KR101043362B1 - 석영 튜브 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 석영 튜브 세정액 조성물 및 이를 이용한 석영 튜브 세정 방법에 관한 것으로, 구체적으로 할로겐화 암모늄염 화합물, 극성 유기용매 및 잔량의 산을 포함하며, 선택적으로 계면활성제 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 세정액 조성물을 이용함으로써, 석영 튜브 표면의 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 세정하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해, 세정 공정을 수행하는 동안 석영 튜브의 표면 손상을 최소화하여, 석영 튜브를 포함하는 각종 제조 장치의 교체 시기를 늦출 수 있으므로, 반도체 소자 생산 비용을 절감할 수 있다.
Description
본 발명은 석영 튜브 세정 시에 석영 튜브(Quartz Tube)의 손상을 최소화하는 세정액 조성물 및 이를 이용한 석영 튜브 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로 고집적 반도체 소자 제조에 있어서, 산화 공정, 열처리 공정, 화학기상 증착 공정 및 스트립 공정 등은 기본적인 제조 기술의 하나이다.
상기 웨이퍼의 표면에 절연막 또는 금속막 등을 형성하는 증착 공정에는 다양한 플라즈마 공정 가스와 증착로(furnace) 장비가 사용된다. 이 때, 상기 증착 확산로는 진공상태를 유지하며 실제로 공정이 진행되는 내측 튜브와, 상기 내측 튜브를 보호하면서 감압된 내부와 대기를 차단하는 외측 튜브로 이루어진 긴 원통형의 반응 튜브 및 상기 반응 튜브를 외부에서 감싸 소정 온도로 가열하는 히팅 챔버(heating chamber)로 구성된다. 상기 증착 공정은 상기 반응 튜브 내에 웨이퍼들이 탑재된 보트를 투입하고, 배관을 통해 소정의 반응가스와 불활성 가스를 주입한 후, 적절히 가열하여 실시한다. 이때, 반응 생성물과 반응에 사용되지 않은 기체들은 진공 펌프에 의해 반응튜브의 내·외측 튜브의 배관을 통해 외부로 배출된다.
이 때, 상기 반응튜브의 내·외측 튜브와 보트 및 배관은 공정이 진행되는 동안 저압, 고온에 충분히 견딜 수 있는 내열성 및 내식성이 강한 재질로 형성한다. 이러한 조건을 만족하는 재질로는 스테인리스, 테프론류 또는 석영 등이 있는데, 이 중 석영 재질로 이루어진 튜브 또는 배관은 열에 매우 강하기 때문에 높은 온도에서 진행되는 다양한 공정 설비에 적용될 수 있다.
한편, 반도체 제조공정 중에 먼지 등의 이물질이 웨이퍼에 부착 또는 침투할 경우 반도체 소자에 치명적인 악영향을 미치게 된다. 따라서, 반도체 제조에 있어서 웨이퍼의 청결과 함께 제조장비의 청결유지가 매우 중요하다.
특히, 가스반응에 의해서 웨이퍼 상에 막을 형성하는 증착 공정에서는 미세한 먼지 입자에 의해서 웨이퍼의 제조불량이 초래되는바, 증착 공정을 진행하기에 앞서 반응 튜브 등에 코팅되는 폴리실리콘 이물질 등을 제거하는 주기적인 세정 공정을 수행해야 한다.
하지만, 현재 반도체 제조 공정에 석영 튜브를 적용하는 경우, i) 석영 튜브에 실리콘이 코팅되었을 때 특별한 인-시튜 클리닝(in-situ cleaning) 방법이 없어, 익스-시튜(ex-situ)로 습식 클리닝(wet-cleaning)을 실시하기 때문에, 불필요한 시간과 인력이 많이 소요되고, ii) 클리닝 된 튜브를 재 셋팅(resetting) 하는 과정에서 위치가 조금이라도 틀어 지면, 공정 조건이 많이 달라져 공정 균일성 및 안정성 측면에서 불리하며, iii) 공정 모니터(monitor)를 위한 별도의 시간이 필요하다. 특히, 석영 튜브를 사용하는 경우, iv) 세정 공정 시에 불산(HF)과 질 산(HNO3)을 혼합한 세정 용액에 의해 석영 튜브 표면이 크게 손상되는 단점이 있다.
예컨대, 세정 용액에 포함되는 질산은 폴리실리콘막의 산화를 촉진하고, 불산은 산화된 막을 제거하는데, 이때, 상기 불산에 대한 석영 튜브 표면과 산화된 폴리실리콘의 식각 선택비 차이가 크지 않기 때문에, 세정 공정을 실시하는 동안 폴리실리콘 제거와 함께 석영 표면도 손상되기 쉬워, 석영 튜브 표면에 미세한 금(crack)이 형성된다. 이는 세정 횟수가 3회 이상 반복될수록 더욱 심화되기 때문에, 석영 튜브의 투과율이 급격히 저하된다.
더욱이, 상기 석영 튜브가 손상되면서 떨어져 나간 석영 튜브 입자가 증착 공정 시에 파티클 소오스(particle source)로 작용하여 균일한 막을 형성하는 것이 불가능하다. 따라서, 현재 반도체 소자 제조 공정에서는 3회의 세정 공정 후에는 석영 튜브 교체해야 하기 때문에, 반도체 제조 비용이 증가한다.
본 발명은 석영 튜브 손상은 최소화하면서, 석영 튜브 표면에 오염된 이물질을 쉽게 제거할 수 있는 석영 튜브 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 할로겐화 암모늄염 화합물 및 잔량의 산을 포함하는 세정액 조성물을 제공한다. 이때, 상기 세정액 조성물은 극성 유기용매 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 세정액 조성물은 세정 효과를 증가시키기 위하여 계면활성제, 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 세정액 조성물은 석영 튜브 세정액 조성물로서, 구체적으로 세정 튜브에 증착된 폴리실리콘을 제거하기 위한 석영 튜브 세정액 조성물로 적용하는 것이 가능하다.
구체적으로, 본 발명의 세정액 조성물은 종래 석영 표면과 제거 대상인 폴리실리콘 이물질 간의 식각 선택비 차이가 낮은 불산을 포함하는 대신, 폴리실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 높은 할로겐화 암모늄염 화합물을 필수 성분으로 포함한다. 상기 할로겐화 암모늄염 화합물은 NH4X 또는 NH4HX2 (이때, X는 할로겐 원소)로 나타낼 수 있으며, 이때 상기 할로겐 원소는 불소, 브롬 또는 염소 원소를 포함한다. 상기 할로겐화 암모늄염 화합물은 전체 세정액 조성물 중에 약 1 내지 50중량% 비율로 사용하는 것이 바람직하다. 만약, 상기 할로겐화 암모늄염 화합물의 함량이 1중량% 미만인 경우, 폴리실리콘 산화물에 대한 용해력이 감소하여 석영 튜브와 폴리실리콘 산화물 간의 식각 선택비 차이가 없으며, 그 함량이 50중량%를 초과하는 경우 식각 속도가 급격히 증가하여 석영 튜브가 손상되는 문제가 있다.
상기 잔량의 산은 석영 튜브 표면의 폴리 실리콘을 산화시켜 할로겐화 암모늄염 화합물로 제거가 용이한 산화물로 변화시키는 필수 성분으로서, 질산 및 인산으로 이루어진 군으로부터 선택된 무기산 또는 아세트산과 같은 유기산 중 어느 하나를 들 수 있으며, 바람직하게는 질산을 주 용액으로 적용한다. 한편, 상기 산의 함량은 전체 세정액 조성물 중에 약 1~80중량%, 바람직하게 80중량%의 비율을 넘지 않도록 한다. 만약, 상기 산의 함량이 1중량% 미만인 경우, 폴리실리콘에 대한 산화가 부족하여 상기 할로겐화 암모늄염 화합물에 의한 식각이 부족하게 되며, 그 함량이 80중량% 이상인 경우, 전체 세정액 조성물 중량에 비해 산의 함량이 많이 차지하게 되고 다른 성분의 함량이 상대적으로 감소하게 되어 폴리 실리콘에 대한 식각이 부족하게 된다.
또한, 상기 극성 유기용매는 석영 튜브 표면의 손상을 최소화하면서, 석영 튜브 표면에 형성된 폴리실리콘에 대한 식각 속도를 조절하여 본 발명의 세정액 조성물의 세정 효과를 향상시키는 성분으로서, 통상의 극성 용매라면 특별히 제한하지 않는데, 구체적으로 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸 포름아미드(DMF), 테트라하이드로퓨란(THF), 프로필렌 글리콜 메틸에테르(PGME), 1-메틸-2-피롤리디논, 메 탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 및 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 들 수 있다. 상기 극성 유기용매는 전체 세정액 조성물 중에 약 0.1 내지 20중량% 비율로 사용된다. 만약, 상기 극성 유기용매의 함량이 0.1중량% 미만인 경우, 폴리실리콘의 식각이 너무 느려지고, 식각 선택비가 낮아지는 문제가 있다. 반면, 20중량%를 초과하는 경우 식각 속도가 증가하여 석영 튜브까지 손상되는 문제와 함께 산과의 반응으로 인해 발열반응 및 다량의 흄(Fume)이 발생할 가능성이 있다.
또한, 상기 계면활성제는 폴리실리콘 표면에서 분산, 침투, 습윤 및 세정 반응 등을 유발하여, 상기 할로겐화 암모늄염 화합물에 대한 폴리실리콘의 식각 속도를 향상시키는 동시에, 석영 표면의 침식을 방지하는 효과가 있는 성분이다. 본 발명에서는 상기 계면활성제로 폴리옥시알킬렌계 비이온 계면활성제 및 비이온성 불소계면 활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 예로 들 수 있으며, 상기 계면활성제는 전체 세정액 조성물 중에 약 0.0001 내지 1중량% 비율로 사용된다. 상기 계면활성제의 함량이 1중량%를 초과하는 경우 식각 속도가 급격히 증가하여 석영 튜브가 손상되는 문제가 있다.
이때, 상기 폴리옥시알킬렌계 비이온 계면활성제는 (i) 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 올레일(oleyl) 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 세틸(cetyl) 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 스테아릴(stearyl) 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 세틸스테아릴 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 옥틸 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 트리데실(tridecyl) 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐 에테 르 화합물, 및 폴리옥시에틸렌 옥틸 페닐 에테르 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 화합물; (ii) 폴리옥시에틸렌 모노라우레이트 (monolaurate) 화합물, 폴리옥시에틸렌 모노올레이트 (monooleate) 화합물, 폴리옥시에틸렌 모노스테아레이트 (monostearate) 화합물, 폴리옥시에틸렌 라놀린 (lanolin) 화합물, 폴리옥시에틸렌 캐스터 오일 (polyoxyethylene castor oil) 화합물 및 폴리옥시에틸렌 캐스터 왁스로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 폴리옥시에틸렌 글라이콜 지방산 에스테르 화합물; (iii) 폴리옥시에틸렌 라우릴아민 에테르 화합물, 폴리옥시에틸렌 스테아릴아민 에테르 화합물 및 폴리옥시에틸렌 탈로우아민(tallowamine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 폴리옥시에틸렌 알킬아민 에테르 화합물; 및 (iv) 폴리에틸렌-블록-폴리에틸렌 글리콜 중합체, 폴리에틸렌 글리콜-블록-폴리프로필렌 글리콜-블록-폴리에틸렌 글리콜 중합체 및 폴리프로필렌 글리콜-블록-폴리에틸렌 글리콜-블록-폴리프로필렌 글리콜 중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 폴리(알킬렌-알킬렌) 블록 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 들 수 있다. 상기 비이온성 불소계면 활성제로는 폴리옥시에틸렌 퍼플루오로옥틸 에테르를 들 수 있다.
또한, 상기 증류수는 세정액 조성물의 용해도를 증가시키기 위하여 첨가하는 첨가제로서, 전체 세정액 조성물 중에 약 1 내지 50중량% 비율로 사용된다. 만약, 상기 증류수의 함량이 50중량% 이상인 경우 식각 속도가 느려지는 문제가 있다.
또한, 본 발명에서는 본 발명의 세정액 조성물을 이용하여 폴리실리콘 이물질이 증착된 석영 튜브를 세정한 후, 증류수로 세척하는 단계를 포함하는 석영 튜 브 세정 방법을 제공한다. 이때, 상기 세정 방법은 침지 또는 분사 등 통상의 세정 방법을 이용하여 시행할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 불산 대신 할로겐화 암모늄염 화합물과, 잔량의 산 용액, 더하여 극성 유기용매를 포함하는 석영 튜브 세정액 조성물을 제공함으로써, 폴리실리콘 대비 석영 튜브의 식각 속도를 상대적으로 감소시켜 세정 공정 동안 석영 튜브 표면 손상은 최소화하면서, 폴리실리콘 이물질을 완전히 제거할 수 있는 방법을 제공한다. 더욱이, 본 발명의 세정액 조성물을 적용하는 경우, 여러 번의 세정 공정 후에도 종래 불산을 포함하는 세정액보다 석영 튜브 표면의 거칠기, 크랙 및 투과율이 상대적으로 매우 양호하다. 따라서, 석영 재질의 각종 튜브나 배관 등의 자재들의 교체 주기를 늦출 수 있으므로, 반도체 소자 생산 비용을 감소할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물을 이용하여 석영 튜브의 표면 손상을 최소화하면서 폴리실리콘을 균일하게 제거하는 방법을 제공함으로써, 석영 재질의 각종 튜브나 배관 등의 자재의 교체 주기를 늦출 수 있어, 반도체 소자 생산 비용을 감소할 수 있다.
이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 본 발명 중 가장 바람직한 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
I. 석영 튜브 세정액 조성물의 제조
실시예 1
20g의 불화 암모늄염(NH4F) 및 80g의 질산(HNO3)을 교반기에 넣고, 안정화될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(1)을 제조하였다.
실시예 2
15g의 불화 암모늄염, 70g의 질산 및 15g의 극성 용매로 디메틸설폭사이드(DMSO)를 교반기에 넣고, 안정화될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(2)을 제조하였다.
실시예 3
20g의 불화 암모늄염, 70g의 질산 및 10g의 인산(H3PO4)을 교반기에 넣고, 안정화될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(3)을 제조하였다.
실시예 4
20g의 불화 암모늄염, 70g의 질산 및 10g의 초산(CH3COOH)을 교반기에 넣고, 안정화될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(4)을 제조하였다.
실시예 5
20g의 불화 암모늄염, 68g의 질산 및 12g의 증류수를 교반기에 넣고, 안정화될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(5)을 제조하였다.
실시예 6
20g의 불화 암모늄염, 79g의 질산 및 1g의 계면활성제로 폴리옥시에틸렌 옥틸 에테르를 교반기에 넣고, 안정화될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(6)을 제조하였다.
실시예 7
20g의 불화 암모늄염, 79g의 질산 및 1g의 계면활성제인 폴리옥시에틸렌 퍼플루오로옥틸 에테르를 교반기에 넣고, 안정화될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(7)을 제조하였다.
실시예 8
15g의 불화 수소 암모늄염, 70g의 질산, 15g의 극성 용매로 테트라하이드로퓨란 및 1g의 계면활성제인 폴리옥시에틸렌 옥틸 에테르를 교반기에 넣고, 안정화 될 때까지 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물(8)을 제조하였다.
비교예 1
40g의 불산(49% sol'n) 및 60g의 질산(70% sol'n)을 10분간 교반한 후, 0.2㎛ 필터로 여과하여 종래 석영 튜브 세정 용액을 제조하였다.
II. 석영 튜브 세정 방법
상기 실시예 1 내지 8에서 제조한 본 발명의 석영 튜브 세정액 조성물과 상기 비교예 1에서 제조한 종래 석영 튜브 세정 용액 각각에 폴리실리콘이 14㎛로 증착된 석영 튜브를 상온에서 15분간 침지한 다음, 이를 증류수로 세척하여 폴리실리콘 제거 정도와, 석영 튜브 손상 정도 및 표면 거칠기 측정 결과를 측정하여 하기 표 1 및 2에 나타내었다.
[표 1] 세정 공정 횟수에 따른 석영 튜브의 투과율(transmittance, %)
[표 2] 석영 튜브 표면의 거칠기 비교
Ra(중심선 평균 조도): centerline average roughness
Rq(표면 거칠기): RMS (root-mean-square) of Ra
상기 표 1에 기재된 바와 같이, 종래 비교예 1의 석영 튜브 세정액 조성물을 이용하는 경우, 2회 이상의 세정 공정 후에는 석영 튜브 표면은 크게 손상되어 크랙 등이 다량 발생함으로써(도 2 참조), UV파장에 대한 석영 튜브의 투과율이 550nm에서는 65.92%, 및 660nm에서는 66.83%로 크게 저하되는 반면, 본 발명의 세정액 조성물로 세정한 석영 튜브는 14회 이상 반복 실시하여도, 상기 비교예 1의 조성물을 3회 이용한 경우보다, 석영 튜브 손상 정도가 매우 낮을 뿐만 아니라(도 1 참조), UV파장에 대한 석영 튜브의 투과율 또한 실시예 1의 경우 550nm에서 75.49%, UV파장이 660nm에서는 77.67%로 매우 우수하였다.
더욱이, 표 2에 기재된 바와 같이, 상기 실시예 및 비교예 1의 세정액 조성물들을 각각 이용한 세정 공정으로 세정한 석영 튜브 표면을 살펴보면, 본 발명이 세정액 조성물을 적용한 경우, 도 4a에 도시한 바와 같이 10회 이상 실시하여도 석영 튜브 표면은 손상도가 매우 낮았고, 도 20회 이상 반복 실시하여도 도 4b에 도시한 바와 같이 크랙 등이 거의 발생하지 않아, 석영 튜브 표면 거칠음 정도가 실시예 1의 경우 298.3으로 매우 낮았다. 반면, 비교예 1의 세정액 조성물을 이용한 세정 공정으로 세정한 석영 튜브 표면을 살펴보면, 도 5a에 도시한 바와 같이 10회 이상 실시하여도 크랙이 다량 발생하였고, 도 5b에 도시한 바와 같이 20회 이상 실시하는 경우 표면 거칠음 정도가 1864.1로 매우 심해졌다.
도 1은 본 발명의 세정액 조성물로 20회 세정 공정을 실시한 후의 석영 튜브 크랙 사진.
도 2는 종래 세정액 조성물로 20회 세정 공정을 실시한 후의 석영 튜브 크랙사진.
도 3은 세정 공정을 실시하기 전 석영 튜브 표면의 거칠기를 나타낸 사진.
도 4a는 본 발명의 세정액 조성물로 10회 세정 공정을 실시한 후, 석영 튜브 표면의 거칠기를 나타낸 사진.
도 4b는 본 발명의 세정액 조성물로 20회 세정 공정을 실시한 후, 석영 튜브 표면의 거칠기를 나타낸 사진.
도 5a는 종래 세정액 조성물로 10회 세정 공정을 실시한 후, 석영 튜브 표면의 거칠기를 나타낸 사진.
도 5b는 종래 세정액 조성물로 20회 세정 공정을 실시한 후, 석영 튜브 표면의 거칠기를 나타낸 사진.
Claims (15)
- 전체 세정액 조성물 중에 1 내지 50중량%의 비율로 포함되는 할로겐화 암모늄염 화합물과,전체 세정액 조성물 중에 0.1 내지 20중량%의 비율로 포함되며, 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸 포름아미드(DMF), 테트라하이드로퓨란(THF) 및 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 극성 유기 용매, 및잔량의 산을 포함하는 것을 특징으로 하는 석영 튜브용 세정액 조성물.
- 삭제
- 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.청구항 1에 있어서,상기 할로겐화 암모늄염 화합물은 NH4X 또는 NH4HX2 (이때, X는 할로겐 원소)인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.청구항 3에 있어서,상기 할로겐은 브롬, 염소 및 불소로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 삭제
- 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.청구항 1에 있어서,상기 산은 질산 및 인산으로 이루어진 군으로부터 선택된 무기산; 또는 아세트산의 유기산 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.상기 세정액 조성물은 계면활성제 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.청구항 10에 있어서,상기 계면활성제는 폴리옥시알킬렌계 비이온 계면활성제 및 비이온성 불소계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.청구항 10에 있어서,상기 계면활성제는 전체 세정액 조성물 중에 0.0001 내지 1중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.청구항 11에 있어서,상기 폴리옥시알킬렌계 비이온 계면활성제는 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 화합물; 폴리옥시에틸렌 알킬아민 에테르 화합물; 및 폴리(알킬렌-알킬렌) 블록 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이며,상기 비이온성 불소계면활성제는 폴리옥시에틸렌 퍼플루오로옥틸 에테르인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.상기 증류수는 전체 세정액 조성물 중에 1 내지 50중량%의 비율로 포함되는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 1의 기재의 세정액 조성물을 이용하여 석영 튜브를 세정한 후, 증류수로 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 석영 튜브 세정 방법.
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