KR101044270B1 - The manufacturing method of conductive gasket - Google Patents

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    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/0015Gaskets or seals

Abstract

본 발명은 전도성 개스킷의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a conductive gasket.

본 발명은 차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조방법에 있어서, 공급되는 가공대상물의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금단계; 도금된 상기 가공대상물에 탄성수단을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리단계;를 포함하여 진행됨을 특징으로 한다. The present invention provides a method of manufacturing a conductive gasket having a shielding function, the plating step of plating a conductive material on the surface of the workpiece to be supplied; And an elastic means processing step of coating and drying the elastic means on the plated object.

본 발명은 제품의 크기 및 형태에 구애받지 않고, 각양각색의 모양 및 크기로 2차 가공이 용이하다.The present invention is easy to secondary processing in a variety of shapes and sizes, regardless of the size and shape of the product.

Description

전도성 개스킷의 제조방법{THE MANUFACTURING METHOD OF CONDUCTIVE GASKET}Manufacturing Method of Conductive Gasket {THE MANUFACTURING METHOD OF CONDUCTIVE GASKET}

본 발명은 전도성 개스킷의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각종 전기, 전자제품에서 발생되는 전자파를 차단하고, 전기적으로 통전(접지 역할)시키는 기능을 수행하는 전도성 개스킷의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a conductive gasket, and more particularly, to a method for manufacturing a conductive gasket that performs a function of blocking electromagnetic waves generated from various electric and electronic products and electrically conducting (grounding).

일반적으로, 전도성 개스킷은 각종 전기, 전자제품에서 발생되는 전자파를 차단하고, 전기적으로 통전(접지 역할)시키는 기능을 수행하는 차폐수단이다.In general, the conductive gasket is a shielding means for blocking the electromagnetic waves generated from various electrical and electronic products, and performs a function of electrically conducting (grounding).

이러한 전도성 개스킷은 전도성을 갖는 Fabric(패브릭 ; 천, 직물) 및 Mash(매쉬 ; 망체) 원단을 무전해질 구리(Cu) 도금을 하여 직사각형 모양의 Sponge(스펀지)에 감싸서 제조하였다. The conductive gasket was manufactured by wrapping electroconductive copper (Cu) on conductive fabric (fabric; fabric, fabric) and Mash (mesh; mesh) fabric in a rectangular sponge (sponge).

이와 같은 종래 전도성 개스킷은 전도성 물질인 구리(Cu)가 도금된 FABRIC원단 및 Mash원단을 스펀지에 감싸게 되므로, 그 접착과 관련된 작업이 번거로운 문제점이 있다.Such a conventional conductive gasket is a copper material (Cu) is a conductive material is wrapped in FABRIC fabric and Mash fabric in a sponge, there is a problem that the work associated with the adhesion is cumbersome.

특히, 일정한 크기와 형상을 한 스펀지 외부를 FABRIC원단 및 Mash원단이 감싸게 되므로, 그 크기 특히, 형상에 제약(단조로운 형상)을 받는 문제점이 있다.In particular, since the FABRIC fabric and the mesh fabric are wrapped around the outside of the sponge having a certain size and shape, there is a problem in that the size, in particular, the shape is restricted (monomorphic).

본 발명은 차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조방법에 있어서, 공급되는 가공대상물의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금단계; 도금된 상기 가공대상물에 탄성수단을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리단계;를 포함하여 진행됨을 특징으로 한다. The present invention provides a method of manufacturing a conductive gasket having a shielding function, the plating step of plating a conductive material on the surface of the workpiece to be supplied; And an elastic means processing step of coating and drying the elastic means on the plated object.

본 발명은 제품의 크기 및 형태에 구애받지 않고, 각양각색의 모양 및 크기로 2차 가공이 용이하다.The present invention is easy to secondary processing in a variety of shapes and sizes, regardless of the size and shape of the product.

본 발명을 설명하기에 앞서 기술의 이해를 돕도록 제시하는 첨부 도면 도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 진행단계를 간략히 도시한 블럭도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 진행단계를 보다 구체적으로 도시한 블럭도이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 진행단계를 구체적으로 도시한 블럭도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 다른 실시예를 결합한 종합적인 진행단계를 도시한 간략 장치도이며, 도 5는 본 발명에 의해 제조된 전도성 개스킷 그 자체를 부분적으로 확대 도시한 구성도를 나타낸 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Prior to explaining the present invention, the accompanying drawings presenting to assist in understanding the technology. FIG. 1 is a block diagram briefly illustrating a process step according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram illustrating the steps in more detail, and FIG. 3 is a block diagram showing the steps in detail according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a comprehensive diagram of combining another embodiment with one embodiment of the present invention. It is a simplified device diagram showing the progression step, Figure 5 shows a schematic diagram showing a partially enlarged view of the conductive gasket itself produced by the present invention.

이와 같이 제시한 첨부 도면을 참고로 하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다. The present invention will be described below with reference to the accompanying drawings presented as above.

본 발명은 첨부 도면 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조방법에 있어서, 공급되는 가공대상물(S)의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금단계(S10); 도금된 상기 가공대상물(S)에 탄성수단을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리단계(S20);를 포함하여 진행될 수 있다.1 and 2, the present invention provides a method for manufacturing a conductive gasket having a shielding function, the plating step (S10) for plating a conductive material on the surface of the object (S) to be supplied; It may be proceeded to include; elastic means processing step (S20) for applying the elastic means to the plated object (S) to be plated and dried.

여기서, 본 발명 중 상기 공급되는 가공대상물(S)은 전도성 개스킷의 근본을 이루는 PE원단 또는 스펀지일 수 있다. 이때, 상기 스펀지는 개스킷용 스펀지일 수 있다. 또한, 상기 가공대상물(S)은 권취된 롤에서 언코일되면서 반대쪽으로 이송되는 과정에서 단계적으로 가공이 이루어질 수 있다.Herein, the object S to be supplied in the present invention may be a PE fabric or a sponge that forms the basis of the conductive gasket. In this case, the sponge may be a sponge for a gasket. In addition, the processing object (S) may be processed step by step in the process of being transferred to the opposite side while being uncoiled in the rolled up.

한편, 본 발명 중 상기 도금단계(S10)는 니켈 도금조에 상기 가공대상물(S)을 침전시켜 니켈 도금하고, 물로 수세한 후, 건조하는 1차 도금단계(S11); 1차 도금된 가공대상물(S)을 저수된 물에 수세한 후, 황산구리용액 도금조에 침전시켜 전기분해를 통해 가공대상물(S) 표면에 구리를 흡착시키고, 저수된 물에 반복 수세 후 건조하는 2차 도금단계(S12);로 진행될 수 있다.On the other hand, the plating step (S10) of the present invention is to precipitate the object (S) in the nickel plating bath nickel plating, washed with water, and then the first plating step (S11) to dry; After washing the first plated object (S) with water, it is precipitated in a copper sulfate plating bath to adsorb copper to the surface of the object (S) through electrolysis, followed by repeated washing with water in water. The secondary plating step (S12); may proceed to.

이때, 상기 1차 도금단계(S11)에서의 니켈 도금은 무전해 도금일 수 있고, 다음 단계인 구리 도금 과정에서 구리 이온을 흡착시키며, 상기 2차 도금단계(S12)에서 구리 도금은 가공대상물(S)이 전도성을 갖도록 하는 과정이다. At this time, the nickel plating in the primary plating step (S11) may be electroless plating, and the copper ions are adsorbed in the next step of the copper plating process, the copper plating in the secondary plating step (S12) is processed ( S) is a process of making it conductive.

또 한편, 본 발명 중 상기 탄성수단처리단계(S20)는 2차 도금된 가공대상물(S)에 실리콘을 도포 또는 침전시켜 주입하는 탄성수단주입단계(S21); 탄성수단이 주입된 가공대상물(S)을 압착시켜 탄성수단이 가공대상물(S)에 일정량만 잔류하게 하는 압착단계(S22); 탄성수단의 주입된 상태가 조절된 가공대상물(S)을 건조하는 경화단계(S23);를 포함하여 진행될 수 있다.On the other hand, the elastic means processing step (S20) of the present invention is the elastic means injection step (S21) for injecting or depositing silicon to the secondary-plated object (S); A crimping step (S22) of compressing the processing object S into which the elastic means is injected so that only a predetermined amount of the elastic means remains in the processing object S; And a curing step (S23) of drying the processing object (S) in which the injected state of the elastic means is controlled.

이때, 상기 탄성수단주입단계(S21)는 액상의 실리콘 원료를 분사하는 분사장치 또는 액상의 실리콘이 저수된 저수조에서 이루어질 수 있다.In this case, the elastic means injection step (S21) may be made in the injection device for injecting the liquid silicon raw material or in the reservoir in which the liquid silicon is stored.

또한, 상기 압착단계(S22)는 모터에 의해 연동 회전하되, 가공대상물(S)에 대한 압착 높이가 서로 다른 한 쌍의 압착롤러에 의해 이루어질 수 있다. 이때, 상기 한 쌍의 압착롤러는 가공대상물(S)이 투입되는 방향의 압착롤러의 압착 높이가 더 높아서 즉, 압착력이 서로 다를 수 있다. 이와 같이 되면, 가공대상물(S)이 진행하면서 순차적으로 압착력이 높아져 진행을 원활하게 유도하는 한편, 가공대상물(S)에 주입된 실리콘이 급격히 유출되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the pressing step (S22) is rotated by the motor, it may be made by a pair of pressing rollers different in the pressing height for the processing object (S). At this time, the pair of pressing rollers are higher in the pressing height of the pressing roller in the direction in which the processing object (S) is input, that is, the pressing force may be different from each other. In this case, as the processing object S progresses, the pressing force is sequentially increased to smoothly induce the progress, and it is possible to prevent the silicon injected into the processing object S from flowing out rapidly.

또한, 상기 경화단계(S23)는 실리콘이 주입된 가공대상물(S)에 열을 가해 경화시키는 가열장치일 수 있다. 이때, 상기 가열장치는 이송롤러를 타고 진행하는 가공대상물(S)에 더운 열기를 분사하는 열풍제공장치일 수 도 있고, 빛(예시적으로 자외선)을 조사하는 광제공장치일 수 도 있으며, 챔버일 수 도 있다. In addition, the curing step (S23) may be a heating device for curing by applying heat to the processing object (S) is injected silicon. In this case, the heating device may be a hot air providing device for injecting hot heat to the processing object (S) to proceed in the transfer roller, may be a light providing device for irradiating light (for example ultraviolet rays), chamber It may be.

이와 같이 되면, 상기 도금단계(10)에서 경화된 가공대상물(S)에 탄성수단인 실리콘 또는 PE가 탄성력을 제공하여 개스킷의 기능을 수행할 수 있도록 한다.In this case, silicon or PE, which is an elastic means, to the object S cured in the plating step 10 may provide an elastic force to perform a function of a gasket.

이러한 본 발명은 권취된 가공대상물(S)을 언코일하여 상기 가공장치들을 경유시켜 회수하는 장치(권취장치; 모터에 의해 회전하는 권취롤러와 이송경로를 제공하는 롤러군)에 의해 공정이 진행된다. In the present invention, the process is performed by a device (coiling device; a roller group that provides a winding roller rotating by a motor and a feeding path) for uncoiling the wound object S to be recovered via the processing devices. .

이하, 본 발명의 단계별 설명을 구체적으로 기술하면 다음과 같다.Hereinafter, the step-by-step description of the present invention will be described in detail.

먼저, 상기 도금단계(S10) 중 1차 도금단계(S11)는 니켈 도금조로 상기 가공대상물(S)을 유도하여 침전시켜 니켈 도금하게 되는데, 비전도성 재료인 가공대상물(S)의 표면에 화학환원반응으로 금속을 석출하여 표면처리 하는 공정으로서, 환원제로는 차아린산 이온이나 히드라진이 선택된다.First, the first plating step (S11) of the plating step (S10) is nickel plating by inducing the precipitate (S) by the nickel plating bath to precipitate, the chemical reduction on the surface of the workpiece (S), which is a non-conductive material As a process of depositing a metal by surface reaction and surface-treating, a reducing agent is selected as a phosphate ion or hydrazine.

상기, 니켈은 차아린산 이온 환원계에 적응성이 높아 자기촉매로 석출의 연쇄반응을 일으키게 되며, 화학환원반응에 의해 가공대상물(S)에 니켈이 도금된다. 이후, 저수된 물로 1차 도금된 가공대상물(S)을 유도하여 수세한다. The nickel is highly adaptable to the hypochlorite ion reduction system to cause a chain reaction of precipitation as a self-catalyst, and nickel is plated on the object S by a chemical reduction reaction. Subsequently, the primary object to be processed (S) plated with the stored water is washed with water.

한편, 2차도금단계(S12)는 상기 1차 도금된 가공대상물(S)을 황산구리용액 도금조로 유도하여 침전시켜 구리 도금하게 된다.On the other hand, the secondary plating step (S12) is guided to the copper-plated sulfuric acid solution plating bath to precipitate the primary plated processing object (S) is copper plating.

이를 구체적으로 설명하면, 상기 가공대상물(S)이 유도되어 침전되는 항산구리용액 도금조에 전류를 공급한다. 이때, 공급되는 전류는 가감저항기에 의해 조절된다. 전원을 넣으면 가공대상물(S) 표면의 니켈 도금층이 음전하를 띠고, 니켈 도금층에서 방출된 전자가 구리이온(Cu++)으로 전달되어 구리금속을 석출시킨다. In detail, the current is supplied to the copper plating solution in which the copper (S) is induced and precipitated. At this time, the supplied current is controlled by the regulating resistor. When the power is turned on, the nickel plating layer on the surface of the object S has a negative charge, and electrons emitted from the nickel plating layer are transferred to copper ions (Cu ++) to precipitate copper metal.

석출된 구리 원자는 니켈도금층 표면에 흡착되어 도금되는데, 상기에서 같은 수의 황산이온(SO-)이 양극인 구리 금속으로 모이고, 이런 과정을 통해 용액 속에 새로운 황산구리를 생성한다. 이와 같은 과정은 전지도금 과정에서 공통으로 일어난다.The deposited copper atoms are adsorbed and plated on the surface of the nickel plated layer, where the same number of sulfate ions (SO-) are collected into the copper metal as the anode, and this process produces new copper sulfate in the solution. This process is common in the electroplating process.

즉, 전류가 흐르면 음극에서 석출되는 구리 금속의 양이 같기 때문에 용액은 일정하게 유지된다.That is, the solution is kept constant because the amount of copper metal precipitated at the cathode is equal when the current flows.

이와 같이 하여, 가공대상물(S)의 표면에 도금층을 형성 후 건조하게 되면 가공대상물(S)은 경질의 상태가 된다.In this way, when the plating layer is formed on the surface of the workpiece S and dried, the workpiece S is in a hard state.

상기, 탄성수단처리단계(S20) 중 탄성수단주입단계(S21)는 도금 처리된 후 경질 상태가 된 상기 가공대상물(S)을 탄성수단분사장치 또는 탄성수단 저수조로 유도하여 실리콘을 도포하거나 침전시켜 가공대상물(S)에 탄성수단을 주입시킨다.In the elastic means processing step (S20), the elastic means injection step (S21) is applied to the elastic means spraying device or the elastic means water storage tank to guide the processing object (S), which is in a hard state after the plating process to apply or precipitate the silicon The elastic means is injected into the object S.

이후, 상기 압착단계(S22)는 탄성수단이 주입된 상태로 유도되는 가공대상물(S)을 압착기를 통해 압착시켜 가공대상물(S)에 탄성수단이 일정량만 잔류하도록 한다. 이와 같이 하면, 가공대상물(S)에 주입된 탄성수단의 양을 조절할 수 있어 전도성 개스킷의 탄성력 및 두께를 조절할 수 있다. Then, the pressing step (S22) by pressing the processing object (S) guided in the state in which the elastic means is injected through a compactor so that only a predetermined amount of elastic means remain in the processing object (S). In this way, the amount of elastic means injected into the object S can be adjusted, so that the elastic force and thickness of the conductive gasket can be adjusted.

마지막으로, 상기 경화단계(S23)는 탄성수단이 주입 상태가 조절된 가공대상물(S)을 건조경로로 유도하여 인위적으로 건조 경화시키거나, 실온에서 건조 경화시킨다.Finally, the curing step (S23) is artificially hardened by the elastic means is guided to the processing object (S) in which the injection state is controlled to a drying path, or dry-hardened at room temperature.

그리고, 본 발명은 첨부 도면 도 3에 도시된 바와 같이, 도금단계(S10) 이전 에 가공준비를 위한 전 처리 단계를 더 포함하여 진행될 수 있다.In addition, the present invention may further include a pre-treatment step for processing preparation before the plating step (S10), as shown in FIG.

그 전 처리 단계로는 도시된 바와 같이, 공급되는 가공대상물(S)의 표면을 산화시키는 산화단계(S1); 상기 산화단계에서 표면이 산화된 가공대상물(S)을 중화시키는 중화단계(S2);를 더 포함하여 진행될 수 있다. As the pretreatment step, as shown, an oxidation step (S1) for oxidizing the surface of the object (S) to be supplied; The neutralization step (S2) for neutralizing the processing object (S) whose surface is oxidized in the oxidation step; may be further included.

여기서, 본 발명 중 상기 산화단계(S1)는 권취된 가공대상물(S)을 언코일하면서 가성소다(NaOH,수산화나트륨)용액 저수조로 유도하여 침전시켜 가공대상물(S)의 표면을 산화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 단계로 진행될 수 있다. Here, in the present invention, the oxidation step (S1) uncoils the wound object (S) while uncoiled and precipitated by caustic soda (NaOH, sodium hydroxide) solution reservoir to oxidize the surface of the object (S), It can also proceed to the step of washing in the stored water.

이때, 상기 가성소다용액(10~30%)의 온도는 섭씨40~45도일 수 있다. 상기, 가성소다는 나트륨(na)에 수산화기(-oh)가 붙어 있는데, 이는 산소(O)와 수소(h)가 결합한 것으로 물(h-oh, h2o)을 이루는 원소이다.At this time, the temperature of the caustic soda solution (10 ~ 30%) may be 40 ~ 45 degrees Celsius. The caustic soda has a hydroxyl group (-oh) attached to sodium (na), which combines oxygen (O) and hydrogen (h) to form water (h-oh, h2o).

또 한편, 상기 중화단계(S2)는 산화된 상기 가공대상물(S)을 염화파라듐과 염화주석의 혼합액이 저수된 중화조1에 침전시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 1차중화단계(S2-1); 상기 1차 중화 후, 황산(10~35%)이 저수된 중화조2에 침전시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 2차중화단계(S2-2); 상기 2차 중화 후, 황산이 저수된 중화조3에 재차 침전시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 3차중화단계(S2-3);를 포함하여 진행될 수 있다. On the other hand, the neutralization step (S2) is neutralized by precipitating the oxidized object (S) in the neutralization tank 1 in which the mixed solution of palladium chloride and tin chloride is stored and then washed with water. Step S2-1; After the first neutralization, the sulfuric acid (10 ~ 35%) is neutralized by precipitation in the water storage neutralization tank 2, and the second neutralization step of washing with water still water (S2-2); After the second neutralization, and neutralized by re-precipitating the sulfuric acid is stored in the neutralization tank 3, the third neutralization step (S2-3) also washed with the stored water; it may proceed.

이와 같이 되는 본 발명은 상기 산화단계(S1)에서는 가공대상물(S)인 PE원단 또는 스펀지가 공급되어 저수된 가성소다용액에 침전되면, 가공대상물(S)의 표면이 산화(부식)되어서 도금이 용이한 상태로 변형된다. In the present invention as described above, in the oxidation step (S1), when the PE material or sponge, which is the object S, is supplied and precipitated in the stored caustic soda solution, the surface of the object S is oxidized (corroded) and plating is performed. It is deformed in an easy state.

즉, 산화단계(S1)에서 가공대상물(S)의 표면에 무수한 홀이 형성되어, 그 홀 을 포함한 가공대상물(S)의 표면 전체에 탄성수단이 덮이게 된다. 이와 같이하면, 가공대상물(S)의 표면에 도금층의 형성을 용이하게 할 수 있다. That is, in the oxidation step S1, a myriad of holes are formed on the surface of the object S, and the elastic means is covered on the entire surface of the object S including the hole. In this way, the formation of the plating layer on the surface of the object S can be facilitated.

이후, 역시 저수된 물로 이동되는 가공대상물(S)은 세정되어 다음 단계인 중화단계(S2)로 이동된다. Thereafter, the processing object S, which is also moved to the stored water, is washed and moved to the next step of neutralization step S2.

상기 중화단계(S2)에서는 산화된 상기 가공대상물(S)이 저수된 염화파라듐과 염화주석의 혼합액에 침전되어 중화가 이루어진다. 이때, 상기 중화는 산성화된 가공대상물(S)을 염기성을 띠는 염화파라듐과 염화주석이 중화시키기 때문이다. 상기, 염기성이란 염기가 지나는 기본적 성질로서, 원래 산성의 작용을 중화하고 산과 작용하여 염과 물만을 만드는 성질을 가지고 있다.In the neutralization step S2, the oxidized object S is precipitated in the mixed solution of the stored palladium chloride and tin chloride to be neutralized. In this case, the neutralization is because the palladium chloride and tin chloride neutralizing the acidified workpiece (S) is neutralized. The basic property is a basic property through which a base passes, and it has a property of neutralizing the action of acid and producing only salt and water by working with acid.

상기 중화단계(S2)는 전술한 바와 같이, 1차중화단계(S2-1)와 2차중화단계(S2-2) 및 3차중화단계(S2-3)로 진행되는데, 중화 작용은 전술한 바와 같은 원리이므로 보다 구체적인 설명은 생략한다.As described above, the neutralization step S2 proceeds to the first neutralization step S2-1, the second neutralization step S2-2, and the third neutralization step S2-3. Since the same principle as described above, more detailed description will be omitted.

이러한, 본 발명을 종합하여 보면, 첨부 도면 도 4에 도시된 바와 같이, 전술한 단계들을 순차적으로 수행하게 된다. 물론 이때, 가공대상물(S)의 언코일을 통한 가공위치로의 유도는 연속적으로 이루어질 수 있으나, 도시된 바와 같이, 가공대상물(S)의 보관의 용이함과 공정진행 경로의 길이를 고려하여 가공 공정 중간 중간에 언코일되면서 가공위치로 유도되었던 가공대상물(S)을 재 권취 후 언코일할 수 도 있다. In summary, as shown in FIG. 4, the above-described steps are sequentially performed. Of course, at this time, the induction of the processing object (S) to the processing position through the uncoil may be made continuously, as shown, the processing process in consideration of the ease of storage of the processing object (S) and the length of the process progress path It may be uncoiled after rewinding the object S, which was guided to the machining position while being uncoiled in the middle.

이와 같이 하여 제조된 전도성 개스킷(G)은 첨부 도면 도 5에 도시된 바와 같이(도 5에서는 가공대상물(S)의 일 실시예를 스펀지로 적용함), 가공대상물(S)에 형성된 홀을 포함한 표면에 구리 도금층과 그 외부에 탄성수단층이 일체로 적층된다.The conductive gasket G manufactured as described above is shown in FIG. 5 (in FIG. 5, an embodiment of the object S is applied as a sponge), and includes a hole formed in the object S. FIG. A copper plating layer on the surface and an elastic means layer are integrally laminated thereon.

그러므로, 본 발명은 이러한 가공대상물(S)을 원하는 크기 및 형상으로 2차 가공하기가 용이하게 된다.Therefore, the present invention facilitates secondary processing of the object S to a desired size and shape.

이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. Rather, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims.

따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다. Accordingly, all such suitable changes and modifications and equivalents should be considered to be within the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 진행단계를 간략히 도시한 블럭도.1 is a block diagram schematically showing a progression step according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 진행단계를 보다 구체적으로 도시한 블럭도.Figure 2 is a block diagram showing in more detail the progress step according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 진행단계를 구체적으로 도시한 블럭도.Figure 3 is a block diagram showing in detail the progress step according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시예에 다른 실시예를 결합한 종합적인 진행단계를 도시한 간략 장치도.Figure 4 is a simplified device diagram showing a comprehensive progression step combining another embodiment to one embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 의해 제조된 전도성 개스킷 그 자체를 부분적으로 확대 도시한 구성도.Figure 5 is a partially enlarged view of the conductive gasket itself produced by the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

S10 : 도금단계 S11 : 1차 도금단계S10: plating step S11: first plating step

S12 : 2차 도금단계 S20 : 탄성수단처리단계S12: secondary plating step S20: elastic means processing step

S21 : 탄성수단주입단계 S22 : 압착단계S21: elastic means injection step S22: compression step

S23 : 경화단계 S1 : 산화단계S23 curing step S1 oxidation step

S2 : 중화단계 S : 가공대상물 S2: neutralization stage S: object to be processed

G : 개스킷G: Gasket

Claims (14)

차폐 기능을 하는 전도성 개스킷의 제조방법에 있어서, 공급되는 가공대상물(S)의 표면에 전도성 물질을 도금시키는 도금단계(S10); 도금된 상기 가공대상물(S)에 실리콘을 도포하여 건조시키는 탄성수단처리단계(S20);를 포함하여 진행되는 것에 있어서,상기 탄성수단처리단계(S20)는 2차 도금된 가공대상물(S)에 실리콘을 도포 또는 침전시켜 탄성수단을 주입하는 탄성수단 주입단계(S21); 탄성수단이 주입된 가공대상물(S)을 압착시켜 탄성수단이 가공대상물(S)에 일정량만 잔류하게 하는 압착단계(S22); 탄성수단의 주입된 상태가 조절된 가공대상물(S)을 건조하는 경화단계(S23);를 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조방법.A method of manufacturing a conductive gasket having a shielding function, the method comprising: a plating step (S10) of plating a conductive material on a surface of a workpiece (S) to be supplied; In the process, including, the elastic means processing step (S20) to apply the silicon to the plated processing object (S) to dry; An elastic means injection step (S21) of injecting or depositing silicon to inject elastic means; A crimping step (S22) of compressing the processing object S into which the elastic means is injected so that only a predetermined amount of the elastic means remains in the processing object S; And a curing step (S23) of drying the processed object (S) in which the injected state of the elastic means is controlled. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 탄성수단처리단계(S20)의 압착단계(S22)는 가공대상물(S)에 대한 압착력을 순차적으로 증대시키는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조방법.The method of manufacturing a conductive gasket according to claim 1, wherein the pressing step (S22) of the elastic means processing step (S20) sequentially increases the pressing force on the processing target (S). 제 1항에 있어서, 상기 도금단계(S10)의 전 처리단계로서, 공급되는 가공대상물(S)의 표면을 산화시키는 산화단계(S1)를 더 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조방법.The method of claim 1, further comprising an oxidation step (S1) of oxidizing the surface of the object S to be supplied as a pretreatment step of the plating step (S10). . 제 10항에 있어서, 상기 산화단계(S1)의 다음 단계로서, 표면이 산화된 가공대상물(S)을 중화시키는 중화단계(S2)를 더 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조방법.The method according to claim 10, further comprising a neutralizing step (S2) of neutralizing the workpiece (S) whose surface is oxidized as a next step of the oxidation step (S1). 제 1항에 있어서, 상기 도금단계(S10)의 전 처리단계로서, 공급되는 가공대상물(S)의 표면을 산화시키는 산화단계(S1); 상기 산화단계(S1)에서 표면이 산화된 가공대상물(S)을 중화시키는 중화단계(S2);를 더 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조방법.The method of claim 1, wherein as a pre-treatment step of the plating step (S10), the oxidation step (S1) for oxidizing the surface of the workpiece (S) to be supplied; The neutralizing step (S2) for neutralizing the workpiece (S) surface is oxidized in the oxidation step (S1); The manufacturing method of the conductive gasket characterized in that it further comprises. 제 10항 또는 12항에 있어서, 상기 산화단계(S1)에서 산화물질은 가성소다용액임을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조방법.The method of manufacturing a conductive gasket according to claim 10 or 12, wherein the oxide material in the oxidation step (S1) is a caustic soda solution. 제 11항 또는 12항에 있어서, 상기 중화단계(S2)는 산화된 상기 가공대상물(S)을 염화파라듐과 염화주석의 혼합액이 저수된 중화조1에 침전시켜 중화시킨 후, 저수된 물에 수세하는 1차중화단계(S2-1); 상기 1차 중화 후, 황산이 저수된 중화조2에 침전시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 2차중화단계(S2-2); 상기 2차 중화 후, 황산이 저수된 중화조3에 재차 침전시켜 중화시킨 후, 역시 저수된 물에 수세하는 3차중화단계(S2-3);를 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 전도성 개스킷의 제조방법.The method according to claim 11 or 12, wherein the neutralizing step (S2) is neutralized by precipitating the oxidized object (S) in the neutralization tank 1 in which the mixed solution of palladium chloride and tin chloride is stored and then neutralized. A first neutralization step of washing with water (S2-1); After the first neutralization, the sulfuric acid is precipitated in the neutralization tank 2, and then neutralized, the secondary neutralization step of washing with water also stored (S2-2); After the secondary neutralization, the sulfuric acid is precipitated again in the neutralization tank 3, and then neutralized, and then the third neutralization step (S2-3) to wash with water also stored; the conductive gasket characterized in that the progress Manufacturing method.
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