KR101069900B1 - 플렉서블 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents

플렉서블 디바이스 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플렉서블 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 플렉서블 디바이스는 i) 플렉서블(flexible) 기판, ii) 플렉서블 기판 위에 위치한 중간층, 및 iii) 중간층 위에 위치한 도전층을 포함한다. 도전층은 중간층과 접하는 복수의 결정들을 포함한다.
플렉서블 디바이스, 결정, 비결정, 중간층

Description

플렉서블 디바이스 및 그 제조 방법 {FLEXIBLE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 플렉서블 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 좀더 상세하게는, 본 발명은 접합 강도가 우수한 플렉서블 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어 휴대용으로 사용하는 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)의 수요가 크게 증가하고 있다. 액정표시패널(liquid crystal display, LCD) 또는 유기발광표시장치(organic light emission display, OLED) 등은 휴대용 평판 디스플레이로서 사용되고 있다.
한편, 옷에 부착할 수 있거나 말아서 사용할 수 있도록 하여 그 휴대성을 더욱 강화한 평판 디스플레이에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 전술한 방법처럼 평판 디스플레이를 사용하기 위해서는 평판 디스플레이에 포함된 소자들이 평판 디스플레이를 접거나 굽혀도 서로 잘 붙어 있어야 한다.
접합 강도가 우수한 플렉서블 디바이스를 제공하고자 한다. 또한, 전술한 플렉서블 디바이스의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디바이스는, i) 플렉서블(flexible) 기판, ii) 플렉서블 기판 위에 위치한 중간층, 및 iii) 중간층 위에 위치한 도전층을 포함한다. 도전층은 중간층과 접하는 복수의 결정들을 포함한다.
복수의 결정들 중 하나 이상의 결정의 종횡비는 1 내지 1.2일 수 있다. 복수의 결정들의 평균 입도는 5nm 내지 40nm일 수 있다. 도전층은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 및 산화은(AgO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재로 이루어질 수 있다. 도전층은 복수의 비결정들을 더 포함할 수 있다.
중간층은 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO), 폴리이미드(polyimide, PI) 및 폴리에틸렌(polyethylene, PE)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재를 포함하고, 중간층의 두께는 1Å 내지 10nm일 수 있다. 도전층의 두께는 10nm 내지 1000nm일 수 있다. 플렉서블 디바이스는 디스플레이용 또는 회로 기판용으로 사용될 수 있다..
본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디바이스는, i) 플렉서블 기판, 및 ii) 플렉서블 기판 위에 위치하는 도전층을 포함한다. 도전층은 플렉서블 기판과 접하는 복수의 결정들을 포함하고, 도전층과 접하는 플렉서블 기판 표면의 접촉각은 20˚ 내지 40˚일 수 있다. 표면에 포함된 물질은 화학식 1 내지 화학식 3 중 하나 이상의 화학식을 가질 수 있다.
복수의 결정들 중 하나 이상의 결정의 종횡비는 1 내지 1.2일 수 있다. 도전층은 복수의 비결정들을 더 포함할 수 있다. 도전층의 외표면의 평균거칠기는 1nm 내지 3nm일 수 있다. 도전층의 두께는 10nm 내지 1000nm일 수 있다. 도전층은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 및 산화은(AgO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디바이스의 제조 방법은, i) 플렉서블 기판을 제공하는 단계, ii) 플렉서블 기판 위에 중간층을 제공하는 단계, 및 iii) 중간층 위에 도전층을 제공하는 단계를 포함한다. 도전층을 제공하는 단계에서, 도전층은 중간층과 접하는 복수의 결정들을 포함한다.
중간층을 제공하는 단계에서, 중간층은 플렉서블 기판 위에 상온 증착될 수 있다. 도전층을 제공하는 단계에서, 도전층은 중간층 위에 상온 증착될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디바이스의 제조 방법은, i) 플렉서블 기판을 제공하는 단계, ii) 플렉서블 기판을 상온에서 표면 처리하는 단계, 및 iii) 플렉서블 기판 위에 도전층을 제공하는 단계를 포함한다. 플렉서블 기판을 표면 처리하는 단계에서, 플렉서블 기판의 표면의 접촉각은 20˚ 내지 40˚로 표면 처리된다.
플렉서블 기판을 표면 처리하는 단계에서, 플렉서블 기판을 플라스마 처리할 수 있다. 도전층을 제공하는 단계에서, 도전층은 플렉서블 기판 위에 상온 증착될 수 있다.
플렉서블 디바이스의 접합 강도가 우수하므로, 플렉서블 디바이스의 내구성이 향상된다. 또한, 플렉서블 디바이스를 저온에서 제조할 수 있으므로, 플렉서블 디바이스의 제조 공정이 간단하다. 그리고 플렉서블 디바이스에 포함된 결정으로 인해 전극 패턴을 원하는 형상으로 쉽게 에칭하여 제조할 수 있다.
첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명을 단지 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 인용부호를 사용하여 나타낸다.
이하에서 사용되는 기술 용어 및 과학 용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련 기술 문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 수반되지 않는다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.
여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
"아래", "위" 등의 상대적인 공간을 나타내는 용어는 도면에서 도시된 한 부분의 다른 부분에 대한 관계를 보다 쉽게 설명하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면에서 의도한 의미와 함께 사용중인 장치의 다른 의미나 동작을 포함하도록 의도된다. 예를 들면, 도면중의 장치를 뒤집으면, 다른 부분들의 "아래"에 있는 것으로 설명된 어느 부분들은 다른 부분들의 "위"에 있는 것으로 설명된다. 따라서 "아래"라는 예시적인 용어는 위와 아래 방향을 전부 포함한다. 장치는 90 회전 또는 다른 각도로 회전할 수 있고, 상대적인 공간을 나타내는 용어도 이에 따라서 해석된다.
