KR101034178B1 - Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same - Google Patents

Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same Download PDF

Info

Publication number
KR101034178B1
KR101034178B1 KR1020090009503A KR20090009503A KR101034178B1 KR 101034178 B1 KR101034178 B1 KR 101034178B1 KR 1020090009503 A KR1020090009503 A KR 1020090009503A KR 20090009503 A KR20090009503 A KR 20090009503A KR 101034178 B1 KR101034178 B1 KR 101034178B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
finger
solar cell
electrodes
busbar
Prior art date
Application number
KR1020090009503A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100090316A (en
Inventor
이용기
박선찬
이수진
정현민
Original Assignee
에스에스씨피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스에스씨피 주식회사 filed Critical 에스에스씨피 주식회사
Priority to KR1020090009503A priority Critical patent/KR101034178B1/en
Publication of KR20100090316A publication Critical patent/KR20100090316A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101034178B1 publication Critical patent/KR101034178B1/en

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

본 발명은 특정 구조의 부수전극을 삽입하여 핑거 전극의 길이를 줄이고 일부 영역을 개방시킴으로 저항성분에 의한 손실과 쉐이딩에 의한 손실을 감소시킬 수 있으며, 핑거 전극의 선폭을 미세하게 하여도 저항에 따른 효율 감소를 개선할 수 있으며 개구율을 증가시킬 수 있어 태양 전지 효율을 현저히 향상시킬 수 있는 태양 전지의 전극 구조 및 이를 구비한 태양 전지를 제공한다. The present invention can reduce the loss due to the resistive component and the loss due to the shading by inserting a secondary electrode of a specific structure to reduce the length of the finger electrode and open some regions. Provided are an electrode structure of a solar cell and a solar cell having the same, which can improve efficiency reduction and increase an aperture ratio, thereby remarkably improving solar cell efficiency.

태양 전지, 전극 패턴 Solar cells, electrode pattern

Description

태양 전지의 전면 전극 구조 및 이를 구비한 태양 전지{Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same}Front electrode structure of solar cell and solar cell having same {Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same}

본 발명은 태양 전지의 전면 전극 구조 및 이를 구비한 태양 전지에 관한 것이다.The present invention relates to a front electrode structure of a solar cell and a solar cell having the same.

태양 전지(solar cell)는 전지에 입사되는 태양광(Solar)에너지를 흡수하여 전기 에너지로 변환시켜주는 반도체 소자로서 p-n 접합 형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다.A solar cell is a semiconductor device that absorbs solar energy incident on a cell and converts it into electrical energy. The solar cell has a p-n junction form, and its basic structure is the same as that of a diode.

태양 전지에 빛이 입사되면 입사된 빛이 태양 전지에 흡수되어 태양 전지의 반도체를 구성하고 있는 물질들과의 상호작용이 일어난다. 그 결과, 소수 캐리어(minority carrier)인 전자와 정공이 형성되고, 이들은 기판 상에 일정한 패턴으로 형성, 연결되어 있는 전극 양쪽으로 이동하여 기전력을 얻게 된다.When light is incident on the solar cell, the incident light is absorbed by the solar cell and interacts with materials constituting the semiconductor of the solar cell. As a result, electrons and holes, which are minority carriers, are formed, and they move to both electrodes formed and connected in a predetermined pattern on the substrate to obtain an electromotive force.

현재 가장 많이 상용화 되어 있는 실리콘 태양 전지(crystalline silicon solar cell)는 크게 단결정(single crystal)과 다결정(polycrystalline) 형태로 나 눌 수 있다. 단결정 형태의 재료는 순도가 높고 결정 결함 밀도가 낮아 높은 효율을 가지나 비교적 고가이고, 다결정 형태의 재료는 단결정에 비해 효율은 조금 떨어지나 재료의 순도가 낮아 가격적인 측면에서 상대적으로 저가이므로 업계에서 보편적으로 사용된다.Currently, the most commercially available crystalline silicon solar cells can be largely divided into single crystal and polycrystalline forms. The monocrystalline material is high in purity and low in crystal defect density, which is high in efficiency but relatively expensive. The polycrystalline material is generally inexpensive due to its low purity and low cost in terms of cost. Used.

태양 전지는 태양광에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 장치이기 때문에 효율 향상을 위해서 기본적으로 입사되는 태양광을 최대한 흡수하여 전자-정공 쌍을 많이 생성할 수 있도록 전극 설계 및 셀의 제조가 뒷받침 되어야 한다.Since solar cells are devices that convert solar energy into electrical energy, it is necessary to support electrode design and manufacturing of cells to generate a large number of electron-hole pairs by absorbing sunlight as much as possible. .

태양 전지의 전면에는 도 1과 같이 입사된 태양광에 의해 생성된 전하를 수집하기 위하여 금속성분을 가진 전극이 형성된다. 금속 전극은 일반적으로 핑거(Finger) 전극인 그리드와 상기 그리드에 전기적으로 연결되는 막대 형태의 주전극인 버스바 전극(Bus bar)으로 구성된다. 상기 금속 전극은 태양광을 기판으로 투과시키지 못하고 반사시키므로 태양 전지의 효율을 저하시키는 쉐이딩 손실(Shading loss)이 발생한다. 따라서 이러한 손실을 줄이기 위해선 전극 선폭을 낮춰 접촉 면적을 최소화 시키면 되나, 전극 폭이 너무 작아지면 전극 저항 자체가 커지기 때문에 전기적인 손실이 발생하게 된다. 즉, 태양 전지의 전면에 형성되는 전극의 구조는 입사되는 태양광을 많이 받아들이기 위해 높은 개구율이 필요함과 동시에 저항 손실 및 쉐이딩 손실을 최소화 할 수 있는 최적의 패턴이 요구된다. An electrode having a metal component is formed on the front surface of the solar cell to collect charges generated by incident sunlight as shown in FIG. 1. The metal electrode is generally composed of a grid, which is a finger electrode, and a bus bar, which is a rod-shaped main electrode electrically connected to the grid. Since the metal electrode does not transmit sunlight to the substrate but reflects the sunlight, a shading loss occurs that reduces the efficiency of the solar cell. Therefore, in order to reduce such a loss, the electrode line width is reduced to minimize the contact area, but when the electrode width is too small, the electrical resistance is generated because the electrode resistance itself becomes large. That is, the structure of the electrode formed on the front surface of the solar cell requires a high aperture ratio in order to receive a lot of incident sunlight and at the same time an optimal pattern that can minimize the resistance loss and shading loss.

