KR101056964B1 - 가스분사장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스분사장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가스분사장치는 기판에 대한 일정한 공정을 수행하는 챔버에 결합되며, 가스유입구가 형성되어 있는 지지플레이트, 지지플레이트로부터 일정 거리 이격되게 배치되며 가스유입구를 통해 유입된 가스를 챔버의 내측에 안착된 기판을 향하여 분사하도록 다수의 가스분사공이 형성되어 있는 가스분사플레이트 및 가스유입구와 다수의 가스분사공 사이에 가스확산공간이 형성되도록 지지플레이트와 가스분사플레이트의 외주면을 따라 배치되며 양단부가 지지플레이트와 가스분사플레이트에 각각 지지되는 측벽부를 구비하는 것으로서, 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 어느 하나는 측벽부의 양단부 중 일단부와 상호 위치고정되게 결합되며 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 다른 하나는 측벽부의 타단부와의 사이에 상대이동 가능하도록 구속력없이 지지되어 가스분사플레이트의 평면방향 열변형이 지지플레이트에 구속되지 않고 자유롭게 이루어지는 것에 특징이 있다.

Description

가스분사장치{Gas injecting device for substrate processing apparatus}

본 발명은 가스분사장치에 관한 것으로서, 특히 태양전지 제조용 기판처리장치 및 LCD 제조용 기판처리장치 등에 채용되어 대면적에 가스를 분사하는 가스분사장치에 관한 것이다.

최근 화석연료의 고갈과 환경오염에 대처하기 위한 청정에너지로서 태양전지에 대한 관심이 고조되면서, 태양전지 제조용 기판처리장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 태양전지는 PN접합이 형성된 반도체의 내부에서 태양광에 의해 여기된 소수캐리어가 PN접합면을 가로질러 확산되면서 전압차가 생기게 하여 기전력을 발생시키는 소자이다. 이러한 태양전지는 기판(실리콘 웨이퍼 또는 유리기판 등을 통칭함)에 P형 또는 N형 반도체층, 반사방지막, 전극 등의 박막을 증착하는 공정과, 에너지 변환효율을 개선하는데 필요한 패턴을 형성하기 위해 증착된 박막을 식각하는 공정 등 다양한 공정을 거쳐야 하며, 이러한 공정들은 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 챔버에서 이루어지게 된다.

도 1에는 기판에 반사방지막을 증착하기 위한 화학적 기상증착 장비가 도시되어 있다.

도 1을 참조하면, 종래의 CVD장비(9)는 챔버본체(1)와 챔버본체(1)를 개폐하는 챔버리드(2)를 구비한다. 챔버본체(1)의 하측에는 펌프(미도시)와 연결되는 배기공(7)이 형성되어 있다. 챔버본체(1)와 챔버리드(2)에 의하여 형성되는 내측 공간에는 기판(s)을 지지 및 가열하기 위한 서셉터(3)가 승강가능하게 설치되며, 서셉터(3)의 상부에는 기판(s)을 향해 원료가스, 반응가스 등 박막증착에 필요한 다양한 가스를 공급하기 위한 샤워헤드(6)가 마련된다. 샤워헤드(6)는 고주파 전원이 연결되는 전극판(5)과 다수의 가스분사공(4a)이 형성되어 있는 가스분사판(4)으로 이루어지는데, 가스분사판(4)의 상부는 나사(b)에 의하여 전극판(5)에 체결됨으로써 결합된다. 전극판(5)과 가스분사판(4) 사이에는 가스가 확산될 수 있는 가스확산공간(8)이 마련된다. 전극판(5)에 형성된 가스유입구(5a)를 통해 유입된 가스는 가스확산공간(8)에서 확산된 후, 가스분사판(4)의 가스분사공(4a)을 통해 기판(s)으로 분사된다.

