KR101060762B1

KR101060762B1 - 발광장치의 제조방법

Info

Publication number: KR101060762B1
Application number: KR20090064521A
Authority: KR
Inventors: 김재일; 조동현; 이인형; 함석진
Original assignee: 삼성엘이디 주식회사
Priority date: 2009-07-15
Filing date: 2009-07-15
Publication date: 2011-08-31
Also published as: KR20110006900A

Abstract

본 발명은 발광장치의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는, 복수의 발광장치를 위한 배선구조가 일정한 간격으로 형성된 웨이퍼를 마련하는 단계, 상기 웨이퍼를 반도체 증착장치에 투입하여 상기 웨이퍼 상에 복수의 발광 다이오드를 위한 반도체 적층체를 성장시키는 단계, 및 상기 반도체 적층체 상에 형광체를 함유한 파장변환시트를 적용하는 단계를 제공한다.

본 발명에 따르면, 파장변환광의 발광효율이 우수하고 박형화가 가능한 발광장치의 제조방법을 제공할 수 있다.

웨이퍼, 파장변환, 양자점, 형광체, 발광장치

Description

발광장치의 제조방법{Manufacturing method of light emitting device}

본 발명은 발광장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 파장변환광의 발광효율이 우수하고 박형화가 가능한 발광장치의 제조방법에 관한 것이다.

발광소자(light emitting device, LED)는 다른 발광소자, 예를 들면, 백열전구로부터의 광이 폭넓은 발광스펙트럼을 갖는 것과는 달리 거의 단색광에 가까운 광을 발광한다는 특징이 있다. LED 마다 그 전자/정공결합에 따른 에너지가 상이하므로, 각각의 특성에 따라 적색, 녹색, 청색, 등황색, 또는 황색을 나타낸다.

최근에는 백색광을 나타내거나 또는 다수의 색구현이 가능한 LED가 개발되었다. 이 중, 백색 LED를 제조하는 방식에는 여러 색상의 LED 칩을 조합하여 백색을 나타내게 하거나, 또는 특정색의 광을 발광하는 LED 칩과 특정색의 형광을 발광하는 형광체를 조합하는 방식이 있다. 현재 상용화되어 있는 백색 LED는 일반적으로 후자의 방법이 적용된다.

예를 들어, 청색 LED 칩을 황색 형광체가 분산된 몰딩 수지로 봉지함으로써, 백색 LED 패키지를 얻을 수 있다. 청색 LED 칩으로부터 460nm 파장대의 빛이 발생하면, 이 빛을 흡수한 황색 형광체에서 545nm 파장대의 빛이 발생하고, 파장이 상이한 두 빛이 혼색되어 백색광이 출력되는 것이다. 따라서, 여러 종류의 형광체를 조합하여 원하는 색의 광을 얻을 수 있다.

그러나, 형광체를 이용하여 원하는 색상을 얻을 수 있었지만, 여전히 LED의 발광효율 증대 및 박형화가 요청되고 있다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 파장변환광의 발광효율이 우수하고 박형화가 가능한 발광장치의 제조방법을 제공하는 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시 형태는,

복수의 발광장치를 위한 배선구조가 일정한 간격으로 형성된 웨이퍼를 마련하는 단계, 상기 웨이퍼를 반도체 증착장치에 투입하여 상기 웨이퍼 상에 복수의 발광 다이오드를 위한 반도체 적층체를 성장시키는 단계, 및 상기 반도체 적층체 상에 형광체를 함유한 파장변환시트를 적용하는 단계를 제공한다.

여기서, 상기 파장변환시트가 적용된 상기 반도체 적층체를 상기 웨이퍼와 함께 절단하여 개별 발광장치를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 파장변환시트는 제1 박막층, 상기 제1 박막층 상에 형성되며 형광체를 함유한 파장변환필름, 및 상기 파장변환필름 상에 형성된 제2 박막층을 포함할 수 있다.

