KR101036738B1 - 리페어 라인을 구비하는 ｔｆｔ어레이 기판 및 이를이용한 리페어 방법 - Google Patents

리페어 라인을 구비하는 ｔｆｔ어레이 기판 및 이를이용한 리페어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 정전기에 의해 게이트 라인과 데이터 라인이 단락이 발생한 경우, 리페어할 수 있는 리페어 배선구조에 관한 것으로, 게이트 라인을 복수개의 패스로 구성하고 상기 복수개의 패스에 복수개 패스를 구비하는 데이터 라인을 교차하도록 형성하여 게이트 라인과 데이터 라인이 단락이 발생하더라도 단락이 발생한 라인을 제거하고 나머지 라인을 통하여 신호가 인가될 수 있게 구성한 것을 특징으로 한다. 상기 구조의 리페어 라인을 구비하는 TFT어레이 기판은 게이트 라인과 데이터 라인에 단락이 발생하더라도 단락이 발생한 배선을 쉽게 제거하고 단락 불량을 수리할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
게이트 라인, 게이트 단락 배선, 리페어 라인

Description

리페어 라인을 구비하는 ＴＦＴ어레이 기판 및 이를 이용한 리페어 방법{THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE INCLUDING REPAIR LINE AND REPAIR METHOD USING THEREOF}
도 1은 액정표시장치의 TFT어레이 기판의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 2는 도1의 TFT어레이 기판의 게이트 단락 배선부를 확대한 평면도.
도 3은 본 발명의 리페어 라인을 구비하는 TFT어레이 기판의 평면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 의한 TFT어레이 기판의 평면도.
도 5는 도 4의 B영역을 확대한 평면도.
***** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *****
111,112:게이트 라인 113:데이터 라인
113a:제 1 게이트 라인 121:게이트 패드
123:데이터 패드 131: 이븐 라인 단락부
125,126:게이트 단락 배선 127:데이터 단락 배선
340a,340b,330:리페어 라인 310: 커트 영역
320:제 1 교차 영역
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히, 외부로부터 유입되는 정전기에 의해 게이트 라인과 데이터 라인이 접전될 경우 리페어할 수 있는 리페어(repair) 배선부를 구비하는 박막트랜지스터 어레이 기판에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 단위화소들에 화상정보에 따른 데이터신호를 개별적으로 공급하여, 그 단위화소들의 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 영상표시장치이다.
상기 액정표시장치는 단위화소들이 매트릭스 형태로 배열되는 액정표시패널과, 상기 단위화소들을 구동하기 위한 드라이버 집적회로(integrated circuit : IC)를 구비된다.
상기 액정표시패널은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판과 컬러필터 기판이 서로 대향하여 일정한 간격(통상, 셀-갭(cell-gap)이라 한다)을 갖도록 합착되고, 상기 이격된 간격에 액정층이 충진되어 형성된다.
상기 TFT 어레이 기판과 컬러필터 기판은 유효 화상 표시부의 외곽을 따라 형성되는 실 패턴에 의해 합착된다. 이때, TFT 어레이 기판이나 컬러필터 기판상에는 스페이서(spacer)가 형성되어 일정한 셀-갭을 유지한다.
상기 TFT 어레이 기판과 컬러필터 기판의 외면에는 편광판과 위상차판 등이 구비되며, 이와 같은 다수의 구성요소를 선택적으로 구성함으로써, 빛의 진행상태를 바꾸거나 굴절률을 변화시켜 높은 휘도와 콘트라스트 특성을 갖는 액정표시장치 가 구성된다.
상기 TFT 어레이 기판과 컬러필터 기판이 대향하며 합착된 액정표시패널에는 공통전극과 화소전극이 형성되어 상기 액정층에 전계를 인가한다. 즉, 공통전극에 전압을 인가한 상태에서 화소전극에 인가되는 전압을 제어함으로써, 단위화소들의 광투과율을 개별적으로 조절할 수 있게 된다. 이와같이 화소전극에 인가되는 전압을 단위화소별로 제어하기 위하여 각각의 단위화소에는 스위칭 소자로 사용되는 박막트랜지스터가 형성된다.
특히, 액정표시장치에 있어서, TFT어레이 기판은 액정패널을 형성하는데 많은 공정이 집중되는 곳으로 다른 액정표시소자에 비해 복잡한 구조와 공정을 거친다.
이하 도 1을 통하여 TFT어레이 기판의 구조를 살펴본다.
도 1에 도시된 바와 같이, TFT어레이 기판(100)은 화상이 구현되는 화면표시영역(110)과 화면표시영역 가장자리의 화면 비표시영역(120)으로 구분된다.
화면표시영역에는 다수의 게이트 라인(111,112)이 서로 평행하게 배열되며 상기 게이트 라인과 수직 교차하는 다수의 데이터 라인(113)이 형성된다. 또한, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차에 의해 화소영역(110)이 정의된다.
또한 상기 화소영역(110)에는 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 스위칭소자로써 TFT(115)가 형성되어 있으며 상기 TFT는 단위화소내의 화소전극(117)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 화소전극 및 TFT는 매트릭스 배열을 하는 단위화소 내에 각각 형성되며 매트릭스 배열을 이룬다.
한편, 도 2를 통하여 게이트 단락 배선이 형성되는 액정표시패널의 가장자리 구성을 확대해 살펴보면, 상기 게이트 라인(111,112) 및 데이터 라인(113)은 화면 비표시영역 상에서 신호를 인가하기 위한 게이트 패드(121a,121b) 및 데이터 패드(123)를 각각 구비하며 그 끝단은 게이트 단락 배선(shoting bar)(125,126)과 데이터 단락배선(shoting bar)(127)과 각각 연결되어 있다. 여기서, 짝수 번째 게이트 라인(112)은 이븐 라인 단락부(131)에 의해 제 1 게이트 단락 배선(125)과 분리되어 있고, 홀수 번째 게이트 라인(111)만 상기 제1 게이트 단락 배선(125)과 연결되어 있다. 상기 짝수 번째 게이트 라인(112)은 각각 제 2 게이트 단락 배선(126)과 연결되어 일체를 이루고 있다. 상기 게이트 단락 배선 및 데이터 단락 배선은 TFT어레이 기판을 제조하는 공정을 진행함에 있어서 발생할 수 있는 정전기를 방지하는 역할과 TFT어레이 기판 제조공정이 마무리된 후에 각 단위화소 및 배선의 단락 여부를 검사하는 단락 검사용 배선 역할을 수행한다.
상기 게이트 단락 배선 및 데이터 단락 배선은 단락 검사가 끝난 후, 후공정으로 절단공정에서 제거된다.
즉, TFT어레이 기판 및 컬러필터 기판을 완성하고 상기 TFT어레이 기판의 단선 검사를 완료한 후, 상기 TFT어레이 기판과 컬러필터 기판은 합착공정을 거치게된다. 합착된 후, 다수의 단위액정패널을 구비하는 액정패널은 절단공정을 거쳐 단위 액정패널로 분리되고 단위 액정패널 사이에 형성되는 액정공간에 액정을 충진하여 액정패널을 완성한다.
이때 다수의 단위 액정패널을 구비하는 액정패널을 절단하는 공정에서 정전기가 발생하기 쉽고 상기 정전기에 의해 게이트 라인 및 데이터 라인에 단락(shot)이 발생하는 경우가 있다. 정전기에 의해 게이트 라인 및 데이터 라인이 단락되면, 액정패널은 점 결함 또는 선 결함등의 불량이 발생하여 모든 공정 진행이 완료된 액정패널을 사용할 수 없게 되는 경우가 있다.
특히, 절단공정에서 제 1 게이트 라인과 제 1 데이터 라인이 교차하는 영역에서 정전기에 의한 단락이 문제된다.