한편, 서셉터(3)의 하측에는 히터(미도시)가 매설되어 기판(s)을 대략 300℃ 정도로 가열하면서 박막증착공정을 수행함으로써 공정의 효율을 증대시킨다. 종래의 CVD장비에서는 처리해야 되는 기판(s)의 면적이 크지 않아 상기한 구성으로 이루어진 CVD장비를 이용하여 공정을 원활하게 수행할 수 있었다. 그러나 근래에는 다수의 태양전지 기판을 하나의 트레이 위에 장착하여 공정을 수행하면서 처리해야 되는 기판의 면적이 대면적화되고, 이에 따라 샤워헤드(6)도 함께 대면적화되는데 대면적의 샤워헤드(6)는 고온으로 가열되는 경우 도 1에 가상선의 상태에서 실선의 상태로 열변형되는 문제가 있다.

즉, 종래의 CVD장비에서는 가스확산판(4)이 나사(b)에 의하여 전극판(5)에 구속된 상태이므로, 가스확산판(4)이 평면방향을 따라 고르게 열팽창되지 못하고, 중앙부분이 하부로 처지는 변형이 발생할 수 밖에 없었다. 이러한 변형에 의하여 기판(s)과 샤워헤드(6) 사이의 간격이 기판 전체에 걸쳐 고르게 형성되지 못하고, 일부의 기판은 샤워헤드와 근접해 있고 일부의 기판은 샤워헤드와 상대적으로 더 이격되어 있는 형태로 된다.

이에 따라, 각 기판에 증착되는 박막의 균일도가 일정하게 형성되지 못하는 문제가 있을 뿐만 아니라, 장비의 유지보수도 용이하지 않다는 문제점이 있었다.

한편, 상기한 바와 같은 가스분사장치의 열변형 문제는 LCD 기판을 처리하기 위한 장치에서도 동일하게 나타나고 있다. 즉, LCD 기판은 6세대, 7세대를 거치면서 점차 대면적화되고 있으며, 이에 따라 LCD용 기판처리장치에 채용된 가스분사장치에서도 열변형에 의한 문제가 동일하게 나타나고 있다.

상기한 문제점을 해결하기 위하여 샤워헤드의 측벽을 탄성소재로 형성하여 가스확산판의 열변형을 수용할 수 있는 구조들이 개발되었으나, 탄성소재로 측벽을 형성한다고 하여도 가스확산판이 전극판에 물리적으로 구속되어 있는 바, 가스확산판이 기판과의 높낮이에 영향을 미치는 방향으로 열변형되어 원하는 정도의 효과를 달성할 수 없었다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 고온의 환경에서도 기판과 가스분사구 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있어 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있도록 구조가 개선된 가스분사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 가스분사장치는 기판에 대한 일정한 공정을 수행하는 챔버에 결합되며, 가스유입구가 형성되어 있는 지지플레이트와, 상기 지지플레이트로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스유입구를 통해 유입된 가스를 상기 챔버의 내측에 안착된 기판을 향하여 분사하도록 다수의 가스분사공이 형성되어 있는 가스분사플레이트 및 상기 가스유입구와 다수의 가스분사공 사이에 가스확산공간이 형성되도록 상기 지지플레이트와 가스분사플레이트의 외주면을 따라 배치되며, 양단부가 상기 지지플레이트와 가스분사플레이트에 각각 지지되는 측벽부를 구비하는 것으로서, 상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 어느 하나는 상기 측벽부의 양단부 중 일단부와 상호 위치고정되게 결합되며, 상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 다른 하나는 상기 측벽부의 타단부와의 사이에 상대이동 가능하도록 구속력없이 지지되어, 상기 가스분사플레이트의 평면방향 열변형이 상기 지지플레이트에 구속되지 않고 자유롭게 이루어지는 것에 특징이 있다.

본 발명에 따르면, 상기 측벽부는 상호 분리된 다수의 절편으로 이루어지며, 상기 절편들의 열팽창을 수용할 수 있도록 상기 절편들은 상호 이격되어 있는 것이 바람직하다.

또한 본 발명에 따르면, 상기 절편들이 상호 이격됨으로써 상기 측벽부의 내측으로부터 외측을 향하여 상기 절편들 사이에 형성되는 경계선은 복수 회 절곡되게 형성되어, 가스가 상기 가스확산공간으로부터 상기 측벽부의 외측으로 유출되는 것이 방지되는 것이 바람직하다.

또한 본 발명에 따르면, 압축 및 신장가능한 소재의 가스차단막이 상기 절편들 사이의 이격된 틈에 부착되는 것이 바람직하다.

또한 본 발명에 따르면, 상기 측벽부의 타단부와 상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 사이에는 마찰을 감소시키기 위한 슬라이딩 패드가 개재되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 가스분사장치는 가스분사플레이트가 평면방향으로 자유롭게 열팽창될 수 있도록 가스분사플레이트와 지지플레이트 사이에 물리적 구속력이 없게 구성되는 바, 가스분사플레이트가 상하방향으로 열변형되지 않고 가스분사플레이트와 기판 사이의 간격이 일정하게 유지되어 박막의 증착균일도가 보장될 수 있다.

또한 본 발명에 따른 가스분사장치에서는 측벽부가 다수의 절편으로 이루어져 열변형을 수용할 수 있어 가스분사플레이트가 상하방향으로 열변형되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 가스분사장치에서는 상호 마찰되는 대상들 사이에 패드를 개재하여 마찰력을 감소시켜 평면방향으로의 열팽창을 자유롭게 보장함으로써 가스분사플레이트와 기판 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있다는 장점이 있다.

본 발명에 따른 가스분사장치(100)는 태양전지 제조용 박막증착장비 및 LCD 기판 처리장치 등 가로×세로가 대략 100×150Cm 이상되는 대면적 기판을 대상으로 하는 장비에 채용되어 기판에 가스를 분사하기 위한 것으로서, 이하에서는 태양전지 제조를 위한 반사방지막 증착장비를 실시예로 들어 설명하기로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사방지막 증착장비에 채용된 가스분사장치를 더욱 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스분사장치를 설명하기 위한 개략적 도면이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 개략적 단면도이다.

본 실시예에 따른 가스분사장치(90)가 채용된 박막증착장비(100)는 챔버(10)를 구비한다. 챔버(10)는 챔버본체(11)와 챔버본체(11)의 상부에 개폐가능하게 결합되는 챔버리드(12)로 이루어진다. 챔버리드(12)가 챔버본체(11)에 결합되면, 챔버(10) 내부에는 기판(s)에 대한 공정을 수행할 수 있는 공간부(13)가 형성된다. 이 공간부(13)는 공정중에 진공으로 유지되어야 하는 바, 챔버본체(11)의 바닥에는 외부의 펌프(미도시)와 연결된 배기공(14)이 형성되어 있다. 또한, 챔버본체(11)의 바닥에는 후술할 서셉터(20)의 승강축(22)이 삽입되는 관통공(15)이 형성되어 있으며, 이 관통공은 기밀이 유지되도록 벨로우즈(미도시)에 의하여 외부와 차단된 다.

서셉터(20)는 기판(s)을 지지 및 가열하기 위한 것으로서, 평평하게 배치되는 기판지지부(21)와, 기판지지부(21)의 하측에 수직하게 형성되는 승강축(22)을 구비한다. 승강축(22)은 삽입공(15)을 통해 챔버(10)의 외부로 연장되어 모터(미도시) 등의 승강수단과 연결된다. 기판지지부(21)의 내부에는 히터(미도시)가 매설되어, 기판지지부(21)의 상면에 지지된 기판(s)을 200℃~300℃로 가열한다. 한편, 본 박막증착장비(100)에서는 챔버(10) 내부에 플라즈마를 형성시켜 공정 효율을 향상시키는데, 후술할 지지플레이트(30)에 고주파전원이 인가되며 서셉터(20)는 접지되어 있다.

본 실시예에 따른 가스분사장치(90)는 서셉터(20)의 상부에 배치되는 것으로서, 지지플레이트(30), 가스분사플레이트(40) 및 측벽부(50)를 구비한다.

지지플레이트(30)는 대략 4각 형상으로 평평하게 형성되어 챔버리드(10)에 고정되게 설치된다. 지지플레이트(30)에는 반응가스, 원료가스 등 박막증착에 필요한 외부의 가스를 도입하기 위한 가스유입구(31)가 형성된다. 지지플레이트(30)는 전기를 통할 수 있도록 알루미늄 등의 금속소재로 이루어지며, 고주파전원(RF전원)이 인가되는 전극판으로서 작용한다. 지지플레이트(30)의 외측면에는 내측으로 오목하게 끼움홈부(32)가 형성되어 있다.

가스분사플레이트(40)는 지지플레이트(30)의 하측에 일정 거리 이격되어 배치된다. 가스분사플레이트(40)도 전기가 통할 수 있도록 알루미늄 등의 금속소재로 이루어지며, 지지플레이트(30)와 대응되도록 대략 4각 형상으로 평평하게 형성 된다.

가스분사플레이트(40)에는 가스유입구(31)로 유입된 가스를 기판(s)을 향해 분사하도록 다수의 가스분사공(41)이 형성된다. 가스분사공(41)은 어느 일부분에 집중해서 배치되는 것이 아니라, 단위 면적당 동일한 수로 배치되어 기판(s)에 분사되는 가스의 양이 기판의 전체 영역에 걸쳐 일정하게 되도록 구성된다.

가스분사플레이트(40)와 지지플레이트(30) 사이, 보다 구체적으로는 가스분사플레이트(40)와 지지플레이트(30)의 각 외측면 사이에는 측벽부(50)가 마련된다. 측벽부(50)가 가스분사플레이트(40)와 지지플레이트(30) 사이를 감싸므로써, 가스분사장치(90)의 내부에는 일정한 공간(d)이 형성된다. 이 공간(d)은 지지플레이트(30)의 가스유입구(31)로 유입된 가스들이 확산되는 가스확산공간이며, 가스는 가스확산공간(d)에서 확산된 후 가스분사공(41)을 통해 배출된다.

측벽부(50)는 가스분사플레이트(40)와 지지플레이트(30)를 상호 연결함에 있어서, 가스분사플레이트(40)가 지지플레이트(30)에 대하여 상대이동 가능하도록 가스분사플레이트(40)와 지지플레이트(30)를 상호 연결한다.

즉, 본 박막증착장비(100)에서는 서셉터(20)에 매설된 히터에 의해서 챔버(10)의 내부가 가열될 뿐만 아니라, 고주파전원에 의하여 가스분사장치(90)와 서셉터(20) 사이에 플라즈마가 형성됨에 따라 가스분사플레이트(40)는 고온으로 가열되어 열팽창될 수 있다. 가스분사플레이트(40)가 열팽창될 때, 가스분사플레이트(40)의 평면방향을 따라 팽창되는 것은 박막의 증착 균일도에 있어 아무런 영향을 미치지 않지만, 종래기술에서 언급한 바와 같이, 가스분사플레이트(40)가 처지 는 등으로 인하여 기판(s)과 가스분사플레이트(40) 사이의 간격이 변형되는 경우 각 기판(s)에 대한 박막균일도에 영향을 끼치게 된다.

종래의 가스분사장치에서는 가스분사플레이트가 볼트 등에 의하여 전극판에 물리적으로 구속되어 가스분사플레이트가 평면방향을 따라 열팽창되는 것이 방해되었고, 이에 따라 가스분사플레이트가 상하방향으로 변형되는 문제가 발생하였다는 것은 이미 기술한 바와 같다. 이에 본 발명에 따른 가스분사장치(90)에서는 가스분사플레이트(40)가 지지플레이트(30)에 대하여 자유롭게 상대이동 될 수 있도록 함으로써, 즉 가스분사플레이트(40)와 지지플레이트(30) 사이에 가스분사플레이트(40)가 평면방향으로 열팽창되는데 있어 어떠한 물리적 구속력도 작용하지 않도록 하였다.

상기한 바와 같이, 가스분사플레이트(40)과 지지플레이트(30) 사이에 물리적 구속력이 없이 가스분사플레이트(40)를 지지플레이트(30)에 결합시키기 위하여 측벽부(50)가 지지플레이트(30) 위에 단순히 얹어져 지지되는 구성을 채용하였다.

측벽부(50)의 하단부에는 나사공(52)이 형성되어 가스분사플레이트(40)로부터 끼워진 볼트(b)가 나사공(52)에 체결됨으로써 측벽부(50)는 가스분사플레이트(40)에 위치고정된다. 그러나 측벽부(50)의 상단부에는 외측으로 돌출되게 삽입부(51)가 형성되며 이 삽입부(51)는 지지플레이트(30)의 끼움홈부(32)에 끼워짐으로써, 가스분사플레이트(40)는 결과적으로 가스분사플레이트(40)의 평면방향을 따라 상대이동 가능한 상태로 지지플레이트(30)에 단순히 얹어져 지지된 상태가 된다.

측벽부(50)의 상단부와 지지플레이트(30) 사이에는 볼트, 나사 등 어떠한 물리적 구속수단이 결합되지 않으므로써, 도 2에 화살표로 도시된 바와 같이, 가스분사플레이트(40)가 아무런 구속력없이 평면방향을 따라 자유롭게 열팽창될 수 있다. 특히 측벽부(50)의 삽입부(51)와 지지플레이트(30)의 끼움홈부(32) 사이에는 슬라이딩 패드(57)가 개재되어 마찰력을 감소시킨다. 즉, 측벽부(50)는 금속 소재로 이루어지는데 측벽부(50)와 지지플레이트(30) 사이의 마찰력에 비하여, 슬라이딩 패드(57)와 기판지지플레이트(30) 사이에는 보다 작은 마찰력이 작용하도록 슬라이딩 패드(57)의 소재가 정해진다.

한편, 상기한 바와 같이, 지지플레이트(30)에는 고주파전원이 연결되어 있으므로 고주파전류는 가스분사플레이트(40)로 전해져야 하는데, 마찰력을 고려하여 슬라이딩 패드(57)의 소재를 선택하다 보면 전기가 통하지 않는 절연소재가 채택될 수 있다. 이에, 본 실시예에서는 가스분사플레이트(40)와 지지플레이트(30) 사이에 금속 소재의 도통부재(70)를 부착하여, 지지플레이트(30)와 가스분사플레이트(40) 사이에 통전 경로를 확보하게 된다. 도통부재(70)는 하나만 부착되는 것이 아니라, 도 3에 도시된 바와 같이, 지지플레이트(30)의 둘레방향을 따라 복수개 설치된다.

또한, 상기한 바와 같이, 측벽부(50)가 지지플레이트(30)에 물리적 구속력없이 단순히 얹어져 지지됨으로써 가스분사플레이트(40)의 평면방향 열변형이 자유롭게 보장될 수 있지만, 측벽부(50)가 4각 프레임 형상으로 하나의 몸체로 이루어져 있으면, 한 몸체인 측벽부(50)가 가스분사플레이트(40)의 평면방향 열팽창을 방해 하는 물리적 구속수단으로 작용할 수 있다. 이에, 본 발명에서는 측벽부(50)를 하나의 몸체로 구성하지 않고, 다수의 분리된 절편(52)으로 형성하고, 절편(52)들 사이에 열팽창을 수용할 수 있는 틈새(53)를 형성함으로써 측벽부(50)가 가스분사플레이트(40)의 평면방향 열팽창을 방해하지 않도록 하였다. 절편들(52)은 각각 나사(s)에 의하여 가스분사플레이트(40)에 결합된다.

그러나 절편(52)들 사이에 틈새(53)가 형성되어 있으면, 절편(52)들 사이를 통해 가스들이 유출될 수 있다. 특히, 절편(52)들 사이의 틈새(53, 경계선)가 일직선으로 형성되는 경우 가스의 유출이 더욱 용이해지는 바, 본 실시예에서는 틈새(53)를 2회 절곡하여 가스의 유출량이 저하되도록 하였다. 또한, 틈새(53)에 신축성 있는 소재의 가스차단막(54)을 부착시켜 가스가 틈새(53)를 통해 유출되는 것을 근본적으로 방지하였다.

또한, 절편(52)들이 열팽창됨에 따라 절편(52)들 사이에 마찰이 발생될 수 있으므로, 마찰계수가 작은 소재의 마찰패드(55)를 개재하여 평면방향 열팽창이 방해받지 않도록 하였다. 마찰패드(55)를 절편(52)들 사이에 개재하는 경우 틈새(53)가 막힘으로써 별도의 가스차단막(54)을 부착시키지 않을 수도 있다.

상기한 구성으로 이루어진 가스분사장치(90)에서는 챔버(10)에 플라즈마가 형성되는 등으로 인하여 가스분사판(40)이 고온으로 가열되는 경우에도 가스분사플레이트(40)가 평면방향으로 자유롭게 열팽창되고 상하방향으로 변형이 발생되지 않음으로써, 가스분사플레이트(40)와 서셉터(20) 위의 기판(s) 사이의 간격이 일정하게 유지되어 박막의 증착 균일도가 보장된다는 장점이 있다.

지금까지, 측벽부(50)가 가스분사플레이트(40)에 고정되어 있고 지지플레이트(30)에 단순히 얹어져 지지되는 것으로 설명 및 도시하였으나 이와 반대로 구성될 수도 있다. 즉, 측벽부(50)의 상단부가 지지플레이트(10)에 위치고정되고, 측벽부(50)의 하단부에 끼움홈부(또는 돌출부)가 형성되고 가스분사플레이트(40)의 외측면에 돌출부(또는 끼움홈부)가 형성되어 돌출부가 끼움홈부에 끼워질 수 있다. 이렇게 되면 가스분사플레이트(40)가 측벽부(50)에 얹어져 지지되는 형태로 되며, 가스분사플레이트(40)는 아무런 물리적 구속력없이 지지플레이트(30)에 대하여 상대이동 가능하며 평면방향으로 자유롭게 열팽창될 수 있다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

도 1은 종래의 가스분사장치를 설명하기 위한 개략적 도면이다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스분사장치를 설명하기 위한 개략적 도면이다.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 개략적 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 ... 박막증착장비 10 ... 챔버

20 ... 서셉터 30 ... 지지플레이트

40 ... 가스분사플레이트 50 ... 측벽부

Claims (12)

1. 삭제
2. 삭제
3. 기판에 대한 일정한 공정을 수행하는 챔버에 결합되며, 가스유입구가 형성되어 있는 지지플레이트와,

   상기 지지플레이트로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스유입구를 통해 유입된 가스를 상기 챔버의 내측에 안착된 기판을 향하여 분사하도록 다수의 가스분사공이 형성되어 있는 가스분사플레이트 및

   상기 가스유입구와 다수의 가스분사공 사이에 가스확산공간이 형성되도록 상기 지지플레이트와 가스분사플레이트의 외주면을 따라 배치되며, 양단부가 상기 지지플레이트와 가스분사플레이트에 각각 지지되는 측벽부를 구비하는 가스분사장치에 있어서,

   상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 어느 하나는 상기 측벽부의 양단부 중 일단부와 상호 위치고정되게 결합되며, 상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 다른 하나는 상기 측벽부의 타단부와의 사이에 상대이동 가능하도록 구속력없이 지지되어, 상기 가스분사플레이트의 평면방향 열변형이 상기 지지플레이트에 구속되지 않고 자유롭게 이루어지되,

   상기 지지플레이트의 측면에는 내측으로 오목하게 끼움홈부가 형성되며,

   상기 측벽부의 하단부는 상기 가스분사플레이트에 고정되고, 상기 측벽부의 상단부에는 외측으로 돌출되게 삽입부가 형성되어

   상기 측벽부의 삽입부가 상기 지지플레이트의 끼움홈부에 삽입됨으로써, 상기 가스분사플레이트가 상기 지지플레이트에 상대이동 가능하게 지지되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
4. 제3항에 있어서,

   상기 측벽부는 상호 분리된 다수의 절편으로 이루어지며, 상기 절편들의 열팽창을 수용할 수 있도록 상기 절편들은 상호 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
5. 제4항에 있어서,

   상기 절편들이 상호 이격됨으로써 상기 측벽부의 내측으로부터 외측을 향하여 상기 절편들 사이에 형성되는 경계선은 복수 회 절곡되게 형성되어, 가스가 상기 가스확산공간으로부터 상기 측벽부의 외측으로 유출되는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
6. 제4항 또는 제5항에 있어서,

   압축 및 신장가능한 소재의 가스차단막이 상기 절편들 사이의 이격된 틈에 부착되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
7. 기판에 대한 일정한 공정을 수행하는 챔버에 결합되며, 가스유입구가 형성되어 있는 지지플레이트와,

   상기 지지플레이트로부터 일정 거리 이격되게 배치되며, 상기 가스유입구를 통해 유입된 가스를 상기 챔버의 내측에 안착된 기판을 향하여 분사하도록 다수의 가스분사공이 형성되어 있는 가스분사플레이트 및

   상기 가스유입구와 다수의 가스분사공 사이에 가스확산공간이 형성되도록 상기 지지플레이트와 가스분사플레이트의 외주면을 따라 배치되며, 양단부가 상기 지지플레이트와 가스분사플레이트에 각각 지지되는 측벽부를 구비하는 가스분사장치에 있어서,

   상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 어느 하나는 상기 측벽부의 양단부 중 일단부와 상호 위치고정되게 결합되며, 상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 중 다른 하나는 상기 측벽부의 타단부와의 사이에 상대이동 가능하도록 구속력없이 지지되어, 상기 가스분사플레이트의 평면방향 열변형이 상기 지지플레이트에 구속되지 않고 자유롭게 이루어지며,

   상기 측벽부의 타단부와 상기 가스분사플레이트 또는 지지플레이트 사이에는 마찰을 감소시키기 위한 슬라이딩 패드가 개재되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 지지플레이트의 측면에는 내측으로 오목하게 끼움홈부가 형성되며,

   상기 측벽부의 하단부는 상기 가스분사플레이트에 고정되고, 상기 측벽부의 상단부에는 외측으로 돌출되게 삽입부가 형성되어

   상기 측벽부의 삽입부가 상기 지지플레이트의 끼움홈부에 삽입됨으로써, 상기 가스분사플레이트가 상기 지지플레이트에 상대이동 가능하게 지지되며,

   상기 슬라이딩 패드는 상기 측벽부의 삽입부와 상기 지지플레이트의 끼움홈부 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
9. 제7항에 있어서,

   상기 측벽부는 상호 분리된 다수의 절편으로 이루어지며, 상기 절편들의 열팽창을 수용할 수 있도록 상기 절편들은 상호 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
10. 제9항에 있어서,

    상기 절편들이 상호 이격됨으로써 상기 측벽부의 내측으로부터 외측을 향하여 상기 절편들 사이에 형성되는 경계선은 복수 회 절곡되게 형성되어, 가스가 상기 가스확산공간으로부터 상기 측벽부의 외측으로 유출되는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
11. 제9항 또는 제10항에 있어서,

    압축 및 신장가능한 소재의 가스차단막이 상기 절편들 사이의 이격된 틈에 부착되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
12. 제3항 또는 제7항에 있어서,

    상기 챔버의 내부에 플라즈마가 형성되도록 상기 지지플레이트에는 고주파전원이 연결되며,

    상기 지지플레이트와 상기 가스분사플레이트가 상호 도통되도록, 상기 지지플레이트와 상기 가스분사플레이트 사이에는 도통부재가 연결되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.

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