KR101021682B1 - Coating apparatus for parylene and production method of sequentially layered parylene films or parylene film with controlled composition of mixed parylene monomers using said coating apparatus - Google Patents

Coating apparatus for parylene and production method of sequentially layered parylene films or parylene film with controlled composition of mixed parylene monomers using said coating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101021682B1
KR101021682B1 KR1020090052787A KR20090052787A KR101021682B1 KR 101021682 B1 KR101021682 B1 KR 101021682B1 KR 1020090052787 A KR1020090052787 A KR 1020090052787A KR 20090052787 A KR20090052787 A KR 20090052787A KR 101021682 B1 KR101021682 B1 KR 101021682B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
parylene
monomer
unit
mixing
parylene monomer
Prior art date
Application number
KR1020090052787A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100134260A (en
Inventor
변재철
김은경
Original Assignee
(주)펨토사이언스
연세대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)펨토사이언스, 연세대학교 산학협력단 filed Critical (주)펨토사이언스
Priority to KR1020090052787A priority Critical patent/KR101021682B1/en
Publication of KR20100134260A publication Critical patent/KR20100134260A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101021682B1 publication Critical patent/KR101021682B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

본 발명은 파릴렌 코팅장치 및 상기 장치를 이용한 이종(異種) 파릴렌 모노머의 순차증착에 의한 다층 파릴렌박막 또는 이종(異種) 파릴렌 모노머의 혼합증착에 의한 단일층 파릴렌박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적어도 2 이상의 독립된 파릴렌 모노머 기화부와,; 상기 파릴렌 모노머 기화부 각각과 기화된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있는 모노머 기화부 밸브를 통해 연결되어 있는 혼합부와,; 상기 혼합부와 연결되고 파릴렌 모노머를 열분해 할 수 있는 열분해부 및,; 상기 열분해부와 연결되고 상기 열분해된 파릴렌 모노머가 폴리머 형태로 합성되어 소정의 모재 상에 코팅되는 증착챔버부를 포함한 파릴렌 코팅장치 및 상기 장치를 이용한 파릴렌의 순차증착에 의한 다층 파릴렌박막 또는 혼합증착에 의한 파릴렌 단일층 파릴렌박막 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for producing a parylene coating device and a multilayer parylene thin film by sequential deposition of dissimilar parylene monomers or a mixed deposition of dissimilar parylene monomers. More specifically, at least two independent parylene monomer vaporization portion; A mixing part connected to each of the parylene monomer vaporization part and a monomer vaporization part valve capable of controlling a flow rate of the vaporized parylene monomer; A pyrolysis unit connected to the mixing unit and capable of pyrolyzing the parylene monomer; A parylene coating apparatus including a deposition chamber unit connected to the pyrolysis unit and the pyrolyzed parylene monomer synthesized in a polymer form and coated on a predetermined base material, and a multilayer parylene thin film by sequential deposition of parylene using the device; It relates to a method for producing parylene single layer parylene thin film by mixed deposition.

파릴렌, 순차증착, 복합증착, 기능성 파릴렌 Parylene, Sequential Deposition, Compound Deposition, Functional Parylene

Description

파릴렌 코팅장치 및 상기 장치를 이용한 이종 파릴렌의 다층박막 또는 단일층 박막의 제조방법{COATING APPARATUS FOR PARYLENE AND PRODUCTION METHOD OF SEQUENTIALLY LAYERED PARYLENE FILMS OR PARYLENE FILM WITH CONTROLLED COMPOSITION OF MIXED PARYLENE MONOMERS USING SAID COATING APPARATUS} COATING APPARATUS FOR PARYLENE AND PRODUCTION METHOD OF SEQUENTIALLY LAYERED PARYLENE FILMS OR PARYLENE FILM WITH CONTROLLED COMPOSITION OF MIXED PARYLENE MONOMERS USING SAID COATING APPARATUS APPARATUS APPARATUS FOR PARYLENE AND PRODUCTION METHOD OF SEQUENTIALLY LAYERED

본 발명은 파릴렌 코팅장치 및 상기 장치를 이용한 이종(異種) 파릴렌 모노머의 순차증착에 의한 다층 파릴렌박막 또는 이종(異種) 파릴렌 모노머의 혼합증착에 의한 단일층 파릴렌박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적어도 2 이상의 독립된 파릴렌 모노머 기화부와,; 상기 파릴렌 모노머 기화부 각각과 기화된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있는 모노머 기화부 밸브를 통해 연결되어 있는 혼합부와,; 상기 혼합부와 연결되고 파릴렌 모노머를 열분해 할 수 있는 열분해부 및,; 상기 열분해부와 연결되고 상기 열분해된 파릴렌 모노머가 폴리머 형태로 합성되어 소정의 모재 상에 코팅되는 증착챔버부를 포함한 파릴렌 코팅장치 및 상기 장치를 이용한 이종(異種) 파릴렌 모노머의 순차증착에 의한 다층 파릴렌박막 또는 이종(異種) 파릴렌 모노머의 혼합증착에 의한 단일층 파릴렌박막의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a parylene coating device and a multilayer parylene thin film by sequential deposition of dissimilar parylene monomers or a mixed deposition of dissimilar parylene monomers. More specifically, at least two independent parylene monomer vaporization portion; A mixing part connected to each of the parylene monomer vaporization part and a monomer vaporization part valve capable of controlling a flow rate of the vaporized parylene monomer; A pyrolysis unit connected to the mixing unit and capable of pyrolyzing the parylene monomer; A parylene coating apparatus including a deposition chamber unit which is connected to the pyrolysis unit and the pyrolyzed parylene monomer is synthesized in a polymer form and coated on a predetermined base material, and by sequentially depositing heteroparylene monomers using the device. A method for producing a single layer parylene thin film by mixed deposition of a multilayer parylene thin film or a different parylene monomer.

일반적으로 파릴렌은 p-자일렌(p-xylene)이 중합되어 있는 폴리머로 기화, 열분해, 중합공정을 거쳐 각종 기질에 박막형태로 증착이 가능하다. 증착된 파릴렌 박막은 투명하고, 방수, 내화학성, 내식성을 갖추고 있는 것으로 알려져 있다. 파릴렌의 증착은 통상적으로 파우더 형태의 파릴렌 모노머는 섭씨 160도 근방에서 p-xylene의 다이머 형태로 기화하며, 기화된 다이머를 650도 근방에서 열분해하여 중합을 일으키는 고반응성 라디칼형태의 파릴렌 모노머을 형성하게 된다. 이와같이 열분해로 얻어진 모노머는 중합하여 기질표면에 증착막을 형성하게 된다. In general, parylene is a polymer in which p-xylene is polymerized and can be deposited in a thin film form on various substrates through vaporization, pyrolysis, and polymerization processes. The deposited parylene thin film is known to be transparent, waterproof, chemically resistant and corrosion resistant. The deposition of parylene is typically a powdered parylene monomer vaporized in the form of p-xylene dimer at around 160 degrees Celsius, and a highly reactive radical parylene monomer which thermally decomposes the vaporized dimer at around 650 degrees to cause polymerization. To form. In this way, the monomer obtained by thermal decomposition is polymerized to form a deposited film on the substrate surface.

파릴렌을 증착하기 위한 증착기는 파릴렌 모노머의 기화, 열분해, 증착을 순차적으로 진행하기 위한 각각의 챔버를 연결한 형태로 구성되며, 일반적으로 균일한 박막의 형성을 위해 진공상태에서 일정압력의 모노머가 발생되도록 조절하여 중합이 진행되도록 한다. 또한 기화된 p-xylene 모노머 혹은 다이머의 회수를 위해 액체질소트랩이나 냉각장치를 진공펌프 상단에 장치하여 진공펌프를 통해 대기중으로 확산되는 것을 방지한다. The evaporator for depositing parylene is formed by connecting each chamber for sequentially evaporating, pyrolyzing, and depositing parylene monomer. Generally, a monomer having a constant pressure in a vacuum state to form a uniform thin film Is controlled so that polymerization proceeds. In order to recover the vaporized p-xylene monomer or dimer, a liquid nitrogen trap or cooling device is installed on the top of the vacuum pump to prevent diffusion into the atmosphere through the vacuum pump.

상술한 바와같이 파릴렌의 증착은 기체상에서 이루어지는 특성으로 인해 기질모양과 상관없이 균일한 코팅이 가능한 것으로 알려져 있다. 또한, 파릴렌은 박막성장이 느린 특성으로 인해 수십나노미터 이내 두께를 갖는 박막의 제조가 가능한 장점을 가지고 있으며, 그 표면이 균질하고 치밀하여 방수특성 및 전기절연성을 갖는다. 통상, 증착에 사용되는 파릴렌은 일반적으로 p-xylene 다이머를 가리키는 것으로 파릴렌 N으로 지칭된다. 파릴렌 N의 유도체로는 아래 화학식 1에 표시된 바와 같이 파릴렌 박막의 친수성을 강화하기 위해 p-xylene에 아민기를 연결한 파릴렌 A, 파릴렌 AM 등이 있으며, 내열성을 강화하기 위해 불소를 첨가한 파릴렌 F, 파릴렌 SF 등이 알려져 있다. As described above, the deposition of parylene is known to enable uniform coating regardless of the shape of the substrate due to the characteristics of the gas phase. In addition, parylene has the advantage that it is possible to manufacture a thin film having a thickness within several tens of nanometers due to the slow growth of the thin film, the surface is homogeneous and dense, it has waterproof characteristics and electrical insulation. Typically, parylene used for deposition generally refers to p-xylene dimer and is referred to as parylene N. Derivatives of parylene N include parylene A and parylene AM in which amine groups are linked to p-xylene to enhance the hydrophilicity of the parylene thin film, as shown in Formula 1 below, and fluorine is added to enhance heat resistance. Parylene F, parylene SF and the like are known.

화학식 1. 파릴렌 구조식. (a) Dix-C, (b) Dix-F와 Dix-SF, (c) Dix-A와 Dix-AMFormula 1. Parylene structural formula. (a) Dix-C, (b) Dix-F and Dix-SF, (c) Dix-A and Dix-AM

Figure 112009035906590-pat00001
Figure 112009035906590-pat00001

일반적으로 기능성 파릴렌 박막을 제조하기 위해서는 증착모재상에 파릴렌 N을 증착한 후, 기증착된 파릴렌 N상에 추가적인 증착과정을 수행하는 방법이 이용된다. 이 과정의 수행을 위해서는 파릴렌 N을 증착한 후, 기능성 파릴렌을 증착기의 기화기에 재주입한 후 기능성 파릴렌의 기화, 열분해, 증착의 과정을 반복하게 된다. 이러한 과정의 수행을 통해 복합층의 파릴렌의 경우에도 기존 단일 파릴렌 증착박막이 가지는 투명성, 전기절연성 뿐 아니라 기질모양에 상관없이 균일한 두께의 증착막을 얻을 수 있다. In general, in order to manufacture a functional parylene thin film, a method of depositing parylene N on a deposition base material and then performing an additional deposition process on evaporated parylene N is used. In order to perform this process, after parylene N is deposited, functional parylene is re-injected into the vaporizer of the evaporator, and the processes of vaporizing, pyrolyzing, and depositing functional parylene are repeated. By performing such a process, even in the case of the parylene of the composite layer, it is possible to obtain a deposition film having a uniform thickness regardless of the shape of the substrate as well as the transparency and electrical insulation of the existing single parylene deposition thin film.

도 1은 종래 기술에 따른 파릴렌 고분자막 코팅 시스템의 구성도를 도시한 것으로서, 그 구성요소들은 하기와 같다. 1)파릴렌 다이머의 기화부(1): 파릴렌 다이머 분말을 10-2 ~ 10-3 torr 수준의 진공하에서 105℃ 이상(바람직하게는 대략 150℃)의 온도로 가열하여 파릴렌이 용융되지 않으면서 기체 상태로 승화된다. 2) 열분해부(2): 상기 승화된 파릴렌 기체는 분말과 동일하게 다이머의 형태이며 이것이 파릴렌 모노머로 열분해한다. 통상 열분해 반응을 위하여 대략 650℃ 이상으로 가열한다. 모재의 표면에 완전히 열분해되지 않은 다이머가 붙을 경우 코팅된 파릴렌 막의 광특성을 포함한 여타의 특성이 저하되기 때문에 완전한 모노머로의 열분해 하는 것이 매우 중요하다. 3) 증착챔버(3): 통상 진공챔버로 불리우며, 열분해된 파릴렌 모노머가 도입시켜 모재의 표면에서 파릴렌 박막으로 합성되도록 한다. 4) 콜드트랩(4): 상기 증착챔버(3)로부터의 파릴렌 모노머 기체를 냉각시키면서 트래핑(trapping)하며, 그 내부는 -70 ~-100℃를 유지한다. 5) 진공펌프(5): 상기 증착챔버(3)로부터 상기 파릴렌 모노머 기체를 흡입하고, 상기 콜드트랩(4)을 통한 트래핑을 가능하게 한다. 또한, 상기 기화부(1)와, 열분해부(2)와, 증착챔버(3) 및 진공펌프(5)를 조절하는 제어부(6)와, 전원부(7)가 구비된다. 또한, 상기 열분해부(8)와 증착챔버(3) 사이의 연결관(13)에는 밸브(8)가 구비되고, 상기 증착챔버(3)와 콜드트랩(4)사이의 연결관(14)(펌핑 쓰루풋 라인(pumping throughput line))에는 각각 밸브들(9), (10), (11)이 구비된다. 또한, 대한민국 등록특허 제720125호의 등록특허공보에는 일측으로 코팅물질이 유입되는 복수개의 흡입구와 타측으로 복수개의 배출구가 형성되는 챔버와, 상기 복수개의 흡입구로 분기되는 흡입관을 포함하고, 상기 흡입관은 주흡입관과 그로부터 분기된 복수개의 분기흡입관으로 구성되되, 상기 분기흡입관은 주흡입관에 대해 대칭으로 배열되고, 상기 주흡 입관이 분기흡입관으로 분기되는 내측 영역에는 상기 주흡입관에 유입된 코팅물질이 상기 분기흡입관에 균일하게 분배되기 위한 돌출부가 구비된 것을 특징으로 하는 코팅 시스템이 개시되어 있다. 그러나, 아직까지 이종의 파릴렌을 순차적으로 또는 혼합하여 동시에 코팅할 수 있는 방법이나 장치가 제시된 바는 없다.1 is a block diagram of a parylene polymer film coating system according to the prior art, the components are as follows. 1) Vaporization part of parylene dimer (1): Parylene dimer powder is heated to a temperature of 105 ° C. or higher (preferably approximately 150 ° C.) under a vacuum of 10-2 to 10-3 torr to prevent parylene from melting. It sublimes to gaseous state. 2) Pyrolysis unit 2: The sublimed parylene gas is in the form of a dimer, like powder, which is pyrolyzed into parylene monomers. It is usually heated to about 650 ° C. or higher for the pyrolysis reaction. It is very important to thermally decompose to a complete monomer because dimers not completely pyrolyzed on the surface of the base material degrade other properties including the optical properties of the coated parylene film. 3) Deposition chamber (3): commonly referred to as a vacuum chamber, a pyrolyzed parylene monomer is introduced to be synthesized into a parylene thin film on the surface of the base material. 4) Cold Trap 4: Trapping while cooling the parylene monomer gas from the deposition chamber 3, the inside of which is maintained at -70 to -100 ° C. 5) Vacuum pump 5: Inhales the parylene monomer gas from the deposition chamber 3 and enables trapping through the cold trap 4. Further, the vaporization unit 1, the pyrolysis unit 2, the control unit 6 for adjusting the deposition chamber 3 and the vacuum pump 5, and the power supply unit 7 is provided. In addition, a valve 8 is provided in the connection pipe 13 between the pyrolysis unit 8 and the deposition chamber 3, and the connection pipe 14 between the deposition chamber 3 and the cold trap 4 ( Pumping throughput lines are provided with valves 9, 10, and 11, respectively. In addition, the registered patent publication of the Republic of Korea Patent No. 720125 includes a plurality of inlet port for coating material is introduced to one side and the chamber is formed with a plurality of outlet port to the other side, and the suction pipe branched to the plurality of inlet port, the suction tube is the main It consists of a suction pipe and a plurality of branch suction pipes branched therefrom, the branch suction pipes are arranged symmetrically with respect to the main suction pipe, the coating material introduced into the main suction pipe in the inner region where the main suction pipe is branched to the branch suction pipe is the branch suction pipe. Disclosed is a coating system, characterized in that a projection is provided for uniformly dispensing on. However, no method or apparatus has been proposed to coat heterologous parylenes sequentially or in combination.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 본 발명은 p-xylene 다이머로 구성된 기본 파릴렌 모노머 및 그로부터 유도된 다양한 파릴렌 유도체를 순차적으로 또는 동시에 혼합증착할 수 있는 파릴렌 코팅장치 및 상기 장치를 이용한 순차증착에 의한 다층형 파릴렌박막 또는 혼합증착에 의한 단일층 파릴렌박막 제조방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention provides a parylene coating apparatus capable of sequentially and simultaneously mixing and depositing a basic parylene monomer composed of p-xylene dimer and various parylene derivatives derived therefrom. It is to provide a multi-layer parylene thin film by sequential deposition or a single layer parylene thin film by mixed deposition.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 적어도 2 이상의 독립된 파릴렌 모노머 기화부와,; 상기 파릴렌 모노머 기화부 각각과 기화된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있는 모노머 기화부 밸브를 통해 연결되어 있는 혼합부와,; 상기 혼합부와 연결되고 파릴렌 모노머를 열분해 할 수 있는 열분해부 및,; 상기 열분해부와 연결되고 상기 열분해된 파릴렌 모노머가 폴리머 형태로 합성되어 소정의 모재 상에 코팅되는 증착챔버부를 포함한 파릴렌 코팅장치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is at least two independent parylene monomer vaporization unit; A mixing part connected to each of the parylene monomer vaporization part and a monomer vaporization part valve capable of controlling a flow rate of the vaporized parylene monomer; A pyrolysis unit connected to the mixing unit and capable of pyrolyzing the parylene monomer; Provided is a parylene coating apparatus including a deposition chamber portion connected to the pyrolysis portion and the pyrolyzed parylene monomer is synthesized in a polymer form and coated on a predetermined base material.

또한, 본 발명은 상기 열분해된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있도록 상기 열분해부와 증착챔버부 사이에 열분해부 밸브를 더 포함한 것을 특징으로 하 는 파릴렌 코팅장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a parylene coating apparatus further comprises a pyrolysis section valve between the pyrolysis section and the deposition chamber to control the flow rate of the pyrolyzed parylene monomer.

또한, 본 발명은 상기 혼합부가 세정을 위한 플라즈마 발생부를 더 포함한 것을 특징으로 하는 파릴렌 코팅장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a parylene coating apparatus, characterized in that the mixing unit further comprises a plasma generating unit for cleaning.

또한, 본 발명은 상기 증착챔버부가 소정의 모재를 회전시킬 수 있는 회전수단과 가열수단을 포함한 모재 안착부를 포함한 구조인 것을 특징으로 하는 파릴렌 코팅장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a parylene coating apparatus, characterized in that the deposition chamber portion has a structure including a base mounting portion including a rotating means and a heating means capable of rotating a predetermined base material.

또한, 본 발명은 상기 파릴렌 코팅장치를 이용하여 파릴렌을 코팅하는 방법에 있어서, ⅰ)적어도 2 이상의 독립적인 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 파릴렌 모노머 기화부에서 각각의 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 단계,; ⅱ)상기 각각의 파릴렌 모노머 증기를 순차적으로 혼합부로 배출하는 단계,; ⅲ)상기 혼합부에서 순차적으로 배출된 파릴렌 모노머를 열분해부에서 순차적으로 열분해하여 파릴렌 라디칼을 형성하는 단계,; ⅳ)상기 파릴렌 라디칼을 증착챔버부에서 중합하며 순차적으로 기재에 코팅하는 단계를 포함한 파릴렌 박막의 순차박막 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention is a method for coating parylene using the parylene coating apparatus, i) generating each parylene monomer vapor in the parylene monomer vaporization unit for generating at least two independent parylene monomer vapor; Making a step; Ii) sequentially discharging each of the parylene monomer vapors into a mixing unit; Iii) thermally decomposing the parylene monomer sequentially discharged from the mixing unit in the pyrolysis unit to form parylene radicals; And iii) polymerizing the parylene radicals in the deposition chamber and sequentially coating the substrate on the substrate.

또한, 본 발명은 상기 파릴렌 코팅장치를 이용하여 파릴렌을 코팅하는 방법에 있어서, ⅰ)적어도 2 이상의 독립적인 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 파릴렌 모노머 기화부에서 각각의 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 단계,; ⅱ)상기 각각의 파릴렌 모노머 증기를 동시에 배출하여 혼합부에서 혼합하는 단계,; ⅲ)상기 혼합부에서 혼합된 파릴렌 모노머를 열분해부에서 동시에 열분해하여 파릴렌 라디칼을 형성하는 단계,; ⅳ)상기 파릴렌 라디칼을 증착챔버부에서 중합하며 기재에 코 팅하는 단계를 포함한 파릴렌 박막의 혼합층 단일박막 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention is a method for coating parylene using the parylene coating apparatus, i) generating each parylene monomer vapor in the parylene monomer vaporization unit for generating at least two independent parylene monomer vapor; Making a step; Ii) simultaneously discharging each of the parylene monomer vapors and mixing them in a mixing unit; Iii) pyrolyzing the parylene monomers mixed in the mixing section at the same time in the pyrolysis section to form parylene radicals; And iii) polymerizing the parylene radicals in the deposition chamber and coating the substrate with a single layer of a parylene thin film.

본 발명의 파릴렌 코팅장치 및 파릴렌 코팅방법에 따르면 이종(異種) 파릴렌 모노머의 순차적 증착을 통해 파릴렌 다층박막을 용이하게 증착할 수 있고, 이종(異種) 파릴렌 모노머의 혼합증착을 통해 단일막으로 증착하여 얻어진 파릴렌박막의 경우 이종의 파릴렌이 제공하는 표면기능의 정량적인 조절이 가능하다. According to the parylene coating apparatus and the parylene coating method of the present invention, it is possible to easily deposit a parylene multilayer thin film through sequential deposition of dissimilar parylene monomers and through mixed deposition of dissimilar parylene monomers. In the case of a parylene thin film obtained by depositing a single film, it is possible to quantitatively control the surface function provided by heterogeneous parylene.

이하에서 본 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 파릴렌 코팅장치는 적어도 2 이상의 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)와,; 상기 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′) 각각과 독립적으로 기화된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있는 모노머 기화부 밸브(21, 21′)를 통해 연결되어 있는 혼합부(30)와,; 상기 혼합부(30)와 연결되고 파릴렌 모노머를 열분해 할 수 있는 열분해부(40) 및,; 상기 열분해부(40)와 연결되고 상기 열분해된 파릴렌 모노머가 폴리머 형태로 합성되어 증착되는 증착챔버부(50)를 포함한다. The parylene coating apparatus of the present invention comprises at least two or more parylene monomer vaporization units 20 and 20 '; A mixing unit 30 connected to each of the parylene monomer vaporization units 20 and 20 'and connected through monomer vaporization unit valves 21 and 21' to control the flow rate of the parylene monomer vaporized independently; A pyrolysis unit 40 connected to the mixing unit 30 and capable of pyrolyzing the parylene monomer; The deposition chamber unit 50 is connected to the pyrolysis unit 40 and the pyrolyzed parylene monomer is synthesized and deposited in a polymer form.

상기 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)는 증착하고자 하는 파릴렌 유도체의 갯수만큼 존재할 수 있다. 본 발명의 바람직한 태양인 실시예에서는 2가지의 파릴렌 유도체의 순차증착 및 혼합 동시증착을 시도하였기 때문에 2개의 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)만 개시를 하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 적층하고자 하는 파릴렌 코팅의 적층수 또는 혼합파릴렌을 구성하는 조성의 수만큼 또는 그 이상의 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)를 구비할 수 있다. 상기 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)는 가열장치와 온도 및 증기압 센서 등을 구비할 수 있음은 당업자라면 모두 알 수 있는 것이므로, 본 명세서에서 더 이상의 상세한 설명은 하지 않기로 한다.The parylene monomer vaporization units 20 and 20 'may exist as many as the number of parylene derivatives to be deposited. In the preferred embodiment of the present invention, since only two parylene monomer vaporization units 20 and 20 'have been disclosed, since two attempts have been made to sequentially deposit and mix co-deposition of two parylene derivatives, the present invention is not limited thereto. The number of parylene monomer vaporization units 20 and 20 'may be provided as many as the number of laminated parylene coatings or the number of compositions constituting mixed parylene. Since the parylene monomer vaporization unit (20, 20 ') can be provided with a heating device and a temperature and vapor pressure sensor, etc. will be known to those skilled in the art, will not be described herein any further.

본 발명의 파릴렌 코팅장치의 혼합부(30)는 각각의 기화기로부터 파릴렌 기체를 공급받아 혼합한 후 열분해부(40)에 혼합 파릴렌 기체를 공급한다. 상기 혼합부(30)는 이종 파릴렌의 순차적 코팅시에는 파릴렌 모노머 기화부와 열분해부(40) 사이의 통로 역할을 수행하게 된다. 상기 혼합부(30)는 그 구조나 형태 및 크기 등이 특별히 제한되는 것은 아니며, 도 3에 나타난 바와 같이 세정을 위한 플라즈마 발생부 등을 포함한 구조일 수 있다. 상기 혼합부(30)에서 열분해부(40)로 이동하는 파릴렌 기체의 양은 별도의 혼합부 밸브(31)를 통해 제어할 수 있다. 상기 혼합부(30)의 사용후 세정은 플라스마를 이용하여 진행한다. 도 2에 도시된 feedthrough(32)는 플라스마 유발기체 주입구(33)로부터 주입된 아르곤, 질소, 산소 등을 이용하여 플라스마를 일으키는 고주파 혹은 저주파를 제공하는 전극이다. The mixing unit 30 of the parylene coating apparatus of the present invention receives parylene gas from each vaporizer and mixes the mixture, and supplies mixed parylene gas to the pyrolysis unit 40. The mixing unit 30 serves as a passage between the parylene monomer vaporization unit and the pyrolysis unit 40 during the sequential coating of the different parylene. The mixing portion 30 is not particularly limited in structure, shape and size thereof, and may have a structure including a plasma generating portion for cleaning as shown in FIG. 3. The amount of parylene gas moving from the mixing unit 30 to the pyrolysis unit 40 may be controlled through a separate mixing unit valve 31. The post-use cleaning of the mixing section 30 proceeds using plasma. The feedthrough 32 shown in FIG. 2 is an electrode providing high frequency or low frequency to generate plasma using argon, nitrogen, oxygen, etc. injected from the plasma inducing gas inlet 33.

상기 열분해부(40) 및 증착챔버부(50)의 구조 등은 일반적인 파릴렌 코팅방법 또는 코팅장치에 사용되는 것과 유사한 것을 사용할 수 있으며, 운전조건이나 기타 센서, 밸브 등도 종래의 방법 또는 종래의 것을 사용할 수 있다. 본 발명의 파릴렌 코팅장치에 있어서, 상기 증착챔버부(50)는 소정의 모재를 회전시킬 수 있는 회전수단(512)과 가열수단(511)을 포함한 모재 안착부(51)를 포함한 구조일 수 있다.The pyrolysis part 40 and the deposition chamber part 50 may be similar to those used in a general parylene coating method or coating apparatus, and operating conditions, other sensors, valves, and the like may also be used in the related art. Can be used. In the parylene coating apparatus of the present invention, the deposition chamber portion 50 may be a structure including a base material seating portion 51 including a rotating means 512 and a heating means 511 capable of rotating a predetermined base material. have.

본 발명은 상기 파릴렌 코팅장치를 이용하여 파릴렌을 코팅하는 방법에 있어서, ⅰ)적어도 2 이상의 독립적인 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 파릴렌 모노머 기화부에서 각각의 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 단계,; ⅱ)상기 각각의 파릴렌 모노머 증기를 순차적으로 혼합부(30)로 배출하거나 또는 동시에 배출하여 혼합부(30)에서 혼합하는 단계,; ⅲ)상기 혼합부(30)에서 순차적으로 배출되거나 혼합된 파릴렌 모노머를 열분해부(40)에서 순차적으로 또는 동시에 열분해하여 파릴렌 라디칼을 형성하는 단계,; ⅳ)상기 파릴렌 라디칼을 증착챔버부(50)에서 중합하며 순차적으로 또는 동시에 기재에 코팅하는 단계를 포함하는 파릴렌의 순차박막 또는 혼합층 단일박막 제조방법을 제공한다. The present invention provides a method for coating parylene using the parylene coating apparatus, comprising: i) generating each parylene monomer vapor in a parylene monomer vaporization unit generating at least two independent parylene monomer vapors; ,; Ii) discharging each of the parylene monomer vapors into the mixing unit 30 sequentially or simultaneously with each other and mixing them in the mixing unit 30; Iii) thermally decomposing the parylene monomers sequentially discharged or mixed in the mixing section 30 in the pyrolysis section 40 sequentially or simultaneously to form parylene radicals; Iii) it provides a method for producing a sequential thin film or mixed layer single thin film of parylene comprising the step of polymerizing the parylene radicals in the deposition chamber portion 50 and sequentially or simultaneously coating the substrate.

일반적으로 각종 파릴렌 유도체의 증착 속도가 알려져 있기 때문에 목표증착두께에 도달하는 증착시간 경과후, 일차 파릴렌 모노머 기화부(20)는 모노머 기화부 밸브(21)로 폐쇄하고 두 번째 파릴렌 모노머 기화부(20′)를 작동시켜 기화된 두 번째 파릴렌을 모노머 기화부 밸브(21′)조절을 통해 혼합부(30)를 거쳐 열분해부(40)로 공급한다. 또한, 이종의 파릴렌이 제공하는 표면기능의 정량적인 조절을 위해서는 순차적인 파릴렌의 증착이 아닌 이종의 파릴렌을 단일막 형태로 성막하는 것이 요구된다. 즉, 친수성을 제공하는 파릴렌 A 혹은 파릴렌 AM이 나타내는 접촉각 75도를 파릴렌 N이 제공하는 접촉각 85도 사이의 값으로 조절하는 작업은 앞서의 순차적인 파릴렌 증착으로는 불가능하다. 따라서, 각각의 기능성 파릴렌이 제공하는 증착막의 성질을 정량적으로 조절하기 위해서는 열분해된 각각의 파릴렌 모노머를 정량적으로 혼합한 후 기질에 증착하는 과정이 요구된다. 두가지 파릴렌의 혼합비율은 각각의 기화기에서 공급되는 기화 파릴렌의 양을 조절하여 이루어지며, 조절은 각각의 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)와 혼합부(30)를 연결하는 모노머 기화부 밸브(21, 21′)를 제어하여 이루어진다. In general, since the deposition rate of various parylene derivatives is known, after a deposition time that reaches a target deposition thickness, the primary parylene monomer vaporization unit 20 is closed by the monomer vaporization unit valve 21 and the second parylene monomer vaporization is performed. The part 20 'is operated to supply the vaporized second parylene through the mixing part 30 to the pyrolysis part 40 through the control of the monomer vaporization part valve 21'. In addition, in order to quantitatively control the surface function provided by heterogeneous parylene, it is required to deposit heterogeneous parylene in a single film form, rather than sequentially depositing parylene. That is, the operation of adjusting the contact angle of 75 degrees indicated by parylene A or parylene AM providing hydrophilicity to a value between 85 degrees of contact angle provided by parylene N is not possible with the above-described sequential parylene deposition. Therefore, in order to quantitatively control the properties of the deposited film provided by each functional parylene, a process of quantitatively mixing the pyrolyzed respective parylene monomers and then depositing them on the substrate is required. The mixing ratio of the two parylene is made by adjusting the amount of vaporized parylene supplied from each vaporizer, and the adjustment is carried out to monomer vaporization connecting the parylene monomer vaporization units 20 and 20 'and the mixing unit 30. This is achieved by controlling the sub valves 21 and 21 '.

이하에서 본 발명의 바람직한 태양인 실시예를 통해 본 발명은 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples which are preferred embodiments of the present invention.

실시예 1. 순차공정을 통한 파릴렌 N-파릴렌 A 복합층 제조Example 1. Preparation of parylene N-parylene A composite layer through sequential process

두 개의 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)가 모노머 기화부 밸브(21, 21′)를 통해 혼합부(30) 및 열분해부(40)에 연결된 파릴렌 코팅장치(100)를 이용하여 파릴렌 N과 파릴렌 A의 복합층을 순차적으로 기질표면에 증착하였다. 구분을 위해 편의상 2개의 파릴렌 모노머 기화부 중 하나를 제1파릴렌 모노머 기화부(20)라 하고, 다른 하나를 제2 파릴렌 모노머 기화부(20′)라 한다. 일반적으로 기층으로 사용하는 파릴렌 N을 제1 파릴렌 모노머 기화부(20)에서 10 mg 기화시킨후, 열분해하고 폴리스타이렌 마이크로플레이트에 1시간동안 증착하여 1000 nm의 파릴렌 N 박막을 형성시킨 후, 제2파릴렌 모노머 기화부(20′)를 가동하여 1 mg의 파릴렌 A를 기화하고 모노머 기화부 밸브(21′)를 조절하여 파릴렌 A 기체만 열분해부(40)를 통해 증착챔버부(50)로 전달되도록 하였다. 1시간의 순차증착을 통해 약 100 nm 두께의 파릴렌 A 박막을 부가적으로 증착하였다. 파릴렌 N-파릴렌 A 순차증착하였다. 유도체 파릴렌은 기존 파릴렌인 p-xylene 다이머에 화학기능기를 도입하거나 특정원소를 추가하여 기존의 파릴렌과 다른 기능성을 부여한 것이다. 일례로 파릴렌 A나 파릴렌 AM의 경우, 소수성인 파릴렌의 표면을 친수화할 수 있도록 아민기를 기존 파릴렌에 화학적으로 수식한 것이다. 기존 파릴렌 N의 표면각은 85도 이고 파릴렌 A의 표면각은 75도로 친수성이 증가한 것을 확인할 수 있다. Two parylene monomer vaporizers 20 and 20 'are parilled using a parylene coating apparatus 100 connected to the mixing unit 30 and the pyrolysis unit 40 through the monomer vaporization unit valves 21 and 21'. A composite layer of lene N and parylene A was sequentially deposited on the substrate surface. For convenience, one of the two parylene monomer vaporization units is referred to as a first parylene monomer vaporization unit 20, and the other is referred to as a second parylene monomer vaporization unit 20 ′. In general, parylene N, which is used as a base layer, is vaporized in the first parylene monomer vaporization unit 20 by 10 mg, and then pyrolyzed and deposited on a polystyrene microplate for 1 hour to form a 1000 nm parylene N thin film. The second parylene monomer vaporization unit 20 'is operated to vaporize 1 mg of parylene A and the monomer vaporization unit valve 21' is adjusted so that only the parylene A gas is thermally decomposed through the pyrolysis unit 40. 50). An additional 100 nm thick Parylene A thin film was additionally deposited through 1 hour of sequential deposition. Parylene N-parylene A was sequentially deposited. Derivative parylene is to impart different functionality from conventional parylene by introducing chemical functional groups or adding specific elements to p-xylene dimer, which is an existing parylene. For example, in the case of parylene A or parylene AM, an amine group is chemically modified with existing parylene to hydrophilize the surface of hydrophobic parylene. The surface angle of the conventional parylene N is 85 degrees and the surface angle of parylene A is 75 degrees it can be seen that the hydrophilicity increased.

실시예 2. 기질표면 친수성제어를 위한 파릴렌 N-파릴렌 A 복합층 단일막제조 Example 2 Preparation of Parylene N-Parylene A Composite Layer Single Membrane for Substrate Surface Hydrophilicity Control

두 개의 파릴렌 모노머 기화부(20, 20′)가 모노머 기화부 밸브(21, 21′)를 통해 혼합부(30)에 연결된 파릴렌 코팅장치(100)를 이용하여 파릴렌 N과 파릴렌 A의 복합층을 기질표면에 단일막으로 증착하였다. 파릴렌 N을 제1 파릴렌 모노머 기화부(20)에서 10 mg 기화시키고, 제2파릴렌 모노머 기화부(20′)에서 1 mg의 파릴렌 A를 기화시켜 모노머 기화부 밸브(21, 21′)를 조절하여 파릴렌 N과 파릴렌 A의 비율을 2:1, 1:1, 1:2로 혼합부(30)에서 혼합하여 열분해부(40)에 제공한 후, 증착챔버부(50)에서 폴리스타이렌 재질의 마이크로플레이트에 1시간동안 증착하였다. 얻어진 복합층 단일막의 접촉각은 각각 82, 78, 75도로 측정되어 표면친수성의 정량적 제어가 가능함을 보였다. Parylene N and parylene A by using a parylene coating apparatus 100 in which two parylene monomer vaporization parts 20 and 20 'are connected to the mixing part 30 through monomer vaporization part valves 21 and 21'. The composite layer of was deposited as a single film on the substrate surface. 10 mg of parylene N was vaporized in the first parylene monomer vaporization unit 20, and 1 mg of parylene A was vaporized in the second parylene monomer vaporization unit 20 'to obtain monomer vaporization valves 21 and 21'. ), The ratio of parylene N and parylene A is mixed in the mixing unit 30 in a ratio of 2: 1, 1: 1, 1: 2, and provided to the pyrolysis unit 40, followed by the deposition chamber unit 50. Was deposited on a polystyrene microplate for 1 hour. The contact angles of the obtained composite monolayers were measured at 82, 78, and 75 degrees, respectively, indicating that quantitative control of surface hydrophilicity was possible.

앞에서 설명된 본 발명의 일실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.The embodiments of the present invention described above should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The protection scope of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art can change and change the technical idea of the present invention in various forms. Therefore, such improvements and modifications will fall within the protection scope of the present invention, as will be apparent to those skilled in the art.

도 1은 종래 기술에 따른 파릴렌 코팅 시스템의 구성도1 is a block diagram of a parylene coating system according to the prior art

도 2는 본 발명의 파릴렌 코팅장치 중 파릴렌 모노머 기화부와 혼합부의 구조를 도시한 구조도2 is a structural diagram showing the structure of the parylene monomer vaporization portion and the mixing portion of the parylene coating apparatus of the present invention

도 3은 본 발명의 파릴렌 코팅장치 중 증착챔버부의 구조도Figure 3 is a structural diagram of the deposition chamber of the parylene coating apparatus of the present invention

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

20, 20′ 파릴렌 모노머 기화부 21,21′ 모노머 기화부 밸브20, 20 ′ Parylene Monomer Vaporizer 21,21 ′ Monomer Vaporizer Valve

30 혼합부 31 혼합부 밸브30 Mixer 31 Mixer Valve

32 플라즈마 발생부 33 어시스트 개스라인32 Plasma Generator 33 Assist Gas Line

40 열분해부 41 열분해부 밸브40 Pyrolysis Part 41 Pyrolysis Valve

50 증착챔버부 51 모재안착부50 Deposition chamber part 51 Base material seating part

511 가열수단 512 회전수단511 heating means 512 rotating means

Claims (6)

적어도 2 이상의 독립된 파릴렌 모노머 기화부와,;At least two independent parylene monomer vaporization portions; 상기 파릴렌 모노머 기화부 각각과 기화된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있는 모노머 기화부 밸브를 통해 연결되어 있는 혼합부와,;A mixing part connected to each of the parylene monomer vaporization part and a monomer vaporization part valve capable of controlling a flow rate of the vaporized parylene monomer; 상기 혼합부와 연결되고 파릴렌 모노머를 열분해 할 수 있는 열분해부 및,;A pyrolysis unit connected to the mixing unit and capable of pyrolyzing the parylene monomer; 상기 열분해부와 연결되고 상기 열분해된 파릴렌 모노머가 폴리머 형태로 합성되어 소정의 모재 상에 코팅되는 증착챔버부를 포함한 파릴렌 코팅장치.Parylene coating apparatus including a deposition chamber connected to the pyrolysis unit and the pyrolyzed parylene monomer is synthesized in a polymer form and coated on a predetermined base material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열분해된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있도록 상기 열분해부와 증착챔버부 사이에 열분해부 밸브를 더 포함한 것을 특징으로 하는 파릴렌 코팅장치.And a pyrolysis section valve between the pyrolysis section and the deposition chamber to control the flow rate of the pyrolyzed parylene monomer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 혼합부는 세정을 위한 플라즈마 발생부를 더 포함한 것을 특징으로 하는 파릴렌 코팅장치.The mixing unit parylene coating apparatus further comprises a plasma generating unit for cleaning. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착챔버부는 소정의 모재를 회전시킬 수 있는 회전수단과 가열수단을 포함한 모재 안착부를 더 포함한 것을 특징으로 하는 파릴렌 코팅장치.The deposition chamber part parylene coating apparatus further comprises a base material seating portion including a rotating means and a heating means for rotating a predetermined base material. 적어도 2 이상의 독립된 파릴렌 모노머 기화부와,; 상기 파릴렌 모노머 기화부 각각과 기화된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있는 모노머 기화부 밸브를 통해 연결되어 있는 혼합부와,; 상기 혼합부와 연결되고 파릴렌 모노머를 열분해 할 수 있는 열분해부 및,; 상기 열분해부와 연결되고 상기 열분해된 파릴렌 모노머가 폴리머 형태로 합성되어 소정의 모재 상에 코팅되는 증착챔버부를 포함한 파릴렌 코팅장치를 이용하여 파릴렌을 코팅하는 방법에 있어서,At least two independent parylene monomer vaporization portions; A mixing part connected to each of the parylene monomer vaporization part and a monomer vaporization part valve capable of controlling a flow rate of the vaporized parylene monomer; A pyrolysis unit connected to the mixing unit and capable of pyrolyzing the parylene monomer; In the method of coating the parylene using a parylene coating device connected to the pyrolysis unit and the pyrolyzed parylene monomer is synthesized in a polymer form and including a deposition chamber portion coated on a predetermined base material, ⅰ)적어도 2 이상의 독립적인 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 파릴렌 모노머 기화부에서 각각의 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 단계,;Iii) generating each parylene monomer vapor in a parylene monomer vaporization unit that generates at least two independent parylene monomer vapors; ⅱ)상기 각각의 파릴렌 모노머 증기를 순차적으로 혼합부로 배출하는 단계,;Ii) sequentially discharging each of the parylene monomer vapors into a mixing unit; ⅲ)상기 혼합부에서 순차적으로 배출된 파릴렌 모노머를 열분해부에서 순차적으로 열분해하여 파릴렌 라디칼을 형성하는 단계,;Iii) thermally decomposing the parylene monomer sequentially discharged from the mixing unit in the pyrolysis unit to form parylene radicals; ⅳ)상기 파릴렌 라디칼을 증착챔버부에서 중합하며 순차적으로 기재에 코팅하는 단계를 포함한 파릴렌 박막의 순차박막 제조방법.Iii) a method of manufacturing a sequential thin film of a parylene thin film comprising polymerizing the parylene radicals in a deposition chamber and sequentially coating the substrate on a substrate. 적어도 2 이상의 독립된 파릴렌 모노머 기화부와,; 상기 파릴렌 모노머 기화부 각각과 기화된 파릴렌 모노머의 유량을 조절할 수 있는 모노머 기화부 밸브를 통해 연결되어 있는 혼합부와,; 상기 혼합부와 연결되고 파릴렌 모노머를 열분해 할 수 있는 열분해부 및,; 상기 열분해부와 연결되고 상기 열분해된 파릴렌 모노머 가 폴리머 형태로 합성되어 소정의 모재 상에 코팅되는 증착챔버부를 포함한 파릴렌 코팅장치를 이용하여 파릴렌을 코팅하는 방법에 있어서,At least two independent parylene monomer vaporization portions; A mixing part connected to each of the parylene monomer vaporization part and a monomer vaporization part valve capable of controlling a flow rate of the vaporized parylene monomer; A pyrolysis unit connected to the mixing unit and capable of pyrolyzing the parylene monomer; In the method of coating the parylene using a parylene coating apparatus connected to the pyrolysis unit and the pyrolyzed parylene monomer is synthesized in the form of a polymer and including a deposition chamber portion coated on a predetermined base material, ⅰ)적어도 2 이상의 독립적인 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 파릴렌 모노머 기화부에서 각각의 파릴렌 모노머 증기를 발생시키는 단계,;Iii) generating each parylene monomer vapor in a parylene monomer vaporization unit that generates at least two independent parylene monomer vapors; ⅱ)상기 각각의 파릴렌 모노머 증기를 동시에 배출하여 혼합부에서 혼합하는 단계,;Ii) simultaneously discharging each of the parylene monomer vapors and mixing them in a mixing unit; ⅲ)상기 혼합부에서 혼합된 파릴렌 모노머를 열분해부에서 동시에 열분해하여 파릴렌 라디칼을 형성하는 단계 및,;Iii) simultaneously pyrolyzing the parylene monomer mixed in the mixing section in the pyrolysis section to form parylene radicals; ⅳ)상기 파릴렌 라디칼을 증착챔버부에서 중합하며 기재에 코팅하는 단계를 포함한 파릴렌 박막의 혼합층 단일박막 제조방법.Iii) a method of manufacturing a mixed layer single thin film of a parylene thin film comprising the step of polymerizing the parylene radicals in a deposition chamber and coating the substrate.
KR1020090052787A 2009-06-15 2009-06-15 Coating apparatus for parylene and production method of sequentially layered parylene films or parylene film with controlled composition of mixed parylene monomers using said coating apparatus KR101021682B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090052787A KR101021682B1 (en) 2009-06-15 2009-06-15 Coating apparatus for parylene and production method of sequentially layered parylene films or parylene film with controlled composition of mixed parylene monomers using said coating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090052787A KR101021682B1 (en) 2009-06-15 2009-06-15 Coating apparatus for parylene and production method of sequentially layered parylene films or parylene film with controlled composition of mixed parylene monomers using said coating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100134260A KR20100134260A (en) 2010-12-23
KR101021682B1 true KR101021682B1 (en) 2011-03-17

Family

ID=43509213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090052787A KR101021682B1 (en) 2009-06-15 2009-06-15 Coating apparatus for parylene and production method of sequentially layered parylene films or parylene film with controlled composition of mixed parylene monomers using said coating apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101021682B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190098551A (en) 2018-02-14 2019-08-22 정순원 Vertical apparatus for coating with parylene
WO2022025591A1 (en) * 2020-07-30 2022-02-03 연세대학교 산학협력단 Polymer deposition apparatus and polymer deposition method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102467273B1 (en) * 2020-11-27 2022-11-15 충남대학교산학협력단 Water electrolytic membrane coated with a thin film with a hydrophilic polymer material

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5828132A (en) 1997-03-21 1998-10-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having perfluorinated and non-fluorinated parylene intermetal dielectric
KR200332237Y1 (en) 2003-08-07 2003-11-05 (주)누리셀 Parylene polymer film coating system
KR20040061600A (en) * 2002-12-31 2004-07-07 (주)누리셀 Parylene polymer film coating system
KR100468319B1 (en) 2002-03-12 2005-01-27 (주)누리셀 Apparatus for Coating Parylene Polymer Film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5828132A (en) 1997-03-21 1998-10-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having perfluorinated and non-fluorinated parylene intermetal dielectric
KR100468319B1 (en) 2002-03-12 2005-01-27 (주)누리셀 Apparatus for Coating Parylene Polymer Film
KR20040061600A (en) * 2002-12-31 2004-07-07 (주)누리셀 Parylene polymer film coating system
KR200332237Y1 (en) 2003-08-07 2003-11-05 (주)누리셀 Parylene polymer film coating system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190098551A (en) 2018-02-14 2019-08-22 정순원 Vertical apparatus for coating with parylene
WO2022025591A1 (en) * 2020-07-30 2022-02-03 연세대학교 산학협력단 Polymer deposition apparatus and polymer deposition method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100134260A (en) 2010-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7383192B2 (en) Vapor phase deposition of organic films
US6319567B1 (en) Synthesis of tantalum nitride
TWI382467B (en) Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter
KR20000075433A (en) Nano-porous copolymer films having low dielectric constants
US6784118B2 (en) Method for vaporization of liquid organic feedstock and method for growth of insulation film
CN101974734A (en) Method for preparing substrate material with multilayer composite protective film
JPH06108255A (en) Method of producing thin film based on silicon oxide having vapor barrier property and article produced by said method
US7101591B2 (en) Production method for copolymer film, copolymer film produced by the forming method and semiconductor device using copolymer film
JP5036516B2 (en) Vapor deposition method and vapor deposition apparatus for organic and inorganic composite thin film comprising organic substance and / or inorganic substance in multiple components
KR101021682B1 (en) Coating apparatus for parylene and production method of sequentially layered parylene films or parylene film with controlled composition of mixed parylene monomers using said coating apparatus
US9691770B2 (en) Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films
WO2008012921A1 (en) Apparatus for chemical vapor deposition and method of chemical vapor deposition
RU2763358C1 (en) Method for gas-phase deposition of tantalum carbide on the surface of products
US7524908B2 (en) Copolymerized high polymer film and method of manufacturing the same
US20110008525A1 (en) Condensation and curing of materials within a coating system
CN101386973A (en) Method of forming a carbon polymer film using plasma cvd
JP6922959B2 (en) Oxide film forming device
KR102433553B1 (en) Polymer deposition apparatus and polymer deposition method
JP4513956B2 (en) Organic polymer film and method for producing the same
KR100824328B1 (en) Ceramic coating method with micro-droplets and partial positive pressure, and coating apparatus therof
KR100358047B1 (en) Method of forming a copper wiring in a semiconductor device
KR100521698B1 (en) Apparatus and method for forming polymer thin film with cyclic deposition
JP3584097B2 (en) Calcium source material for CVD and film forming method using the same
KR20090038920A (en) Apparatus for chemical vapor deposition and method of chemical vapor deposition
KR20240068605A (en) Vapor phase deposition of organic films

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140423

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160202

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170223

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180313

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200304

Year of fee payment: 10