KR101040994B1 - Positive type photoresist film - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포지티브형 포토레지스트 필름에 관한 것으로서, 지지체 필름과 상기 지지체 필름상의 포토레지스트층을 포함하고, 상기 포토레지스트층은 알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 열경화성 수지 및 감도증진제를 포함한다. 본 발명은 상기 화합물 외에도 이형제 등을 포함할 수도 있다.The present invention relates to a positive photoresist film, comprising a support film and a photoresist layer on the support film, wherein the photoresist layer comprises an alkali-soluble resin, a photosensitive compound, a thermosetting resin, and a sensitivity enhancer. In addition to the above compound, the present invention may also include a release agent.
본 발명은 강알칼리 조건하에서 실시되는 금속 도금공정에 대하여 뛰어난 도금 내성을 갖기 때문에 PDP용 금속 전극 제조 등에 유용하고, 금속 전극 제조에 사용되는 은(Ag)과 같은 금속의 손실량을 줄여 금속 전극의 제조원가를 낮출 수 있다.The present invention is useful for the production of metal electrodes for PDP because it has excellent plating resistance to the metal plating process performed under strong alkali conditions, and reduces the amount of metal such as silver (Ag) used in the manufacture of metal electrodes, thereby reducing the production cost of the metal electrode. Can be lowered.
필름, 포토레지스트, 포지티브형, 알칼리 가용성 수지, 열경화성 수지, 금속, 도금, 전극. Film, photoresist, positive type, alkali-soluble resin, thermosetting resin, metal, plating, electrode.
Description
도 1은 본 발명에 따른 포지티브형 포토레지스트 필름의 단면도.1 is a cross-sectional view of a positive photoresist film according to the present invention.
본 발명은 포지티브형 포토레지스트 필름에 관한 것으로서, 구체적으로는 내알칼리성 및 도금 내성이 뛰어나 PDP의 은(Ag) 전극 제조공정 등과 같이 강 알칼리 조건하에서 금속 도금을 실시하는 분야에 적합한 포토레지스트 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 감광속도, 현상 콘트라스트, 감도, 해상도 등과 동시에 내알칼리성 및 도금 내성이 우수하여 금속 전극 등의 제조에 유용한 포토레지스트 필름에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive photoresist film, and more particularly, to a photoresist film suitable for the field of metal plating under strong alkali conditions such as PDP silver (Ag) electrode manufacturing process, etc., having excellent alkali resistance and plating resistance. will be. More specifically, the present invention relates to a photoresist film useful in the manufacture of metal electrodes due to its excellent alkali resistance and plating resistance at the same time as photosensitive speed, development contrast, sensitivity, resolution, and the like.
포토레지스트(photoresist) 및 포토레지스트 필름은 집적회로(IC), 인쇄회로기판(PCB) 및 전자표시 장치인 브라운관(Cathode Ray Tubes: CRT)과 액정 디스플레이(LCD) 및 유기 전계발광 디스플레이(EL 또는 ELD) 등의 고집적 반도체 제조에 이용된다. 이들 소자의 제조 방법에서는 포토리소그라피(photolithography) 및 광가공(photo-fabrication) 기술이 사용된다. 포토레지스트 필름은 매우 가는 선과 7㎛ 이하의 작은 공간 넓이를 가지는 패턴을 형성할 수 있을 정도의 해상도가 요구된다.Photoresist and photoresist films include Cathode Ray Tubes (CRTs), liquid crystal displays (LCDs) and organic electroluminescent displays (EL or ELD), integrated circuits (ICs), printed circuit boards (PCBs), and electronic displays. It is used for manufacturing highly integrated semiconductors such as Photolithography and photo-fabrication techniques are used in the fabrication of these devices. The photoresist film requires a resolution that is capable of forming a pattern having very thin lines and a small space area of 7 μm or less.
포토레지스트 수지 또는 포토레지스트의 분자 구조의 화학적 변화를 통해 특정 용제에 대한 용해도 변화, 착색, 경화 등과 같이 포토레지스트의 물성이 변화할 수 있다. Through chemical changes in the molecular structure of the photoresist resin or photoresist, physical properties of the photoresist may be changed, such as change in solubility, coloring, and curing of a specific solvent.
금속 전극을 형성하는 종래기술의 일례로서 PDP의 은(Ag) 전극을 제조하는 종래 방법을 살펴보면, 유리기판상에 은(Ag) 입자가 분산되어 있는 수지조성물(이하"실버 페이스트"라고 한다)을 스크린 인쇄방식으로 전면 도포한 다음, 차례로 예비열처리(Pre-bake), 노광, 현상, 건조 및 소성하는 방식으로 은(Ag) 전극을 제조하였다.As an example of the prior art of forming a metal electrode, a conventional method of manufacturing an Ag electrode of a PDP is described. A resin composition (hereinafter referred to as "silver paste") in which silver (Ag) particles are dispersed on a glass substrate is screened. The silver (Ag) electrode was manufactured by the method of apply | coating whole surface by the printing method, and then pre-bake, exposing, developing, drying, and baking.
상기 종래 방법의 경우 유리기판상에 실버 페이스트를 전면도포한 다음, 불필요한 부분(전극형성외 부분)은 현상을 통해 제거하기 때문에 실버 페이스트 및 전극 형성용 금속(Ag 등)의 손실량이 너무 많아 제조원가가 상승되는 문제가 있었다. In the conventional method, since the silver paste is completely coated on the glass substrate and unnecessary parts (outside the electrode formation) are removed through development, the manufacturing cost increases because the loss of the silver paste and the metal for forming the electrode (Ag, etc.) is too high. There was a problem.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점들을 해소할 수 있도록 강알리 조건하에서 실시되는 금속 전극 도금 공정에 대하여 뛰어난 도금 내성을 구비하여 강알칼리 조건하에서 실시하는 금속 도금 방식으로 금속전극을 제조하는 공정에 적용이 가능하고, 그로 인해 금속전극 제조시 전극용 금속(Ag 등)의 손실량을 획기적으로 낮추어 제조원가를 절감할 수 있는 포지티브형 포토레지스트 필름을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is applied to a process for producing a metal electrode by a metal plating method performed under a strong alkali conditions having excellent plating resistance to the metal electrode plating process carried out under a strong alkali conditions to solve such conventional problems. This is possible, and therefore, to provide a positive photoresist film that can significantly reduce the loss of the metal (Ag, etc.) for the production of the metal electrode to reduce the manufacturing cost.