여기서, 상기 파장변환필름은 패턴이 구비된 기재층 및 상기 패턴 내에 형광 체를 함유한 파장변환층으로 이루어질 수 있다.

그리고, 상기 제1 박막층, 상기 파장변환필름 및 상기 제2 박막층을 상호 압착하여 상기 파장변환필름이 상기 제1 박막층과 상기 제2 박막층 사이에 봉지되도록 할 수 있다.

여기서, 상기 형광체는 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 무기 형광체 또는 양자점 형광체일 수 있다.

한편, 상기 패턴은 격자 형태 또는 도트 형태일 수 있으며, 상기 패턴의 크기나 두께는 조절 가능하다.

그리고, 상기 파장변환층은 여기광을 서로 다른 파장으로 변환할 수 있도록 교번되게 형성될 수 있다.

또한, 상기 파장변환시트는 복수의 층으로 형성될 수도 있다.

그리고, 상기 제1 박막층, 상기 파장변환필름 및 상기 제2 박막층 중 적어도 하나는 열가소성 고분자를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 반도체 증착장치는 유기금속화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 장치일 수 있다.

상기의 구성 결과, 본 발명에 따르면 대면적 웨이퍼 상에 고집적되어 매우 밝은 휘도를 갖는 발광장치의 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 대면적 웨이퍼 상에 고집적된 발광장치를 소규모로 절단하는 발광장치의 제조방법을 제공하는 것도 가능하다.

그리고, 간단한 공정으로 발광 다이오드와 다양한 파장변환광을 발광하는 양자점 또는 형광체를 포함하는 필름형 파장변환시트를 조합하는 것이 가능하므로, 사용자가 원하는 색의 빛을 발광할 수 있는 박형 발광소자 및 고연색의 백색 발광장치 제작이 보다 용이할 것이다.

또한, 필요에 따라 발광 다이오드로부터 발생한 빛을 다양한 파장으로 변환할 수 있는 파장변환시트를 간단한 공정으로 적용할 수 있으므로, 사용자 맞춤형의 발광장치를 대량 생산하는 것이 가능하다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.

그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

도 1, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치의 형성 공정을 개략적으로 도시하는 도면이고, 도 2는 도 1의 발광 다이오드를 확대하여 나타낸 도면이다.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 발광장치를 위한 배선구조(53, 55)가 일정한 간격으로 형성된 웨이퍼(50)를 마련한다. 다음, 도 3에 도시된 유기금속화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 장치(60)를 이용하여 상기 웨이퍼(50) 상에 발광 다이오드(70)를 형성하고, 와이어(W)로 발광 다이오드(70)와 배선구조(55)를 접속한다. 본 발명의 실시예에서는 질화물계의 발광 다이오드를 일 예로 하여 설명하였으므로, 질화물계의 발광 다이오드 형성에 주로 사용되는 MOCVD 장치를 반도체 증착장치로 설명하였지만, 반도체 증착장치는 이에 한정되지 않는다.

도 2 및 도 3을 참조하여 MOCVD 장치(60)를 이용한 발광 다이오드(70) 형성 공정을 살펴보면 다음과 같다.

MOCVD 장치(60)는 진공 펌프 및 배기 장치(도시하지 않음)를 구비한 배기부(66)가 접속된 반응 용기(61), 웨이퍼(50)를 적재하는 서탭터(62), 서탭터(62)를 가열하는 히터(63), 서탭터(62)를 회전 및 상하 이동시키는 제어축(64), 웨이퍼(50)를 향해 경사 또는 수평으로 원료 가스를 공급하는 석영 노즐(65), 각종 원료 가스를 발생하는 TMG(트리메틸갈륨) 가스 발생 장치(67), TMA(트리메틸알루미늄) 가스 발생 장치(68), TMI(트리메틸인듐) 가스 발생 장치(69) 등을 구비한다. 여기서, 가스 발생 장치의 수는 필요에 따라서 증감 가능하다. 질소원으로서 NH₃가 이용되고 캐리어 가스로서 H₂가 이용된다. GaN 박막을 형성할 경우에는 TMG와 NH₃, AlGaN 박막을 형성할 경우에는 TMA, TMG 및 NH₃, InGaN 박막을 형성할 경우에는 TMI, TMG 및 NH₃가 이용될 수 있다.

