KR101001593B1 - Boring method and apparatus for micro film using excimer laser beam - Google Patents

Boring method and apparatus for micro film using excimer laser beam Download PDF

Info

Publication number
KR101001593B1
KR101001593B1 KR1020080060349A KR20080060349A KR101001593B1 KR 101001593 B1 KR101001593 B1 KR 101001593B1 KR 1020080060349 A KR1020080060349 A KR 1020080060349A KR 20080060349 A KR20080060349 A KR 20080060349A KR 101001593 B1 KR101001593 B1 KR 101001593B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mirror
reflected
excimer laser
beam splitter
workpiece
Prior art date
Application number
KR1020080060349A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100000735A (en
Inventor
박승철
배진수
Original Assignee
(주)티엔스
한국산업기술대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)티엔스, 한국산업기술대학교산학협력단 filed Critical (주)티엔스
Priority to KR1020080060349A priority Critical patent/KR101001593B1/en
Publication of KR20100000735A publication Critical patent/KR20100000735A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101001593B1 publication Critical patent/KR101001593B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating

Abstract

본 발명은 엑시머레이저 빔을 마이크로 필름과 같은 피가공부재에 조사하여 홀을 형성하도록 한 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 엑시머레이저 빔을 빔스프리터에 의해 통과 및 분기시키고, 상기 통과 및 분기된 빔을 각기 미러 및 렌즈에 조사한 후 각 렌즈에 대응되는 피가공물에 조사하여 천공시킴으로써 다수의 피가공물에 대한 천공이 동시에 수행될 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a microfilm processing method and apparatus using a branch of an excimer laser beam to irradiate an object to be processed, such as a micro film, to form a hole. After branching and irradiating the passing and branched beams to the mirror and the lens, the workpieces corresponding to each lens are irradiated and punctured so that a plurality of workpieces can be drilled at the same time.

엑시머레이저, 천공, 분기 Excimer laser, perforation, branching

Description

엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법 및 그 장치{BORING METHOD AND APPARATUS FOR MICRO FILM USING EXCIMER LASER BEAM}Microfilm processing method and apparatus therefor using branch of excimer laser beam {BORING METHOD AND APPARATUS FOR MICRO FILM USING EXCIMER LASER BEAM}

본 발명은 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저발진기로부터의 조사된 엑시머레이저 빔을 마이크로 필름과 같은 피가공부재에 조사하여 홀을 형성하도록 한 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법 및 그 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a method and apparatus for processing a micro film using a branch of an excimer laser beam, and more particularly, to irradiate an object such as a micro film with an excimer laser beam irradiated from a laser oscillator to form a hole. The present invention relates to a microfilm processing method and an apparatus using a branch of an excimer laser beam.

일반적으로 엑시머레이저는 자외선 영역의 빛을 고출력으로 발진하는 레이저를 말한다. In general, an excimer laser refers to a laser that emits light in the ultraviolet region with high power.

진공용기 중에서 불소와 아르곤 또는 불소와 크립톤 등 두가지 원소를 혼합해 기체를 봉입ㆍ발진시키는 가스레이저의 일종이다. It is a kind of gas laser that seals and oscillates gas by mixing two elements such as fluorine and argon or fluorine and krypton in a vacuum container.

이러한 원소는 보통상태에서는 결합해서 화합물을 만들지 않으나 방전이나 전자빔 등으로 자극하면 극히 불안정한 화합물을 만든다. These elements do not combine to form compounds in the normal state, but when they are stimulated by discharge or electron beam, they make extremely unstable compounds.

이를 익사이티드 다이머라 하는데 극히 불안정한 물질상태이기 때문에 곧 붕괴되면서 자외선을 방출한다. This is called an excited dimer, which is an extremely unstable material state, which soon disintegrates and emits UV light.

이 발광현상을 이용하여 레이저를 발진시키는 것이 엑시머 레이저로 파장이 고른 아름다운 자외광을 강력히 방출할 수 있는 것이 특징이다. The oscillation of the laser using the light emitting phenomenon is characterized by the excimer laser being able to strongly emit beautiful ultraviolet light with a uniform wavelength.