본 발명은 감광속도, 현상 콘트라스트, 감도 및 해상도가 우수함과 동시에 내알칼리성 및 도금 내성이 우수하여 PDP용 은(Ag) 전극 등과 같은 금속 전극을 강알칼리 조건하에서 금속 도금 방식으로 제조하는 공정에 적용이 가능한 포지티브형 포토레지스트 필름을 제공하고자 한다. 또한, 본 발명은 상기 금속 전극을 제조시 Ag(은) 등과 같은 전극 형성용 금속(Ag 등) 손실량을 줄여 제조비용을 획기적으로 절감할 수 있는 포지티브형 포토레지스트 필름을 제공하고자 한다.The present invention is excellent in photosensitivity, development contrast, sensitivity and resolution, and also has excellent alkali resistance and plating resistance, so that the metal electrode such as silver (Ag) electrode for PDP can be applied to the process of producing metal electrode under strong alkali conditions. It is intended to provide a positive photoresist film. In addition, the present invention is to provide a positive type photoresist film that can significantly reduce the manufacturing cost by reducing the amount of metal (Ag, etc.) for forming electrodes such as Ag (silver) when manufacturing the metal electrode.
상기와 같은 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 지지체 필름과; 상기 지지체 필름 상의 포토레지스트층을 포함하고, 상기 포토레지스트층이 알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 열경화성 수지 및 감도증진제를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 필름을 제공한다. 본 발명의 포토레지스트층은 이형제 등을 더 포함할 수도 있다.The present invention and the support film to achieve the above object; It provides a positive photoresist film comprising a photoresist layer on the support film, wherein the photoresist layer comprises an alkali-soluble resin, a photosensitive compound, a thermosetting resin and a sensitivity enhancer. The photoresist layer of the present invention may further contain a release agent or the like.
본 발명의 장점은 후술하는 상세한 설명에서 더욱 명확해진다. 그러나, 상세한 설명 및 구체예는 본 발명의 바람직한 구현을 나타내는 것으로 예시를 위한 것이므로 당해 분야의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 내에서 다양한 변화 및 수정이 가능함을 이해할 것이다.Advantages of the present invention will become apparent from the detailed description given hereinafter. However, the detailed description and embodiments are intended to illustrate the preferred embodiment of the present invention, so those skilled in the art will understand that various changes and modifications are possible within the spirit and scope of the present invention.
이하, 본 발명의 구성에 대하여 첨부된 도면과 함께 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in more detail with the accompanying drawings.
도 1에 표시된 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 수지 필름은 지지체 필름(10) 및 상기 지지체 필름(10) 상에 적층 형성된 포토레지스트층(20)을 포함한다. 경우에 따라서는, 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 필름의 보관 안전성 및 운반성을 개선하기 위해 상기 포토레지스트층(20) 위에 보호층 (도시하지 않음)을 더 포함할 수도 있다. 포토레지스트층(20)은 알칼리 가용성 수지, 디아지드계 감광성 화합물, 열경화성 수지 및 감도 증진제를 포함한다.As shown in FIG. 1, the positive photoresist resin film of the present invention includes a
본 발명의 지지체 필름(10)은 포지티브형 포토레지스트 필름에 적합한 물성을 가져야 한다. 적절한 지지체 필름 재료의 비제한적인 예를 들면, 폴리카보네이트 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 연신 폴리프로필렌(OPP) 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 필름, 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 필름, 폴리비닐 필름, 기타 적절한 폴리올레핀 필름, 에폭시 필름 등을 포함한다. 특히 바람직한 폴리올레핀 필름은 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름, 에틸렌비닐 아세테이트(EVA) 필름 등이다. 바람직한 폴리비닐 필름은 폴리 염화비닐(PVC) 필름, 폴리 아세트산비닐(PVA) 필름, 폴리비닐 알코올(PVOH) 필름 등이다. 특히 바람직한 폴리스티렌 필름은 폴리스티렌(PS) 필름, 아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌(ABS) 필름 등이다. 특히, 지지체 필름은 빛이 지지체 필름을 통과하여 포토레지스트 수지층을 조사할 수 있을 정도로 투명한 것이 바람직하다. The
지지체 필름(10)은 바람직하게는 포지티브형 포토레지스트 수지 필름의 형상 지지를 위한 골격 역할을 하기 위해 약 10 내지 50㎛ 범위의 두께를 가지며 바람직하게는 약 15 내지 50㎛, 더욱 바람직하게는 약 15 내지 25㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.The
다음은 본 발명에 따른 포토레지스트층(20)의 구성 성분에 대하여 상세하게 살펴본다.Next, the components of the
상기의 알칼리 가용성 수지는 특별히 한정되지는 않지만 페놀과 알데히드의 축합 생성물인 열경화성 노볼락 수지를 포함하며, 가장 바람직하게는 크레졸 노볼락 수지를 포함한다.The alkali-soluble resin is not particularly limited but includes a thermosetting novolak resin which is a condensation product of phenol and aldehyde, and most preferably cresol novolak resin.
노볼락 수지는 페놀 단독 또는 알데히드 및 산성 촉매와의 조합물을 중축합 반응하여 얻는다.Novolak resins are obtained by polycondensation of phenol alone or in combination with aldehydes and acidic catalysts.
페놀류로서는 특별히 한정되지 않지만, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-키시레놀, 2,5-키시레놀, 3,4-키시레놀, 3,5-키시레놀, 2,3,5-트리메틸페놀-키시레놀, 4-t-부틸 페놀, 2-t-부틸 페놀, 3-t-부틸 페놀, 4-메틸-2-t-부틸 페놀 등 1가 페놀류; 및 2-나프톨, 1,3-디히드록시 나프탈렌, 1,7-디히드록시 나프탈렌, 1,5-디히드록시 나프탈렌, 레조르시놀, 피로카테콜, 히드로퀴논, 비스페놀 A, 플로로글루시놀, 피로갈롤 등 다가 페놀류 등을 들 수 있으며, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 특히 m-크레졸, p-크레졸의 조합이 바람직하다. Although it does not specifically limit as phenols, Phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2, 3- xylenol, 2, 5- chisylenol, 3, 4- chisylenol, 3, 5- kisylenol, 2 Monohydric phenols such as, 3,5-trimethylphenol-kisylenol, 4-t-butyl phenol, 2-t-butyl phenol, 3-t-butyl phenol and 4-methyl-2-t-butyl phenol; And 2-naphthol, 1,3-dihydroxy naphthalene, 1,7-dihydroxy naphthalene, 1,5-dihydroxy naphthalene, resorcinol, pyrocatechol, hydroquinone, bisphenol A, phloroglucinol, Polyhydric phenols, such as a pyrogallol, etc. are mentioned, It can be used individually or in combination of 2 or more types. In particular, a combination of m-cresol and p-cresol is preferable.