MOCVD 장치(60)에 의해 발광 다이오드(70)을 형성하는 예를 이하에 설명한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치(400)에서는 1개의 GaN계 청색 발광 다이오드(70)를 형성하는 것을 예로 하여 설명한다.

회로패턴이 형성된 웨이퍼(50) 상에 MOCVD 장치(60)를 이용하여 560℃의 온도에서 GaN 완충층(71)을 300Å 두께로 증착한다. 여기서, GaN 완충층(71)은 1100 ℃의 고온에서 성장하는 GaN 에피층의 성장시 발생하는 박막자유형성 에너지(nuciation free energy)를 맞춤으로써 에피층 성장시 3차원적인 성장보다는 2차원적인 횡방향 결정 성장을 촉진시켜 전위 및 결합 경계 등의 결합 밀도가 낮은 GaN 에피층을 성장시키는 역할을 한다. 웨이퍼(50) 상에 GaN 완충층(71)을 성장시킨 후 순차적으로 그 위에 Si 도핑된 N-GaN층(72)을 1100℃의 온도에서 2.5-4㎛의 두께로 성장시키고, 다시 그 위에 도핑이 되지 않은 GaN층(73)을 1100℃에서 100-150Å 두께로 성장시킨다. 또한, 상기 GaN층(73) 위에 청생 발광 활성층(74)으로 InGaN/GaN 다중 양자 우물 구조(multi quantum well structure)를 790℃에서 20/80Å 두께로 4-5 주기 성장시키며, 그 위에 Mg이 도핑된 P-GaN층(75)를 100℃에서 1000-2000Å 두께로 성장시킨다. 만약, 자색 발광 다이오드를 실시예로 하는 경우, InGaN/GaN 양자 우물 구조 대신, AlGaN/GaN 양자 우물 구조를 성장시킴으로써 형광물질의 색변환에 따른 연색성을 높일 수 있다.

상기의 P-GaN층(75) 증착 후, P-GaN층(75) 위에 Ni/Au 금속 박막층을 전자빔 금속 증착 장비를 이용하여 60/80Å의 투명 금속 박막층(76)을 형성하고, 그 위에 P형 전극(도시하지 않음)을 Ni/Au 금속으로 증착하여 형성한다. 와이어(W)로 발광 다이오드(70) 상의 P형 전극과 배선구조(55)를 접속하며, 또다른 배선구조(53)는 직접 발광 다이오드(70)와 접속한다. 그러나, 배선구조(53, 55)는 이에 한정되지 않으며 다양한 형태로 구현될 수 있을 것이다. 도 2와 같이 웨이퍼(50)를 천공하지 않고도 배선구조(53, 55)를 형성하는 것이 가능하다. 예를 들면, GaN 완충층(71)과 연결되는 배선구조는 GaN 완충층(71)을 돌출되도록 형성한 후, 돌출된 부 분및 배선구조가 접속되는 형태가 되도록 형성할 수도 있고, 투명 금속 박막층(76)과 연결되는 배선구조는 웨이퍼(50) 상에 배선구조를 형성하고 이 배선구조와 투명 금속 박막층(76)이 접속되는 형태가 되도록 형성할 수도 있다.

다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(70)가 형성된 웨이퍼(50) 상에, 발광 다이오드(70)로부터 발생하는 빛을 파장변환하는 형광체를 포함하는 파장변환시트(100)를 형성한다.

이하에서는, 도 5 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 파장변환시트(100, 200, 300)를 설명한다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장변환시트(100)를 확대하여 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 파장변환시트(200)를 확대하여 나타낸 도면이고, 도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 파장변환시트(300)를 확대하여 나타낸 도면이다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 측면에 따른 파장변환시트(100)는 제1 박막층(10), 제1 박막층(10) 상에 형성되며, 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 포함하는 파장변환필름(20), 및 파장변환필름(20) 상에 형성되는 제2 박막층(30)을 포함한다.

본 발명의 파장변환시트(100)는 제1 박막층(10), 파장변환필름(20) 및 제2 박막층(30)이 상호 압착되도록 가압되어, 파장변환필름(20)은 제1 박막층(10)과 제2 박막층(30) 사이에 봉지된다.

여기서, 파장변환필름(20)은 에폭시와 같은 고분자 수지와 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 그라인딩한 후 용매를 가해 스핀코팅과 같은 방법을 사용하여 박막을 형성한 후 건조하는 과정을 거쳐 형성할 수도 있고, 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 직접 용매를 가해 박막을 형성한 후 건조하는 과정을 거쳐 형성할 수도 있으나, 그 형성 방법은 특정 방법에 제한되지 않는다.

파장변환필름(20)에 함유된 양자점 형광체 또는 무기 형광체는 산소, 수분 등과 접촉하게 되면 손상되어 본래의 예상 수명보다 수명이 단축되는 경우가 많다. 본 발명에서와 같이, 양자점 또는 형광체가 함유된 파장변환필름(20)을 제1 박막층(10)과 제2 박막층(30) 사이에 봉지하게 되면, 산소, 수분 등과의 접촉을 차단할 수 있으므로 무기 형광체 또는 양자점 형광체의 수명 단축을 방지할 수 있다.

여기서, 제1 박막층(10), 파장변환필름(20) 및 제2 박막층(30) 중 적어도 하나는 열가소성 고분자를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 가압 또는 열처리에 의하여 제1 박막층(10), 파장변환필름(20) 및 제2 박막층(30) 간의 상호 접착이 가능하 므로 상기 고분자 박막들의 접착시에 별도의 접착제가 불필요할 수 있다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 측면에 따른 파장변환시트(200)는 제1 박막층(10'), 제1 박막층(10') 상에 형성되며, 패턴이 구비된 기재층(22') 및 패턴 내에 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 형광체를 포함하는 적어도 하나의 파장변환층(24')이 구비된 파장변환필름(20'), 및 파장변환필름(20') 상에 형성되는 제2 박막층(30')을 포함한다.

이전 실시예와 같이, 파장변환시트(200)는 제1 박막층(10'), 파장변환필름(20') 및 제2 박막층(30')이 상호 압착되도록 가압되어, 파장변환필름(20')은 제1 박막층(10')과 제2 박막층(30') 사이에 봉지된다.

이전 실시예와 마찬가지로, 제1 박막층(10)과 제2 박막층(30) 사이에 봉지하게 되면, 산소, 수분 등과의 접촉을 차단할 수 있으므로 무기 형광체 또는 양자점 형광체의 수명 단축을 방지할 수 있다.

여기서, 제1 박막층(10'), 파장변환필름(20')의 기재층(22') 및 제2 박막층(30') 중 적어도 하나는 열가소성 고분자를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 가압 또는 열처리에 의하여 제1 박막층(10'), 파장변환필름(20')의 기재층(22') 및 제2 박막층(30') 간의 상호 접착이 가능하므로 상기 고분자 박막들의 접착시에 별도의 접착제가 불필요할 수 있다.

제1 박막층(10')과 제2 박막층(30') 사이에 봉지된 파장변환필름(20')은 기재층(22')에 구비된 패턴 내에 형광체를 포함하는 파장변환층(24')을 구비하고 있어서, 특정 파장의 광이 입사되면 여기광을 파장변환하여 파장변환된 광을 발생시킬 수 있다.

여기서, 파장변환층(24')이 형성되는 패턴의 형태는 필요에 따라 변경 가능한데, 도 6에 도시된 바와 같이, 파장변환필름(20')의 기재층(22')에 격자 형태(단면도 상의 패턴은 직사각형 형태)가 되도록 패턴을 형성할 수도 있고, 도 7에 도시된 바와 같이, 도트 형태(단면도 상의 패턴은 반원 형태)가 되도록 패턴을 형성할 수도 있다.

그리고, 각각의 패턴에 여러 종류의 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 형성하여 원하는 색의 광을 얻을 수 있다. 예를 들면, 패턴에 각각 적색광, 녹색광, 청색광을 발광하는 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 교번되게 형성할 수도 있으며, LED 칩이 발광하는 특정 파장광과의 조합을 고려하여 필요에 따른 파장을 발광할 수 있는 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 교번되게 형성할 수도 있다. 또한, 파장변환필름(20')은 원하는 발광 세기에 따라서 패턴의 크기나 두께 조절이 가능하며, 도 7과 같이 파장변환필름(20")이 복수개의 층으로 구성되는 것도 가능하고, 복수개의 층으로 구성된 파장변환필름(20") 중 하나에 파장변환층(24a, 24b)이 복수개의 층으로 구비되는 것도 가능하다. 상기와 같이, 간단한 공정으로 다양한 파장광을 발광하는 형광 물질을 조합하는 것이 가능하므로, 사용자가 원하는 색의 빛을 발광할 수 있는 발광소자 및 고연색의 백색 발광소자 제작이 보다 용이할 수 있다.

파장변환필름(20, 20', 20")의 파장변환층(24, 24', 24")에는 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 무기 형광체 또는 양자점 형광체가 포함된다.

양자점 형광체는 10nm 이하의 직경을 갖는 나노크기의 발광체로서, 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 양자점 형광체는 통상의 형광체보다 강한 빛을 좁은 파장대에서 발생시킨다. 양자점 형광체의 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되는데 같은 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달라지는 특성을 나타낸다. 양자점 형광체의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하기 때문에 크기를 조절하여 원하는 파장 영역의 빛을 얻을 수 있다.

양자점 형광체는 여기파장(excitation wavelength)을 임의로 선택해도 발광하므로 여러 종류의 양자점이 존재할 때 하나의 파장으로 여기시켜도 여러가지 색의 빛을 한번에 관찰할 수 있다. 또한, 양자점 형광체는 전도대의 바닥진동상태에 서 가전자대의 바닥진동상태로만 전이하므로 발광파장이 거의 단색광인 장점이 있다.

양자점 형광체로서 나노결정을 합성하는 방법으로는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)나 MBE(molecular beamepitaxy)와 같은 기상 증착법으로 제조하거나, 유기 용매에 전구체 물질을 넣어 결정을 성장시키는 화학적 습식 방법이 이용된다.

무기 형광체는 산화물계 형광체, 황화물계 형광체 또는 질화물계 형광체 등을 원하는 변환파장에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 황색 형광체로 YAG 계열 형광체나 TAG 계열 형광체를 사용할 수 있다. 이밖에 필요에 따라 다양한 파장변환광을 발광할 수 있는 형광체 사용이 가능하다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 파장변환층(24', 24")은 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 분산매질에 분산시켜 형성할 수 있다. 분산매질은 에폭시 수지나 실리콘과 같은 수지일 수도 있고, 일반적인 용매일 수도 있다. 무기 형광체 또는 양자점 형광체를 분산매질에 분산시킨 후, 기재층(22', 22")상에 형성된 패턴에 분산매질을 도포하여 파장변환층(24', 24")을 형성할 수 있다. 파장변환층(24', 24")의 파장변환성능은 분산매질에 분산되는 무기 형광체 또는 양자점 형광체의 농도를 조절하여 선택할 수도 있다.

