KR101018267B1 - 시분할 시스템용 고출력 증폭기 - Google Patents

시분할 시스템용 고출력 증폭기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 시분할 시스템용 고출력증폭기에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기는, 입력 RF신호를 전력증폭하여 증폭된 신호를 출력하는 메인증폭기와; 상기 메인증폭기의 게이트에 바이어스 전압을 공급하고 상기 게이트 바이어스 전압을 동기(SYNC)제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하는 게이트 전원부; 및 상기 메인증폭기에 드레인 전압을 공급하는 드레인 전원부를 포함하여 이루어지는 시분할 시스템용 고출력증폭기에 관한 것이다.
따라서, 본 발명은 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 동기제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하여 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭하고, 높은 격리도를 확보하는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
또한, 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭함으로써 전력소모를 줄이며, 회로구성을 간단히 하여 제조시간과 그에 따른 제조비용을 줄일 뿐만 아니라 제품을 소형화하는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
고출력증폭기,시분할 시스템,기지국,게이트,바이어스,드레인

Description

시분할 시스템용 고출력 증폭기 {HIGH POWER AMPLIFIER FOR TIME DIVISION DUPLIEXING SYSTEM}
본 발명은 시분할 시스템에 사용되는 고출력 증폭기에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 메인 증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭하여 전력증폭되어 출력되는 RF신호를 고속으로 스위칭하는 시분할 시스템용 고출력 증폭기에 관한 것이다.
도 1은 시분할(TDD: Time Division Multiplexing)시스템용 고출력증폭기의 개략적인 구성도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 시분할 시스템용 고출력증폭기에 의하여 RF신호가 입력되면 이득조절용패드(1)에서 적절하게 이득이 조절되고 온도보상용패드(2)를 거쳐 구동증폭기(3)로 전송되며, 상기 구동증폭기(3)에서 일정량 증폭된 RF신호는 다시 메인증폭기(4)로 전송되고 상기 메인증폭기(4)는 RF신호를 최종적으로 전력증폭하여 증폭된 RF신호를 출력한다.
상기의 시분할 시스템용 고출력증폭기는 시분할에 의한 양방향 전송이 이루 어지고 송수신분리를 확보하는 것을 핵심으로 하는 이동통신 중계기 및 기지국시스템에 적용되어 고속으로 신호를 전송하기 위하여 사용되고 있다.
상기의 고출력증폭기는 고속으로 신호를 전송하고 수신하는 시분할 시스템의 양방향전송간에 격리도를 확보하기 위하여 전력증폭되는 RF신호를 스위칭하는 기술을 요구하고 있으며, 종래기술로서 고출력 증폭기 내부에 구비되는 복수개의 증폭기 소자의 입력단 및 출력단에 복수개의 SPDT(Single Pole Double Throw)스위치를 전기적으로 연결시키는 기술이 있다.
이와 같은, 상기의 종래기술은 SPDT스위치가 스위칭 되더라도 상기의 복수개의 증폭기소자에 계속하여 전압을 공급하기 때문에 전력소모가 늘고 각각의 증폭기소자에 손상을 가져올 수 있으며, 각각의 증폭기 소자를 통해 증폭된 RF신호의 전력에 따라 사용되는 SPDT스위치가 상이하게 적용될 수 있으며, 복수개의 SPDT스위치가 사용되므로 회로구성이 복잡해지고 제조비용이 늘어나는 문제점이 있다.
또한, 시분할 시스템용 고출력증폭기에 구비되는 복수개의 증폭기 소자 중 메인증폭기(4)는 신호의 선형성을 유지하며 최종적으로 신호를 증폭하는 역할을 하기 때문에 상기 메인증폭기(4)를 통하여 전력증폭되는 RF신호는 고속스위칭이 이루어 져야 한다. 상기 메인증폭기(4)를 통하여 전력증폭되는 RF신호가 고속으로 스위칭되면 시분할 시스템의 양방향 전송간에 높은 격리도를 확보하여 우수한 통화품질을 기대할 수 있다.
따라서, 시분할 시스템용 고출력증폭기에 구비되는 증폭기소자를 안정적으로 동작시키고 회로구성을 효율적으로 하여 제품을 소형화시키며, 시분할 시스템용 고 출력증폭기에 구비되는 메인증폭기(4)를 통하여 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭하는 기술이 절실히 요구되는 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 동기제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하여 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭하고, 높은 격리도를 확보하는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는데 목적이 있다.
또한, 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭함으로써 전력소모를 줄이며, 회로구성을 간단히 하여 제조시간과 그에 따른 제조비용을 줄일 뿐만 아니라 제품을 소형화하는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기는, 입력 RF신호를 전력증폭하여 증폭된 신호를 출력하는 메인증폭기와; 상기 메인증폭기의 게이트에 바이어스 전압을 공급하고 상기 바이어스 전압을 동기제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하는 게이트 전원부; 및 상기 메인증폭기에 드레인 전압을 공급하는 드레인 전원부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 동기제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하여 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭하는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
또한, 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭함으로써 시스템의 백색잡음을 낮출 수 있기 때문에 높은 격리도를 확보하는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
또한, 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭함으로써 시스템에 사용되는 전력소모를 줄이는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
또한, 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭하는 간단한 회로구성으로 제조시간과 그에 따른 제조비용을 줄일 뿐만 아니라 제품을 소형화하는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예들을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기의 개략적인 회로도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기는 입력 RF신호를 전력증폭하여 증폭된 신호를 출력하는 메인증폭기(10)와; 상기 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압을 공급하고 상기 게이트 바이어스 전압을 동기(SYNC)제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하는 게이트 전원부(20); 및 상기 메인증폭기(10)에 드레인 전압을 공급하는 드레인 전원부(30)를 포함하여 이루어진다.
상기 메인증폭기(10)는 상기 게이트 전원부(20)와 상기 드레인 전원부(30)를 통하여 상기 메인증폭기(10)의 게이트와 드레인에 DC전압이 동시에 공급될 경우에 입력 RF신호를 입력포트에서 출력포트방향으로 전력증폭하여 출력한다.
따라서, 본 발명은 상기 메인증폭기(10)에 공급되는 게이트 바이어스 전압을 동기제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하여 상기 메인증폭기(10)의 동작을 제어함으로써 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭한다.
또한, 상기 메인증폭기(10)에 공급되는 게이트 바이어스 전압을 스위칭함으로써 시스템에 사용되는 전력소모를 줄이고 상기 메인증폭기(10)로 사용되는 증폭기 소자를 안정적으로 동작시킨다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기는 메인증폭기(10)의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭하여 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭함으로써 전체 시스템의 백색잡음(White Noise)을 낮출 수 있기 때문에 높은 격리도를 확보할 수 있으며, 시스템에 사용되는 전력소모를 줄이는 효과가 있다.
본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기를 더욱 상세하게 설명하면, 상기 메인증폭기(10)는 입력단 및 출력단에 각각 직류신호를 차단하는 커패시터부(11,13)가 형성되는 FET증폭기소자(12)로 이루어진다.
여기서, 상기의 직류신호를 차단하는 커패시터부(11,13)는 상기 메인증폭기(10)의 게이트 및 드레인에 공급되는 DC전압이 상기 메인증폭기(10)에 입력되는 RF신호의 입력포트와 상기 메인증폭기(10)를 통하여 전력증폭된 RF신호가 출력되는 출력포트로 흐르는 것을 방지하는 커패시터소자로 이루어진다.
또한, 상기 게이트 전원부(20)는 상기 메인증폭기(10)에 입력되는 RF신호가 유입되는 것을 차단하는 인덕터부(21)와, 상기 인덕터부를 통과하여 미세하게 남아있는 RF신호의 유입방지를 위한 복수개의 커패시터소자가 병렬로 연결되어 형성되는 제 1 바이패스 커패시터부(22)와, 상기 메인증폭기(10)의 게이트에 전압을 공급하는 게이트전원공급기(23)와, 상기 게이트전원공급기(23)로부터 상기 메인증폭기(10)의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 동기제어신호에 의하여 스위칭하는 고속스위치(24), 및 상기 게이트전원공급기(23)와 상기 메인증폭기(10)의 입력단 사이의 소정위치에 형성되어 상기 메인 증폭기(10)에 공급되는 게이트 전압을 조절하는 복수개의 저항부(25,26)로 이루어진다.
이때, 본 발명에 따른 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭하는 고속스위치(24)는 동기(SYNC)제어신호에 의하여 양방향전송간에 선택적으로 스위칭되는 SPST(Single Pole Single Throw)스위치인 것이 바람직하다.
상기 SPST스위치는 게이트전원공급기(23)에 연결되어 상기 메인증폭기(10)를 이루는 FET(12)증폭기소자의 게이트에 바이어스 전압을 선택적으로 공급한다.
즉, 도 2에 도시된 바와 같이, S 단자로 인가되는 동기(SYNC)제어신호 값의 하이(High) 또는 로우(Low)에 따라 B 단자로 들어오는 게이트전원이 A 단자를 통하여 선택적으로 출력된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 상기 SPST 스위치는 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 고속으로 스위칭하여 양방향 전송간에 높은 격리도를 확보하도록 한다.
따라서, 본 발명은, 상기의 SPST스위치인 고속스위치(24)를 구비하여 상기 메인증폭기(10)를 이루는 FET(12) 증폭기소자의 게이트 바이어스 전압을 고속으로 스위칭하도록 간단하게 회로를 구성하여, 전력증폭되는 RF신호의 전송라인을 복수개의 스위치로 복잡하게 스위칭하는 기술에 비하여 제조시간과 그에 따른 제조비용을 줄일 뿐만 아니라 제품을 소형화 할 수 있는 시분할 시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
또한, 상기 드레인전원부(30)는 상기 메인증폭기(10)의 드레인에 전압을 공급하는 드레인전원공급기(31)와, 상기 메인증폭기(10)에서 출력되는 RF신호가 유입되는 것을 방지하기 위한 복수개의 커패시터소자가 병렬로 연결되어 형성되는 제 2 바이패스 커패시터부(32), 및 상기 드레인전원공급기(31)와 상기 제 2바이패스 커패시터부(32) 사이에 형성되어 상기 메인증폭기(10)의 드레인에 공급되는 전압을 조절하는 저항부(33)로 이루어진다.
도 3은 본 발명에 따른 고출력증폭기의 동기(SYNC)제어신호에 따른 고속스위 칭 동작을 나타내는 그래프이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 고속스위치(24)인 SPST(Single Pole Single Throw)스위치의 S 단자로 인가되는 동기제어신호가 로우(Low)인 경우에는 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압이 공급되지 않으며 결과적으로 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기는 동작되지 않고 OFF상태로 된다.
반면에, 상기의 SPST스위치의 S 단자로 인가되는 동기제어신호가 하이(High)인 경우에는 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압이 공급되며 결과적으로 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기는 ON상태로 동작하게 된다.
여기서, 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기의 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압이 공급되어 시분할 시스템용 고출력증폭기가 동작하여 RF신호를 전력증폭하여 출력하는데 소요되는 시간은 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 고속으로 스위칭 하는데 걸리는 시간과 일치하며, 도 3에 도시된 바와 같이 RF신호를 고속으로 스위칭하는 시간을 만족하는 3.5μs 이내 인 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명에 따른 시분할 시스테용 고출력증폭기는 메인증폭기(10)의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 상기의 SPST스위치의 S 단자로 인가되는 동기제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하여 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭하는 효과가 있다.
도 4는 본 발명에 따른 고출력증폭기가 고속스위치에 의하여 고속으로 스위칭되는 흐름도이다.
본 발명에 따른 고속스위치는 동기제어신호에 의하여 양방향전송간에 선택적으로 스위칭되는 SPST스위치이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 시분할 시스템용 고출력증폭기가 양방향전송 중 송신상태에 있는지를 판단하고(S10), 상기 판단결과 시분할 시스템용 고출력증폭기가 송신상태에 있는 경우에는 고속스위치(24)를 이루는 SPST 스위치의 S 단자에 SPST 스위치가 On상태가 되는 동기(SYNC)제어신호 하이(High)가 인가된다.
상기의 동기제어신호 하이에 의하여 상기 SPST 스위치는 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압을 공급하는 On상태가 된다.(S20)
상기 On 상태의 SPST 스위치에 의하여 상기 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압이 공급되어 FET(12) 증폭기소자로 이루어진 메인증폭기(10)가 동작함으로써 고출력증폭기가 정상 동작하여 입력되는 RF신호를 최종적으로 전력증폭하여 출력한다.(S30)
상기와 같이, 본 발명은 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압을 선택적으로 스위칭하여 전력증폭되는 RF신호를 고속으로 스위칭하고, 높은 격리도를 확보하는 시분할시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
또한, 메인증폭기(10)의 게이트에 바이어스 전압을 스위칭함으로써 전력소모를 줄이며, 회로구성을 간단히 하여 제조시간과 그에 따른 제조비용을 줄일 뿐만 아니라 제품을 소형화하는 시분할시스템용 고출력증폭기를 제공하는 효과가 있다.
지금까지 본 발명에 대해서 상세히 설명하였으나, 그 과정에서 언급한 실시예는 예시적인 것일 뿐이며, 한정적인 것이 아님을 분명히 하고, 본 발명은 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상이나 분야를 벗어나지 않는 범위내에서, 균등하게 대처될 수 있는 정도의 구성요소 변경은 본 발명의 범위에 속한다 할 것이다.
도 1은 시분할 시스템에 사용되는 고출력증폭기의 개략적인 구성도
도 2는 본 발명에 따른 시분할 시스템용 고출력증폭기의 개략적인 회로도
도 3은 본 발명에 따른 고출력증폭기의 동기(SYNC)제어신호에 따른 고속스위치의 동작을 나타내는 그래프
도 4는 본 발명에 따른 고출력증폭기가 고속스위치에 의하여 고속으로 스위칭되는 흐름도
* 주요 도면부호에 대한 설명 *
10 : 메인증폭기 11, 13 : 커패시터부
12 : FET 증폭기 소자 20 : 게이트전원부
21 : 인덕터부 22 : 제 1 바이패스 커패시터부
23 : 게이트전원공급기 24 : 고속스위치
25,26,33 : 저항부 30 : 드레인전원부
31 : 드레인전원공급기 32 : 제 2 바이패스 커패시터부

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 입력 RF신호를 전력증폭하여 증폭된 신호를 출력하는 메인증폭기와;
    상기 메인증폭기의 게이트에 바이어스 전압을 공급하고 상기 게이트 바이어스 전압을 제어신호에 의하여 선택적으로 스위칭하는 게이트 전원부 ; 및
    상기 메인증폭기에 드레인 전압을 공급하는 드레인 전원부를 포함하여 이루어지며,
    상기 메인증폭기는,
    입력단 및 출력단에 각각 직류신호를 차단하는 커패시터부가 형성되는 FET증폭기 소자인 것을 특징으로 하는 시분할 시스템용 고출력증폭기.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 게이트 전원부는,
    상기 메인증폭기에 입력되는 RF신호가 유입되는 것을 차단하는 인덕터부와, 상기 인덕터부를 통과하여 미세하게 남아있는 RF신호의 유입방지를 위한 복수개의 커패시터가 병렬로 연결형성되는 제 1 바이패스 커패시터부와, 상기 메인증폭기의 게이트에 바이어스 전압을 공급하는 게이트전원공급기와, 상기 게이트전원공급기로부터 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭 하는 고속스위 치, 및 상기 게이트전원공급기와 상기 메인증폭기의 입력단 사이의 소정위치에 형성되어 상기 메인 증폭기에 공급되는 게이트 바이어스 전압을 조절하는 복수개의 저항부로 이루어지는 것을 특징으로 시분할 시스템용 고출력증폭기.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 스위칭하는 고속스위치는,
    제어신호에 의하여 양방향 전송간에 선택적으로 스위칭하는 SPST스위치인 것을 특징으로 하는 시분할 시스템용 고출력 증폭기
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 SPST스위치는,
    상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압을 고속스위칭하여 양방향 전송간에 높은 격리도를 확보하는 것을 특징으로 하는 시분할 시스템용 고출력 증폭기.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 메인증폭기의 게이트에 공급되는 바이어스 전압의 고속스위칭 시간은,
    RF신호를 고속으로 스위칭하는 시간을 만족하는 3.5μs 이내 인 것을 특징으 로 하는 시분할 시스템용 고출력 증폭기.
  7. 청구항 2 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 드레인 전원부는,
    상기 메인증폭기의 드레인에 전압을 공급하는 드레인전원공급기와, 상기 메인증폭기에서 출력되는 RF신호의 유입방지를 위한 복수개의 커패시터가 병렬로 연결형성되는 제 2 바이패스 커패시터부, 및 상기 드레인전원공급기와 상기 제 2바이패스 커패시터부 사이에 형성되어 상기 메인증폭기의 드레인에 공급되는 전압을 조절하는 저항부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 시분할 시스템용 고출력 증폭기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20210141126A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 삼성전기주식회사 Dc 블록킹 커패시터의 손상 검출 기능을 갖는 고주파 스위치 회로
KR20210144317A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전기주식회사 스타트업 기능을 갖는 증폭회로 및 증폭 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162662A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Sony Corp 可変利得回路
KR20060066198A (ko) * 2004-12-13 2006-06-16 삼성전자주식회사 시분할복신 무선통신시스템의 전력증폭기 장치
KR100726232B1 (ko) 2004-07-28 2007-06-08 삼성전자주식회사 시분할복신 무선통신시스템의 고주파 전단 장치
KR20080071302A (ko) * 2007-01-30 2008-08-04 삼성전자주식회사 고출력 증폭기의 순차적인 바이어스 제어장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162662A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Sony Corp 可変利得回路
KR100726232B1 (ko) 2004-07-28 2007-06-08 삼성전자주식회사 시분할복신 무선통신시스템의 고주파 전단 장치
KR20060066198A (ko) * 2004-12-13 2006-06-16 삼성전자주식회사 시분할복신 무선통신시스템의 전력증폭기 장치
KR20080071302A (ko) * 2007-01-30 2008-08-04 삼성전자주식회사 고출력 증폭기의 순차적인 바이어스 제어장치 및 방법

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