알데히드류로서는 특별히 한정되지 않지만, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, α- 또는 β-페닐 프로필알데히드, o-, m- 또는 p-히드록시벤즈알데히드, 글루타르알데히드, 테레프탈알데히드 등을 들 수 있으며, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the aldehyde include, but are not particularly limited to, formaldehyde, trioxane, paraformaldehyde, benzaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, phenylacetaldehyde, α- or β-phenyl propylaldehyde, o-, m- or p-hydroxybenzaldehyde And glutaraldehyde, terephthalaldehyde and the like, and can be used alone or in combination of two or more thereof.
본 발명에 사용되는 상기 크레졸 노볼락 수지는 중량평균 분자량(GPC 기준) 이 2,000 내지 30,000 인 것이 바람직하다. The cresol novolac resin used in the present invention preferably has a weight average molecular weight (GPC basis) of 2,000 to 30,000.
또한, 본 발명에 사용되는 상기 크레졸 노볼락 수지는 메타/파라 크레졸의 함량비에 따라 감광속도와 잔막률 등의 물성이 달라지게 되므로, 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다. In addition, the cresol novolak resin used in the present invention will vary the physical properties such as the photosensitivity rate and the residual film ratio according to the content ratio of meta / para cresol, the content of meta / para cresol is 4: 6 to 6 by weight It is preferable to mix in a ratio of 4: 4.
상기 크레졸 노볼락 수지 중의 메타 크레졸의 함량이 상기 범위를 초과하면 감광속도가 빨라지면서 잔막률이 급격히 낮아지며, 파라 크레졸의 함량이 상기 범위를 초과하면 감광속도가 느려지는 단점이 있다.When the content of the meta cresol in the cresol novolak resin exceeds the above range, the photoresist rate is increased while the residual film rate is drastically lowered. When the content of the para cresol exceeds the above range, the photosensitivity is slowed.
상기 크레졸 노볼락 수지는 상기와 같이 메타/파라 크레졸의 함량이 중량 기준으로 4:6 내지 6:4인 크레졸 노볼락 수지를 단독으로 사용할 수 있으나, 더욱 바람직하게는 분자량이 서로 다른 수지를 혼합사용할 수 있다. 이 경우, 상기 크레졸 노볼락 수지를 (ⅰ) 중량평균 분자량(GPC 기준)이 8,000∼30,000인 크레졸 노볼락 수지와 (ⅱ) 중량평균 분자량(GPC 기준)이 2,000∼8,000인 크레졸 노볼락 수지를 중량기준으로 7:3 내지 9:1의 비율로 혼합사용하는 것이 바람직하다. The cresol novolac resin may be used alone as a cresol novolac resin of the meta / para cresol content of 4: 6 to 6: 4 by weight as described above, more preferably mixed resins having different molecular weights Can be. In this case, the cresol novolac resin (i) has a weight average molecular weight (GPC basis) of 8,000 to 30,000 cresol novolac resin and (ii) weight average molecular weight (GPC basis) of 2,000 to 8,000 cresol novolac resin It is preferable to mix and use in a ratio of 7: 3 to 9: 1 as a reference.
여기에서, 용어 '중량평균 분자량'은 겔투과크로마토그래피(GPC)에 의하여 결정되는, 폴리스티렌 당량의 환산치로 정의한다. 본 발명에서 노볼락 수지의 중량평균 분자량이 2,000 미만이면 포토레지스트 수지 필름은 현상 후 비노광부에서 큰 두께감소를 가져오고, 반면 30,000을 초과하면 현상속도가 낮아져 감도가 저하된다. 본 발명의 노볼락 수지는 반응산물로부터 저분자량 성분을 제거한 후 얻은 수지가 상기한 범위의 중량평균 분자량(2,000 내지 30,000)을 가질 때 가장 바람직한 효과를 달성할 수 있다. 노볼락 수지로부터 저분자량 성분을 제거함에 있어서, 분 별침전, 분별용해, 관크로마토그래피 등을 포함하는 기술들을 이용하면 편리하다. 이로써 포토레지스트 수지 필름의 성능을 개선할 수 있고, 특히 스커밍(scumming), 내열성 등을 개선할 수 있다.Here, the term 'weight average molecular weight' is defined in terms of polystyrene equivalents, as determined by gel permeation chromatography (GPC). In the present invention, if the weight average molecular weight of the novolak resin is less than 2,000, the photoresist resin film may have a large thickness reduction in the non-exposed part after development, whereas if it exceeds 30,000, the development speed is lowered and the sensitivity is lowered. The novolak resin of the present invention can achieve the most preferable effect when the resin obtained after removing the low molecular weight component from the reaction product has a weight average molecular weight (2,000 to 30,000) in the above-described range. In removing the low molecular weight component from the novolak resin, it is convenient to use techniques including fractional precipitation, fractional dissolution, tube chromatography, and the like. Thereby, the performance of a photoresist resin film can be improved, especially scumming, heat resistance, etc. can be improved.
상기 노볼락 수지는 알칼리 수용액 내에서 부피 증가없이 용해가능하고, 에칭시 마스크로 사용될 때 프라즈마 에칭에 대하여 고내성을 제공할 수 있는 영상을 제공한다. The novolac resin is soluble in an aqueous alkali solution without volume increase and provides an image capable of providing high resistance to plasma etching when used as a mask during etching.