파장변환시트(100, 200, 300)는 파장변환층(24, 24', 24")에 포함된 무기 형광체 또는 양자점 형광체가 입사되는 광을 흡수하여 파장이 변환된 광을 발광할 수 있으며, 예를 들어 LED 패키지나 백라이트 유닛의 도광판의 반사판 또는 광학시트로 사용될 수 있다. 또한, 파장변환시트(100, 200, 300)는 기존의 프린팅 방법을 이용하여 제작 가능하며, 롤-투-롤(Roll-To-Roll) 공정 등을 이용하여 대량 생산하는 것 또한 가능하다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.

전술한 바와 같이, 복수의 발광장치를 위한 배선구조(53, 55)가 일정한 간격으로 형성된 웨이퍼(50) 상에 MOCVD 장치(60)를 이용하여 고밀도로 집적된 발광 다이오드(70) 및 형광체를 함유한 파장변환시트(100)가 구비되어 있다.

종래 발광장치와는 다르게 개별 단위로 분리하지 않고 대면적 웨이퍼(50) 상에 고집적되어 매우 밝은 휘도를 갖는 발광장치(400)를 사용하는 것이 가능하며, 또한 필요에 따라 발광장치(400)를 소규모 또는 개별 소자 단위로 절단하여 사용하는 것도 가능하다.

또한, 필요에 따라 발광 다이오드(70)로부터 발생한 빛을 다양한 파장으로 변환할 수 있는 파장변환시트를 간단한 공정으로 적용할 수 있으므로, 사용자 맞춤형의 박형 발광장치를 대량 생산하는 것이 가능하다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 따라 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 따라 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.

도 1, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치의 형성 공정을 개략적으로 도시하는 도면이다.

도 2는 도 1의 발광 다이오드를 확대하여 나타낸 도면이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장변환시트를 확대하여 나타낸 도면이다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 파장변환시트를 확대하여 나타낸 도면이다.

도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 파장변환시트를 확대하여 나타낸 도면이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10, 10', 10": 제1 박막층 20, 20', 20": 파장변환필름

22, 22', 22": 기재층 24, 24', 24": 파장변환층

30, 30', 30": 제2 박막층 50: 웨이퍼

70: 발광 다이오드 100, 200, 300: 파장변환시트

400: 발광장치

Claims

복수의 발광장치를 위한 배선구조가 일정한 간격으로 형성된 웨이퍼를 마련하는 단계;

상기 웨이퍼를 반도체 증착장치에 투입하여 상기 웨이퍼 상에 복수의 발광 다이오드를 위한 반도체 적층체를 성장시키는 단계; 및

상기 반도체 적층체 상에 형광체를 함유한 파장변환시트를 적용하는 단계;를 포함하며,

상기 파장변환시트는

제1 박막층;

상기 제1 박막층 상에 형성되며 형광체를 함유한 파장변환필름; 및

상기 파장변환필름 상에 형성된 제2 박막층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 파장변환시트가 적용된 상기 반도체 적층체를 상기 웨이퍼와 함께 절단하여 개별 발광장치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
삭제
제1항에 있어서,

상기 파장변환필름은 패턴이 구비된 기재층 및 상기 패턴 내에 형광체를 함유한 파장변환층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 제1 박막층, 상기 파장변환필름 및 상기 제2 박막층을 상호 압착하여 상기 파장변환필름이 상기 제1 박막층과 상기 제2 박막층 사이에 봉지되도록 하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 형광체는 여기광을 파장변환하여 파장변환광을 발생시키는 무기 형광체 또는 양자점 형광체인 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제4항에 있어서,

상기 패턴은 격자 형태 또는 도트 형태인 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 패턴의 크기나 두께는 조절 가능한 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제4항에 있어서,

상기 파장변환층은 여기광을 서로 다른 파장으로 변환할 수 있도록 교번되게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 파장변환시트를 복수의 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 제1 박막층, 상기 파장변환필름 및 상기 제2 박막층 중 적어도 하나는 열가소성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 반도체 증착장치는 유기금속화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 장치인 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.