KR101006866B1 - Guide beam for mounting of single crystal ingot and method for mounting single crystal ingot using the same - Google Patents

Guide beam for mounting of single crystal ingot and method for mounting single crystal ingot using the same Download PDF

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Abstract

슬라이싱 공정시 단결정 잉곳 양쪽 끝 사이드(side)부의 웨이퍼 나노토포그래피(nano topography) 품질 열위가 발생하는 것을 해결할 수 있는 새로운 마운팅 장치 부품과 마운팅 방법을 제공한다. 본 발명에서 제공하는 새로운 마운팅 장치 부품은 가이드 빔(guide beam)으로서, 와이어 쏘잉될 단결정 잉곳의 적어도 어느 한쪽 단면에 부착되어 상기 잉곳 절단시 휘어짐을 방지한다. 본 발명에 따르면, 가이드 빔을 적용함에 따라 커팅 후반부 휨을 방지함으로써, 워피지(warpage) 및 웨이비니스(waviness) 발생을 제어하여 나노토포그래피 품질을 개선할 수 있다. It provides a new mounting device component and mounting method that can solve wafer nano topography quality inferiority at both ends of single crystal ingot during slicing process. The new mounting apparatus component provided by the present invention is a guide beam, which is attached to at least one end surface of the single crystal ingot to be sawed to prevent bending during cutting of the ingot. According to the present invention, by applying the guide beam to prevent the bending of the second half of the cutting, it is possible to control the warpage and the appearance (waaviness) to improve the nanotopography quality.

Description

단결정 잉곳의 마운팅을 위한 가이드 빔 및 이를 이용한 마운팅 방법{Guide beam for mounting of single crystal ingot and method for mounting single crystal ingot using the same}Guide beam for mounting of single crystal ingot and method for mounting single crystal ingot using the same}

본 발명은 실리콘 잉곳과 같은 단결정 잉곳을 웨이퍼 모양으로 절단하는 슬라이싱 공정(slicing process)에 필요한 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for a slicing process for cutting a single crystal ingot, such as a silicon ingot, into a wafer shape.

일반적으로 단결정 잉곳의 성장(growth) 공정이 완료된 후 단결정 웨이퍼로 제조하기 위해 단결정 잉곳을 낱장 단위로 절단하는 슬라이싱 공정이 진행된다. 이러한 슬라이싱 공정은 여러 가지 방식이 있는데, 그 대표적인 것은 피아노 와이어 또는 고장력 와이어를 빠른 속도로 왕복 주행시키면서 그 위에 슬러리(slurry) 용액을 분사시켜 와이어에 묻은 슬러리와 단결정 잉곳의 마찰에 의해 절단하는 와이어 쏘(W.S : Wire Saw) 방식이다. 와이어 쏘 방식은 단결정 잉곳을 동시에 여러 개의 단결정 웨이퍼로 절단할 수 있어 단위 시간당 생산수율을 향상시킬 수 있기 때문에 현재 널리 쓰이고 있다. In general, after the growth process of the single crystal ingot is completed, a slicing process is performed in which the single crystal ingot is cut into sheets for manufacturing into a single crystal wafer. This slicing process has a variety of methods, a typical example of which is a wire saw that is reciprocating running a piano wire or a high-tensile wire at high speed while spraying a slurry solution thereon to cut by friction between the slurry on the wire and the single crystal ingot (WS: Wire Saw) method. The wire saw method is widely used because the single crystal ingot can be cut into several single crystal wafers at the same time to improve the production yield per unit time.