본 발명은 액정패널을 단위 액정패널로 절단하는 공정에서 발생하는 정전기로부터 화소영역의 액정표시소자들을 보호하고자 하는 것을 목적으로 하고 정전기에 의해 단락이 발생하더라도 리페어할 수 있는 리페어 라인을 구비하는 TFT어레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 TFT어레이 기판은 다수의 게이트 라인; 상기 게이트 라인과 수직 교차하는 다수의 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 연결되는 게이트 단락 배선; 상기 데이터 라인과 연결되는 데이터 단락 배선; 상기 게이트 단락 배선과 상기 데이터 라인 사이에 형성되는 리페어 라인을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 의한 TFT어레이 기판은 복수의 게이트 단락 배선; 상기 게이트 단락 배선과 각각 연결되는 복수의 게이트 라인 그룹; 상기 게 이트 라인과 수직 교차하는 다수의 데이터 라인; 상기 데이터 라인과 연결되는 데이터 단락 배선; 상기 게이트 단락 배선과 상기 데이터 라인 사이에 형성되는 리페어 라인을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 의한 본 발명의 TFT어레이 기판은 복수의 패스로 구성되는 리페어 라인을 구비하는 게이트 라인; 상기 게이트 라인과 수직교차하며 복수의 패스로 구성되는 리페어 라인을 구비하는 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 연결되는 게이트 단락 배선; 상기 데이터 라인과 연결되는 데이터 단락 배선을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하 도 3을 통하여 본 발명의 일실시 예에 의한 정전기 방지 리페어 라인을 포함하는 TFT어레이 기판의 구조를 살펴본다.
본 발명의 정전기 방지 리페어 라인을 포함하는 TFT어레이 기판(300) 상에는 복수의 게이트 라인(111,112)과 상기 복수의 게이트 라인과 수직 교차하는 복수의 데이터 라인(113)이 각각 형성되어 있다. 상기 게이트 라인(111,112) 및 데이터 라인(113)은 서로 교차함으로써 단위화소 영역을 정의하고 상기 단위화소 영역에는 스위칭소자로서 박막트랜지스터(115)가 각각 형성되어 있고, 상기 TFT(115)는 상기 게이트 라인(111,112) 및 데이터 라인(113)과 연결되며 상기 TFT의 일 구성요소인 드레인 전극(미도시)을 통하여 화소전극(117)과 연결된다. 그러므로 상기 TFT 및 화소전극은 상기 TFT어레이 기판의 화면표시부에서 매트릭스 배열을 한다.
상기 게이트 라인(111,112)은 각각 홀수 번째 게이트 라인(111)과 짝수 번째 게이트 라인(112)으로 나뉘어 지며 상기 홀수 번째 게이트 라인(111)은 제 1 게이 트 라인 단락 배선(125)과 연결되며 상기 짝수 번째 게이트 라인(112)은 제 2 게이트 라인 단락 배선(126)과 연결된다. 또한 상기 짝수 번째 게이트 라인은 이븐 라인 단락부(131)에 의해 제 1 게이트 단락 배선과는 분리되어 있다.
상기 제 1 게이트 단락 배선(125) 및 제 2 게이트 단락 배선(126)은 TFT어레이 기판을 형성하는 과정에서 발생할 수 있는 정전기를 제거하는 역할을 수행한다. TFT어레이 공정은 다수의 박막 형성 공정을 포함하여 형성되는데, 상기 공정 중에 각 배선간의 전위차로 인하여 정전기가 발생할 수 있다. 상기 정전기를 방지하기 위하여 게이트 라인 및 데이터 라인을 형성하는 공정 중에 상기 게이트 라인 및 데이터 라인을 등전위로 만들어 정전기 발생을 억제한다. 상기 게이트 라인 및 데이터 라인을 등전위로 만들어 주기 위하여 서로 연결시키는 역할을 수행하는 것이 제 1 및 제 2 게이트 라인 단락 배선이다.
또한 상기 게이트 라인 단락 배선은 TFT 어레이 기판이 완성된 후, TFT어레이 기판의 단선을 검사하는 검사선으로서도 활용된다.
