KR101055634B1 - 3차원 임프린트 리소그래피 방법 - Google Patents

3차원 임프린트 리소그래피 방법 Download PDF

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임형준
이재종
최기봉
김기홍
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Abstract

본 발명은 3차원 미세 형상 제작이 가능한 임프린트 리소그래피 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 레지스트가 도포된 기판위에 2차원 형상의 스탬프(10)가 두 개 이상 중첩되어 가압된 후, 가열 또는 자외선 조사가 수행됨으로써, 복잡한 3차원 형상 제작이 가능한 3차원 임프린트 리소그래피 방법에 관한 것이다.
본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 스탬프(10)의 패턴이 전사되어 기판(30) 위에 미세 구조물이 형성되는 임프린트 리소그래피에 있어서, 상기 스탬프(10)는 상기 기판(30) 위에 적어도 두 개 이상 중첩되도록 상·하 방향으로 제1스탬프(11), 제2스탬프(12)…….제N-1스탬프 및 제N스탬프로 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

3차원 임프린트 리소그래피 방법{Method of three dimensions imprint lithography}
본 발명은 3차원 미세 형상 제작이 가능한 임프린트 리소그래피 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 레지스트가 도포된 기판위에 2차원 형상의 스탬프가 두 개 이상 중첩되어 가압된 후, 가열 또는 자외선 조사가 수행됨으로써, 복잡한 3차원 형상 제작이 가능한 3차원 임프린트 리소그래피 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체의 제조 공정에서는 실리콘(Silicon)과 유리(Glass) 등의 기판(30′)에 마스크(Mask) 또는 스탬프(Stamp)(10′)의 형상을 전사시켜 대량으로 마이크로미터 혹은 나노미터 크기의 미세한 형상이 제작된다.
상기 방법 중 마스크 또는 스탬프(10′)의 형상을 전사시키는 방법에 있어서, 마스크를 사용하는 포토 리소그래피(Photo Lithography)는 레지스트(Resist)(20′)가 도포된 기판(30′) 위에 마스크를 정렬하여 위치시킨 후 빛을 조사하여 레지스트(20′)를 경화시킨다.
스탬프(10′)를 사용하는 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography)는 레지스트(20′)가 도포된 기판(30′) 위에 스탬프(10′)를 정렬하여 위치시킨 후, 스탬프(10′)와 기판(30′)이 밀착된 상태에서 가압을 한 후 가열하거나 빛을 조사하는 등의 방법을 이용하여 레지스트(20′)를 경화시킨다.
포토 리소그래피는 그 특성상 2차원 패턴에 대한 전사가 가능하지만, 임프린트 리소그래피의 경우에는 스탬프(10′)의 형상에 따라 다양한 3차원 패턴의 전사가 가능하다.
그러나 스탬프(10′) 제작방법의 한계로 인해 3차원 스탬프(10′)를 제작하기에는 여전히 많은 어려움이 있다.
도 1은 일반적인 임프린트 리소그래피 방법으로, 먼저 기판(30′) 위에 레지스트(20)가 도포되고, 스탬프(10′)가 접촉된 후 가압 및 가열 혹은 가압 및 자외선 조사가 이루어지면 스탬프(10′)의 패턴이 레지스트(20′)에 전사된다.
이 때, 가열 또는 자외선 조사는 도포된 레지스트(20′)의 특성에 따라 선택 가능하다.
도 2는 3차원 입체 형상의 제작을 위한 임프린트 리소그래피 방법으로, 스탬프(10′)는 2차원 패턴 전사를 2회 수행한 다단 형태로 구성되어 있으며, 임프린트 리소그래피 방법은 도 1과 동일하다.
도 3 역시 3차원 입체 형상의 제작을 위한 임프린트 리소그래피 방법으로, 스탬프(10′)는 에칭과 같이 2차원 형상 제작에 기반을 둔 간단한 방법으로 제작을 하는 것이 일반적이며 얻어지는 패턴의 종류는 다양하다. 임프린트 리소그래피 방법 역시 도 1 및 도 2와 동일하다.
도 4의 경우에는 보다 복잡한 형상의 3차원 형상 제작을 위한 임프린트 리소그래피 방법으로써, 이를 위해서는 여러 차례의 스탬프(10′) 제작 공정이 필요하게 되는데, 특히 공정 중 위치결정 및 높낮이 변화에 대응 가능한 패터닝 기술이 필요 하므로 일반적인 리소그래피 장비로 구현하기에는 많은 어려움이 따른다.
특히 도 4에 도시한 형상의 스탬프(10′)는 수 밀리미터 크기의 패턴 내에 마이크로미터 크기의 미세 형상이 추가로 제작되거나, 마이크로미터 크기의 패턴 내에 수 나노미터 크기의 미세 형상이 추가로 제작되어야 하는 등의 번거로움이 있다.
따라서 3차원 형상 제작을 위해 적합한 스탬프(10′)의 제작은 필수적이지만 상기 스탬프(10′)의 제작 방법이 어렵고 번거로워, 보다 간편하고 효율적인 3차원 형상 제작을 위한 임프린트 리소그래피 방법의 개발이 필요하다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 2차원 기반의 스탬프가 두 개 이상 중첩되도록 사용됨으로써, 비교적 간편한 방법으로 3차원 형상 구현이 가능한 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 가압, 가열 또는 자외선 조사 등 종래의 임프린트 리소그래피를 위한 수단이 모두 활용 가능하도록 함으로써, 종래의 장비와 호환이 가능한 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 스탬프(10)의 패턴이 전사되어 기판(30) 위에 미세 구조물이 형성되는 임프린트 리소그래피에 있어서, 상기 스탬프(10)는 상기 기판(30) 위에 적어도 두 개 이상 중첩되도록 상·하 방향으로 제1스탬프(11), 제2스탬프(12)……, 제N-1스탬프, 및 제N스탬프로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제N-1스탬프는 제N스탬프보다 경도 또는 강도가 큰 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제N-1스탬프는 제N스탬프보다 두께가 두껍고 패턴의 단면적이 큰 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 스탬프(10)와 접촉된 상기 기판(30)은 가압 및 가열되어 상기 기판(30)의 열변형이 일어남으로써, 상기 스탬프(10)의 패턴이 상기 기판(30)에 전사되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판(30) 상측에는 열경화성 레지스트(20)가 도포되어 상기 스탬프(10)와 접촉되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판(30) 상측에 도포되어 상기 스탬프(10)와 접촉되는 레지스트(20)에는 가압 및 자외선 조사에 의해 상기 스탬프(10)의 패턴이 전사되며, 상기 레지스트(20)는 자외선에 의해 경화되는 소재인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 복수개의 상기 스탬프(10)가 일정시간 간격을 두고 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 상기 스탬프(10)는 일측면의 일측 가장자리부터 상기 기판(30)에 접촉된 상태에서 타측 가장자리까지 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉되는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 가압되는 압력, 가열되는 온도 및 상기 스탬프(10)의 재질, 두께 및 형태에 따라 3차원 형상의 패턴이 변화되어 전사되는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 2차원 기반의 스탬프가 두 개 이상 중첩되어 사용됨으로써, 비교적 간편한 방법으로 3차원 형상 구현이 가능하다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 가압, 가열 또는 자외선 조사 등 종래의 임프린트 리소그래피를 위한 수단이 모두 활용 가능하도록 함으로써, 종래의 장비와 호환이 가능하다는 장점이 있다.
또, 본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 2차원 기반의 스탬프를 사용하여 지정된 파장의 빛을 선택적으로 투과 혹은 반사시킬 수 있는 광학소자, 접촉 면적이 넓은 고효율의 에너지소자 등 다양한 제품의 제작이 용이하다는 장점이 있다.
도 1은 종래의 2차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도.
도 2 내지 도 4는 종래의 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도.
도 5는 본 발명에 따른 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도.
도 6은 본 발명에 따른 또 다른 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도.
도 7은 본 발명에 따른 또 다른 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도.
이하, 본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 2차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도이고, 도 2 내지 도 4는 종래의 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도이며, 도 5는 본 발명에 따른 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도이고, 도 6은 본 발명에 따른 또 다른 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도이며, 도 7은 본 발명에 따른 또 다른 3차원 임프린트 리소그래피 방법을 나타낸 개념도이다.
본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 스탬프(10)의 패턴이 전사되어 기판(30) 위에 미세 구조물이 형성되는 종래의 임프린트 리소그래피 방법에 있어서, 제1스탬프(11), 제2스탬프(12)…….제N-1스탬프 및 제N스탬프로 구성된 상기 스탬프(10)가 상기 기판(30) 위에 상·하 방향으로 적어도 두 개 이상 중첩되는 것을 특징으로 한다.
상기 제N-1스탬프는 제N스탬프보다 단단한 재질로 이루어지며, 두께가 두껍고 패턴이 큰 것을 특징으로 한다.
따라서 상기 제1스탬프(11)는 비교적 큰 패턴과 두껍고 단단한 재질로 이루어지며, 상기 제2스탬프(12)는 상기 제1스탬프(11)에 비해 작은 패턴과 무른 재질로 이루어진다.
도 5는 본 발명에 따른 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)을 보여주는 개념도이다.
레지스트(20)가 도포된 기판(30) 위에 상·하 방향으로 상기 제1스탬프(11)와 제2스탬프(12)가 순차적으로 중첩된다.
상기 제1스탬프(11)는 금속 또는 플라스틱과 같이 단단한 재질로 구성되어 있고, 제2스탬프(12)에 비해 패턴이 큰 형상이 존재하는 스탬프(10)로써 제작될 3차원 형상의 윤곽을 구성하게 된다.
상기 제2스탬프(12)는 PDMS(Polydimethylsiloxan) 등 제1스탬프(11)에 비해 비교적 무른 재질과 얇은 두께로 이루어져 있으며 제1스탬프(11)에 비해 미세한 패턴으로 이루어지며, 3차원 형상의 미세 패턴을 구성하게 된다.
상기 3차 임프린트 리소그래피 방법(1)은 먼저, 패턴이 형성된 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)가 준비되면 그 다음, 패턴이 전사될 기판(30)에 레지스트(20) 층이 형성되도록 한다.
그 다음, 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)에 의해 상기 레지스트(20) 층이 형성된 기판(30)에 압력이 가해지며, 이 상태에서 상기 레지스트(20) 층은 경화된다.
상기 레지스트(20) 층이 경화되면 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)가 상기 레지스트(20) 층으로부터 분리되도록 한다.
도 5를 참고로 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)을 설명하면, 상·하 방향으로 순차적으로 제1스탬프(11), 제2스탬프(12) 및 기판(30)이 구비되어, 가압 및 가열 혹은 가압 및 자외선 조사가 이루어진 후, 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)를 제거되면 레지스트(20)가 도포된 기판(30)에 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)에 의해 3차원 형상이 남게 된다.
상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)에 가압 및 가열 또는 가압 및 자외선 조사 작업이 수행되는 것은 상기 레지스트(20) 층의 특성에 따라 달라진다.
상기 레지스트(20) 층이 열경화성 수지로 이루어지는 경우에는 가압 및 가열 작업을 통해 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)의 패턴이 레지스트(20) 층에 전사된다.
가압 및 가열을 통해 패턴이 전사되는 경우, 도 6에서 도시된 바와 같이, 상기 레지스트(20) 층은 존재하지 않을 수도 있으며, 이 때, 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)의 패턴은 가열 작업에 의해 상기 기판(30)에 열변형이 일어남으로써 상기 기판(30) 위에 전사된다.
반면, 상기 레지스트(20) 층이 자외선에 의해 경화되는 광경화성 수지로 이루어지는 경우에는 가압 및 자외선 조사 작업을 통해 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)의 패턴이 레지스트(20) 층에 전사되도록 한다.
도 5 및 도 6에서 도시된 바와 같이, 상기 제1스탬프(11)의 패턴이 그대로 전사될 수도 있지만, 도 7에서 도시된 바와 같이, 상기 제1스탬프(11)의 패턴이 그대로 전사되지 않을 수도 있다.
도 7을 참고로 설명하면, 상기 제1스탬프(11)의 상·하 방향으로의 단면이 사각형인 경우, 가압되는 압력의 크기 또는 가열되는 온도에 따라 상기 제1스탬프(11)와 제2스탬프(12) 사이에 존재하는 공기의 압축 정도, 제2스탬프(12)의 변형 정도 및 기판(30) 위에 도포된 레지스트(20)의 변형 정도가 달라진다.
도 7에서, 상기 제1스탬프(11)의 패턴은 상기 제2스탬프(12)에 비해 비교적 큰 패턴으로, 상기 제2스탬프(12)의 미세 패턴이 상기 레지스트(20) 층에 전사되되, 상기 제1스탬프(11) 단면의 형상에 의해 부분적으로 가해지는 압력이 달라지면서, 상기 레지스트(20) 층에 전사되는 패턴에는 미세 패턴과 별개로 큰 굴곡이 생기게 된다.
도 7의 (a)는 도 7의 (b)에서보다 상기 제1스탬프(11)에 가해지는 압력이 더 큰 경우로, 가해지는 압력의 크기에 따라 상기 레지스트(20) 층에 전사되는 패턴의 변형 정도가 달라질 수 있다.
즉, 동일한 패턴의 제1스탬프(11)와 제2스탬프(12)가 사용되더라도, 얻어지는 3차원 형상의 미세패턴은 임프린트 조건에 따라 달라진다.
상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12) 사이에 존재하는 공기의 압축으로 인한 영향이 발생되지 않도록 진공상태에서 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12) 사이에 존재하는 공기의 압축으로 인한 영향이 발생되지 않도록 상기 제1스탬프(11) 및 제2스탬프(12)가 일정시간 간격을 두고 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉될 수도 있다.
아울러, 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 상기 스탬프(10)는 일측면의 일측 가장자리부터 상기 기판(30)에 접촉된 상태에서 타측 가장자리까지 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉될 수 있다.
상기 제2스탬프(12)의 두께가 얇은 경우에는 PDMS(Polydimethylsiloxan) 재질 외에도 PC(Polycarbonate) 또는 금속과 같은 재질도 사용될 수 있다.
따라서 상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은 가압되는 압력, 가열되는 온도 및 상기 스탬프(10)의 재질, 두께, 형태와 같은 조건에 따라, 3차원 형상의 패턴이 변화되어 전사될 수 있다.
상술한 내용은 제1스탬프(11)와 제2스탬프(12) 두 종류의 스탬프(10)에 대한 예시일 뿐이며, 유사한 형태로 적어도 두 개 이상의 제N-1스탬프 및 제N스탬프가 중첩되어 사용됨으로써 복잡한 형상의 3차원 형상 제작도 가능하다
이에 따라, 본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 2차원 기반의 스탬프가 두 개 이상 중첩되어 사용됨으로써, 비교적 간편한 방법으로 3차원 형상 구현이 가능하다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 가압, 가열 또는 자외선 조사 등 종래의 임프린트 리소그래피를 위한 수단이 모두 활용 가능하도록 함으로써, 종래의 장비와 호환이 가능하다는 장점이 있다.
또, 본 발명의 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 2차원 기반의 스탬프를 사용하여 지정된 파장의 빛을 선택적으로 투과 혹은 반사시킬 수 있는 광학소자, 접촉 면적이 넓은 고효율의 에너지소자 등 다양한 제품의 제작이 용이하다는 장점이 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
1 : 3차원 임프린트 리소그래피 방법
10 : 스탬프
11 : 제1스탬프 12 : 제2스탬프
20 : 레지스트
30 : 기판

Claims (10)

  1. 스탬프(10)의 패턴이 전사되어 기판(30) 위에 3차원 형상의 미세패턴이 임프린트 되는 3차원 임프린트 리소그래피 방법에 있어서,
    상기 스탬프(10)는 상기 기판(30) 위에 적어도 두 개 이상 중첩되도록 상·하 방향으로 제1스탬프(11), 제2스탬프(12)……, 제N-1스탬프, 및 제N스탬프로 구성되되,
    상기 제N-1스탬프는 제N스탬프보다 경도 또는 강도가 큰 재질로 이루어지며, 두께가 두껍고, 패턴의 단면적이 크며,
    복수개의 상기 스탬프(10)는 일정시간 간격을 두고 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판(30) 상측에는 열경화성 레지스트(20)가 도포되어 상기 스탬프(10)와 접촉된 다음, 가압 및 가열을 통해 상기 레지스트(20)가 열변형 됨으로써 상기 스탬프(10)의 패턴이 상기 기판(30)에 전사되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판(30) 상측에 도포되어 상기 스탬프(10)와 접촉되는 레지스트(20)에는 가압 및 자외선 조사에 의해 상기 스탬프(10)의 패턴이 전사되며,
    상기 레지스트(20)는 자외선에 의해 경화되는 소재인 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은
    복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법(1)은
    복수개의 스탬프(10) 사이에 공기로 인한 영향이 발생되지 않도록 상기 스탬프(10)는 일측면의 일측 가장자리부터 상기 기판(30)에 접촉된 상태에서 타측 가장자리까지 순차적으로 상기 기판(30)에 접촉되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 3차원 임프린트 리소그래피 방법은 가압되는 압력, 가열되는 온도 및 상기 스탬프(10)의 재질, 두께 및 형태에 따라 3차원 형상의 패턴이 변화되어 전사되는 것을 특징으로 하는 3차원 임프린트 리소그래피 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006130841A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射防止構造体を備えた部材の製造方法
KR20080072197A (ko) * 2007-02-01 2008-08-06 삼성전자주식회사 휘도 특성이 개선된 편광 도광판 및 이의 제작 방법
US20090194913A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 National Taiwan University Method of micro/nano imprinting
KR20100058611A (ko) * 2007-08-28 2010-06-03 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 유기 전자 소자 또는 광전자 소자의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006130841A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射防止構造体を備えた部材の製造方法
KR20080072197A (ko) * 2007-02-01 2008-08-06 삼성전자주식회사 휘도 특성이 개선된 편광 도광판 및 이의 제작 방법
KR20100058611A (ko) * 2007-08-28 2010-06-03 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 유기 전자 소자 또는 광전자 소자의 제조 방법
US20090194913A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 National Taiwan University Method of micro/nano imprinting

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