고체 레이저 빔은 단면이 원형이며, 이 레이저 빔을 포커스시켜서 사용되는 반면에 엑시머레이저 빔은 단면이 사각형이며, 결상 방식으로 사용하게 된다.The solid laser beam is circular in cross section and is used to focus the laser beam, while the excimer laser beam is rectangular in cross section and used in an imaging manner.

그런데, 빔을 분기시키지 않고 단일로 사용하여 피가공물(100)을 천공시키는 방식을 채택하였으나 도 1에 도시된 바와 같이, 레이저의 특성상 상부에서 하부로 갈수록 천공되는 직경이 점차로 좁아져 천공된다. 즉, 입사공(R1)의 직경이 30mm였다면 출사공(R2)의 직경은 10mm로 좁아지게 된다.By the way, a method of puncturing the workpiece 100 using a single beam without branching the beam is adopted, but as shown in FIG. 1, the diameter of the hole is gradually narrowed from the top to the bottom due to the characteristics of the laser. That is, if the diameter of the entrance hole (R1) was 30mm, the diameter of the exit hole (R2) is narrowed to 10mm.

따라서, 피가공물의 두께가 두꺼울 경우 입사공의 직경과 출사공의 직경이 현저히 차이가 나게 되므로 50~60㎛ 이상의 피가공물에 대한 천공작업은 다소 문제점이 발생되었다.Therefore, when the thickness of the workpiece is thick, the diameter of the entrance hole and the diameter of the exit hole are remarkably different, so that the drilling operation for the workpiece of 50 to 60 µm or more is somewhat problematic.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 엑시머 레이저 빔을 다수로 분기시켜 다수개의 피가공물(마이크로 필름)을 동시에 천공시키고, 이들 피가공물을 적층시켜 원하는 두께의 제품을 얻도록 함으로써 레이저 빔의 특성상 발생되는 피가공물의 두께가 두꺼워질수록 입사공에 비해 출사공의 직경이 현저히 작아지게 되는 단점을 보완할 수 있도록 한 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법 및 그 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and by branching the excimer laser beam to a plurality of workpieces (microfilm) at the same time, by laminating these workpieces to obtain a product of a desired thickness Micro film processing method and apparatus using the branch of excimer laser beam to compensate for the disadvantage that the diameter of the exit hole becomes significantly smaller than the entrance hole as the thickness of the workpiece generated due to the characteristics of the laser beam becomes thicker. The purpose is to provide.

상기한 본 발명의 목적은, 엑시머레이저 빔을 빔스프리터에 의해 분기시키고, 분기된 빔을 각기 렌즈에 조사한 후 각 렌즈에 대응되는 피가공물에 조사하여 천공시킴으로써 다수의 피가공물에 대한 천공이 동시에 수행될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법에 의해 달성된다.The object of the present invention described above is that the excimer laser beam is branched by a beam splitter, and the beams are irradiated to each lens and then irradiated to the workpiece corresponding to each lens to puncture a plurality of workpieces at the same time. It is achieved by a micro film processing method using a branch of the excimer laser beam, characterized in that it can be.

한편, 본 발명은, 엑시머레이저 발진기와; 상기 엑시머레이저 발진기에서 방사된 엑시머레이저 빔을 받아 일부는 통과시키고 일부는 반사시켜 분기시키는 빔스프리터와; 상기 빔스프리터를 통과한 빔이 조사되는 미러 및 렌즈로 구성된 제 1가공부와; 상기 빔스프리터에서 분기된 빔이 조사되는 미러 및 렌즈로 구성된 제 2가공부를 포함하여 이루어진 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공장치에 의해 달성된다.On the other hand, the present invention, the excimer laser oscillator; A beam splitter for receiving a portion of the excimer laser beam radiated from the excimer laser oscillator and partially passing the reflected beam; A first processing unit comprising a mirror and a lens to which the beam passing through the beam splitter is irradiated; It is achieved by a microfilm processing apparatus using a branch of an excimer laser beam comprising a second processing portion composed of a mirror and a lens to which the beam branched from the beam splitter is irradiated.

본 발명에 의하면, 엑시머 레이저 빔을 다수로 분기시켜 다수개의 피가공물(마이크로 필름)을 동시에 천공시켜 제조할 수 있어 생산성이 향상될 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the excimer laser beam may be branched into a plurality of parts to simultaneously manufacture a plurality of workpieces (micro films), thereby improving productivity.

