KR101042912B1 - Stack board for stack of semiconductor device package - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 압착 플레이트를 사용해 적층 플레이트의 패키지 스택 포켓의 하층 반도체소자 패키지의 상부에 적층된 상층 반도체소자 패키지를 눌러 압착해 하층 및 상층 반도체소자 패키지 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 일정높이로 접착되도록 하는 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드에 관한 것이다.According to the present invention, by pressing the upper layer semiconductor device package stacked on the upper portion of the lower layer semiconductor device package of the package stack pocket of the laminated plate by pressing the plate, the contact portion B between the lower layer and the upper layer semiconductor device package is firmly fixed without being lifted. It relates to a stack board for a semiconductor device package stack to be bonded.
일반적으로 하이엔드 프로세서 기술들의 요구가 높아져 높은 집적도와 성능의 반도체가 요구됨에 따라 기존의 단일 반도체소자 패키지(Single Die Package)로는 이러한 요구를 따라갈 수 없어, 최근에는 반도체소자 패키지 스택(Package Stacking) 방법이 널리 사용되며 이미 완성된 두 개 이상의 반도체소자 패키지를 쌓아올리는 PoP(Package on Package) 접근 방법이 개발되어 활용하게 됨에 따라 반도체소자 패키지 스택(Stack) 공정에서 하층 반도체소자 패키지 상부면의 접속단자(이하에서는, '풋프린트(foot print)'라 함)와 하층 반도체소자 패키지의 위에 적층되는 상층 반도체소자 패키지의 하부면의 접속단자(이하에서는, '솔더볼'이라 함) 지점 간의 접촉부가 정확히 일치하는 것이 중요한 사안이 되었다.In general, as the demand for high-end processor technologies is increased and a semiconductor with high integration and performance is required, the conventional single die package cannot meet such a requirement. As a widely used and developed package on package (PoP) approach to stacking two or more completed semiconductor device packages has been developed and utilized, the connection terminal of the upper surface of the lower semiconductor device package stack process in the semiconductor device package stacking process ( In the following description, a contact portion between a connection point (hereinafter, referred to as a solder ball) on a lower surface of an upper layer semiconductor device package stacked on the lower layer device package and a lower layer semiconductor device package is exactly matched. It became an important issue.
도 1은 종래 기술에 따른 스택 보드의 패키지 스택 포켓에서 하층 및 상층 반도체소자 패키지가 어긋나게 접착 스택되는 문제점을 설명하기 위해 일부분을 확대하여 도시한 개략적인 단면도이다. 1 is an enlarged schematic cross-sectional view illustrating a problem in which a lower layer and an upper layer semiconductor device package are alternately stacked in a package stack pocket of a stack board according to the related art.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 스택 보드('스택 보트'라고도 칭해짐)(1)는 패키지 스택 포켓(2)의 받침턱(3)에 하층 반도체소자 패키지(6)가 로딩 안착된다. 이때, 상층 반도체소자 패키지(7) 하부면의 솔더볼은 별도의 플럭스실(Fluxing Station)(도시 안함)에서 솔더볼 접촉부의 절반이 접착성 융제로 균일하게 도포된 상태이다. As shown in FIG. 1, a stack board (also referred to as a 'stack boat') 1 according to the