상기 제 1 및 제 2 게이트 단락 배선을 통하여 단락 검사를 하는 과정을 간단히 살펴보면, 게이트 라인 및 데이터 라인이 완성된 후, 홀수 번째 게이트 라인이 연결된 제 1 게이트 단락 배선(125)을 통해 게이트 전압을 인가한다. 게이트 전압이 인가된 후, 상기 데이터 라인을 통하여 데이터 전압이 인가된다. 상기 결과, 단락 또는 단선 불량이 없는 단위화소에는 정상적으로 전압이 인가되어 구동하지만 단선 또는 단락된 단위화소에는 전압이 인가되지 않는다. 상기 단위화소에 전압이 인가되는 여부를 검사하여 단락 여부를 확인한다.
상기 제 1 게이트 단락 배선에 의한 배선 단락 검사가 끝나면 제 2 게이트 단락 배선을 통하여 게이트 전압을 인가하고 데이터 전압을 인가하여 짝수 번째 게이트 라인의 단락 여부를 검사한다.
상기와 같이, 제 1 게이트 단락 배선과 제 2 게이트 단락 배선으로 구분하는 이유는 전체 게이트 라인을 하나의 게이트 단락 배선으로 연결하고 단락 검사를 실시 할 경우, 소정의 게이트 라인이 단락이 발생하였더라도 인접하는 게이트 라인을 통하여 전압이 인가될 수 있고, 이 경우 단락 여부를 판단할 수 없을 수 있기 때문에 홀수 라인과 짝수 라인으로 나누어 전압을 인가한다.
한편, 상기 데이터 라인(113)은 하나의 데이터 단락 배선(127)과 연결되어 있다. 상기 데이터 단락 배선(127) 또한 상기 게이트 단락 배선(125,126)과 동일하게 복수개의 단락 배선으로 구성될 수 있다.
TFT어레이 기판의 단선 검사가 끝나면, 상기 TFT어레이 기판과 별도의 공정을 통하여 형성되는 컬러필터 기판을 합착하고 절단공정을 진행한다.
절단 공정에서 상기 게이트 단락 배선(125,126) 및 데이터 단락 배선(127)은 절단되어 제거된다.
이때 TFT어레이 기판을 절단하는 절단선은 게이트 단락 배선(125,126)과 게이트 패드(121) 사이와 데이터 단락 배선(127)과 데이터 패드(123) 사이가 된다.
절단공정은 초경합금 또는 다이아몬드 재질의 경도가 큰 스크라이브 휠 또는 스크라이브 나이프에 의해 기판 상에 크랙(crack)을 형성하고 브래이킹(breaking) 공정을 통해 패널을 절단하는 공정으로써 기판을 스크라이브하는 과정에서 정전기 가 많이 발생한다. 특히, 상기 정전기는 스크라이브 라인에서 가까운 게이트 라인(111,112) 및 제 1 데이터 라인(113)이 교차하는 제 1 교차 영역(320)에서 게이트 라인과 데이터 라인 사이의 절연층이 파괴되는 절연파괴의 원인이 된다. 상기 절연파괴로 인하여 상기 게이트 라인 및 데이터 라인은 단락(shot)이 발생하고 화소 불량의 원인이 된다.
본 발명은 상기 게이트 라인(111,112) 및 상기 제 1 데이터 라인(113)의 제 1 교차 영역에서 정전기에 의한 절연파괴를 방지하기 위해 게이트 패드(121a,121b)와 제 1교차 영역(320) 사이의 게이트 라인을 복수개의 패스(path)로 분기시키고 상기 분기된 게이트 라인 상에 복수개의 패스로 분기되는 데이터 라인을 교차하여 배치한다.
상기 복수개로 분기되는 게이트 라인 및 데이트 라인은 정전기 발생에 의해 단선 불량이 발생했을 때 리페어를 용이하게 하고 불량 화소를 치유할 수 있게 한다.
도 3에 도시된 본 발명의 일 실시 예에서는 게이트 라인이 두 가닥의 게이트 라인으로 분기되고 상기 분기된 게이트 라인과 오버랩 되는 리페어 라인(330)이 상기 제 1 데이터 라인(113a)으로부터 분기된 모습을 예시하고 있다. 상기 두가닥으로 나뉘어지는 게이트 라인(340a,340b) 및 제 1 데이터 라인(113a)으로부터 분기되는 리페어 라인(330)은 정전기 발생에 의해 손상된 화소를 복구하는 역할을 하므로 리페어 라인이라 칭하기로 한다.
그러므로 본 발명의 게이트 라인은 게이트 패드(121a,121b)와 제 1 데이터 라인(113a) 사이에 제 1 리페어 라인(340a) 및 제 2 리페어 라인(340b)을 가지며, 상기 제 1 리페어 라인(340a) 및 제 2 리페어 라인(340b)은 제 1 데이터 라인(113a)으로 부터 분기하는 제 3 리페어 라인(330)과 교차하도록 구성된다.
상기 구조를 가지는 리페어 라인이 정전기에 의해 손상된 화소를 리페어하는 과정을 살펴본다.
스크라이브(scribe) 휠(wheel)에 의해 TFT어레이 기판이 절단되는 과정에서 발생하는 정전기 또는 기판의 외부 접촉 등에 의해 발생하는 정전기는 게이트 라인을 타고 진행하며 게이트 라인과 제 1 데이터 라인이 교차하는 제 1 교차 영역에서 절연파괴가 주로 일어난다.
그러므로 본 발명은 상기 게이트 패드(121a,121b)와 제 1 데이터 라인(113a)사이에 형성되는 게이트 라인을 제 1 리페어 라인(340a) 및 제 2 리페어 라인(340b)으로 분기시키고 제 1 데이터 라인(113a)으로부터 분기되는 제 3 리페어 라인(330)을 상기 제 1 리페어 라인 및 제 2 리페어라인과 오버랩 되게 한다.
상기 제1,2 리페어 라인(340a,340b)과 제 3 리페어 라인(330)은 게이트 절연층에 의해 절연되어 있는데, 외부로부터 발생한 정전기가 게이트 라인을 통해 들어오면 제 1,2 리페어 라인(340a,340b)과 제 3 리페어 라인(330)이 오버랩 되는 영역에서 절연파괴가 일어난다.
어느 한 곳에서 절연파괴가 일어나면 급격히 정전기 에너지가 감소하므로 다른 곳에서는 정전기에 의해 절연파괴 될 가능성은 작아진다.
그러므로 도 3에 도시된 바와 같이, 제 3 리페어 라인(330)은 제 1,2 리페어 라인(340a,340b)과 각각 오버랩 되어 한곳에서 절연파괴가 일어날 수 있다.
절연파괴에 의해 게이트 라인과 데이터 라인이 단락(shot)되면 도 3에 도시된 바와 같이, 제 3 리페어 라인 컷트영역(310)을 레이저 등에 의해 절단한다. 상기 리페어 라인 컷트영역(310)이 절단되면, 게이트 라인은 단락이 발생하지 않은 여분의 리페어 라인을 통해 신호가 인가되고 게이트 라인과 제 1 데이터 라인의 제 1 교차 영역(320)은 보호될 수 있다.
도 3에서는 본 발명의 일실시 예로서 두개의 리페어 라인으로 분기되는 게이트 라인을 도시하였으나 본 발명의 리페어 라인은 두가닥으로 분기되는 것에 제한 되지 않는다. 복수개의 리페어 라인을 구비하고 제 1 데이터 라인으로 분기하는 리페어 라인을 구비하여 복수개의 오버랩 영역을 형성하면 정전기에 의한 단락되는 영역을 분산시킬 수 있어 리페어에 효율적일 수 있다.
본 발명은 도 3에 도시된 바와 같이, 2개의 게이트 단락 배선을 가지는 경우에 제한되지 않는다. 게이트 단락 배선은 모델에 따라 하나의 단락 배선을 형성하고 모든 게이트 라인이 연결된 구조를 취할 수도 있다. 이 경우에 본 발명의 리페어 라인은 게이트 패드와 제 1 데이터 라인 사이에 형성될 수 있다.
또한 도 4 및 도 5를 통하여 본 발명의 다른 실시 예로써 게이트 라인 및 제 1 데이터 라인이 게이트 라인 및 데이터 라인의 제 1 교차 영역에 리페어 라인을 형성하는 구조에 대해서 살펴본다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 의한 정전기에 의한 단락 리페어 라인을 포함하는 TFT어레이 기판은 상기 실시 예와 거의 동일한 구조를 가진다.
다만 게이트 라인(111,112)과 제 1 데이터 라인(113a)의 교차 영역에 형성되는 리페어 라인의 구조에 있어 차이가 난다.
도 5를 통하여 본 발명의 다른 실시 예에 의한 리페어 라인의 구조를 살펴본다.
도 5는 게이트 라인과 제 1 데이터 라인이 교차하는 교차 영역인 도 4의 B영역을 확대한 것으로, 게이트 라인(111)은 복수개의 리페어 라인(340a,340b)으로 분기되어 있고 제 1 데이터 라인(113)도 복수개의 리페어 라인(330a,330b)으로 분기되어 있다.
상기 리페어 라인들은 게이트 라인과 제 1 데이터 라인이 교차하는 영역에서 오버 랩되어 형성된다.
외부로부터 발생하는 정전기가 게이트 라인(111)을 통해 들어오면, 제 1 리페어 라인(340a)과 제 1 데이터 라인으로부터 분기되는 제 3 데이터 라인(330a)의 교차 영역에서 절연파괴가 일어나거나, 제 2 리페어 라인(340b)과 제 4 리페어 라인(330b)이 교차하는 영역에서 절연파괴가 일어날 수 있다.
만약 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 리페어 라인(340a)과 제 3 리페어 라인(330a)의 교차 영역(S)에서 단락이 발생했을 경우, 제 1 리페어 라인의 E와 F영역을 레이저 등에 의해서 절단하여 단락된 게이트 라인 및 데이터 라인을 제거한다.
상기 실시 예에서는 게이트 라인 및 데이터 라인이 제 1 교차영역에서 각각 복수개의 리페어 라인으로 분기하고 복수개의 교차 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 것으로 게이트 라인을 통해 들어오는 정전기에 의한 절연파괴가 일어났을 경우 뿐 아니라, 데이터 라인을 통해 유입되는 정전기에 의해 절연파괴가 일어날 경우에도 효과적으로 단락불량을 리페어할 수 있다는 장점이 있다.
즉, 데이터 라인을 통해 유입되는 정전기에 의해 도 5의 단락 영역(S)에 단락이 발생하였다면, 도 5의 G, H의 절단 영역을 절단함으로써 단락에 의한 화소 불량을 리페어할 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, TFT어레이 기판의 게이트 라인과 제 1 데이터 라인의 교차 영역에 정전기가 발생하는 경우, 불량화소를 리페어하기 위하여 게이트 라인 및 제 1 데이터 라인을 복수개의 리페어 라인으로 분기시키고 각각 오버렙되게 형성하여 절연파괴가 일어날 경우, 절연파괴가 일어난 리페어 라인을 절단하고 여분의 다른 리페어 라인을 통하여 신호가 인가될 수 있게 구성함으로써 절연파괴로 불량이 발생한 화소를 효과적으로 리페어할 수 있다.
특히, 본 공정은 TFT 어레이 기판 제조공정 및 컬러필터 기판 제조공정이 완성된 후, 그의 마지막 단계에서 불량이 발생할 경우, 다락 불량으로 말미암아 여러 공정을 거쳐 완성된 패널을 무용하게 될 수 있는 것을 효과적으로 수리할 수 있어 불량 패널을 줄이는데 기여할 수 있다.

Claims (18)

  1. 복수의 게이트 라인;
    상기 복수의 게이트 라인과 수직 교차하는 복수의 데이터 라인;
    상기 복수의 게이트 라인과 연결되는 게이트 단락 배선;
    상기 복수의 데이터 라인과 연결되는 데이터 단락 배선;
    상기 게이트 라인과 상기 게이트 단락 배선에 인접한 하나의 데이터 라인 사이에 형성되는 리페어 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 리페어 라인은 상기 복수의 게이트 라인으로부터 각각 분기되어 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 단락 배선과 상기 게이트 라인 사이에 게이트 패드가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리페어 라인은 각각의 게이트 라인마다 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 리페어 라인은 복수의 패스를 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 데이터 라인은 데이터 리페어 라인을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 데이터 리페어 라인은 복수의 패스를 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 리페어 라인은 상기 복수의 게이트 라인 및 상기 복수의 게이트 라인 중, 상기 게이트 단락 배선이 인접한 하나의 데이터 라인이 교차하는 제 1 교차영역 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  9. 제1 및 제2 게이트 단락 배선;
    상기 제1 및 제2 게이트 단락 배선과 각각 연결되는 복수의 게이트 라인 그룹;
    상기 복수의 게이트 라인과 수직 교차하는 복수의 데이터 라인;
    상기 복수의 데이터 라인과 연결되는 데이터 단락 배선;
    상기 제1 및 제2 게이트 단락 배선과 상기 복수의 데이터 라인 사이에 형성되는 리페어 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 리페어 라인은 상기 복수의 게이트 라인으로부터 분기되어 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 리페어 라인은 복수의 패스를 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 복수의 데이터 라인은 복수의 리페어 라인을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 복수의 데이터 라인으로부터 분기하여 형성되는 리페어 라인은 상기 복수의 게이트 라인으로부터 분기하여 형성되는 리페어 라인과 복수의 영역에서 교차하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  14. 복수의 패스로 구성되는 리페어 라인을 구비하는 게이트 라인;
    상기 게이트 라인과 수직교차하며 복수의 패스로 구성되는 리페어 라인을 구비하는 데이터 라인;
    상기 게이트 라인과 연결되는 게이트 단락 배선;
    상기 데이터 라인과 연결되는 데이터 단락 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 리페어 라인은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인이 각각 교차하는 제 1 교차 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 게이트 라인에 형성되는 리페어 라인과 상기 데이터 라인에 형성되는 리페어 라인은 상기 제 1 교차 영역에서 교차하는 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판.
  17. 복수의 리페어 라인 형성부를 구비하는 게이트 라인과 복수의 리페어 라인 형성부와 교차하는 복수의 리페어 라인 형성부를 구비하는 데이터 라인이 단락이 발생하였을 때, 상기 단락이 발생한 리페어 라인을 절단하는 공정을 포함하는 TFT어레이 기판 리페어 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 절단 공정은 레이저로 절단하는 공정인 것을 특징으로 하는 TFT어레이 기판 리페어 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9741285B2 (en) 2013-05-31 2017-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Repairable organic light-emitting display apparatus and method of repairing the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102174003B1 (ko) * 2014-04-28 2020-11-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 리페어 방법
KR102455762B1 (ko) 2017-07-31 2022-10-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN110764289B (zh) * 2019-10-29 2022-03-29 Tcl华星光电技术有限公司 液晶面板修补方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09288282A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Fujitsu Ltd 液晶表示装置とバスライン断線の処理方法
KR980010549A (ko) * 1996-07-11 1998-04-30
US20010028429A1 (en) 2000-04-06 2001-10-11 Chi Mei Optoelectronics Corp. Liquid crystal display element with a defect repairing function
KR20020087738A (ko) * 2001-05-16 2002-11-23 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09288282A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Fujitsu Ltd 液晶表示装置とバスライン断線の処理方法
KR980010549A (ko) * 1996-07-11 1998-04-30
US20010028429A1 (en) 2000-04-06 2001-10-11 Chi Mei Optoelectronics Corp. Liquid crystal display element with a defect repairing function
KR20020087738A (ko) * 2001-05-16 2002-11-23 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9741285B2 (en) 2013-05-31 2017-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Repairable organic light-emitting display apparatus and method of repairing the same

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