단면도를 참조하여 설명된 본 발명의 실시예는 본 발명의 이상적인 실시예를 구체적으로 나타낸다. 그 결과, 도해의 다양한 변형, 예를 들면 제조 방법 및/또는 사양의 변형이 예상된다. 따라서 실시예는 도시한 영역의 특정 형태에 국한되지 않으며, 예를 들면 제조에 의한 형태의 변형도 포함한다. 예를 들면, 편평하다고 도시되거나 설명된 영역은 일반적으로 거칠거나 거칠고 비선형인 특성을 가질 수 있다. 또한, 날카로운 각도를 가지는 것으로 도시된 부분은 라운드질 수 있다. 따라서 도면에 도시된 영역은 원래 대략적인 것에 불과하며, 이들의 형태는 영역의 정확한 형태를 도시하도록 의도된 것이 아니고, 본 발명의 범위를 좁히려고 의도된 것이 아니다.
명세서에 기재된 "플렉서블"이라는 용어는 객체가 휨 특성을 가지고, 다시 원래의 상태로 되돌아올 수 있는 탄력성을 가진다는 것을 의미한다. 여기서, "플렉서블"이라는 용어는 휨 정도에는 관계없이 휠 수만 있으면 모든 객체에 적용되는 의미를 가진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 디바이스(100)의 개략적인 단면 구조를 나타낸다. 도 1의 확대원에는 중간층(20)과 도전층(30)이 상호 접하는 부분을 확대하여 나타낸다.
도 1의 플렉서블 디바이스(100)의 구조는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 플렉서블 디바이스의 구조를 다른 형태로 변형할 수도 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 플렉서블 디바이스(100)는 플렉서블 기판(10), 중간층(20) 및 도전층(30)을 포함한다. 이외에, 플렉서블 디바이스(100)는 다른 층들을 더 포함할 수 있다.
플렉서블 기판(10)은 휘는 특성을 가지며, 고분자 소재로 제조될 수 있다. 예를 들면, 고분자는 PMMA(polymethyl methacrylate, 폴리메틸 메타크릴레이트) 또는 PET(polyethylene terephtalate, 폴리에틸렌 테레프탈레이트) 등일 수 있다. 플렉서블 디바이스(100)는 플렉서블 기판(10)으로 인해 휘는 특성을 가진다.
도 1에 도시한 바와 같이, 중간층(20)은 플렉서블 기판(10)의 바로 위에 위치한다. 중간층(20)은 플렉서블 기판(10) 위에 증착되어 형성될 수 있다. 중간층(20)을 이용하여 도전층(30)을 안정적으로 플렉서블 기판(10) 위에 형성할 수 있다. 여기서, 중간층(20)의 소재로서 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO), 폴리이미드(polyimide, PI) 또는 폴리에틸렌(polyethylene, PE) 등을 사용할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 중간층(20)의 두께(t20)는 1Å 내지 10nm일 수 있다. 중간층(20)의 두께(t20)가 너무 작은 경우, 도전층(30)이 플렉서블 기판(10)과 거의 직접 접촉하므로, 도전층(30)이 플렉서블 기판(10)으로부터 잘 박리될 수 있다. 또한, 중간층(20)의 두께(t20)가 너무 큰 경우, 중간층(20)이 도전성을 가 지므로, 중간층(20)으로 인해 플렉서블 디바이스(100)에 형성할 회로에 단락 현상이 발생할 수 있다. 그리고 중간층(20)으로 인해 플렉서블 디바이스(100)가 불투명해지므로, 플렉서블 디바이스(100)를 디스플레이용으로 사용할 수 없다. 따라서 중간층(20)의 두께(t20)를 전술한 범위로 조절한다.
플렉서블 기판(10) 및 도전층(30)은 상호 다른 화학적 구조 및 기계적인 물성을 가진다. 따라서 플렉서블 기판(10) 및 도전층(30)은 상호간의 접착력이 좋지 않다. 더욱이, 플렉서블 기판(10) 및 도전층(30)이 상호 접착되더라도 승온 또는 외부 응력에 의하여 도전층(30)이 플렉서블 기판(10)으로부터 박리되거나 파괴될 수 있다. 따라서 중간층(20)을 플렉서블 기판(10) 및 도전층(30)의 사이에 삽입함으로써 플렉서블 기판(10) 및 도전층(30) 상호간의 접착력을 증대시킬 수 있다. 중간층(20)으로는 플렉서블 기판(10) 및 도전층(30)에 대한 접착력이 모두 우수한 소재를 사용하므로, 플렉서블 기판(10) 및 도전층(30) 상호간의 접착력이 증대된다. 또한, 중간층(20)은 연성을 가지므로, 온도 가변 환경 또는 가해진 응력하에서 플렉서블 기판(10) 및 도전층(30)의 상이한 물성에 의해 발생하는 잔류 응력을 저감시킨다. 그 결과, 플렉서블 디바이스(100)의 강도 저하를 방지할 수 있다.
한편, 도 1에 도시한 바와 같이, 도전층(30)은 중간층(20) 위에 위치한다. 후속 공정을 통하여 도전층(30)을 패터닝 및 에칭함으로써 회로 기판 또는 디스플레이의 전극으로 사용할 수 있다. 도전층(30)은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 또는 산화은(AgO) 등의 소재를 포함할 수 있다. 이러한 소재들은 모두 광을 투과하는 특성을 가지므로, 디스플레이용으로 사용되는 플 렉서블 디바이스(100)에 적합하다. 도전층(30)의 소재는 중간층(20)의 소재와 유사한 무기 물질을 포함하므로, 도전층(30)은 중간층(20)과 친화력이 강하다. 따라서 도전층(30)은 중간층(20)에 잘 달라 붙으므로, 그 박리 강도가 매우 우수하다.
