KR101059458B1 - 태양전지 기판 및 그를 포함하는 태양전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 따른 태양전지 기판은, 투명기판과, 투명기판에 형성되며 X선회절패턴(XRD) 데이터를 기준으로 (0002) 결정면 대비 (
) 결정면이 3% 이상 존재하는, 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막을 포함한다.
Description
본 발명은 태양전지 기판 및 그를 포함하는 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 태양에너지를 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자이다. 태양전지는 현재 전기, 전자제품, 주택이나 건물의 전기 공급 그리고 산업 발전에 이르기까지 다양한 분야에 적용되고 있다. 태양전지의 가장 기본적인 구조는 pn 접합으로 구성된 다이오드 형태이며, 광 흡수층의 재료에 따라 구분되는데, 예컨대 광 흡수층으로 실리콘을 사용하는 실리콘 태양전지, 광 흡수층으로 구리-인듐-갈륨-셀레나이드(copper-indium-gallium selenide, CIGS) 또는 텔루르화카드뮴(CdTe) 반도체 화합물 태양전지, 다공질막의 나노입자 표면에 가시광 흡수로 전자가 여기되는 광감응 염료 분자가 흡착된 염료 감응형 태양전지, 복수개의 비정질 실리콘이 적층된 적층형 태양전지로 구분된다. 또한, 태양전지는 벌크형(단결정, 다결정 포함)과 박막형(비정질, 미세결정) 태양전지로 구분된다.
현재는 다결정 실리콘을 이용하는 벌크형 결정질 실리콘 태양전지가 전체 시장의 90%이상을 차지하고 있으며, 벌크형 결정질 실리콘 태양전지의 태양광 발전 단가는 기존의 화력, 원자력, 수력 등에 비해 최소 3배에서 최대 10배 이상 비싸다. 이는 고가의 실리콘 원료를 다량 사용하고 제조공정이 복잡한 결정질 실리콘 태양전지의 높은 제조 원가가 주요 원인이다. 이에, 최근 들어 비정질 실리콘(a-Si:H) 및 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 태양전지에 대한 연구와 상업화가 진행되고 있다.
도 1 은 종래 비정질 실리콘을 광 흡수층으로 사용하는 태양전지의 구조를 도시한다.
도시한 바와 같이, 종래 비정질 실리콘(예컨대, a-Si:H) 태양전지(110)는 투명기판(111)/투명 도전막(112)/도펀트가 도핑된 P형 비정질 실리콘(a-Si:H)(113)/도펀트가 도핑되지 않은 i형 비정질 실리콘(a-Si:H)(114)/도펀트가 도핑된 n형 비정질 실리콘(a-Si:H)(115)/후면 반사막(Back reflector)(116)을 포함한다. 이러한 p-i-n형 비정질 실리콘(a-Si:H)에서 도펀트가 도핑되지 않은 i형 비정질 실리콘(a-Si:H)(114)은 도펀트가 도핑된 P형과 n형 비정질 실리콘(a-Si:H)(113, 115)에 의해 공핍(depletion)되며 내부에서 전기장이 발생하게 된다. 입사광(hv)에 의하여 i형 비정질 실리콘(a-Si:H)(114)에서 생성된 정공-전자 쌍은 내부 전기장에 의한 드리프트에 의해 각각 P형 비정질 실리콘(a-Si:H)(113)과 n형 비정질 실리콘(a-Si:H)(115)에 수집되어 전류를 발생하게 된다.
미세결정 실리콘(μc-Si:H)은 단결정과 비정질 실리콘의 경계물질로서 수십 ㎚에서 수백 ㎚의 결정 크기를 가지며, 결정사이의 결정경계에서는 흔히 비정질상이 존재하여 높은 결함 밀도로 인해 대부분 캐리어 재결합이 발생한다. 미세결정 실리콘(μc-Si:H)의 에너지 밴드갭은 약 1.6eV로 단결정 실리콘(1.12eV)과 큰 차이가 없으며 비정질 실리콘(a-Si:H) 태양전지에서 나타나는 열화 현상이 없다. 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 태양전지의 구조는 광 흡수층을 제외하면 비정질 실리콘(a-Si:H) 태양전지와 매우 유사한 구조를 갖고 있다.
비정질 실리콘(a-Si:H) 또는 미세결정 실리콘(μc-Si:H)을 광 흡수층으로 사용하는 단일 p-i-n 접합 박막 태양전지는 광 변환 효율이 낮아 실제로 사용하는데에는 많은 제약이 있다. 따라서 비정질 실리콘(a-Si:H) 또는 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 태양전지를 이중 또는 삼중으로 적층하여 제조하는 탠덤(Tandem)형 또는 트리플(Triple) 적층형 태양전지가 사용되는데 이는 태양전지를 직렬 연결함으로서 개방전압을 높일 수 있고 입사광에 대한 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
도 2 는 종래 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지의 구조를 도시한다.
도시한 바와 같이, 종래 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지(210)는 크게 투명기판(211)/투명 도전막(212)/제1 pn 접합층(213)/터널링 pn 접합층(214)/제2 pn 접합층(215)/후면 반사막(Back reflector)(216)을 포함한다.
종래 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지(210)는 밴드갭(예컨대, E g =1.6eV)을 갖는 제1 pn 접합층(213)이 더 작은 밴드갭(예컨대, E g =1.1eV)을 갖는 제2 pn 접합층(215)의 위에 배치되어 1.6eV 보다 더 큰 에너지를 가진 광자(photon)는 제1 pn 접합층(213)에서 흡수되고, 1.1eV＜hv＜1.6eV 사이의 에너지를 가진 광자(photon)는 제1 pn 접합층(213)을 통과하나 제2 pn 접합층(215)에서 흡수된다. 태양전지의 적층수를 늘려감에 따라 높은 광전변환 효율을 얻을 수 있다.
한편, 태양전지에 사용되는 투명 도전막은 광 투과율(light transmittance)과 전기 전도도(conductivity)와 빛 가둠(light trapping) 효과가 높을 것이 요구된다. 특히 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지의 경우, 투명 도전막은 400∼1100㎚의 넓은 파장대에서 광 투과율과 헤이즈값이 높을 것이 요구된다. 또한, 투명 도전막 코팅시 수소 plasma에 대한 내구성까지 갖추어야 한다.
그런데, 현재 태양전지용 널리 사용되고 있는 산화주석(SnO2)을 주성분으로 하는 투명 도전막은 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 공정을 통해 투명 도전막 코팅시 수소 plasma 공정에서 열화현상이 발생하여 흑화되어 투과율이 감소되는 문제점이 있다. 한편, 기존의 투명 도전막으로 주로 사용되고 있는 주석 도핑 산화인듐(ITO)은 주원료인 인듐(In)이 희귀원소로 지속적인 가격상승과, 수소 plasma 공정에서 인듐(In)의 높은 환원성과 그에 따라 수반되는 화학적 불안전성 등의 문제점을 가지고 있다.
이에, 산화주석(SnO2)이나 주석 도핑 산화인듐(ITO)을 주성분으로 하는 투명 도전막을 대체할 수 있는 투명 도전막 개발에 대한 연구가 진행되고 있다. 최근에 가장 이상적인 물질로 주목받고 있는 산화아연(ZnO)이다. 산화아연(ZnO)은 도핑이 용이하고 좁은 전도대역을 가지기 때문에 도펀트에 따라 전기전도도 및 광학적 성질의 조절이 용이하다. 또한, 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하는 투명 도전막은 수소 plasma 공정에서 안정적이고, 저비용으로 제작이 가능하다.
도 3 은 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(411)의 파장대별 광 투과특성에 관한 그래프이다.
도 3에서 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(311)은 900(㎚) 이상, 1100(㎚) 이하 파장영역에서의 광 투과율이 80% 이하로 급격히 떨어진다. 즉, 산화아연(ZnO)은 도핑된 도펀트에 따라 장파장 영역(900nm 이상의)에서 광 투과율이 낮아 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지에 적용 시 광전변환효율이 낮아지는 문제점을 갖고 있다.
본 발명은 상기와 같은 배경에서 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 태양전지에 사용 가능하며 장파장 영역에서 우수한 광 투과율 특성을 갖는 태양전지 기판 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 태양전지 기판을 포함하는 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 부가적인 목적은 광전변환 효율이 높은 태양전지 기판을 제조할 수 있는 태양전지 기판 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 태양전지 기판을 포함하는 태양전지를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 양상에 따른 태양전지 기판은, 투명기판과, 투명기판에 형성되며 X선회절패턴(XRD) 데이터를 기준으로 (0002) 결정면 대비 (
) 결정면이 3% 이상 존재하는, 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막을 포함한다.
상기한 구성에 따르면, 본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 태양전지 기판은, (0002) 결정면이 많은 산화아연(ZnO) 박막 내부에 도펀트를 삽입 시 도펀트와 아연 원자 및 산소 원자 간의 공명현상이 발생하여 장파장영역에서의 광 흡수가 발생하여 투과율이 감소하게 되나, (
) 결정면이 존재하게 되면 결정면간의 극성을 차단하게 되어 도펀트와 아연 원자 및 산소 원자 간의 공명형상이 저하되어 장파장영역, 특히 900(㎚) 이상, 1100(㎚) 이하 파장영역에서의 광 투과율이 80% 이상을 충족시키는 유용한 효과가 있다.
도 1 은 종래 비정질 실리콘을 광 흡수층으로 사용하는 태양전지의 구조를 도시한다.
도 2 는 종래 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지의 구조를 도시한다.
도 3 은 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(411)의 파장대별 광 투과특성에 관한 그래프이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 기판 제조방법을 도시한다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 기판의 구조를 도시한다.
도 6 은 본 발명에 따른 태양전지 기판의 X선회절패턴(XRD) 데이터 특성에 관한 그래프이다.
도 7 은 본 발명에 따른 태양전지 기판에 사용되는 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막의 파장대별 광 투과특성에 관한 그래프이다.
도 2 는 종래 탠덤(Tandem)형 박막 태양전지의 구조를 도시한다.
도 3 은 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막(411)의 파장대별 광 투과특성에 관한 그래프이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 기판 제조방법을 도시한다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 기판의 구조를 도시한다.
도 6 은 본 발명에 따른 태양전지 기판의 X선회절패턴(XRD) 데이터 특성에 관한 그래프이다.
도 7 은 본 발명에 따른 태양전지 기판에 사용되는 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막의 파장대별 광 투과특성에 관한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 전술한, 그리고 추가적인 양상을 기술되는 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 기판 제조방법을 도시한다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지 기판 제조방법은, 먼저 투명기판을 준비한다(S411). 일례로, 투명기판은 증착될 물질로 구현되는 스퍼터링 타겟이 설치된 스퍼터링 챔버에 설치될 수 있다.
이후, 이후, 투명기판에 이물질 용출 방지막을 형성한다(S412). 이물질 용출 방지막은 투명기판의 내부로부터 이물질이 용출되는 것을 막아주는 역할을 한다. 일례로, 이물질 용출 방지막은 산화규소(SiO2) 또는 산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 구현될 수 있다.
이후, 투명기판에 X선회절패턴(XRD) 데이터를 기준으로 (0002) 결정면 대비 (
) 결정면이 3% 이상 존재하는, 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층을 형성한다(S413). 일례로, 산화아연(ZnO)에 도핑되는 도펀트는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 붕소(B) 중 어느 하나로 구현될 수 있다.
여기서, X선회절패턴(XRD) 데이터를 기준으로 (0002) 결정면 대비 (
) 결정면이 3% 이상 존재하도록 하기 위해, 일례로, 스퍼터링 챔버의 압력을 10mTorr 이상, 50mTorr 이하로 유지시키면서 투명기판 온도를 200℃ 이상, 300℃ 이하로 유지시킨다.
이후, 산화아연(ZnO) 박막층이 형성된 투명기판을 투명기판의 전이온도 이하의 가열온도로 1분 이상, 30분 이하 동안 가열한다(S414). 일례로, 가열온도는 250℃ 이상, 500℃ 이하가 바람직하다. 일례로, 열처리 공정은 RTA(rapid thermal annealing), 레이저조사를 이용한 가열법 등이 사용될 수 있다. 또한, 열처리 공정은 질소, 헬륨 또는 아르곤 등의 비활성 기체 분위기에서 이루어진다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 기판의 구조를 도시한다.
도시한 바와 같이 본 발명에 따른 태양전지 기판(510)은 투명기판(511)과, 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층(512)을 포함하여 구현될 수 있다.
투명기판(511)은 박막 태양전지 셀을 지지하는 유리로서 두께가 5mm 이하이며, 광 투과율이 90% 이상인 것으로 구현될 수 있다. 다른 예로,투명기판(511)은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기물 필름으로서 주로 폴리머 계열의 물질, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEtylene Terephthalate, PET), 아크릴(Acryl), 폴리카보네이트(Polycabonate, PC), 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate), 폴리에스테르(Polyester), 에폭시 아크릴레이트(Epoxy Acrylate), 브롬화 아크릴레이트(Brominate Acrylate), 폴리염화비닐(PolyVinyl Chloride, PVC)로 구현될 수 있다.
산화아연(ZnO) 박막층(512)은 광전변환에 의해 발생된 전류를 흘려주는 것으로, 높은 도전성과 광 투과율을 갖는 금속물질로 구현된다. 통상적으로 산화아연(ZnO) 박막층(512)의 면저항은 보통 15(Ω/□)이하가 되어야 광전변환효율이 좋다. 산화아연(ZnO) 박막층(512)의 면저항은 표1 과 같이 산화아연(ZnO) 박막층(512)의 막 두께와 상관이 있다.
| 막두께(㎚) | 450 | 700 | 900 |
| 면저항(Ω/□) | 14 | 9 | 7 |
표 1에 나타난 바와 같이, 산화아연(ZnO) 박막층(512)은 막 두께가 450㎚이상인 경우 면저항은 보통 15(Ω/□) 이하가 된다. 산화아연(ZnO) 박막층(512)은 막 두께가 900㎚이상인 경우에는 면저항은 작아지지만, 광투과율이 떨어져 태양전지 셀의 광전변환효율이 저하되며, 도전막을 형성하기 위한 제조비용이 커지는 단점이 있다.
산화아연(ZnO) 박막층(512)은 도핑이 용이하고 좁은 전도대역을 가지기 때문에 도펀트에 따라 전기전도도 및 광학적 성질의 조절이 용이하다. 산화아연(ZnO)의 전기적인 성질은 거의 부도체에 가깝기 때문에 전기 전도성을 부여하기 위해 도펀트(dopant)가 주입된 산화아연(ZnO)이 사용된다. 그런데, 산화아연(ZnO)에 도펀트가 15중량% 이상 포함될 경우, 결정성 저하가 발생하여 산화아연(ZnO) 박막층(512)의 결정립 크기가 저하된다. 이에 산화아연(ZnO) 박막층(512)은 산화아연(ZnO)에 도펀트가 0.1중량% 이상, 15중량% 이하 함유된다. 바람직하게는 0.1중량% 이상, 5중량% 이하 함유된다. 여기서, 산화아연(ZnO)에 도핑된 도펀트는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 붕소(B) 중 어느 하나가 도핑되거나 둘 이상이 도핑될 수 있다. 일례로, 산화아연(ZnO)에 도핑된 도펀트가 2개 이상인 코도핑(Co-doping)도 가능하다. 바람직하게는 산화아연(ZnO)에 도핑된 도펀트는 내습성이 상대적으로 우수한 갈륨(Ga) 또는 알루미늄(Al)으로 구현된다.
산화아연(ZnO) 박막층(512)은 펄스레이저증착(Pulsed Laser Deposition, PLD), 분자빔증착(Molecular Beam Epitaxy), 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD), 대기압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD), 스퍼터링(Sputtering) 등으로 형성될 수 있다.
도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층(512)은 결정 구조내 산소 빈 격자리(vacancy), 아연 틈새자리(interstitial site)에 위치한 도펀트가 아연 격자자리로 이동되어, 도펀트에 의한 외부전자공여체(extrinsic donor) 농도가 증가되고, 반면에 자유전하 흡수(free carrier absorption)에 기여하는 산소 빈격자자리(vacancy), 아연 틈새자리(interstitial site)는 감소된다. 이에 본 발명에 따른 태양전지 기판(510)은 열처리 공정을 통해 장파장대 영역에서의 광 투과율을 개선시킬 수 있다.
일례로, 열처리 공정은 RTA(rapid thermal annealing), 레이저조사를 이용한 가열법 등이 사용될 수 있다. 또한, 열처리 공정은 질소, 헬륨 또는 아르곤 등의 비활성 기체 분위기에서 이루어지며, 열처리 온도는 투명기판(511)의 전이온도 이하의 가열온도로 1분 이상, 30분 이하로 구현된다. 바람직하게 열처리 온도는 250℃이상, 500℃ 이하의 온도로 구현된다.
본 발명의 부가적인 양상에 따라 본 발명에 따른 태양전지 기판(510)은 이물질 용출 방지막(513)을 더 포함하여 구현될 수 있다.
이물질 용출 방지막(513)은 투명기판(511)과 산화아연(ZnO) 박막층(512) 사이에 형성되며, 투명기판(511), 예컨대 소다라임유리(Sio2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트유리(SiO2-Al2O-Na2O)의 내부로부터 이물질, 예를 들어 나트륨(Na+)이온과 같은 알칼리이온이 용출되는 것을 막아준다. 바람직하게는, 이물질 용출 방지막(513)은 산화규소(SiO2) 또는 산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 이물질 용출 방지막(513)은, 막 두께 조절을 통해 투명기판(511)과의 굴절률 매칭이 가능하다. 이에 이물질 용출 방지막(513)은 투명기판(511) 표면에서 입사광이 반사되는 것을 방지할 수 있다. 투명기판(511)을 붕규산 유리(Borosilicate glass)를 사용한다면 별도의 이물질 용출 방지막 없이, 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하는 투명 도전막 코팅도 가능하다.
도 6 은 본 발명에 따른 태양전지 기판의 X선회절패턴(XRD) 데이터 특성에 관한 그래프이고, 도 7 은 본 발명에 따른 태양전지 기판에 사용되는 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막의 파장대별 광 투과특성에 관한 그래프이다. 여기서, 태양전지 기판은 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층을 포함하는 것을 예시한다.
도 6의 (A)는 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층을 포함하는 태양전지 기판에 열처리 전의 X선회절패턴(XRD) 데이터를, 도 6의 (B)는 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층을 포함하는 태양전지 기판에 열처리 후의 X선회절패턴(XRD) 데이터를 도시한 것이다.
도 6의 (A)에서, 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층의 X선회절패턴(XRD) 데이터에는 34.2°부근에서 (0002) 피크가 33.7°부근에서 (1000) 피크가 나타난다. 한편, 도 6의 (B)에서, 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층의 X선회절패턴(XRD) 데이터에는 34.2°부근에서 (0002) 피크가 37.5°부근에서 (
) 피크가 나타난다.
도 7에서, 참조번호 721은 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층은 열처리 전의 광 투과율 데이터 곡선이고, 참조번호 722는 갈륨(Ga) 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층은 열처리 후의 광 투과율 데이터 곡선이다. 참조번호 722의 광 투과율 데이터 곡선을 보면, 900(㎚) 이상, 1100(㎚) 이하 파장영역에서의 광 투과율이 80% 이상임을 알 수 있다.
지금까지, 본 명세서에는 본 발명이 하는 기술 분야에서 통상의 지식을 지닌 자가 본 발명을 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 도면에 도시한 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 실시예들로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
510: 태양전지 기판
511: 투명기판 512: 산화아연(ZnO) 박막층
513: 이물질 용출 방지막
511: 투명기판 512: 산화아연(ZnO) 박막층
513: 이물질 용출 방지막
Claims (7)
- 투명기판; 및
상기 투명기판에 형성되며, X선회절패턴(XRD) 데이터를 기준으로 (0002) 결정면 대비 () 결정면이 3% 이상 존재하는, 도펀트가 도핑된 산화아연(ZnO) 박막층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 산화아연(ZnO) 박막층은,
상기 산화아연(ZnO)에 도핑되는 도펀트가 0.1중량% 이상, 5중량% 이하 함유되고, 박막 두께가 450㎚이상, 900㎚이하인 것을 특징으로 하는 태양전지 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 산화아연(ZnO)에 도핑되는 도펀트는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 붕소(B) 중 어느 하나가 도핑되거나 둘 이상이 도핑되는 것을 특징으로 하는 태양전지 기판. - 제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전막이:
상기 투명기판과 산화아연(ZnO) 박막층 사이에 형성되며, 상기 투명기판의 내부로부터 이물질이 용출되는 것을 막아주는 이물질 용출 방지막;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 기판. - 제 4 항에 있어서,
상기 이물질 용출 방지막이,
산화규소(SiO2) 또는 산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지 기판. - 청구항 1 항 내지 청구항 5 항 중 어느 한 항에 기재된 태양전지 기판 제조방법으로 제조된 태양전지 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 6 항에 있어서,
상기 태양전지가 탠덤(Tandem)형 태양전지, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드(copper-indium-gallium selenide, CIGS) 또는 텔루르화카드뮴(CdTe) 반도체 화합물 태양전지, 염료 감응형 태양전지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지.
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