이러한 와이어 쏘 공정을 진행하기 전 준비 공정으로서 단결정 잉곳 마운팅 공정이 진행된다. 종래의 마운팅 공정을 개략적으로 도시한 구성도인 도 1을 참조 하면, 에폭시와 같은 유기물 본드(7)를 이용하여 마운터 빔(mounter beam)(1)을 작동 플레이트(3)에 부착시킨 후, 위와 다른 종류의 에폭시 본드(9)를 이용하여 단결정 잉곳(5)을 마운터 빔(1)에 부착시킨다. 유기물 본드(7)와 에폭시 본드(9)를 경화시키게 되면 마운터 빔(1), 작동 플레이트(3) 및 단결정 잉곳(5)은 서로 부착될 수 있다. 마운터 빔(1) 및 작동 플레이트(3)가 부착된 상태로 단결정 잉곳(5)은 이후 와이어 쏘 장비에 로딩되어 커팅됨으로써 슬라이싱 공정이 진행된다.Before proceeding with such a wire saw process, a single crystal ingot mounting process is performed. Referring to FIG. 1, which is a schematic diagram illustrating a conventional mounting process, after attaching a mounter beam 1 to an operation plate 3 using an organic bond 7, such as epoxy, Another type of epoxy bond 9 is used to attach the single crystal ingot 5 to the mounter beam 1. When the organic bond 7 and the epoxy bond 9 are hardened, the mounter beam 1, the operation plate 3 and the single crystal ingot 5 may be attached to each other. With the mounter beam 1 and the operating plate 3 attached, the single crystal ingot 5 is then loaded into the wire saw equipment and cut to proceed with the slicing process.

그러나, 종래의 마운팅 공정을 통해 단결정 잉곳을 마운팅한 후 슬라이싱을 완료하여 웨이퍼 품질을 확인해 보면 잉곳 길이 위치별로 품질에 차이가 있는 것을 확인할 수 있다. 특히 잉곳 기준 양쪽 끝 사이드(side)부 웨이퍼 나노토포그래피(nano topography) 품질 열위가 두드러지는 문제가 있는데, 웨이퍼의 휨(이후 워피지(warpage)라 함), 물결 무늬(이후 웨이비니스(waviness)라 함) 등의 발생이 주된 현상이다. However, after mounting the single crystal ingot through the conventional mounting process and checking the wafer quality by completing the slicing, it can be seen that there is a difference in quality for each ingot length position. In particular, there is a problem that the ingot-based wafer side top wafer quality inferiority is prominent. Is the main phenomenon.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 착상된 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 단결정 잉곳 길이 위치별로 슬라이싱 품질에 있어서 차이가 발생하는 것을 감소시킬 수 있는 마운팅 장치 부품 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-described problems, and the problem to be solved by the present invention is to provide a mounting apparatus component and method which can reduce the occurrence of a difference in the slicing quality for each single crystal ingot length position.

본 발명자들은 단결정 잉곳 양쪽 끝 사이드부의 웨이퍼 나노토포그래피 품질 열위가 발생하는 이유가 커팅 후반부에 웨이퍼가 양쪽으로 휘어지는 현상에 기인한 것임을 발견하였다. 이에 상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는 커팅 후반부 휨을 방지할 수 있도록 새로운 부가적인 마운팅 장치 부품으로서 이른바 "가이드 빔(guide beam)"을 제안한다.The inventors have found that the reason why the wafer nanotopography quality inferiority occurs at both end sides of the single crystal ingot is due to a phenomenon in which the wafer is bent at both sides in the second half of the cutting. In order to solve the above problem, the present invention proposes a so-called "guide beam" as a new additional mounting device component to prevent the second half of the cutting.

본 발명에 따른 가이드 빔은 와이어 쏘잉될 단결정 잉곳의 적어도 어느 한쪽 단면에 부착되어 상기 잉곳 절단시 휘어짐을 방지한다. The guide beam according to the present invention is attached to at least one end surface of the single crystal ingot to be sawed to prevent bending during cutting of the ingot.

바람직하게는, 상기 가이드 빔은 측면에 비하여 상면과 하면이 넓은 판상 부재로서 상기 가이드 빔의 측면은 상기 잉곳의 외주연 형상을 따른 마주보는 두 곡면과 상기 두 곡면의 마주보는 가장자리끼리 연결하는 두 평면으로 이루어진다. 그리고, 60~65%의 레진(resin)과 30~35%의 CaCO3를 포함하는 재질로 이루어진다.Preferably, the guide beam is a plate-shaped member having a wider upper and lower surfaces than the side surfaces, and the side surfaces of the guide beams connect two opposite surfaces along the outer circumferential shape of the ingot and two opposite surfaces of the two curved surfaces. Is done. And, it is made of a material containing 60 to 65% resin (resin) and 30 to 35% CaCO 3 .

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 단결정 잉곳의 마운팅 방법은, 와이어 쏘잉될 단결정 잉곳의 외주연에 마운터 빔을 부착시키는 단계, 및 상기 잉곳의 적어도 어느 한쪽 단면에 상기 잉곳 절단시 휘어짐을 방지하는 본 발명에 따른 가이드 빔을 부착시키는 단계를 포함한다.Method for mounting a single crystal ingot according to the present invention for solving the above problems, the step of attaching a mounter beam to the outer periphery of the single crystal ingot to be sawed, and to prevent bending during cutting the ingot on at least one end surface of the ingot Attaching a guide beam according to the invention.

이 때, 상기 가이드 빔의 하면에 에폭시를 도포하여 상기 잉곳의 단면에 부착하거나, 상기 가이드 빔의 하면 중 상기 곡면 부위에 에폭시를 도포하여 상기 잉곳의 단면에 부착할 수 있다. In this case, an epoxy may be applied to a lower surface of the guide beam and attached to the end surface of the ingot, or an epoxy may be applied to the curved portion of the lower surface of the guide beam and attached to the end surface of the ingot.

본 발명에 따르면, 가이드 빔을 적용하여 커팅 후반부 휨을 방지함으로써, 워피지 및 웨이비니스 발생을 제어하여 나노토포그래피 품질을 개선할 수 있다. According to the present invention, by applying the guide beam to prevent the bending of the second half of the cutting, it is possible to control the warpage and waveiness generation to improve the nanotopography quality.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only this embodiment is to complete the disclosure of the present invention, those skilled in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the scope of the invention, and the invention is defined only by the scope of the claims.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가이드 빔의 평면도이고, 도 3은 측면도이다. 도 4는 가이드 빔의 사용 상태를 보여주기 위해 단결정 잉곳의 마운팅 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.Figure 2 is a plan view of a guide beam according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is a side view. Figure 4 is a schematic diagram showing a mounting apparatus of a single crystal ingot to show the state of use of the guide beam.

도 2 내지 도 4를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 가이드 빔(100)은 와이어 쏘잉될 단결정 잉곳(30)의 적어도 어느 한쪽 단면에 부착되어 상기 잉곳(30) 절단시 휘어짐을 방지한다.2 to 4, the guide beam 100 according to the present invention is attached to at least one end surface of the single crystal ingot 30 to be sawed to prevent bending during cutting of the ingot 30.

상기 가이드 빔(100)은 측면(130, 140, 150, 160)에 비하여 상면(110)과 하면(120)이 넓은 판상 부재이다. 상기 가이드 빔의 측면(130, 140, 150, 160)은 상기 잉곳(30)의 외주연 형상을 따른 마주보는 두 곡면(130, 140)과 상기 두 곡면(130, 140)의 마주보는 가장자리끼리 연결하는 두 평면(150, 160)으로 이루어진다.The guide beam 100 is a plate member having a wider upper surface 110 and lower surface 120 than the side surfaces 130, 140, 150, and 160. Side surfaces 130, 140, 150, and 160 of the guide beam are connected to two opposite surfaces 130 and 140 facing the outer periphery of the ingot 30 and opposite edges of the two curved surfaces 130 and 140. It consists of two planes (150, 160).

상기 가이드 빔(100)의 치수(dimension)는 적용하려는 잉곳(30) 직경과 수치를 감안하여 가이드 빔(100)의 하면(120)을 잉곳(30) 단면에 부착할 수 있도록 설 계하는데, 도시한 것은 잉곳(30) 직경이 300mm인 경우이다. 예를 들어, 가이드 빔(100)의 중심(C)으로부터 두 곡면(130, 140) 까지의 거리는 150mm± 0.5mm, 폭(w)은 90mm± 0.5mm, 두께(d)는 10mm± 0.3mm, 그리고 두 평면(150, 160)의 길이는 300mm± 0.5mm로 설계한다. 그러나, 폭(w)과 두께(d)는 필요에 따라 얼마든지 변경이 가능하다. The dimension of the guide beam 100 is designed to attach the lower surface 120 of the guide beam 100 to the cross section of the ingot 30 in consideration of the diameter and value of the ingot 30 to be applied. One is the case where the ingot 30 has a diameter of 300 mm. For example, the distance from the center C of the guide beam 100 to the two curved surfaces 130 and 140 is 150 mm ± 0.5 mm, the width w is 90 mm ± 0.5 mm, the thickness d is 10 mm ± 0.3 mm, And the length of the two planes (150, 160) is designed to be 300mm ± 0.5mm. However, the width w and the thickness d can be changed as many as necessary.

상기 가이드 빔(100) 재질은 60~65%의 레진과 30~35%의 CaCO3를 주성분으로 하며, 나머지 성분은 기타 첨가제일 수 있다. 레진이 65% 이상 포함되는 경우에는 레진 특성상 커팅 중 슬러리와의 간섭으로 품질에 다소 악영향을 줄 수 있을 것으로 여겨진다. 따라서, 65% 이하의 레진과 CaCO3 혼합물로 커팅시 슬러리와의 간섭을 최소화하도록 한다. The material of the guide beam 100 is 60-65% resin and 30-35% CaCO 3 as a main component, and the remaining components may be other additives. In the case where 65% or more of the resin is included, it is considered that the quality of the resin may be adversely affected by the interference with the slurry during cutting. Therefore, to minimize interference with the slurry when cutting with less than 65% of the resin and CaCO 3 mixture.

도 4를 더 참조하여 본 발명의 가이드 빔을 이용한 단결정 잉곳 마운팅 방법에 대해 상세히 설명한다.Referring to Figure 4 will be described in detail with respect to the single crystal ingot mounting method using a guide beam of the present invention.

도 4를 참조하면, 단결정 잉곳 마운팅 장치(50)는 프레임(10)과, 프레임(10)에 놓이는 마운터(20)와, 프레임(10)에 설치된 지지대(12)에 이동 가능하게 설치되어 마운터(20)에 놓인 단결정 잉곳(30)을 마운터(20) 방향으로 가압하기 위한 가압부재(40)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the single crystal ingot mounting apparatus 50 is installed to be movable on a frame 10, a mounter 20 placed on the frame 10, and a support 12 installed on the frame 10. 20 is provided with a pressing member 40 for pressing the single crystal ingot 30 placed in the direction of the mounter 20.

상기 프레임(10)은 장치의 기본적 틀로서 편평한 바닥면(14)과, 바닥면(14)에 실질적으로 수직으로 설치된 지지대(12)와, 지지대(12)를 따라 이동 가능하게 설치된 연장봉(16)과, 연장봉(16)에 설치되어 잉곳(30)의 상부를 하방으로 가압하 게 되는 가압부재(40)를 구비할 수 있다.The frame 10 has a flat bottom surface 14 as a basic frame of the device, a support 12 installed substantially perpendicular to the bottom surface 14, and an extension rod 16 movably installed along the support 12. And, it may be provided with an extension member 16 is provided with a pressing member 40 to press the upper portion of the ingot 30 downward.

상기 마운터(20)는 바닥면(14)에 위치 고정되는 것으로서 와이어 쏘 장비의 피드(feed)(미도시)에 설치될 소정 형태의 지그의 역할을 하기 위한 것으로서, 잉곳(30)의 외주연, 즉 라운드진 곡면에 상응하는 오목면이 형성된 그 어떤 지그도 이용될 수 있지만, 본 실시예에서는 바닥면(14)에 접촉되는 금속 재질의 작동 플레이트(24)와, 작동 플레이트(24)의 상면에 부착되고 잉곳(30)을 지지할 수 있는 소정 형태의 라운드진 오목면을 가진 마운터 빔(26), 그리고 특히 잉곳(30)의 단면에 부착되는 가이드 빔(100)으로 구성되는 예를 든다. The mounter 20 is fixed to the bottom surface 14 to serve as a jig of a predetermined type to be installed in a feed (not shown) of the wire saw equipment, the outer periphery of the ingot 30, That is, any jig in which a concave surface corresponding to a rounded curved surface is formed may be used, but in the present embodiment, a metal working plate 24 in contact with the bottom surface 14 and an upper surface of the working plate 24 are provided. An example consists of a mounter beam 26 having a rounded concave surface of some form attached and capable of supporting the ingot 30, and in particular a guide beam 100 attached to the cross section of the ingot 30.

상기 작동 플레이트(24)와 상기 마운터 빔(26)은 각각 잉곳(30)의 길이 방향과 나란하게 위치되고, 작동 플레이트(24)와 마운터 빔(26)은 에폭시 본드 등과 같은 제1 부착부재(28)에 의해 서로 부착되고, 마운터 빔(26)과 잉곳(30)은 제2 부착부재(22)에 의해 서로 부착된다. 여기서, 제2 부착부재(22)는 제1 부착부재(28)와 그 종류 면에서 서로 다른 것을 이용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상호 부착되는 재질의 특성에 의해 양호한 부착력을 획득하기 위함이다. 상기 제1 부착부재(28) 및 제2 부착부재(22)는 에폭시 본드 등과 같은 통상적인 유기물 본드를 사용하고 그 재질을 서로 다른 것을 사용하는 것이 바람직하다.The actuating plate 24 and the mounter beam 26 are each positioned side by side in the longitudinal direction of the ingot 30, and the actuating plate 24 and the mounter beam 26 are each provided with a first attachment member 28 such as an epoxy bond or the like. ) And the mounter beam 26 and the ingot 30 are attached to each other by the second attachment member 22. Here, it is preferable that the second attachment member 22 is different from the first attachment member 28 in terms of its kind. This is to obtain good adhesion by the characteristics of the material to be attached to each other. The first attachment member 28 and the second attachment member 22 preferably use a conventional organic bond such as an epoxy bond, and use different materials.

본 실시예에 따른 단결정 잉곳 마운팅 방법은 제1 부착부재(28)를 이용하여 마운터 빔(26)을 작동 플레이트(24)에 부착시키는 단계와, 위 제1 부착부재(28)와는 다른 것이 바람직한 제2 부착부재(22)를 이용하여 단결정 잉곳(30)의 외주연에 마운터 빔(26)을 부착시키는 단계, 그리고 본 발명에 따른 가이드 빔(100)을 단결 정 잉곳(30)의 단면에 부착시키는 단계로 이루어질 수 있다. In the single crystal ingot mounting method according to the present embodiment, the mounting beam 26 is attached to the operation plate 24 by using the first attachment member 28, and the first attachment member 28 is preferably different from the first attachment member 28. 2 attaching the mounter beam 26 to the outer periphery of the single crystal ingot 30 using the attachment member 22, and attaching the guide beam 100 according to the invention to the cross section of the single crystal ingot 30. It may consist of steps.

잉곳(30)에 마운터 빔(26), 작동 플레이트(24) 및 가이드 빔(100)이 부착되면 마운팅 공정은 종료되며 마운터 빔(26), 작동 플레이트(24) 및 가이드 빔(100)이 부착된 상태로 잉곳(30)을 와이어 쏘 장비에 로딩하여 커팅함으로써 슬라이싱 공정을 진행하게 된다.When the mounter beam 26, the operation plate 24, and the guide beam 100 are attached to the ingot 30, the mounting process is terminated and the mounter beam 26, the operation plate 24, and the guide beam 100 are attached. The slicing process is performed by loading and cutting the ingot 30 into the wire saw equipment in a state.

이 때, 상기 가이드 빔(100)은 그 하면(도 3의 120)에 에폭시를 도포하여 상기 잉곳(30)의 단면에 부착할 수가 있는데, 마운터 빔(26) 이외에 추가로 가이드 빔(100)을 부착하기 때문에 커팅 중 단선이 발생되면 잉곳(30)과 가이드 빔(100) 사이의 접착부재로 인하여 단선 조치(다시 와이어를 끼워 넣는 것)가 어려워질 수 있다. 또한, 와이어 쏘 장비에서 커팅 완료 후 잉곳(30)을 와이어 상부로 끌어올릴 때, 잉곳(30)과 가이드 빔(100) 사이의 접착부재에 와이어가 걸려 단선이 발생되는 경우도 발생될 수 있다. 이를 방지하기 위해서는 상기 가이드 빔(100)의 하면(120) 중 상기 곡면(도 2의 130, 140) 부위에 에폭시를 도포하여 상기 잉곳(30)의 단면에 부착하는 방법을 이용할 수도 있다. At this time, the guide beam 100 can be attached to the end surface of the ingot 30 by applying epoxy to the lower surface (120 of FIG. 3), the guide beam 100 in addition to the mounter beam 26 If the disconnection is generated during the cutting because of the attachment, it may be difficult to take the disconnection (inserting the wire again) due to the adhesive member between the ingot 30 and the guide beam 100. In addition, when pulling up the ingot 30 to the top of the wire after the cutting is completed in the wire saw equipment, a wire may be caught by the adhesive member between the ingot 30 and the guide beam 100 may occur. In order to prevent this, a method of applying epoxy to the curved surface (130, 140 of FIG. 2) of the lower surface 120 of the guide beam 100 may be used to attach to the end surface of the ingot 30.

도 5는 이렇게 본 발명에 따른 가이드 빔을 이용하여 단결정 잉곳을 마운팅한 후 와이어 쏘 장비에서 슬라이싱 공정을 진행하여 잉곳 길이에 따른 워피지 품질을 평가한 그래프이다.5 is a graph illustrating the warpage quality according to the ingot length by proceeding the slicing process in the wire saw equipment after mounting the single crystal ingot using the guide beam according to the present invention.

슬라이싱 후 잉곳 위치별 품질 측정 결과, 양쪽 단면의 웨이퍼 품질 열위 현상이 현저히 줄어든 것을 확인할 수 있다. 이것은 커팅 중 양쪽으로 웨이퍼가 휘어질 수 있는 경향을 본 발명에 따른 가이드 빔이 지지 역할을 해주는 것으로 판단 된다. 특히 본 발명에 따른 가이드 빔 적용 전(종래)에는 워피지의 최댓값이 18㎛에 달하였는데 본 발명을 적용한 후에는 워피지의 최댓값이 12㎛로 개선됨을 확인하였다. As a result of quality measurement by ingot position after slicing, it can be seen that the wafer quality inferiority of both cross sections is significantly reduced. It is determined that the guide beam according to the present invention supports the tendency of the wafer to bend to both sides during cutting. In particular, the maximum value of warpage reached 18 μm before (guideline) application of the guide beam according to the present invention. After application of the present invention, it was confirmed that the maximum value of warpage improved to 12 μm.

한편 도 6은 커팅 진행에 따른 웨이퍼 휨 프로파일인데, 웨이퍼 형상면에서도 커팅 후반부 휨이 줄어듦을 확인할 수 있다. 도 7과 같이 나노토포그래피 품질을 확인하였을 때도 개선된 결과를 보였으며 특히 커팅 종료시에 발생되는 웨이비니스 패턴은 발생하지 않은 것을 볼 수 있다. 특히 본 발명에 따른 가이드 빔 적용 전(종래)에는 웨이비니스가 26nm에 달하였는데 본 발명을 적용한 후에는 웨이비니스가 23nm로 개선되었다. On the other hand, Figure 6 is a wafer bending profile according to the progress of the cutting, it can be seen that the second half of the cutting in the wafer shape is reduced. When the nanotopography quality was confirmed as shown in FIG. 7, the results were improved, and in particular, the wave pattern generated at the end of the cutting did not occur. In particular, before the application of the guide beam (conventionally) according to the present invention, the wave length reached 26 nm, but after applying the present invention, the wave length was improved to 23 nm.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다. 본 발명의 실시예는 예시적이고 비한정적으로 모든 관점에서 고려되었으며, 이는 그 안에 상세한 설명 보다는 첨부된 청구범위와, 그 청구범위의 균등 범위와 수단내의 모든 변형예에 의해 나타난 본 발명의 범주를 포함시키려는 것이다. In the above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. Is obvious. Embodiments of the invention have been considered in all respects as illustrative and not restrictive, including the scope of the invention as indicated by the appended claims rather than the detailed description therein, the equivalents of the claims and all modifications within the means. I'm trying to.

도 1은 종래기술에 따른 단결정 잉곳의 마운팅 공정을 개략적으로 도시한 구성도.1 is a schematic view showing a mounting process of a single crystal ingot according to the prior art.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가이드 빔의 평면도이고, 도 3은 측면도이다. Figure 2 is a plan view of a guide beam according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is a side view.

도 4는 가이드 빔의 사용 상태를 보여주기 위해 단결정 잉곳의 마운팅 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.Figure 4 is a schematic diagram showing a mounting apparatus of a single crystal ingot to show the state of use of the guide beam.

도 5는 본 발명 적용 후 단결정 잉곳 길이에 따른 워피지 품질을 평가한 그래프이다.5 is a graph evaluating warpage quality according to the length of single crystal ingot after applying the present invention.

도 6은 본 발명 적용 후 커팅 진행에 따른 웨이퍼 휨 프로파일이다.6 is a wafer bending profile according to the cutting progress after applying the present invention.

