KR101057653B1 - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자에 있어서, 특히 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 층간절연막 상에 형성되는 패시베이션막을 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께로 하여 이웃하는 픽셀들로 입사된 빛의 위상이 서로 반전되어 포토다이오드에 전달되도록 함으로써 픽셀들 간에 일어나는 상쇄 간섭으로 입사 광의 회절 현상을 제거해 주는 발명이다. 특히, 이미지 정보가 광 경로의 중간에 서로 섞이는 크로스 토크(cross talk) 현상을 없애줄 수 있는 발명이다.
이미지 센서, 패시베이션막, 위상차, 위상 반전, 컬러 필터층, 마이크로렌즈

Description

이미지 센서 및 그 제조 방법{image sensor, and method of manufacturing thereof}
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로서, 특히 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자이다.
이미지 센서는 크게 전하 결합 소자(CCD: Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서로 분류될 수 있다.
씨모스 이미지 센서는, 주변회로인 제어 회로(Control Circuit) 및 신호 처리 회로(Signal Processing Circuit)를 동시에 집적할 수 있는 CMOS 기술을 이용하여 픽셀수 만큼의 MOS 트랜지스터를 만들고 이를 통해 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용한다.
CMOS 이미지 센서는 포토다이오드(Photo Diode) 및 복수의 MOS 트랜지스터로 구성되며, 기본적으로 이미지 센서 칩의 전후로부터 입사되는 빛 즉, 가시광선을 전기적 신호로 변환하여 영상화한다.
최근에는 수평형 구조와 달리 하나의 픽셀에서 다양한 컬러를 구현할 수 있는 수직형 포토다이오드를 갖는 수직형 이미지 센서(vertical image sensor)가 널리 사용되고 있다.
종래의 일반적인 CMOS 이미지 센서는 다음과 같이 제조된다.
반도체기판에 적어도 하나의 포토다이오드를 형성한다. 이어, 그 포토다이오드를 포함하는 반도체기판 상에 금속배선들을 포함하는 다층구조의 층간절연막을 형성한다.
이어 층간절연막 상에 산화물이나 질화물을 증착하여 패시베이션막(Passivation layer)을 형성한다. 그리고, 상기 패시베이션막 상에 포토다이오드에 대응되는 적어도 하나의 컬러 필터층을 형성한 후에 최종적으로 적어도 하나의 마이크로렌즈를 형성한다. 물론, 마이크로렌즈 하부에 평탄화층을 더 구비할 수 있다.
상기와 같은 공정을 통해 제조되는 이미지 센서에서 패시베이션막은 픽셀들마다 동일한 두께로 형성되는 것이 일반적이다.
도 1은 종래의 일반적인 이미지 센서 구조에 빛(입사 광)이 입사되는 형상을 나타낸 도면이고, 도 2a 및 2b는 종래의 일반적인 이미지 센서에 입사되는 빛에 따른 일렉트릭 필드(electric field)와 광도(intensity)의 프로파일을 나타낸 그래프들이다.
한편, 최근에는 이미지 센서의 픽셀 크기가 작아지고 있는 추세인데, 종래와 같이 패시베이션막이 픽셀들마다 동일한 두께로 형성되면, 픽셀들을 통과하는 빛의 위상은 같게 된다.
즉, 도 2a에 도시된 일렉트릭 필드(electric field)의 프로파일에서 알 수 있듯이, 이웃하는 픽셀들 간에 위상이 서로 같게 된다.
그에 따라, 도 2b에 도시된 광도의 프로파일에서 알 수 있듯이, 이웃하는 픽셀들 간에 보간 간섭이 발생한다. 상세하게, 입사 광의 회절 현상에 의해 광도 프로파일의 열화가 발생한다. 특히, 포토다이오드의 크기보다 초점의 크기가 커지는 경우에는 그 열화가 더욱 심해진다.
나아가 상기한 문제로 인하여, 점점 픽셀 크기가 작아지고 있는 최근 기술에서 이미지 정보가 광 경로의 중간에 서로 섞이는 크로스 토크(cross talk) 정도가 전체 이미지 센서의 품질에 좋지 않은 영향을 미치고 있다.
본 발명의 목적은 상기한 점들을 감안하여 안출한 것으로, 광 경로 상에 형성되는 막층의 두께 조절을 통해 이웃하는 픽셀들 간에 발생되는 보간 간섭을 제거하여, 입사 광의 회절 현상에 의해 광도 프로파일이 열화되는 것을 방지하도록 해주는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은, 광 경로 상에 형성되는 막층의 두께 조절을 통해 픽셀 크기가 점점 작아지는 환경 하에서도 이미지 정보가 광 경로의 중간에 서로 섞이는 크로스 토크(cross talk) 현상을 최소화해주는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서 제조 방법의 일 특징은, 포토다이오드를 포함하는 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막 상에 이웃하는 픽셀 간에 단차를 갖는 패시베이션막을 형성하는 단계와, 상기 단차를 갖는 패시베이션막 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션막의 단차에 의해 형성되는 상기 컬러 필터층의 굴곡면을 평탄화하는 단계와, 상기 평탄화된 컬러 필터층 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계로 이루어지고, 상기 단차를 갖는 패시베이션막을 형성하는 단계는 상기 층간절연막 상에 프리패시베이션막(pre-passivation layer)을 형성하는 단계와, 상기 프리패시베이션막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 포토레지스트를 패터닝하여 단위 픽셀의 간격으로 포토레지스트를 제거함으로써 체커판 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 프리패시베이션막의 노출 부위를 일정 깊이만큼 식각하는 단계로 이루어지며, 상기 노출 부위를 식각함에 있어서, 상기 노출 부위에 해당하는 제1픽셀로 입사된 빛의 위상과 상기 제1픽셀에 이웃하는 제2픽셀로 입사된 빛의 위상이 반전되어 상기 포토다이오드에 전달되는 깊이로 상기 노출부위를 식각하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서 제조 방법의 다른 특징은, 포토다이오드를 포함하는 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막 상에 이웃하는 픽셀 간에 단차를 갖는 패시베이션막을 형성하는 단계와, 상기 단차를 갖는 패시베이션막 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계와, 상기 컬러 필터층 상부에 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계로 이루어지고, 상기 컬러 필터층을 상기 단차를 갖는 패시베이션막 상에 동일한 두께로 형성하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서의 일 특징은, 포토다이오드를 포함하는 반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막과, 상기 층간절연막 상에 형성되며, 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께를 갖는 패시베이션막과, 상기 패시베이션막 상에 형성되며, 평탄화된 상부면을 갖는 컬러 필터층과, 상기 컬러 필터층 상에 마이크로렌즈로 구성되고, 상기 패시베이션막은 제1 두께를 갖는 제1 부분과, 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함하여 이루어지되, 상기 제2 두께는 상기 제1 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상에 대해 상기 제2 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상이 반전되는 두께인 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서의 다른 특징은, 포토다이오드를 포함하는 반도체기판과, 상기 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막과, 상기 층간절연막 상에 형성되며, 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께를 갖는 패시베이션막과, 상기 패시베이션막 상에 형성되며, 픽셀마다 동일한 두께로 형성되는 컬러 필터층과, 상기 컬러 필터층 상에 평탄화층과, 상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈로 구성되고, 상기 패시베이션막은, 제1 두께를 갖는 제1 부분과, 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함하여 이루어지되, 상기 제2 두께는 상기 제1 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상에 대해 상기 제2 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상이 반전되는 두께인 것이다.
본 발명에 따르면, 광 경로 상에 형성되는 패시베이션막을 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께로 형성함으로써, 이웃하는 픽셀들 간에 발생되는 보간 간섭을 제거해 준다. 그리하여 이웃하는 픽셀들로 입사된 빛의 위상이 서로 반전되어 포토 다이오드에 전달됨으로써 입사 광의 회절 현상에 의해 광도 프로파일이 열화되는 것을 방지해 준다. 즉, 이웃하는 픽셀들 간에 위상이 반전되어 포토다이오드에 전달됨으로써, 그 픽셀들 간에 일어나는 상쇄 간섭으로 입사 광의 회절 현상을 제거해 준다.
나아가, 픽셀 크기가 점점 작아지는 기술 환경 하에서도 이미지 정보가 광 경로의 중간에 서로 섞이는 크로스 토크(cross talk) 현상이 극히 발생되지 않도록 해준다.
결국, 이미지 센서의 전체 품질 향상에 도움을 준다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시 예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법의 바람직한 실시 예를 자세히 설명한다.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 절차를 나타낸 공정 단면도로써, 본 발명의 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서일 수 있다. 그리고, 도 4는 본 발명에 따른 패시베이션막의 식각을 위한 포토레지스트 패턴을 나타낸 도면이 고, 도 5a 및 5b는 본 발명의 이미지 센서에 입사되는 빛에 따른 일렉트릭 필드(electric field)와 광도(intensity)의 프로파일을 나타낸 그래프들이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 반도체기판 상에 다수 금속배선(미도시)을 포함하는 층간절연막(10)을 형성하고, 이어 층간절연막(10) 상에 실리콘질화막의 프리패시베이션막(pre-passivation layer)(20)을 형성한다. 여기서, 반도체기판은 포토다이오드를 포함하는 것이 바람직하며, 층간절연막(10)은 다수 금속배선들을 포함하는 다층구조로 형성될 수 있다.
이어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 프리패시베이션막(20) 상에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상 공정을 통해 그 포토레지스트를 패터닝한다. 상기 포토레지스트에 대한 패터닝으로 단위 픽셀의 간격으로 포토레지스트를 제거하여 도 4에 도시된 체커판 형상의 포토레지스트 패턴을 형성한다. 즉, 도 3b에 도시된 바와 같이, 이웃하는 픽셀1과 픽셀2 중에서 픽셀1에 도포된 포토레지스트를 제거하고 픽셀2에만 포토레지스트(30)를 남긴다. 이와 같이, 서로 이웃하는 픽셀들 중 하나에는 포토레지스트가 제거되고 다른 하나에는 포토레지스트(30)가 남는 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이어, 도 4에 도시된 포토레지스트 패턴을 이용하여 프리패시베이션막(20)의 노출 부위를 일정 깊이만큼 식각한다. 상기 포토레지스트 패턴을 이용한 식각으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 층간절연막(10) 상에 이웃하는 픽셀 간에 단차를 갖는 패시베이션막(20a)을 형성한다.
상기 프리패시베이션막(20)의 노출 부위에 대한 식각 시, 그 식각 깊이는 이 웃하는 픽셀1과 픽셀2 간에 위상차를 고려하여 정해진다. 즉, 프리패시베이션막(20)의 노출 부위를 식각함에 있어서, 이웃하는 두 픽셀들 중 픽셀1의 위상에 대해 픽셀2의 위상이 반전되도록 그 식각 깊이를 정한다.
그에 따라, 노출 부위에 해당하는 픽셀1로 입사된 빛의 위상과 픽셀1에 이웃하는 픽셀2로 입사된 빛의 위상이 반전되어 포토다이오드에 전달되도록, 픽셀1에 해당하는 프리패시베이션막(20)의 노출 부위를 식각한다.
일 예로, 노출 부위에 해당하는 픽셀1로 입사된 빛과 픽셀1에 이웃하는 픽셀2로 입사된 빛이 180도 위상차로 포토다이오드에 전달되도록, 상기 노출 부위를 식각할 수 있다. 이와 같이 이웃하는 픽셀 간에 패시베이션막(20a)의 두께를 달리함으로써, 이웃하는 픽셀들 간에 그 픽셀 경계에서 상쇄 간섭이 생기며, 이웃하는 픽셀들 간에 발생되는 보간 간섭은 없앨 수 있다.
상세하게, 도 5a에 도시된 일렉트릭 필드(electric field)의 프로파일에서 알 수 있듯이, 이웃하는 픽셀들 간에 위상이 반전된다. 즉, 픽셀1을 통과하는 빛의 위상 0도를 기준으로 이웃하는 픽셀2를 통과하는 빛의 위상은 180도가 된다.
그에 따라, 도 5b에 도시된 광도의 프로파일에서 알 수 있듯이, 이웃하는 픽셀들 간에 그 픽셀 경계에서 상쇄 간섭이 발생한다. 그 상쇄 간섭은 픽셀 경계에서의 광 회절 현상을 제거할 수 있으며, 포토다이오드의 크기보다 초점의 크기가 커지는 경우에도 광도 프로파일의 열화가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이어, 단차를 갖는 패시베이션막(20a) 상에 컬러 필터층(40,41)와 마이크로렌즈(60)를 순차적으로 형성한다.
상기 컬러 필터층(40,41)과 마이크로렌즈(60)를 형성하는 하나의 예를 도 3d를 참조하여 설명한다.
단차를 갖는 패시베이션막(20a) 상에 컬러 필터층(40,41)을 픽셀 단위에서 동일한 두께로 형성한다. 그에 따라, 패시베이션막(20a)의 단차에 의해 픽셀1에 형성되는 컬러 필터층(41)과 픽셀2에 형성되는 컬러 필터층(40) 간에도 단차 또는 굴곡면이 생긴다.
상기 컬러 필터층(40,41) 간의 단차 또는 굴곡면을 보상하여 평탄화면을 형성하기 위해, 컬러 필터층(40,41) 상부에 평탄화층(50)을 형성한다.
이어, 상기 평탄화층(50) 상에 마이크로렌즈(60)를 형성한다.
상기 컬러 필터층(40,41)과 마이크로렌즈(60)를 형성하는 다른 예를 설명한다.
단차를 갖는 패시베이션막(20a) 상에 컬러 필터층(40,41)을 형성한다. 그에 따라, 패시베이션막(20a)의 단차에 의해 픽셀1에 형성되는 컬러 필터층(41)과 픽셀2에 형성되는 컬러 필터층(40) 간에도 굴곡면이 형성된다.
컬러 필터층(40,41)의 굴곡면을 제거하기 위해, 그 굴곡면을 평탄화한다.
그리고, 그 평탄화된 컬러 필터층(40,41) 상에 마이크로렌즈(60)를 형성할 수 있다.
이어, 상기한 도 3a 내지 3d를 통해 설명된 공정을 통해 형성되는 이미지 센서에 대해 도 3d를 참조하여 이하 상세한다.
포토다이오드를 포함하는 반도체기판 상에 다수 금속배선(미도시)을 포함하 는 층간절연막(10)이 구비된다. 여기서, 층간절연막(10)은 다수 금속배선들을 포함하는 다층구조일 수 있다.
층간절연막(10) 상에 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께를 갖는 패시베이션막(20a)이 구비된다. 여기서, 패시베이션막(20a)은 실리콘질화막일 수 있다.
패시베이션막(20a)이 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께를 가짐으로써 이웃하는 픽셀에 구비되는 패시베이션막(20a) 간에는 단차가 생긴다.
따라서, 소자 전체 중 2개의 픽셀로 볼 때, 패시베이션막(20a)은 제1 두께를 갖는 제1 부분과, 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함한다. 여기서, 제1 부분이 픽셀2의 패시베이션막 부분이고, 제2 부분이 픽셀1의 패시베이션막 부분이다.
한편, 상기 이웃하는 픽셀 간에 구비되는 패시베이션막(20a)의 두께는 다음과 같이 정할 수 있다.
일 예로, 보다 얇은 두께를 갖는 제2부분에 해당하는 픽셀1로 입사된 빛의 위상에 대해 보다 두꺼운 제1부분에 해당하는 픽셀2로 입사된 빛의 위상이 반전되도록, 제1 또는 2 두께를 정한다. 특히 제2 부분이 식각되는 부분이므로 제2 두께가 이웃하는 픽셀 간에 반전되는 위상이 되도록 식각 깊이를 조절한다.
구체적인 예로써, 보다 얇은 두께를 갖는 제2부분에 해당하는 픽셀1로 입사된 빛의 위상과 보다 두꺼운 제1부분에 해당하는 픽셀2로 입사된 빛의 위상이 서로 180도 위상차가 되도록 제1 및 2 두께를 정한다.
그에 따라, 보다 얇은 두께를 갖는 제2부분에 해당하는 픽셀1로 입사된 빛과 보다 두꺼운 제1부분에 해당하는 픽셀2로 입사된 빛이 서로 180도 위상차로 포토다이오드에 전달되도록 제1 및 2 두께를 형성한다.
상기 이웃하는 픽셀 간에 단차가 생긴 패시베이션막(20a) 상에 컬러 필터층(40,41)과 마이크로렌즈(60)가 구비된다.
일 예로, 상기 이웃하는 픽셀 간에 단차가 생긴 패시베이션막(20a) 상에 구비되는 컬러 필터층(40,41)은 평탄화된 상부면을 가진다. 따라서, 이웃하는 픽셀에 구비되는 컬러 필터층(40,41)은 하부의 패시베이션막(20a)의 단차에 영향을 받아서 서로 다른 두께를 갖는다. 그리고, 컬러 필터층(40,41)의 상부면에 마이크로렌즈(60)가 구비된다.
다른 예로써, 상기 이웃하는 픽셀 간에 단차가 생긴 패시베이션막(20a) 상에 구비되는 컬러 필터층(40,41)이 각 픽셀마다 동일한 두께를 가질 수 있다. 그에 따라, 컬러 필터층(40,41)이 형성된 결과물도 이웃하는 픽셀 간에 단차를 갖는다. 상기한 단차를 보상하기 위해, 컬러 필터층(40,41) 상에 평탄화층(50)이 구비된다. 그리고, 그 평탄화층(50) 상에 마이크로렌즈(60)가 구비된다.
한편, 상기에서 컬러 필터층(40.41)은 컬러 필터 어레이인 베이어 필터(bayer filter)가 사용된다. 그에 따라 컬러 필터층(40,41)은 레드(red), 그린(green) 및 블루(blue) 필터를 포함하여 이루어진다. 그런데, 특히 패시베이션막(20a) 중에서 보다 얇은 두께를 갖는 픽셀1의 제2부분 상에 그린(green) 필터가 구비되는 것이 바람직하다.
지금까지 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 설명하였으나, 본 발명이 속하 는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 변형된 형태로 구현할 수 있을 것이다.
그러므로 여기서 설명한 본 발명의 실시 예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 상술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 종래의 일반적인 이미지 센서 구조에 빛(입사 광)이 입사되는 형상을 나타낸 도면
도 2a 및 2b는 종래의 일반적인 이미지 센서에 입사되는 빛에 따른 일렉트릭 필드(electric field)와 광도(intensity)의 프로파일을 나타낸 그래프들
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 절차를 나타낸 공정 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 패시베이션막의 식각을 위한 포토레지스트 패턴을 나타낸 도면.
도 5a 및 5b는 본 발명의 이미지 센서에 입사되는 빛에 따른 일렉트릭 필드(electric field)와 광도(intensity)의 프로파일을 나타낸 그래프들
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 층간절연막 20: 프리패시베이션막
20a : 패시베이션막 30 : 포토레지스트 패턴
40,41 : 컬러 필터층 50 : 평탄화층
60 : 마이크로렌즈

Claims (12)

  1. 포토다이오드를 포함하는 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간절연막 상에 이웃하는 픽셀 간에 단차를 갖는 패시베이션막을 형성하는 단계;
    상기 단차를 갖는 패시베이션막 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계;
    상기 패시베이션막의 단차에 의해 형성되는 상기 컬러 필터층의 굴곡면을 평탄화하는 단계;
    상기 평탄화된 컬러 필터층 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계로 이루어지고,
    상기 단차를 갖는 패시베이션막을 형성하는 단계는
    상기 층간절연막 상에 프리패시베이션막(pre-passivation layer)을 형성하는 단계와,
    상기 프리패시베이션막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와,
    상기 포토레지스트를 패터닝하여 단위 픽셀의 간격으로 포토레지스트를 제거함으로써 체커판 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 프리패시베이션막의 노출 부위를 일정 깊이만큼 식각하는 단계로 이루어지며,
    상기 노출 부위를 식각함에 있어서,
    상기 노출 부위에 해당하는 제1픽셀로 입사된 빛의 위상과 상기 제1픽셀에 이웃하는 제2픽셀로 입사된 빛의 위상이 반전되어 상기 포토다이오드에 전달되는 깊이로 상기 노출부위를 식각하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
  2. 포토다이오드를 포함하는 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간절연막 상에 이웃하는 픽셀 간에 단차를 갖는 패시베이션막을 형성하는 단계;
    상기 단차를 갖는 패시베이션막 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계;
    상기 컬러 필터층 상부에 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계로 이루어지고,
    상기 컬러 필터층을 상기 단차를 갖는 패시베이션막 상에 동일한 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서, 상기 노출 부위에 해당하는 제1픽셀로 입사된 빛과 상기 제1픽셀에 이웃하는 제2픽셀로 입사된 빛이 180도 위상차로 상기 포토다이오드에 전달되는 깊이로 상기 노출 부위를 식각하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
  7. 포토다이오드를 포함하는 반도체기판;
    상기 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막;
    상기 층간절연막 상에 형성되며, 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께를 갖는 패시베이션막;
    상기 패시베이션막 상에 형성되며, 평탄화된 상부면을 갖는 컬러 필터층; 그리고
    상기 컬러 필터층 상에 마이크로렌즈로 구성되고,
    상기 패시베이션막은,
    제1 두께를 갖는 제1 부분과, 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함하여 이루어지되,
    상기 제2 두께는 상기 제1 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상에 대해 상기 제2 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상이 반전되는 두께인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  8. 포토다이오드를 포함하는 반도체기판;
    상기 반도체기판 상에 다수 금속배선을 포함하는 층간절연막;
    상기 층간절연막 상에 형성되며, 이웃하는 픽셀 간에 서로 다른 두께를 갖는 패시베이션막;
    상기 패시베이션막 상에 형성되며, 픽셀마다 동일한 두께로 형성되는 컬러 필터층;
    상기 컬러 필터층 상에 평탄화층; 그리고
    상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈로 구성되고,
    상기 패시베이션막은,
    제1 두께를 갖는 제1 부분과, 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함하여 이루어지되,
    상기 제2 두께는 상기 제1 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상에 대해 상기 제2 부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛의 위상이 반전되는 두께인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  9. 삭제
  10. 제 7 또는 제 8 항에 있어서, 상기 컬러 필터층은,
    레드(red), 그린(green) 및 블루(blue) 필터를 포함하여 이루어지되, 상기 패시베이션막 중 상기 제2 부분 상에 그린(green) 필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  11. 제 7 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제2 두께는,
    상기 제1부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛과 상기 제2부분에 해당하는 픽셀로 입사된 빛이 180도 위상차로 상기 포토다이오드에 전달되는 두께인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  12. 제 7 또는 8 항에 있어서, 상기 패시베이션막은 실리콘질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
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