태양 전지의 광전 변환 효율을 결정짓는 주요 인자는 개방전압(Voc), 단락전류(Isc), 필팩터(FF), 직렬저항(Rs), 병렬저항(Rsh)이다. 여기서 Voc는 일정한 온도와 일조 강도에서 부하가 연결되지 않은 개방 상태에서 셀 양단에 걸리는 전압을 가리키며, Isc는 일정 온도와 일조 강도에서 단락 상태로 셀에서 출력되는 전류를 가리킨다. FF는 태양으로부터 입사된 태양에너지[Watt]를 기준으로 셀이 얼마만큼의 에너지[Watt]를 만들 수 있는지 척도가 되는 인자이다. 필팩터가 100%인 경우는 I-V 커브에서 완전 사각형 형태를 나타내며, Isc와 Voc의 값만 곱해서 이상적인 전력(Pmax)를 얻게 되나, 실제 상기 셀 내부의 직렬저항과 병렬저항에 의해 필팩터가 70 내지 80% 수준으로 떨어지게 되어 충분한 Pmax를 내기 어려워진다. 필팩터를 떨어뜨리는 요소 중 특히 상기 직렬 저항 부분이 중요한데, 보통 직렬 저항은 Isc에 큰 영향을 끼친다. The main factors that determine the photoelectric conversion efficiency of the solar cell are the open voltage (Voc), the short-circuit current (Isc), the fill factor (FF), the series resistance (Rs), the parallel resistance (Rsh). Where Voc refers to the voltage across the cell in an open state with no load connected at constant temperature and sunshine intensity, and Isc refers to the current output from the cell in a short circuit at constant temperature and sunshine intensity. FF is a measure of how much energy [Watt] a cell can produce based on the solar energy [Watt] incident from the sun. When the fill factor is 100%, the IV curve shows a perfect square shape, and multiplies only the values of Isc and Voc to obtain the ideal power (Pmax), but the fill factor is 70 to 80 due to the series resistance and parallel resistance inside the cell. It will fall to the% level, making it difficult to produce sufficient Pmax. Of the factors that lower the fill factor, in particular the series resistance portion is important, and usually the series resistance has a large influence on Isc.

도 2는 종래의 다결정 실리콘 태양 전지의 직렬저항 및 쉐이딩 부분을 도시한 것이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 직렬저항은 기판 저항, 실리콘과 상기 전면 전극의 컨택 저항, 에미터 저항, 전극 금속 자체의 저항의 합으로 구성된다. 여기서 전면 전극 패턴에 따라 태양광에 노출되는 부위인 개구율과 직렬저항은 상호 연관성이 매우 높기 때문에 전면 전극의 패턴을 설계할 때 특히 유의해야 한다. 2 illustrates the series resistance and shading portion of a conventional polycrystalline silicon solar cell. As shown in Fig. 2, the series resistance is composed of the sum of the substrate resistance, the contact resistance of silicon and the front electrode, the emitter resistance, and the resistance of the electrode metal itself. In this case, the aperture ratio and the series resistance, which are the parts exposed to sunlight according to the front electrode pattern, are highly correlated, and therefore, special care must be taken when designing the front electrode pattern.

태양 전지 전면 전극 패턴 설계변화에 의한 효율변화는 다음과 같은 일반적인 전력 손실 공식을 사용하여 저항 손실 및 쉐이딩 손실을 계산할 수 있어 간접적으로 그 추이를 예측할 수 있다.The change in efficiency caused by the design change of solar cell front electrode pattern can be used to calculate the resistive and shading loss using the following general power loss formula, which can indirectly predict the trend.

1. 쉐이딩 손실(Due to the shading)1.Due to the shading

Figure 112009007344315-pat00001
Figure 112009007344315-pat00001

2. 에미터 손실(Effected by the sheet resistance of the emitter layer)2.Emitted by the sheet resistance of the emitter layer

Figure 112009007344315-pat00002
Figure 112009007344315-pat00002

3. 접촉 저항 손실(Between Emitter and the metallization Finger)3. Contact Resistance Loss (Between Emitter and the metallization Finger)

Figure 112009007344315-pat00003
Figure 112009007344315-pat00003

4. 핑거 직렬 저항 손실(Series resistance of a finger)4. Series resistance of a finger

Figure 112009007344315-pat00004
Figure 112009007344315-pat00004

5. 버스바 직렬 저항 손실(Series resistance of a bus-bar)5. Series resistance of a bus-bar

Figure 112009007344315-pat00005
Figure 112009007344315-pat00005

(여기서, a= 핑거 전극간 거리 (Finger-Finger distance)Where a = finger-finger distance

d= 핑거 전극 선폭 (Finger Width)d = finger electrode line width

j mpp =Max. Power point current densityj mpp = Max. Power point current density

U mpp ·j mpp =Max. Power point voltageU mppj mpp = Max. Power point voltage

ρ b =Tabbed bus-bar line resistivityρ b = Tabbed bus-bar line resistivity

ρ c = Specific contact resistanceρ c = Specific contact resistance

ρ f = Finger sheet resistivityρ f = Finger sheet resistivity

ρ sh = Sheet resistance of n-emitter)ρ sh = Sheet resistance of n-emitter

도 3은 종래의 전면 전극의 패턴의 개략도로서, 조밀한 핑거 전극(102)과 이에 접속되어 있는 버스바 전극(101)으로 구성된 패턴을 도시한 도이다. 이 외에도 전면 전극의 패턴에 관련하여 다양한 패턴이 공지되어 있다. 그러나 단순히 핑거 전극의 폭 또는 전면 전극의 면적을 조절하거나, 핑거 전극의 개수를 늘리는 등 단편적인 수단만이 개시되어 있다. 3 is a schematic diagram of a conventional pattern of the front electrode, showing a pattern composed of a dense finger electrode 102 and a bus bar electrode 101 connected thereto. In addition, various patterns are known in relation to the pattern of the front electrode. However, only fragmentary means such as simply adjusting the width of the finger electrode or the area of the front electrode or increasing the number of finger electrodes are disclosed.

공지된 패턴들은 대체로 핑거 전극의 폭과 수광 면적을 조절하여 효율을 향상시키는 방법을 보이고 있으나, 기본적으로 선폭이 100㎛ 이상이어서 개구율을 저해하지 않는 범위 내에서 제한적으로 전극 패턴을 구현하는 문제점이 있다. 또한, 핑거 폭을 줄이기 위하여 공정에 있어서 리쏘그라피법, 레이저 트랜스퍼 등의 방법이 제시되고 있지만 생산 비용이 상승하는 문제점이 있다. The known patterns generally show a method of improving the efficiency by adjusting the width and the light receiving area of the finger electrode, but there is a problem in that the electrode pattern is limited within the range of not limiting the aperture ratio because the line width is 100 μm or more. . In addition, in order to reduce the finger width, a lithography method, a laser transfer method or the like has been proposed in the process, but there is a problem in that the production cost increases.