또한, 피가공물을 적층시켜 원하는 두께의 제품을 얻도록 함으로써 레이저 빔의 특성상 발생되는 피가공물의 두께가 두꺼워질수록 입사공에 비해 출사공의 직경이 현저히 작아지게 되는 단점을 보완할 수 있어 양질의 제품을 얻을 수 있는 효과가 있다.In addition, by stacking the workpiece to obtain a product having a desired thickness, the thickness of the workpiece generated due to the characteristics of the laser beam becomes thicker to compensate for the disadvantage that the diameter of the exit hole is significantly smaller than the entrance hole to compensate for the high quality. The effect is to get the product.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도 2는 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법을 나타낸 공정 흐름도이고, 도 3은 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공장치를 나타낸 구성도, 도 4는 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공에 의해 형성된 마이크로 필름의 조립된 예를 나타낸 도면이다.2 is a flowchart illustrating a microfilm processing method using branching of an excimer laser beam according to the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing a microfilm processing apparatus using branching of an excimer laser beam according to the present invention. 4 is a view showing an assembled example of a microfilm formed by microfilm processing using a branch of an excimer laser beam according to the present invention.

이하 본 발명의 실시예를 설명하되, 방법과 장치를 함께 연관지어 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described, but a method and an apparatus will be described together.

본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법은, 엑시머레이저 빔을 빔스프리터에 의해 분기시키고, 분기된 빔을 각기 렌즈에 조사한 후 각 렌즈에 대응되는 피가공물에 조사하여 천공시킴으로써 다수의 피가공물에 대한 천공이 동시에 수행될 수 있도록 한 것이다.In the microfilm processing method using the branch of the excimer laser beam according to the present invention, the excimer laser beam is branched by a beam splitter, and the branched beam is irradiated to each lens, and then irradiated to the workpiece corresponding to each lens to puncture a plurality of pieces. Perforations to the workpieces can be performed at the same time.

도 2를 참조하여 보다 자세하게 살펴보면, 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법은, 엑시머레이저 빔을 빔스프리터에 조사하여 일부는 통과시키고, 일부는 반사시키는 1단계(S1)와, 상기 1단계(S1)의 빔스프리터를 통과한 빔을 제 1미러에 반사시켜 수직 하방으로 방향을 전환하는 2단계(S2)와, 상기 2단계(S2)에서 반사된 빔을 렌즈를 통과시켜 마이크로 필름에 조사하여 천공을 수행하는 3단계(S3)로 구성된 제 1천공공정(M1)과;Referring to Figure 2 in more detail, the micro-film processing method using a branch of the excimer laser beam according to the present invention, the first step (S1) and irradiating a part of the excimer laser beam to the beam splitter, and partially reflected In step 2 (S2) to change the direction of the vertical downwards by reflecting the beam passing through the beam splitter of the first step (S1) to the first mirror, and the beam reflected in the second step (S2) through the lens A first drilling process (M1) consisting of three steps (S3) for irradiating the microfilm to perform the drilling;

상기 1단계(S1)에서 일부 반사된 빔을 제 2미러에 의해 재반사시키는 4단계(S4)와, 상기 4단계(S4)에서 반사된 빔을 제 3미러에 의해 반사시켜 수직 하방으로 향하도록 하는 5단계(S5)와, 상기 5단계(S5)에서 반사된 빔을 렌즈를 통과시켜 마이크로 필름에 조사하여 천공을 수행하는 6단계(S6)로 구성된 제 2천공공정(M2)을 포함하여 구성된다.Step 4 (S4) to re-reflect the partially reflected beam by the second mirror in the first step (S1), and reflect the beam reflected by the third mirror in the fourth step (S4) to face vertically downward And a second drilling step (M2) consisting of a five step (S5), and a six step (S6) to perform a punch by irradiating the micro-film by passing the beam reflected in the step (S5) to the lens. do.

