KR101050286B1 - Integrated Gate Driver - Google Patents

Integrated Gate Driver Download PDF

Info

Publication number
KR101050286B1
KR101050286B1 KR1020040067291A KR20040067291A KR101050286B1 KR 101050286 B1 KR101050286 B1 KR 101050286B1 KR 1020040067291 A KR1020040067291 A KR 1020040067291A KR 20040067291 A KR20040067291 A KR 20040067291A KR 101050286 B1 KR101050286 B1 KR 101050286B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
transistor
shift register
clock signal
output
Prior art date
Application number
KR1020040067291A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060018772A (en
Inventor
장용호
조혁력
전민두
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020040067291A priority Critical patent/KR101050286B1/en
Publication of KR20060018772A publication Critical patent/KR20060018772A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101050286B1 publication Critical patent/KR101050286B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674Details of drivers for scan electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2230/00Details of flat display driving waveforms
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

비용을 절감하고 공정을 단순화하고 신뢰성을 향상시킨 내장형 게이트 드라이버가 개시된다.An embedded gate driver is disclosed that reduces costs, simplifies the process, and improves reliability.

본 발명의 내장형 게이트드라이버는, 표시패널에 내장되고, 개시신호에 따라 순차적으로 시프트된 출력신호를 출력하는 다수의 시프트레지스터들을 포함하고, 상기 시프트레지스터들 각각은, 개시신호 입력라인과 노드 사이에 접속되어 상기 개시신호를 상기 노드에 충전시키기 위한 제1 트랜지스터; 상기 노드, 클럭신호 입력라인 및 게이트라인 사이에 접속되어 상기 노드에 충전된 개시신호에 따라 소정의 클럭신호를 상기 출력신호로 출력하기 위한 제3 트랜지스터; 상기 노드 및 공급전압 입력라인 사이에 접속되어 소정의 공급전압에 의해 상기 노드를 초기화하기 위한 제2 트랜지스터; 및 상기 클럭신호 입력라인과 상기 게이트라인 사이에 접속되어 상기 출력 신호를 방전시키기 위한 제4 트랜지스터를 포함한다.
The built-in gate driver of the present invention includes a plurality of shift registers embedded in a display panel and outputting output signals sequentially shifted according to the start signal, each shift register being between a start signal input line and a node. A first transistor connected to charge the start signal to the node; A third transistor connected between the node, a clock signal input line, and a gate line to output a predetermined clock signal as the output signal according to a start signal charged in the node; A second transistor connected between the node and a supply voltage input line to initialize the node by a predetermined supply voltage; And a fourth transistor connected between the clock signal input line and the gate line to discharge the output signal.

액정표시장치, 내장형 게이트드라이버, 트랜지스터Liquid Crystal Display, Built-in Gate Driver, Transistor

Description

내장형 게이트 드라이버{Built-in gate driver} Built-in gate driver             

도 1은 일반적인 액정표시장치의 게이트드라이버를 도시한 블록도.1 is a block diagram illustrating a gate driver of a general liquid crystal display device.

도 2는 도 1에 도시된 시프트레지스터의 상세한 회로구성을 나타낸 도면.FIG. 2 is a diagram showing a detailed circuit configuration of the shift register shown in FIG.

도 3은 도 2에 도시된 시프트레지스터의 전압파형을 나타낸 도면.3 is a diagram illustrating a voltage waveform of the shift register shown in FIG. 2;

도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 내장형 게이트드라이버에 구비된 시프트레지스터의 상세한 회로구성을 나타낸 도면.4 is a diagram illustrating a detailed circuit configuration of a shift register included in an embedded gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 시프트레지스터의 전압파형을 나타낸 도면.FIG. 5 is a view showing voltage waveforms of the shift register shown in FIG. 4; FIG.

도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 내장형 게이트드라이버에 구비된 시프트레지스터의 상세한 회로구성을 나타낸 도면.FIG. 6 is a diagram illustrating a detailed circuit configuration of a shift register provided in an embedded gate driver according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

31, 32 : 클럭신호 입력라인 33 : 스타트 펄스 입력라인31, 32: clock signal input line 33: start pulse input line

34 : 공급전압 입력라인 34: supply voltage input line

35 : 다음단 시프트레지스터의 출력신호 입력라인35: output signal input line of next shift register

41, 45 : 제어부 43, 47 : 출력부
41, 45: control unit 43, 47: output unit

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 비용을 절감하고 공정을 단순화하고 신뢰성을 향상시킨 내장형 게이트 드라이버에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to an embedded gate driver which reduces cost, simplifies a process, and improves reliability.

일반적으로, 액정표시장치(LCD : Liquid crystal display) 또는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같이 액티브 매트릭스(active matrix) 형태로 배열된 화소들을 구동하여 화상을 표시하는 장치가 활발하게 연구되고 있다. In general, an apparatus for displaying an image by driving pixels arranged in an active matrix form, such as a liquid crystal display (LCD) or an organic light emitting diode (OLED), is actively studied. It is becoming.

특히, 액정표시장치는 액티브 매트릭스 형태로 배열된 화소들에 화상 정보에 따른 데이터전압을 공급하여 액정층의 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시하게 된다. 이를 위해, 상기 액정표시장치는 화소들이 매트릭스 형태로 배열된 액정패널과 상기 액정패널을 구동하기 위한 게이트드라이버 및 데이터드라이버를 구비한다.In particular, the liquid crystal display device displays a desired image by supplying data voltages corresponding to image information to pixels arranged in an active matrix to adjust light transmittance of the liquid crystal layer. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which pixels are arranged in a matrix form, a gate driver and a data driver for driving the liquid crystal panel.

최근 들어, 제조단가를 낮추기 위해 상기 게이트드라이버 및/또는 상기 데이터드라이버를 상기 액정패널 상에 내장한 내장형 액정표시장치가 개발되고 있다.Recently, in order to reduce manufacturing costs, an embedded liquid crystal display device in which the gate driver and / or the data driver is embedded on the liquid crystal panel has been developed.

이러한 내장형 액정표시장치에서는 액정패널이 제조될 때, 상기 게이트드라이버가 동시에 제조되게 된다. 상기 데이터드라이버는 상기 내장형 액정표시장치에 내장될 수도 있고 내장되지 않을 수도 있다.In such a built-in liquid crystal display device, when the liquid crystal panel is manufactured, the gate driver is simultaneously manufactured. The data driver may or may not be embedded in the embedded liquid crystal display.

상기 게이트드라이버에는 출력신호를 각 게이트라인마다 순차적으로 공급하기 위한 다수의 시프트레지스터들이 구비되게 된다. 물론, 상기 데이터드라이버 에도 다수의 시프트레지스터들이 구비될 수 있다.The gate driver includes a plurality of shift registers for sequentially supplying an output signal to each gate line. Of course, a plurality of shift registers may be provided in the data driver.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 게이트드라이버를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a gate driver of a general liquid crystal display device.

도 1에 도시된 바와 같이, 액정표시장치의 게이트드라이버에는 서로 종속적으로 접속된(cascading) 다수의 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)이 구비된다. 상기 다수의 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)은 스타트 펄스(SP) 입력라인(5) 또는 이전단 시프트레지스터의 출력측에 접속된 출력라인(즉, 게이트라인)에 종속 접속됨과 아울러 4상 클럭신호(C1 내지 C4) 입력라인(1, 2, 3, 4) 중 3개의 클럭신호 입력라인에 접속된다. 4상 클럭신호(C1 내지 C4)는 도 3에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭만큼씩 위상 지연된 형태로 공급되게 된다. 시프트레지스터들(ST1 내지 STn) 각각은 이러한 4상 클럭신호들(C1 내지 C4) 중 3개의 클럭신호를 이용하여 스타트 펄스(SP)를 한 클럭만큼씩 쉬프트시켜 출력한다. 이러한 쉬프트레지스터들(ST1 내지 STn)로부터 각각 출력되는 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)은 대응되는 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 순차적으로 공급됨과 아울러 다음단 시프트레지스터의 스타트 펄스로 공급된다.As illustrated in FIG. 1, the gate driver of the liquid crystal display includes a plurality of shift registers ST1 to STn cascading to each other. The plurality of shift registers ST1 to STn are connected to a start pulse SP input line 5 or an output line (ie, a gate line) connected to an output side of a previous shift register, and a four-phase clock signal ( C1 to C4) are connected to three clock signal input lines of the input lines 1, 2, 3, and 4; As shown in FIG. 3, the four-phase clock signals C1 to C4 are sequentially supplied in a phase delayed form by one clock. Each of the shift registers ST1 to STn shifts the start pulse SP by one clock using three clock signals among the four-phase clock signals C1 to C4. The output signals Vg1 to Vgn respectively output from the shift registers ST1 to STn are sequentially supplied to the corresponding gate lines GL1 to GLn, and are also supplied as start pulses of the next shift register.

이와 같이, 상기 게이트드라이버에는 게이트라인들(GL1 내지 GLn) 각각에 접속된 다수의 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)이 구비된다. 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)은 종속적으로 접속되어 스타트 펄스를 한 클럭만큼씩 쉬프트시킴으로써 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 순차적으로 출력신호를 공급한다. As such, the gate driver includes a plurality of shift registers ST1 to STn connected to the gate lines GL1 to GLn, respectively. The shift registers ST1 to STn are cascaded to supply the output signals sequentially to the gate lines GL1 to GLn by shifting the start pulse by one clock.

구체적으로 살펴보면, 제1 시프트레지스터(ST1)에는 스타트 펄스(SP)가 입력되고, 제2 내지 제n 시프트레지스터들(ST2 내지 STn)에는 이전단 시프트레지스터 의 출력신호(Vg1 내지 Vgn-1)가 입력된다. 이러한 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)은 도 3에 도시된 바와 같이 순차적으로 위상이 지연되는 제1 내지 제4 클럭신호(C1 내지 C4) 중 3개의 클럭신호를 입력받는다. 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)은 상기 입력된 3개의 클럭신호를 이용하여 스타트 펄스(SP)를 한 클럭만큼씩 쉬프트시킴으로써 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)을 순차적으로 출력하게 된다. Specifically, the start pulse SP is input to the first shift register ST1, and the output signals Vg1 to Vgn-1 of the previous shift register are input to the second to nth shift registers ST2 to STn. Is entered. As illustrated in FIG. 3, the shift registers ST1 to STn receive three clock signals among the first to fourth clock signals C1 to C4 which are sequentially delayed in phase. The shift registers ST1 to STn sequentially output the output signals Vg1 to Vgn by shifting the start pulse SP by one clock using the three clock signals.

도 2는 도 1에 도시된 시프트레지스터의 상세한 회로구성을 나타낸 도면이다. 도 2에는 제1 시프트레지스터(ST1)만을 대표적으로 도시하고 있지만, 나머지 시프트 레지스터들(ST2 내지 STn)은 모두 제1 시프트레지스터(ST1)의 단순한 변형에 불과하므로, 상기 제1 시프트레지스터(ST1)로부터 충분히 이해될 수 있을 것이다.FIG. 2 is a diagram showing a detailed circuit configuration of the shift register shown in FIG. Although only the first shift register ST1 is representatively shown in FIG. 2, the rest of the shift registers ST2 to STn are merely modifications of the first shift register ST1, and thus, the first shift register ST1 may be used. Will be fully understood.

도 2를 참조하면, 제1 시프트레지스터(ST1)는 제4 클럭신호(C4)에 따라 Q노드를 제어하는 제1 제어부(11)와, 제3 클럭신호(C3) 또는 스타트 펄스(SP)에 따라 QB노드를 제어하는 제2 제어부(13)와, Q노드의 전압 또는 QB노드의 전압에 따라 제1 클럭신호(C1) 또는 제1 공급전압(VSS) 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력부(15)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the first shift register ST1 may be connected to the first control unit 11 that controls the Q node according to the fourth clock signal C4 and the third clock signal C3 or the start pulse SP. And a second control unit 13 for controlling the QB node, and an output for selecting and outputting any one of the first clock signal C1 or the first supply voltage VSS according to the voltage of the Q node or the voltage of the QB node. The part 15 is provided.

상기 제1 제어부(11)는 Q노드를 제어하여 상기 출력부(15)의 제6 트랜지스터(T6)를 통해 제1 클럭신호(C1)가 출력되도록 한다. 그리고, 출력된 제1 클럭신호(C1)는 제1 게이트라인(GL1)을 통해 제1 출력신호(Vg1)로 공급되게 한다. 이를 위하여, 상기 제1 제어부(11)는 스타트 펄스(SP) 입력라인(5)에 접속된 제1 트랜지스터(T1)와, 제1 트랜지스터(T1)와 제4 클럭신호(C4) 입력라인(4) 및 Q노드 사이에 접속된 제2 트랜지스터(T2)를 구비한다.The first control unit 11 controls the Q node to output the first clock signal C1 through the sixth transistor T6 of the output unit 15. The output first clock signal C1 is supplied to the first output signal Vg1 through the first gate line GL1. To this end, the first control unit 11 includes a first transistor T1 connected to the start pulse SP input line 5, a first transistor T1, and a fourth clock signal C4 input line 4. ) And a second transistor T2 connected between the Q node.

상기 제2 제어부(13)는 QB노드를 제어하여 상기 출력부(15)의 제7 트랜지스터(T7)를 통해 제1 공급전압(VSS)이 출력되도록 한다. 그리고, 출력된 제1 공급전압(VSS)은 제1 게이트라인(GL1)을 통해 제1 출력신호(Vg1)로 공급되게 한다. 이를 위하여, 상기 제2 제어부(13)는 제2 공급전압(VDD) 입력라인(6)과 제3 클럭신호(C3) 입력라인(3) 및 QB노드 사이에 접속된 제4 트랜지스터(T4)와, 제4 트랜지스터(T4)와 스타트 펄스(SP) 입력라인(5) 및 제1 공급전압(VSS) 입력라인(7) 사이에 접속된 제5 트랜지스터(T5)를 구비한다.The second control unit 13 controls the QB node to output the first supply voltage VSS through the seventh transistor T7 of the output unit 15. The output first supply voltage VSS is supplied to the first output signal Vg1 through the first gate line GL1. To this end, the second controller 13 may include a fourth transistor T4 connected between the second supply voltage VDD input line 6, the third clock signal C3 input line 3, and the QB node. And a fifth transistor T5 connected between the fourth transistor T4, the start pulse SP input line 5, and the first supply voltage VSS input line 7.

상기 출력부(15)는 Q노드의 전압에 따라 제1 클럭신호(C1)를 선택하여 제1 게이트라인(GL1)으로 공급하는 제6 트랜지스터(T6)와, QB노드의 전압에 따라 제1 공급전압(VSS)을 선택하여 제1 게이트라인(GL1)으로 공급하는 제7 트랜지스터(T7)를 구비한다.The output unit 15 supplies a sixth transistor T6 that selects and supplies the first clock signal C1 to the first gate line GL1 according to the voltage of the Q node and a first supply according to the voltage of the QB node. A seventh transistor T7 selects and supplies a voltage VSS to the first gate line GL1.

그리고, 상기 제1 제어부(11)는 Q노드, QB노드 및 제1 공급전압(VSS) 입력라인(7) 사이에 접속되어 제7 트랜지스터(T7)와 듀얼동작으로 QB노드를 제어하는 제3 트랜지스터(T3)를 더 구비한다. In addition, the first control unit 11 is connected between the Q node, the QB node, and the first supply voltage VSS input line 7 to control the QB node in dual operation with the seventh transistor T7. (T3) is further provided.

이러한 구성을 가지는 제1 시프트레지스터(ST1)에는 도 3에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭만큼씩 위상지연되는 형태를 가지는 제1 내지 제4 클럭신호(C1 내지 C4)가 공급된다. 여기서, 제4 클럭신호(C4)는 스타트 펄스(SP)와 동기된 위상을 갖는다. 스타트 펄스(SP) 및 제1 내지 제4 클럭신호(C1 내지 C4)는 -5V 내지 20V로 스윙하는 전압을 갖는다. 즉, 평상시에는 -5V로 인가되다가 펄스가 온 되는 구간동안 20V로 인가되게 된다. -5V를 로우상태의 전압이라 하고, 20V를 하이상태의 전압이라 하기로 한다. 그리고, 상기 제1 공급전압(VSS)은 부극성 전압(-5V)을 갖는데 반해, 상기 제2 공급전압(VDD)은 정극성 전압(20V)을 갖는다. 상기 제1 및 제2 공급전압(VSS, VDD)은 항상 일정한 직류전압을 갖는다. 제4 클럭신호(C4) 구간이 S1 기간이고, 제1 클럭신호(C1) 구간이S2 기간이고, 제2 클럭신호(C2) 구간이 S3 기간이며, 제3 클럭신호(C3) 구간이 S4 기간을 각각 나타낸다.As illustrated in FIG. 3, first to fourth clock signals C1 to C4 having a form in which phase delays are sequentially performed by one clock are provided to the first shift register ST1 having such a configuration. Here, the fourth clock signal C4 has a phase synchronized with the start pulse SP. The start pulse SP and the first to fourth clock signals C1 to C4 have a voltage swinging from -5V to 20V. In other words, it is normally applied at -5V and then applied at 20V while the pulse is turned on. Let -5V be the low voltage and 20V be the high voltage. The first supply voltage VSS has a negative polarity voltage (-5V), whereas the second supply voltage VDD has a positive polarity voltage 20V. The first and second supply voltages VSS and VDD always have a constant DC voltage. The fourth clock signal C4 section is the S1 period, the first clock signal C1 section is the S2 period, the second clock signal C2 section is the S3 period, and the third clock signal C3 section is the S4 period Respectively.

이러한 구동 파형을 참조하여 제1 시프트레지스터(ST1)의 동작을 살펴보면 다음과 같다. The operation of the first shift register ST1 will be described with reference to the driving waveform as follows.

S1 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 동시에 하이상태가 되면, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온되어 Q노드에는 약 20V 정도의 전압이 충전된다. 이에 따라, Q노드에 게이트단자가 접속된 제6 트랜지스터(T6)가 서서히 턴-온된다. 아울러, 하이상태의 스타트 펄스(SP)에 의해 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되어 제1 공급전압(VSS) 입력라인(7)으로부터의 -5V의 전압이 QB노드에 충전된다. 이에 따라, QB노드에 게이트단자가 접속된 제3 및 제7 트랜지스터(T3, T7)가 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제6 트랜지스터(T6)를 통해 로우상태를 유지하는 제1 클럭신호(C1)의 전압 -5V가 제1 시프트레지스터(ST1)의 게이트라인(GL1)에 공급되어 로우상태(-5V)로 충전된다. When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high at the same time in the S1 period, the first and second transistors T1 and T2 are turned on to charge the Q node with a voltage of about 20V. . As a result, the sixth transistor T6 having the gate terminal connected to the Q node is gradually turned on. In addition, the fifth transistor T5 is turned on by the start pulse SP in the high state, and a voltage of −5 V from the first supply voltage VSS input line 7 is charged to the QB node. Accordingly, the third and seventh transistors T3 and T7 having gate terminals connected to the QB node are turned off. As a result, a voltage of −5 V of the first clock signal C1, which is maintained at the low state through the turned-on sixth transistor T6, is supplied to the gate line GL1 of the first shift register ST1 to be low. -5V).

S2 기간에서 스타트 펄스(SP) 및 제4 클럭신호(C4)가 로우상태가 되고 제1 클럭신호(C1)가 하이상태가 되면, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트단자와 소스단자 사이에 형성된 내부 커패시턴스(Cgs) 등의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping) 현 상이 발생하여 Q노드는 40V 정도까지 전압을 충전하게 되어 확실한 하이상태가 된다. 이러한 부트스트래핑 현상은 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3)가 모두 턴-오프되어 Q노드가 플로팅상태이기 때문에 가능하다. 이에 따라, 제6 트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온되어 제1 클럭신호(C1)의 하이상태의 전압(20V)이 제1 게이트라인(GL1)으로 빠르게 충전되어 20V의 하이상태로 충전되게 된다. When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 are in the low state and the first clock signal C1 is in the high state in the S2 period, an internal portion formed between the gate terminal and the source terminal of the sixth transistor T6. Bootstrapping occurs under the influence of capacitance (Cgs), and the Q node charges up to about 40V, resulting in a high state. This bootstrapping phenomenon is possible because all of the first to third transistors T1 to T3 are turned off and the Q node is in a floating state. Accordingly, the sixth transistor T6 is surely turned on so that the high voltage 20V of the first clock signal C1 is rapidly charged to the first gate line GL1 to be charged to the high state of 20V. do.

S3 기간에서 제1 클럭신호(C1)가 로우상태가 되고 제2 클럭신호(C2)가 하이상태가 되면, Q노드의 전압은 다시 약 20V정도로 떨어지고 턴-온된 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 클럭신호(C1)의 로우상태의 전압(-5V)이 제1 게이트라인(GL1)에 충전된다. When the first clock signal C1 becomes low in the S3 period and the second clock signal C2 becomes high, the voltage of the Q node drops back to about 20V and passes through the turned-on sixth transistor T6. The low voltage (-5V) of the first clock signal C1 is charged in the first gate line GL1.

S4 기간에서 제3 클럭신호(C3)가 하이상태가 되면, 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되어 20V의 제2 공급전압(VDD)이 QB노드에 충전됨으로써 제3 및 제7 트랜지스터(T3, T7)가 턴-온된다. 이에 따라, 턴-온된 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 Q노드에 충전된 약 20V의 전압은 -5V로 바뀌게 되고, 턴-온된 제7 트랜지스터(T7)를 경유하여 제1 공급전압(VSS) 입력라인(7)으로부터 공급된 -5V의 전압이 제1 게이트라인(GL1)에 로우상태로 충전되게 된다. 이러한 상태는 다음 프레임에서 다시 스타트펄스(SP)와 제4 클럭신호(C4)가 공급될 때까지 유지된다. 즉, S2 기간동안 40V로 충전된 Q노드에 의해 제6 트랜지스터(T6)를 통해 하이상태의 전압이 출력된다. 이때, QB노드에는 -5V의 로우상태의 전압이 충전되어 있다. 그리고, S4 기간부터 다음 프레임에서스타트펄스(SP) 및 제4 클럭신호(C4)가 공급될 때까지 Q노드에는 로우상태의 전압이 유지되고, QB노드에는 하이상태의 전압이 인가되게 된다. 결국, 한 프레임의 대부분의 구간동안 QB노드에 하이상태의 전압이 유지되게 된다. 따라서, 장시간 이러한 상태로 동작되게 되면, QB노드에 게이트 단자가 접속된 제7 트랜지스터(T7)에 열화가 발생되어 트랜지스터 특성이 저하되게 된다. 심한 경우에는 제7 트랜지스터(T7)에 치명적인 손상이 발생하여 액정표시장치가 동작되지 않게 될 수도 있다. 이에 따라 화면에 원하는 화상이 표시되지 않게 되어 결국 화질이 저하되는 문제점이 있다.When the third clock signal C3 becomes high in the period S4, the fourth transistor T4 is turned on so that the second supply voltage VDD of 20V is charged to the QB node so that the third and seventh transistors T3 are turned on. , T7) is turned on. Accordingly, the voltage of about 20 V charged to the Q node via the turned-on third transistor T3 is changed to −5 V, and the first supply voltage VSS is passed through the turned-on seventh transistor T7. A voltage of −5 V supplied from the input line 7 is charged to the first gate line GL1 in a low state. This state is maintained until the start pulse SP and the fourth clock signal C4 are supplied again in the next frame. That is, the high voltage is output through the sixth transistor T6 by the Q node charged to 40V during the S2 period. At this time, the QB node is charged with a low voltage of -5V. From the S4 period until the start pulse SP and the fourth clock signal C4 are supplied in the next frame, the low voltage is maintained at the Q node, and the high voltage is applied to the QB node. As a result, the high voltage is maintained at the QB node during most of the period of one frame. Therefore, when it is operated in such a state for a long time, deterioration occurs in the seventh transistor T7 having the gate terminal connected to the QB node, thereby degrading transistor characteristics. In severe cases, a fatal damage may occur to the seventh transistor T7 and the liquid crystal display may not operate. As a result, a desired image is not displayed on the screen, resulting in a deterioration in image quality.

한편, 제2 시프트레지스터(ST2)는 전술한 제1 시프트레지스터(ST1)와 동일한 구성을 가진다. 다만, 제2 시프트레지스터(ST2)는 상기 제1 시프트레지스터(ST1)에서 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호들(예컨대, C1, C2, C4)과 제1 시프트레지스터(ST1)의 하이상태의 출력신호(Vg1)를 이용하여 상기 제1 시프트레지스터(ST1)와 같이 동작하게 된다. 이에 따라, 제2 시프트레지스터(ST2)는 제1 시프트레지스터(ST1)에 비해 한 클럭만큼 쉬프트된 하이상태의 출력신호(Vg2)를 출력하게 된다. On the other hand, the second shift register ST2 has the same configuration as the first shift register ST1 described above. However, the second shift register ST2 outputs the clock signals (for example, C1, C2, and C4) delayed by one clock in the first shift register ST1 and the high state of the first shift register ST1. The signal Vg1 is used to operate like the first shift register ST1. Accordingly, the second shift register ST2 outputs the high output signal Vg2 shifted by one clock relative to the first shift register ST1.

나머지 시프트레지스터들(ST3 내지STn)도 앞서 설명한 바와 동일하게 동작된다. 이에 따라, 하이상태의 출력신호들(Vg3 내지 Vgn)이 순차적으로 해당 게이트라인들(GL3 내지 GLn)로 출력된다. The remaining shift registers ST3 to STn are operated in the same manner as described above. Accordingly, the output signals Vg3 to Vgn in the high state are sequentially output to the corresponding gate lines GL3 to GLn.

즉, 한 프레임동안 각 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 접속된 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)에 의해 순차적으로 하이상태의 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)이 출력되며, 이러한 과정은 프레임별로 반복하여 동작되게 된다.That is, the output signals Vg1 to Vgn of the high state are sequentially outputted by the shift registers ST1 to STn connected to the gate lines GL1 to GLn for one frame, and the process is repeated for each frame. To operate.

상기와 같이 구성된 게이트드라이버에서 한 프레임 주기(16.67ms)동안 게 이트라인들(GL1내지GLn)에 하이상태의 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)이 공급되는 시간(20㎲)은 매우 짧게 된다. 이에 반해, 각 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에는 한 프레임 주기의 대부분 시간(90% 이상) 동안 로우상태의 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)이 공급된다. 이때, 로우상태의 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)이 공급되는 동안, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트단자에는 하이상태의 전압(즉, QB 노드의 전압)이 유지되게 된다. 즉, 이와 같이 매 프레임별로 대부분의 시간동안 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 로우상태의 전압을 유지하기 위해서는 제7 트랜지스터(T7)의 게이트단자에 하이상태의 전압이 유지되어야 한다. 지속적으로 이와 같은 과정이 반복됨으로써, 상기 제7 트랜지스터(T7)에는 스트레스 전압이 누적되어 열화가 발생되게 된다. 이와 같이 발생된 열화에 의해 제7 트랜지스터(T7)의 문턱전압이 변동되고 이동도(mobility)도 감소되게 된다. 따라서, 결국에는 소자 성능이 악화되어 제7 트랜지스터(T7)의 동작이 정확하게 제어되지 않게 됨으로써, 화면상에 원하는 화상이 표시되지 못하게 되어 화질 저하로 이어지게 되는 문제점이 있었다. 또한, 이러한 열화에 의해 액정표시장치의 수명이 짧아지게 되는 문제점도 있었다.In the above-described gate driver, the time (20 ms) for supplying the output signals Vg1 to Vgn in the high state to the gate lines GL1 to GLn for one frame period (16.67 ms) becomes very short. On the other hand, the output signals Vg1 to Vgn in the low state are supplied to the gate lines GL1 to GLn for most of the time (90% or more) of one frame period. At this time, while the output signals Vg1 to Vgn in the low state are supplied, the high voltage (that is, the voltage of the QB node) is maintained at the gate terminal of the seventh transistor T7. That is, in order to maintain the low voltage in the gate lines GL1 to GLn for most of the time in each frame, the high voltage must be maintained at the gate terminal of the seventh transistor T7. As this process is continuously repeated, the stress voltage is accumulated in the seventh transistor T7 to cause deterioration. As a result of the deterioration, the threshold voltage of the seventh transistor T7 is changed and mobility is reduced. As a result, the device performance deteriorates and the operation of the seventh transistor T7 is not accurately controlled, thereby preventing the desired image from being displayed on the screen, leading to deterioration in image quality. In addition, there is a problem that the life of the liquid crystal display device is shortened by such deterioration.

한편, 일반적으로 내장형 게이트드라이버에 구비된 트랜지스터들(T1 내지 T7)은 액정패널 등에 구비되는 박막트랜지스터와는 달리 거대한 면적을 차지한다. 특히 제7 트랜지스터(T7)의 게이트단자에는 주로 하이상태의 전압이 유지되게 되고, 이러한 하이상태의 전압에 견딜 수 있도록 하기 위해 상기 제7 트랜지스터(T7)의 면적은 다른 트랜지스터들, 즉 제1 내지 제6 트랜지스터(T1 내지 T6)보다 월등히 크다. 또한, 게이트 드라이버의 각 시프트레지스터마다 7개씩의 트랜지스터가 구비되게 되는데, 각 시프트레지스터의 개수는 통상적으로 게이트라인의 개수와 일치한다. 통상 XGA급 액정표시장치에는 768개의 게이트라인이 존재하므로, 이에 따라 게이트 드라이버에 구비된 시프트레지스터의 개수도 768개가 구비되어야 하므로, 게이트드라이버에는 총 768*7=5376개의 트랜지스터들이 필요하게 된다.On the other hand, in general, transistors T1 to T7 included in the embedded gate driver occupy a huge area, unlike thin film transistors provided in the liquid crystal panel. In particular, the gate terminal of the seventh transistor T7 is mainly maintained in a high state voltage, so that the area of the seventh transistor T7 is different from other transistors, that is, the first to first to maintain the high state voltage. It is much larger than the sixth transistors T1 to T6. In addition, seven transistors are provided for each shift register of the gate driver, and the number of each shift register generally corresponds to the number of gate lines. In general, since 768 gate lines exist in an XGA-class liquid crystal display device, the number of shift registers included in the gate driver must also be 768. Therefore, a total of 768 * 7 = 5376 transistors are required in the gate driver.

따라서, 커다란 면적을 차지하는 수많은 트랜지스터들을 제조하기가 어렵고, 또한 비용이 많이 들게 되는 문제점이 있다. 또한, 커다란 면적을 차지하는 수많은 트랜지스터들을 구비한 게이트드라이버의 전체적인 면적이 커지게 된다. 이러한 게이트 드라이버는 액정패널에 내장되게 되는데, 이와 같이 게이트 드라이버의 면적이 커지게 되면, 그만큼 화상이 표시되는 표시 영역이 줄어들게 되어 대면적 액정표시장치를 구현하는데 커다란 장해가 될 수 있다.
Therefore, it is difficult to manufacture a large number of transistors that occupy a large area, and there is a problem that it becomes expensive. In addition, the overall area of a gate driver with many transistors occupying a large area becomes large. Such a gate driver is embedded in the liquid crystal panel. As the area of the gate driver increases, the display area in which the image is displayed is reduced, which may be a major obstacle in implementing a large area liquid crystal display.

본 발명은 트랜지스터들의 개수를 줄여 면적 및 크기를 획기적으로 줄일 수 있고 또한 스트레스에 의한 오동작을 방지할 수 있는 내장형 게이트드라이버를 제공함에 그 목적이 있다.
An object of the present invention is to provide an embedded gate driver that can significantly reduce the area and size by reducing the number of transistors and also prevent malfunctions caused by stress.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따르면, 내장형 게이트드라이버는, 표시패널에 내장되고, 개시신호에 따라 순차적으로 시프트된 출력신호를 출력하는 다수의 시프트레지스터들을 포함하고, 상기 시프트레지스터들 각각은, 개시신호 입력라인과 노드 사이에 접속되어 상기 개시신호를 상기 노드에 충전시키기 위한 제1 트랜지스터; 상기 노드, 클럭신호 입력라인 및 게이트라인 사이에 접속되어 상기 노드에 충전된 개시신호에 따라 소정의 클럭신호를 상기 출력신호로 출력하기 위한 제3 트랜지스터; 상기 노드 및 공급전압 입력라인 사이에 접속되어 소정의 공급전압에 의해 상기 노드를 초기화하기 위한 제2 트랜지스터; 및 상기 클럭신호 입력라인과 상기 게이트라인 사이에 접속되어 상기 출력 신호를 방전시키기 위한 제4 트랜지스터를 포함한다.According to a first preferred embodiment of the present invention for achieving the above object, an embedded gate driver includes a plurality of shift registers that are embedded in a display panel and output an output signal sequentially shifted according to a start signal. Each of the shift registers includes: a first transistor connected between a start signal input line and a node to charge the start signal to the node; A third transistor connected between the node, a clock signal input line, and a gate line to output a predetermined clock signal as the output signal according to a start signal charged in the node; A second transistor connected between the node and a supply voltage input line to initialize the node by a predetermined supply voltage; And a fourth transistor connected between the clock signal input line and the gate line to discharge the output signal.

본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따르면, 내장형 게이트 드라이버는, 표시패널에 내장되고, 개시신호에 따라 순차적으로 시프트된 출력신호를 출력하는 다수의 시프트레지스터들을 포함하고, 상기 시프트레지스터들 각각은, 개시신호 입력라인과 노드 사이에 접속되어 상기 개시신호를 상기 노드에 충전시키기 위한 제1 트랜지스터; 상기 노드 및 클럭신호 입력라인 사이에 접속되어 상기 노드에 충전된 개시신호에 의해 턴-온되어 소정의 클럭신호를 통과시키는 제4 트랜지스터; 상기 클럭신호 입력라인, 제4 트랜지스터 및 게이트라인 사이에 접속되어 상기 제4 트랜지스터를 통과한 클럭신호에 의해 턴-온되어 상기 클럭신호를 상기 출력신호로 출력하기 위한 제3 트랜지스터; 상기 노드 및 공급전압 입력라인 사이에 접속되어 소정의 공급전압에 의해 상기 노드를 초기화하기 위한 제2 트랜지스터; 및 상기 제3 트랜지스터의 게이트단자 상기 게이트라인 사이에 접속되어 상기 출력 신호를 방전시키기 위한 제5 트랜지스터를 포함한다.According to a second preferred embodiment of the present invention, the embedded gate driver includes a plurality of shift registers embedded in the display panel and outputting output signals sequentially shifted according to the start signal, wherein each of the shift registers includes: A first transistor connected between a start signal input line and a node to charge the start signal to the node; A fourth transistor connected between the node and a clock signal input line and turned on by a start signal charged in the node to pass a predetermined clock signal; A third transistor connected between the clock signal input line, a fourth transistor, and a gate line and turned on by a clock signal passing through the fourth transistor to output the clock signal as the output signal; A second transistor connected between the node and a supply voltage input line to initialize the node by a predetermined supply voltage; And a fifth transistor connected between the gate terminal of the third transistor and the gate line to discharge the output signal.

본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따르면, 상기 개시신호는 첫 번째 시프트레 지스터에는 스타트 펄스로 공급되고, 나머지 시프트레지스터들에는 이전단 시프트레지스터에서 출력된 출력신호로 공급될 수 있다.According to the first and second embodiments of the present invention, the start signal may be supplied to the first shift register as a start pulse, and the remaining shift registers may be supplied as output signals output from the previous shift register.

본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따르면, 상기 제2 트랜지스터는 다음단 시프트레지스터의 출력신호에 의해 턴-온될 수 있다.According to the first and second embodiments of the present invention, the second transistor may be turned on by the output signal of the next shift register.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 내장형 게이트드라이버에 구비된 시프트레지스터의 상세한 회로구성을 나타낸 도면이다. 4 is a diagram illustrating a detailed circuit configuration of a shift register included in an embedded gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

앞서 설명한 바와 같이, 액정표시장치의 게이트드라이버에는 출력신호(Vg1 내지 Vgn)를 순차적으로 출력시키기 위한 다수의 시프트레지스터들이 구비된다.As described above, the gate driver of the liquid crystal display includes a plurality of shift registers for sequentially outputting the output signals Vg1 to Vgn.

이하의 설명에서는 이러한 시프트레지스터들 중 제1 시프트레지스터(ST1)를 중심으로 설명한다. 나머지 시프트레지스터들(ST2 내지 STn)은 상기 제1 시프트레지스터(ST1)와 동일한 동작으로 수행될 수 있다. 이때, 상기 제1 시프트레지스터(ST1)의 하이상태의 출력신호(Vg1)가 다음 제2 시프트레지스터(ST2)의 스타트 펄스로 공급되고, 상기 제2 시프트레지스터(ST2)로부터 출력된 하이상태의 출력신호(Vg2)가 다음 제3 시프트레지스터(ST3)의 스타트 펄스로 공급된다. 나머지도 시프트레지스터들(ST4 내지 STn)도 모두 전단의 하이상태의 출력신호를 스타트 펄스로 공급받아 한 클럭만큼 위상이 시프트된 소정의 하이상태의 출력신호들이 출력될 수 있다.In the following description, the first shift register ST1 among these shift registers will be described. The remaining shift registers ST2 to STn may be performed in the same operation as the first shift register ST1. At this time, the high state output signal Vg1 of the first shift register ST1 is supplied to the start pulse of the next second shift register ST2 and the high state output output from the second shift register ST2. The signal Vg2 is supplied to the start pulse of the next third shift register ST3. The rest of the shift registers ST4 to STn may also receive output signals of the high state of the front end as a start pulse and output predetermined high state output signals shifted in phase by one clock.

도 4를 참조하면, 상기 제1 시프트레지스터(ST1)는 Q노드를 제어하는 제어부(41)와, 상기 Q 노드에 따라 제1 클럭신호(C1)를 출력하는 출력부(43)를 구비한 다. Referring to FIG. 4, the first shift register ST1 includes a control unit 41 for controlling a Q node, and an output unit 43 for outputting a first clock signal C1 according to the Q node. .

상기 제어부(41)는 Q노드를 제어하여 상기 출력부(43)의 제3 트랜지스터(T3)를 통해 제1 클럭신호(C1)가 출력되도록 한다. 이에 따라, 출력된 제1 클럭신호(C1)는 제1 게이트라인(GL1)을 통해 하이상태의 출력신호(Vg1)로 공급된다. 이를 위하여, 상기 제어부(41)는 스타트 펄스(SP) 입력라인(33)과 Q 노드 사이에 접속된 제1 트랜지스터(T1)와, Q 노드, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2) 입력라인(35) 및 공급전압(VSS) 입력라인(34) 사이에 접속된 제2 트랜지스터(T2)를 구비한다.The controller 41 controls the Q node to output the first clock signal C1 through the third transistor T3 of the output unit 43. Accordingly, the output first clock signal C1 is supplied to the high output signal Vg1 through the first gate line GL1. To this end, the controller 41 is configured to output the first transistor T1 connected between the start pulse SP input line 33 and the Q node, and the output signal Vg2 of the Q node and the next shift register ST2. A second transistor T2 is connected between the input line 35 and the supply voltage VSS input line 34.

상기 제1 트랜지스터(T1)는 소오스 단자와 게이트 단자 사이가 연결됨으로 해서 다이오드 기능을 갖는다. 즉, 상기 제1 트랜지스터(T1)는 소오스 단자에서 드레인 단자로는 전류가 흐르지만, 반대로 드레인 단자에서 소오스 단자로는 전류가 차단된다. 따라서, 상기 제1 트랜지스터(T1)는 스타트 펄스(SP)를 Q 노드에 충전되도록 하는 대신, 상기 Q 노드에 충전된 전압은 상기 제1 트랜지스터(T1)를 통해 외부로 흐르는 것을 방지한다. The first transistor T1 has a diode function by connecting between a source terminal and a gate terminal. That is, the current flows from the source terminal to the drain terminal of the first transistor T1, but the current is blocked from the drain terminal to the source terminal. Therefore, the first transistor T1 prevents the start pulse SP from being charged to the Q node, but prevents the voltage charged at the Q node from flowing out through the first transistor T1.

상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 Q 노드를 초기화(-5V)시키는 것으로서, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)에 의해 턴-온될 때 로우상태(-5V)의 공급전압(VSS)을 상기 Q노드에 충전시킨다. 따라서, 다음 프레임에서 하이상태의 스타트 펄스(SP)가 Q 노드에 충전되도록 하여 제3 트랜지스터(T3)를 턴-온되도록 한다.The second transistor T2 initializes the Q node (-5V). When the second transistor T2 is turned on by the output signal Vg2 of the next shift register ST2, the supply voltage VSS of the low state (-5V) is turned on. ) Is charged to the Q node. Therefore, in the next frame, the high state start pulse SP is charged to the Q node to turn on the third transistor T3.

결국, Q 노드에는 스타트 펄스(SP)가 충전되어 제3 트랜지스터를 턴-온시켜 제1 클럭신호(C1)가 제1 게이트라인(GL1)으로 공급되고, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)에 의해 턴-온된 제2 트랜지스터(T2)에 의해 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q노드에 충전되어 초기화가 이루어지어 제3 트랜지스터(T3)를 턴-오프시킨다. 이와 같은 과정은 매 프레임별로 반복적으로 수행되게 된다.
이때, 현재의 시프트레지스터가 마지막 시프트레지스터인 경우, 다음단 시프트레지스터가 없으므로, 다음단 시프트레지스터의 출력신호에 의한 Q 노드의 초기화가 불가능하다. 이러한 경우, 마지막 시프트레지스터인 현재의 시프트레지스터의 Q 노드를 초기화하는 방법은 여러가지가 있을 수 있다. 가장 대표적인 현재의 시프트레지스터의 Q 노드의 초기화 방법은 현재의 시프트레지스터의 출력신호에 의해 직접 현재의 시프트레지스터의 Q 노드를 초기화하는 방법이다. 즉, 현재의 시프트레지스터로부터 하이상태의 출력신호가 출력됨과 동시에 이 하이상태의 출력신호에 의해 제2 트랜지스터가 턴온되어, 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q 노드에 충전되어 초기화가 이루어질 수 있다.
As a result, the Q node is charged with the start pulse SP to turn on the third transistor to supply the first clock signal C1 to the first gate line GL1 and to output the output signal of the next shift register ST2. The supply voltage VSS in a low state is charged to the Q node by the second transistor T2 turned on by Vg2 to initialize and turn off the third transistor T3. This process is repeatedly performed every frame.
At this time, when the current shift register is the last shift register, since there is no next stage shift register, it is impossible to initialize the Q node by the output signal of the next stage shift register. In this case, there may be various ways to initialize the Q node of the current shift register, which is the last shift register. The most representative method of initializing the Q node of the current shift register is a method of directly initializing the Q node of the current shift register by the output signal of the current shift register. That is, while the output signal of the high state is output from the current shift register and the second transistor is turned on by the high state output signal, the low supply voltage VSS is charged to the Q node and initialized. .

상기 출력부(43)는 Q노드의 전압에 따라 하이 상태의 제1 클럭신호(C1)를 제1 게이트라인(GL1)으로 공급하는 동시에 상기 제1 게이트라인(GL1)으로 공급된 출력신호(Vg1)를 방전시킨다. 이를 위하여, 상기 출력부(43)는 제1 클럭신호(C1) 입력라인(31) 및 Q 노드 사이에 접속된 제3 트랜지스터(T3)와, 상기 제3 트랜지스터(T3)와 상기 제1 클럭신호(C1) 입력라인(31) 사이에 접속된 제4 트랜지스터(T4)를 구비한다.The output unit 43 supplies the first clock signal C1 having a high state to the first gate line GL1 according to the voltage of the Q node and at the same time the output signal Vg1 supplied to the first gate line GL1. ) Is discharged. To this end, the output unit 43 includes a third transistor T3 connected between the first clock signal C1 input line 31 and the Q node, and the third transistor T3 and the first clock signal. (C1) A fourth transistor T4 connected between the input lines 31 is provided.

상기 제3 트랜지스터(T3)는 Q노드에 충전된 하이상태의 스타트 펄스(SP)에 의해 턴-온되어 제1 클럭신호(C1)를 제1 게이트라인(GL1)으로 공급되도록 한다. 따라서, 제1 게이트라인(GL1)으로 공급된 제1 클럭신호(C1)는 제1 출력신호(Vg1)와 동일하다. The third transistor T3 is turned on by the high state start pulse SP charged in the Q node to supply the first clock signal C1 to the first gate line GL1. Therefore, the first clock signal C1 supplied to the first gate line GL1 is the same as the first output signal Vg1.

한편, 이러한 제1 출력신호(Vg1)는 다음단 시프트레지스터(ST2)의 스타트 펄스로 입력된다. 이에 따라, 다음단 시프트레지스터(ST2)에서는 제2 클럭신호(C2)와 동일한 제2 출력신호(Vg2)가 제2 게이트라인(GL2)으로 출력된다. 그리고, 상기 제2 출력신호(Vg2)는 제1 시프트레지스터(ST1)의 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호 입력라인(35)으로 공급될 수 있다. 이러한 제2 출력신호(Vg2)에 의해 상기 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되게 되어 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q노드에 충전되어 초기화가 완성되게 된다.On the other hand, the first output signal Vg1 is input as a start pulse of the next stage shift register ST2. Accordingly, in the next shift register ST2, the second output signal Vg2 identical to the second clock signal C2 is output to the second gate line GL2. The second output signal Vg2 may be supplied to the output signal input line 35 of the next shift register ST2 of the first shift register ST1. The second transistor T2 is turned on by the second output signal Vg2, so that the low supply voltage VSS is charged to the Q node to complete initialization.

상기 제4 트랜지스터(T4)는 소오스 단자와 게이트 단자가 연결됨으로 해서 다이오드 기능을 갖는다. 즉, 상기 제4 트랜지스터(T4)는 소오스 단자에서 드레인 단자로는 전류가 흐르지만, 반대로 드레인 단자에서 소오스 단자로는 전류를 차단시킨다. 따라서, 상기 제4 트랜지스터(T4)는 제1 게이트라인(GL1)으로 공급된 출력신호(Vg1)는 방전되도록 하지만, 제1 클럭신호(C1)는 제4 트랜지스터(T4)를 통해 제1 게이트라인(GL1)으로 출력되는 것을 방지한다. The fourth transistor T4 has a diode function by connecting a source terminal and a gate terminal. That is, although the current flows from the source terminal to the drain terminal, the fourth transistor T4 blocks current from the drain terminal to the source terminal. Accordingly, the fourth transistor T4 causes the output signal Vg1 supplied to the first gate line GL1 to be discharged, but the first clock signal C1 passes through the fourth transistor T4 to the first gate line. Prevents output to (GL1).

예를 들어, Q노드에 충전된 하이상태의 스타트 펄스(SP))에 의해 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온됨과 동시에 하이상태(20V)의 제1 클럭신호(C1)가 제1 게이트라인(GL1)으로 출력되어 충전되게 된다.For example, when the third transistor T3 is turned on by the high state start pulse SP charged in the Q node, the first clock signal C1 of the high state 20V becomes the first gate line. It is output to GL1 and is charged.

이어서, 제1 클럭신호(C1)가 하이상태(20V)에서 로우상태(-5V)로 떨어지게 되면, 제2 클럭신호(C2)가 로우상태에서 하이상태로 증가하게 된다. 이때, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되게 되어 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q노드에 충전되게 된다. 이에 따라, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프되게 된다. 이때, 로우상태의 제1 클럭신호(C1)가 제4 트랜지스터(T4)의 드레인단자에 인가되게 된다. 이러한 경우, 상기 제4 트랜지스터(T4)의 소오스 단자에는 하이상태의 제1출력신호(Vg1)가 충전되고, 드레인단자에는 로우상태의 제1 클럭신호(C1)가 인가되게 되어, 결국 소오스단자의 전압이 드레인단자의 전압보다 크므로, 상기 제1 출력신호(Vg1)가 제4 트랜지스터(T4)를 통해 방전되게 된다.Subsequently, when the first clock signal C1 falls from the high state 20V to the low state (-5V), the second clock signal C2 increases from the low state to the high state. At this time, the second transistor T2 is turned on by the output signal Vg2 of the next stage shift register ST2, so that the low supply voltage VSS is charged to the Q node. Accordingly, the third transistor T3 is turned off. At this time, the first clock signal C1 in the low state is applied to the drain terminal of the fourth transistor T4. In this case, the first output signal Vg1 of the high state is charged to the source terminal of the fourth transistor T4, and the first clock signal C1 of the low state is applied to the drain terminal. Since the voltage is greater than the voltage of the drain terminal, the first output signal Vg1 is discharged through the fourth transistor T4.

이러한 구성을 가지는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 시프트레지스터(ST1)에는 도 5에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭씩 온 구간을 갖는 제1 및 제2 클럭신호(C1 및 C2)가 공급된다. 상기 제1, 제2 클럭신호(C1, C2) 및 스타트 펄스(SP)는 -5V 내지 20V로 스윙하는 전압을 갖는다. -5V를 로우상태의 전압이라 하고, 20V를 하이상태의 전압이라 하기로 한다. 그리고, 상기 공급전압(VSS)은 로우상태의 전압(-5V)을 갖는다. 이러한 경우, 하나의 시프트레지스터는 3개의 구간(S1 구간 내지 S3 구간)으로 동작된다. 즉, 스타트 펄스(SP) 구간이 S1 구간이고, 제1 클럭신호(C1) 구간이 S2 구간이고, 제2 클럭신호(C2) 구간이 S3 구간을 각각 나타낸다. As shown in FIG. 5, the first and second clock signals C1 and C2 having the ON period are sequentially supplied to the first shift register ST1 according to the exemplary embodiment of the present invention having such a configuration. do. The first and second clock signals C1 and C2 and the start pulse SP have a voltage swinging from -5V to 20V. Let -5V be the low voltage and 20V be the high voltage. The supply voltage VSS has a low voltage of -5V. In this case, one shift register is operated in three sections (S1 to S3 sections). That is, the start pulse SP section is the S1 section, the first clock signal C1 section is the S2 section, and the second clock signal C2 section is the S3 section.

도 5와 같은 구동 파형을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 시프트레지스터(ST1)의 동작을 살펴보면 다음과 같다.The operation of the first shift register ST1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the driving waveform shown in FIG. 5 as follows.

먼저, S1 기간에 하이상태(20V)의 스타트 펄스(SP)가 입력되면, 제1 트랜지스터(T1)를 경유하여 Q노드에 하이상태의 스타트 펄스(SP)가 충전된다. 이에 따라, Q노드에 게이트단자가 접속된 제3 트랜지스터(T3)가 서서히 턴-온된다. 이때에는 아직 제3 트랜지스터(T3)가 완전하게 턴-온되지 않게 됨으로써, 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제3 트랜지스터(T3)를 통과하지 못하게 된다. 따라서, 제1 게이트라인(GL1)에는 로우상태(-5V)의 출력신호가 존재하게 된다.First, when the start pulse SP of the high state 20V is input in the S1 period, the start node SP of the high state is charged to the Q node via the first transistor T1. As a result, the third transistor T3 having the gate terminal connected to the Q node is gradually turned on. At this time, since the third transistor T3 is not completely turned on, the first clock signal C1 in the high state cannot pass through the third transistor T3. Therefore, the output signal of the low state (-5V) is present in the first gate line GL1.

S2 기간에 스타트 펄스(SP)가 로우상태로 떨어지는 대신 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 인가되면, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트단자와 소오스단자 사이에 형성된 내부 커패시턴스(Cgs) 등의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하여 Q노드에 40V 정도의 전압으로 충전되게 된다. 이러한 부트스트래핑 현상은 Q노드가 플로팅상태이기 때문에 가능하다. 즉, 제1 트랜지스터(T1)는 드레인단자에서 소오스단자로 전류가 흐르지 않게 되어 턴-오프 역할을 하게 되고, 제2 트랜지스터(T2) 또한 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)가 인가되지 않음으로 해서 턴-오프되기 때문에 Q노드에 충전된 스타트 펄스(SP)가 플로팅 상태가 된다. 이러한 경우, 제3 트랜지스터(T3)의 소오스 단자로 하이상태의 제1 클럭신호(C1)이 인가되면, 상기 제3 트랜지스터(T3)의 소오스단자와 게이트단자 사이의 내부 커패시턴스(Cgs)에 의해 Q노드에 하이상태의 제1 클럭신호(C1)만큼의 전압이 더해지게 되는 부트스트래핑 현상이 발생하게 된다. 이에 따라, Q노드에는 하이상태의 스타트 펄스(SP)와 하이상태의 제1 클럭신호(C1)의 전압의 합인 40V가 충전되게 된다. 결국, 제3 트랜지스터(T3)가 완전하게 턴-온되어 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제1 게이트라인(GL1)으로 빠르게 충전된다. When the first clock signal C1 in the high state is applied instead of the start pulse SP falling to the low state in the S2 period, an internal capacitance Cgs formed between the gate terminal and the source terminal of the third transistor T3 is applied. As a result, bootstrapping occurs and the Q node is charged with a voltage of about 40V. This bootstrapping phenomenon is possible because the Q node is floating. That is, the first transistor T1 is turned off because no current flows from the drain terminal to the source terminal, and the output signal Vg2 of the second transistor T2 is applied to the next shift register ST2. Since it is turned off, the start pulse SP charged in the Q node is in a floating state. In this case, when the first clock signal C1 in the high state is applied to the source terminal of the third transistor T3, Q is caused by the internal capacitance Cgs between the source terminal and the gate terminal of the third transistor T3. A bootstrapping phenomenon in which a voltage equal to the first clock signal C1 in the high state is added to the node is generated. Accordingly, the Q node is charged with 40 V, which is the sum of the voltages of the start pulse SP in the high state and the first clock signal C1 in the high state. As a result, the third transistor T3 is completely turned on so that the first clock signal C1 in the high state is rapidly charged to the first gate line GL1.

S3 기간에 제1 클럭신호(C1)가 로우상태로 떨어지는 대신 하이상태의 제2 클럭신호(C2)가 인가되면, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)가 제2 트랜지스터(T2)로 인가된다. 이를 상세히 설명하면, 제1 시프트레지스터(ST1)에서는 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제1 출력신호(Vg1)로서 제1 게이트라인(GL1)에 충전된다. 다음단 시프트레지스터, 즉 제2 시프트레지스터(ST2)에서는 하이상태의 제2 클럭신호(C2)가 제2 출력신호(Vg2)로서 제2 게이트라인(GL2)에 충전된다. 마찬가지로, 제3 시프트레지스터(ST3)에서는 다시 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제3 출력신호(Vg3)로서 제3 게이트라인(GL3)에 충전된다. 이와 같은 과정을 통해 순차적으로 하이상태가 되는 제1 및 제2 클럭신호(C1 및 C2)가 각 시프트레지스터(ST1 내지 Sn)에서 출력된다.If the second clock signal C2 in the high state is applied instead of the first clock signal C1 falling to the low state in the period S3, the output signal Vg2 of the next shift register ST2 is the second transistor T2. Is applied. In detail, in the first shift register ST1, the first clock signal C1 in the high state is charged to the first gate line GL1 as the first output signal Vg1. In the next shift register, that is, the second shift register ST2, the second clock signal C2 in the high state is charged to the second gate line GL2 as the second output signal Vg2. Similarly, in the third shift register ST3, the first clock signal C1 in the high state is charged to the third gate line GL3 as the third output signal Vg3. Through this process, the first and second clock signals C1 and C2 which are sequentially in a high state are output from the respective shift registers ST1 to Sn.

따라서, 하이상태의 제2 클럭신호(C2)가 제2 클럭신호 입력라인(32)으로 인가될 때, 상기 하이상태의 제2 클럭신호(C2)는 다음단 시프트레지스터(ST2)로 입력된다. 그리고, 이러한 제2 클럭신호(C2)는 제2 출력신호(Vg2)로서 상기 다음단 시프트레지스터(ST2)에 연결된 제2 게이트라인(GL2)에 충전된다. 이때, 상기 제2 게이트라인(GL2)에는 제1 시프트레지스터(ST1)의 제2 트랜지스터(T2)의 게이트단자에 연결된 다음단 시프트레지스터의 출력신호(Vg2) 입력라인(35)이 연결된다. 따라서, 상기 제2 출력신호(Vg2)는 상기 제2 트랜지스터(T2)의 게이트단자로 인가된다. Therefore, when the second clock signal C2 in the high state is applied to the second clock signal input line 32, the second clock signal C2 in the high state is input to the next shift register ST2. The second clock signal C2 is charged to the second gate line GL2 connected to the next shift register ST2 as the second output signal Vg2. In this case, an output line Vg2 of the next stage shift register connected to the gate terminal of the second transistor T2 of the first shift register ST1 is connected to the second gate line GL2. Therefore, the second output signal Vg2 is applied to the gate terminal of the second transistor T2.

이에 따라 상기 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되게 되어 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q노드에 충전되게 된다. 이때, Q노드에 연결된 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프되게 되어 로우상태의 제1 클럭신호(C1)가 제4 트랜지스터(T4)의 드레인단자에 인가된다. 이때, 제4 트랜지스터(T4)의 소오스단자에 연결된 제1 게이트라인(GL1)에는 하이상태의 출력신호(Vg1)가 충전되게 된다. 따라서 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되게 되어, 하이상태의 출력신호(Vg1)가 방전되게 된다. Accordingly, the second transistor T2 is turned on so that the low supply voltage VSS is charged to the Q node. At this time, the third transistor T3 connected to the Q node is turned off so that the first clock signal C1 in the low state is applied to the drain terminal of the fourth transistor T4. At this time, the first gate line GL1 connected to the source terminal of the fourth transistor T4 is charged with the output signal Vg1 in the high state. Therefore, the fourth transistor T4 is turned on, and the output signal Vg1 in the high state is discharged.

한편, 다음단 시프트레지스터 즉, 제2 시프트레지스터(ST2)는 전술한 제1 시프트레지스터(ST1)와 동일한 구성을 가진다. 다만, 제2 시프트레지스터(ST2)는 상기 제1 시프트레지스터(ST1)에서 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호(예컨대, C2)와 제1 시프트레지스터(ST1)의 하이상태의 출력신호(Vg1)를 이용하여 상기 제1 시프트레지스터(ST1)와 같이 동작하게 된다. 이에 따라, 제2 시프트레지스터(ST2)는 제1 시프트레지스터(ST1)에 비해 한 클럭만큼 쉬프트된 하이상태의 출력신호(Vg2)를 출력하게 된다. On the other hand, the next shift register, that is, the second shift register ST2 has the same configuration as the above-described first shift register ST1. However, the second shift register ST2 receives the clock signal (eg, C2) and the high output signal Vg1 of the first shift register ST1 which are phase-delayed by one clock in the first shift register ST1. By using the same as the first shift register (ST1). Accordingly, the second shift register ST2 outputs the high output signal Vg2 shifted by one clock relative to the first shift register ST1.

나머지 시프트레지스터들(ST3 내지STn)도 앞서 설명한 바와 동일하게 동작된다. 이에 따라, 하이상태의 출력신호들(Vg3 내지 Vgn)이 순차적으로 해당 게이트라인들(GL3 내지 GLn)로 출력된다. 즉, 한 프레임동안 각 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 접속된 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)에 의해 순차적으로 하이상태의 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)이 출력되며, 이러한 과정은 프레임별로 반복하여 동작되게 된다.The remaining shift registers ST3 to STn are operated in the same manner as described above. Accordingly, the output signals Vg3 to Vgn in the high state are sequentially output to the corresponding gate lines GL3 to GLn. That is, the output signals Vg1 to Vgn of the high state are sequentially outputted by the shift registers ST1 to STn connected to the gate lines GL1 to GLn for one frame, and the process is repeated for each frame. To operate.

도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 내장형 게이트드라이버에 구비된 시프트레지스터의 상세한 회로구성을 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a detailed circuit configuration of a shift register included in an embedded gate driver according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 상기 제1 시프트레지스터(ST1)는 Q노드를 제어하는 제어부(45)와, 상기 Q 노드에 따라 제1 클럭신호(C1)를 출력하는 출력부(47)를 구비한다. Referring to FIG. 6, the first shift register ST1 includes a control unit 45 for controlling a Q node, and an output unit 47 for outputting a first clock signal C1 according to the Q node.

상기 제어부(45)는 Q노드를 제어하여 상기 출력부(47)의 제3 트랜지스터(T3)를 통해 제1 클럭신호(C1)가 출력되도록 한다. 이에 따라, 출력된 제1 클럭신호(C1)는 제1 게이트라인(GL1)을 통해 하이상태의 출력신호(Vg1)로 공급된다. 이를 위하여, 상기 제어부(41)는 스타트 펄스(SP) 입력라인(33)과 Q 노드 사이에 접속된 제1 트랜지스터(T1)와, Q 노드, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호 입력라인(35) 및 공급전압(VSS) 입력라인(34) 사이에 접속된 제2 트랜지스터(T2)를 구비한다.The controller 45 controls the Q node to output the first clock signal C1 through the third transistor T3 of the output unit 47. Accordingly, the output first clock signal C1 is supplied to the high output signal Vg1 through the first gate line GL1. To this end, the controller 41 may include a first transistor T1 connected between the start pulse SP input line 33 and the Q node, and an output signal input line of the Q node and the next shift register ST2. 35 and a second transistor T2 connected between a supply voltage VSS input line 34.

상기 제1 트랜지스터(T1)는 소오스 단자와 게이트 단자가 연결됨으로 해서 다이오드 기능을 갖는다. 즉, 상기 제1 트랜지스터(T1)는 소오스 단자에서 드레인 단자로는 전류가 흐르지만, 반대로 드레인단자에서 소오스 단자로는 전류가 차단된다. 따라서, 상기 제1 트랜지스터(T1)는 스타트 펄스(SP)를 Q 노드에 충전되도록 하는 대신, 상기 Q 노드에 충전된 전압은 상기 제1 트랜지스터(T1)를 통해 외부로 흐르는 것을 방지한다. The first transistor T1 has a diode function by connecting a source terminal and a gate terminal. That is, in the first transistor T1, current flows from the source terminal to the drain terminal, whereas current is blocked from the drain terminal to the source terminal. Therefore, the first transistor T1 prevents the start pulse SP from being charged to the Q node, but prevents the voltage charged at the Q node from flowing out through the first transistor T1.

상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 Q 노드를 초기화(-5V)시키는 것으로서, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)에 의해 턴-온될 때 로우상태(-5V)의 공급전압(VSS)을 상기 Q노드에 충전시킨다. 따라서, 다음 프레임에서 하이상태의 스타트 펄스(SP)가 Q 노드에 충전되도록 하여 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되도록 한다.The second transistor T2 initializes the Q node (-5V). When the second transistor T2 is turned on by the output signal Vg2 of the next shift register ST2, the supply voltage VSS of the low state (-5V) is turned on. ) Is charged to the Q node. Therefore, in the next frame, the high state start pulse SP is charged to the Q node so that the third transistor T3 is turned on.

결국, Q 노드에 충전된 스타트 펄스(SP)에 의해 제3 트랜지스터(T3)를 턴-온되어 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제1 게이트라인(GL1)으로 출력되고, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)에 의해 턴-온된 제2 트랜지스터(T2)에 의해 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q노드에 충전되어 초기화가 이루어지어 제3 트랜지스터(T3)를 턴-오프시킨다. 이와 같은 과정은 매 프레임별로 반복적으로 수행되게 된다.
이때, 현재의 시프트레지스터가 마지막 시프트레지스터인 경우, 다음단 시프트레지스터가 없으므로, 다음단 시프트레지스터의 출력신호에 의한 Q 노드의 초기화가 불가능하다. 이러한 경우, 마지막 시프트레지스터인 현재의 시프트레지스터의 Q 노드를 초기화하는 방법은 여러가지가 있을 수 있다. 가장 대표적인 현재의 시프트레지스터의 Q 노드의 초기화 방법은 현재의 시프트레지스터의 출력신호에 의해 직접 현재의 시프트레지스터의 Q 노드를 초기화하는 방법이다. 즉, 현재의 시프트레지스터로부터 하이상태의 출력신호가 출력됨과 동시에 이 하이상태의 출력신호에 의해 제2 트랜지스터가 턴온되어, 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q 노드에 충전되어 초기화가 이루어질 수 있다.
As a result, the third transistor T3 is turned on by the start pulse SP charged in the Q node, and the first clock signal C1 in the high state is output to the first gate line GL1 and the next shift is performed. The supply voltage VSS in the low state is charged to the Q node by the second transistor T2 turned on by the output signal Vg2 of the register ST2 and initialized to turn on the third transistor T3. Turn it off. This process is repeatedly performed every frame.
At this time, when the current shift register is the last shift register, since there is no next stage shift register, it is impossible to initialize the Q node by the output signal of the next stage shift register. In this case, there may be various ways to initialize the Q node of the current shift register, which is the last shift register. The most representative method of initializing the Q node of the current shift register is a method of directly initializing the Q node of the current shift register by the output signal of the current shift register. That is, while the output signal of the high state is output from the current shift register and the second transistor is turned on by the high state output signal, the low supply voltage VSS is charged to the Q node and initialized. .

상기 출력부(47)는 Q노드의 전압에 따라 하이 상태의 제1 클럭신호(C1)를 제1 게이트라인(GL1)으로 출력하는 동시에 상기 제1 게이트라인(GL1)으로 출력된 출력신호(Vg1)를 방전시킨다. 이를 위하여, 상기 출력부(47)는 제1 클럭신호(C1) 입력라인(31)과 Q노드 사이에 접속된 제4 트랜지스터(T4)와, 상기 제1 클럭신호(C1) 입력라인(31) 및 상기 제4 트랜지스터(T4) 사이에 접속된 제3 트랜지스터(T3)와, 상기 제3 트랜지스터(T3)의 게이트단자와 게이트라인(GL1) 사이에 접속된 제5 트랜지스터(T5)를 구비한다.The output unit 47 outputs the first clock signal C1 having a high state to the first gate line GL1 according to the voltage of the Q node and at the same time the output signal Vg1 output to the first gate line GL1. ) Is discharged. To this end, the output unit 47 includes a fourth transistor T4 connected between the first clock signal C1 input line 31 and the Q node, and the first clock signal C1 input line 31. And a third transistor T3 connected between the fourth transistor T4 and a fifth transistor T5 connected between the gate terminal of the third transistor T3 and the gate line GL1.

상기 제4 트랜지스터(T4)는 Q노드에 충전된 하이상태의 스타트 펄스(SP)에 의해 턴-온되게 되어 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제3 트랜지스터(T3)의 게이트단자로 인가되게 한다. The fourth transistor T4 is turned on by the high state start pulse SP charged in the Q node, and the first clock signal C1 in the high state is applied to the gate terminal of the third transistor T3. To be.

상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 제4 트랜지스터(T4)를 경유하여 인가된 하이상태의 제1 클럭신호(C1)에 의해 턴-온되어 상기 하이상태의 제1 클럭신호(C1)를 제1 게이트라인(GL1)으로 출력되도록 한다. 따라서, 제1 게이트라인(GL1)으로 출력된 제1 클럭신호(C1)는 제1 출력신호(Vg1)와 동일하다. The third transistor T3 is turned on by the first clock signal C1 in the high state applied via the fourth transistor T4 to thereby turn the first clock signal C1 in the high state into a first state. Output to the gate line GL1. Therefore, the first clock signal C1 output to the first gate line GL1 is the same as the first output signal Vg1.

한편, 이러한 제1 출력신호(Vg1)는 다음단 시프트레지스터(ST2)의 스타트 펄스로 입력된다. 이에 따라, 다음단 시프트레지스터(ST2)에서는 제2 클럭신호(C2)와 동일한 제2 출력신호(Vg2)가 제2 게이트라인(GL2)으로 출력된다. 그리고, 상기 제2 출력신호(Vg2)는 제1 시프트레지스터(ST1)의 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호 입력라인으로 공급될 수 있다. 이러한 제2 출력신호(Vg2)에 의해 상기 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되게 되어 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q노드에 충전되어 초기화가 완성되게 된다.On the other hand, the first output signal Vg1 is input as a start pulse of the next stage shift register ST2. Accordingly, in the next shift register ST2, the second output signal Vg2 identical to the second clock signal C2 is output to the second gate line GL2. The second output signal Vg2 may be supplied to an output signal input line of the next shift register ST2 of the first shift register ST1. The second transistor T2 is turned on by the second output signal Vg2, so that the low supply voltage VSS is charged to the Q node to complete initialization.

상기 제5 트랜지스터(T5)는 드레인 단자와 게이트 단자가 연결됨으로 해서 다이오드 기능을 갖는다. 즉, 상기 제5 트랜지스터(T5)는 드레인단자에서 소오스 단자로는 전류가 흐르지만, 반대로 소오스 단자에서 드레인 단자로는 전류를 차단시킨다. 따라서, 상기 제5 트랜지스터(T5)는 제1 게이트라인(GL1)으로 공급된 출력신호(Vg1)는 제5 트랜지스터(T5)를 통해 방전되도록 하지만, 상기 제4 트랜지스터(T4)를 경유한 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제5 트랜지스터(T5)를 통해 제1 게이트라인(GL1)으로 출력되는 것을 방지한다. 이에 대한 상세한 설명은 앞서 설명한 바가 있으므로 더 이상의 설명은 생략한다.The fifth transistor T5 has a diode function by connecting a drain terminal and a gate terminal. That is, in the fifth transistor T5, current flows from the drain terminal to the source terminal, but on the contrary, current flows from the source terminal to the drain terminal. Accordingly, the fifth transistor T5 causes the output signal Vg1 supplied to the first gate line GL1 to be discharged through the fifth transistor T5, but is in a high state via the fourth transistor T4. Prevents the first clock signal C1 from being output to the first gate line GL1 through the fifth transistor T5. Since a detailed description thereof has been described above, further description thereof will be omitted.

이러한 구성을 가지는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 시프트레지스터(ST1)도 도 4와 마찬가지로 도 5에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭씩 온 구간을 갖는 제1 및 제2 클럭신호(C1 및 C2)가 공급된다. 상기 제1, 제2 클럭신호(C1, C2) 및 스타트 펄스(SP)는 -5V 내지 20V로 스윙하는 전압을 갖는다. -5V를 로우상태의 전압이라 하고, 20V를 하이상태의 전압이라 하기로 한다. 그리고, 상기 공급전압(VSS)은 로우상태의 전압(-5V)을 갖는다. 이러한 경우, 하나의 시프트레지스터는 3개의 구간(S1 구간 내지 S3 구간)으로 동작된다. 즉, 스타트 펄스(SP) 구간이 S1 구간이고, 제1 클럭신호(C1) 구간이 S2 구간이고, 제2 클럭신호(C2) 구간이 S3 구간을 각각 나타낸다. As shown in FIG. 4, the first shift register ST1 according to another exemplary embodiment of the present invention having the configuration described above also has the first and second clock signals C1 and S1 having on-clock intervals sequentially. C2) is supplied. The first and second clock signals C1 and C2 and the start pulse SP have a voltage swinging from -5V to 20V. Let -5V be the low voltage and 20V be the high voltage. The supply voltage VSS has a low voltage of -5V. In this case, one shift register is operated in three sections (S1 to S3 sections). That is, the start pulse SP section is the S1 section, the first clock signal C1 section is the S2 section, and the second clock signal C2 section is the S3 section.

도 5와 같은 구동 파형을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 시프트레지스터(ST1)의 동작을 살펴보면 다음과 같다.The operation of the first shift register ST1 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the driving waveform shown in FIG. 5 as follows.

먼저, S1 기간에 하이상태(20V)의 스타트 펄스(SP)가 입력되면, 제1 트랜지스터(T1)를 경유하여 Q노드에 하이상태의 스타트 펄스(SP)가 충전된다. 이에 따 라, Q노드에 게이트단자가 접속된 제3 트랜지스터(T3)가 서서히 턴-온된다. 이때에는 아직 제3 트랜지스터(T3)가 완전하게 턴-온되지 않게 됨으로써, 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제3 트랜지스터(T3)를 통과하지 못하게 된다. 따라서, 제1 게이트라인(GL1)에는 로우상태(-5V)의 출력신호가 존재하게 된다.First, when the start pulse SP of the high state 20V is input in the S1 period, the start node SP of the high state is charged to the Q node via the first transistor T1. Accordingly, the third transistor T3 having the gate terminal connected to the Q node is gradually turned on. At this time, since the third transistor T3 is not completely turned on, the first clock signal C1 in the high state cannot pass through the third transistor T3. Therefore, the output signal of the low state (-5V) is present in the first gate line GL1.

S2 기간에 스타트 펄스(SP)가 로우상태로 떨어지는 대신 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 인가되면, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트단자와 소오스단자 사이에 형성된 내부 커패시턴스(Cgs) 등의 영향으로 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하여 Q노드에 40V 정도의 전압으로 충전되게 된다. 이에 따라, 제3 트랜지스터(T3)가 완전하게 턴-온되어 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 상기 제4 트랜지스터(T4)를 경유하여 제3 트랜지스터(T3)의 게이트단자로 인가된다. 그리고 상기 하이상태의 제1 클럭신호(C1)에 의해 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되게 되어 하이상태의 제1 클럭신호(C1)가 제1 게이트라인(GL1)으로 빠르게 충전된다. When the first clock signal C1 in the high state is applied instead of the start pulse SP falling to the low state in the S2 period, an internal capacitance Cgs formed between the gate terminal and the source terminal of the fourth transistor T4 is applied. As a result, bootstrapping occurs and the Q node is charged with a voltage of about 40V. Accordingly, the third transistor T3 is completely turned on and the first clock signal C1 in the high state is applied to the gate terminal of the third transistor T3 via the fourth transistor T4. The third transistor T3 is turned on by the first clock signal C1 in the high state, and the first clock signal C1 in the high state is quickly charged to the first gate line GL1.

S3 기간에 제1 클럭신호(C1)가 로우상태로 떨어지는 대신 하이상태의 제2 클럭신호(C2)가 인가되면, 다음단 시프트레지스터(ST2)의 출력신호(Vg2)가 제2 트랜지스터(T2)로 인가된다. 이를 상세히 설명하면, 다음단 시프트레지스터(ST2)에서는 하이상태의 제2 클럭신호(C2)가 제2 출력신호(Vg2)로서 제2 게이트라인(GL2)으로 충전된다. 그리고, 이러한 제2 출력신호(Vg2)가 상기 제1 시프트레지스터(ST1)의 제2 트랜지스터(T2)로 인가된다. 따라서, 이러한 제2 출력신호(Vg2)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되게 되어 로우상태의 공급전압(VSS)이 Q노드에 충전되게 된다. 이때, Q노드에 연결된 제4 트랜지스터(T4)는 턴-오프되게 되어 로우상태의 제1 클럭신호(C1)가 제4 트랜지스터(T4)를 경유하여 제3 트랜지스터(T3)의 게이트단자로 인가되지 않는다. 대신에 상기 제3 트랜지스터(T3)의 게이트단자는 로우상태를 가지게 된다. 따라서, 제5 트랜지스터(T5)의 소오스단자는 로우상태인데 반해 드레인단자는 하이상태의 출력신호(Vg1)가 되므로, 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되게 되어 출력신호(Vg1)가 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 방전되게 된다. If the second clock signal C2 in the high state is applied instead of the first clock signal C1 falling to the low state in the period S3, the output signal Vg2 of the next shift register ST2 is the second transistor T2. Is applied. In detail, in the next shift register ST2, the second clock signal C2 in the high state is charged to the second gate line GL2 as the second output signal Vg2. The second output signal Vg2 is applied to the second transistor T2 of the first shift register ST1. Accordingly, the second transistor T2 is turned on by the second output signal Vg2, so that the supply voltage VSS in the low state is charged to the Q node. At this time, the fourth transistor T4 connected to the Q node is turned off so that the first clock signal C1 in the low state is not applied to the gate terminal of the third transistor T3 via the fourth transistor T4. Do not. Instead, the gate terminal of the third transistor T3 has a low state. Therefore, while the source terminal of the fifth transistor T5 is low, the drain terminal becomes the output signal Vg1 of the high state, and thus the fifth transistor T5 is turned on so that the output signal Vg1 becomes the fifth. It is discharged via the transistor T5.

한편, 다음단 시프트레지스터 즉, 제2 시프트레지스터(ST2)는 전술한 제1 시프트레지스터(ST1)와 동일한 구성을 가진다. 다만, 제2 시프트레지스터(ST2)는 상기 제1 시프트레지스터(ST1)에서 한 클럭만큼씩 위상지연된 클럭신호(예컨대, C2)와 제1 시프트레지스터(ST1)의 하이상태의 출력신호(Vg1)를 이용하여 상기 제1 시프트레지스터(ST1)와 같이 동작하게 된다. 이에 따라, 제2 시프트레지스터(ST2)는 제1 시프트레지스터(ST1)에 비해 한 클럭만큼 쉬프트된 하이상태의 출력신호(Vg2)를 출력하게 된다. On the other hand, the next shift register, that is, the second shift register ST2 has the same configuration as the above-described first shift register ST1. However, the second shift register ST2 receives the clock signal (eg, C2) and the high output signal Vg1 of the first shift register ST1 which are phase-delayed by one clock in the first shift register ST1. By using the same as the first shift register (ST1). Accordingly, the second shift register ST2 outputs the high output signal Vg2 shifted by one clock relative to the first shift register ST1.

나머지 시프트레지스터들(ST3 내지STn)도 앞서 설명한 바와 동일하게 동작된다. 이에 따라, 하이상태의 출력신호들(Vg3 내지 Vgn)이 순차적으로 해당 게이트라인들(GL3 내지 GLn)로 출력된다. 즉, 한 프레임동안 각 게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 접속된 시프트레지스터들(ST1 내지 STn)에 의해 순차적으로 하이상태의 출력신호들(Vg1 내지 Vgn)이 출력되며, 이러한 과정은 프레임별로 반복하여 동작되게 된다.
The remaining shift registers ST3 to STn are operated in the same manner as described above. Accordingly, the output signals Vg3 to Vgn in the high state are sequentially output to the corresponding gate lines GL3 to GLn. That is, the output signals Vg1 to Vgn of the high state are sequentially outputted by the shift registers ST1 to STn connected to the gate lines GL1 to GLn for one frame, and the process is repeated for each frame. To operate.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면, 제1 시프트레지스터(ST1)에 4개 내지 5개의 트랜지스터만이 구비됨으로써, 종래의 제1 시프트레지스터(ST1)에 구비된 7개의 트랜지스터에 비해 3개가 더 적게 된다. 그리고, 이와 같은 트랜지스터들의 감소는 각 시프트레지스터들에 동일하게 적용됨으로 해서 수백 개의 시프트레지스터들로 이루어진 내장형 게이트드라이버의 면적을 현저히 줄일 수 있다. 이에 따라, 비용이 크게 절감되고 나아가 이러한 트랜지스터들을 만들기가 용이해져 공정이 단순해질 수 있다. As described above, according to the present invention, since only four to five transistors are provided in the first shift register ST1, three more transistors are provided in comparison with the seven transistors provided in the first shift register ST1. Less. In addition, the reduction of the transistors is equally applied to the respective shift registers, thereby significantly reducing the area of the embedded gate driver including several hundred shift registers. As a result, the cost is greatly reduced, and further, it is easy to make such transistors, thereby simplifying the process.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이 종래에 제7 트랜지스터(T7)를 구동시키기 위한 제2 제어부(13)를 제거함으로 해서, 본 발명의 제3 트랜지스터(T3)에서 발생될 수 있는 열화를 원천적으로 차단하여 스트레스로 인한 오동작의 가능성을 해소하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2, by removing the second control unit 13 for driving the seventh transistor T7 in the related art, deterioration that may occur in the third transistor T3 of the present invention is fundamentally performed. It can improve reliability by eliminating the possibility of malfunction due to stress by blocking.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (8)

표시패널에 내장된 게이트드라이버에 있어서, In the gate driver built into the display panel, 개시신호에 따라 순차적으로 시프트된 출력신호를 출력하는 다수의 시프트레지스터들을 포함하고, A plurality of shift registers for outputting an output signal sequentially shifted according to the start signal, 상기 시프트레지스터들 각각은, Each of the shift registers, 개시신호 입력라인과 노드 사이에 접속되어 상기 개시신호를 상기 노드에 충전시키기 위한 제1 트랜지스터;A first transistor connected between a start signal input line and a node to charge the start signal to the node; 상기 노드, 클럭신호 입력라인 및 게이트라인 사이에 접속되어 상기 노드에 충전된 개시신호에 따라 클럭신호를 상기 출력신호로 출력하기 위한 제3 트랜지스터;A third transistor connected between the node, a clock signal input line, and a gate line to output a clock signal as the output signal according to a start signal charged to the node; 상기 노드 및 공급전압 입력라인 사이에 접속되어 공급전압에 의해 상기 노드를 초기화하기 위한 제2 트랜지스터; 및A second transistor connected between said node and a supply voltage input line for initializing said node by a supply voltage; And 상기 클럭신호 입력라인과 상기 게이트라인 사이에 접속되어 상기 출력 신호를 방전시키기 위한 제4 트랜지스터A fourth transistor connected between the clock signal input line and the gate line to discharge the output signal 를 포함하는 내장형 게이트 드라이버. Built-in gate driver comprising a. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제4 트랜지스터는 일방향으로만 전압을 통과시키는 다이오드의 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 내장형 게이트 드라이버.The embedded gate driver of claim 1, wherein the first and fourth transistors have a function of a diode passing voltage in only one direction. 표시패널에 내장된 게이트드라이버에 있어서, In the gate driver built into the display panel, 개시신호에 따라 순차적으로 시프트된 출력신호를 출력하는 다수의 시프트레지스터들을 포함하고, A plurality of shift registers for outputting an output signal sequentially shifted according to the start signal, 상기 시프트레지스터들 각각은, Each of the shift registers, 개시신호 입력라인과 노드 사이에 접속되어 상기 개시신호를 상기 노드에 충전시키기 위한 제1 트랜지스터;A first transistor connected between a start signal input line and a node to charge the start signal to the node; 상기 노드 및 클럭신호 입력라인 사이에 접속되어 상기 노드에 충전된 개시신호에 의해 턴-온되어 클럭신호를 통과시키는 제4 트랜지스터;A fourth transistor connected between the node and a clock signal input line and turned on by a start signal charged in the node to pass a clock signal; 상기 클럭신호 입력라인, 제4 트랜지스터 및 게이트라인 사이에 접속되어 상기 제4 트랜지스터를 통과한 클럭신호에 의해 턴-온되어 상기 클럭신호를 상기 출력신호로 출력하기 위한 제3 트랜지스터; A third transistor connected between the clock signal input line, a fourth transistor, and a gate line and turned on by a clock signal passing through the fourth transistor to output the clock signal as the output signal; 상기 노드 및 공급전압 입력라인 사이에 접속되어 공급전압에 의해 상기 노드를 초기화하기 위한 제2 트랜지스터; 및A second transistor connected between said node and a supply voltage input line for initializing said node by a supply voltage; And 상기 제3 트랜지스터의 게이트단자 상기 게이트라인 사이에 접속되어 상기 출력 신호를 방전시키기 위한 제5 트랜지스터A fifth transistor connected between the gate terminal of the third transistor and the gate line to discharge the output signal 를 포함하는 내장형 게이트 드라이버. Built-in gate driver comprising a. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제5 트랜지스터는 일방향으로만 전압을 통과시키는 다이오드의 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 내장형 게이트 드라이버.4. The embedded gate driver of claim 3, wherein the first and fifth transistors have a function of a diode passing voltage in only one direction. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 개시신호는 첫 번째 시프트레지스터에는 스타트 펄스로 공급되고, 나머지 시프트레지스터들에는 이전단 시프트레지스터에서 출력된 출력신호로 공급되는 것을 특징으로 하는 내장형 게이트 드라이버.4. The embedded gate driver of claim 1 or 3, wherein the start signal is supplied to the first shift register as a start pulse, and the remaining shift registers are supplied as output signals output from the previous shift register. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 클럭신호 및 개시신호는 하이상태의 전압이고, 상기 공급전압은 로우상태의 전압인 것을 특징으로 하는 내장형 게이트 드라이버.4. The embedded gate driver of claim 1 or 3, wherein the clock signal and the start signal are high voltages, and the supply voltages are low voltages. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터는 다음단 시프트레지스터의 출력신호에 의해 턴-온되는 것을 특징으로 하는 내장형 게이트 드라이버.4. The embedded gate driver of claim 1 or 3, wherein the second transistor is turned on by an output signal of a next stage shift register. 제7항에 있어서, 상기 시프트레지스터가 마지막 시프트레지스터인 경우, 상기 시프트레지스터의 상기 제2 트랜지스터는 상기 시프트레지스터의 출력신호에 의해 턴-온되는 것을 특징으로 하는 내장형 게이트 드라이버.8. The embedded gate driver of claim 7, wherein when the shift register is a last shift register, the second transistor of the shift register is turned on by an output signal of the shift register.
KR1020040067291A 2004-08-25 2004-08-25 Integrated Gate Driver KR101050286B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040067291A KR101050286B1 (en) 2004-08-25 2004-08-25 Integrated Gate Driver

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040067291A KR101050286B1 (en) 2004-08-25 2004-08-25 Integrated Gate Driver

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060018772A KR20060018772A (en) 2006-03-02
KR101050286B1 true KR101050286B1 (en) 2011-07-19

Family

ID=37126344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040067291A KR101050286B1 (en) 2004-08-25 2004-08-25 Integrated Gate Driver

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101050286B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101243813B1 (en) * 2006-06-30 2013-03-18 엘지디스플레이 주식회사 Shift register for liquid crystal display device and method for driving the same
KR101903567B1 (en) 2011-11-10 2018-11-23 삼성디스플레이 주식회사 Scan driving device and driving method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020059216A (en) * 2000-10-24 2002-07-12 가타오카 마사타카 Shift register around which wiring is reduced and liquid crystal display comprising the same
KR20020066962A (en) * 2001-02-13 2002-08-21 삼성전자 주식회사 Shift resister, liquid crystal display and method for driving gate line and data line block thereof
KR20040053639A (en) * 2002-12-17 2004-06-24 삼성전자주식회사 Device of driving display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020059216A (en) * 2000-10-24 2002-07-12 가타오카 마사타카 Shift register around which wiring is reduced and liquid crystal display comprising the same
KR20020066962A (en) * 2001-02-13 2002-08-21 삼성전자 주식회사 Shift resister, liquid crystal display and method for driving gate line and data line block thereof
KR20040053639A (en) * 2002-12-17 2004-06-24 삼성전자주식회사 Device of driving display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060018772A (en) 2006-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101183431B1 (en) Gate driver
KR101012972B1 (en) Active matrix display device
US8223112B2 (en) Shift register receiving all-on signal and display device
US7505023B2 (en) Built-in gate driver and display device having the same
KR101157240B1 (en) Method for driving shift register, gate driver and display device having the same
US7884795B2 (en) Gate driver having a plurality of shift registers, driving method thereof and display device having the same
US7477226B2 (en) Shift register
KR100847091B1 (en) Shift register circuit and image display apparatus equipped with the same
KR101157241B1 (en) Gate driver and driving method thereof
TWI529682B (en) A scanning signal line driving circuit, a display device including the same, and a driving method of a scanning signal line
US20060221041A1 (en) Gate driver and display device having the same
KR101244559B1 (en) Gate driver
JP2008003548A (en) Liquid crystal display device and method for driving the same
WO2015163306A1 (en) Active-matrix substrate and display device provided with same
KR101182323B1 (en) A shifter register
US20050007352A1 (en) Integrated multiplexer/de-multiplexer for active-matrix display/imaging arrays
KR101222948B1 (en) Shift register and liquid crystal display using the same
KR20080048223A (en) Display device capable of displaying partial picture and driving method of the same
KR20070104730A (en) Shift register and liquid crystal display device using the same
KR101050286B1 (en) Integrated Gate Driver
KR101351375B1 (en) A shift register
KR101232147B1 (en) A liquid crystal display device and a method for driving the same
KR20070118443A (en) Shift register and liquid crystal display device using the same
KR101319308B1 (en) A shift register
KR20090015275A (en) A shift register

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150629

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 9