본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 옵셋 공법 등을 도입하여 미세 선폭을 구현할 수 있는 장점을 유지하고 핑거 전극과 버스바 전극의 중간 전극인 부수전극의 삽입으로 핑거 길이를 감소시켜 저항 손실 및 쉐이딩 손실을 최소화하여 광전 변환 효율을 극대화 할 수 있는 전극 패턴을 설계, 결과적으로 기존 상용 패턴보다 우수한 효율을 구현할 수 있는 전극 패턴을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to solve the problems as described above, to maintain the advantage of implementing the fine line width by introducing an offset method and the like, the finger length by the insertion of the secondary electrode which is the middle electrode of the finger electrode and busbar electrode The purpose is to design an electrode pattern that can maximize the photoelectric conversion efficiency by minimizing the resistive loss and shading loss, and as a result, to provide an electrode pattern that can achieve higher efficiency than conventional commercial patterns.

상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서, As a means for solving the above problems,

본 발명은 반도체 기판, 반도체 기판의 적어도 일면에 형성된 다수의 핑거(finger) 전극 및 상기 다수의 핑거 전극과 동일 방향으로 배열된 다수의 버스바(bus bar) 전극을 구비한 태양 전지의 전극 구조로서, 상기 다수의 버스바 전극 중 적어도 하나 이상과 접속되며, 다수의 핑거 전극과 접속되는 다수의 부수전극을 구비한 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.The present invention provides an electrode structure of a solar cell having a semiconductor substrate, a plurality of finger electrodes formed on at least one surface of the semiconductor substrate, and a plurality of bus bar electrodes arranged in the same direction as the plurality of finger electrodes. The present invention provides an electrode structure of a solar cell having a plurality of secondary electrodes connected to at least one of the plurality of busbar electrodes and connected to a plurality of finger electrodes.

또한, 상기 부수전극 사이에 연결된 핑거 전극의 전부 또는 일부의 일부위를 개방시킨 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.The present invention also provides an electrode structure of a solar cell, wherein a part of all or part of a finger electrode connected between the secondary electrodes is opened.

또한, 상기 핑거 전극간 거리가 1.5 내지 3mm인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.In addition, the finger electrode provides a distance between the electrode structure of the solar cell, characterized in that 1.5 to 3mm.

또한, 상기 핑거 전극의 선폭은 50 ~ 100㎛이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.In addition, the line width of the finger electrode provides an electrode structure of the solar cell, characterized in that less than 50 ~ 100㎛.

또한, 상기 버스바 전극의 선폭은 1.5mm 내지 2mm인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.In addition, the line width of the bus bar electrode provides an electrode structure of the solar cell, characterized in that 1.5mm to 2mm.

또한, 상기 부수전극의 선폭은 상기 핑거 전극 선폭 이상이며, 상기 버스바 전극의 선폭보다는 작은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.In addition, the line width of the secondary electrode is greater than the line width of the finger electrode, and provides an electrode structure of the solar cell, characterized in that less than the line width of the bus bar electrode.

또한, 상기 전극 패턴의 개구율이 90 내지 95% 범위내인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.The present invention also provides an electrode structure of a solar cell, wherein the aperture ratio of the electrode pattern is in a range of 90 to 95%.

본 발명은 또한, 반도체 기판, 반도체 기판의 적어도 일면에 형성된 다수의 핑거(finger) 전극 및 상기 다수의 핑거 전극에 접속된 다수의 버스바(bus bar) 전극을 구비한 태양 전지 기판으로서, 상기 다수의 버스바 전극 중에서 선택된 2개의 버스바 전극 사이 또는 버스바 전극과 기판 측단 사이에 위치하고 복수개의 핑거 전극 및 적어도 하나 이상의 버스바 전극과 접속된 부수전극이 구비된 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.The present invention also provides a solar cell substrate having a semiconductor substrate, a plurality of finger electrodes formed on at least one surface of the semiconductor substrate, and a plurality of bus bar electrodes connected to the plurality of finger electrodes. Provided is an electrode structure of a solar cell provided between a plurality of busbar electrodes selected from among busbar electrodes or between a busbar electrode and a substrate side end, and having a plurality of finger electrodes and an auxiliary electrode connected to at least one busbar electrode.

또한, 저항에 의한 손실을 줄이고 쉐이딩에 의한 손실을 줄이기 위해 버스 전극사이에 연결된 핑거 전극의 전부 또는 일부의 일부위를 개방(open)시킨 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조를 제공한다.In addition, the present invention provides an electrode structure of a solar cell, wherein a part of all or part of finger electrodes connected between bus electrodes is opened to reduce loss due to resistance and loss due to shading.

본 발명은 또한, 기판의 상부에 전면 전극이 구비되고 기판의 하면에 후면 전극이 구비된 태양 전지에 있어서, 상기 전면 전극은 전술한 태양 전지의 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양 전지를 제공한다.The present invention also provides a solar cell, wherein the front electrode is provided on the upper portion of the substrate and the rear electrode is provided on the lower surface of the substrate, wherein the front electrode has the electrode structure of the solar cell described above. .

본 발명에 의해 설계된 태양 전지 상면 전극 패턴은 핑거 전극의 선폭이 50 ~ 100㎛이며, 미세 선폭으로 인한 효과로 상용 제품에 비해 빛의 차폐 성분을 감소시켜 개구율을 증가시킬 수 있다. 또한 부수전극의 삽입으로 인해 핑거 전극의 길이를 줄이고 일부 영역을 개방시킴으로 저항성분에 의한 손실과 쉐이딩에 의한 손실을 감소시킬 수 있어 태양 전지 효율을 더 향상시킬 수 있다.The solar cell top electrode pattern designed by the present invention has a line width of the finger electrode is 50 ~ 100㎛, due to the effect of the fine line width can reduce the light shielding component compared to commercial products to increase the aperture ratio. In addition, the insertion of the secondary electrode reduces the length of the finger electrode and opens some regions, thereby reducing the loss due to the resistive component and the loss due to the shading, thereby further improving solar cell efficiency.

이하에서는 도면 및 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 하기의 설명은 본 발명의 구체적 일례에 대한 것이므로, 비록 단정적, 한정적 표현이 있더라도 특허 청구 범위로부터 정해지는 권리범위를 제한하는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings and embodiments. The following descriptions are for specific examples of the present invention, but are not intended to limit the scope of the rights set forth in the claims, even though they are assertive or limitative.