한편, 도 3을 참조하여 살펴보면, 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공장치(A)는, On the other hand, referring to Figure 3, the micro-film processing apparatus (A) using the branch of the excimer laser beam according to the present invention,

레이저 발진기(2)와; 상기 레이저 발진기(2)에서 방사된 엑시머레이저 빔을 받아 일부는 통과시키고 일부는 반사시켜 분기시키는 빔스프리터(6)와; 상기 빔스프리터(6)를 통과한 빔이 조사되는 제 1미러(51) 및 렌즈(71)로 구성된 제 1가공부(C1)와; 상기 빔스프리터(6)에서 분기된 빔이 조사되는 제 2 및 제 3미러(52,53) 및 렌즈(72)로 구성된 제 2가공부(C2)를 포함하여 구성된다.A laser oscillator 2; A beam splitter (6) which receives a portion of the excimer laser beam emitted from the laser oscillator (2) and passes the portion to reflect the beam; A first processing unit (C1) composed of a first mirror (51) and a lens (71) to which the beam passing through the beam splitter (6) is irradiated; And a second processing unit C2 composed of the second and third mirrors 52 and 53 and the lens 72 to which the beam branched from the beam splitter 6 is irradiated.

도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

레이저 발진기(2)에서 방사된 레이저 빔은 사각형의 홀이 형성된 마스크(4)를 통과하면서 단면이 사각형의 빔이 된다.The laser beam emitted from the laser oscillator 2 passes through a mask 4 having a rectangular hole, and becomes a rectangular beam in cross section.

이후, 빔스프리터(6)에 입사된 빔의 일부는 상방으로 반사되고, 일부는 통과하게 된다.Subsequently, a part of the beam incident on the beam splitter 6 is reflected upward, and a part passes.

이후, 빔스프리터(6)를 통과한 빔은 제 1미러(51)에 입사된 후 수직 하방으로 반사된다.Subsequently, the beam passing through the beam splitter 6 is incident to the first mirror 51 and then reflected vertically downward.

상기 제 1미러(51)에 의해 수직 하방으로 반사된 빔은 렌즈(71)에 조사되어 통과하면서 결상되고, 피가공물(100) 즉 마이크로 필름에 조사되면서 천공하는 제 1천공공정(M1)이 수행된다.The beam reflected vertically downward by the first mirror 51 is imaged while passing through the lens 71, and a first drilling process M1 is performed to irradiate the workpiece 100, i.e., a micro film. do.

한편, 상기 빔스프리터(6)에서 반사된 빔은 그 상방의 제 2미러(52)에 입사된 후 수평으로 반사되고, 제 3미러(53)에 입사된 다음 수직 하방으로 반사된다.On the other hand, the beam reflected by the beam splitter 6 is incident on the second mirror 52 above and then reflected horizontally, and then is incident on the third mirror 53 and then reflected vertically downward.

이후, 제 3미러(53)에서 수직 하방으로 반사된 빔은 렌즈(72)에 조사되어 통과하면서 결상되고, 또다른 피가공물(100)에 조사되면서 천공하는 제 2천공공정(M2)이 수행된다.Thereafter, the beam reflected downward from the third mirror 53 is imaged while passing through the lens 72 and is imaged while passing through the second mirror 53, and a second drilling process M2 is performed while irradiating another workpiece 100. .

이러한 상기 실시예는 두께가 50㎛인 마이크로 필름에 실시된 것이며, 이렇게 천공된 마이크로 필름은 도 4에 나타낸 바와 같이, 입사공이 30㎛이고 출사공이 20㎛으로 천공된다.This embodiment is carried out on a microfilm having a thickness of 50 μm, and the microfilm thus perforated has a perforation of 30 μm and an exit hole of 20 μm as shown in FIG. 4.

따라서, 상기 50㎛인 마이크로 필름(110,120)을 2장을 적층시켰을때 각 천공된 홀을 일치시키면 최종에는 입사공(R1)이 30㎛이고 출사공(R2)이 20㎛인 홀(h)이 형성될 수 있으므로 종래 기술보다 출사공(R2)의 직경이 커질 수 있게 된다.Accordingly, when two 50 micrometer microfilms 110 and 120 are laminated, each of the perforated holes coincides with each other, and finally, the hole h having an entrance hole R1 of 30 μm and an exit hole R2 of 20 μm is formed. Since it can be formed, the diameter of the exit hole (R2) can be larger than the prior art.

물론 상기 언급된 마이크로 필름의 두께는 다양하게 변형시켜 적용될 수 있으며, 입사공 및 출사공의 크기도 변형 실시될 수 있음은 당연하다.Of course, the above-mentioned thickness of the micro film can be applied in various modifications, and it is natural that the size of the entrance hole and the exit hole can also be modified.