상기 접착성 융제로 도포 처리된 상층 반도체소자 패키지(7)는 상기 하층 반도체소자 패키지(6)의 위로 로딩 적층된다. 상기와 같이 스택 보드(1)의 모든 패키지 스택 포켓(2)에 반도체소자 패키지가 하층 및 상층으로 또는 세 개 층(Layer) 이상으로 순차적으로 적층이 완료한다.The upper
그 후, 모든 반도체소자 패키지가 로딩 적층된 상태의 스택 보드(1)를 별도의 열압착본딩(thermocompression bonding) 방식의 강제 공기 대류 오븐(도시 안함)에 넣어 고온의 공기 대류를 통해 상층 반도체소자 패키지(7) 솔더볼에 도포된 접착성 융제가 녹아내릴 때의 표면장력과 상층 반도체소자 패키지(7) 자체의 무게에 의해 하층 반도체소자 패키지(6) 상부면의 풋프린트에 상층 반도체소자 패키지(7) 솔더볼이 접촉된 상태에서 하층 및 상층 반도체소자 패키지(6, 7) 간의 접촉부(B)의 솔더링 접착이 이루어진다.Thereafter, the
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 따른 스택 보드(1)는 반도체소자 패키지가 점차 얇아지고 소형화되는 추세에 따라 상층 반도체소자 패키지(7) 자체의 무게에 의한 하방으로의 압력으로 하층 및 상층 반도체소자 패키지(6, 7) 간의 접촉부(B)를 일관되게 수평으로 유지하기가 어려워 접촉부(B)가 어긋나게 접착 스택되는 문제점이 있다.However, in the
즉, 하층 및 상층 반도체소자 패키지(6, 7) 간의 접촉부(B)는 하층 반도체소자 패키지(6) 위에 상층 반도체소자 패키지(7)를 로딩 적층하는 단계에서 상층 반도체소자 패키지(7)의 솔더볼 자체의 불량 또는 솔더볼에 도포된 접착성 융제의 도포 불량에 따라 접촉부(B)가 들떠 수평을 이루지 못하거나, 모든 반도체소자 패키지가 로딩 적층된 상태의 스택 보드(1)를 별도의 강제 공기 대류 오븐(도시 안함)에 넣는 과정에서의 충격으로 하층 및 상층 반도체소자 패키지(6, 7) 간의 접촉부(B)가 들떠 어긋난 상태에서 솔더링 접착이 이루어지는 문제점이 있다.That is, the contact portion B between the lower and upper
또한, 별도의 강제 공기 대류 오븐(도시 안함)에서 고온의 공기 대류를 통해 상층 반도체소자 패키지(7) 솔더볼에 도포된 접착성 융제가 녹아내릴 때의 표면장력을 일정하게 조절하기가 어렵기 때문에 접촉부(B)의 솔더링 접착면의 신뢰성이 떨어지고 스택형 반도체소자 패키지의 높이를 일정한 높이로 유지 조절하기 어려운 문제점이 있다.In addition, the contact portion because it is difficult to constantly adjust the surface tension when the adhesive flux applied to the solder ball of the upper
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 압착 플레이트를 사용해 적층 플레이트의 패키지 스택 포켓의 하층 반도체소자 패키지의 상부에 적층된 상층 반도체소자 패키지를 눌러 압착해 하층 및 상층 반도체소자 패키지 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 일정높이로 접착되도록 함으로써, 높은 정밀도를 가지고 스택형 반도체소자 패키지가 형성될 수 있도록 최적화된 구조를 가진 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드를 제공하는 데 있다.The present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention by pressing the upper layer semiconductor device package laminated on the upper layer of the lower layer semiconductor device package of the package stack pocket of the laminated plate by using the pressing plate, the lower layer and the upper layer To provide a stack board for a semiconductor device package stack having a structure optimized to form a stacked semiconductor device package with high precision by making the contact portion (B) between the semiconductor device package firmly bonded to a certain height without lifting up have.