설명에 앞서, 본 발명에서는 전극 패턴을 설계한 후 전극 패턴의 평가 방법을 도 4의 흐름도를 따라 진행하였으며, 도 3에 표시되어 있는 상용 패턴인 범용 타입과 동일한 조건의 비교를 위하여 평가 방법에 있어 핑거의 폭과 핑거의 간격과 태양 전지 기판사이즈를 동일한 조건으로 설계한 후 효율 시뮬레이션을 진행하였다.Prior to the description, in the present invention, after designing the electrode pattern, the evaluation method of the electrode pattern was performed according to the flowchart of FIG. 4, and in the evaluation method for comparison of the same conditions as the general-purpose type shown in FIG. Finger width, finger spacing, and solar cell substrate size were designed under the same conditions, and then efficiency simulation was conducted.

또한, 동일한 조건에서의 비교를 위하여 시뮬레이션 공식에 적용되는 전기적 데이터를 다음과 같이 범용 제품의 일반적인 수치를 가지고 분석을 진행하였다.In addition, for comparison under the same conditions, the electrical data applied to the simulation formula were analyzed with general values of general-purpose products as follows.

J mpp = max power current density : 32mA/cm2 J mpp = max power current density: 32mA / cm 2

V mpp = max power point voltage : 547mVV mpp = max power point voltage: 547mV

ρ b = Tabbed bus bar line resistivity : 0.94mΩ·cmρ b = Tabbed bus bar line resistivity: 0.94 mΩcm

ρ c = specific contact resistance : 5mΩ·cm2 ρ c = specific contact resistance: 5mΩcm 2

ρ f = finger sheet resistivity : 7.2mΩ/□ρ f = finger sheet resistivity: 7.2mΩ / □

ρ sh = Sheet resistance : 50Ω/□ρ sh = Sheet resistance: 50Ω / □

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 태양 전지의 전극 구조의 개략 평면도를 도시한 도이다. 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 태양 전지의 전극 구조는, 반도체 기판, 반도체 기판의 적어도 일면에 형성된 다수의 핑거(finger) 전극(10) 및 상기 다수의 핑거 전극(10)과 동일 방향으로 배열된 다수의 버스바(bus bar) 전극(20)을 구비한 태양 전지의 전극 구조로서, 상기 다수의 버스바 전극(20) 중 적어도 하나 이상과 접속되며, 다수의 핑거 전극(10)과 접속되는 부수전극(21)을 구비한 것을 특징으로 한다. 5 is a schematic plan view of the electrode structure of the solar cell according to an embodiment of the present invention. As shown, an electrode structure of a solar cell according to an embodiment of the present invention is the same as the semiconductor substrate, the plurality of finger electrodes 10 formed on at least one surface of the semiconductor substrate, and the plurality of finger electrodes 10. An electrode structure of a solar cell having a plurality of bus bar electrodes 20 arranged in a direction, and connected to at least one of the plurality of bus bar electrodes 20, and a plurality of finger electrodes 10. And an auxiliary electrode 21 to be connected thereto.

전극 설계에 있어 핑거 전극간의 간격이 넓으면 p-n 접합부에서 생성된 전하가 핑거로 이동하는데 걸리는 장애물이 많게 되어 시리즈 저항이 높아져서, 결과적으로 단락 전류 수치가 낮아지는 문제점이 생길 수 있다. 특히 다결정 웨이퍼의 경우는 결정입계(grain boundary)가 많이 존재하게 되어 결함에 의한 전하 트랩이 많아지는 문제점이 생길 수 있다. 반면에 핑거가 많은 경우 생성된 전하가 핑거로 가게 되는 거리가 짧아지게 되어 생성된 전하가 결함에 트랩될 확률은 그만큼 작아지게 되나, 태양광이 차폐되는 비율이 증가하게 되어 전하 생성량이 작아지는 문제점이 생길 수 있는데, 본 발명은 시리즈 저항을 낮추면서도 차폐 비율을 낮출 수 있는 획기적인 구성을 하고 있다.In the electrode design, when the distance between the finger electrodes is wide, there are many obstacles for the charge generated at the p-n junction to move to the finger, thereby increasing the series resistance, and as a result, the short circuit current value may be lowered. In particular, in the case of a polycrystalline wafer, there are many grain boundaries, which may cause a problem of increasing charge traps due to defects. On the other hand, if there are many fingers, the distance from which the generated charges go to the finger is shortened, and thus the probability that the generated charges are trapped in the defects is reduced by that amount, but the rate of shielding of the sunlight is increased, resulting in a small amount of charge generation. This may occur, but the present invention has a breakthrough configuration that can lower the shielding ratio while lowering the series resistance.

상기 핑거 전극(10)과 버스바 전극(20)은 동일 방향으로 배열된 것이 기존과 현저하게 차별되는 특징이다. 여기서 동일 방향이란 도 5에 도시된 바와 같이 평행하게 배열된 것뿐만 아니라, 평행하지 않더라도 핑거 전극(10)과 버스바 전극(20)간의 교차각이 45° 이내로 비스듬하게 배열된 것도 포함된다.The finger electrode 10 and the bus bar electrode 20 are distinguished from each other by being arranged in the same direction. Here, the same direction includes not only the parallel arrangements as shown in FIG. 5, but also the crossing angles between the finger electrodes 10 and the busbar electrodes 20 at an angle of 45 ° or less, even if not parallel.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(10)은 부수전극(21)에 의해 버스바 전극(20)과 연결되며 부수전극(21)은 핑거 전극(10)과 수직 방향으로 배열되게 된다. 여기서 수직 방향이란 부수전극(21)과 핑거 전극(10)이 90° 로 교차하는 것뿐만 아니라 45° 이상으로 교차하여 배열된 것도 포함된다.In addition, as shown in FIG. 5, the finger electrode 10 is connected to the busbar electrode 20 by the secondary electrode 21, and the secondary electrode 21 is arranged in a direction perpendicular to the finger electrode 10. . In this case, the vertical direction includes not only the secondary electrodes 21 and the finger electrodes 10 intersecting at 90 degrees but also intersecting at least 45 degrees.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 부수전극(21) 사이에 연결된 핑거 전극(10)의 전부(도 5) 또는 일부(도면 생략됨)의 일부위를 개방(도면의 D 부분)시키는 것이 더욱 바람직하다. 이러한 구성을 취함으로써, 부수전극(21)의 삽입으로 인하여 발생하게 되는 개구율의 감소를 보완하여 쉐이딩 손실을 줄이고, 핑거 전극(10)의 저항 손실을 감소시켜 광전변환효율이 높은 태양 전지의 패턴을 얻을 수 있게 된다. In addition, as shown in FIG. 5, it is more preferable to open (part D of the drawing) a part of all (FIG. 5) or part (not shown) of the finger electrode 10 connected between the auxiliary electrodes 21. desirable. By such a configuration, the shading loss is reduced by compensating for the reduction of the aperture ratio caused by the insertion of the auxiliary electrode 21 and the resistance loss of the finger electrode 10 to reduce the pattern of the solar cell having high photoelectric conversion efficiency. You can get it.