도 1에 도시한 도전층(30)의 두께(t30)는 10nm 내지 1000nm일 수 있다. 도전층(30)의 두께(t30)가 너무 큰 경우, 도전층(30)이 다결정질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 도전층(30)의 박리 강도가 저하된다. 즉, 도전층(30)이 다결정질로 이루어지는 경우, 결정질로 인해 도전층(30)의 표면은 울퉁불퉁하다. 따라서 도전층(30)의 표면에는 다수의 크랙 개시점들이 존재한다. 그 결과, 도전층(30)에 장력이 인가되는 경우, 크랙 개시점으부터 크랙이 발생하여 도전층(30)이 중간층(20)으로부터 쉽게 박리될 수 있다. 반대로, 도전층(30)의 두께(t30)가 너무 작은 경우, 도전층(30)은 패터닝 및 에칭 등의 후속 공정을 적용하기에 부적합하다.
도 1의 확대원에 도시한 바와 같이, 도전층(30)은 복수의 결정들(301) 및 복수의 비결정들(303)을 포함한다. 복수의 결정들(301)은 중간층(20)과 접한다. 복수의 결정들(301)은 중간층(20)에 달라붙어서 쉽게 떨어지지 않는다.
도 1에는 거의 원형을 가지는 결정들(301)을 도시하였지만, 이는 단지 결정들(301)의 형상을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 결정(301)의 종횡비는 다양하게 변형될 수 있다. 여기서, 결정(301)의 종횡비는 1 내지 3일 수 있다. 결정(301)의 종횡비가 전술한 범위를 가지므로, 결정(301)이 중간층(20)과 접하는 평균 면적이 크다. 따라서 결정(301)은 일정한 접착 강도를 가지면서 중간층(20)에 잘 부착되어 있다. 반대로, 결정(301)의 종횡비 가 너무 작거나 너무 큰 경우, 결정(301)이 중간층(20)과 접하는 평균 면적이 감소할 수 있으므로, 결정(301)의 중간층(20)에 대한 결합력이 감소한다. 따라서 도전층(30)이 중간층(20)으로부터 쉽게 박리될 수 있다. 그러므로 결정(301)의 종횡비를 전술한 범위로 조절한다.
한편, 복수의 결정들(301)의 평균 입도는 5nm 내지 40nm일 수 있다. 복수의 결정들(301)의 평균 입도가 너무 작거나 큰 경우, 도전층(30)이 중간층(20)으로부터 쉽게 박리될 수 있다. 따라서 복수의 결정들(301)의 평균 입도를 전술한 범위로 조절한다.
도 1의 확대원에 도시한 바와 같이, 도전층(30)은 복수의 비결정들(303)을 더 포함한다. 복수의 비결정들(303)은 복수의 결정들(301)과 함께 혼합되어 있다. 복수의 비결정질들(303) 때문에 도전층(30)의 표면은 비교적 편평하다. 따라서 도전층(30)의 표면에는 크랙 개시점이 거의 존재하지 않는다. 그 결과, 도전층(30)의 박리 강도가 우수하다. 도전층(30)이 비결정들을 포함하지 않고 복수의 결정들(301)만 포함하는 경우, 도전층(30)의 박리 강도는 더 우수할 수 있다. 이하에서는 도 2를 통하여 플렉서블 디바이스(100)의 제조 방법을 좀더 상세하게 설명한다.
도 2는 도 1의 플렉서블 디바이스(100)의 제조 방법의 순서도를 개략적으로 나타낸다. 도 2의 플렉서블 디바이스(100)(도 1에 도시, 이하 동일)의 제조 방법은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 플렉서블 디바이스의 제조 방법을 다르게 변형할 수도 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 플렉서블 디바이스(100)의 제조 방법은, i) 플렉서블 기판(10)(도 1에 도시, 이하 동일)을 제공하는 단계(S10), ii) 플렉서블 기판(10) 위에 중간층(20)(도 1에 도시, 이하 동일)을 제공하는 단계(S20), 및 iii) 중간층(20) 위에 도전층(30)(도 1에 도시, 이하 동일)을 제공하는 단계를 포함한다. 이외에, 플렉서블 디바이스(100)의 제조 방법은 다른 단계들을 더 포함할 수 있다.
먼저, 단계(S10)에서는 플렉서블 기판(10)을 제공한다. 휨 특성을 가지는 물질을 플렉서블 기판(10)의 소재로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 수지를 플렉서블 기판(10)에 사용할 수 있다. 플렉서블 기판(10)은 완제품 형태로 제공될 수 있다.
다음으로, 단계(S20)에서는 플렉서블 기판(10) 위에 중간층(20)을 제공한다. 중간층(20)은 플렉서블 기판(10) 위에 상온 증착될 수 있다. 중간층(20)을 얇게 형성하므로, 증착 방법에 의해 중간층(20)을 플렉서블 기판(10) 위에 증착하는 것이 바람직하다.
또한, 플렉서블 기판(10)을 열에 약한 수지 소재로 형성하는 경우, 특정 온도 범위를 넘는 고온에서 플렉서블 기판(10)이 유리화되어 쉽게 깨질 수 있다. 따라서 상온에서 중간층(20)을 플렉서블 기판(10) 위에 제공한다. 여기서, 상온은 20℃ 내지 30℃일 수 있다. 이러한 온도 범위에서는 플렉서블 기판(10)이 잘 깨지지 않으므로, 플렉서블 디바이스(100)를 제조하기에 적합하다.
단계(S30)에서는 도전층(30)을 중간층(20) 위에 제공한다. 전술한 방법과 동일한 방법으로 도전층(30)을 중간층(20) 위에 상온 증착할 수 있다. 이 경우, 도전층(30)은 중간층(20) 위에 형성되면서 중간층(20)과 접하는 부분에 복수의 결정들(301)(도 1에 도시, 이하 동일)이 형성된다. 전술한 방법들을 통하여 플렉서블 디바이스(100)를 제조할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 디바이스(200)의 개략적인 단면 구조를 나타낸다. 도 3의 확대원에는 플렉서블 기판(10)과 도전층(32)이 상호 접하는 부분을 확대하여 나타낸다. 도 3의 플렉서블 디바이스(200)의 구조는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 플렉서블 디바이스의 구조를 다른 형태로 변형할 수도 있다. 또한, 도 3의 플렉서블 디바이스(200)의 구조는 도 1의 플렉서블 디바이스(100)의 구조와 유사하므로, 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 플렉서블 디바이스(100)는 플렉서블 기판(10) 및 도전층(32)을 포함한다. 이외에, 플렉서블 디바이스(100)는 다른 층들을 더 포함할 수 있다.
플렉서블 기판(10) 위에 도전층(32)을 형성하기 전에 플렉서블 기판(10)을 표면 처리할 수 있다. 플렉서블 기판(10)을 유기 물질로 형성하고, 도전층(32)을 무기 물질로 형성하는 경우, 플렉서블 기판(10)의 소재 및 도전층(32)의 소재는 사로 다른 특성을 가지므로, 친화성이 저하되어 잘 붙지 않을 수 있다. 그러나 플렉서블 기판(10)을 표면 처리함으로써 도전층(32)의 플렉서블 기판(10)에 대한 박리 강도를 높일 수 있다. 플렉서블 기판(10)의 표면 처리 공정은 추후에 도 4 및 도 5를 통하여 좀더 상세하게 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 도전층(32)은 플렉서블 기판(10)의 바로 위에 위치한다. 도전층(32)은 플렉서블 기판(10) 위에 증착법에 의해 형성될 수 있다. 도전층(32)은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 또는 산화은(AgO) 등의 소재를 포함할 수 있다. 이러한 소재들은 모두 광을 투과하는 특성을 가지므로, 디스플레이용으로 사용되는 플렉서블 디바이스(200)에 적합하다.
도 3에 도시한 바와 같이, 도전층(32)의 두께(t32)는 10nm 내지 1000nm일 수 있다. 도전층(32)의 두께(t32)가 너무 두꺼운 경우, 도전층(32)이 다결정질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 도전층(32)의 박리 강도가 저하된다. 그리고 도전층(32)의 두께(t32)가 너무 얇은 경우, 도전층(32)은 패터닝 및 에칭등의 후속 공정을 적용하기에 부적합하다.
한편, 도전층(32)의 외표면(321)의 평균거칠기는 1nm 내지 3nm일 수 있다. 평균거칠기가 너무 작거나 너무 큰 경우, 도전층(32)의 박리 강도가 저하될 수 있다. 따라서 도전층(32)의 박리 강도를 전술한 범위로 조절한다.
도 3의 확대원에 도시한 바와 같이, 플렉서블 기판(10)의 표면(101)은 도전층(32)과 접한다. 이 경우, 플렉서블 기판(10)의 표면(101)의 접촉각은 20° 내지 40°일 수 있다. 접촉각이 전술한 범위를 가지므로, 도전층(32)과 플렉서블 기판(10)의 표면(101)과의 결합력이 강하다. 따라서 도전층(32)의 플렉서블 기판(10)에 대한 박리 강도가 커진다.
도 3의 확대원에 도시한 바와 같이, 도전층(32)은 복수의 결정들(301) 및 복 수의 비결정들(303)을 포함한다. 도 3에는 도전층(32)이 복수의 비결정들(303)을 포함하는 것으로 도시하였지만, 도전층(32)은 복수의 결정들(301)만을 포함할 수도 있다.
도 3의 확대원에 도시한 바와 같이, 복수의 결정들(301)은 플렉서블 기판(10)과 접한다. 복수의 결정들(301)의 플렉서블 기판(10)에 대한 결합력이 강하므로, 도전층(30)은 플렉서블 기판(10)에 잘 달라붙어서 쉽게 떨어지지 않는다. 여기서 결정(301)의 종횡비는 1 내지 1.2일 수 있다. 결정(301)의 종횡비가 너무 작거나 너무 큰 경우, 결정(301)이 플렉서블 기판(10)과 접하는 평균 면적이 감소할 수 있으므로, 결정(301)의 플렉서블 기판(10)에 대한 결합력이 감소한다. 따라서 도전층(32)이 플렉서블 기판(10)으로부터 쉽게 박리될 수 있다. 그러므로 결정(301)의 종횡비를 전술한 범위로 조절한다.
도 3의 확대원에 도시한 바와 같이, 도전층(32)은 복수의 비결정들(303)을 더 포함한다. 복수의 비결정들(323)은 복수의 결정들(301)과 함께 혼합되어 있다. 복수의 결정들(301)로 인해 도전층(32)의 표면은 비교적 편평하므로, 도전층(32)의 표면에는 크랙 개시점이 거의 존재하지 않는다. 따라서 도전층(32)은 플렉서블 기판(10)에 대해 높은 박리 강도를 가진다. 이하에서는 도 4 내지 도 6을 통하여 플렉서블 디바이스(100)의 제조 방법을 좀더 상세하게 설명한다.
도 4는 도 3의 플렉서블 디바이스(200)의 제조 방법의 순서도를 개략적으로 나타낸다. 도 4의 플렉서블 디바이스(200)(도 3에 도시, 이하 동일)의 제조 방법은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니 다. 따라서 플렉서블 디바이스의 제조 방법을 다르게 변형할 수도 있다. 또한, 도 4의 플렉서블 디바이스(200)의 제조 방법은 도 2의 플렉서블 디바이스(100)의 제조 방법과 유사하므로, 동일한 부분에 대해서는 그 설명을 생략한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 플렉서블 디바이스(200)의 제조 방법은, i) 플렉서블 기판(10)(도 3에 도시, 이하 동일)을 제공하는 단계(S12), ii) 플렉서블 기판(10)을 상온에서 표면 처리하는 단계(S22), 및 iii) 플렉서블 기판(10) 위에 도전층(32)(도 3에 도시, 이하 동일)을 제공하는 단계를 포함한다. 이외에, 플렉서블 디바이스(200)의 제조 방법은 다른 단계들을 더 포함할 수 있다.
먼저, 단계(S12)에서는 플렉서블 기판(10)을 제공한다. 예를 들면, 휨 특성을 가지는 수지를 플렉서블 기판(10)에 사용할 수 있다. 플렉서블 기판(10)은 완제품 형태로 제공될 수 있다.
다음으로, 단계(S22)에서는 플렉서블 기판(10)을 상온에서 표면 처리한다. 여기서, 상온은 20℃ 내지 30℃일 수 있다. 이하에서는 도 5를 참조하여 단계(S22)를 좀더 상세하게 설명한다.
도 5는 도 4의 단계(S22)의 공정을 개략적으로 나타낸다. 도 5에 도시한 단계(S22)의 공정은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 단계(S22)의 공정을 다른 형태로도 변형할 수 있다.
도 5에 화살표로 도시한 바와 같이, 플렉서블 기판(10)을 플라스마(50)로 처리한다. 예를 들면, 플라스마 처리는 아르곤 글로우 방전을 통하여 실시할 수 있다. 플라스마(50)는 산소를 활성화하여 플렉서블 기판(10)의 표면(101)에 묻은 오 염물질들을 플렉서블 기판(10)으로부터 분리시킨다. 따라서 표면(101)이 깨끗하게 세정된다. 표면(101)의 청정도가 너무 낮은 경우, 플렉서블 기판(10) 위에 형성되는 도전층(32)의 박리 강도가 낮다. 또한, 표면(101)의 청정도가 너무 높은 경우, 플라스마 처리 시간이 길어야 하므로 공정 비용이 증가한다. 따라서 표면(101)의 청정도를 일정한 범위로 조절한다.
그리고 플라스마 처리된 플렉서블 기판(10)의 표면(101)의 접촉각은 표면 처리 전에 비해 크게 감소한다. 표면처리 전에는 표면(101)의 접촉각이 80˚ 내지 90˚이었지만, 표면처리 후에는 표면(101)의 접촉각이 20˚ 내지 40˚가 된다. 표면(101)의 접촉각이 너무 작은 경우, 플라스마 처리 시간이 길어야 하므로 공정 비용이 증가한다. 또한, 표면(101)의 접촉각이 너무 큰 경우, 도전층(32)의 플렉서블 기판(10)에 대한 박리 강도가 낮다. 따라서 표면(101)의 접촉각을 전술한 범위로 조절한다.
한편, 플라스마 처리된 플렉서블 기판(10)의 표면(101)에는 O-H기가 많은, 즉 친수성이 우수한 물질이 포함된다. 여기서, 전술한 물질들은 하기의 화학식 1 내지 화학식 3 중 하나 이상의 화학식을 가질 수 있다.
Figure 112009051997521-pat00001
Figure 112009051997521-pat00002
Figure 112009051997521-pat00003
예를 들면, 전술한 화학식 1의 물질은 플렉서블 기판(10)의 소재로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET)를 사용하는 경우, 플라스마 처리에 의해 C2H4O와 상호 분리되면서 생성될 수 있다. 또한, 지속적인 플라스마 처리에 따라 화학식 1의 물질은 CO를 방출하면서 화학식 2의 물질로 분해된다. 화학식 2의 물질도 친수성을 가진다. 그리고 화학식 2의 물질은 플라스마 처리시 형성되는 수소 분위기에 영향을 받아 화학식 3의 물질로 변환될 수 있다. 전술한 바와 같이, 플렉서블 기판(10)의 표면(101)은 플라스마 처리되어 화학식 1 내지 화학식 3 중 하나의 화학식 이상을 가지는 물질이 생성되므로, 도전층(32)이 플렉서블 기판(10) 위에 잘 형성된다.
다시, 도 4로 되돌아가면, 단계(S32)에서는 플렉서블 기판(10) 위에 도전층(32)을 제공한다. 도전층(32)을 플렉서블 기판(10) 위에 상온 증착할 수 있다. 이 경우, 도전층(32)이 플렉서블 기판(10) 위에 형성되면서 플렉서블 기판(10)과 접하는 부분에 복수의 결정들(301)(도 3에 도시, 이하 동일)이 형성된다. 이하에 서는 도 6을 참조하여 단계(S32)를 좀더 상세하게 설명한다.
도 6은 도 4의 단계(S32)의 공정을 개략적으로 나타낸다. 도 6에 도시한 단계(S32)의 공정은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 단계(S32)의 공정을 다른 형태로도 변형할 수 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 소스 타겟(60)을 이용하여 상온에서 플렉서블 기판(10) 위에 도전층(32)을 형성할 수 있다. 스퍼터링에 의해 소스 타겟(60)으로부터 도전층(32)을 형성할 소재가 증발하고, 화살표 방향을 따라 플렉서블 기판(10)측으로 이동하면서 플렉서블 기판(10) 위에 증착된다. 예를 들면, 도전층(32)의 소재로서 인듐 틴 옥사이드를 사용하는 경우, 소스 타켓(60)의 소재로서 인듐 틴 옥사이드를 사용할 수 있다. 따라서 증착 시간을 조절함으로써 도전층(32)의 두께를 조절할 수 있다. 전술한 방법들을 통하여 플렉서블 디바이스(200)를 제조할 수 있다.
이하에서는 실험예를 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 이러한 실험예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
실험예
실험예 1
188㎛ 두께의 PET 소재로 된 기판을 준비하였다. 기판의 표면을 PET의 유리천이온도(Tg)인 100℃ 보다 훨씬 낮은 25℃에서 아르곤 글로우 방전 플라스마를 사 용하여 표면 처리하였다. 그리고 DC 마그네트론 스퍼터를 사용하여 5.0×10-6 torr의 압력, 2.0W/cm3의 파워하에 기판의 표면 위에 ITO층을 증착하였다. 증착 온도는 25℃로 조절하였으며, 기판 위에는 150nm 두께의 ITO층을 형성하였다.
비교예 1
기판 위에 500nm 두께의 ITO층을 형성하였다. 나머지 실험 조건은 전술한 실험예 1과 동일하였다.
비교예 2
188㎛ 두께의 PET 소재로 된 기판을 준비하였다. DC 마그네트론 스퍼터를 사용하여 5.0×10-6 torr의 압력 및 2.0W/cm3의 파워하에 표면 처리하지 않은 기판의 표면 위에 ITO를 증착하였다. 증착 온도는 25℃로 조절하였으며, 기판 위에 100nm 두께의 ITO층을 형성하였다.
비교예 3
기판 위에 150nm 두께의 ITO층을 형성하였다. 나머지 실험 조건은 전술한 비교예 2과 동일하였다.
비교예 4
기판 위에 200nm 두께의 ITO층을 형성하였다. 나머지 실험 조건은 전술한 비교예 2과 동일하였다
비교예 5
기판 위에 250nm 두께의 ITO층을 형성하였다. 나머지 실험 조건은 전술한 비교예 2과 동일하였다.
실험 결과
조직 관찰
도 7은 전술한 실험예 및 비교예들에 따라 얻어진 시편의 XRD(X-ray diffraction, X선 회절) 그래프를 나타낸다. 도 7에는 실험예 1, 비교예 1, 비교예 4, 비교예 5, PET 기판 및 IT0층의 X선 회절 강도를 나타낸다.
도 7에 도시한 바와 같이, ITO층의 결정 피크는 실험예 1 및 비교예 1에서만 관찰되었다. 또한 ITO층의 비결정질 피크는 비교예 4 및 비교예 5에서 관찰되었다. 따라서 실험예 1 및 비교예 1에 따라 제조한 ITO층은 결정을 포함하고 있는 반면에, 비교예 4 및 비교예 5에 따라 제조한 ITO층은 비결정을 포함하고 있는 것을 추측할 수 있었다. 이를 확인하기 위해 투과전자현미경으로 실험예 1, 비교예 1, 비교예 4 및 비교예 5에 따라 제조한 ITO층을 촬영하였다.
도 8 내지 도 10은 각각 실험예 1, 비교예 1 및 비교예 3에 따른 ITO층의 투과전자현미경 사진을 나타낸다.
도 8의 A 영역 및 B 영역에 도시한 바와 같이, 실험예 1에서는 비결정 및 결정이 혼재되어 있었다. 실험예 1에서는 핵생성 및 성장이 지속되면서 비결정이 결정으로 변태되는 현상이 ITO층의 전체 두께에 걸쳐서 나타났다.
도 9에 도시한 바와 같이, 비교예 1에서는 ITO층이 120nm를 넘는 두께를 가져서 ITO층이 완전히 다결정층으로 형성되었다. 즉, 표면을 통하여 큰 결정이 성장한 것을 볼 수 있었다.
도 10에 도시한 바와 같이, 비교예 3에서는 ITO층이 비결정으로 형성되었다. 7nm 미만의 크기를 가지는 결정이 비결정 매트릭스 내에서 발견되기는 하였지만, 단면 분석시에는 나타나지 않았다.
도 8 및 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, 실험예 1 및 비교예 1에서 ITO층의 표면 처리 온도인 25℃는 결정질의 ITO층을 증착하기 위한 온도인 250℃보다 작았다. 그리고 전술한 표면 처리 온도 25℃는 비결정이 결정으로 변태되는 온도인 150℃ 보다도 낮았다. 전술한 바와 같이, 실험예 1 및 비교예 1에서는 기판을 플라스마 처리하여 기판의 표면을 친수성으로 변환함으로써 저온에서도 결정이 생성되도록 하였다.
본 발명의 실험예 1에서는 ITO층의 두께가 증가함에 따라 ITO층에서 핵성성 및 성장이 지속되었다. 비교예 1 및 비교예 3에서는 결정도에 있어서 ITO층의 두께가 큰 영향을 미치지 않지만 실험예 1에서는 ITO층의 두께가 결정도에 큰 영향을 미쳤다. 즉, ITO층의 두께가 증가할수록 ITO층이 다결정으로 형성되었다.
접촉각 측정
전술한 실험예 1에서의 기판의 접촉각 및 비교예들에서의 기판의 접촉각을 측정하였다. 비교예 2 내지 비교예 5와 같이 기판을 표면 처리하지 않은 경우, 기판 표면의 접촉각은 84.3˚이었다. 그러나 실험예 1 및 비교예 1과 같이 기판을 표면 처리한 경우, 기판 표면의 접촉각은 20˚ 내지 32˚이었다. 따라서 표면 처리에 의해 기판 표면의 접촉각이 크게 감소하는 것을 알 수 있었다.
도 11은 실험예 1 및 비교예 1 내지 비교예 5에 따른 ITO층의 변형율 그래프 를 나타낸다. 여기서, 실험예 1 및 비교예 1의 기판은 각각 20˚ 내지 32˚의 접촉각을 나타내었고, 비교예 2 내지 비교예 5의 기판은 각각 84.3˚의 접촉각을 나타내었다.
도 11에 도시한 바와 같이, 접촉각이 작은 기판으로 실험한 실험예 1에서는 ITO층의 변형률이 약 5%로서 비교예 1 내지 비교예 4의 ITO층의 변형률에 비해 훨씬 컸다. ITO층의 변형률이 클수록 잘 휘어지므로 플렉서블 디바이스로 사용하기에 적합하다. 따라서 기판의 접촉각이 ITO층의 변형률에 어느 정도 기여한다는 사실을 알 수 있었다.
저항률 및 크랙 개시 연신률 측정
전술한 실험예 1과 비교예들에서 얻어진 ITO층의 저항률(ρ) 및 크랙 개시 연신률(εc)을 측정하였다. 저항률은 2개의 채널 저항률 미터를 사용하여 측정하였고, 크랙 개시 연신률(εc)은 플렉서블 기판용으로 설계된 단축 장력 시험기로 측정하였다. 장력을 증가시키면서 확대 렌즈를 구비한 디지털 고속 카메라로 ITO층에 생성되는 크랙을 관찰하였다. 그리고 크랙 개시 연신률(εc)은 기판의 배면에 부착된 접촉형 스트레인 게이지를 사용하여 측정하였다.
도 12는 연신률 증가에 따른 비교예 3의 ITO층의 평면 광학현미경 사진들을 나타낸다.
도 12에 도시한 바와 같이, 화살표로 나타낸 장력 방향에 따라 ITO층을 양쪽으로 잡아당겨서 ITO층에 적용하는 장력을 증가시킴에 따라 채널 크랙 밀도가 증가 하였고, 특정값(εc s)에서 포화되었다. 연신율(εc) 및 연신율(εc s) 사이에서 ITO층에 버클링(bucking)이 발생하면서 기판으로부터 ITO층이 분리되었다. 버클링은 ITO층 및 기판간의 포이송 비(Poission ratio)의 부정합으로 유도되는 장력 방향에 수직인 ITO층의 포이송 수축에 기인하였다.
도 13은 비교예 3의 ITO층의 입체 광학현미경 사진을 나타낸다.
도 13에 도시한 바와 같이, ITO층에 장력을 가하는 경우, ITO층에 버클링이 생성되었다. 따라서 ITO층은 기판으로부터 박리되었다. ITO층의 크랙 개시 연신률(εc)이 클수록 ITO층이 기판으로부터 잘 박리되지 않는다. 이 경우, 기판이 휘더라도 ITO층이 장력에 잘 견딜 수 있으므로, 플렉서블 기판으로 사용하기에 적합하다.
하기의 표 1은 전술한 실험예 및 비교예들에서 얻어진 ITO층의 저항률(ρ) 및 크랙 개시 연신률(εc)의 측정 결과를 나타낸다.
Figure 112009051997521-pat00004
표 1에 기재한 바와 같이, 실험예 1과 비교예들 중에서 실험예 1의 ITO층의 저항률(ρ)이 2.63×10-4Ωㆍcm으로서 가장 작게 나타났다. 그리고 실험예 1의 ITO층의 크랙 개시 연신률(εc)이 3.19%로서 가장 크게 나타났다. ITO층의 두께가 150nm로서 상호 동일한 실험예 1 및 비교예 3에서 실험예 1의 크랙 개시 연신률은 비교예 3의 크랙 개시 연신률보다 4배 이상 컸다. 이는 실험예 1의 ITO층의 미세구조변화 및 결정성에 기인한다. 비교예 1로부터 비교예 5로 갈수록 ITO층의 크랙 개시 연신률이 감소하는 것은 ITO층의 두께 증가에 따른 응력 증가와 하기의 표 2에 기재한 바와 같이 ITO층 평균거칠기가 증가하면서 복합적으로 작용한 것으로 보인다.
평균거칠기 측정
AFM(atomic force microscope, 원자현미경)을 이용하여 전술한 실험예 1 및 비교예들에서 ITO층의 평균거칠기(Rp-v)를 측정하였다. 전술한 실험예 및 비교예들에서 측정한 각각의 평균거칠기(Rp-v)를 ITO층의 두께와 함께 하기의 표 2에 기재하였다.
Figure 112009051997521-pat00005
표 2에 기재한 바와 같이, 비교예 1 내지 비교예 5에서는 ITO층의 두께가 증가할수록 ITO층의 평균거칠기도 증가하였다. 한편, ITO층의 두께가 150nm로서 상호 동일한 실험예 1 및 비교예 3에서는 결정을 포함하는 실험예 1의 ITO층의 평균거칠기가 비결정으로 된 비교예 3의 평균거칠기보다 훨씬 작았다. 또한, 실험예 1보다 훨씬 많은 결정들을 포함하는 비교예 1의 ITO층의 평균거칠기는 실험예 1의 ITO층의 평균거칠기보다 훨씬 컸으며, 비교예 2 내지 비교예 5의 ITO층의 평균거칠기보다도 훨씬 컸다.
표 1 및 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 실험예 1의 ITO층은 어느 정도의결정성을 가지고, 매우 낮은 저항률 및 평균거칠기를 가졌다. 그러나 큰 결정성을 가지는 비교예 1의 ITO층은 높은 저항률 및 평균거칠기를 가졌으며, 이들 값들은 오히려 비교예 2 내지 비교예 5에 따른 ITO층의 저항률 및 평균거칠기보다 높았다.
비교예 2 내지 비교예 5의 ITO층에서는 ITO층의 두께가 커질수록 적용되는 장력이 압축력에 의해 덜 상쇄된다. 따라서 ITO층의 두께가 커질수록 연신율은 감소하였다. 또한, ITO층의 두께가 커질수록 평균거칠기가 커지는 것도 응력을 감소시킨다. 그리고 응력 집중은 돌출부 사이에 생성된 홈에서 가장 심하므로, 평균거칠기는 ITO층 표면의 크랙이 개시되는 중요한 요인 중의 하나이다. 따라서 실험예 1의 ITO층의 평균거칠기가 작으므로, 실험예 1의 ITO층의 크랙 개시 연신률이 가장 크다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 디바이스의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 플렉서블 디바이스의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 디바이스의 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 3의 플렉서블 디바이스의 개략적인 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5 및 도 6은 각각 도 4의 플렉서블 디바이스의 제조 방법의 각 단계별 공정을 나타낸 개략적인 도면들이다.
도 7은 실험예 1, 비교예 1, 비교예 4, 비교예 5, PET 기판 및 IT0층의 XRD 그래프이다.
도 8 내지 도 10은 각각 실험예 1, 비교예 1 및 비교예 3에 따른 ITO층의 투과전자현미경 사진이다.
도 11은 실험예 1 및 비교예 1 내지 비교예 5에 따른 ITO층의 변형율을 나타낸 그래프이다.
도 12는 연신률 증가에 따른 비교예 3의 ITO층의 평면 광학현미경 사진이다.
도 13은 비교예 3의 ITO층의 입체 광학현미경 사진이다.

Claims (21)

  1. 플렉서블(flexible) 기판,
    상기 플렉서블 기판 위에 위치하고, 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO), 폴리이미드(polyimide, PI) 및 폴리에틸렌(polyethylene, PE)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재를 포함하는 중간층, 및
    상기 중간층 위에 위치한 도전층
    을 포함하고,
    상기 도전층은 복수의 결정들을 포함하고, 상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정이 상기 중간층과 접하는 플렉서블 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정의 종횡비는 1 내지 1.2인 플렉서블 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 결정들의 평균 입도는 5nm 내지 40nm인 플렉서블 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전층은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 및 산화은(AgO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재로 이루어지는 플렉서블 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전층은 상기 복수의 결정들과 함께 혼합된 복수의 비결정들을 더 포함하는 플렉서블 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 중간층의 두께는 1Å 내지 10nm 인 플렉서블 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 도전층의 두께는 10nm 내지 1000nm인 플렉서블 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 디바이스는 디스플레이용 또는 회로 기판용으로 사용되는 플렉서블 디바이스.
  9. 플렉서블 기판, 및
    상기 플렉서블 기판 위에 위치하는 도전층
    을 포함하고,
    상기 도전층은 복수의 결정들을 포함하고, 상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정이 상기 플렉서블 기판과 접하며, 상기 도전층과 접하는 상기 플렉서블 기판 표면의 접촉각은 20˚ 내지 40˚인 플렉서블 디바이스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 표면에 포함된 물질은 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 하나 이상의 화학식을 가지는 플렉서블 디바이스.
    [화학식 1]
    Figure 112009051997521-pat00006
    [화학식 2]
    Figure 112009051997521-pat00007
    [화학식 3]
    Figure 112009051997521-pat00008
  11. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정의 종횡비는 1 내지 1.2인 플렉서블 디바이스.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 도전층은 복수의 비결정들을 더 포함하는 플렉서블 디바이스.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 도전층의 외표면의 평균거칠기는 1nm 내지 3nm인 플렉서블 디바이스.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 도전층의 두께는 10nm 내지 1000nm인 플렉서블 디바이스.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 도전층은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 및 산화은(AgO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재로 이루어지는 플렉서블 디바이스.
  16. 플렉서블 기판을 제공하는 단계,
    상기 플렉서블 기판 위에 중간층을 상온 증착시켜 제공하는 단계, 및
    상기 중간층 위에 도전층을 상온 증착시켜 제공하는 단계
    를 포함하고,
    상기 도전층을 제공하는 단계에서, 상기 도전층은 복수의 결정들을 포함하고, 상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정이 상기 중간층과 접하는 플렉서블 디바이스의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 플렉서블 기판을 제공하는 단계,
    상기 플렉서블 기판을 상온에서 플라스마 표면 처리하는 단계, 및
    상기 플렉서블 기판 위에 도전층을 상온 증착시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 플렉서블 기판을 표면 처리하는 단계에서, 상기 플렉서블 기판의 표면의 접촉각은 20˚ 내지 40˚로 표면 처리되는 플렉서블 디바이스의 제조 방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
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