본 발명의 이러한 목적은 장방형의 테두리(110)의 내측을 일정 간격으로 구획하고 서로 대향되는 가이드면(123)이 하방으로 갈수록 좁아지도록 경사진 수개의 구획벽(120)에 의해 상광하협 형상으로 구획 형성되며, 상기 가이드면(123)의 하부 선단에는 일정높이(D)의 수직 안착면(126)과 받침턱(127)을 갖는 적층부(125)가 형성되어 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)가 순차 로딩 적층되도록 하는 복수개의 중공의 패키지 스택 포켓(130)을 갖는 적층 플레이트(100)와; 상기 적층 플레이트(100) 상면에 올려져 결합 가능하도록 대응되는 형상으로 형성되며, 상기 적층 플레이트(100)의 각각의 패키지 스택 포켓(130)의 적층부(125)에 적층된 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 접착되도록 상기 패키지 스택 포켓(130)에 삽입되어 상층 반도체소자 패키지(20)의 상부면을 눌러 압착하는 하방으로 돌출 형성된 복수개의 푸셔(230)를 갖는 압착 플레이트(200)를 포함하는 본 발명에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드에 의하여 달성된다.This object of the present invention partitions the inside of the
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드는 압착 플레이트를 사용해 적층 플레이트의 패키지 스택 포켓의 하층 반도체소자 패키지의 상부에 적층된 상층 반도체소자 패키지를 수평으로 유지한 상태에서 눌러 압착해 하층 및 상층 반도체소자 패키지 간의 접촉부가 들뜨지 않고 견고하게 일정높이로 접착되도록 함으로써, 높은 정밀도를 가지고 스택형 반도체소자 패키지가 형성될 수 있도록 최적화되어 스택형 반도체소자 패키지의 수율이 향상되고 폐기되어지는 스택형 반도체소자 패키지를 줄임으로써 생산가를 절감할 수 있는 효과가 있다.As described above, the stack board for stacking the semiconductor device package according to the present invention is pressed by pressing the upper layer semiconductor device package stacked on the upper portion of the lower layer semiconductor device package in the package stack pocket of the lamination plate using a crimp plate. By making the contact portion between the lower layer and the upper layer semiconductor device package firmly and firmly fixed to a certain height, the stack type semiconductor device package is optimized to be formed with high precision and the yield of the stacked semiconductor device package is improved and discarded. By reducing the stack type semiconductor device package, it is possible to reduce the production cost.
또한, 본 발명에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드는 모든 패키지 스택 포켓에 반도체소자 패키지가 적층된 적층 플레이트 위에 압착 플레이트를 결합하더라도 각각의 패키지 스택 포켓의 상하방으로 통공된 중공 구조에 의해 강제 공기 대류 오븐 내부에서 고온의 가열된 공기가 원활하게 대류 순환되고 동시에 하층 및 상층 반도체소자 패키지 간의 접촉부가 들뜨지 않고 견고하게 눌림 압착되어 상층 반도체소자 패키지(7) 솔더볼에 도포된 접착성 융제가 녹아내릴 때의 표면장력이 고르게 접촉부에 전달되면서 솔더링 접착되기 때문에 스택형 반도체소자 패키지의 수율이 향상되는 효과가 있다.In addition, the stack board for stacking a semiconductor device package according to the present invention is forced air by a hollow structure through the top and bottom of each package stack pocket, even if the pressing plate is bonded to the laminated plate in which the semiconductor device package is stacked in all the package stack pocket When hot heated air is smoothly convection circulated inside the convection oven and at the same time, the contact between the lower and upper semiconductor device packages is firmly pressed and pressed, and the adhesive flux applied to the upper
이하, 본 발명의 바람직한 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a stack board for a semiconductor device package stack according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 내지 도 5b를 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드가 도시되어 있다.2 to 5B, a stack board for stacking a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention is illustrated.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드를 분해하여 도시한 분해 사시도, 도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 하층 및 상층 반도체소자 패키지가 로딩되는 상태를 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 압착 플레이트가 결합되는 상태를 도시한 단면도이다.2 is an exploded perspective view showing an exploded stack board for a semiconductor device package stack according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a lower layer and a laminated plate of the stack board for a semiconductor device package stack according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view illustrating a state in which an upper semiconductor device package is loaded, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a pressing plate coupled to a laminated plate of a stack board for stacking a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention.
도 2의 상층 반도체소자 패키지는 상층 반도체소자 패키지(20) 하부면의 솔더볼(13)을 표시하기 위해 뒤집힌 상태로 도시되었다.The upper semiconductor device package of FIG. 2 is shown in an inverted state to display the
도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드는 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)가 순차 로딩 적층되도록 하는 복수개의 중공의 패키지 스택 포켓(130)을 갖는 적층 플레이트(100)와, 상기 적층 플레이트(100) 상면에 올려져 결합 가능하도록 대응되는 형상으로 형성되며, 상기 적층 플레이트(100)의 각각의 패키지 스택 포켓(130)에 삽입되어 상층 반도체소자 패키지(20)의 상부면을 눌러 압착하는 하방으로 돌출 형성된 복수개의 푸셔(230)를 갖는 압착 플레이트(200)를 포함한다.As shown in FIGS. 2 to 4, a stack board for stacking a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention includes a plurality of hollow package stacks in which lower and upper stacks of
즉, 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드는 스택형 반도체소자 패키지 제조설비에서 복수개의 중공의 패키지 스택 포켓(130)의 각각에 두 개 이상의 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)가 로딩되어 상하로 적층되어 솔더링 접착되도록 한다.That is, the stack board for stacking a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention includes at least two lower and upper
상기 적층 플레이트(100)의 패키지 스택 포켓(130)은 장방형의 테두리(110)의 내측을 일정 간격으로 구획하고 서로 대향되는 가이드면(123)이 하방으로 갈수록 좁아지도록 경사진 수개의 구획벽(120)에 의해 상광하협 형상으로 구획 형성된다. The
그리고, 상기 경사진 가이드면(123)의 하부 선단에는 일정높이(D)의 수직 안착면(126)과 받침턱(127)을 갖는 적층부(125)가 형성되어 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)가 수직 안착면(126)을 따라 순차 로딩된다. 즉, 상기 받침턱(127)에 먼저 안착된 하층 반도체소자 패키지(Bottom Device Package)(10) 위에 상층 반도체소자 패키지(20)가 경사진 가이드면(123)에 의해 가이드되어 수직 안착면(126)을 따라 수평으로 적층된다. In addition, a
한편, 상기 수직 안착면(126) 간의 폭은 상기 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)가 유동되지 않고 수평이 유지되게 안착되도록 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)의 폭에 대응되는 길이를 갖는다.Meanwhile, the width between the
상기 적층 플레이트(100)의 적층부(125)의 안착면(126)은 상기 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)의 두께에 대응되는 일정높이(D)를 갖는다.The
이때, 상기 상층 반도체소자 패키지(20) 하부면의 솔더볼(13)은 별도의 플럭스실(도시 안함)에서 솔더볼 접촉부의 절반이 접착성 융제로 균일하게 도포된 상태이고, 상기 솔더볼(13)과 접촉되는 하층 반도체소자 패키지(20)의 대응되는 위치에는 풋프린트(접속단자, 인쇄회로)(23)가 노출된 상태이다.In this case, the
상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)는 상기 적층 플레이트(100)의 각각의 패키지 스택 포켓(130)의 적층부(125)에 적층된 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 접착되도록 상기 패키지 스택 포켓(130)에 삽입되어 상층 반도체소자 패키지(20)의 상부면을 눌러 압착 지지한다. The
그리고, 상기 푸셔(230)는 바람직하게는 중앙부가 통공된 중공의 형상으로 형성된다.In addition, the
상기 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)는 상기 상층 반도체소자 패키지(20)의 접착성 융제(플럭스)가 도포된 솔더볼(13)과 하층 반도체소자 패키지(10) 상부면의 풋프린트(foot print)(23)가 접착성 융제에 의해 솔더링 접착되는 부분이다.The contact portion B between the lower and upper
그리고, 상기와 같이 적층 플레이트(100)의 패키지 스택 포켓(130)과 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)가 각각 상하방으로 통공된 중공 구조로 가열 공기의 통로가 되는 공간이 확보되기 때문에, 모든 패키지 스택 포켓(130)에 반도체소자 패 키지(10, 20)가 적층된 적층 플레이트(100) 위에 압착 플레이트(200)를 결합하더라도 강제 공기 대류 오븐(열풍 강제 순환 가마)(도시 안함) 내부에서 고온의 가열된 공기가 원활하게 대류 순환되어 적층 플레이트(100)의 패키지 스택 포켓(130)에 적층 상태의 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)의 상부 및 하부와 접촉부(B)에 고르게 전달된다.Since the
동시에 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)에 의해 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 눌림 압착되어 상층 반도체소자 패키지(7) 솔더볼에 도포된 접착성 융제가 녹아내릴 때의 표면장력이 고르게 접촉부(B)에 전달되면서 솔더링 접착되기 때문에 본 발명의 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드에서 접착 스택되는 스택형 반도체소자 패키지의 수율이 향상된다.At the same time, the contact portion B between the lower and upper
그리고, 상기 적층 플레이트(100)의 패키지 스택 포켓(130)을 이루는 구획벽(120)의 가이드면(123)의 네 모서리 부분에는 상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)의 삽입을 가이드하는 푸셔 가이드홈(124)이 형성되고, 상기 푸셔 가이드홈(124)에 대응되는 위치의 상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)의 외측 부분에는 네 모서리 가이드편(236)이 일체로 형성된다.And, the four pusher guides the insertion of the
따라서, 상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)는 상기 적층 플레이트(100)의 푸셔 가이드홈(124)을 따라 가이드되어 상기 적층 플레이트(100)의 적층부(125)에 적층된 상태의 상층 반도체소자 패키지(20) 상면의 네 모서리 부분을 미세 간극만큼 줄어들 수 있도록 눌러 압착한다(도 2 및 도 5a 참조). 따라서, 상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)가 상층 반도체소자 패키지(20) 상면의 네 모서리 부분을 균일하게 눌러 상층 반도체소자 패키지(20)와 하층 반도체소자 패키지(20) 간의 접촉부(B)의 일측 모서리 부분이 들뜨지 않고 수평이 유지되도록 균일하게 접착된다. Accordingly, the
이때, 상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)의 길이는 압착 플레이트(200) 자체의 무게에 의해 하방으로 전달되는 일정 압력에 의해 상기 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)를 눌러 압착할 때, 접촉부(B) 부분이 파손되지 않고 견고하게 솔더링 접착되면서 접촉부(B)의 높이(접착성 융제가 도포된 부분을 포함한 높이)가 일률적으로 일정한 미세 간극만큼 줄어들 수 있도록 눌러 압착할 수 있는 길이를 가진다.In this case, the length of the
그리고, 상기 압착 플레이트(200)의 테두리(210) 일측에는 결합공(262)이 형성된 하나 이상의 결합가이드부재(260)가 볼트(268) 체결되고, 상기 적층 플레이트(100)의 테두리(110) 일측에는 상기 압착 플레이트(200)의 결합가이드부재(260)의 결합공(262)에 삽입 결합가능하도록 대응되는 위치에 결합 플랜지(160)가 볼트(168) 체결된다.In addition, at least one
상기 압착 플레이트(200)의 결합가이드부재(260)의 결합공(262)의 타측면에는 중앙이 힌지축핀(265)으로 지지된 착탈 버튼(264)이 내삽된다. 상기 착탈 버튼(264)의 일단은 스프링(266)에 고정되고 타단은 상기 결합가이드부재(260)의 결합공(262)에 삽입 결합된 적층 플레이트(100)의 결합 플랜지(160)에 빠지지 않도록 고정된다.On the other side of the
상기 압착 플레이트(200)의 결합가이드부재(260)의 결합공(262)에 삽입 결합 된 적층 플레이트(100)의 결합 플랜지(160)가 고정된 상태에서 착탈 버튼(264)의 스프링(266)에 고정된 부분을 누르면 타단의 결합 플랜지(160)에 빠지지 않도록 고정된 부분이 외측 방향으로 빠져 적층 플레이트(100)를 분리할 수 있다.On the
이를 통해 상기 압착 플레이트(200)는 상기 적층 플레이트(100)의 상부에서 착탈 가능하게 승강되어 결합된다(도 2 참조). 즉, 상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)는 상기 적층 플레이트(100)의 푸셔 가이드홈(124)을 따라 정확하게 가이드되고, 상기 압착 플레이트(200)의 테두리 부분의 결합가이드부재(260)는 상기 적층 플레이트(100)의 적층 플레이트(100)의 결합 플랜지(160)와 정확하게 가이드된다. Through this, the
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 압착 플레이트가 결합되어 압착되는 상태의 일부분을 확대하여 도시한 부분확대 단면도이다.5A and 5B are partially enlarged cross-sectional views illustrating an enlarged portion of a compressed state in which a compression plate is coupled to a laminated plate of a stack board for stacking a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention.
도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)는 상기 압착 플레이트(200) 하부의 돌출된 푸셔(230)에 의해 눌려져 압착될 때 압착 플레이트(200) 자체의 무게에 의해 하방으로 전달되는 일정 압력에 의해 접촉부(B)의 높이가 일률적으로 일정한 미세 간극만큼 줄어든다. As shown in FIGS. 5A and 5B, the contact portion B between the lower and upper semiconductor device packages 10 and 20 is compressed when pressed by the protruding
따라서, 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 일정 높이로 접착되도록 함으로써, 높은 정밀도를 가지고 스택형 반도체소자 패키지가 형성될 수 있도록 최적화되어 수율이 향상된다.Therefore, by making the contact portion B between the lower and upper semiconductor device packages 10 and 20 adhere firmly to a certain height without lifting, the stack type semiconductor device package can be formed with high precision and the yield is improved. .
또한, 상기 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)의 두께에 대응되는 높이(D)의 적층 플레이트(100)의 적층부(125)의 안착면(126)을 따라 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)가 수평되게 삽입 적층되어 좌우로 유동되지 않는 상태에서, 추가적으로 상기 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)에 의해 눌려져 상하로 유동되지 않는 상태로 견고하게 지지되는 구조이기 때문에 모든 반도체소자 패키지가 적층 플레이트(100)의 적층부(125)에 유동되지 않게 수평으로 적층된 상태의 본 발명의 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드를 별도의 강제 공기 대류 오븐(도시 안함)에 넣는 과정에서의 충격이 발생되는 경우에도 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들떠 어긋나지 않고 일정 높이로 견고하게 솔더링 접착된다. In addition, the lower and upper semiconductor device packages along the
한편, 반도체소자 패키지 간의 적층은 상기 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)와 같은 두 개 층의 적층 이외에 세 개 층 이상으로 적층을 할 수 있음은 물론이다.On the other hand, the stacking between the semiconductor device package may be laminated in three or more layers in addition to the two layers of the lower and upper semiconductor device package (10, 20).
상술한 바와 같은 구성에 의해서 본 발명의 바람직한 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 작동을 간략히 설명하면, 우선, 스택 공정의 준비로 상층 반도체소자 패키지(20) 하부면의 솔더볼 접촉부의 절반이 별도의 플럭스실(도시 안함)에서 접착성 융제로 균일하게 도포(코팅)해 사전 준비를 한 후, 반도체소자 패키지가 적재된 트레이(도시 안함)로부터 하층 반도체소자 패키지(10)를 적층 플레이트(100)의 패키지 스택 포켓(130)으로 로딩 안착시킨다. 이때, 하층 반도체소자 패키지(10)가 적층 플레이트(100)의 가이드면(123)을 따라 가이드되어 하부의 적층부(125)의 수직 안착면(126)에 의해 수평이 유지되면서 받침턱(127)에 안착된다.Referring to the operation of the stack board for stacking the semiconductor device package according to the preferred embodiment of the present invention by the configuration as described above, first, the solder ball contact portion of the lower surface of the upper
그 후, 접착성 융제가 도포된 상층 반도체소자 패키지(20)를 하층 반도체소자 패키지(10) 위에 수직 안착면(126)의 수직 스트레이트 구간에 의해 수평으로 정확하게 적층시킨다.Thereafter, the upper
상기와 같은 적층 작업을 반복해 적층 플레이트(100)의 모든 패키지 스택 포켓(130)에 반도체소자 패키지(10, 20)의 적층이 완료되면 적층 플레이트(100) 위에 압착 플레이트(200)를 결합시킨다. 이때, 압착 플레이트(200)의 푸셔(230)에 의해 적층 플레이트(100)의 모든 패키지 스택 포켓(130)에 적층된 상층 및 하층 반도체소자 패키지(10, 20)가 상하로 유동되지 않고 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 접착되도록 눌러져 압착된다.By repeating the lamination operation as described above, when the stacking of the semiconductor device packages 10 and 20 is completed in all the package stack pockets 130 of the
그 후, 본 발명의 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드가 강제 공기 대류 오븐(도시 안함) 내부로 옮겨져 고온의 공기가 통공된 중공 구조로 가열 공기의 통로를 통해 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)의 상부 및 하부와 접촉부(B)에 고르게 전달되어 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 일정두께로 견고하게 솔더링 접착된다.Thereafter, the stack board for stacking the semiconductor device package of the present invention is moved into a forced air convection oven (not shown), and the lower and upper semiconductor device packages 10 and 20 through a passage of heating air in a hollow structure through which hot air is perforated. Evenly transmitted to the upper and lower portions of the) and the contact portion (B), the contact portion (B) between the lower and upper semiconductor device package (10, 20) is firmly soldered to a certain thickness.
도 6은 본 발명의 다른 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드를 분해하여 도시한 분해 사시도이고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 압착 플레이트가 결합되어 압착되는 상태의 일부분을 확대하여 도시한 부분확대 단면도이다.6 is an exploded perspective view showing an exploded stack board for a semiconductor device package stack according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 7A and 7B are stack boards for a semiconductor device package stack according to another embodiment of the present invention. Is a partial enlarged cross-sectional view showing an enlarged portion of the crimp plate is coupled to the laminated plate of the compressed state.
이하에서의 본 발명의 다른 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드는 압착 플레이트(400)를 제외한 다른 구성들의 도면부호는 동일하게 사용한다.In the following, the stack board for stacking a semiconductor device package according to another exemplary embodiment of the present invention uses the same reference numerals as other components except for the crimping
도 6 내지 도 7b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드는 장방형의 테두리(110)의 내측을 일정 간격으로 구획하고 서로 대향되는 가이드면(123)이 하방으로 갈수록 좁아지도록 경사진 수개의 구획벽(120)에 의해 상광하협 형상으로 구획 형성되며, 상기 가이드면(123)의 하부 선단에는 일정높이(D)의 수직 안착면(126)과 받침턱(127)을 갖는 적층부(125)가 형성되어 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)가 순차 로딩 적층되도록 하는 복수개의 중공의 패키지 스택 포켓(130)을 갖는 적층 플레이트(100)와, 상기 적층 플레이트(100) 상면에 올려져 결합 가능하도록 대응되는 형상으로 형성되며 테두리(410) 내측에 일정 간격으로 형성된 복수개의 푸셔 장착홀(420)에 일측이 탄성부재(푸셔 스프링)(433)에 탄성 지지된 복수개의 중공의 텐션 푸셔(430)가 하방으로 돌출되도록 내장되어, 상기 텐션 푸셔(430)가 상기 적층 플레이트(100)의 각각의 패키지 스택 포켓(130)의 적층부(125)에 적층된 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 접착되도록 상기 패키지 스택 포켓(130)에 삽입되어 상층 반도체소자 패키지(20)의 상부면을 눌러 압착하는 압착 플레이트(400)를 포함하여 구성된다.6 to 7B, the stack board for stacking a semiconductor device package according to another embodiment of the present invention partitions the inside of the
상기 압착 플레이트(400)의 텐션 푸셔(430)의 탄성부재(433)는 일측은 상기 텐션 푸셔(430)의 중앙부에 길이 방향으로 형성된 중공의 탄성부재 수용홈(432)에 수용되어 탄성 지지되고, 타측은 상기 압착 플레이트(400)의 상부면에 볼트(438) 체결되는 푸셔 커버(450)의 내측면에 일정 간격으로 형성된 탄성부재 지지홈(453)에 끼워져 탄성 지지된다.The
상기 적층 플레이트(100)의 구획벽(120)의 가이드면(123)의 네 모서리 부분에는 상기 압착 플레이트(400)의 텐션 푸셔(430)의 삽입을 가이드하는 푸셔 가이드홈(124)이 형성되고, 상기 푸셔 가이드홈(124)에 대응되는 위치의 상기 압착 플레이트(400)의 텐션 푸셔(430)의 외측 부분에는 상기 적층 플레이트(100)의 적층부(125)에 적층된 상층 반도체소자 패키지(20) 상면의 네 모서리 부분을 미세 간극만큼 줄어들 수 있도록 눌러 압착하는 길이를 가진 네 모서리 가이드편(436)이 일체로 형성된다.Four
그리고, 상기 압착 플레이트(400)의 텐션 푸셔(430)는 상기 적층 플레이트(100)의 각각의 패키지 스택 포켓(130)의 적층부(125)에 적층된 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20) 간의 접촉부(B)가 들뜨지 않고 견고하게 접착되도록 상기 패키지 스택 포켓(130)에 삽입되어 상층 반도체소자 패키지(20)의 상부면을 눌러 압착 지지한다. In addition, the
이때, 상기 상층 반도체소자 패키지(20) 가운데 하나의 상층 반도체소자 패키지(20)가 불량으로 하부면의 솔더볼(13)이 비정상적으로 하방으로 돌출되어 하층 및 상층 반도체소자 패키지(10, 20)의 두께가 비정상적으로 두껍게 적층된 경우에 상기 불량 상층 반도체소자 패키지(20)가 적층된 해당 적층 플레이트(100)의 패키지 스택 포켓(130)에 삽입되어 상층 반도체소자 패키지(20)의 상부면을 눌러 압착 지지하는 해당 압착 플레이트(400)의 텐션 푸셔(430)만 상방으로 더 밀어 올려지면서 탄성부재(433)가 압축되기 때문에, 다른 부분의 적층 플레이트(100)의 패키지 스택 포켓(130)에 삽입된 압착 플레이트(400)의 텐션 푸셔(430)에는 영향이 미치지 않아 전체적으로 스택형 반도체소자 패키지의 수율이 향상되어 폐기되어지는 스택형 반도체소자 패키지를 줄임으로써 생산가를 절감할 수 있다.At this time, one of the upper
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
도 1은 종래 기술에 따른 스택 보드의 패키지 스택 포켓에서 하층 및 상층 반도체소자 패키지가 어긋나게 접착 스택되는 문제점을 설명하기 위해 도시한 개략적인 단면도FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a problem in that lower and upper semiconductor device packages are alternately stacked in a package stack pocket of a stack board according to the related art.
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드를 분해하여 도시한 분해 사시도2 is an exploded perspective view showing an exploded stack board for a semiconductor device package stack according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 하층 및 상층 반도체소자 패키지가 로딩되는 상태를 도시한 단면도3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a lower layer and an upper layer semiconductor device package are loaded on a stack plate of a stack board for stacking a semiconductor device package according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 압착 플레이트가 결합되는 상태를 도시한 단면도4 is a cross-sectional view illustrating a state in which a crimping plate is coupled to a stacking plate of a stack board for stacking a semiconductor device package according to an embodiment of the present disclosure.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 압착 플레이트가 결합되어 압착되는 상태의 일부분을 확대하여 도시한 부분확대 단면도5A and 5B are partially enlarged cross-sectional views illustrating an enlarged portion of a compressed state in which a compression plate is coupled to a laminated plate of a stack board for stacking a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명의 다른 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드를 분해하여 도시한 분해 사시도6 is an exploded perspective view illustrating an exploded stack board for a semiconductor device package stack according to another embodiment of the present invention.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 일실시 예에 따른 반도체소자 패키지 스택용 스택 보드의 적층 플레이트에 압착 플레이트가 결합되어 압착되는 상태의 일부분을 확대하여 도시한 부분확대 단면도7A and 7B are partially enlarged cross-sectional views illustrating an enlarged part of a state in which a crimping plate is coupled to a stacking plate of a stack board for stacking a semiconductor device package according to another exemplary embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10. 하층 반도체소자 패키지 13. 솔더볼10. Lower
20. 상층 반도체소자 패키지 23. 풋프린트20. Upper
100. 적층 플레이트 110. 테두리100. Laminated
120. 구획벽 123. 가이드면120.
124. 푸셔 가이드홈 125. 적층부124.
126. 수직 안착면 127. 받침턱126.
130. 패키지 스택 포켓 160. 결합 플랜지130.
168. 볼트 200. 압착 플레이트168.
210. 테두리 230. 푸셔210.
236. 가이드편 260. 결합가이드부재236.
262. 결합공 264. 착탈 버튼262.
265. 힌지축핀 266. 스프링265.Hinge shaft pin 266.Spring
268. 볼트 400. 압착 플레이트268.
410. 테두리 420. 푸셔 장착홀410.
430. 텐션 푸셔 432. 탄성부재 수용홈430.
433. 탄성부재 436. 가이드편433.
450. 푸셔 커버 453. 탄성부재 지지홈450.
438. 볼트438 bolts
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