한편, 첨부된 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공장치를 나타낸 구성도이다.On the other hand, Figure 5 is a block diagram showing a microfilm processing apparatus using a branch of the excimer laser beam according to another embodiment of the present invention.

도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예는, 4개의 피가공물을 동시에 홀 가공할 수 있는 것으로, 레이저 발진기(2)와; 상기 레이저 발진기(2)에서 방사된 엑시머레이저 빔을 받아 일부는 통과시키고 일부는 반사시켜 분기시키는 제 1빔스프리터(61)와; 상기 제 1빔스프리터(61)에서 통과된 빔을 받아 일부는 반사하고 일부는 통과시키는 제 2빔스프리터(62)와; 상기 제 2빔스프리터(62)를 통과한 빔을 반사시키는 제 1미러(51)와, 상기 제 1미러(51)에서 반사된 빛을 받아 제 1피가공물(110)에 조사하여 천공시키는 제 1렌즈(71)로 구성된 제 1가공부(C1)와;As shown in Fig. 5, another embodiment of the present invention is capable of simultaneously drilling four workpieces, including a laser oscillator 2; A first beam splitter (61) for receiving a portion of the excimer laser beam emitted from the laser oscillator (2) and for reflecting and branching the beam; A second beam splitter (62) which receives part of the beam passed by the first beam splitter (61) and reflects part of the beam; A first mirror 51 reflecting the beam passing through the second beam splitter 62 and a first beam receiving the light reflected from the first mirror 51 and irradiating the first workpiece 110 to puncture it; A first processing portion C1 composed of a lens 71;

상기 제 2빔스프리터(62)에서 반사된 빔을 받아 반사시키는 제 10미러(510)와, 상기 제 10미러(510)에서 반사된 빔을 재반사시키는 제 2미러(52)와, 상기 제 2미러(52)에서 반사된 빛을 받아 제 2피가공물(120)에 조사하여 천공시키는 제 2렌즈(72)로 구성된 제 2가공부(C2)와;A tenth mirror 510 which receives and reflects the beam reflected by the second beam splitter 62, a second mirror 52 which reflects the beam reflected by the tenth mirror 510 again, and the second mirror 52. A second processing unit C2 composed of a second lens 72 which receives the light reflected from the mirror 52 and irradiates the second workpiece 120 to puncture;

상기 제 1빔스프리터(61)에서 반사된 빔을 받아 반사시키는 제 11미러(511)와, An eleventh mirror 511 which receives and reflects the beam reflected by the first beam splitter 61;

상기 제 11미러(511)에서 반사된 빔을 받아 일부는 반사하고 일부는 통과시 키는 제 3빔스프리터(63)와; A third beam splitter (63) which receives a beam reflected from the eleventh mirror (511) and partially reflects and passes through the beam;

상기 제 3빔스프리터(63)를 통과한 빔을 반사시키는 제 3미러(53)와, 상기 제 3미러(53)에서 반사된 빛을 받아 제 3피가공물(130)에 조사하여 천공시키는 제 3렌즈(73)로 구성된 제 3가공부(C3)와;A third mirror 53 reflecting the beam passing through the third beam splitter 63 and a third beam receiving the light reflected from the third mirror 53 and irradiating the third workpiece 130 to puncture; A third processing portion C3 composed of a lens 73;

상기 제 3빔스프리터(63)에서 반사된 빔을 받아 반사시키는 제 12미러(512)와, 상기 제 12미러(512)에서 반사된 빔을 재반사시키는 제 4미러(54)와, 상기 제 4미러(54)에서 반사된 빛을 받아 제 4피가공물(140)에 조사하여 천공시키는 제 4렌즈(74)로 구성된 제 4가공부(C4)를 포함하여 구성된다.A twelfth mirror 512 that receives and reflects the beam reflected by the third beam splitter 63, a fourth mirror 54 that reflects the beam reflected by the twelfth mirror 512, and the fourth mirror 54. The fourth processing unit C4 includes a fourth lens 74 that receives the light reflected from the mirror 54 and irradiates the fourth workpiece 140 to puncture it.

따라서, 상기 제 1 내지 제 4가공부(C1~C4)와 그에 대응되게 배치된 제 1 내지 제 4피가공물(110~140)에 대해 동시에 천공작업을 수행할 수 있는 것이다.Therefore, the first to fourth workpieces C1 to C4 and the first to fourth workpieces 110 to 140 disposed corresponding thereto may be simultaneously drilled.

도 6은 본 발명에 다른 실시예에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공에 의해 형성된 마이크로 필름의 조립된 예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an assembled example of a micro film formed by micro film processing using a branch of an excimer laser beam according to another embodiment of the present invention.

도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 본 발명의 다른 실시예는 두께가 50㎛인 마이크로 필름 4장(110~140)을 동시에 천공시킬 수 있게 된다.As shown in FIG. 6, another embodiment of the present invention can simultaneously puncture four micro films 110 to 140 having a thickness of 50 μm.

따라서, 입사공(R1)이 30㎛이고 출사공(R2)이 20㎛인 홀(h)이 천공된 마이크로 필름 4장(110~140)을 적층 조립함으로써 총 두께가 200㎛인 피가공물을 얻을 수 있으며, 최상부의 입사공(R1)이 30㎛이고, 최하부의 출사공(R2)의 직경이 20㎛인 홀이 형성될 수 있으므로, 종래 기술보다 출사공의 직경이 크게 형성될 수 있는 것이다.Therefore, a work piece having a total thickness of 200 μm can be obtained by laminating and assembling four sheets 110 to 140 of holes h having an entrance hole R1 of 30 μm and an exit hole R2 of 20 μm. Since the uppermost incident hole R1 is 30 μm and the lowermost exit hole R2 has a diameter of 20 μm, the diameter of the exit hole may be larger than that of the prior art.

즉, 종래 기술에 의하면 두께가 100㎛인 마이크로 필름인 경우, 입사공이 30 ㎛인 반면 출사공은 10㎛으로 작아지게 되므로, 상기와 같이 두께가 200㎛인 경우에는 출사공은 5㎛으로 매우 작아지게 되는 문제점이 발생된다.That is, according to the prior art, in the case of a micro film having a thickness of 100 μm, the entrance hole is 30 μm while the exit hole is made small by 10 μm. The problem is that it is lost.

그러나, 본 발명에 의하면 다수개의 피가공물에 대한 천공작업이 동시에 수행될 수 있어 작업능률이 향상될 수 있고, 각 피가공물을 적층시킬 경우 출사공의 크기도 종래 제품에 비해 훨씬 커지도록 한 제품을 얻을 수 있는 장점이 있는 것이다.However, according to the present invention, the drilling work for a plurality of workpieces can be performed at the same time, thereby improving work efficiency, and when stacking each workpiece, the size of the exit hole is much larger than that of the conventional products. There is an advantage that can be obtained.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the invention, It is obvious that the claims fall within the scope of the claims.

도 1은 종래 기술에 따른 레이저 빔 홀 가공에 의해 형성된 피가공물을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a workpiece formed by laser beam hole processing according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법을 나타낸 공정 흐름도이다.2 is a process flow diagram illustrating a microfilm processing method using branching of an excimer laser beam according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공장치를 나타낸 구성도이다.Figure 3 is a block diagram showing a microfilm processing apparatus using a branch of the excimer laser beam according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공에 의해 형성된 마이크로 필름의 조립된 예를 나타낸 도면이다.4 is a view showing an assembled example of a micro film formed by micro film processing using a branch of an excimer laser beam according to the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공장치를 나타낸 구성도이다.5 is a block diagram showing a microfilm processing apparatus using a branch of an excimer laser beam according to another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

2 : 레이저 발진기 4 : 마스크2: laser oscillator 4: mask

61~63 : 빔스프리터 51~54 : 미러61 ~ 63: beam splitter 51 ~ 54: mirror

71~74 : 렌즈 110~140 : 피가공물71 ~ 74: Lens 110 ~ 140: Workpiece

Claims (5)