핑거 전극(10)의 개방 부위(D)는 두 개의 부수전극(21) 사이의 중앙이 저항 손실을 최적으로 감소시킬 수 있어 바람직하다. 핑거 전극(10)의 개방시 개방 길이는 핑거 전극의 간격이하의 범위로 하는 것이 좋다. 상기 범위를 넓어질 경우 광전변환시 생성된 캐리어들의 수집 경로가 너무 멀어지게 되어 태양전지의 효율이 저감될 수 있다. 또한, 개방 길이가 너무 좁아질 경우 전극의 인쇄-소성 후 발생하는 퍼짐 현상에 의해 두 핑거 전극끼리 연결될 수 있어 저항손실이 증가할 수 있다. The open portion D of the finger electrode 10 is preferable because the center between the two secondary electrodes 21 can optimally reduce the resistance loss. When opening the finger electrode 10, the opening length is preferably within the range of the finger electrode interval. When the range is widened, the collection path of the carriers generated during photoelectric conversion is too far away, thereby reducing the efficiency of the solar cell. In addition, when the opening length becomes too narrow, two finger electrodes may be connected to each other by a spread phenomenon occurring after printing-firing of the electrode, thereby increasing resistance loss.

또한, 부수전극(21)들은 상호 접속될 수도 있으나 상호 접속되지 않는 것이 더욱 좋다. 부수전극(21)들은 버스바 전극(20)에 연결되는 것으로 저항 손실을 감소시킬 수 있으며 부수전극(21)들을 상호 연결하게 되면 오히려 쉐이딩 손실이 증가하게 된다.In addition, the auxiliary electrodes 21 may be interconnected, but may not be interconnected. The secondary electrodes 21 are connected to the busbar electrodes 20 to reduce the resistance loss, and when the secondary electrodes 21 are interconnected, the shading loss is increased.

핑거 전극간 거리, 각 전극의 선폭은 전극 패턴 설계에 있어 중요한 데, 상기 핑거 전극간 거리는 1.5 내지 3mm인 것이 바람직하다. 핑거 간격이 1.5 미만인 경우는 다결정 기판에 있어서 그레인 바운더리의 결함에 트랩되는 전하량을 줄일 수 있는 최소 전하 이동 거리에 유효하지만, 개구율은 90% 미만으로 줄어들게 되어 생성 전하량 자체가 작아지는 문제점이 생길 수 있다. 반면에, 핑거 간격이 3.0mm를 초과하는 경우는 입사되는 태양광은 많아져서 생성 전하량 자체를 늘리게 되나, 실제 생성된 전하가 핑거로 이동하여 집전되는 이동 거리가 증가하게 되어 이동중인 전하가 다결정 셀 등에 트랩되어 소실되는 문제점이 생길 수 있다.The distance between the finger electrodes and the line width of each electrode is important in the electrode pattern design, the distance between the finger electrodes is preferably 1.5 to 3mm. If the finger spacing is less than 1.5, it is effective for the minimum charge transfer distance to reduce the amount of charge trapped in the grain boundary defect in the polycrystalline substrate, but the aperture ratio is reduced to less than 90%, which may cause a problem that the amount of generated charge itself becomes small. . On the other hand, when the finger spacing exceeds 3.0 mm, the incident sunlight increases, thereby increasing the amount of generated charge itself, but the generated charge is moved to the finger and the moving distance that is collected is increased, so that the moving charge is a polycrystalline cell. Trap may be lost in the back.

상기 핑거 전극의 선폭은 50 ~ 100㎛ 범위내인 것이 바람직하다. 핑거 전극의 선폭이 100㎛를 초과하게 되면 저항에 의한 손실은 줄어들게 되지만 쉐이딩에 의한 손실이 그만큼 증가하게 되어 전체적인 효율을 저감시키게 된다. 반대로 50㎛ 미만의 선폭에서는 쉐이딩에 의한 손실은 감소하게 되지만 저항 성분에 의한 손실이 상대적으로 너무 증가하게 되어 전체적인 효율을 저감시키는 요인으로 작용하게 된다.The line width of the finger electrode is preferably in the range of 50 ~ 100㎛. If the line width of the finger electrode exceeds 100㎛ the loss due to the resistance is reduced, but the loss due to the shading is increased that much to reduce the overall efficiency. On the contrary, the loss due to the shading is reduced at the line width of less than 50 μm, but the loss due to the resistive component is relatively increased so as to reduce the overall efficiency.

상기 버스바 전극의 선폭은 1.5mm 내지 2mm인 것이 좋으며, 상기 부수전극의 선폭은 상기 핑거 전극 선폭 이상이며, 상기 버스바 전극의 선폭보다는 작게 하는 것이 바람직하다. It is preferable that the line width of the busbar electrode is 1.5 mm to 2 mm, and the line width of the secondary electrode is greater than or equal to the finger electrode line width and smaller than the line width of the bus bar electrode.

상기 핑거 전극의 미세선폭 구현은 옵셋 프린팅 공법등을 이용하여 해결할 수 있다. 즉 80에서 100㎛ 정도의 전극 선폭은 스크린 프린팅의 일반적인 기법으로 구현할 수 있지만, 80㎛ 미만의 미세 선폭 구현은 옵셋 프린팅 공법등 다양한 패턴 인쇄 방법을 적용하는 것이 좋다. The implementation of the fine line width of the finger electrode can be solved by using an offset printing method. That is, the electrode line width of about 80 to 100 μm can be realized by a general technique of screen printing. However, the fine line width of less than 80 μm is preferably applied to various pattern printing methods such as offset printing.

실험결과, 상기 전극 패턴의 개구율이 90 내지 95% 범위내를 가져도 저항 손실이 적어 매우 우수한 효율을 얻을 수 있는 것을 확인하였다. 개구율이 90% 미만인 경우는 태양광 자체가 입사되는 비율이 작아 기판에서 생성되는 전하량이 작아지게 되며, 개구율이 95%를 초과하게 되는 경우에는 생성된 전하가 많아지기는 하나, 보호막 또는 결정립계에서 전하가 트랩될 확률이 많아져서 실제로 셀 효율이 떨어지는 문제점이 발생할 수 있어 최적의 범위로 도출되었다.As a result of the experiment, it was confirmed that even if the opening ratio of the electrode pattern was in the range of 90 to 95%, resistance loss was small and very excellent efficiency could be obtained. If the aperture ratio is less than 90%, the rate of incidence of sunlight itself is small, and thus the amount of charge generated in the substrate is small. If the aperture ratio is greater than 95%, the generated charge increases, but the charge in the protective film or grain boundary is increased. As the probability of trapping increases, the cell efficiency may actually decrease, resulting in an optimal range.

도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양 전지의 전극 구조의 개략 평면도를 도시한 도이다. 도시된 바와 같이 반도체 기판, 반도체 기판의 적어도 일면에 형성된 다수의 핑거(finger) 전극(10) 및 상기 다수의 핑거 전극(10)에 접속된 다수의 버스바(bus bar) 전극(20)을 구비한 태양 전지 기판으로서, 상기 다수의 버스바 전극(20) 중에서 선택된 2개의 버스바 전극(20) 사이에 또 는 버스바 전극(20)과 기판 측단 사이에 위치하고 복수개의 핑거 전극(10) 및 적어도 하나 이상의 버스바 전극(20)과 접속된 부수전극(21)이 구비된 태양 전지의 전극 구조인 것을 특징으로 한다.6 and 7 are schematic plan views of the electrode structure of the solar cell according to another embodiment of the present invention. As illustrated, a semiconductor substrate, a plurality of finger electrodes 10 formed on at least one surface of the semiconductor substrate, and a plurality of bus bar electrodes 20 connected to the plurality of finger electrodes 10 are provided. A solar cell substrate comprising a plurality of finger electrodes 10 and at least between two busbar electrodes 20 selected from among the plurality of busbar electrodes 20 or between busbar electrodes 20 and a substrate side end. It is characterized in that the electrode structure of the solar cell provided with a secondary electrode 21 connected to at least one bus bar electrode 20.

상기 버스바 전극(20)과 핑거 전극(10)은, 도 6, 도 7에 도시된 바와 같이, 상호 수직 방향으로 배열되게 된다. 여기서 수직 방향이란 버스바 전극(20)과 핑거 전극(10)이 90° 로 교차하는 것뿐만 아니라 45° 이상으로 교차하여 배열된 것도 포함된다.As shown in FIGS. 6 and 7, the bus bar electrode 20 and the finger electrode 10 are arranged in the vertical direction. In this case, the vertical direction includes not only the busbar electrode 20 and the finger electrode 10 intersecting at 90 ° but also being arranged to intersect at least 45 °.

부수전극(21)은 도 6, 도 7에 도시된 바와 같이, 버스바 전극(20) 사이에 위치할 수도 있으며, 또는 버스바 전극(20)과 기판 측단 사이에 위치할 수 있다. 부수전극(21)은 복수개의 핑거 전극(10) 및 적어도 하나 이상의 버스바 전극(20)과 접속되게 된다. 부수전극(21)은 도 6에서와 같이 상호 연결될 수도 있으며, 도 7에서와 같이 상호 연결되지 않을 수도 있다.As illustrated in FIGS. 6 and 7, the auxiliary electrode 21 may be located between the busbar electrodes 20 or may be located between the busbar electrode 20 and the substrate side end. The secondary electrode 21 is connected to the plurality of finger electrodes 10 and at least one bus bar electrode 20. The secondary electrodes 21 may be interconnected as in FIG. 6, or may not be interconnected as in FIG. 7.

또한, 전술한 실시예에서 도출된 결과를 바탕으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 부수전극(21) 사이에 연결된 핑거 전극(10)의 전부 또는 일부의 일부위(도면의 D 부분)를 개방시킴으로써 더욱 효율이 높은 태양 전지의 패턴을 얻을 수 있다. 핑거 전극(10)의 개방 부위 및 개방 너비는 전술한 바에 따른다. In addition, based on the results derived in the above-described embodiment, as shown in FIG. 7, a part (D part of the drawing) of all or part of the finger electrode 10 connected between the auxiliary electrodes 21 is opened. By doing so, a more efficient solar cell pattern can be obtained. The open area and open width of the finger electrode 10 are as described above.

또한, 핑거 전극간 거리, 각 전극의 선폭, 전극 패턴의 개구율 역시 전술한 실시예에서 도출된 결과에 따르는 것이 바람직하다. 즉, 상기 핑거 전극간 거리는 1.5 내지 3mm인 것이 바람직하며, 상기 핑거 전극의 선폭은 50 ~ 100㎛이하, 상기 버스바 전극(20)의 선폭은 1.5mm 내지 2mm인 것이 좋으며, 상기 부수전극(21)의 선폭은 상기 핑거 전극 선폭 이상이며, 상기 버스바 전극(20)의 선폭보다는 작게 하는 것이 바람직하다. 또한, 전극 패턴의 개구율이 90 내지 95% 범위내를 가져도 우수한 효율을 얻을 수 있게 된다. In addition, it is preferable that the distance between the finger electrodes, the line width of each electrode, and the aperture ratio of the electrode pattern also depend on the result derived from the above-described embodiment. That is, the distance between the finger electrodes is preferably 1.5 to 3mm, the line width of the finger electrode is 50 ~ 100㎛ or less, the line width of the bus bar electrode 20 is preferably 1.5mm to 2mm, the secondary electrode 21 ) Has a line width greater than or equal to the finger electrode line width and smaller than the line width of the bus bar electrode 20. Further, even if the opening ratio of the electrode pattern is in the range of 90 to 95%, excellent efficiency can be obtained.

본 발명은 또한, 기판의 상부에 전면 전극이 구비되고 기판의 하면에 후면 전극이 구비된 태양 전지에 있어서, 상기 전면 전극은 전술한 태양 전지의 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양 전지를 제공한다. 태양 전지의 구성은 본 기술분야에서 잘 알려져 있으므로 설명을 생략하며 본 발명은 공지된 구성을 선택하여 이루어질 수 있으며 제한되지 않는다.The present invention also provides a solar cell, wherein the front electrode is provided on the upper portion of the substrate and the rear electrode is provided on the lower surface of the substrate, wherein the front electrode has the electrode structure of the solar cell described above. . Since the configuration of the solar cell is well known in the art, the description is omitted and the present invention can be made by selecting a known configuration and is not limited.

<실시예> <Examples>

패턴의 설계는 정확한 수치 입력이 가능한 설계 프로그램을 사용하여 패턴을 설계하고 본 기술분야에서 통용되고 있는 효율 측정 시뮬레이션 방법으로 테스트하였다. 실리콘 기판 사이즈는 5인치, 6인치 등 모든 셀에 적용이 가능하며 전극 패턴 또한 상기 기판 사이즈의 변경에 따라 수량 및 길이의 변화가 생길 수 있다. 본 발명에서 예시하는 효율 계산 결과는 5인치 기준의 설계 평가에 관한 것이지만 5인치 기판 사이즈에 본 발명이 국한되는 것은 아니다. The design of the pattern was designed using a design program capable of accurate numerical input and the pattern was designed and tested by efficiency measurement simulation methods commonly used in the art. The silicon substrate size is applicable to all cells such as 5 inches and 6 inches, and the electrode pattern may also change in quantity and length according to the change in the substrate size. The efficiency calculation results exemplified in the present invention relate to design evaluation on a 5 inch basis, but the present invention is not limited to the 5 inch substrate size.

먼저 버스바 전극과 부수전극의 형상을 설계한 후 핑거 전극 패턴을 설계하였다. 그리고 버스바 전극에 의한 쉐이딩 손실을 계산하기 위하여 버스바 전극과 부수전극의 면적을 계산한 후 시뮬레이션 공식에 대입하였다. 다음으로 핑거의 길이 및 수량을 분석한 후 핑거 전극에 기인한 손실을 계산하였다. 그 다음 핑거 전극에 의한 저항성분 및 쉐이딩성분에 의한 손실과 버스 바에 의한 쉐이딩 손실을 합산하여 AM1.5의 태양광 스펙트럼 입사 조건 가정 하에 효율 계산을 하였다.First, the shape of the busbar electrode and the secondary electrode was designed, and then the finger electrode pattern was designed. In addition, in order to calculate the shading loss caused by the busbar electrode, the area of the busbar electrode and the secondary electrode was calculated and substituted into the simulation formula. Next, after analyzing the length and quantity of the fingers, the losses due to the finger electrodes were calculated. Then, the losses due to the resistive and shading components by the finger electrodes and the shading losses by the bus bars were summed up to calculate the efficiency under the assumption of the solar spectral incidence condition of AM1.5.

본 발명에서 설계하여 제시하는 일실시예 패턴은 도 5(예시 1), 도 6(예시 2), 도 7(예시 3)과 같으며, 효율 계산 결과는 도 8과 같다. One embodiment pattern designed and presented in the present invention is shown in Figure 5 (example 1), Figure 6 (example 2), Figure 7 (example 3), the efficiency calculation results are shown in FIG.

도 8에 80㎛ 핑거 전극 선폭과 핑거 전극 간격이 2.77mm인 경우의 효율 계산 결과를 현재 상용 제품(도 3 패턴)과 비교하였다. 도 8의 그래프와 같이 본 발명의 설계예에 의한 패턴의 효율이 작게는 약 0.4% 에서 크게는 약 0.8% 이상 증가함을 알 수 있었다. 태양 전지에 있어서, 효율이 0.4% 이상 차이가 나는 것은 매우 현저한 것임을 밝혀둔다.In FIG. 8, the results of efficiency calculations when the 80 μm finger electrode line width and the finger electrode spacing were 2.77 mm were compared with those of current commercial products (FIG. 3 pattern). As shown in the graph of Figure 8 it can be seen that the efficiency of the pattern according to the design example of the present invention increases from about 0.4% to about 0.8% or more. For solar cells, it is clear that the difference in efficiency is more than 0.4%.

도 1은 종래의 실리콘 태양 전지를 도시한 도,1 illustrates a conventional silicon solar cell;

도 2는 종래의 직렬저항 및 쉐이딩 부분을 도시한 도,Figure 2 shows a conventional series resistor and shading portion,

도 3은 종래의 상용화 되어 있는 K社 태양 전지의 전면 전극패턴의 개략도,3 is a schematic diagram of a front electrode pattern of a conventional K solar cell commercially available,

도 4는 본 발명과 관련된 설계 및 테스트 흐름도,4 is a design and test flow diagram related to the present invention,

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 전극패턴의 예시 1에 관한 도, 5 is a view related to Example 1 of an electrode pattern according to an embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 전극패턴의 예시 2에 관한 도, 6 is a view related to Example 2 of an electrode pattern according to another embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 전극패턴의 예시 3에 관한 도,7 is a view related to Example 3 of an electrode pattern according to another embodiment of the present invention;

도 8은 기존 상용패턴과 본 발명에서 제시하는 전극패턴과의 효율 비교 그래프를 나타낸 도이다.8 is a graph illustrating efficiency comparison between existing commercial patterns and electrode patterns provided in the present invention.

** 도면의 주요 부호에 대한 설명 **** Description of the main symbols in the drawings **

10 : 핑거 전극10: finger electrode

20 : 버스바 전극20: busbar electrode

21 : 부수전극21: secondary electrode

Claims (10)

반도체 기판, 반도체 기판의 적어도 일면에 형성된 다수의 핑거(finger) 전극 및 상기 다수의 핑거 전극과 동일 방향으로 배열된 다수의 버스바(bus bar) 전극을 구비한 태양 전지의 전극 구조로서, An electrode structure of a solar cell having a semiconductor substrate, a plurality of finger electrodes formed on at least one surface of the semiconductor substrate, and a plurality of bus bar electrodes arranged in the same direction as the plurality of finger electrodes, 상기 다수의 버스바 전극 중 적어도 하나 이상과 접속되며, 다수의 핑거 전극과 접속되는 다수의 부수전극을 구비하고,A plurality of auxiliary electrodes connected to at least one of the plurality of busbar electrodes and connected to the plurality of finger electrodes, 상기 부수전극 사이에 연결된 핑거 전극의 전부 또는 일부의 일부위를 개방시킨 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조.The electrode structure of the solar cell, characterized in that the opening of all or part of the finger electrode connected between the secondary electrode. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 핑거 전극간 거리가 1.5 내지 3mm인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조.The electrode structure of claim 1, wherein the distance between the finger electrodes is 1.5 to 3 mm. 제1항에 있어서, 상기 핑거 전극의 선폭은 50 ~ 100㎛이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조.The electrode structure of claim 1, wherein the line width of the finger electrode is 50 to 100 μm or less. 제1항에 있어서, 상기 버스바 전극의 선폭은 1.5mm 내지 2mm인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조.The electrode structure of claim 1, wherein the busbar electrode has a line width of 1.5 mm to 2 mm. 제1항에 있어서, 상기 부수전극의 선폭은 상기 핑거 전극 선폭 이상이며, 상기 버스바 전극의 선폭보다는 작은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조.The electrode structure of claim 1, wherein a line width of the secondary electrode is greater than or equal to the finger electrode line width and smaller than a line width of the bus bar electrode. 제1항에 있어서, 상기 버스바 전극, 핑거 전극 및 부수전극이 형성된 반도체 기판의 개구율이 90 내지 95% 범위내인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조.The electrode structure of a solar cell according to claim 1, wherein the opening ratio of the semiconductor substrate on which the busbar electrode, the finger electrode and the auxiliary electrode is formed is in a range of 90 to 95%. 반도체 기판, 반도체 기판의 적어도 일면에 형성된 다수의 핑거(finger) 전극 및 상기 다수의 핑거 전극에 접속된 다수의 버스바(bus bar) 전극을 구비한 태양 전지 기판으로서, A solar cell substrate having a semiconductor substrate, a plurality of finger electrodes formed on at least one surface of the semiconductor substrate, and a plurality of bus bar electrodes connected to the plurality of finger electrodes. 상기 다수의 버스바 전극 중에서 선택된 2개의 버스바 전극 사이 또는 버스바 전극과 기판 측단 사이에 위치하고 복수개의 핑거 전극 및 적어도 하나 이상의 버스바 전극과 접속된 부수전극이 구비되고,Among the plurality of busbar electrodes is provided between the two busbar electrodes or between the busbar electrode and the substrate side end is provided with a plurality of finger electrodes and the secondary electrode connected to at least one busbar electrode, 저항에 의한 손실을 줄이고 쉐이딩에 의한 손실을 줄이기 위해 버스 전극사이에 연결된 핑거 전극의 전부 또는 일부의 일부위를 개방(open)시킨 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극 구조.An electrode structure of a solar cell, wherein a part of all or part of a finger electrode connected between bus electrodes is opened to reduce loss due to resistance and shading loss. 삭제delete 기판의 상부에 전면 전극이 구비되고 기판의 하면에 후면 전극이 구비된 태양 전지에 있어서, In a solar cell provided with a front electrode on the upper portion of the substrate and a rear electrode on the lower surface of the substrate, 상기 전면 전극은 제1항, 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항의 태양 전지의 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양 전지.The said front electrode has the electrode structure of the solar cell of any one of Claim 1, 3-8.
KR1020090009503A 2009-02-06 2009-02-06 Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same KR101034178B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090009503A KR101034178B1 (en) 2009-02-06 2009-02-06 Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090009503A KR101034178B1 (en) 2009-02-06 2009-02-06 Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100090316A KR20100090316A (en) 2010-08-16
KR101034178B1 true KR101034178B1 (en) 2011-05-12

Family

ID=42755899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090009503A KR101034178B1 (en) 2009-02-06 2009-02-06 Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101034178B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022168A (en) * 2012-12-17 2013-04-03 中利腾晖光伏科技有限公司 Composite grid line battery piece
CN103178133A (en) * 2012-12-12 2013-06-26 英利能源(中国)有限公司 Electrode grid line structure of crystalline silicon solar cell

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101180813B1 (en) 2011-01-18 2012-09-07 엘지전자 주식회사 Solar cell
CN102615954A (en) * 2012-04-16 2012-08-01 中利腾晖光伏科技有限公司 Solar battery positive electrode screen
CN202977436U (en) * 2012-12-17 2013-06-05 中利腾晖光伏科技有限公司 Anti-breaking gate crystalline silicon solar cell
GB2509097A (en) * 2012-12-19 2014-06-25 Rec Cells Pte Ltd Photovoltaic cell element having a specific electrode configuration
CN103943694A (en) * 2013-01-17 2014-07-23 新日光能源科技股份有限公司 Front electrode structure of solar cell
KR101884087B1 (en) 2016-11-11 2018-07-31 고려대학교 산학협력단 Front electrode of solar cell
CN106952972B (en) * 2017-03-03 2019-04-19 广东爱旭科技股份有限公司 P-type PERC double-sided solar battery and its component, system and preparation method
US11664469B2 (en) 2017-12-07 2023-05-30 Hd Hyundai Energy Solutions Co., Ltd. Solar cell having edge collection electrode and solar cell module comprising same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5642382A (en) 1979-09-14 1981-04-20 Toshiba Corp Formation of surface electrode for solar battery
JP2002164550A (en) 2000-11-27 2002-06-07 Kyocera Corp Solar cell
JP2006128290A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Sharp Corp Solar battery cell
JP2008135655A (en) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery module, manufacturing method therefor, and solar battery cell

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5642382A (en) 1979-09-14 1981-04-20 Toshiba Corp Formation of surface electrode for solar battery
JP2002164550A (en) 2000-11-27 2002-06-07 Kyocera Corp Solar cell
JP2006128290A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Sharp Corp Solar battery cell
JP2008135655A (en) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery module, manufacturing method therefor, and solar battery cell

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103178133A (en) * 2012-12-12 2013-06-26 英利能源(中国)有限公司 Electrode grid line structure of crystalline silicon solar cell
CN103022168A (en) * 2012-12-17 2013-04-03 中利腾晖光伏科技有限公司 Composite grid line battery piece

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100090316A (en) 2010-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101034178B1 (en) Front Electrode pattern of a solar cell And Solar Cell Having The Same
Chavali et al. Device physics underlying silicon heterojunction and passivating‐contact solar cells: A topical review
Hegedus et al. Voltage dependent photocurrent collection in CdTe/CdS solar cells
Amin et al. Numerical modelling of ultra thin Cu (In, Ga) Se2 solar cells
Dhass et al. A review on factors influencing the mismatch losses in solar photovoltaic system
KR101046219B1 (en) Solar cell having a selective emitter
CN102184973B (en) Positive electrode structure of solar battery plate
US8120132B2 (en) Holey electrode grids for photovoltaic cells with subwavelength and superwavelength feature sizes
Song et al. Progress in n-type Si solar cell and module technology for high efficiency and low cost
Riesen et al. Temperature dependence of hydrogenated amorphous silicon solar cell performances
Sharbati et al. Proposed suitable electron reflector layer materials for thin-film CuIn1− xGaxSe2 solar cells
Bunea et al. Simulation and characterization of high efficiency back contact cells for low-concentration photovoltaics
Touafek et al. Back surface recombination effect on the ultra-thin CIGS solar cells by SCAPS
Boukortt et al. Development of high-efficiency PERC solar cells using Atlas Silvaco
Hariharasudhan et al. A comparative analysis of polycrystalline and bifacial photovoltaic module under various partial shading condition
KR101772118B1 (en) Measurement equipment of solar cell and measurement method
Chen Recent developments on silicon based solar cell technologies and their industrial applications
Tucci et al. Contact formation on a-Si: H/c-Si heterostructure solar cells
Lin et al. Double-sided symmetrical and crossed emitter crystalline silicon solar cells with heterojunctions for bifacial applications
KR101062486B1 (en) Low degradation silicon thin film photovoltaics using heating element
Edmiston et al. Modelling of thin‐film crystalline silicon parallel multi‐junction solar cells
Cesar et al. Mercury: a novel design for a back junction back contact cell with front floating emitter for high efficiency and simplified processing
Levrat et al. High-performance hetero-junction crystalline silicon photovoltaic technology
KR102043425B1 (en) Measurement equipment of solar cell
Chaudhari et al. From 1 sun to 10 suns c-Si cells by optimizing metal grid, metal resistance, and junction depth

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee