부 수소가 불소로 치환된 것을 포함하는 것을 사용한다.In addition, the silicone compound binder is a substance having a linear, branched or cyclic hydrocarbon group at any one of the four bonding sites of silicon atoms, based on siloxane (-Si-O-), wherein the hydrocarbon group is an alkyl group, Ketone group, acrylic group, methacryl group, allyl group, alkoxy group, aromatic group, amino group, ether group, ester group, nitro group, hydroxy group, cyclobutene group, carboxyl group, alkyd group, urethane group, vinyl group, nitrile Groups having hydrogen or epoxy functional groups alone or in combination of two or more, or those in which some hydrogens of the hydrocarbon groups are substituted with fluorine are used.
또한, 상기 무기바인더는, 수 분산된 콜로이드 실리카에 Li+, Na+, K+, Mg2+, Pb2+, Ca2+ 중 하나 이상의 이온을 포함하는 물질을 첨가하여 형성된 것을 사용하며, 이는 수산화물인 LiOH, NaOH, KOH, Mg(OH)2, Pb(OH)2, Ca(OH)2을 사용한다.In addition, the inorganic binder is formed by adding a material containing at least one ion of Li + , Na + , K + , Mg 2+ , Pb 2+ , Ca 2+ to the water dispersed colloidal silica, which LiOH, NaOH, KOH, Mg (OH) 2 , Pb (OH) 2 and Ca (OH) 2 which are hydroxides are used.
또한, 상기 유무기하이브리드 바인더는, 콜로이드 무기입자 100중량부에 대해 실란 0.1~150중량부 또는 유기수지 0.1~150중량부를 혼합하여 형성된 것을 사용하며, 상기 콜로이드 무기입자는, 실리카, 알루미나, 산화마그네슘, 티타니아, 지르코니아, 산화주석, 산화아연, 바륨타이타네이트, 지르코늄타이타네이트 및 스트론튬타이타네이트 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 사용한다.In addition, the organic-inorganic hybrid binder is used by mixing 0.1 to 150 parts by weight of silane or 0.1 to 150 parts by weight of organic resin with respect to 100 parts by weight of colloidal inorganic particles, the colloidal inorganic particles, silica, alumina, magnesium oxide , Titania, zirconia, tin oxide, zinc oxide, barium titanate, zirconium titanate and strontium titanate or mixtures thereof are used.
또한, 상기 글래스 프릿(glass frit) 바인더는 유리조성을 고온에서 녹인 뒤 냉각시켜서 분말 혹은 조각의 형태로 만든 것으로서, 보호코팅이나 씰링 등의 용도로 광범위하게 사용되고 있으며, 용융 온도도 조성에 따라서 다르게 나타난다. 상기 글래스 프릿은 상온에서 고상의 형태로 존재하지만 온도를 올리면 액상으로 되어 바인더로서 사용이 가능하게 되므로, 액상에서 접착을 시킨 뒤 다시 냉각을 시키게 되면 고상의 형태로 접착이 되게 된다.
In addition, the glass frit binder (glass frit) is made of a powder or flakes by melting and cooling the glass composition at a high temperature, it is widely used for the protective coating or sealing, etc., the melting temperature also varies depending on the composition. The glass frit is present in the form of a solid at room temperature, but when the temperature is increased, the glass becomes a liquid, and thus the glass frit is allowed to be used as a binder.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter will be described for the preferred embodiment of the present invention.
방열 코팅제의 반도체 부품에 대한 방열효과를 조사하기 위하여 20W급 형광등 안정기에 장착된 반도체인 고전압 및 저전압 측 파워모스펫(power MOSFET) 방열판 표면에 방열 코팅제를 코팅하여 방열 코팅층을 형성한 것과 방열 코팅층이 형성되지 않은 것에 대한 고전압 및 저전압 측 파워모스펫의 방열판 표면의 온도가 어느 정도 떨어지는 가를 조사하였다.In order to investigate the heat dissipation effect on the semiconductor components of the heat dissipation coating agent, a heat dissipation coating layer was formed by coating a heat dissipation coating on the surface of the power MOSFET heat sink, which is a semiconductor mounted on a 20W-class fluorescent ballast, and a heat dissipation coating layer was formed. It was investigated how much the temperature of the heat sink surface of the power MOSFET of the high voltage and the low voltage side fell with respect to the thing which was not.
여기에 사용된 방열 코팅제는 에폭시 유기 바인더 100중량부(주재:100%, 경화제:30%)에 적외선 방사체 분말(옥:20~30중량부, 실리콘카바이드:50-70중량부, 코디에라이트:10~20중량부, 세르사이트:1~3중량부, 이산화망간:1~5중량부) 150 중량부 그리고 점도를 떨어뜨리기 위한 톨루엔 50 중량부를 섞어서 2시간 동안 볼밀로써 혼합하여 만들었다. 제조된 방열 코팅제를 사용하여 스프레이 방법으로 반도체 부품 의 방열판 표면에 코팅하여 방열 코팅층을 형성하였다.The heat dissipating coating agent used herein was 100 parts by weight of epoxy organic binder (base material: 100%, curing agent: 30%) and infrared emitter powder (jade: 20-30 parts by weight, silicon carbide: 50-70 parts by weight, cordierite: 10 to 20 parts by weight, cerite: 1 to 3 parts by weight, manganese dioxide: 1 to 5 parts by weight) and 150 parts by weight of toluene to lower the viscosity were mixed and mixed by a ball mill for 2 hours. Using the prepared heat dissipation coating agent was coated on the surface of the heat sink of the semiconductor component by the spray method to form a heat dissipation coating layer.
도 1은 상기 실시예에 따른 형광등용 안정기에서 방열판에 방열코팅층이 형성되지 않은 고전압 및 저전압 측 파워모스펫의 방열판의 표면과 방열판에 방열코팅층이 형성된 고전압 및 저전압 측 파워모스펫의 방열판의 표면의 온도 측정 결과이다. 형광등 점등 후 60분 동안 측정한 결과이며 대기온도는 실온(21℃)에서 측정하였다.1 is a temperature measurement of the surface of the heat sink of the high voltage and low voltage side power MOSFET in which the heat dissipation coating layer is not formed on the heat sink and the surface of the heat sink of the high voltage and low voltage side power MOSFET in which the heat dissipation coating layer is formed on the heat sink. The result is. The result was measured for 60 minutes after the fluorescent lamp was turned on. The atmospheric temperature was measured at room temperature (21 ° C.).
도시된 바와 같이, 고전압 및 저전압 측 파워모스펫의 방열판 표면에 방열 코팅층을 형성하였을 경우 방열판 표면의 온도를 떨어뜨리는 효과가 크게 나타났다. 이는 고전압 및 저전압 측 파워모스펫의 방열판 표면에서의 공기의 대류에 의한 방열과 함께 상기 방열 코팅제에 의한 복사에 의하여 표면에서 열이 더욱 잘 방출되기 때문인 것으로 판단된다.As shown, when the heat dissipation coating layer is formed on the heat sink surface of the high voltage and low voltage side power MOSFET, the effect of lowering the temperature of the heat sink surface appeared. This is considered to be because heat is better released from the surface by radiation by the heat dissipation coating agent as well as heat dissipation by air convection on the heat sink surface of the high voltage and low voltage side power MOSFETs.
Claims (14)
상기 적외선 방사체 분말은 옥, 세르사이트, 코디에라이트, 게르마늄, 산화철, 운모, 이산화망간, 실리콘카바이드, 맥섬석, 카본, 산화구리, 산화코발트, 산화니켈, 오산화안티몬, 산화주석, 산화크롬, 질화붕소, 질화알루미늄 및 질화규소 중 어느 하나 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물이고,
상기 바인더는 유기 바인더로 형성되되,
상기 유기 바인더는, 탄소사슬의 양 말단 또는 사슬의 측쇄에 열중합이 가능한 비닐기, 아크릴기, 에스테르기, 우레탄기, 에폭시기, 아미노기, 이미드기 및 열경화가 가능한 유기 관능기를 적어도 1관능기 이상을 함유하는 유기고분자, 그리고 광중합이 가능한 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 메타아크릴레이트기 및 광경화가 가능한 유기 관능기를 적어도 1관능기 이상을 함유하는 유기고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 방열 코팅층이 형성된 반도체 부품.The heat dissipation coating agent consisting of an infrared emitter powder and a binder is coated on the surface of the semiconductor component to form a heat dissipation coating layer,
The infrared emitter powder is jade, cerite, cordierite, germanium, iron oxide, mica, manganese dioxide, silicon carbide, pulsar, carbon, copper oxide, cobalt oxide, nickel oxide, antimony pentoxide, tin oxide, chromium oxide, boron nitride, Any one of aluminum nitride and silicon nitride or a mixture of two or more thereof,
The binder is formed of an organic binder,
The organic binder may include at least one or more functional groups such as vinyl groups, acrylic groups, ester groups, urethane groups, epoxy groups, amino groups, imide groups, and thermosetting organic functional groups capable of thermal polymerization at both ends of the carbon chain or the side chains of the chain. Heat radiation, characterized in that the organic polymer containing, and the vinyl group, allyl group, acrylic group, methacrylate group and photocurable organic functional group containing one or more selected from the group consisting of organic polymer containing at least one functional group. Semiconductor component with a coating layer.
상기 적외선 방사체 분말은 옥, 세르사이트, 코디에라이트, 게르마늄, 산화철, 운모, 이산화망간, 실리콘카바이드, 맥섬석, 카본, 산화구리, 산화코발트, 산화니켈, 오산화안티몬, 산화주석, 산화크롬, 질화붕소, 질화알루미늄 및 질화규소 중 어느 하나 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물이고,
상기 바인더는 실리콘 화합물 바인더로 형성되되, 상기 실리콘 화합물 바인더는, 실록산(-Si-O-)을 기본으로 하면서, 실리콘 원자의 4개 결합부위 중 어느 하나에 직쇄, 측쇄 또는 고리형의 탄화수소기를 가지는 물질이며, 상기 탄화수소기는 알킬기, 케톤기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기, 알콕시기, 방향족기, 아미노기, 에테르기, 에스테르기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 수소 또는 에폭시 작용기를 단독 또는 2종 이상을 가지거나, 상기 탄화수소기의 일부 수소가 불소로 치환된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 코팅층이 형성된 반도체 부품.The heat dissipation coating agent consisting of an infrared emitter powder and a binder is coated on the surface of the semiconductor component to form a heat dissipation coating layer,
The infrared emitter powder is jade, cerite, cordierite, germanium, iron oxide, mica, manganese dioxide, silicon carbide, pulsar, carbon, copper oxide, cobalt oxide, nickel oxide, antimony pentoxide, tin oxide, chromium oxide, boron nitride, Any one of aluminum nitride and silicon nitride or a mixture of two or more thereof,
The binder is formed of a silicone compound binder, wherein the silicone compound binder is based on siloxane (-Si-O-) and has a linear, branched or cyclic hydrocarbon group at any one of the four bonding sites of the silicon atom. The hydrocarbon group is an alkyl group, a ketone group, an acryl group, a methacryl group, an allyl group, an alkoxy group, an aromatic group, an amino group, an ether group, an ester group, a nitro group, a hydroxyl group, a cyclobutene group, a carboxyl group, an alkyd group. And a urethane group, a vinyl group, a nitrile group, a hydrogen or an epoxy functional group having a single or two or more, or a part of hydrogen of the hydrocarbon group is substituted with fluorine semiconductor component having a heat-dissipating coating layer characterized in that it comprises.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110043302A KR101072293B1 (en) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | Heat-radiant layer coated semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110043302A KR101072293B1 (en) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | Heat-radiant layer coated semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101072293B1 true KR101072293B1 (en) | 2011-10-11 |
Family
ID=45032642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110043302A KR101072293B1 (en) | 2011-05-09 | 2011-05-09 | Heat-radiant layer coated semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101072293B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101822587B1 (en) * | 2017-11-16 | 2018-03-08 | 레이져라이팅(주) | Painting Composition having heat dissipation and LED Lamp Device having excellent heat-radiant property by employing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100865771B1 (en) * | 2007-12-31 | 2008-10-28 | 주식회사 리뷰텍 | Coating agent composition for heat sink |
-
2011
- 2011-05-09 KR KR1020110043302A patent/KR101072293B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100865771B1 (en) * | 2007-12-31 | 2008-10-28 | 주식회사 리뷰텍 | Coating agent composition for heat sink |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101822587B1 (en) * | 2017-11-16 | 2018-03-08 | 레이져라이팅(주) | Painting Composition having heat dissipation and LED Lamp Device having excellent heat-radiant property by employing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101035011B1 (en) | Heat-radiant coatings and heat-radiant plate thereby | |
| JP5395155B2 (en) | Electrically insulating thermally conductive composition and electronic device | |
| KR101243944B1 (en) | Heat-radiant solution-processible composites and heat-radiant composite films fabricated using well-dispersed composites | |
| TWI652311B (en) | Plasma processing device | |
| KR100989254B1 (en) | Room Temperature Curable Thermal-Conductive Silicone Rubber Composition | |
| JP5105740B2 (en) | Surface-modified corundum and resin composition | |
| JP6349543B2 (en) | COOLING STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING COOLING STRUCTURE | |
| CN110291848B (en) | Resin composition for circuit board and metal-base circuit board using same | |
| TW201542695A (en) | Thermal conductive silicone composition and electrical/electronic devices | |
| TW201536906A (en) | Heat conductive composite sheet | |
| JPWO2017014238A1 (en) | Thermally conductive resin composition, thermal conductive sheet, and semiconductor device | |
| KR101072298B1 (en) | Heat-radiant layer coated vacuum pump | |
| JP2017208505A (en) | Structure, and electronic component and electronic apparatus including the structure | |
| US11075140B2 (en) | Heat conduction structure or semiconductor apparatus | |
| KR101524728B1 (en) | High heat -dissipating ceramic composite, manufacturing method therefor, and uses thereof | |
| KR101072293B1 (en) | Heat-radiant layer coated semiconductor | |
| KR101072294B1 (en) | Heat-radiant layer coated motor | |
| KR101063916B1 (en) | Heat-radiant layer coated transformer | |
| TW202210572A (en) | Thermally conductive silicone heat dissipation material | |
| JP6648402B2 (en) | Thermal conductive sheet, cured product of thermal conductive sheet, and semiconductor device | |
| Chang et al. | Effects of hydrosilyl monomers on the performance of polysiloxane encapsulant/phosphor blend based hybrid white‐light‐emitting diodes | |
| KR102285579B1 (en) | Heat Radiating Coating Composition and LED Lamp Using Thereof | |
| JP2008031405A (en) | Method of manufacturing thermoconductive resin composition | |
| KR101091182B1 (en) | Heat-radiant layer coated computer parts | |
| KR20140059514A (en) | Manufacturing method for transparent heat-radiant coatings |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160621 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |