CN101740507A - 图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种图像传感器及其制造方法。根据本发明，在层间介电层上形成的钝化层对于邻近像素具有不同厚度，并且入射在邻近像素上的光的相位在被传送至光电二极管之前被反相。结果，在所述像素之间相长干涉引起的入射光的衍射被去除。特别地，防止了串扰，即在光通道中图像信息串扰。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求申请日为2008年11月7日的韩国专利申请号10-2008-0110194的优先权，在此通过援引将该申请的全部内容合并于本申请中。
技术领域
本发明涉及一种半导体器件，更特别地涉及一种半导体器件的图像传感器及其制造方法。
背景技术
通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。
图像传感器可以分成电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
这种CMOS图像传感器生成与像素数量一样多的MOS晶体管，并通过CMOS技术能够将这些MOS晶体管同时集成到控制电路和信号处理电路中，而所述控制电路和信号处理电路是外围电路。然后，CMOS图像传感器进行切换以检测输出。
CMOS图像传感器包括一光电二极管和多个MOS晶体管，并且所述CMOS图像传感器通常将从图像传感器芯片的背部和前部入射的光(即可见光线)转换成电信号。
目前，垂直型图像传感器已被广泛地使用，这类垂直型图像传感器包括垂直型光电二极管，与水平结构相比，所述垂直型图像传感器的能够从单个像素呈现出多种颜色。
传统的CMOS图像传感器是根据如下方法制造的。
在衬底上形成至少一个光电二极管，并且在形成有光电二极管的衬底上形成具有金属线的多层层间介电层。
然后，在层间介电层上沉积氧化物或氮化物以形成钝化层。在钝化层上形成与光电二极管相对应的至少一个滤色镜层之后，最后形成至少一个微透镜。这里，可以进一步在微透镜下方形成平坦化层。
传统上，通过上述工艺制造的图像传感器的钝化层在每个像素中形成的厚度相同。
图1是一示意图，显示出入射到具有传统结构的传统图像传感器上的光(即入射光)。图2A和2B是曲线图，分别显示出在传统图像传感器上入射光的电场轮廓和强度轮廓。
同时，近来设置在图像传感器中的像素尺寸已在逐渐缩小。如果在传统图像传感器中的每个像素中形成具有相同厚度的钝化层，则光传送到每个像素的相位是相同的。
也就是说，如图2A的电场轮廓所示，邻近的像素具有相同的相位。
结果，如强度的轮廓所示，会在邻近的像素之间发生插入(interpolation)。具体而言，入射光的衍射会损坏强度的轮廓。特别地，如果焦点(focus)尺寸大于光电二极管的尺寸，则将会加速这种损坏。
鉴于上述问题，近来在使像素尺寸更小化的技术趋势中，图像信息的串扰会对图像传感器的整体品质产生不利影响。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种图像传感器及其制造方法。
本发明的目的之一在于，提供一种图像传感器及其制造方法，其能够通过调整在光通道中形成的钝化层厚度以消除邻近像素之间产生的相长干涉(constructive interference)，并且防止由入射光的衍射产生的强度轮廓劣化。
本发明的另一目的在于，通过调整在光通道中形成的钝化层厚度，提供一种图像传感器，其能够使得即使在较小像素尺寸的情况下也能使串扰最小化，即，使图像信息在光通道中串扰最小化。
本发明公开内容的其它优点、目的和特征部分将在随后的说明中进行阐明，并且部分将在本领域普通技术人员基于研究以下内容而变得明显，或者可以从实践本发明中学习到。本发明的目的和其他优点可以通过在本书面形式的说明书和权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和获得。
为了实现这些目标和其他优点，根据本发明的目的，在本申请中具体实施并广泛说明的图像传感器的制造方法包括：在具有一光电二极管的衬底上形成具有多条金属线的层间介电层；在所述层间介电层上为邻近的两个像素形成具有台阶的钝化层；在所述台阶形的钝化层上形成一滤色镜层；对由所述钝化层的台阶而产生的所述滤色镜层的弯曲进行平坦化；以及在所述平坦化的滤色镜层上形成一微透镜。
本发明的另一方面在于，提供一种图像传感器的制造方法，包括：在具有一光电二极管的衬底上形成具有多条金属线的层间介电层；在所述层间介电层上为邻近的两个像素形成具有台阶的钝化层；在所述台阶形的钝化层上形成一滤色镜层；在所述滤色镜层上形成一平坦化层；在所述平坦化层上形成一微透镜；
本发明的另一方面在于，提供一种图像传感器，包括：一衬底，具有一光电二极管；一层间介电层，形成在所述衬底上，所述层间介电层具有多条金属线；一钝化层，形成在所述层间介电层上，所述钝化层对于邻近的两个像素具有不同的厚度；一滤色镜层，形成在所述钝化层上，所述滤色镜层具有一平坦化的上表面；以及一个微透镜，形成在所述滤色镜层上。
本发明的另一方面在于，提供一种图像传感器，包括：一衬底，具有一光电二极管；一层间介电层，形成在所述衬底上，所述层间介电层具有多条金属线；一钝化层，形成在所述层间介电层上，所述钝化层对于邻近的两个像素具有不同的厚度；一滤色镜层，形成在所述钝化层上，所述滤色镜层对于每个像素具有相同的厚度；一平坦化层，形成在所述滤色镜层上；以及一个微透镜，形成在所述平坦化层上。
可以理解的是前面对本发明的一般描述和如下对本发明的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对如权利要求的本发明的进一步说明。
附图说明
所包含的随附附图旨在提供对本发明公开内容的进一步的理解，并且它们合并在本申请中并且构成本申请的一部分，这些随附附图示出本发明公开内容的实施例并且与说明内容一起用于解释本发明公开内容的原理。
在附图中：
图1是一示意图，示出入射到传统结构的图像传感器上的光(入射光)；
图2a和2b是曲线图，分别显示出在传统图像传感器上入射光的电场轮廓和强度轮廓；
图3a至3d是剖面图，分别示出根据本发明的示例性实施方式的图像传感器的制造方法；
图4是一示意图，显示根据本发明用于刻蚀钝化层的光刻胶图案；以及
图5a和5b是曲线图，分别示出在根据本发明的图像传感器上入射光的电场轮廓和强度轮廓。
具体实施方式
现在具体参见本发明的特定实施例，这些特定实施例的例子在随附附图中示出。在可能的情况下，相同的附图标记将用于附图中表示相同或类似的部件。
如下所述，参见随附附图，将描述根据本发明的示例性实施方式的一种图像传感器及其制造方法。
图3a至3d是剖面图，分别示出根据本发明的示例性实施方式的图像传感器的制造过程。根据本发明的实施方式的图像传感器可以是CMOS图像传感器。图4是一示意图，显示根据本发明用于刻蚀钝化层的光刻胶图案。图5a和5b是曲线图，分别示出在根据本发明的图像传感器上入射光的电场轮廓和强度轮廓。
如图3a所示，可以在衬底上形成具有多条金属线的层间介电层10，并且在层间介电层10上形成氮化硅的预钝化层20。这里，衬底可以包含一光电二极管，并且层间介电层10可以是具有多条金属线的多层结构。
如图3b所示，将光刻胶涂覆在预钝化层20上，并且通过曝光和显影处理将所述光刻胶图案化。通过图案化所述光刻胶以像素单元为间隔除去光刻胶，并且形成如图4所示的棋盘型(checkerboard-shaped)光刻胶图案。也就是说，如图3b所示，将涂覆在邻近的两个像素中的像素1(Pixel 1)上的光刻胶除去，只在像素2(Pixel 2)上保留光刻胶30。将位于邻近的两个像素中的一个像素处的光刻胶除去，并且在另外一个上保留光刻胶30。
然后，使用如图4所示的光刻胶图案将预钝化层20的暴露区域蚀刻至预定深度。如图3C所示，通过使用光刻胶的蚀刻工艺，在层间介电层10上为每个邻近的像素形成具有台阶的钝化层20a。
当刻蚀预钝化层20的暴露区域时，根据邻近的Pixel 1和Pixel 2之间的相位差确定刻蚀深度。也就是说，当刻蚀所述预钝化层20的暴露区域时，所述刻蚀深度取决于所述邻近的两个像素中的Pixel 2的相位与Pixel 1的相位相反。
结果，将对应于Pixel 1的预钝化层20的暴露区域蚀刻至确定的深度，使得在入射到对应于暴露区域的Pixel 1上的光被传播到光电二极管之前，所述光的相位与入射到邻近Pixel 1的Pixel 2上的光的相位相反。
例如，可以对暴露区域进行蚀刻，使入射到Pixel 1和Pixel 2上的光以180°的相位差传播到光电二极管，其中所述Pixel 1对应于暴露区域，而Pixel2邻近所述Pixel 1。邻近的两个像素的钝化层20a的不同深度在所述邻近的两个像素之间的像素边缘区域产生相消干涉(destructive interference)，以除去相长干涉。
具体地，如图5a示出的电场轮廓所示，邻近的两个像素的相位相反。也就是说，当入射到邻近的两个像素中的Pixel 1上的光的相位为0°时，入射到邻近Pixel 1的Pixel 2上的光的相位是180°。
如图5b示出的强度轮廓所示，相消干涉产生于邻近的两个像素之间的边缘区域。这些相消干涉能够除去邻近的像素之间的边缘区域处的光学衍射现象，并且在光电二极管的尺寸大于焦点尺寸的情况下，所述相消干涉能防止强度轮廓的劣化。
因此，滤色镜层40和41、微透镜60可以被按顺序地形成在台阶形的钝化层20a上。
用于形成所述滤色镜层40和41、微透镜60的工序的示例将参考图3b加以描述。
滤色镜层40和41形成在台阶形的钝化层20a上，并且所述滤色镜层40和41具有的深度与像素单元的深度相同。由于所述钝化层20a的台阶，使得在Pixel 1上形成的滤色镜层41和在Pixel 2上形成的滤色镜层41之间产生一台阶或弯曲。
在滤色镜层40和41上形成平坦化层50，以补偿所述台阶或弯曲，从而形成一平坦化表面。
然后，在平坦化层50上形成微透镜50。
下面将描述用于形成所述滤色镜层40和41、微透镜60的工艺的另一示例。
在台阶形的钝化层20a上形成滤色镜层40和41。由于所述钝化层20a的台阶，使得在Pixel 1上形成的滤色镜层41和在Pixel 2上形成的滤色镜层40之间产生一弯曲。
为了去除滤色镜层40和41的弯曲，将所述弯曲平坦化。
微透镜60可以形成在平坦化滤色镜层40和41上。
参见图3d，将描述通过图3a至3d中所描述的工艺制造的图像传感器。
图像传感器包括层间介电层10，所述层间介电层具有多条金属线(未示出)。层间介电层10形成在衬底上，并且其可以为具有多条金属线的多层结构。
图像传感器包括形成在层间介电层10上的钝化层20a，并且所述钝化层20a对于邻近的两个像素具有不同厚度。这里，所述钝化层20a可以是氮化硅。
因为对应于邻近的两个像素的钝化层20a的厚度不同，所以在邻近的两个像素中设置的钝化层20a之间具有一台阶。
对于整个装置的两像素而言，钝化层20a包括具有第一厚度的第一区域和具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度大体上薄于所述第一厚度。这里，所述第一区域对应于Pixel 2的钝化层，而所述第二区域对应于Pixel 1的钝化层。
可以根据如下方法来确定为邻近的两个像素所设置的钝化层20a的厚度。
例如，确定第一或第二厚度，使得入射在Pixel 2(对应于较厚的第一区域)上的光的相位与入射在Pixel 1(对应于较薄的第二区域)上的相位相反。特别地，因为蚀刻第二区域，所以对第二厚度调整刻蚀厚度，以使所述两个像素的相位相反。
更具体地，确定第一和第二厚度，使得入射在Pixel 1(对应于薄的第二区域)上的光和入射在Pixel 2(对应于厚的第一区域)上的光之间的相位差为180°。
结果，形成第一和第二厚度，使得入射在Pixel 1(对应于薄的第二区域)上的光和入射在Pixel 2(对应于厚的第一区域)上的光之间以具有相位差为180°的形式被传播到光电二极管。
滤色镜层40和41、微透镜60设置在对邻近的两个像素呈台阶形的钝化层20a上。
例如，设置在台阶形的的钝化层20a上的滤色镜层40和41可以具有平坦化的上表面。结果，由于台阶形的的钝化层20a设置在两个滤色镜层下面，所以，设置在所述两个像素中的滤色镜层具有不同的厚度。微透镜60设置在滤色镜层40和41上。
根据另一个例子，对于每个像素而言，设置在台阶形的的钝化层20a上的滤色镜层40和41可以具有相同的厚度。对于邻近的两个像素，滤色镜层40和41可以具有台阶。为了补偿所述台阶，平坦化层50设置在滤色镜层40和41上，并且微透镜60设置在平坦化层50上。
同时，拜尔(bayer)滤镜(即滤色镜阵列)被用于滤色镜层40和41。结果，滤色镜包括红色、绿色和蓝色滤色镜。优选的是，绿滤色镜设置在用于Pixel 1的具有较小厚度的钝化层20a的第二区域上。
根据本发明，在光通道中形成的钝化层对于邻近的两个像素具有的不同厚度。结果，能够除去在邻近的两个像素之间产生的相长干涉。入射在邻近的两个像素上的光的相位在传播到光电二极管之前是相反的。结果，能够防止由入射光的衍射现象产生的强度轮廓劣化。也就是说，因为入射在像素上的光的相位在传播至光电二极管之前是相反的，所以在像素之间产生的相消干涉消除了入射光的衍射现象。
而且，即使在小尺寸像素技术环境下，也很少会产生串扰，即图像信息在光通道中串扰。
因此，根据本发明的图像传感器能够提高整体品质。
对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明精神或范围下可对本发明进行各种改变和变化。因此，只要对本发明的改进和变化落在所附权利要求和其等同物的范围内则本发明旨在本发明的这些改进和变化。
Claims (10)
1.一种图像传感器的制造方法，包括：
在具有一光电二极管的衬底上形成具有多条金属线的一层间介电层；
在所述层间介电层上为邻近的两个像素形成一具有台阶的钝化层；
在台阶形的钝化层上形成一滤色镜层；
对由所述钝化层的台阶而产生的所述滤色镜层的弯曲进行平坦化；以及
在所述平坦化的滤色镜层上形成一微透镜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述台阶形的的钝化层的步骤包括：
在所述层间介电层上形成一预钝化层；
在所述预钝化层上涂覆光刻胶；
通过图案化并且以像素单元为间隔除去所述光刻胶而形成一棋盘型的光刻胶；以及
通过使用所述光刻胶图案来刻蚀所述预钝化层的暴露区域。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在刻蚀所述暴露区域时，使得入射在对应于所述暴露区域的第一像素上的光的相位和入射在与所述第一像素邻近的第二像素上的光的相位相反，并且所述暴露区域被蚀刻至去往所述光电二极管的预定深度。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，基于对应于入射在与所述暴露区域相对应的所述第一像素上的光和与所述第一像素邻近的所述第二像素上的光的180°相位差，来确定所述暴露区域被蚀刻至去往所述光电二极管的深度。
5.一种图像传感器的制造方法，包括：
在具有一光电二极管的衬底上形成具有多条金属线的一层间介电层；
在所述层间介电层上为邻近的像素形成一具有台阶的钝化层；
在台阶形的钝化层上形成一滤色镜层；
在所述滤色镜层上形成一平坦化层。
在所述平坦化层上形成一微透镜。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成在所述台阶形的的钝化层上的所述滤色镜层其有相同厚度。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述台阶形的的钝化层的步骤包括：
在所述层间介电层上形成一预钝化层；
在所述预钝化层上涂覆光刻胶层；
通过图案化和以像素单元为间隔除去所述光刻胶而形成一棋盘型的光刻胶；以及
使用所述光刻胶图案来刻蚀所述预钝化层的暴露区域。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在刻蚀所述暴露区域时，使得入射在对应于所述暴露区域的第一像素上的光的相位和入射在与所述第一像素邻近的第二像素上的光的相位相反，并且所述暴露区域被蚀刻至去往所述光电二极管的预定深度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，基于对应于入射在与所述暴露区域相对应的所述第一像素上的光和与所述第一像素邻近的所述第二像素上的光的180°相位差，来确定所述暴露区域被蚀刻至去往所述光电二极管的深度。
10.一种图像传感器，包括：
一衬底，具有一光电二极管；
一层间介电层，形成在所述衬底上，所述层间介电层具有多条金属线；
一钝化层，形成在所述层间介电层上，所述钝化层对于邻近的两个像素具有不同的厚度；
一滤色镜层，形成在所述钝化层上，所述滤色镜层具有一平坦化的上表面；以及
一微透镜，形成在所述滤色镜层上。
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Cited By (1)
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