KR101019716B1 - All band-low noise amplifier - Google Patents

All band-low noise amplifier

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KR101019716B1
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윤지숙
박성민
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Abstract

최근 들어, 인터넷의 보급과 멀티미디어 자료의 급격한 증가에 따라 초고속 통신망에 대한 수요가 늘어가고 있다. 그 중에서도 특히 LNA(Low Noise Amplifier : 저잡음 증폭기)는 1980년대 후반부터 도입되어 초기에 1∼4Mbps 정도였던 전송량이 현재는 100Mbps로 증가하였고, 휴대용 컴퓨터 및 PDA의 보급이 확산됨에 따라 장소에 상관없이 네트워크 망에 접속하고자 하는 요구가 늘어나면서 무선통신기술에 대한 관심이 급증하고 있다. 즉, 새로운 주파수 자원 확보를 넘어 기존 무선통신 서비스와 함께 이동통신 단말기에서 모든 주파수 대역을 지원하기 위한 RF 수신기(Radio Frequency Receiver)의 이용 범위가 확산되고 있다. 이에 따라 본 발명에서는, WLAN(Wireless Local Area Network)이 사용되는 5.8GHz 주파수 대역과 이동통신 서비스 방식인 CDMA, GSM(Global System for Mobile communication), 무선인터넷 서비스 방식인 WiBro, Bluetooth가 사용되는 800MHz-2.6GHz 주파수 대역을 스위치 제어할 수 있는 캐스코드(cascode) 구조의 통합 대역 저잡음 증폭기(All Band-Low Noise Amplifier)를 제안하고자 한다.Recently, with the spread of the Internet and the rapid increase of multimedia materials, the demand for high speed communication networks is increasing. Among them, LNA (Low Noise Amplifier) has been introduced since the late 1980s, and the transmission rate of 1 to 4 Mbps was increased to 100 Mbps now, and as the spread of portable computers and PDAs spread the network regardless of the place. As the demand for access to the network increases, interest in wireless communication technology is increasing rapidly. That is, beyond the acquisition of new frequency resources, the use range of the RF receiver (Radio Frequency Receiver) for supporting all frequency bands in the mobile communication terminal with the existing wireless communication service is spreading. Accordingly, in the present invention, 5.8GHz frequency band using a wireless local area network (WLAN), CDMA, Global System for Mobile communication (GSM), WiBro (Wireless Internet service), and 800MHz- are used. An integrated band low noise amplifier having a cascode structure capable of switching the 2.6 GHz frequency band is proposed.

저잡음 증폭기, 광대역, 협대역 Low Noise Amplifiers, Wideband, Narrowband

Description

통합 대역 저잡음 증폭기{ALL BAND-LOW NOISE AMPLIFIER}Integrated band low noise amplifier {ALL BAND-LOW NOISE AMPLIFIER}

본 발명은 저잡음 증폭기(low-noise amplifier)에 관한 것으로, 특히 광대역 또는 다중 대역의 신호 처리를 수행하는데 적합한 통합 대역 저잡음 증폭기에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to low-noise amplifiers, and more particularly to integrated band low noise amplifiers suitable for performing wideband or multiband signal processing.

일반적인 수신기는, 도 1에 예시한 바와 같이, 다중 대역 안테나(12), 필터부(14), 저잡음 증폭기(low-noise amplifier : 이하, LNA라 함)(16), , 믹서(18), 국부 발진부(20), 신호 처리부(22)를 포함한다.A typical receiver includes a multiband antenna 12, a filter unit 14, a low-noise amplifier 16 (hereinafter referred to as LNA) 16, a mixer 18, and a local unit, as illustrated in FIG. An oscillator 20 and a signal processor 22 are included.

여기서, LNA(16)는 다중 대역 LNA로서, 대체로 두 개의 단일 대역 LNA(single-band LNA)인 고역(high band) LNA(16H)와 저역(low band) LNA(16L)의 조합으로 구성된다.Here, the LNA 16 is a multi-band LNA, and is composed of a combination of a high band LNA 16H and a low band LNA 16L, which are generally two single-band LNAs.

고역 LNA(16H)와 저역 LNA(16L) 각각은 고역 입력신호(HSI)와 저역 입력신호(LSI)를 수신하고 처리한다.Each of the high pass LNA 16H and the low pass LNA 16L receives and processes a high pass input signal HSI and a low pass input signal LSI.

또한, 다중 대역 LNA의 기술을 달성하기 위해서는 고역 LNA의 출력포트가 저역 LNA의 출력포트에 커플링된다.In addition, to achieve the technology of multi-band LNAs, the output port of the high pass LNA is coupled to the output port of the low pass LNA.

도 2는 도 1의 다중 대역 LNA(16)의 상세 구성 회로도로서, 고역 LNA(16H)와 저역 LNA(16L)를 포함한다.FIG. 2 is a detailed block diagram of the multi-band LNA 16 of FIG. 1, which includes a high pass LNA 16H and a low pass LNA 16L.

각각의 LNA(16H)(16L)에서 미리 설정된 바이어스는 수신되는 입력신호에 따라 다양하게 이득을 조정할 수 있다. 임의의 시간 주기에서, 다중 대역 LNA(16)는 오직 하나의 대역모드(band mode)에서만 작동된다.Preset biases in each LNA 16H and 16L may vary in gain depending on the input signal received. In any time period, multiband LNA 16 operates in only one band mode.

먼저, 고역 LNA(16H)는 고역 수신 포트인 InH, 3개의 트렌지스터(QH1-QH3), 전압 조절이 가능한 3개의 바이어스(BH1-BH3), 내부저항(RBH), 고역 출력포트(OUTH)로 구성된다.First, the high pass LNA (16H) consists of a high pass receive port, InH, three transistors (QH1-QH3), three voltage-adjustable biases (BH1-BH3), internal resistance (RBH), and high pass output port (OUTH). do.

여기서, 고역 수신 포트(InH)는 고역 입력신호(HSI)를 수신한다.Here, the high frequency reception port InH receives the high frequency input signal HSI.

3개의 트랜지스터(QH1-QH3)는 3개의 바이어스(BH1-BH3)의 상대적인 값에 따라 변하는 이득 모드의 비율에 의해 수신한 고역 입력신호(HSI)를 증폭시킨다.The three transistors QH1-QH3 amplify the received high frequency input signal HSI by a ratio of gain modes that vary depending on the relative values of the three biases BH1-BH3.

다중 대역 출력포트(OS)는 증폭된 고역 입력신호(HSI)를 출력하기 위해 사용된다. 저역 입력 신호(LSI)의 처리를 요구할 때는 고역 LNA(16H)는 동작하지 않고 오직 저역 LNA(16L)만 동작한다.The multi band output port OS is used to output the amplified high frequency input signal HSI. When the processing of the low pass input signal (LSI) is required, the high pass LNA 16H does not operate, and only the low pass LNA 16L operates.

저역 LNA(16L)는 저역 수신 포트인 InL, 3개의 트랜지스터(QL1-QL3), 전압 조절이 가능한 3개의 바이어스(BL1-BL3), 내부저항(RBL), 저역 출력포트(OUTL)로 구성되며, 상술한 고역 LNA(16H)와 유사하게 동작한다.The low pass LNA (16L) consists of a low pass receive port, InL, three transistors (QL1-QL3), three voltage-adjustable biases (BL1-BL3), an internal resistor (RBL), and a low pass output port (OUTL). It operates similarly to the high frequency LNA 16H described above.

여기서, 저역 수신 포트(InL)는 저역 입력신호(LSI)를 수신한다.Here, the low pass receiving port InL receives the low pass input signal LSI.

3개의 트랜지스터(QL1-QL3)는 3개의 바이어스(BL1-BL3)의 상대적인 값에 따라 변하는 이득 모드의 비율에 의해 수신된 저역 입력신호(LSI)를 증폭시킨다.The three transistors QL1-QL3 amplify the received low pass signal LSI by a ratio of gain modes that vary according to the relative values of the three biases BL1-BL3.

다중 대역 출력포트(OS)는 증폭된 저역 입력신호(LSI)를 출력하기 위해 사용한다. 따라서 다중 대역 출력포트(OS)는 고역 LNA(16H)와 저역 LNA(16L)에 의해 공유된다.The multi band output port OS is used to output the amplified low pass input signal LSI. Thus, the multi-band output port OS is shared by the high pass LNA 16H and the low pass LNA 16L.

우선 고역 LNA(16H)의 출력포트(OUTH)는 저역 LNA(16L)의 출력포트(OUTL)에 커플링 된다. 커플링된 노드들(OUTH, OUTL)은 다중 대역 LNA의 출력포트(OS)와 동일하다.First, the output port OUTH of the high pass LNA 16H is coupled to the output port OUTL of the low pass LNA 16L. The coupled nodes OUTH and OUTL are identical to the output ports OS of the multi-band LNA.

또한, 종래 기술에서 다중 대역 LNA가 구현될 때 대역모드의 수는 2개(high/low) 이상이고, 여러 대역모드들을 처리하기 위한 LNA의 수는 대역 모드의 수가 증가함에 따라 증가한다. 즉, LNA의 개수와 상관없이, 단일 LNA의 출력포트들은 다중 대역 LNA 내부로 집적하기 위해 서로 커플링된다.In addition, in the prior art, when the multi-band LNA is implemented, the number of band modes is more than two (high / low), and the number of LNAs for processing the various band modes increases as the number of band modes increases. That is, regardless of the number of LNAs, the output ports of a single LNA are coupled to each other to integrate into a multi-band LNA.

그러나, 각각의 LNA 출력포트는 LNA의 하이 임피던스 노드(high impedance node)이며, LNA 출력포트들이 서로 커플링된 임피던스의 값은 매우 높다.However, each LNA output port is a high impedance node of the LNA, and the value of the impedance with which the LNA output ports are coupled to each other is very high.

도 1과 도 2에서 알 수 있듯이, 고역 LNA(16H)의 출력포트(OUTH)의 임피던스 값은 주로 내부 임피던스(ZLH)에 의해 결정되고, 유사하게 저역 LNA(16L)의 출력포트(OUTL)의 임피던스 값은 주로 내부 임피던스(ZLL)에 의해 결정된다.1 and 2, the impedance value of the output port OUTH of the high pass LNA 16H is mainly determined by the internal impedance ZLH, and similarly the output port OUTL of the low pass LNA 16L. The impedance value is mainly determined by the internal impedance (ZLL).

내부 임피던스(ZLH)(ZLL)는 모두 하이 임피던스 값을 갖기 때문에 다중 대역 LNA의 출력포트(OS) 또한 하이 임피던스를 가진다.Since the internal impedance (ZLH) (ZLL) all have a high impedance value, the output port (OS) of the multi-band LNA also has a high impedance.

다중 대역 출력포트(OS)는 다수의 LNA 출력포트들이 결합된 노드이기 때문에, 기생 캐패시터(Cp)가 생성된다. 따라서, 출력포트(OS)의 하이 임피던스는 출력 신호의 감퇴를 유도하고 다중 대역 LNA의 주파수 응답 성능(performance)을 악화시킨다.Since the multi-band output port OS is a node in which a plurality of LNA output ports are combined, a parasitic capacitor C p is generated. Thus, the high impedance of the output port OS induces attenuation of the output signal and worsens the frequency response performance of the multiband LNA.

종래의 LNA는 대역통과필터에서 제공되는 특정 주파수에 해당하는 신호의 잡음을 최소화하여 전력을 증폭시키는 역할을 한다. 일반적으로, 안테나를 통해 수신된 신호는 감쇄 및 잡음의 영향으로 인해 매우 낮은 전력레벨을 갖게 되기 때문에, 특정 주파수 각각에 대해 수신된 신호의 증폭이 필요하다.Conventional LNA amplifies the power by minimizing the noise of the signal corresponding to a specific frequency provided by the bandpass filter. In general, since the signal received through the antenna will have a very low power level due to the effects of attenuation and noise, amplification of the received signal is required for each particular frequency.

따라서, RF 수신기는 특정 주파수 신호에 해당하는 LNA를 여러 개 이용하여 개별적으로 각 신호에 포함된 잡음이 증폭되는 것을 최소화시키면서 신호를 증폭시킨다.Therefore, the RF receiver amplifies the signal while minimizing amplification of noise included in each signal by using several LNAs corresponding to a specific frequency signal.

통상적으로 광대역 또는 다중 대역 시스템을 구성하는 경우에, 각 신호 대역의 구성 블록들은 병렬로 구성되고, 구성되는 각 블록들을 다중 밴드에 대해서 최대한 공유할 수 있도록 구성하는 것이 일반적이다.In general, when configuring a wideband or multi-band system, the building blocks of each signal band are configured in parallel, and it is common to configure each of the blocks to be configured to share as much as possible for the multi-band.

이러한 시스템은 처리해야 하는 신호 대역이 광대역화 되고 다중 주파수화 될수록, 시스템을 구성하는 블록이 병렬적으로 증가하게 되어 시스템의 집적도가 나빠지며, 복잡도 및 전류 소모 등이 증가되는 문제점이 발생된다.In such a system, as the bandwidth of a signal to be processed is widened and multi-frequencyed, the blocks constituting the system increase in parallel, resulting in poor system integration and increased complexity and current consumption.

즉, 종래에 제공되는 멀티 밴드형 이동통신 단말기는, 지원하고자 하는 주파수 대역별로 서로 다른 송수신 선로를 사용하고 있어 새로운 주파수 대역을 사용하 는 통신 표준이 나타나 새로운 주파수 대역을 추가로 지원해야 할 경우, RF 수신기를 새롭게 구성해야 하는 불편함이 있고, RF 수신기의 구성이 매우 복잡해지는 문제가 발생한다. 이러한 RF 수신기를 새로이 구성하는 것은 시간과 비용의 낭비를 가져오며, 호환성의 문제를 초래할 수 있다.In other words, the conventionally provided multi-band type mobile communication terminal uses different transmission and reception lines for each frequency band to be supported, and when a communication standard using a new frequency band appears to support the new frequency band additionally, There is an inconvenience in that the RF receiver must be newly configured, and the configuration of the RF receiver becomes very complicated. Reconfiguring such an RF receiver is a waste of time and money, and can lead to compatibility problems.

일반적인 종래의 저잡음 증폭기(low noise amplifier : 이하 LNA라 함)에서는, 해당 통신 대역별로 각각의 LNA를 별도로 구비하고 있는 관계로, 통신 단말기 제품의 소형화에 장애요소로 작용하며, 가격을 상승시키는 등과 같은 여러 가지 문제점이 있었다.In general, conventional low noise amplifiers (hereinafter referred to as LNAs), since each LNA is provided separately for each communication band, it acts as an obstacle to miniaturization of communication terminal products and increases the price. There were various problems.

이에 본 발명에서는, RF 대역에 해당하는 800MHz-2.6GHz인 광대역(wide-band)과, WLAN(Wireless Local Area Network)에 해당하는 5.8GHz 협대역(narrow-band) 각각의 매칭회로를 스위치를 이용하여 선택할 수 있도록 함으로서, 무선통신 단말기의 공간 차지를 줄임과 동시에, 저가격화, 저소비 전력화를 달성할 수 있는 통합 대역 LNA(All Band-Low Noise Amplifier)를 제안하고자 한다.Accordingly, in the present invention, a switch is used for each of the matching circuits of a wide-band of 800 MHz to 2.6 GHz corresponding to an RF band and a 5.8 GHz narrow-band corresponding to a wireless local area network (WLAN). The present invention proposes an integrated band LNA (All Band-Low Noise Amplifier) capable of reducing the space occupancy of the wireless communication terminal and attaining low cost and low power consumption.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 실시예에 따르면, 입력단에 연결된 제 1 가변 인덕터와, 상기 제 1 가변 인덕터와 그 게이트가 연결된 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 병렬로 연결된 가변 캐패시터와, 상기 제 1 트랜지스터의 소스와 연결된 제 2 가변 인덕터와, 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 그 소스가 병렬로 연결된 제 2 트랜지스터와, 상기 제 2 트랜지스터의 게이 트에 연결되며, 광대역 출력 모드시에 온(on) 되는 제 1 스위치와, 상기 제 2 트랜지스터의 드레인과 연결되는 제 1 캐패시터와, 상기 제 1 캐패시터와 그 게이트가 연결되고 그 드레인이 광대역 출력단과 연결되는 제 3 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 그 소스가 병렬로 연결된 제 4 트랜지스터와, 상기 제 4 트랜지스터의 게이트에 연결되며, 협대역 출력 모드시에 온 되는 제 2 스위치와, 상기 제 4 트랜지스터의 드레인과 협대역 출력단 사이에 연결되는 제 2 캐패시터를 포함하는 통합 대역 저잡음 증폭기를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, a first variable inductor connected to an input terminal, a first transistor connected to the first variable inductor and its gate, and connected in parallel between a gate and a source of the first transistor A wideband output mode connected to a variable capacitor, a second variable inductor connected to a source of the first transistor, a second transistor connected in parallel with a drain of the first transistor, and a gate of the second transistor; A first switch turned on at a time, a first capacitor connected to a drain of the second transistor, a third transistor connected to the first capacitor and a gate thereof, and a drain thereof connected to a broadband output terminal; A drain of the first transistor and a source of the fourth transistor connected in parallel, and a gate of the fourth transistor, And a second switch turned on in the narrow band output mode, and a second capacitor connected between the drain of the fourth transistor and the narrow band output terminal.

본 발명에 의하면, 선형성, 전력이득, 잡음 지수, 손실 없는 입력 정합 등의 장점들을 가지고 있는 공통소스 및 소스 디제너레이션(degeneration) 구조의 저잡음 증폭기(low noise amplifier : LNA)를 스위치 2개를 사용하여 선택함으로써, 광대역 또는 다중 주파수 대역의 신호 처리를 위해 임피던스 정합 주파수 조절 및 션트 시리즈(shunt series) 저항, 캐스코드된(cascoded) 트랜지스터들을 스위치를 이용해 간단한 원리로 구현할 수 있다. 이로 인해 본 발명은, 차세대 무선 통신 시스템에서 보다 안정적으로 광대역 또는 다중 대역의 신호 처리를 수행할 수 있을 것으로 기대된다.According to the present invention, a low noise amplifier (LNA) with a common source and source degeneration structure having advantages such as linearity, power gain, noise figure, lossless input matching, etc. is used by using two switches. By choosing, impedance-matched frequency regulation, shunt series resistors, and cascoded transistors can be implemented on a simple principle using a switch for wideband or multi-frequency signal processing. Accordingly, the present invention is expected to be able to more stably perform broadband or multi-band signal processing in the next generation wireless communication system.

종래의 기술에서는 신호 대역의 구성 블록들은 병렬로 구현되고, 구비되는 각 블록들을 다중 밴드에 대해서 최대한 공유할 수 있도록 구성하는 것이 일반적이었으나, 본 발명에서는 특정 주파수 대역만을 지원하는 일반적인 저잡음 증폭기(low noise amplifier : 이하 LNA라 함)를 여러 개 통합시킨 것과 같은 효과를 낼 수 있는 통합 대역 LNA(All Band-Low Noise Amplifier)를 제공하고자 한다.In the prior art, the component blocks of the signal bands are implemented in parallel, and it is common to configure each of the provided blocks so as to share the maximum number of multiple bands, but in the present invention, a general low noise amplifier supporting only a specific frequency band It is to provide an integrated band LNA (All Band-Low Noise Amplifier) that can produce the same effect as multiple amplifiers (hereinafter referred to as LNAs).

본 발명에 따른 통합 대역 LNA는, 대역통과필터에서 출력되는 다양한 주파수 대역의 신호들의 전력을 증폭시킬 수 있다.The integrated band LNA according to the present invention can amplify the power of signals of various frequency bands output from the bandpass filter.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 통합 대역 저잡음 증폭기(low noise amplifier : 이하 LNA라 함)의 구성 회로도로서, 광대역(wide-band) 및 협대역(narrow-band), 예컨대 800MHz-2.6GHz 주파수 대역과 5.8GHz 주파수 대역을 모두 지원하는 통합 대역 LNA의 회로도를 나타낸다.3 is a circuit diagram of an integrated band low noise amplifier (hereinafter referred to as LNA) according to an embodiment of the present invention, which is a wide-band and narrow-band, for example, 800 MHz to 2.6 GHz frequency. A schematic of an integrated band LNA that supports both the band and the 5.8 GHz frequency band is shown.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 통합 대역 LNA는, 입력단에 연결된 제 1 가변 인덕터(Lg), 제 1 가변 인덕터(Lg)와 그 게이트가 연결된 제 1 트랜지스터(M1), 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에 병렬로 연결된 가변 캐패시터(Cgs), 제 1 트랜지스터(M1)의 소스와 연결된 제 2 가변 인덕터(Ls), 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인과 그 소스가 병렬로 연결된 제 2 트랜지스터(M2), 제 2 트랜지 스터(M2)의 게이트에 연결된 제 1 스위치(SW1), 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인과 연결되는 제 1 캐패시터(Cd1), 제 1 캐패시터(Cd1)와 그 게이트가 연결되고 그 드레인이 광대역 출력단과 연결되는 제 3 트랜지스터(M3), 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인과 그 소스가 병렬로 연결된 제 4 트랜지스터(M4), 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트에 연결된 제 2 스위치(SW2), 제 4 트랜지스터(M4)의 드레인과 협대역 출력단 사이에 연결되는 제 2 캐패시터(Cd2)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the integrated band LNA according to the present embodiment includes a first variable inductor L g connected to an input terminal, a first transistor M 1 connected to a gate of the first variable inductor L g , a first transistor the variable capacitor (C gs) connected in parallel between the gate and the source of the (M 1), the first second variable inductor (L s) connected to the source of the transistor (M 1), a first transistor (M 1) the drain and the source is connected in parallel with the second transistor (M 2), the second transitional requester a first switch connected to the gate of the (M 2) (SW 1) , a second transistor coupled to the drain of the (M 2) A drain and a source of the third transistor M 3 and the first transistor M 1 , in which a first capacitor C d1 , a first capacitor C d1 , a gate thereof, and a drain thereof are connected to a broadband output terminal, The fourth transistor M 4 connected in parallel, the second switch SW connected to the gate of the fourth transistor M 4 2 ), a second capacitor C d2 connected between the drain of the fourth transistor M 4 and the narrow band output terminal.

부가적으로, 통합 대역 LNA는, 제 1 캐패시터(Cd1)와 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트에 병렬로 연결되는 피드백 저항(Rf), 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인에 연결되는 제 1 로드 저항(Rd1), 제 3 트랜지스터(M3)의 드레인에 연결되는 제 2 로드 저항(Rd2), 제 4 트랜지스터(M4)의 드레인과 제 2 캐패시터(Cd2) 사이에 연결되는 제 3 로드 저항(Rd3)을 더 포함할 수 있다.Additionally, the integrated band LNA is connected to the drain of the second transistor M 2 and the feedback resistor R f which is connected in parallel to the gate of the first capacitor C d1 and the third transistor M 3 . The first load resistor R d1 , the second load resistor R d2 connected to the drain of the third transistor M 3 , the drain of the fourth transistor M 4 , and the second capacitor C d2 . It may further include a third load resistor (R d3 ) to be.

이와 같이 구성된 본 실시예에 따른 통합 대역 LNA는, 높은 이득을 확보하고 밀러 효과(miller's effect)를 줄이기 위해 캐스코드(cascode) 입력 단을 사용한다.The integrated band LNA according to the present embodiment configured as described above uses a cascode input stage to secure a high gain and reduce a miller's effect.

각각의 출력 로드는 캐스코드 트랜지스터인 M2와 M3을 스위칭시켜 원하는 주파수 대역을 선택함으로써 조절된다. 즉, 800MHz-2.6GHz를 지원하는 광대역 LNA의 출력 모드는 제 1 스위치(SW1)가 온(on) 되었을 때, 5.8GHz를 지원하는 협대역 LNA의 출력 모드는 제 2 스위치(SW2)가 온 되었을 때 동작한다.Each output load is adjusted by switching the cascode transistors M 2 and M 3 to select the desired frequency band. That is, when the first switch SW 1 is turned on in the output mode of the wideband LNA supporting 800 MHz to 2.6 GHz, the output mode of the narrowband LNA supporting 5.8 GHz is set to the second switch SW 2 . It works when it is on.