상기의 감광성 화합물은 디아지드계 감광성 화합물로서 노볼락 수지의 알칼리에 대한 용해도를 감소시키는 용해억제제(dissolution inhibitor)로서도 작용하게 된다. 그러나 이 화합물은 광이 조사되면 알칼리 가용성 물질로 바뀌어 노볼락 수지의 알칼리 용해도를 증가시키는 역할을 하게 된다. The photosensitive compound is a diazide-based photosensitive compound, and also acts as a dissolution inhibitor that reduces the solubility of alkali in the novolak resin. However, when the compound is irradiated with light, the compound is converted into an alkali-soluble material, which increases the alkali solubility of the novolak resin.
상기 디아지드계 감광성 화합물은 폴리히드록시 화합물과 퀴논디아지드 술폰산 화합물과의 에스테르화 반응에 의해 합성할 수가 있다. 감광성 화합물을 얻기 위한 에스테르화 반응은 상기 폴리히드록시 화합물과 상기 퀴논디아지드 술폰산 화합물을 디옥산, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, N-메틸피롤리딘, 클로로포름, 트리클로로에탄, 트리클로로에틸렌 또는 디클로로에탄 같은 용매에 용해시키고, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 트리에틸아민, N-메틸모르폴린, N-메틸피페라진 또는 4-디메틸아미노피리딘 같은 염기성 촉매를 적하하여 축합시킨 후, 얻어진 생성물을 세정, 정제, 건조시켜 행한다. 특정 이성체만을 선택적으로 에스테르화하는 것이 가능하며 에스테르화 비율(평균 에스테르화율)은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 폴리히드록시 화합물의 OH기에 대한 디아지드 술폰산 화합물 이 20∼100%, 바람직하게는 60∼90%의 범위이다. 에스테르화 비율이 너무 낮으면 패턴 형상이나 해상성의 열화를 초래하고, 너무 높으면 감도의 열화를 초래한다. The diazide photosensitive compound can be synthesized by esterification of a polyhydroxy compound and a quinone diazide sulfonic acid compound. The esterification reaction for obtaining the photosensitive compound is carried out by dioxane, acetone, tetrahydrofuran, methylethylketone, N-methylpyrrolidine, chloroform, trichloroethane, trichloro and the polyhydroxy compound and the quinonediazide sulfonic acid compound. Dissolved in a solvent such as ethylene or dichloroethane, and condensed by dropwise addition of a basic catalyst such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium bicarbonate, triethylamine, N-methylmorpholine, N-methylpiperazine or 4-dimethylaminopyridine The obtained product is washed, purified and dried. It is possible to selectively esterify only specific isomers and the esterification ratio (average esterification rate) is not particularly limited, but the diazide sulfonic acid compound is 20 to 100%, preferably 60 to 90, to the OH group of the polyhydroxy compound. Range of%. Too low an esterification ratio results in deterioration of pattern shape or resolution, and too high an effect of deterioration of sensitivity.
퀴논디아지드 술폰산 화합물로서는 예컨대, 1,2-벤조퀴논 디아지드-4-술폰산, 1,2-나프토퀴논 디아지드-4-술폰산, 1,2-벤조퀴논 디아지드-5-술폰산 및 1,2-나프토퀴논 디아지드-5-술폰산 등의 o-퀴논 디아지드 술폰산 화합물, 및 그 외의 퀴논 디아지드 술폰산 유도체 등을 들 수 있다. 디아지드계 감광성 화합물은 바람직하게는 1,2-벤조퀴논 디아지드-4-술폰산 클로라이드, 1,2-나프토퀴논 디아지드-4-술폰산 클로라이드 및 1,2-나프토퀴논 디아지드-5-술폰산 클로라이드 중 1종 이상이다. As the quinone diazide sulfonic acid compound, for example, 1,2-benzoquinone diazide-4-sulfonic acid, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid, 1,2-benzoquinone diazide-5-sulfonic acid and 1, O-quinone diazide sulfonic acid compounds, such as 2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid, other quinone diazide sulfonic acid derivatives, etc. are mentioned. The diazide photosensitive compound is preferably 1,2-benzoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinone diazide-5- At least one of sulfonic acid chlorides.
퀴논디아지드 술폰산 화합물들은 스스로 알칼리 중에서 노볼락 수지의 용해도를 낮게 하는 용해 저지제로서의 기능을 가진다. 그러나 노광시 알칼리 가용성 수지를 생산하기 위해 분해하고, 그로 인해 오히려 알칼리에서 노볼락 수지의 용해를 촉진시키는 특성을 갖는다. The quinonediazide sulfonic acid compounds themselves have a function as a dissolution inhibitor which lowers the solubility of the novolak resin in alkali. However, it decomposes in order to produce alkali-soluble resins upon exposure, thereby having the property of promoting dissolution of the novolak resin in alkali.
폴리히드록시 화합물로서는 2,3,4-트리히드록시 벤조페논, 2,2',3-트리히드록시 벤조페논, 2,3,4'-트리히드록시 벤조페논 등의 트리히드록시 벤조페논류; 2,3,4,4-테트라히드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,5-테트라히드록시벤조페논 등 테트라히드록시벤조페논류; 2,2',3,4,4'-펜타히드록시벤조페논, 2,2',3,4,5-펜타히드록시벤조페논 등 펜타히드록시벤조페논류; 2,3,3',4,4',5'-헥사히드록시벤조페논, 2,2,3,3',4,5'-헥사히드록시벤조페논 등 헥사히드록시벤조페논류; 갈산알킬에스테르; 옥시플라반류 등을 예로 들 수 있다. As the polyhydroxy compound, trihydroxy benzophenones such as 2,3,4-trihydroxy benzophenone, 2,2 ', 3-trihydroxy benzophenone, and 2,3,4'-trihydroxy benzophenone ; Tetrahydroxybenzophenones such as 2,3,4,4-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone and 2,3,4,5-tetrahydroxybenzophenone ; Pentahydroxybenzophenones such as 2,2 ', 3,4,4'-pentahydroxybenzophenone and 2,2', 3,4,5-pentahydroxybenzophenone; Hexahydroxybenzophenones such as 2,3,3 ', 4,4', 5'-hexahydroxybenzophenone and 2,2,3,3 ', 4,5'-hexahydroxybenzophenone; Gallic acid alkyl esters; And oxyflavanes.
본 발명에서 사용되는 디아지드계 감광성 화합물은 바람직하게는 2,3,4,4-테트라하이드록 시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-술포네이트, 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포네이트 및 (1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포네이트 중에서 선택된 1종 이상이다. 또한, 폴리히드록시 벤조페논과 1,2-나프토퀴논디아지드, 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산 등의 디아지드계 화합물을 반응시켜 제조한 디아지드계 감광성 화합물을 사용할 수도 있다. The diazide photosensitive compound used in the present invention is preferably 2,3,4,4-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-sulfonate, 2,3,4-trihydrate Hydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate and (1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl ) Ethyl] benzene) -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate. In addition, diazide photosensitive compounds prepared by reacting diazide compounds such as polyhydroxy benzophenone, 1,2-naphthoquinone diazide, and 2-diazo-1-naphthol-5-sulfonic acid can also be used. .
이러한 디아지드계 감광성 화합물에 관하여는 Light Sensitive Systems, Kosar, J.; John Wiley & Sons, New York, 1965, 제 7장에 상세히 공지되어 있다. For such diazide photosensitive compounds, see Light Sensitive Systems, Kosar, J .; See John Wiley & Sons, New York, 1965, chapter 7.
본 발명의 포토레지스트층(20)의 한 구성 성분으로 사용하는 이러한 감광성 화합물(감광제)은 포지티브형 포토레지스트 수지 조성물로서 일반적으로 적용되고 있는 치환된 나프토퀴논 디아지드계 감광제들에서 선택되어지는 것이며, 이러한 감광성 화합물들은 예컨대 미국특허 제 2,797,213; 제 3,106,465; 제 3,148,983; 제 3,201,329; 제 3,785,825 및 제 3,802,885 등에 게재되어 있다. Such a photosensitive compound (photosensitive agent) used as one component of the
상기 디아지드계 감광성 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 30 내지 80 중량부를 단독 또는 2 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 30 중량부 이상일 경우 현상액에 더욱 현상이 잘되고 포토레지스트 필름의 잔존비율이 상당히 높아지며, 80 중량부를 초과할 경우에는 고가이므로 경제적이지 못하고 용매 중의 용해도가 낮아진다.The diazide photosensitive compound may be used alone or in combination of two or more of 30 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. If it is 30 parts by weight or more, the developing solution is more easily developed, and the residual ratio of the photoresist film is considerably higher. If it is more than 80 parts by weight, it is not economical and the solubility in the solvent is low.
상기 디아지드계 감광성 화합물을 이용하여 본 발명의 포지티브형 포토레지 스트 수지 필름의 감광속도를 조절할 수 있으며, 예를 들면, 감광성 화합물의 양을 조절하는 방법과 2,3,4-트리히드록시벤조페논과 같은 폴리히드록시 화합물과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산과 같은 퀴논디아지드 술폰산 화합물과의 에스테르 반응도를 조절하는 방법이 있다. The photosensitive speed of the positive type photoresist resin film of the present invention can be controlled using the diazide photosensitive compound. For example, a method of controlling the amount of the photosensitive compound and 2,3,4-trihydroxybenzo There is a method of controlling the ester reactivity of a polyhydroxy compound such as phenone with a quinonediazide sulfonic acid compound such as 2-diazo-1-naphthol-5-sulfonic acid.
상기 디아지드계 감광성 화합물은 노광 전에는 알칼리 가용성 수지의 알칼리 수용액 현상액에 대한 용해성을 약 100배 저하시키지만 노광 후에는 카르복실산 형태로 변하여 알칼리 수용액에 가용성이 되면서 비노광된 포지티브형 포토레지스트조성물에 비해 용해도가 약 1000∼1500배 증가하게 된다. LCD, 유기 EL등의 미세회로 패턴의 형성은 포토레지스트의 이러한 성질을 이용한 것이다. 더 구체적으로, 실리콘 웨이퍼나 유리기판 위에 코팅된 포토레지스트에 회로 모양의 반도체 마스크를 통해 자외선을 쬔 후 현상액으로 처리하면 실리콘 웨이퍼나 유리기판 상에는 원하는 회로의 패턴만이 남게 된다.The diazide-based photosensitive compound decreases the solubility of the alkali-soluble resin in the aqueous alkali solution developer before exposure by about 100 times, but after exposure, the diazide-based photosensitive compound becomes soluble in the aqueous alkali solution and becomes soluble in the aqueous alkali solution, compared with the non-exposed positive photoresist composition. Solubility is increased by about 1000 to 1500 times. The formation of microcircuit patterns such as LCDs and organic ELs utilizes these properties of photoresists. More specifically, when UV rays are applied to a photoresist coated on a silicon wafer or a glass substrate through a circuit-like semiconductor mask and treated with a developer, only a desired circuit pattern remains on the silicon wafer or the glass substrate.
상기의 열경화성 수지는 메톡시메틸멜라민(Methoxymethymelamine)계 수지 등으로서 함량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 10∼30 중량부인 것이 바람직하다. 10 중량부 이상인 경우에는 본 발명의 내알칼리성 및 도금내성이 우수해지고 30 중량부 이하인 경우에 현상공정이 쉬워진다. The thermosetting resin is a methoxymethylmelamine-based resin and the like is preferably 10 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of alkali-soluble resin. When it is 10 parts by weight or more, the alkali resistance and plating resistance of the present invention are excellent, and when it is 30 parts by weight or less, the developing process becomes easy.
또한, 상기 메톡시메틸멜라민계 수지로는 헥사메톡시메틸멜라민(Hexamethoxymelamine) 수지가 더욱 바람직하다.In addition, the methoxymethylmelamine-based resin is more preferably hexamethoxymethylmelamine (Hexamethoxymelamine) resin.
본 발명은 상기와 같이 포토레지스트층 내에 열경화성 수지를 포함하기 때문에 금속 전극을 제조하는 후 열처리 공정 중에 상기 열경화성 수지의 가교(Cross- linking) 반응이 일어나 내알칼리성 및 도금내성이 크게 향상된다.Since the present invention includes a thermosetting resin in the photoresist layer as described above, a cross-linking reaction of the thermosetting resin occurs during the heat treatment process after fabricating the metal electrode, thereby greatly improving alkali resistance and plating resistance.
상기의 감도증진제는 포지티브형 포토레지스트 필름의 감도를 향상시키기 위하여 사용된다. 상기 감도 증진제는 2 내지 7개의 페놀계 히드록시 그룹을 가지고, 폴리스티렌 대비 중량평균분자량이 1,000 미만인 폴리히드록시 화합물이다. 바람직한 예를 들면, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,3,4,4-테트라히드록시벤조페논, 1-[1-(4-히드록시페닐)이소프로필]-4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]벤젠 중에서 선택된 1종 이상인 것이 바람직하다.The sensitivity enhancer is used to improve the sensitivity of the positive photoresist film. The sensitivity enhancer is a polyhydroxy compound having 2 to 7 phenolic hydroxyl groups and having a weight average molecular weight of less than 1,000 compared to polystyrene. Preferred examples include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4-tetrahydroxybenzophenone, 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [ It is preferable that it is 1 or more types chosen from 1, 1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene.
상기 감도 증진제로 사용되는 폴리히드록시 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 3 내지 15 중량부를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 감도 증진제가 3 중량부 미만인 경우 감광 효과가 미미하여 해상도, 감도 등이 미흡하고, 15 중량부를 초과할 경우에는 고감도가 되어 공정상 윈도우 공정 마진이 좁아지는 문제가 있다. The polyhydroxy compound used as the sensitivity enhancer is preferably used 3 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the sensitivity enhancer is less than 3 parts by weight, the photosensitivity effect is insignificant, so that resolution, sensitivity, and the like are insufficient. When the sensitivity enhancer is more than 15 parts by weight, the sensitivity is increased and the window process margin is narrowed.
또한, 본 발명의 포토레지스트층(20)은 상술한 성분들 외에도 적층후 지지체 필름의 이형성을 향상시키기 위해 이형제를 더 포함할 수 있다. 상기 이형제의 바람직한 예를 들면, 실리콘 수지, 불소 수지, 올레핀 수지, 왁스 등이 있다. 이들 중에서 특히 바람직한 것은 약 1,000 내지 10,000 cps 범위의 점도를 갖는 불소 수지이다.In addition, the
이형제의 함량은 바람직하게는, 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 약 0.5 내지 4 중량부의 범위이다.The content of the release agent is preferably in the range of about 0.5 to 4 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
지지체 필름(10)이 연신 폴리프로필렌(OPP)필름인 경우에는 상기 연신 폴리 프로필렌(OPP)필름은 자체의 소수성으로 인해 우수한 이형성을 갖기 때문에 포지티브형 포토레지스트층에 이형제를 첨가하지 않아도 된다.When the
그러나, 지지체 필름(10)이 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)필름인 경우에는 상기 PET필름은 자체의 친수성으로 인해 이형성이 나쁘기 때문에 포지티브형 포토레지스트층에 이형제를 첨가하는 것이 좋다.However, when the
상술한 구성 성분의 조성 이외에도, 본 발명에 따른 포토레지스트층은 종래의 포토레지스트 수지 조성물에 사용되는 통상의 공지된 성분들 예를 들어, 레벨링제, 충진제, 안료, 염료, 계면활성제 등의 기타 성분이나 첨가제를 포함할 수 있다.In addition to the composition of the above-mentioned constituents, the photoresist layer according to the present invention may be any conventionally known components used in conventional photoresist resin compositions such as leveling agents, fillers, pigments, dyes, surfactants and the like. Or may include additives.
상기 지지체 필름 상에 상기 포지티브형 포토레지스트층을 형성시키는 방법은 일반적으로 사용되고 있는 롤러, 롤코터, 메이어 로드(meyer rod), 그라비어, 스프레이 등의 도장법에 의하여 상기 용제와 혼합된 조성물을 상기 지지체 필름 상에 도장하고 건조를 행해 조성물 중의 용제를 휘발시킴으로써 행해진다. 필요에 따라서는 도포된 조성물을 가열 경화해도 좋다.In the method of forming the positive photoresist layer on the support film, a composition mixed with the solvent by a coating method such as a roller, a roll coater, a meyer rod, gravure, and a spray, which is generally used, may be used. It is performed by coating onto a phase and drying to volatilize the solvent in the composition. You may heat-harden the apply | coated composition as needed.
더욱이, 상기 제조된 본 발명인 포지티브형 포토레지스트 필름은 포지티브형 포토레지스트층의 상부에 추가로 보호층을 더 포함하는 것이 가능한 바, 이러한 보호층은 공기 차단 및 이물 등으로 부터 포지티브형 포토레지스트 수지층을 보호하는 역할을 수행하는 것으로서, 폴리에틸렌 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 등으로 형성된 것이 바람직하며, 그 두께는 15 내지 30㎛인 것이 더욱 바람직하다.Moreover, the positive photoresist film of the present invention prepared above may further include a protective layer on top of the positive photoresist layer, and the protective layer may be a positive photoresist resin layer from air blocking and foreign substances. As a role of protecting the film, it is preferably formed of a polyethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, or the like, and the thickness thereof is more preferably 15 to 30 μm.
한편, 본 발명의 포토레지스트 수지 필름을 사용하여 패턴을 형성하는 방법은,On the other hand, the method of forming a pattern using the photoresist resin film of this invention,
(1) 유리 기판 상에서, 본 발명에 따라 제조된 지지체 상에 포토레지스트 수지층이 도포된 포토레지스트 수지 필름을 형성하고 필요에 따라 상기 포토레지스트 수지 필름의 지지체 필름을 박리하는 단계;(1) forming a photoresist resin film coated with a photoresist resin layer on a support prepared according to the present invention on a glass substrate, and peeling the support film of the photoresist resin film as necessary;
(2) 상기 피막 상에 원하는 패턴을 얻을 수 있도록 자외선을 마스크를 통하거나 또는 통하지 않고 직접 조사하는 단계; 및(2) directly irradiating ultraviolet light through or without a mask to obtain a desired pattern on the film; And
(3) 상기 포토레지스트 수지 필름의 지지체 필름을 박리하지 않은 경우는 이것을 박리한 후 조사부의 포지티브형 포토레지스트 수지 피막을 현상 처리에 의하여 제거함으로써 레지스트 패턴 피막을 형성하는 단계를 포함한다. (3) In the case where the support film of the photoresist resin film is not peeled off, the film is peeled off, and then the positive photoresist resin film of the irradiated portion is removed by a development treatment to form a resist pattern film.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 수지 필름을 현상처리하기 위한 현상액은 2.38% TMAH(tetramethylammonium hydroxide)가 바람직하다. The developer for developing the positive photoresist resin film of the present invention is preferably 2.38% TMAH (tetramethylammonium hydroxide).
상기 단계 (1)은, 기판 상에 포지티브형 포토레지스트 필름을 지지체 필름 상에 포토레지스트 수지층이 접하도록 부착시킴으로써 포지티브형 포토레지스트 수지 피막을 형성하는 단계이다. 지지체 필름은 박리하지 않아도 좋다. 또한 기판 상에 형성된 포토레지스트 수지 피막을 건조할 필요는 없다.The step (1) is a step of forming a positive photoresist resin film by attaching a positive photoresist film on a substrate so that the photoresist resin layer is in contact with the support film. The support film does not need to be peeled off. In addition, it is not necessary to dry the photoresist film formed on the substrate.
이렇게 해서 단계 (1), (2) 및 (3)에 의하여 원하는 레지스트 패턴 피막이 형성된다. In this way, a desired resist pattern film is formed by steps (1), (2) and (3).
이렇게 제조된 본 발명에 따른 지지체 필름 상에 포토레지스트 수지층을 포함하는 포지티브형 포토레지스트 수지 필름은 종래의 액상 포토레지스트 수지 조성 물을 사용하였을 때 발생하는 문제점인 액상 조성물의 보관시 해상도, 감도 등이 저하되는 문제나, 유리 기판에 도포할 때 반드시 필요한 스핀 코팅 및 건조 공정 등을 생략할 수 있게 됨으로써 두께 편차 문제, 건조시의 기포 발생 문제 등을 없애고 수율 향상을 기할 수 있게 되었으며, 특히, 공정 비용을 상당히 줄일 수 있게 되었다. The positive type photoresist resin film including the photoresist resin layer on the support film according to the present invention prepared as described above is a resolution, sensitivity, etc. when storing the liquid composition, which is a problem that occurs when using a conventional liquid photoresist resin composition. Since the problem of deterioration, the spin coating and the drying process necessary for coating on the glass substrate, can be omitted, the thickness variation problem, the bubble generation problem during drying, etc. can be eliminated and the yield can be improved. The cost can be reduced considerably.
또한, 본 발명에 따른 포지티브형 포토레지스트 수지 필름을 이용한 미세회로 패턴은 종래의 액상 포지티브형 포토레지스트 수지 조성물과 유사한 2 내지 7㎛수준의 고해상도의 패턴을 형성할 수 있어 LCD, 유기 ELD 등의 미세회로 형성에 사용할 수 있는 것이다.In addition, the microcircuit pattern using the positive type photoresist resin film according to the present invention can form a pattern of a high resolution of 2 to 7㎛ similar to the conventional liquid positive type photoresist resin composition is fine, such as LCD, organic ELD It can be used for circuit formation.
한편, 본 발명을 사용하여 PDP의 은(Ag) 전극을 제조하는 공정을 살펴본다. 먼저, 금속 플레이트상에 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 필름을 라미네이팅 시킨 다음, 차례로 예비 열처리(Pre-bake), 노광, 현상, 후 열처리(Post-bake) 공정을 거쳐 금속전극이 형성될 부위를 제외한 나머지 부분에 포토레지스트층을 형성시킨 다음, 포토레지스트층을 제거하면 금속 플레이트 상에 원하는 패턴으로 은(Ag) 전극이 형성된다.Meanwhile, the process of manufacturing the silver (Ag) electrode of the PDP using the present invention will be described. First, the positive type photoresist film of the present invention is laminated on a metal plate, and then, after the pre-bake, exposure, development, and post-bake processes, except for the portion where the metal electrode is to be formed. After the photoresist layer is formed on the remaining portion, the photoresist layer is removed to form a silver electrode on a metal plate in a desired pattern.
그 후, 금속 플레이트 상에 형성된 은(Ag) 전극을 박리 및 전사 공정을 통해 은(Ag) 전극만을 분리하여, 이를 유리기판상에 형성할 수 있다.Thereafter, the silver (Ag) electrode formed on the metal plate may be separated from the silver (Ag) electrode through a peeling and transfer process, and then formed on the glass substrate.
이때, 후 열처리 공정에서는 조성물내 열경화성 수지의 가교화 반응이 일어날 수 있도록 125∼150℃에서 3∼20분간 열처리하고, 은(Ag) 도금 공정은 은 도금이 치밀하게 되도록 pH 11∼12의 강알칼리 조건하에서 실시한다.At this time, in the post-heat treatment step, heat treatment is performed at 125 to 150 ° C. for 3 to 20 minutes so that the crosslinking reaction of the thermosetting resin in the composition can occur, and the silver (Ag) plating step is a strong alkali condition having a pH of 11 to 12 so that the silver plating is dense. Under the following conditions.
상술한 바와 같은 본 발명의 특징 및 기타 장점들은 후술되는 비한정적인 실시예의 기재로부터 보다 명백해질 것이다. 그러나, 이하의 실시예는 단지 본 발명의 구체적 구현예로서 예시하는 것일 뿐이므로 본 발명의 범위를 국한시키는 것으로 이해되어서는 안 될 것이다.Features and other advantages of the invention as described above will become more apparent from the description of the non-limiting examples described below. However, the following examples are only to be illustrated as specific embodiments of the present invention and should not be understood as limiting the scope of the present invention.
실시예Example 1 One
알칼리 가용성 수지로서 크레졸 노볼락 수지; 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여, 감광성 화합물로서 34 중량부의 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-술폰산 클로라이드; 열경화성 수지로서 15 중량부의 헥사메톡시메틸멜라민; 감도 증진제로서 3.6 중량부의 2,3,4-트리히드록시벤조페논; 용매로서 165 중량부의 메틸에틸 케톤과 55 중량부의 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트; 및 이형제로서 0.5 중량부의 불소계 실리콘 수지를 포함하는 용액을 제조하였다. 이 제조된 용액을 0.2㎛의 밀리포어(millipore) 테프론 필터를 통해 여과시켜 불용물질을 제거하였다. 결과로 얻은 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 19㎛) 위에 5㎛의 두께로 도포하여 포지티브형 포토레지스트 필름을 제조하였다. 상기와 같이 제조된 포지티브형 포토레지스트 필름을 SUS 금속 플레이트상에 라미네이팅한 다음, 차례로 예비 열처리(Pre-bake), 노광, 현상, 후 열처리(Post-bake) 공정을 거쳐 금속전극이 형성된 부위를 제외한 나머지 부분에 포토레지스트층을 형성시킨 다음, 은(Ag) 도금공정을 실시하여 포토레지스트층이 형성안된 부분에 은(Ag) 전극을 형성시킨 다음, 박리공정을 통해 은(Ag) 전극만을 분리한 다음, 이를 유리기판상에 전사하여, PDP용 은(Ag) 전극을 제조하였다. 이때, 후 열처리(Post-bake)공정은 130℃에서 10분간 실시하였고, 은(Ag) 도금 공정은 pH 12의 강알칼리 조건하에서 실시하였다. 제조된 포지티브형 포토레지스트 필름의 각종 물성을 평가한 결과는 표 2와 같다.Cresol novolac resins as alkali-soluble resins; 34 parts by weight of 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid chloride as a photosensitive compound based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin; 15 parts by weight of hexamethoxymethylmelamine as the thermosetting resin; 3.6 parts by weight of 2,3,4-trihydroxybenzophenone as a sensitivity enhancer; 165 parts by weight of methylethyl ketone and 55 parts by weight of diethylene glycol monoethyl ether acetate; And 0.5 part by weight of a fluorine-based silicone resin as a release agent was prepared. The prepared solution was filtered through a 0.2 μm millipore teflon filter to remove insolubles. The resulting solution was applied on a polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 19 mu m) to a thickness of 5 mu m to prepare a positive photoresist film. The positive photoresist film prepared as described above was laminated on the SUS metal plate, and then, except for the portion where the metal electrode was formed through a pre-bake, exposure, development, and post-bake process. After forming a photoresist layer on the remaining portion, silver (Ag) plating process was performed to form a silver (Ag) electrode on the portion where the photoresist layer was not formed. Next, this was transferred onto a glass substrate to prepare a silver (Ag) electrode for PDP. At this time, the post-bake process was performed at 130 ° C. for 10 minutes, and the silver (Ag) plating process was performed under strong alkali conditions of pH 12. The results of evaluating various physical properties of the prepared positive photoresist film are shown in Table 2.
실시예Example 2 ∼ 2- 실시예Example 4 및 4 and 비교실시예Comparative Example 1 One
열경화성 수지인 헥사메톡시메틸멜라민의 함량, 후 열처리(Post-bake)의 온도 및 시간, 은(Ag) 도금 공정의 pH 조건을 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 수지 필름과 Ag(은) 전극을 제조하였다. 제조된 포지티브형 포토레지스트 필름의 각종 물성을 평가한 결과는 표 2와 같다.In the same manner as in Example 1, except that the content of hexamethoxymethylmelamine, a thermosetting resin, the temperature and time of post-bake, and the pH conditions of the silver (Ag) plating process were changed as shown in Table 1. A positive photoresist resin film and Ag (silver) electrode were prepared. The results of evaluating various physical properties of the prepared positive photoresist film are shown in Table 2.
* 비교실시예 1의 경우에는 은(Ag) 도금 공정 중에 포지티브형 포토레지스트 부분이 박리되어 은(Ag) 전극 생산이 사실상 불가능하였다. In the case of Comparative Example 1, the positive photoresist portion was peeled off during the silver (Ag) plating process, so that silver (Ag) electrode production was virtually impossible.
표 2의 물성들은 아래 방법으로 평가하였다.Properties of Table 2 were evaluated by the following method.
[감도 평가][Sensitivity evaluation]
상기 라미네이션한 기재를 노광량별로 노광한 후, 상온에서 2.38질량% TMAH 수용액으로 60초간 현상하고 30초간 수세하여 건조시킨 뒤 광학현미경을 통해 노광량을 측정하였다. After exposing the laminated substrate by the exposure amount, it was developed for 60 seconds with a 2.38% by mass TMAH aqueous solution at room temperature, washed with water for 30 seconds and dried, and the exposure amount was measured through an optical microscope.
[해상도 평가][Resolution evaluation]
상기 제조된 필름을 라미네이션 속도 2.0m/min, 온도 110℃, 가열롤 압력 10∼90psi에서 라미네이션한 후 포토마스크를 이용하여 자외선에 조사한 다음 지지체 필름인 PET 필름을 벗겨서 2.38% TMAH 알칼리 현상액에 현상하여, 미노광 부분은 남게 되어 회로를 형성되는데 이때의 해상도를 전자현미경으로 관찰하였다.The prepared film was laminated at a lamination speed of 2.0 m / min, a temperature of 110 ° C., a heating roll pressure of 10 to 90 psi, and then irradiated with ultraviolet light using a photomask, and then peeled off the PET film as a support film, and developed in a 2.38% TMAH alkaline developer. In addition, the unexposed portion remained to form a circuit, and the resolution was observed with an electron microscope.
본 발명은 감광속도, 현상 콘트라스트, 감도 및 해상도가 우수함과 동시에 내알칼리성 및 도금 내성이 우수하여 PDP용 은(Ag) 전극 등과 같은 금속 전극을 강알칼리 조건하에서 금속 도금 방식으로 제조하는 공정에 적용이 가능하다.The present invention is excellent in photosensitivity, development contrast, sensitivity and resolution, and also has excellent alkali resistance and plating resistance, so that the metal electrode such as silver (Ag) electrode for PDP can be applied to a process for producing a metal electrode under strong alkali conditions. Do.
또한, 본 발명은 상기 금속 전극을 제조시 Ag(은) 등과 같은 전극 형성용 금속의 손실량을 줄여 제조비용을 획기적으로 절감할 수 있다.In addition, the present invention can significantly reduce the manufacturing cost by reducing the amount of metal for electrode formation, such as Ag (silver) when manufacturing the metal electrode.
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| KR940005613A (en) * | 1992-07-15 | 1994-03-21 | 사노 카즈오 | 4-aminoquinazoline derivatives, methods for preparing the same |
| JP3365874B2 (en) * | 1994-10-05 | 2003-01-14 | 富士写真フイルム株式会社 | Synthetic method of quinonediazide and positive resist containing the same |
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