엑시머레이저 빔을 빔스프리터에 의해 통과 및 분기시키고, 상기 통과 및 분기된 빔을 각기 미러 및 렌즈에 조사한 후 각 렌즈에 대응되는 피가공물에 조사하여 천공시킴으로써 다수의 피가공물에 대한 천공이 동시에 수행될 수 있도록 하며, 상기 다수의 피가공물을 적층 조립시켜 제품을 제조하는 것을 특징으로 하는 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법.The excimer laser beam is passed and branched by a beam splitter, and the beams are irradiated to mirrors and lenses, respectively, and then drilled by irradiating the workpiece corresponding to each lens to drill a plurality of workpieces simultaneously. The microfilm processing method using the branch of the excimer laser beam, characterized in that for producing a product by laminating and assembling the plurality of workpieces. 엑시머레이저 빔을 빔스프리터에 조사하여 일부는 통과시키고, 일부는 반사시키는 1단계와, 상기 1단계의 빔스프리터를 통과한 빔을 제 1미러에 반사시켜 수직 하방으로 방향을 전환하는 2단계와, 상기 2단계에서 반사된 빔을 렌즈를 통과시켜 피가공물에 조사하여 천공을 수행하는 3단계로 구성된 제 1천공공정과;Irradiating the excimer laser beam to the beam splitter to pass a part of the beam splitter, and partially reflecting the beam; and passing through the beam splitter of the first stage to the first mirror to reflect the beam to the first mirror; A first drilling step consisting of three steps of performing the drilling by irradiating the workpiece with the beam reflected in the second step through a lens; 상기 1단계에서 일부 반사된 빔을 제 2미러에 의해 재반사시키는 4단계와, 상기 4단계에서 반사된 빔을 제 3미러에 의해 반사시켜 수직 하방으로 향하도록 하는 5단계와, 상기 5단계에서 반사된 빔을 렌즈를 통과시켜 피가공물에 조사하여 천공을 수행하는 6단계로 구성된 제 2천공공정;A fourth step of re-reflecting the partially reflected beam by the second mirror in step 1, a fifth step of reflecting the beam reflected by the third mirror by the third mirror to be directed vertically downward, and in step 5 A second drilling step consisting of six steps of performing the drilling by irradiating the workpiece with the reflected beam through the lens; 을 포함하되, 상기 다수의 피가공물을 적층 조립시켜 제품을 제조하는 것을 특징으로 하는 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공 방법.To include, but the micro-film processing method using the branch of the excimer laser beam, characterized in that to manufacture a product by laminating the plurality of workpieces. 삭제delete 삭제delete 레이저 발진기와;A laser oscillator; 상기 레이저 발진기에서 방사된 엑시머레이저 빔을 받아 일부는 통과시키고 일부는 반사시켜 분기시키는 제 1빔스프리터와;A first beam splitter which receives an excimer laser beam emitted from the laser oscillator and partially passes and partially reflects the excimer laser beam; 상기 제 1빔스프리터에서 통과된 빔을 받아 일부는 반사하고 일부는 통과시키는 제 2빔스프리터와; A second beam splitter which receives a beam passed through the first beam splitter and partially reflects the beam; 상기 제 2빔스프리터를 통과한 빔을 반사시키는 제 1미러와, 상기 제 1미러에서 반사된 빛을 받아 제 1피가공물에 조사하여 천공시키는 제 1렌즈로 구성된 제 1가공부와;A first processing unit including a first mirror reflecting the beam passing through the second beam splitter, a first lens receiving the light reflected from the first mirror, and irradiating the first workpiece with the first workpiece; 상기 제 2빔스프리터에서 반사된 빔을 받아 반사시키는 제 10미러와, 상기 제 10미러에서 반사된 빔을 재반사시키는 제 2미러와, 상기 제 2미러에서 반사된 빛을 받아 제 2피가공물에 조사하여 천공시키는 제 2렌즈로 구성된 제 2가공부와;A tenth mirror that receives and reflects the beam reflected by the second beam splitter, a second mirror that reflects back the beam reflected by the tenth mirror, and receives the light reflected by the second mirror to the second workpiece A second processing unit comprising a second lens for irradiating and puncturing; 상기 제 1빔스프리터에서 반사된 빔을 받아 반사시키는 제 11미러와, An eleventh mirror for receiving and reflecting the beam reflected from the first beam splitter; 상기 제 11미러에서 반사된 빔을 받아 일부는 반사하고 일부는 통과시키는 제 3빔스프리터와; A third beam splitter which receives a beam reflected from the eleventh mirror and reflects a part thereof and passes a part thereof; 상기 제 3빔스프리터를 통과한 빔을 반사시키는 제 3미러와, 상기 제 3미러에서 반사된 빛을 받아 제 3피가공물에 조사하여 천공시키는 제 3렌즈로 구성된 제 3가공부와;A third processing unit comprising a third mirror for reflecting the beam passing through the third beam splitter, and a third lens for receiving the light reflected from the third mirror and irradiating and drilling the third workpiece; 상기 제 3빔스프리터에서 반사된 빔을 받아 반사시키는 제 12미러와, 상기 제 12미러에서 반사된 빔을 재반사시키는 제 4미러와, 상기 제 4미러에서 반사된 빛을 받아 제 4피가공물에 조사하여 천공시키는 제 4렌즈로 구성된 제 4가공부A twelfth mirror that receives and reflects the beam reflected by the third beam splitter, a fourth mirror that rereflects the beam reflected by the twelfth mirror, and receives the light reflected by the fourth mirror to the fourth workpiece Fourth processing unit consisting of a fourth lens for irradiating and drilling 를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 엑시머레이저 빔의 분기를 이용한 마이크로 필름 가공장치.Microfilm processing apparatus using a branch of the excimer laser beam, characterized in that made, including.
KR1020080060349A 2008-06-25 2008-06-25 Boring method and apparatus for micro film using excimer laser beam KR101001593B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080060349A KR101001593B1 (en) 2008-06-25 2008-06-25 Boring method and apparatus for micro film using excimer laser beam

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080060349A KR101001593B1 (en) 2008-06-25 2008-06-25 Boring method and apparatus for micro film using excimer laser beam

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100000735A KR20100000735A (en) 2010-01-06
KR101001593B1 true KR101001593B1 (en) 2010-12-17

Family

ID=41811094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080060349A KR101001593B1 (en) 2008-06-25 2008-06-25 Boring method and apparatus for micro film using excimer laser beam

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101001593B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111629532B (en) * 2020-07-07 2021-09-28 珠海景旺柔性电路有限公司 Processing method for improving alignment precision of covering film

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124552A (en) 2001-10-15 2003-04-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser beam branching device and laser machining method
JP2008015005A (en) * 2006-07-03 2008-01-24 Sumitomo Heavy Ind Ltd Beam radiation device and beam radiation method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124552A (en) 2001-10-15 2003-04-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser beam branching device and laser machining method
JP2008015005A (en) * 2006-07-03 2008-01-24 Sumitomo Heavy Ind Ltd Beam radiation device and beam radiation method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100000735A (en) 2010-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI403379B (en) Micromachining with short-pulsed, solid-state uv laser
JP3522654B2 (en) Laser processing apparatus and processing method
TW470680B (en) Laser machining device and laser machining mask and production method therefor
JP7174352B2 (en) Optical processing device, optical processing method, and optical processing product production method
US7170912B2 (en) Laser drilling system and method for flexible printed circuit board
JPH11347758A (en) Super precision machining device
JP2007296533A (en) Laser beam machining method and apparatus
CN101175598A (en) Synthetic pulse repetition rate processing for dual-headed laser micromachining systems
JP2007029952A (en) Laser beam machining apparatus, and laser beam machining method
US20150017784A1 (en) Semiconductor processing apparatus using laser
KR101001593B1 (en) Boring method and apparatus for micro film using excimer laser beam
JP2002144068A (en) Device and method for laser beam machining
JP2000294523A (en) Semiconductor manufacturing apparatus and manufacture for semiconductor device
JP6753347B2 (en) A method for manufacturing a glass substrate, a method for forming holes in a glass substrate, and a device for forming holes in a glass substrate.
CN110039204A (en) The laser processing of machined object
JP3458760B2 (en) Processing method of ceramic green sheet
JPH10323777A (en) Laser piercing processing device for printed wire plate board
JP2013066922A (en) Member separation apparatus and member separation method
JPH11773A (en) Laser beam machine and its method
KR100843411B1 (en) Laser beam machining system and method for cutting of substrate using the same
JP2007111749A (en) Laser beam machining device and laser beam machining method
JP2003211276A (en) Method and device of laser beam machining
WO2022003819A1 (en) Laser machining method and circuit board manufacturing method
JP4163320B2 (en) Desmear method and desmear apparatus for laser drilling apparatus
Held New CO laser technology offers processing benefits

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131122

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141127

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee