KR101015955B1 - Semiconductor manufacturing equipment and method of controling the same - Google Patents
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Abstract
반도체 제조 설비 및 이의 제어 방법에 따르면, 공정 처리부로 먼저 투입된 선행 웨이퍼와 공정 처리부로 투입되기 위해 대기하는 후행 웨이퍼의 공정 레시피가 서로 다른 경우, 선행 웨이퍼와 후행 웨이퍼 각각의 공정 레시피에 근거하여 각각의 공정 스텝과 경로를 비교하여 스킵 사이클을 설정하고, 스킵 사이클 경과 후에 후행 웨이퍼를 공정 처리부로 투입하도록 이송 유닛의 동작을 제어한다. 따라서, 후행 웨이퍼와 선행 웨이퍼와의 투입시간간격이 적절하게 유지될 수 있고, 그 결과 후행 웨이퍼가 처리 유닛 내에서 대기하는 것을 방지할 수 있다.
According to the semiconductor manufacturing equipment and the control method thereof, when the process recipes of the preceding wafer first introduced into the process processing unit and the subsequent wafer waiting to be input to the process processing unit are different from each other, the respective process recipes are based on the process recipes of the preceding wafer and the subsequent wafer, respectively. The skip cycle is set by comparing the process step and the path, and the operation of the transfer unit is controlled to inject the trailing wafer into the process processing unit after the skip cycle has elapsed. Therefore, the input time interval between the trailing wafer and the preceding wafer can be properly maintained, and as a result, the trailing wafer can be prevented from waiting in the processing unit.
Description
본 발명은 반도체 제조 설비 및 이의 제어 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 처리 유닛 내에 웨이퍼가 정체하는 시간을 감소시킬 수 있는 반도체 제조 설비 및 이의 제어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로, 반도체 제조의 핵심적인 공정인 사진(Photo-Lithigraphy) 공정은 웨이퍼의 감광액 도포, 베이크(Bake) 및 현상 공정 등으로 이루어진다. 이러한 공정을 수행하기 위한 반도체 제조 설비 중 스피너 시스템은 웨이퍼를 수납하는 수납부, 수납된 웨이퍼를 이송시키는 이송 유닛 및 웨이퍼를 가공하는 공정 처리부로 이루어진다.In general, a photo-lithigraphy process, which is a core process of semiconductor manufacturing, consists of a photoresist coating, a bake and a developing process of a wafer. The spinner system of the semiconductor manufacturing equipment for performing such a process is comprised of the accommodating part which accommodates a wafer, the transfer unit which conveys the received wafer, and the process process part which processes a wafer.
공정 처리부는 웨이퍼의 표면에 감광액을 도포하는 스핀 코터(Spin Coater), 노광된 웨이퍼를 현상해 주는 스핀 디밸로퍼(Spin Developer), 감광액의 도포 또는 현상 전후에 웨이퍼를 가열 및 냉각되게 가열 플레이트와 냉각 플레이트를 갖춘 베이커 등과 같은 다수의 처리 유닛을 포함한다.The processing unit includes a spin coater for applying a photoresist to the surface of the wafer, a spin developer for developing the exposed wafer, a heating plate and cooling to heat and cool the wafer before and after application or development of the photoresist. A number of processing units, such as a baker with a plate.
반도체 제조 설비는 공정 스텝이 설정되어 있는 공정 레시피에 근거하여 웨 이퍼를 처리한다. 그러나, 웨이퍼들의 공정 레시피가 서로 다른 경우 공정 처리부에 먼저 투입된 선행 웨이퍼의 공정 수행 지연 또는 선행 웨이퍼를 처리하는 처리 유닛의 고장 등의 원인에 의해서 후행 웨이퍼가 해당 처리 유닛 내에 오랜시간 대기하는 경우가 발생한다.The semiconductor manufacturing equipment processes the wafer based on the process recipe in which the process step is set. However, when the process recipes of the wafers are different from each other, the following wafers may be waited in the processing unit for a long time due to a delay in performing the process of the preceding wafer first put into the processing unit or a failure of the processing unit processing the preceding wafer. do.
그러나, 후행 웨이퍼가 처리 유닛 내에 대기하는 시간이 길어지면, 처리 유닛 내의 온도 등의 영향으로 후행 웨이퍼에 증착된 막이 손상 또는 변형되는 문제가 발생한다.However, when the time for which the trailing wafer waits in the processing unit becomes long, there occurs a problem that the film deposited on the trailing wafer is damaged or deformed due to the temperature or the like in the processing unit.
따라서, 본 발명의 목적은 처리 유닛 내에 웨이퍼가 정체하는 시간을 감소시킬 수 있는 반도체 제조 설비를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing facility capable of reducing the time for which a wafer stays in a processing unit.
본 발명의 다른 목적은 처리 유닛 내에 웨이퍼가 정체하는 시간을 감소시킬 수 있는 반도체 제조 설비에 적용되는 제어 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a control method applied to a semiconductor manufacturing facility that can reduce the time for which a wafer stagnates in a processing unit.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비는 다수의 웨이퍼가 수납되는 수납부; 다수의 처리 유닛들로 이루어지며, 상기 웨이퍼들을 순차적으로 받아서 각 웨이퍼의 공정 레시피에 근거하여 처리하는 공정 처리부; 상기 수납부에 수납된 상기 웨이퍼들을 순차적으로 상기 공정 처리부로 이송하고, 상기 공정 처리부에 의해서 처리된 웨이퍼를 상기 수납부로 이송하는 이송 유닛; 및 상기 공정 처리부로 투입된 선행 웨이퍼의 공정 레시피와 상기 공정 처리부로 투입되기 위해 대기하는 후행 웨이퍼 의 공정 레시피가 서로 다른 경우, 공정 순서와 각 공정 단계에서 사용하는 처리 유닛의 개수에 근거하여 적절한 스킵 사이클을 설정하고, 상기 선행 웨이퍼 투입 후 상기 스킵 사이클만큼의 시간이 경과하면 상기 후행 웨이퍼를 상기 공정 처리부로 투입하도록 상기 이송 유닛의 동작을 제어하는 제어유닛을 포함한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes an accommodating portion in which a plurality of wafers are accommodated; A process processing unit comprising a plurality of processing units and sequentially receiving the wafers and processing the wafers based on a process recipe of each wafer; A transfer unit for sequentially transferring the wafers accommodated in the accommodating part to the process processor and transferring the wafers processed by the process processor to the accommodating part; And if the process recipe of the preceding wafer introduced into the process processing unit and the process recipe of the subsequent wafer waiting to be introduced into the process processing unit are different, an appropriate skip cycle based on the process sequence and the number of processing units used in each process step. And a control unit for controlling the operation of the transfer unit to feed the trailing wafer into the process processor when the skip cycle has elapsed after the preceding wafer is loaded.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 공정 처리부는 도포 공정을 수행하는 도포 모듈, 현상 공정을 수행하는 현상 모듈, 및 베이크 공정을 수행하는 베이크 모듈을 포함하고, 각 모듈은 하나 이상의 처리 유닛으로 이루어진다.In one embodiment of the present invention, the process treatment unit includes a coating module for performing the coating process, a developing module for performing the developing process, and a baking module for performing the baking process, each module consisting of one or more processing units.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제어유닛은 상기 선행 웨이퍼의 공정 단계들과 상기 후행 웨이퍼의 공정 단계들을 비교하고, 서로 동일한 공정 단계이 있는 경우, 상기 동일 공정 단계에서 상기 선행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수와 상기 후행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수의 차이값을 출력하는 비교 처리부; 상기 차이값과 기 설정된 초기 스킵 사이클을 더하여 상기 스킵 사이클을 재설정하는 스킵 사이클 설정부; 및 재설정된 상기 스킵 사이클에 근거하여 상기 후행 웨이퍼가 상기 공정 처리부로 투입되는 시기를 결정하는 이송유닛 제어부를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the control unit compares the processing steps of the preceding wafer with the processing steps of the following wafer, and if there is the same processing step, the processing unit used by the preceding wafer in the same processing step A comparison processor for outputting a difference value between the number of and the number of processing units used by the subsequent wafer; A skip cycle setting unit configured to reset the skip cycle by adding the difference value and a preset initial skip cycle; And a transfer unit controller configured to determine when the trailing wafer is introduced into the process processor based on the reset skip cycle.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 상기 베이크 모듈은 서로 다른 베이크 공정을 수행하는 다수의 베이크 블럭을 포함하고, 각 베이크 블럭은 하나 이상의 처리 유닛으로 이루어지며, 각 처리 유닛에는 냉각 플레이트와 가열 플레이트가 구비된다.In one embodiment of the present invention, the bake module includes a plurality of bake blocks for performing different bake processes, each bake block comprising one or more processing units, each processing unit having a cooling plate and a heating plate. It is provided.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 비교 처리부는 상기 각 베이크 블럭에 포함된 각각의 처리 유닛이 동시에 수용할 수 있는 웨이퍼의 개수를 판단하고, 상기 웨 이퍼의 개수에 따라서 상기 처리 유닛의 개수를 결정한다.In one embodiment of the present invention, the comparison processing unit determines the number of wafers that each processing unit included in each baking block can accommodate at the same time, and determines the number of processing units according to the number of wafers. do.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제어유닛은 상기 각 처리 유닛 내에 웨이퍼가 존재하는지의 여부를 감지하는 처리유닛 감지부; 및 상기 처리유닛 감지부로부터의 감지신호에 근거하여 상기 선행 웨이퍼가 투입된 시점부터 상기 후행 웨이퍼의 경로 상에 존재하는 처리 유닛들 중 상기 웨이퍼가 존재하지 않는 처리 유닛의 개수를 카운팅하는 카운터를 더 포함한다.In one embodiment of the present invention, the control unit includes a processing unit detecting unit for detecting whether a wafer exists in each processing unit; And a counter for counting the number of processing units in which the wafer does not exist among processing units existing on the path of the subsequent wafer from the time when the preceding wafer is input based on the detection signal from the processing unit detector. do.
여기서, 상기 스킵 사이클 설정부는 상기 초기 스킵 사이클과 상기 차이값이 합산된 값에서 상기 카운팅 값을 감하여 상기 스킵 사이클을 재설정한다.Here, the skip cycle setting unit resets the skip cycle by subtracting the counting value from the sum of the initial skip cycle and the difference value.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 제어 방법은 이송 유닛을 통해서 다수의 웨이퍼가 수납된 수납부로부터 순차적으로 상기 웨이퍼들을 인출하여 공정 처리부로 제공하는 단계; 상기 공정 처리부에서 각 웨이퍼의 공정 레시피에 근거하여 상기 다수의 웨이퍼를 순차적으로 처리하는 단계; 상기 공정 처리부로 투입된 선행 웨이퍼의 공정 레시피와 상기 공정 처리부로 투입되기 위해 대기하는 후행 웨이퍼의 공정 레시피가 서로 다른 경우, 공정 순서와 각 공정 단계에서 사용하는 처리 유닛의 개수에 근거하여 적절한 스킵 사이클을 설정하는 단계; 및 상기 선행 웨이퍼 투입 후 상기 스킵 사이클 만큼의 시간이 경과하면 상기 후행 웨이퍼를 상기 공정 처리부로 투입하도록 상기 이송 유닛의 동작을 제어하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, a method of controlling a semiconductor manufacturing facility includes: sequentially extracting the wafers from an accommodating part in which a plurality of wafers are accommodated through a transfer unit and providing the same to a process processor; Sequentially processing the plurality of wafers based on a process recipe of each wafer in the process processor; If the process recipe of the preceding wafer introduced into the process processing unit and the process recipe of the subsequent wafer waiting to be introduced into the process processing unit are different, an appropriate skip cycle is performed based on the process sequence and the number of processing units used in each process step. Setting up; And controlling the operation of the transfer unit to feed the trailing wafer into the process processor when the skip cycle has elapsed after the preceding wafer.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 공정 처리부는 도포 공정을 수행하는 도포 모듈, 현상 공정을 수행하는 현상 모듈, 및 베이크 공정을 수행하는 베이크 모듈을 포함하고, 각 모듈은 하나 이상의 처리 유닛으로 이루어진다.In one embodiment of the present invention, the process treatment unit includes a coating module for performing the coating process, a developing module for performing the developing process, and a baking module for performing the baking process, each module consisting of one or more processing units.
여기서, 상기 스킵 사이클을 설정하는 단계는 상기 선행 웨이퍼의 공정 스텝들과 상기 후행 웨이퍼의 공정 스텝들을 비교하는 단계; 비교 결과 서로 동일한 공정 스텝이 있는 경우, 상기 동일 공정 스텝에서 상기 선행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수와 상기 후행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수의 차이값을 출력하는 단계; 및 상기 차이값과 기 설정된 초기 스킵 사이클을 더하여 상기 스킵 사이클을 재설정하는 단계를 포함한다.The setting of the skip cycle may include comparing the process steps of the preceding wafer and the process steps of the following wafer; Outputting a difference value between the number of processing units used by the preceding wafer and the number of processing units used by the subsequent wafer when the comparison results in the same process step; And resetting the skip cycle by adding the difference value and a predetermined initial skip cycle.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 베이크 모듈은 서로 다른 베이크 공정을 수행하는 다수의 베이크 블럭을 포함하고, 각 베이크 블럭은 하나 이상의 처리 유닛으로 이루어지며, 각 처리 유닛에는 냉각 플레이트와 가열 플레이트가 구비한다.In one embodiment of the present invention, the baking module includes a plurality of baking blocks for performing different baking processes, each baking block is composed of one or more processing units, each processing unit is provided with a cooling plate and a heating plate do.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 차이값을 출력하는 단계는, 상기 베이크 블럭에 포함된 각 처리 유닛이 동시에 수용할 수 있는 웨이퍼의 개수를 판단하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 개수에 따라서 상기 처리 유닛의 개수를 결정하는 단계를 더 포함한다.In one embodiment of the present disclosure, the outputting of the difference value may include determining a number of wafers that each processing unit included in the baking block may simultaneously accommodate; And determining the number of processing units according to the number of wafers.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 반도체 제조 설비의 제어 방법은 상기 선행 웨이퍼가 투입된 시점부터 상기 후행 웨이퍼의 경로 상에 존재하는 처리 유닛들 각각에 구비되어, 상기 웨이퍼가 존재하는지의 여부를 감지하는 단계; 및 상기 웨이퍼가 존재하지 않는 처리 유닛의 개수를 카운팅하는 단계를 더 포함한다.In one embodiment of the invention, the method of controlling the semiconductor manufacturing equipment is provided in each of the processing units present on the path of the following wafer from the time when the preceding wafer is inserted, to detect whether the wafer is present. step; And counting the number of processing units in which the wafer is not present.
여기서, 상기 스킵 사이클을 설정하는 단계는 상기 초기 스킵 사이클과 상기 차이값이 합산된 값에서 상기 카운팅 값을 감하여 상기 스킵 사이클을 재설정한다.In the setting of the skip cycle, the skip cycle is reset by subtracting the counting value from the sum of the initial skip cycle and the difference value.
이와 같은 반도체 제조 설비 및 이의 제어 방법에 따르면, 선행 웨이퍼와 후행 웨이퍼 각각의 공정 레시피에 근거하여 각각의 공정 스텝과 경로를 비교하여 스킵 사이클을 설정하고, 스킵 사이클 경과 후에 후행 웨이퍼를 공정 처리부로 투입하도록 이송 유닛의 동작을 제어한다.According to such a semiconductor manufacturing facility and a control method thereof, a skip cycle is set by comparing respective process steps and paths based on the process recipes of each of the preceding wafer and the following wafer, and the trailing wafer is introduced into the processing unit after the skip cycle has elapsed. Control the operation of the transfer unit.
따라서, 후행 웨이퍼와 선행 웨이퍼와의 투입시간간격을 적절하게 유지할 수 있고, 그 결과 후행 웨이퍼가 처리 유닛 내에서 대기하는 것을 방지하거나, 대기하는 시간을 단축시킬 수 있다.Therefore, it is possible to appropriately maintain the interval of input time between the trailing wafer and the preceding wafer, and as a result, it is possible to prevent the trailing wafer from waiting in the processing unit or to shorten the waiting time.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 베이크 모듈의 측면도이다.1 is a view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a side view of the baking module shown in FIG.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 반도체 기판(이하, '웨이퍼') 상에 사진 공정(photo-lithography process)을 수행한다. 예컨대, 상기 반도체 제조 설비(100)는 도포 공정, 현상 공정, 베이크 공정을 일괄적으로 처리하는 스피너 설비(spinner facility)일 수 있다. 상기 스피너 설비는 수납부(110), 이송 유닛(120), 및 공정 처리부(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the
상기 수납부(110)는 다수의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 포한다. 이 실시예에 있어서, 상기 수납부(110)는 네 개의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 구비하나, 상기 로드 포트들(110a, 110b, 110c, 110d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(100)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.The
상기 로드 포트들(110a, 110b, 110c, 110d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(미도시)이 안착된다. 각 풉은 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 각 풉에는 공정 처리부(130)에 의해서 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 공정 처리부(130)로 로 투입되어 처리될 웨이퍼들을 수납한다.Front Open Unified Pods (FOUPs) (not shown) in which wafers are accommodated are mounted in the
상기 이송 유닛(120)은 인덱스 로봇(Index Robot)(121), 버퍼부(122), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(123)을 포함한다.The
상기 인덱스 로봇(121)은 상기 수납부(110)와 상기 버퍼부(122) 사이에 구비되고, 상기 인덱스 로봇(121)의 아래에는 상기 인덱스 로봇(121)을 상기 수납부(110)에 각 풉들이 배열된 방향으로 이동시키기 위한 제1 이송 레일(124)이 설치된다. 상기 인덱스 로봇(121)은 상기 제1 이송 레일(124)을 따라 이동하며 상기 버퍼부(122)와 상기 수납부(110) 사이에서 웨이퍼들을 이송한다.The
상기 버퍼부(122)에는 상기 인덱스 로봇(121)으로부터 이송된 웨이퍼가 안착되는 지지부(122a)가 구비된다. 상기 메인 이송 로봇(123)은 상기 지지부(122a)에 안착되어 있는 웨이퍼를 상기 공정 처리부(130)로 이송한다. 상기 메인 이송 로봇(123)의 아래에는 상기 메인 이송 로봇(123)은 수평 및 수직 방향으로 이동시키기 위한 제2 이송 레일(125)이 구비된다.The
상기 공정 처리부(130)는 도포모듈(coat unit)(131), 현상모듈(develope unit)(132), 및 베이크 모듈(bake unit)(133)을 포함한다. 도포모듈(131)은 웨이퍼 상에 감광액(photoresist)를 도포하여 감광막을 도포하는 공정을 수행하고, 현상모듈(132)은 웨이퍼 상에 현상액을 분사하여 웨이퍼 상의 감광막을 현상하는 공정을 수행한다. 베이크 모듈(133)은 웨이퍼를 기설정된 공정 온도로 가열 및 냉각하는 베이크 공정을 수행한다. 상기 도포모듈(131)과 상기 현상모듈(132)은 상기 메인 이송 로봇(123)을 기준으로 하측에 배치되고, 상기 베이크 모듈(133)은 상측에 배치된다. 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 도포모듈(131)과 상기 현상모듈(132) 각각은 복층 구조로 배치된 다수의 처리유닛을 포함할 수 있다.The
도 2를 참조하면, 상기 베이크 모듈(133)은 제1 베이크 블럭(B1), 제2 베이크 블럭(B2), 및 제3 베이크 블럭(B3)으로 나뉜다. 제1 내지 제3 베이크 블럭(B1, B2, B3)은 서로 상이한 베이크 공정을 수행한다. 예컨대, 제1 베이크 블럭(B1)은 감광액(PR:Photo-resist)의 도포 효율을 상승시키기 위한 약품(이하, '밀착제'라 함)을 웨이퍼 상에 공급하는 어드히젼 공정을 수행하고, 제2 베이크 블럭(B2)은 도포 공정 전의 베이크 공정을 수행하며, 제3 베이크 블럭(B3)은 도포 공정 이후의 베이크 공정을 수행한다.Referring to FIG. 2, the
또한, 각 베이크 블럭(B1, B2, B3)은 복층구조로 배치된 다수개의 베이크 유닛(133-a, 133-b, 133-c)으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예로써 도 2에서는 각 베이크 블럭(B1, B2, B3, B4)이 4개의 베이크 유닛들으로 이루어진 구조를 제시하였다.In addition, each of the baking blocks B1, B2, and B3 may include a plurality of baking units 133-a, 133-b, and 133-c arranged in a multilayer structure. As an embodiment of the present invention in Figure 2 each bake block (B1, B2, B3, B4) has a structure consisting of four baking units.
베이크 유닛들(133-a, 133-b, 133-c) 각각은 그 내부에 나란하게 배치된 냉 각 플레이트(cooling plate)(10) 및 가열부재(heating plate)(20)를 포함한다. 상기 냉각 플레이트(10)는 웨이퍼를 기설정된 공정온도로 냉각하고, 가열 플레이트(20)는 웨이퍼를 기설정된 공정온도로 가열한다. 여기서, 서로 다른 블럭에 포함된 베이크 유닛들은 서로 상이한 온도로 웨이퍼를 냉각 및 가열할 수 있다.Each of the baking units 133-a, 133-b, and 133-c includes a
도 3은 도 1에 도시된 이송 유닛의 동작을 제어하는 제어 유닛의 블럭도이다.3 is a block diagram of a control unit that controls the operation of the transfer unit shown in FIG. 1.
도 3을 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 이송 유닛의 동작을 제어하는 제어 유닛(140)을 더 포함한다. Referring to FIG. 3, the
상기 제어 유닛(140)은 비교 처리부(141), 스킵 사이클 설정부(142), 처리 유닛 감지부(143), 카운터(144), 및 이송유닛 제어부(145)를 포함한다.The control unit 140 includes a
상기 비교 처리부(141)는 선행 웨이퍼의 공정 레시피(R1)과 후행 웨이퍼의 공정 레시피(R2)를 비교하고, 두 공정 레시피가 서로 다른 경우, 선행 웨이퍼의 공정 단계들과 후행 웨이퍼의 공정 단계들을 비교한다. 비교 결과 서로 동일한 공정 단계가 있는 경우, 상기 동일 공정 단계에서 상기 선행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수와 상기 후행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수의 차이값(DIF)을 출력한다.The
한편, 상기 비교 처리부(141)는 상기 동일 공정 단계가 베이크 공정 단계인 경우에는 각 베이크 블럭(B1, B2, B3, 도 2에 도시됨)에 포함된 베이크 유닛들 각각이 동시에 수용할 수 있는 웨이퍼의 개수를 먼저 판단한다. 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 각 베이크 유닛은 냉각 및 가열 플레이트(10, 20)를 구비한다. 여기서, 냉각 및 가열 플레이트(10, 20) 각각에 웨이퍼가 각각 구비될 수 있는 경우 상기 베이크 유닛들 각각은 2개의 웨이퍼를 수용할 수 있다. 그러나, 오직 냉각 플레이트(10)만을 이용하여 베이크 공정을 처리하는 베이크 유닛의 경우 1개의 웨이퍼만을 수용할 수 있다.Meanwhile, when the same process step is a bake process step, the
각 베이크 유닛이 2개의 웨이퍼를 수용하는 유닛으로 판단되면, 상기 비교 처리부(141)는 그 베이크 유닛을 2개의 처리 유닛으로 카운팅한다. 그러나, 각 베이크 유닛이 1개의 웨이퍼를 수용하는 유닛으로 판단되면, 상기 비교 처리부(141)는 그 베이크 유닛을 1개의 처리 유닛으로 카운팅한다.If it is determined that each bake unit is a unit that accommodates two wafers, the
상기 선행 및 후행 웨이퍼 사이의 동일 공정 단계에서 처리 유닛의 개수의 차이값(DIF)이 설정되면, 이를 상기 스킵 유닛 설정부(142)로 제공한다.When the difference value DIF of the number of processing units is set in the same process step between the preceding and subsequent wafers, the difference unit DIF is provided to the skip
상기 스킵 사이클 설정부(142)는 상기 차이값(DIF)을 입력받고, 기 설정된 초기 스킵 사이클(SKC1)에 상기 차이값을 더하여 상기 스킵 사이클(SKC2)을 재설정한다. 결국, 동일한 공정 단계에서 상기 선행 웨이퍼와 상기 후행 웨이퍼 각각이 사용하는 처리 유닛의 개수가 다른 경우 재설정된 상기 스킵 사이클(SKC2)은 상기 초기 스킵 사이클(SKC1)보다 증가하는 것이다.The skip
한편, 상기 처리 유닛 감지부(143)는 상기 선행 웨이퍼가 투입된 시점부터 상기 후행 웨이퍼의 경로 상에 존재하는 처리 유닛들의 상태를 감지한다. 특히, 상기 처리 유닛 감지부(143)는 각 처리 유닛 내에 웨이퍼가 존재하는지의 여부를 감지하고, 감지 결과를 감지 신호(SEN)로써 상기 카운터(144)로 전송한다.Meanwhile, the
상기 카운터(144)는 상기 감지 신호(SEN)에 근거하여 상기 웨이퍼가 존재하 지 않는 처리 유닛의 개수를 카운팅한다. 카운팅된 값(CNT)은 상기 스킵 사이클 설정부(142)로 제공된다.The
상기 스킵 사이클 설정부(142)는 상기 초기 스킵 사이클(SKC1)과 상기 차이값(DIF)이 합산된 값에서 상기 카운팅 값(CNT)을 감하여 상기 스킵 사이클(SKC2)을 재설정한다. 결국, 상기 웨이퍼가 존재하지 않는 처리유닛 개수에 따라서 상기 스킵 사이클(SKC2)은 감소할 수 있다.The skip
상기 이송유닛 제어부(145)는 상기 스킵 사이클에 근거하여 상기 이송유닛(120, 도 1에 도시됨)의 동작을 제어하는 제어신호(CON)를 출력한다. 결국, 상기 이송유닛 제어부(145)는 상기 선행 웨이퍼가 투입되고, 위와 같은 과정을 통해 결정된 상기 스킵 사이클(SKC2)에 대응하는 시간이 경과면, 상기 후행 웨이퍼을 상기 공정 처리부(130)로 투입하도록 상기 이송 유닛(120)의 동작시킨다. The
이처럼, 상기 선행 웨이퍼와 상기 후행 웨이퍼의 투입시간간격으로 정의되는 스킵 사이클은 상기 선행 웨이퍼와 상기 후행 웨이퍼 각각의 공정 스텝에서 사용하는 처리 유닛의 개수, 베이크 유닛에서 수용할 수 있는 웨이퍼의 개수, 또는 웨이퍼가 존재하지 않는 처리 유닛의 개수 등을 고려하여 설정된다.As such, the skip cycle defined by the input time interval of the preceding wafer and the subsequent wafer may include the number of processing units used in the process steps of the preceding wafer and the subsequent wafer, the number of wafers that can be accommodated in the baking unit, or The number is set in consideration of the number of processing units in which no wafer exists.
따라서, 상기 선행 웨이퍼와 상기 후행 웨이퍼의 투입시간간격이 적절히 조절되어 상기 후행 웨이퍼가 처리 유닛 내에서 오랜시간 대기하는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 상기 후행 웨이퍼 상에 형성된 막이 손상 또는 변형되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the input time interval of the preceding wafer and the trailing wafer is appropriately adjusted to prevent the trailing wafer from waiting for a long time in the processing unit, thereby preventing the film formed on the trailing wafer from being damaged or deformed. can do.
도 4는 도 3에 도시된 제어 유닛의 동작을 나타낸 순서도이다. 단, 도 4에서 는 선행 웨이퍼의 공정 레시피와 후행 웨이퍼의 공정 레시피가 서로 다른 경우로 한정하여 설명하기로 한다.4 is a flowchart illustrating the operation of the control unit shown in FIG. 3. However, in FIG. 4, the process recipe of the preceding wafer and the process recipe of the subsequent wafer will be limited to different cases.
도 4를 참조하면, 선행 웨이퍼의 공정 레시피와 후행 웨이퍼의 공정 레시피가 서로 다른 경우 상기 선행 웨이퍼의 공정 단계들과 상기 후행 웨이퍼의 공정 단계들을 비교한다. 비교 결과 서로 동일한 공정 단계가 있는 경우, 상기 동일 공정 단계에서 상기 선행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수와 상기 후행 웨이퍼가 사용하는 처리 유닛의 개수의 차이값(DIF)을 출력한다(S210).Referring to FIG. 4, when the process recipe of the preceding wafer is different from the process recipe of the subsequent wafer, the process steps of the preceding wafer and the process steps of the following wafer are compared. As a result of the comparison, when there is the same process step, the difference value DIF between the number of processing units used by the preceding wafer and the number of processing units used by the subsequent wafer is output in the same process step (S210).
상기 처리 유닛의 개수를 결정하는 과정에서 상기 베이크 블럭에 포함된 각 베이크 유닛이 동시에 수용할 수 있는 웨이퍼의 개수를 판단한다(S220). 상기 웨이퍼의 개수에 따라서 상기 처리 유닛의 개수를 결정할 수 있다. 구체적으로, 2개의 웨이퍼를 수용하는 처리 유닛은 2개의 처리 유닛으로 카운팅하므로 차이값(DIF)이 1만큼 증가될 수 있다. 그러나, 1개의 웨이퍼만을 수용하는 처리 유닛은 1개의 처리 유닛으로 카운팅하므로 차이값(DIF)은 변화하지 않을 수 있다(S230).In the process of determining the number of processing units, the number of wafers that can be accommodated simultaneously by each baking unit included in the baking block is determined (S220). The number of processing units may be determined according to the number of wafers. Specifically, since the processing unit accommodating two wafers is counted as two processing units, the difference value DIF may be increased by one. However, since the processing unit accommodating only one wafer is counted as one processing unit, the difference value DIF may not change (S230).
또한, 상기 선행 웨이퍼가 투입된 시점부터 상기 후행 웨이퍼의 경로 상에 존재하는 처리 유닛들 각각에 구비되어, 상기 웨이퍼가 존재하는지의 여부를 감지한다(S240). In addition, it is provided in each of the processing units existing on the path of the following wafer from the time when the preceding wafer is inserted, and detects whether or not the wafer exists (S240).
다음, 상기 웨이퍼가 존재하지 않는 처리 유닛의 개수(CNT)를 카운팅한다(S250).Next, the number of processing units (CNT) in which the wafer does not exist is counted (S250).
따라서, 상기 차이값(DIF)과 기 설정된 초기 스킵 사이클(SKC1)을 더한 값에 상기 카운팅 값(CNT)을 감하여 스킵 사이클(SKC2)을 재설정한다(S260).Therefore, the skip cycle SKC2 is reset by subtracting the counting value CNT from the sum of the difference value DIF and the preset initial skip cycle SKC1 (S260).
이후, 상기 선행 웨이퍼 투입 후 상기 스킵 사이클(SKC2) 만큼의 시간이 경과하면 상기 후행 웨이퍼를 상기 공정 처리부(130)로 투입한다(S270).Subsequently, when a time equal to the skip cycle SKC2 elapses after the input of the preceding wafer, the subsequent wafer is introduced into the process processor 130 (S270).
이처럼, 상기 선행 웨이퍼와 상기 후행 웨이퍼의 투입시간간격으로 정의되는 스킵 사이클은 상기 선행 웨이퍼와 상기 후행 웨이퍼 각각의 공정 스텝에서 사용하는 처리 유닛의 개수, 각 베이크 유닛에서 수용할 수 있는 웨이퍼의 개수, 또는 웨이퍼가 존재하지 않는 처리 유닛의 개수 등을 고려하여 설정된다.As such, the skip cycle defined by the input time interval of the preceding wafer and the subsequent wafer may include the number of processing units used in each of the process steps of the preceding wafer and the subsequent wafer, the number of wafers that can be accommodated in each baking unit, Or the number of processing units in which no wafer exists.
따라서, 후행 웨이퍼와 선행 웨이퍼와의 간격이 적절하게 유지될 수 있고, 그 결과 후행 웨이퍼가 처리 유닛 내에서 대기하는 것을 방지하거나, 대기하는 시간을 단축시킬 수 있다.Therefore, the distance between the trailing wafer and the preceding wafer can be properly maintained, and as a result, it is possible to prevent the trailing wafer from waiting in the processing unit or to shorten the waiting time.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 베이크 모듈의 측면도이다.FIG. 2 is a side view of the bake module shown in FIG. 1.
도 3은 도 1에 도시된 이송 유닛의 동작을 제어하는 제어 유닛의 블럭도이다.3 is a block diagram of a control unit that controls the operation of the transfer unit shown in FIG. 1.
도 4는 도 2에 도시된 제어 유닛의 동작을 나타낸 순서도이다.4 is a flowchart illustrating an operation of the control unit shown in FIG. 2.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
100 : 반도체 제조 설비 110 : 수납부100
120 : 이송유닛 130 : 공정 처리부120: transfer unit 130: process processing unit
140 : 제어유닛140: control unit
Claims (13)
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2008
- 2008-10-16 KR KR1020080101637A patent/KR101015955B1/en not_active IP Right Cessation
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