KR101064176B1 - Seed filament for manufacturing Polycrystalline Silicon Rod - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트는 반응챔버의 바닥에 적어도 두개 이상의 짝수개로 마련된 전극에 접속되어 열반응에 의한 실리콘 석출을 유도하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 있어서, 하단이 상기 반응챔버의 전극에 조립되어 수직방향으로 설치되는 슬림로드; 및, 한 쌍의 슬림로드의 상단부에 양단부가 지지되는 연결로드;를 포함하며, 상기 슬림로드는 상단부 일측에 상기 연결로드의 단부가 삽입되는 삽입홈이 형성되는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a seed filament for producing polycrystalline silicon rod, wherein the seed filament for producing polycrystalline silicon rod according to the present invention is connected to an electrode provided with at least two or more even numbers at the bottom of the reaction chamber to induce silicon precipitation by thermal reaction. A seed filament for rod manufacturing, comprising: a slim rod having a lower end assembled to an electrode of the reaction chamber and installed in a vertical direction; And a connecting rod having both ends supported at the upper ends of the pair of slim rods, wherein the slim rod has an insertion groove into which an end of the connecting rod is inserted at one side of the upper end.

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Description

다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트{Seed filament for manufacturing Polycrystalline Silicon Rod}Seed filament for manufacturing polycrystalline silicon rods

본 발명은 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 시드 필라멘트를 구성하는 한 쌍의 슬림로드와 상기 슬림로드의 상단부를 연결하는 연결로드의 연결부가 일정한 단면적을 갖도록 조립함으로써 저항값이 일정하게 유지되므로 균일한 품질 및 두께를 갖는 다결정 실리콘 로드를 생산할 수 있는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 관한 것이다.The present invention relates to a seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod, and more particularly, a resistance value is obtained by assembling a pair of slim rods constituting the seed filament and a connecting portion connecting the upper end of the slim rod to have a constant cross-sectional area. The present invention relates to a seed filament for producing polycrystalline silicon rods, which is able to produce polycrystalline silicon rods having a uniform quality and thickness since they are kept constant.

일반적으로 고순도 다결정 실리콘은 반도체 소자나 태양전지(solar cell) 등에 사용될 수 있는 반도체 성질을 갖는 소재나 높은 순도가 요구되는 화학원료 또는 산업용 소재로 널리 사용되고 있고, 정밀기능 소자 또는 소형 고집적 정밀 시스템용 부품이나 소재로 활용되고 있다. In general, high-purity polycrystalline silicon is widely used as a material having semiconductor properties that can be used in semiconductor devices or solar cells, or as a chemical raw material or industrial material requiring high purity, and is a precision functional device or a part for small, highly integrated precision systems. It is utilized as a material.

이러한 다결정 실리콘을 제조하기 위하여 아주 높은 순도로 정제된 실리콘성분을 포함하는 반응가스를 지멘스형 반응기(Siemens-type reactor)로 공급하여 열분해 및/또는 수소환원 반응을 통해 시드 필라멘트 표면에 실리콘 성분을 계속적으로 석출시키는 실리콘 석출방법이 이용되고 있다. To produce such polycrystalline silicon, a reaction gas containing a highly purified silicon component is supplied to a Siemens-type reactor to continuously supply the silicon component to the seed filament surface through pyrolysis and / or hydrogen reduction reaction. The silicon precipitation method which precipitates by this is used.

상기 시드 필라멘트(Seed filament)는 스타터 필라멘트, 실리콘 필라멘트, 소스 로드 등으로도 불리는 것으로, 한 쌍의 슬림로드와 상기 한 쌍의 슬림로드의 상단부를 연결하는 연결로드로 이루어지며, 상기 슬림로드와 연결로드는 다결정 실리콘 로드의 순도 수준을 확보하기 위하여 일반적으로 다결정 실리콘으로 만들어진다.The seed filament is also referred to as starter filament, silicon filament, source rod, etc., and consists of a pair of slim rods and connecting rods connecting upper ends of the pair of slim rods, and connected to the slim rods. The rod is generally made of polycrystalline silicon to ensure the purity level of the polycrystalline silicon rod.

첨부도면중 도 1은 종래 다결정 실리콘 로드 제조장치의 단면도로서, 종래에는 상기 도면에서와 같이 지멘스 반응기의 베이스(110)에 형성된 전극(112)들에 원형단면의 길이부재인 슬림로드(130)의 하단부를 각각 조립하고, 상기 다수 설치된 슬림로드(130)들 중 인접배치된 한 쌍의 슬림로드(130)들의 상단부를 연결로드(140)를 통해 연결한다. 1 is a cross-sectional view of a conventional polycrystalline silicon rod manufacturing apparatus, and conventionally of the slim rod 130, which is a length member of a circular cross section in the electrodes 112 formed in the base 110 of the Siemens reactor as shown in the figure Assembling the lower end, respectively, and connects the upper end of the pair of slim rods 130 adjacently arranged among the plurality of installed slim rods 130 through the connection rod 140.

상기와 같이 베이스(110)에 슬림로드(130)와 연결로드(140)의 셋팅이 완료되면 베이스(110)의 상측을 반응챔버(120)로 덮어 밀폐시킨 뒤, 전원부(114)를 통해 일측 슬림로드(130)가 설치된 전극(112)으로 전원을 인가한다. When the setting of the slim rod 130 and the connecting rod 140 is completed on the base 110 as described above, the upper side of the base 110 is covered with the reaction chamber 120 and sealed, and one side slim through the power supply 114. Power is applied to the electrode 112 provided with the rod 130.

전원이 인가되는 측의 전극(112)에 설치된 슬림로드(130)와 상기 슬림로드(130)와 연결로드(140)를 통해 연결된 인접 슬림로드(130)로 전원이 통과하게 되면 상기 슬림로드(130) 및 연결로드(140)는 저항발열에 의해 발열하게 되는데, 이때 전원부(114)의 전원공급을 제어하여 슬림로드(130) 및 연결로드(140)의 표면온도가 1115℃ 이상을 유지하도록 한다.When power passes through the slim rod 130 installed on the electrode 112 on the side to which power is applied, and the adjacent slim rod 130 connected through the slim rod 130 and the connecting rod 140, the slim rod 130. ) And the connecting rod 140 generates heat by resistance heating, in which the surface temperature of the slim rod 130 and the connecting rod 140 is maintained at 1115 ° C. or more by controlling the power supply of the power supply 114.

전원의 공급에 따라 슬림로드(130) 및 연결로드(140)의 표면온도가 1115℃이상으로 가열되면, 반응챔버(120) 내로 실리콘 성분을 포함하는 반응가스를 공급한 다. 상기 반응챔버(120) 내로 공급된 반응가스는 슬림로드(130) 및 연결로드(140)의 열에 의해 반응가스 중의 실리콘 성분이 분해되어 슬림로드(130) 및 연결로드(140)의 표면에 각각 석출되면서 다결정 실리콘 로드(S)가 생성된다. When the surface temperature of the slim rod 130 and the connecting rod 140 is heated to 1115 ° C. or more in accordance with the supply of power, the reaction gas including the silicon component is supplied into the reaction chamber 120. The reaction gas supplied into the reaction chamber 120 is decomposed into silicon components in the reaction gas by the heat of the slim rod 130 and the connecting rod 140 to be deposited on the surfaces of the slim rod 130 and the connecting rod 140, respectively. As a result, the polycrystalline silicon rod S is generated.

이때, 상기 슬림로드(130)와 연결로드(140)의 연결부분을 살펴보면 도 2와 같이 원형단면의 길이부재인 슬림로드(130)의 상단부에 V자형의 홈(132)을 형성하여 상기 슬림로드(130)와 동일한 직경의 원형단면의 길이부재인 연결로드(140)가 상기 V자형 홈(132)에 안착되게 하는 연결구조로 이루어진다. At this time, looking at the connecting portion of the slim rod 130 and the connecting rod 140, as shown in Figure 2 to form a V-shaped groove 132 in the upper end of the slim rod 130, which is a length member of the circular cross section the slim rod Connection rod 140, which is a length member of a circular cross section of the same diameter as 130, is made of a connection structure to be seated in the V-shaped groove (132).

그런데, 전원의 전달시 슬림로드(130) 또는 연결로드(140)의 단면적에 대하여 저항값이 반비례의 관계를 가지게 되는데, 상기 슬림로드(130)의 V자형 홈(132)이 형성된 부분에서 단면적이 가변되면서 저항값이 높아져 해당부위가 상대적으로 높은 온도로 가열되는 문제점이 있었다. However, the resistance value has an inverse relationship with respect to the cross-sectional area of the slim rod 130 or the connecting rod 140 when the power is delivered. The cross-sectional area of the slim rod 130 in the V-shaped groove 132 is formed. There was a problem in that the resistance is increased while being variable and the corresponding portion is heated to a relatively high temperature.

또한, 상기 슬림로드(130)를 통해 연결로드(140)로 전원이 전달되는 과정에서 슬림로드(130)와 연결로드(140)가 점접촉되어 있으므로 상기 접촉 부위(B)에 전원이 집중되어 다른 부분보다 높은 온도로 가열되면서 시드 필라멘트의 전체적인 열분포가 불균일해지는 문제점이 있었다. In addition, since the slim rod 130 and the connecting rod 140 are in point contact with each other in the process of transmitting power to the connecting rod 140 through the slim rod 130, the power is concentrated on the contacting part B so that the power is concentrated. There was a problem that the overall heat distribution of the seed filament is uneven while being heated to a higher temperature than the portion.

한편, 상기 슬림로드(130)의 상단부에 연결로드(140)의 단부가 고정되는 것이 아니라 한 쌍의 가늘고 긴 슬림로드(130)의 상단부에 안착되어 있을 뿐만 아니라, 슬림로드(130) 및 연결로드(140) 직경이 약 5mm 내지 10mm 에 불과한 것이어서 외부충격 또는 반응가스의 대류에 의해 상기 슬림로드(130) 상단의 V자형 홈(132)으로부터 쉽게 이탈하게 되는 문제점이 있다. On the other hand, the end of the connecting rod 140 is not fixed to the upper end of the slim rod 130 is not only seated on the upper end of the pair of elongated slim rod 130, the slim rod 130 and the connecting rod (140) The diameter is only about 5mm to 10mm has a problem that is easily separated from the V-shaped groove 132 of the upper end of the slim rod 130 by the external impact or the convection of the reaction gas.

아울러, 상기와 같은 연결로드(140) 및 슬림로드(130)는 반응가스의 주입전 상당한 고온으로 가열되어 있는 상태이므로 반응챔버(120) 내로 공급된 반응가스를 배출시킨 다음 연결로드(140)가 냉각될 때까지 기다린 뒤, 반응챔버(120)를 개방시켜 이탈된 연결로드(140)를 재설치하여야만 하므로 제조장비의 생산효율을 현저하게 저하시키게 되는 문제점이 있었다. In addition, since the connection rod 140 and the slim rod 130 as described above are heated to a considerable temperature before injection of the reaction gas, the connection rod 140 is discharged after discharging the reaction gas supplied into the reaction chamber 120. After waiting for cooling, the reaction chamber 120 must be opened to reinstall the detached connection rod 140, thereby significantly reducing the production efficiency of the manufacturing equipment.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 슬림로드와 연결로드의 연결부위 단면적이 일정하게 조립되게 함으로써 저항값이 일정한 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트를 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod having a constant resistance value by allowing a constant cross-sectional area of a connection portion between a slim rod and a connecting rod to be assembled.

또한, 슬림로드와 연결로드의 연결부위가 견고하게 조립되게 함으로써 임의이탈을 방지하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트를 제공함에 있다.In addition, it is to provide a seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod to prevent any deviation by making the connection between the slim rod and the connecting rod firmly assembled.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 반응챔버의 바닥에 적어도 두개 이상의 짝수개로 마련된 전극에 접속되어 열반응에 의한 실리콘 석출을 유도하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 있어서, 하단이 상기 반응챔버의 전극에 조립되어 수직방향으로 설치되는 슬림로드; 및, 한 쌍의 슬림로드의 상단부에 양단부가 지지되는 연결로드;를 포함하며, 상기 슬림로드는 상단부 일측에 상기 연결로드의 단부가 삽입되는 삽입홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 의해 달성된다.The above object is, according to the present invention, in the seed filament for producing polycrystalline silicon rod which is connected to at least two or more even electrodes at the bottom of the reaction chamber to induce precipitation of silicon by thermal reaction, the lower end is connected to the electrode of the reaction chamber A slim rod assembled and installed in a vertical direction; And a connecting rod having both ends supported at the upper ends of the pair of slim rods, wherein the slim rod has an insertion groove into which an end of the connecting rod is inserted at one side of the upper end of the pair of slim rods. Achieved by filaments.

여기서, 상기 슬림로드와 연결로드는 서로 동일한 단면적을 갖는 것이 바람직하다.Here, the slim rod and the connecting rod preferably have the same cross-sectional area.

또한, 상기 삽입홈의 개구면은 연결로드의 단면과 동일한 형태로 이루어져 연결로드의 외측면이 상기 삽입홈의 내측면에 면접촉되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the opening face of the insertion groove has the same shape as the cross section of the connection rod and the outer surface of the connection rod is in surface contact with the inner surface of the insertion groove.

한편, 상기 연결로드의 양단부에는 상기 슬림로드의 삽입홈에 대응되는 형태 의 삽입돌기가 형성되는 것이 바람직할 것이다.On the other hand, both ends of the connecting rod it will be preferable that the insertion projection of the shape corresponding to the insertion groove of the slim rod is formed.

본 발명에 따르면, 슬림로드와 연결로드의 연결부위 단면적이 일정하게 조립되게 함으로써 저항값이 일정한 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트가 제공된다.According to the present invention, a seed filament for producing a polycrystalline silicon rod having a constant resistance value is provided by allowing a constant cross-sectional area of a connection portion between a slim rod and a connecting rod to be assembled.

또한, 슬림로드와 연결로드의 연결부위가 견고하게 조립되게 함으로써 임의이탈을 방지하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트가 제공된다.In addition, there is provided a seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod that prevents any deviation by allowing the connection between the slim rod and the connecting rod to be firmly assembled.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, in the various embodiments, components having the same configuration will be representatively described in the first embodiment using the same reference numerals, and in other embodiments, different configurations from the first embodiment will be described. do.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부도면 중 도 3은 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트가 적용된 반응기의 단면도이고, 도 4는 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 사시도이며, 도 5는 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 분해사시도이다.3 is a cross-sectional view of a reactor to which the seed filament for producing polycrystalline silicon rod of the present invention is applied, FIG. 4 is a perspective view of the seed filament for producing polycrystalline silicon rod of the present invention, and FIG. 5 is an exploded perspective view of the seed filament for producing the polycrystalline silicon rod of the present invention. to be.

상기 도면에서 도시하는 바와 같은 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트는 반응챔버(120)의 베이스(110)에 마련된 전극(112)에 각각 접속되는 슬림로드(10)와, 이웃하는 한 쌍의 슬림로드(10) 상단을 연결하는 연결로드(20)를 포 함하여 구성된다. The seed filament for manufacturing polycrystalline silicon rod of the present invention as shown in the drawings has a slim rod 10 connected to the electrode 112 provided at the base 110 of the reaction chamber 120, respectively, and a pair of neighboring slim rods. (10) It is configured to include a connection rod 20 for connecting the top.

상기 슬림로드(10)는 실리콘 재질의 길이부재로 이루어지며 하단이 상기 반응챔버(120)의 전극(112)에 조립되어 수직방향으로 설치된다. The slim rod 10 is formed of a length member made of silicon and has a lower end assembled to the electrode 112 of the reaction chamber 120 and installed in a vertical direction.

상기 연결로드(20)는 서로 이웃하는 한 쌍의 슬림로드(10)의 상단부에 양단부가 끼워맞춤되어 한 쌍의 슬림로드(10)가 서로 통전되게 하는 것으로서 저항발열량이 상기 슬림로드(10)와 동일하도록 상기 슬림로드(10)의 단면적(a1)과 동일한 단면적(a2)을 갖는 실리콘 재질의 사각 단면 길이부재로 이루어진다.The connecting rod 20 is fitted to both ends of the upper end of the pair of slim rods 10 adjacent to each other so that the pair of slim rods 10 are energized with each other, so that the heat generating resistance of the slim rod 10 and the It is made of a rectangular cross-sectional length member of a silicon material having the same cross-sectional area (a2) and the same cross-sectional area (a1) of the slim rod (10).

여기서, 상기 슬림로드(10)의 상단부 일측에는 상기 연결로드(20)의 단부가 삽입되는 삽입홈(32)이 수직방향으로 형성되고, 상기 연결로드의 양단부에는 상기 슬림로드의 삽입홈으로 끼워지는 삽입단부(33)가 연장형성되어 상기 슬림로드(10)와 연결로드(20)가 서로 끼워맞춤에 의해 조립된다.Here, an insertion groove 32 into which the end of the connecting rod 20 is inserted is formed in the vertical direction at one side of the upper end of the slim rod 10, and both ends of the connecting rod 20 are inserted into the insertion groove of the slim rod. The insertion end 33 is extended to assemble the slim rod 10 and the connecting rod 20 by fitting with each other.

특히, 상기 삽입홈(32)의 두께(T1),폭(W1),높이(H1)와 상기 연결로드(20)의 삽입단부(33)의 두께(T2),폭(W2),높이(H2)가 서로 동일하게 형성되어 조립 후 삽입홈(32)으로 삽입단부(33)가 삽입된 상태의 단면적이 슬림로드(10) 및 연결로드(20)와 동일한 단면적을 이루게 된다. In particular, the thickness (T1), width (W1), height (H1) of the insertion groove 32 and the thickness (T2), width (W2), height (H2) of the insertion end 33 of the connecting rod (20) ) Are formed equal to each other so that the cross-sectional area of the insertion end portion 33 is inserted into the insertion groove 32 after assembly to form the same cross-sectional area as the slim rod 10 and the connecting rod 20.

즉, 상기와 같이 연결로드(20)의 양단부에 형성된 삽입단부(33)가 인접배치된 한 쌍의 슬림로드(10)의 삽입홈(32)으로 각각 삽입되어 한 쌍의 슬림로드(10)를 전기적으로 연결함에 있어서, 상기 연결로드를 수직방향의 직사각형 단면형상으로 형성하고, 상기 슬림로드의 상단일측에 상기 연결로드의 단면형상에 대응하는 형상의 삽입홈을 형성하여 상기 슬림로드의 일측에 연결로드의 말단부가 삽입되게 함으 로써 견고한 끼움조립이 이루어지게 한다. That is, as described above, the insertion ends 33 formed at both ends of the connecting rod 20 are respectively inserted into the insertion grooves 32 of the pair of slim rods 10 disposed adjacent to each other to connect the pair of slim rods 10. In electrical connection, the connecting rod is formed in a rectangular cross-sectional shape in the vertical direction, and an insertion groove having a shape corresponding to the cross-sectional shape of the connecting rod is formed at one end of the slim rod and connected to one side of the slim rod. The end of the rod is inserted to ensure a firm fit.

이때, 상기 연결로드의 단면적은 상기 슬림로드의 단면적과 동일하게 형성함으로써 상기 슬림로드와 연결로드의 단면적에 대한 발열량이 동일하게 나타나게 될 뿐만 아니라, 상기 슬림로드(10)의 상단에 형성된 삽입홈(32)에 의해 감소된 슬림로드(10)의 단면적은 상기 삽입홈(32)으로 삽입되어 면접촉하는 연결로드(20)의 삽입단부(33)에 의해 보상되므로 조립부위에서도 동일한 단면적을 갖게 되며 상기 슬림로드 및 연결로드와 동일한 발열량이 나타나게 된다. In this case, the cross-sectional area of the connecting rod is formed to be the same as the cross-sectional area of the slim rod, so that the heat generation amount for the cross-sectional area of the slim rod and the connecting rod not only appears the same, but also the insertion groove formed on the top of the slim rod 10 ( The cross-sectional area of the slim rod 10 reduced by 32 is compensated by the insertion end 33 of the connecting rod 20 which is inserted into the insertion groove 32 and is in surface contact, and thus has the same cross-sectional area in the assembly site. The same heating value as the slim rod and the connecting rod will appear.

지금부터는 상술한 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 작동에 대하여 설명한다.The operation of the seed filament for producing the polycrystalline silicon rod described above will now be described.

첨부도면 중 도 3에서 도시하는 바와 같이 베이스(110)에 다수 형성된 전극(112)들에는 슬림로드(10)의 하단부가 삽입되어 수직방향으로 설치되고 서로 인접한 한 쌍의 슬림로드(10)들의 상단부에는 연결로드(20)가 설치되어 한 쌍의 슬림로드(10)들을 전기적으로 연결시킨다.As shown in FIG. 3, the lower ends of the slim rods 10 are inserted into the electrodes 112 formed in the base 110 and installed in the vertical direction, and the upper ends of the pair of slim rods 10 adjacent to each other. The connecting rod 20 is installed to electrically connect the pair of slim rods 10.

상기와 같이 슬림로드(10)와 연결로드(20)가 전기적으로 통전가능하게 설치된 상태에서 전원부(114)를 통해 일측 전극(112)으로 전원을 공급하면 상기 슬림로드(10)와 연결로드(20)가 저항발열에 의해 가열되는데, 이때 반응챔버(120) 내로 반응가스를 공급하면 반응가스가 열분해 되면서 반응가스 중의 실리콘 성분이 상기 슬림로드(10)와 연결로드(20)의 표면에 석출되면서 다결정 실리콘 로드(S)가 생성된다. As described above, when the slim rod 10 and the connecting rod 20 are electrically supplied with electricity, the power supply unit 114 supplies power to one electrode 112 through the power supply 114. ) Is heated by resistance heating, and when the reaction gas is supplied into the reaction chamber 120, the reaction gas is thermally decomposed and the silicon component in the reaction gas is deposited on the surfaces of the slim rod 10 and the connecting rod 20. The silicon rod S is produced.

상기와 같이 한 쌍의 슬림로드(10)와 상기 슬림로드(10)의 상단부를 연결하는 연결로드(20)는 전기적으로 접속되어 전원이 통과함에 따라 소정온도 이상으로 가열되어 표면에 실리콘 성분이 석출되는 것인데, 이때, 도 4 및 도 5에서 도시하는 바와 같이 상기 슬림로드(10)의 상단부에 형성된 삽입홈(32)에 연결로드(20)의 양단부에 형성된 삽입단부(33)가 끼워맞춤 조립되므로 한 쌍의 슬림로드(10)의 상단부를 연결하는 연결로드(20)가 슬림로드(10)로부터 임의이탈하는 것이 방지된다. As described above, the pair of slim rods 10 and the connecting rods 20 connecting the upper ends of the slim rods 10 are electrically connected and heated to a predetermined temperature or more as power passes, thereby depositing a silicon component on the surface. In this case, as shown in FIGS. 4 and 5, the insertion end 33 formed at both ends of the connection rod 20 is fitted into the insertion groove 32 formed at the upper end of the slim rod 10. Any detachment of the connecting rod 20 connecting the upper ends of the pair of slim rods 10 from the slim rods 10 is prevented.

특히, 첨부도면중 도 6 및 도 7에서 도시하는 바와 같이 상기 슬림로드(10)의 상단부에 형성된 삽입홈(32)의 두께(T1),폭(W1),높이(H1)에 대하여 연결로드(20)의 삽입단부(33)의 두께(T2),폭(W2),높이(H2)가 동일하게 형성되어, 조립 후에는 상기 슬림로드(10)와 연결로드(20)의 조립부위가 슬림로드(10) 또는 연결로드(20)의 단면과 동일한 단면을 이루게 되면서 저항값이 일정하게 유지되므로 저항발열값이 전체적으로 균일하게 나타나게 된다.In particular, as shown in FIGS. 6 and 7 of the accompanying drawings, the connecting rod (T1), the width W1, the height H1 of the insertion groove 32 formed in the upper end of the slim rod 10 The thickness (T2), width (W2), height (H2) of the insertion end 33 of the 20 is formed the same, and after assembly, the assembly portion of the slim rod 10 and the connecting rod 20 is slim rod The resistance value is kept constant while forming the same section as that of the cross section 10 or the connecting rod 20, so that the resistance heating value is uniformly displayed as a whole.

아울러, 상기 슬림로드(10)의 삽입홈(32)과 연결로드(20)의 두께가 서로 동일하게 이루어져 삽입홈(32)과 연결로드(20)의 접촉면이 서로 면접촉하게 되면서 공급 전원이 접촉부위의 일부분에 집중되지 않게 된다. In addition, the thickness of the insertion groove 32 and the connecting rod 20 of the slim rod 10 is the same as the contact surface of the insertion groove 32 and the connecting rod 20 is in contact with each other while the power supply contact It will not be concentrated on a part of the site.

따라서, 한 쌍의 슬림로드(10)와 연결로드(20)로 구성되는 본 발명의 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트는 전체적으로 발열량이 균일하게 이루어지게 되므로 균일한 두께와 균일한 품질의 다결정 실리콘 로드(S)를 생성할 수 있게 된다.Therefore, the seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod of the present invention composed of a pair of slim rods 10 and a connecting rod 20 has a uniform heat generation, so that the polycrystalline silicon rods of uniform thickness and uniform quality (S) ) Can be created.

다음으로 본 발명의 제2실시예에 따른 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라 멘트에 대하여 설명한다. Next, a seed filament for producing polycrystalline silicon rods according to a second embodiment of the present invention will be described.

첨부도면중 도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 분해사시도이다.8 is an exploded perspective view of a seed filament for producing a polycrystalline silicon rod according to a second embodiment of the present invention.

상기 도면에서 도시하는 바와 같은 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 제2실시예는 반응챔버(120)의 베이스(110)에 마련된 전극(112)에 각각 접속되는 슬림로드(10)와, 이웃하는 한 쌍의 슬림로드(10) 상단을 연결하는 연결로드(20)를 포함하여 구성된다. As shown in the drawings, a second embodiment of the seed filament for manufacturing polycrystalline silicon rod of the present invention includes a slim rod 10 connected to an electrode 112 provided at a base 110 of a reaction chamber 120, and a neighboring rod. It is configured to include a connection rod 20 for connecting a pair of slim rod 10 top.

여기서, 상기 슬림로드(10)의 상단부에는 삽입홈(32)이 연결로드의 축방향으로 관통 형성되고 연결로드(20)의 단부에는 상기 삽입홈(32)에 대응되는 삽입돌기(34)가 형성되며, 상기 슬림로드(10)의 삽입홈(32)에 연결로드(20)의 삽입돌기(34)가 삽입되면서 상기 슬림로드(10)와 연결로드(20)가 서로 끼워맞춤 조립된다.Here, the insertion groove 32 is formed in the upper end of the slim rod 10 in the axial direction of the connecting rod and the insertion protrusion 34 corresponding to the insertion groove 32 is formed at the end of the connecting rod 20. As the insertion protrusion 34 of the connection rod 20 is inserted into the insertion groove 32 of the slim rod 10, the slim rod 10 and the connection rod 20 are fitted to each other.

특히, 상기 삽입홈(32)의 두께(T1),폭(W1),높이(H1)와 상기 삽입돌기(34)의 두께(T3),폭(W3),높이(H3)가 서로 동일하게 형성되어 조립 후 슬림로드(10)와 연결로드(20)의 조립부위 단면적이 슬림로드(10) 및 연결로드(20)의 단면적과 동일한 단면적을 이루게 되므로 조립부위에서의 저항발열량이 다른 부위와 동일하게 나타나게 된다.In particular, the thickness T1, the width W1, the height H1 of the insertion groove 32 and the thickness T3, the width W3, and the height H3 of the insertion protrusion 34 are the same. After assembling, the cross-sectional area of the assembly portion of the slim rod 10 and the connecting rod 20 forms the same cross-sectional area as that of the slim rod 10 and the connecting rod 20, so that the amount of resistance heat generated at the assembly portion is the same as that of other portions. Will appear.

첨부도면중 도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 분해사시도이다.9 is an exploded perspective view of a seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod according to a third embodiment of the present invention.

상기 제2실시예에서는 슬림로드(10)의 상단부에 삽입홈(32)이 형성되고 연결로드(20)의 단부에 삽입돌기(34)가 형성된 것을 예로 들었으나, 도 9에서 도시하는 바와 같이 본 발명의 제3실시예에 따른 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트는 슬림로드(10)의 상단부에 삽입돌기(34)가 형성되고 연결로드(20)의 단부에 삽입홈(32)이 형성된다.In the second embodiment, the insertion groove 32 is formed at the upper end of the slim rod 10, and the insertion protrusion 34 is formed at the end of the connection rod 20. For example, as shown in FIG. In the seed filament for manufacturing a polycrystalline silicon rod according to the third embodiment of the present invention, an insertion protrusion 34 is formed at an upper end of the slim rod 10, and an insertion groove 32 is formed at an end of the connection rod 20.

이러한 경우에도 상기 슬림로드(10)의 상단부에 형성된 삽입돌기(34)가 연결로드(20)의 단부에 형성된 삽입홈(32)에 삽입되면서 끼워맞춤되어 상술한 제1실시예에서의 작용효과와 동일하게 나타나게 되므로 제2실시예에 따른 작용효과에 대한 상세한 설명은 생략한다. Even in this case, the insertion protrusion 34 formed at the upper end of the slim rod 10 is fitted into the insertion groove 32 formed at the end of the connecting rod 20 to be fitted to the effects and effects of the first embodiment. Since the same will appear the detailed description of the operation and effect according to the second embodiment will be omitted.

한편, 상술한 실시예들에서는 슬림로드(10)와 연결로드(20)가 하나의 삽입홈(32) 및 하나의 삽입돌기(34)를 통해 조립되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 다수의 삽입홈과 삽입돌기 또는 다른 형태의 삽입홈과 삽입돌기를 통해 조립되는 것도 가능하며, 이때 상기 삽입홈과 삽입돌기의 형태는 서로 동일하게 형성되어야 할 것이다.Meanwhile, in the above-described embodiments, the slim rod 10 and the connecting rod 20 have been described as an example of being assembled through one insertion groove 32 and one insertion protrusion 34. It is also possible to be assembled through the insertion protrusion or other shape of the insertion groove and the insertion protrusion, wherein the shape of the insertion groove and the insertion protrusion should be formed the same.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described herein to various extents that can be modified.

도 1은 종래 다결정 실리콘 로드 제조장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a conventional polycrystalline silicon rod manufacturing apparatus,

도 2는 도 1의 B부분의 측단면도,2 is a side cross-sectional view of the portion B of FIG.

도 3은 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 사시도, 3 is a perspective view of a seed filament for producing a polycrystalline silicon rod of the present invention;

도 4는 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 분해사시도, 4 is an exploded perspective view of a seed filament for producing a polycrystalline silicon rod of the present invention;

도 5는 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트가 적용된 제조장치의 단면도,5 is a cross-sectional view of the manufacturing apparatus to which the seed filament for manufacturing polycrystalline silicon rod of the present invention is applied;

도 6은 도 5의 C부분의 평단면도,6 is a cross-sectional plan view of the portion C of FIG.

도 7은 도 5의 C부분의 측단면도이고,7 is a side cross-sectional view of the portion C of FIG.

도 8은 본 발명 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트의 다른실시예의 분해사시도이다.8 is an exploded perspective view of another embodiment of the seed filament for producing the polycrystalline silicon rod of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10:슬림로드10: Slim Road

20:연결로드20: connection rod

32:삽입홈32: insertion groove

34:삽입돌기34: insertion protrusion

Claims (4)

삭제delete 반응챔버의 바닥에 적어도 두개 이상의 짝수개로 마련된 전극에 접속되어 열반응에 의한 실리콘 석출을 유도하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트에 있어서,In the seed filament for producing a polycrystalline silicon rod connected to at least two or more even electrodes at the bottom of the reaction chamber to induce precipitation of silicon by thermal reaction, 하단이 상기 반응챔버의 전극에 조립되어 수직방향으로 설치되는 슬림로드; 및,A slim rod having a lower end assembled to an electrode of the reaction chamber and installed in a vertical direction; And, 한 쌍의 슬림로드의 상단부에 양단부가 지지되는 연결로드;를 포함하고,And a connecting rod having both ends supported at the upper ends of the pair of slim rods. 상기 슬림로드는 상단부에 상기 연결로드의 단부가 삽입되는 삽입홈이 형성되며,The slim rod has an insertion groove in which the end of the connection rod is inserted into the upper end, 상기 슬림로드와 연결로드는 서로 동일한 단면적을 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트.The seed filament for producing a polycrystalline silicon rod, characterized in that the slim rod and the connecting rod have the same cross-sectional area. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 삽입홈의 개구면은 연결로드의 단면과 동일한 형태로 이루어져 연결로드의 외측면이 상기 삽입홈의 내측면에 면접촉되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트.The opening surface of the insertion groove is formed in the same shape as the cross section of the connecting rod is a seed filament for producing a polycrystalline silicon rod, characterized in that the outer surface of the connection rod is in surface contact with the inner surface of the insertion groove. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 연결로드의 양단부에는 상기 슬림로드의 삽입홈에 대응되는 형태의 삽입돌기가 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트.Seed filaments for producing a polycrystalline silicon rod, characterized in that the insertion projections of the shape corresponding to the insertion groove of the slim rod is formed on both ends of the connecting rod.
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