도 7은 본 발명 적용 후 나노토포그래피 품질을 확인한 그래프이다.7 is a graph confirming the nanotopography quality after the application of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10...프레임 12...바닥면10 ... frame 12 ... bottom

14...지지대 16...연장봉14 ... support 16 ... extension rod

20...마운터 22...제2 부착부재20.Mounter 22 ... Secondary Attachment

24...작동 플레이트 26...마운터 빔24 ... operation plate 26 ... mounter beam

28...제1 부착부재 30...단결정 잉곳28 ... First attachment member 30 ... Single crystal ingot

40...가압부재 50...단결정 잉곳의 마운팅 장치40 ... Pressure member 50 ... Mounting device for single crystal ingot

100...가이드 빔100 ... guide beam

Claims (8)

와이어 쏘잉될 단결정 잉곳의 적어도 어느 한쪽 단면에 부착되어 상기 잉곳 절단시 휘어짐을 방지하는 가이드 빔으로서, .A guide beam attached to at least one end surface of a single crystal ingot to be sawed to prevent bending during cutting of the ingot. 상기 가이드 빔은 측면에 비하여 상면과 하면이 넓은 판상 부재로서 상기 가이드 빔의 측면은 상기 잉곳의 외주연 형상을 따른 마주보는 두 곡면과 상기 두 곡면의 마주보는 가장자리끼리 연결하는 두 평면으로 이루어지며,The guide beam is a plate-shaped member having a wider top and bottom surfaces than the side surfaces, and the side surfaces of the guide beam are formed of two flat surfaces connecting two opposite surfaces along the outer periphery of the ingot and opposite edges of the two curved surfaces. 상기 가이드 빔의 하면이 상기 잉곳의 단면에 부착됨으로써 상기 잉곳 절단시 휘어지지 않도록 지지 역할을 해주는 것을 특징으로 하는 가이드 빔.The lower surface of the guide beam is attached to the end surface of the ingot, the guide beam, characterized in that it plays a support role so as not to bend when cutting the ingot. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 가이드 빔은 60~65%의 레진과 30~35%의 CaCO3를 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가이드 빔.The guide beam of claim 1, wherein the guide beam is made of a material including 60 to 65% of resin and 30 to 35% of CaCO 3 . 와이어 쏘잉될 단결정 잉곳의 외주연에 마운터 빔을 부착시키는 단계; 및Attaching a mounter beam to the outer periphery of the single crystal ingot to be wire sawed; And 상기 잉곳의 적어도 어느 한쪽 단면에 상기 잉곳 절단시 휘어짐을 방지하는 가이드 빔을 부착시키는 단계를 포함하며,Attaching a guide beam to at least one end surface of the ingot to prevent bending when cutting the ingot, 상기 가이드 빔은 측면에 비하여 상면과 하면이 넓은 판상 부재로서 상기 가이드 빔의 측면은 상기 잉곳의 외주연 형상을 따른 마주보는 두 곡면과 상기 두 곡면의 마주보는 가장자리끼리 연결하는 두 평면으로 이루어지며,The guide beam is a plate-shaped member having a wider top and bottom surfaces than the side surfaces, and the side surfaces of the guide beam are formed of two flat surfaces connecting two opposite surfaces along the outer periphery of the ingot and opposite edges of the two curved surfaces. 상기 가이드 빔의 하면을 상기 잉곳의 단면에 부착시키는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳의 마운팅 방법. And attaching a lower surface of the guide beam to a cross section of the ingot. 삭제delete 제4항에 있어서, 상기 가이드 빔은 60~65%의 레진과 30~35%의 CaCO3를 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳의 마운팅 방법. The method of claim 4, wherein the guide beam is made of a material including 60 to 65% of resin and 30 to 35% of CaCO 3 . 제4항에 있어서, 상기 가이드 빔의 하면에 에폭시를 도포하여 상기 잉곳의 단면에 부착하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳의 마운팅 방법. The method of mounting a single crystal ingot according to claim 4, wherein an epoxy is applied to the lower surface of the guide beam and attached to the end surface of the ingot. 제4항에 있어서, 상기 가이드 빔의 하면 중 상기 곡면 부위에 에폭시를 도포하여 상기 잉곳의 단면에 부착하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳의 마운팅 방법. The method of claim 4, wherein an epoxy is applied to the curved portion of the lower surface of the guide beam and attached to the end surface of the ingot.
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