각 대역의 입력 임피던스 매칭은 추가적인 입력 매칭 네트워크를 사용함으로써 용이하게 구현될 수 있다. 예컨대, 800MHz-2.6GHz의 주파수 대역의 광대역 LNA의 출력 모드에서의 입력 매칭은 피드백 저항(Rf), 예컨대 션트 시리즈(shunt series) 피드백 저항을 제 1 스위치(SW1)에 추가 연결하여 구현하고, 5.8GHz의 주파수 대역의 협대역 LNA의 출력 모드에서는 제 2 스위치(SW2)로 인덕티브 디제너레이션(inductive degeneration)을 사용하여 구현할 수 있다.Input impedance matching of each band can be easily implemented by using an additional input matching network. For example, input matching in the output mode of a wideband LNA in the frequency band of 800 MHz to 2.6 GHz is realized by additionally connecting a feedback resistor R f , for example a shunt series feedback resistor, to the first switch SW 1 . In the output mode of the narrow band LNA in the frequency band of 5.8 GHz, the second switch SW 2 may be implemented using inductive degeneration.

광대역 LNA의 입력 임피던스 매칭에 해당하는 식은 다음 [수학식1]과 같다.Equation 1 corresponds to the input impedance matching of the wideband LNA.

Figure 112008089973558-pat00001
Figure 112008089973558-pat00001

[수학식 1]에서 Avo는 오픈 루프 전압 이득이고, Rf는 션트 시리즈 피드백 저항을 나타낸다.In Equation 1, A vo is an open loop voltage gain, and R f is a shunt series feedback resistor.

광대역 입력매칭(input matching)을 위해서는 Rf값이 매우 작아야 하나, Rf값이 작을수록 잡음 지수가 점점 더 악화되는 상충관계에 맞닿는다. 따라서, 적절한 Rf값은 입력 임피던스 매칭과 잡음 지수의 상충관계를 고려하여 선택해야 한다.For wideband input matching, the value of R f must be very small, but the smaller the value of R f , the more the tradeoff between noise deteriorates. Therefore, the appropriate R f value should be selected considering the trade-off between input impedance matching and noise figure.

또한, 션트 시리즈 피드백 저항(Rf)을 사용함으로써 별도의 바이어스 단을 추가하지 않고서도 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전압을 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압으로 동일하게 공급할 수 있는 이점이 있다.In addition, by using the shunt series feedback resistor R f , the gate voltage of the third transistor M 3 can be equally supplied to the gate voltage of the first transistor M 1 without adding a separate bias stage. There is this.

광대역 LNA의 이득은 일반적으로 제 1 로드 저항(Rd1)에 걸리는 전압에 의해 제한되기 때문에 이득을 향상시킬 수 있는 추가적인 버퍼단이 필요하다. 버퍼단을 추가하게 되면 입력 임피던스 매칭과 출력 임피던스 매칭의 격리를 향상시킬 수 있는 또 다른 이점이 있다.Since the gain of a wideband LNA is generally limited by the voltage across the first load resistor R d1 , an additional buffer stage is needed to improve the gain. Adding a buffer stage has another advantage to improve isolation of input impedance matching and output impedance matching.

협대역 LNA의 입력 임피던스 매칭은 인덕티브 디제너레이션 방법으로 구현하고 이에 해당하는 식은 다음 [수학식 2]와 같다.The input impedance matching of the narrowband LNA is implemented by the inductive degeneration method, and the equation is represented by Equation 2 below.

Figure 112008089973558-pat00002
Figure 112008089973558-pat00002

[수학식 2]에서 gm1은 제 1 트랜지스터(M1)의 트랜스 컨덕턴스이고, Cgs는 제 1 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 가변 캐패시터이다. Ls+Lg와 Cgs+Cx가 공진하게 되면 허수부가 0으로 사라지고 실수부인

Figure 112008089973558-pat00003
만 등가저항으로 남게 된다.In Equation 2, g m1 is a transconductance of the first transistor M 1 , and C gs is a variable capacitor between the source and the gate of the first transistor M 1 . When L s + L g and C gs + C x resonate, the imaginary part disappears to zero and the real part
Figure 112008089973558-pat00003
Only equivalent resistance remains.

따라서, 공진되는 주파수를 가변시키기 위해서는 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스에 인가되는 기생 캐패시터(Cs)의 크기를 조절하여 주거나, 가변 인덕터(Lg 또는 Ls)의 크기를 제 2 스위치(SW2)를 이용하여 바꾸어 주어 입력 임피던스 를 협대역인 5.8GHz 주파수 대역에서 50Ω으로 맞춘다.Therefore, in order to change the resonant frequency, the size of the parasitic capacitor C s applied to the gate and the source of the first transistor M 1 is adjusted or the size of the variable inductor L g or L s is changed to the second. Switch using switch (SW 2 ) to set the input impedance to 50Ω in the narrow band of 5.8GHz.

이와 같이 스위치를 이용해서 구현하게 되면 주파수를 가변시키기 위해 기생 캐패시터(Cs)의 캐패시턴스를 조절하거나 가변 인덕터인 Lg 또는 Ls의 크기를 조절하기 위해 재 설계해야하는 번거로움을 피할 수 있다.This implementation using a switch avoids the hassle of adjusting the capacitance of the parasitic capacitor C s to vary the frequency or redesigning the size of the variable inductor L g or L s .

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 통합 대역 LNA(All band-Low Noise Amplifier)의 구성 회로도로서, 도 3의 피드백 저항(Rf), 제 1 가변 인덕터(Lg), 제 2 가변 인덕터(Ls), 가변 캐패시터(Cgs)를 보다 구체적으로 예시한 도면이다.FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an integrated band all band low noise amplifier (LNA) according to an embodiment of the present invention, and includes a feedback resistor R f , a first variable inductor L g , and a second variable inductor of FIG. 3. L s ) and a variable capacitor C gs are illustrated in more detail.

도 4에 도시한 바와 같이, 피드백 저항(Rf)은 제 1 스위치(SW1)와 동일하게 스위칭되는 제 3 스위치를 포함하며, 제 1 가변 인덕터(Lg)는 별도의 가변 인덕터(Lg1)(Lg2) 및 제 2 스위치(SW2)와 동일하게 스위칭되는 제 4 스위치를 포함한다. 또한, 제 2 가변 인덕터(Ls)는 제 1 스위치(SW1)와 동일하게 스위칭되는 제 5 스위치를 포함하며, 가변 캐패시터(Cgs)는 별도의 가변 캐패시터(Cgs1)(Cgs2) 및 제 1 스위치(SW1)와 동일하게 스위칭되는 제 6 스위치를 포함한다.As shown in FIG. 4, the feedback resistor R f includes a third switch that is switched in the same manner as the first switch SW 1 , and the first variable inductor L g has a separate variable inductor L g 1. ) Lg 2 and a fourth switch that is switched in the same manner as the second switch SW 2 . In addition, the second variable inductor L s includes a fifth switch that is switched in the same manner as the first switch SW 1 , and the variable capacitor C gs includes a separate variable capacitor C gs1 (C gs2 ) and And a sixth switch that is switched in the same manner as the first switch SW 1 .

먼저, 본 실시예에 따른 통합 대역 LNA는, 800MHz-2.6GHz 주파수 대역의 광대역과, 5.8GHz 주파수 대역의 협대역에 해당하는 특정 주파수 대역의 신호를 증폭하는데 있어서, 제 1 스위치(SW1) 및 제 2 스위치(SW2)를 이용하여 입력 임피던스 정합 주파수점을 바꿀 수 있도록 하는 입력단과 캐스코드된 제 2 트랜지스터(M2), 제 4 트랜지스터(M4)를 제 1 스위치(SW1), 제 2 스위치(SW2)로 온/오프(on/off) 동작시켜 광대역 또는 협대역 주파수 대역에 해당하는 신호를 선택적으로 증폭시키는 것을 특징으로 한다.First, in the integrated band LNA according to the present embodiment, the first switch SW 1 and amplify a signal of a specific frequency band corresponding to a wide band of the 800 MHz to 2.6 GHz frequency band and a narrow band of the 5.8 GHz frequency band. The input stage, the cascoded second transistor M 2 , and the fourth transistor M 4 , which allow the input impedance matching frequency point to be changed by using the second switch SW 2 , are provided by the first switch SW 1 and the first switch. second switch on / off (on / off) operation by (SW 2) to be characterized by selective amplification of a signal corresponding to a broadband or narrow-band frequency range.

스위치를 이용한 정합 주파수의 가변이라는 새로운 기능으로 인해, 종래의 LNA의 성능이 감소되지 않도록 최적화된 방법을 찾는 것이 매우 중요한데, 본 실시예에 따른 통합 대역 LNA는 입력 신호가 인가되는 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에 캐패시턴스가 가변되는 가변 캐패시터(Cgs)와 입력 정합을 위한 제 1 가변 인덕터(Lg)를 스위치로 구비하여 정합 주파수를 가변시키고 있다.Due to the new function of variable matching frequency using a switch, it is very important to find an optimized method so that the performance of the conventional LNA is not reduced. The matching frequency is varied with a variable capacitor C gs having a variable capacitance between the gate and the source of 1 ) and a first variable inductor L g for input matching.

구체적으로 광대역 800MHz-2.6GHz에 해당하는 주파수 대역의 신호를 증폭시키기 위해 제 1 스위치(SW1)는 온 시키고 제 2 스위치(SW2)는 오프 되도록 동작하게 한다. 그렇게 되면, 입력 정합을 위한 인덕턴스는 제 1 가변 인덕터(Lg) 내의 Lg1만 유효하게 되고, 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에 캐패시턴스는 Cgs1과 Cgs2의 병렬 연결로 가변 캐패시터(Cgs)가 결정될 수 있다.In detail, the first switch SW 1 is turned on and the second switch SW 2 is turned off to amplify a signal having a frequency band corresponding to a broadband 800 MHz-2.6 GHz. Then, the inductance for input matching becomes effective only L g1 in the first variable inductor Lg, and the capacitance between the gate and the source of the first transistor M 1 becomes the variable capacitor by the parallel connection of C gs1 and C gs2 . (C gs ) can be determined.

또한, 제 1 스위치(SW1)가 온 됨으로써, 제 1 트랜지스터(M1)의 소스에 있는 제 2 가변 인덕터(Ls), 예컨대 디제너레이션 인덕터의 효과를 억제하여 입력 임피던스 정합 주파수를 800MHz-2.6GHz 광대역 주파수 대역 내에 존재하도록 한다.In addition, since the first switch SW 1 is turned on, the effect of the second variable inductor L s , for example, the degeneration inductor at the source of the first transistor M 1 is suppressed, thereby reducing the input impedance matching frequency to 800 MHz-2.6. To be within the GHz wideband frequency band.

더불어, 제 1 스위치(SW1)가 온 됨으로써, 입력단과 캐스코드된 제 2 트랜지 스터(M2)를 동작시키게 한다.In addition, the first switch SW 1 is turned on to operate the input terminal and the cascoded second transistor M 2 .

이때, 제 1 스위치(SW1)가 온 됨으로써 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트와 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 션트 시리즈 피드백 저항(Rf)을 연결한다. 이러한 션트 시리즈 피드백 저항(Rf)을 사용함으로써, 위에서 언급했듯이 별도의 바이어스 단을 추가하지 않고서도 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전압을 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압으로 동일하게 공급하여 출력단의 버퍼를 동작시킬 수 있게 된다. 출력단에 버퍼를 추가하게 되면 제 1 로드 저항(Rd1)에 걸리는 전압에 의해 제한되는 이득을 증가시킬 수 있고 입력 임피던스 매칭과 출력 임피던스 매칭의 격리를 향상시킬 수 있다.At this time, the first switch SW 1 is turned on to connect the shunt series feedback resistor R f between the gate of the third transistor M 3 and the gate of the first transistor M 1 . By using this shunt series feedback resistor R f , as mentioned above, the gate voltage of the third transistor M 3 is equally supplied to the gate voltage of the first transistor M 1 without adding a separate bias stage. The buffer at the output can be operated. Adding a buffer to the output stage can increase the gain limited by the voltage across the first load resistor R d1 and improve the isolation of input impedance matching and output impedance matching.

협대역인 5.8GHz에 해당하는 주파수 대역의 신호를 증폭시키기 위해, 제 1 스위치(SW1)는 오프되고 제 2 스위치(SW2)는 온 되도록 동작하게 한다. 그렇게 되면 입력 정합을 위한 인덕턴스는 제 1 가변 인덕터(Lg)의 값은 Lg1과 Lg2의 직렬 연결로 정해지고 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에 캐패시턴스는 Cgs2만 가변 캐패시터(Cgs)로 적용된다.In order to amplify the signal in the frequency band corresponding to the narrow band of 5.8 GHz, the first switch SW 1 is turned off and the second switch SW 2 is turned on. Then, the inductance for input matching is determined by the series connection of L g1 and L g2 with the value of the first variable inductor L g , and the capacitance between the gate and the source of the first transistor M 1 is C gs2 variable capacitor. Applied as (C gs ).

또한, 제 1 스위치(SW1)가 오프 됨으로써, 제 1 트랜지스터(M1)의 소스에 있는 디제너레이션 인덕터(Ls)의 효과로 입력 임피던스 정합 주파수를 5.8GHz 협대역 주파수 대역 내에 존재하도록 한다. 더불어 제 2 스위치(SW2)를 온 시킴으로써 입력단과 캐스코드된 제 4 트랜지스터(M4)를 동작시키게 하고, 출력단의 저항(Rd3)을 조절하여 출력 매칭 임피던스를 50으로 맞춤으로써 협대역인 5.8GHz에 해당하는 주파수 대역의 신호를 증폭시킬 수 있다.In addition, the first switch SW 1 is turned off so that the input impedance matching frequency is within the 5.8 GHz narrow band frequency band under the effect of the degeneration inductor L s at the source of the first transistor M 1 . In addition, the second switch SW 2 is turned on to operate the input terminal and the cascoded fourth transistor M 4 , and the resistance R d3 of the output terminal is adjusted to adjust the output matching impedance to 50 to narrow the bandwidth of 5.8. The signal of the frequency band corresponding to GHz can be amplified.

도 5는, 800MHz-2.6GHz의 광대역에 해당하는 주파수 대역과, 5.8GHz의 협대역에 해당하는 주파수 대역에서 사용될 수 있는 통합 대역 LNA의 시뮬레이션 결과를 예시한 그래프이다.5 is a graph illustrating simulation results of an integrated band LNA that can be used in a frequency band corresponding to a wide bandwidth of 800 MHz to 2.6 GHz and a frequency band corresponding to a narrow band of 5.8 GHz.

도 5에서 알 수 있듯이, 800MHz-2.6GHz 광대역에 해당하는 주파수 대역의 전력 이득(S21)은 15∼18dB, 입력 임피던스 정합 정도(S11)는 -5∼-14dB이다. 또한, 출력 임피던스 정합 정도(S22)는 -10∼-11dB이고, 입출력간의 격리 정도(S12)는 -45∼-38dB이다. 잡음 지수는 2∼3dB, 선형성 정도(PIdB/IIP3)는 각각 -18∼-17dBm, -10∼-8dBm으로 나타났다.As can be seen in Figure 5, the power gain (S 21 ) of the frequency band corresponding to the 800MHz-2.6GHz broadband is 15 to 18dB, the input impedance matching degree (S 11 ) is -5 to -14dB. The output impedance matching degree S 22 is -10 to -11 dB, and the isolation degree S 12 between input and output is -45 to -38 dB. Noise figure was 2 ~ 3dB, linearity degree (PIdB / IIP3) was -18 ~ -17dBm and -10 ~ -8dBm, respectively.

5.8GHz 협대역에 해당하는 주파수 대역의 전력 이득(S21)은 14.6dB, 입력 임피던스 정합의 정도(S11)는 -15dB이다. 또한, 출력 임피던스 정합의 정도(S22)는 -15dB이고 입출력간의 격리 정도(S12)는 -38dB로 적절한 결과값을 나타낸다. 잡음 지수는 4dB, 선형성 정도(PIdB/IIP3)는 각각 -24.3dBm, -18.9dBm으로 나타났다.The power gain (S 21 ) of the frequency band corresponding to the 5.8 GHz narrow band is 14.6 dB, and the degree of input impedance matching (S 11 ) is -15 dB. In addition, the degree of output impedance matching (S 22 ) is -15dB and the degree of isolation between input and output (S 12 ) is -38dB, indicating an appropriate result. Noise figure was 4dB and linearity degree (PIdB / IIP3) was -24.3dBm and -18.9dBm, respectively.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, RF 대역에 해당하는 800MHz-2.6GHz인 광대역(wide-band)과, WLAN(Wireless Local Area Network)에 해당하는 5.8GHz 협대역(narrow-band) 각각의 매칭회로를 스위치를 이용하여 선택할 수 있도록 함으로서, 무선통신 단말기의 공간 차지를 줄임과 동시에, 저가격화, 저소비 전력화를 달성할 수 있는 통합 대역 LNA를 구현한 것이다.As described above, according to the present embodiment, each of a wide-band of 800 MHz to 2.6 GHz corresponding to an RF band and a 5.8 GHz narrow-band corresponding to a wireless local area network (WLAN) The matching circuit can be selected using a switch, thereby realizing an integrated band LNA that can reduce the space occupancy of the wireless communication terminal and attain the low cost and low power consumption.

앞서 언급한 실시예는 본 발명을 한정하는 것이 아니라 예증하는 것이며, 이 분야의 당업자라면 첨부한 청구항에 의해 정의된 본 발명의 범위로부터 벗어나는 일 없이, 많은 다른 실시예를 설계할 수 있음을 유념해야 한다. 청구항에서는, 괄호 안에 있는 어떤 참조 기호도 본 발명을 한정하도록 해석되지 않아야 한다. "포함하는", "포함한다" 등의 표현은, 전체적으로 모든 청구항 또는 명세서에 열거된 것을 제외한 구성 요소 또는 단계의 존재를 배제하지 않는다. 구성 요소의 단수의 참조부는 그러한 구성 요소의 복수의 참조부를 배제하지 않으며, 그 반대도 마찬가지이다. 서로 다른 종속항에 확실한 수단이 기술되었다고 하는 단순한 사실은, 이러한 수단의 조합이 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.The foregoing embodiments are intended to illustrate, not limit, the invention, and those skilled in the art should note that many other embodiments can be designed without departing from the scope of the invention as defined by the appended claims. do. In the claims, any reference signs placed between parentheses shall not be construed to limit the invention. The expression “comprising”, “comprising” and the like does not exclude the presence of elements or steps other than those listed in all the claims or the specification as a whole. The singular references of components do not exclude a plurality of references of such components, and vice versa. The simple fact that certain means are described in different dependent claims does not indicate that a combination of these means cannot be used.

도 1은 종래의 다중 대역 저잡음 증폭기(low noise amplifier)가 적용되는 수신기의 구성도,1 is a configuration diagram of a receiver to which a conventional multi-band low noise amplifier is applied;

도 2는 종래의 다중 대역 저잡음 증폭기의 회로 구성도,2 is a circuit diagram of a conventional multi-band low noise amplifier,

도 3은 본 실시예에 따른 통합 대역 저잡음 증폭기(All-Band Low Noise Amplifier)의 회로도,3 is a circuit diagram of an all-band low noise amplifier according to the present embodiment;

도 4는 도 3에서 나타낸 통합 대역 저잡음 증폭기의 구체적인 기능 회로도,4 is a detailed functional circuit diagram of the integrated band low noise amplifier shown in FIG. 3;

도 5는 광대역에 해당하는 주파수 대역과 협대역에 해당하는 주파수 대역에서 사용될 수 있는 통합 대역 저잡음 증폭기의 시뮬레이션 결과를 예시한 그래프.5 is a graph illustrating a simulation result of an integrated band low noise amplifier that can be used in a frequency band corresponding to a wide band and a frequency band corresponding to a narrow band.

Claims (11)

삭제delete 입력단에 연결된 제 1 가변 인덕터와,A first variable inductor connected to the input terminal; 상기 제 1 가변 인덕터와 그 게이트가 연결된 제 1 트랜지스터와,A first transistor connected with the first variable inductor and a gate thereof; 상기 제 1 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 병렬로 연결된 가변 캐패시터와,A variable capacitor connected in parallel between the gate and the source of the first transistor; 상기 제 1 트랜지스터의 소스와 연결된 제 2 가변 인덕터와,A second variable inductor connected to the source of the first transistor; 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 그 소스가 병렬로 연결된 제 2 트랜지스터와,A second transistor having a drain of the first transistor and a source thereof connected in parallel; 상기 제 2 트랜지스터의 게이트에 연결되며, 광대역 출력 모드시에 온(on) 되는 제 1 스위치와,A first switch connected to the gate of the second transistor and turned on in a broadband output mode; 상기 제 2 트랜지스터의 드레인과 연결되는 제 1 캐패시터와,A first capacitor connected to the drain of the second transistor; 상기 제 1 캐패시터와 그 게이트가 연결되고 그 드레인이 광대역 출력단과 연결되는 제 3 트랜지스터와,A third transistor connected to the first capacitor and a gate thereof, and a drain thereof connected to a wide band output terminal; 상기 제 1 트랜지스터의 드레인과 그 소스가 병렬로 연결된 제 4 트랜지스터와,A fourth transistor having a drain of the first transistor and a source thereof connected in parallel; 상기 제 4 트랜지스터의 게이트에 연결되며, 협대역 출력 모드시에 온 되는 제 2 스위치와,A second switch connected to the gate of the fourth transistor and turned on in a narrow band output mode; 상기 제 4 트랜지스터의 드레인과 협대역 출력단 사이에 연결되는 제 2 캐패시터와,A second capacitor connected between the drain of the fourth transistor and a narrow band output terminal; 상기 제 1 캐패시터와 상기 제 3 트랜지스터의 게이트에 병렬로 연결되는 피드백 저항과,A feedback resistor connected in parallel to the gate of the first capacitor and the third transistor; 상기 제 2 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제 1 로드 저항과,A first load resistor connected to the drain of the second transistor, 상기 제 3 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제 2 로드 저항과,A second load resistor connected to the drain of the third transistor; 상기 제 4 트랜지스터의 드레인과 상기 제 2 캐패시터의 사이에 연결되는 제 3 로드 저항을 포함하는 A third load resistor connected between the drain of the fourth transistor and the second capacitor; 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 피드백 저항은,The feedback resistor, 상기 제 1 스위치와 동일한 동작으로 스위칭되는 제 3 스위치A third switch switched in the same operation as the first switch 를 포함하는 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier comprising a. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 피드백 저항은,The feedback resistor, 상기 광대역 출력 모드시에 션트 시리즈 피드백 저항으로 입력 임피던스 매칭되는 통합 대역 저잡음 증폭기.An integrated band low noise amplifier with input impedance matching with a shunt series feedback resistor in said wideband output mode. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 가변 인덕터는,The first variable inductor is, 상기 제 2 스위치와 동일한 동작으로 스위칭되는 제 4 스위치A fourth switch switched in the same operation as the second switch 를 포함하는 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier comprising a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 2 가변 인덕터는,The second variable inductor, 상기 제 1 스위치와 동일한 동작으로 스위칭되는 제 5 스위치A fifth switch switched in the same operation as the first switch 를 포함하는 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier comprising a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가변 캐패시터는,The variable capacitor, 상기 제 1 스위치와 동일한 동작으로 스위칭되는 제 6 스위치A sixth switch switched in the same operation as the first switch 를 포함하는 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier comprising a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 4 트랜지스터는,The first transistor and the fourth transistor, 캐스코드 트랜지스터인 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier, cascode transistor. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 3 트랜지스터의 게이트 전압은,The gate voltage of the third transistor is 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전압과 동일한 전압으로 공급되는 통합 대역 저잡음 증폭기.An integrated band low noise amplifier supplied with a voltage equal to a gate voltage of the first transistor. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 광대역 출력 모드시의 주파수 대역은,The frequency band in the broadband output mode, 800MHz 내지 2.6GHz인 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier from 800 MHz to 2.6 GHz. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 협대역 출력 모드시의 주파수 대역은,The frequency band in the narrow band output mode, 5.8GHz인 통합 대역 저잡음 증폭기.Integrated band low noise amplifier at 5.8GHz.
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