KR100989465B1 - Device and fabrication method for liquid crystal display - Google Patents

Device and fabrication method for liquid crystal display Download PDF

Info

Publication number
KR100989465B1
KR100989465B1 KR1020030100347A KR20030100347A KR100989465B1 KR 100989465 B1 KR100989465 B1 KR 100989465B1 KR 1020030100347 A KR1020030100347 A KR 1020030100347A KR 20030100347 A KR20030100347 A KR 20030100347A KR 100989465 B1 KR100989465 B1 KR 100989465B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
concave
liquid crystal
crystal display
convex
display device
Prior art date
Application number
KR1020030100347A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050070608A (en
Inventor
장상민
이재윤
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020030100347A priority Critical patent/KR100989465B1/en
Publication of KR20050070608A publication Critical patent/KR20050070608A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100989465B1 publication Critical patent/KR100989465B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 대해 개시된다. 본 발명에 따른 액정표시장치는, 스위칭영역과 화소영역을 가진 기판의 스위칭 영역에 형성된 스위칭소자와; 상기 스위칭 소자가 형성된 기판상의 화소 영역에 유기절연막이 도포된 후, 소정간격으로 이격되어 패턴된 격벽과; 상기 소정간격이 이격된 격벽사이에 형성된 오목형 요철과; 상기 격벽 및 오목형 요철상에 금속물질을 증착하여 형성된 반사판을 포함하는 점에 그 특징이 있다.The present invention relates to a liquid crystal display and a method of manufacturing the same. A liquid crystal display device according to the present invention comprises: a switching element formed in a switching area of a substrate having a switching area and a pixel area; A barrier rib patterned after the organic insulating film is applied to the pixel area on the substrate on which the switching element is formed, and spaced at a predetermined interval; Concave-convex irregularities formed between the partition walls spaced apart from the predetermined intervals; It is characterized in that it comprises a reflective plate formed by depositing a metal material on the partition and concave-convex concave-convex.

본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은, 반사형 액정표시장치에 적용되는 반사판을 오목한 요철 구조로 형성함으로써 평면성분을 최소하여 밀집도를 높일 수 있다.In the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, by forming a reflective plate applied to the reflective liquid crystal display device in a concave-convex concave-convex structure, it is possible to minimize the planar components and increase the density.

반사전극, 격벽, 잉크젯, 오목형 요철Reflective electrode, bulkhead, inkjet, concave and convex

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{DEVICE AND FABRICATION METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Liquid crystal display and its manufacturing method {DEVICE AND FABRICATION METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

도 1은 일반적인 반사형 액정표시장치의 한 픽셀에 해당하는 어레이기판의 평면도.1 is a plan view of an array substrate corresponding to one pixel of a typical reflective liquid crystal display device.

도 2는 종래에 따른 상기 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 어레이 기판과 이에 대응하는 컬러필터 기판을 도시한 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an array substrate and a color filter substrate corresponding thereto cut along the line II ′ of FIG. 1 according to the related art. FIG.

도 3a 내지 도 3f은 종래에 따른 반사형 액정표시장치의 어레이 기판의 제조방법에 대한 순서도.3A to 3F are flowcharts illustrating a method of manufacturing an array substrate of a reflective liquid crystal display device according to the related art.

도 4는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면.4 is a schematic cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 오목형 반사판의 요철에 의해 빛이 진행하는 과정을 도시한 도면.5 is a view showing a process in which light proceeds by the irregularities of the concave reflector according to the present invention.

도 6은 반사판의 유효 반사각내에서의 반사 밀집도를 도시한 도면.Fig. 6 is a diagram showing the reflection density within the effective reflection angle of the reflection plate.

도 7a 내지 7e는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치의 제조방법을 도시한 순서도.7A to 7E are flowcharts illustrating a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

48 --- 반사전극 71 --- 유기절연막 48 --- Reflective electrode 71 --- Organic insulating film                 

72 --- 격벽 73 --- 잉크72 --- bulkhead 73 --- ink

51 --- 제 1 기판 52 --- 반사전극51 --- First substrate 52 --- Reflective electrode

53 --- 액정층 54 --- 제 2 기판53 --- liquid crystal layer 54 --- second substrate

55 --- 공기층55 --- air layer

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반사형 액정표시장치에 적용되는 반사판을 오목한 요철 구조로 형성함으로써 평면성분을 최소하여 밀집도를 높일 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, by forming a reflecting plate applied to a reflective liquid crystal display device in a concave-convex structure to minimize the flatness. will be.

최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었다.Recently, with the rapid development of the information society, the necessity of a flat panel display having excellent characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption has emerged.

이러한 평판 표시장치는 스스로 빛을 발하느냐 그렇지 못하냐에 따라 나눌 수 있는데, 스스로 빛을 발하여 화상을 표시하는 것을 발광형 표시장치라 하고, 그렇지 못하고 외부의 광원을 이용하여 화상을 표시하는 것을 수광형 표시장치라고 한다. 발광형 표시장치로는 플라즈마 표시장치(plasma display panel)와 전계 방출 표시장치(field emission display), 전계 발광표시장치(electroluminescence display) 등이 있으며, 수광형 표시장치로는 액정표시장치(liquid crystal display)가 있다. Such a flat panel display can be divided according to whether it emits light by itself or not. A light emitting display device that emits light by itself is called a light emitting display device. It is called a display device. The light emitting display includes a plasma display panel, a field emission display, an electroluminescence display, and the light receiving display includes a liquid crystal display. There is).                         

이 중 액정표시장치가 해상도, 컬러표시, 화질 등이 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다. Among them, liquid crystal display devices are being actively applied to notebooks and desktop monitors because of their excellent resolution, color display, and image quality.

일반적으로 액정표시장치는 전계 생성전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display is formed by arranging two substrates on which electric field generating electrodes are formed so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules by the electric field to be adjusted, thereby adjusting the transmittance of the light is changed to represent the image.

그런데, 액정표시장치는 앞서 언급한 바와 같이 스스로 빛을 발하지 못하므로 별도의 광원이 필요하다. However, the liquid crystal display device does not emit light as described above, so a separate light source is required.

따라서, 액정 패널 뒷면에 백라이트(backlight)를 배치하고 백라이트로부터 나오는 빛을 액정 패널에 입사시켜, 액정의 배열에 따라 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다. 이때, 액정표시장치의 전계 생성 전극은 투명 도전 물질로 형성되고, 두 기판 또한 투명 기판으로 이루어져야 한다.Therefore, an image is displayed by arranging a backlight on the back of the liquid crystal panel and injecting light from the backlight into the liquid crystal panel to adjust the amount of light according to the arrangement of the liquid crystals. In this case, the field generating electrode of the liquid crystal display device is made of a transparent conductive material, and both substrates should also be made of a transparent substrate.

이러한 액정표시장치를 투과형(transmission type) 액정표시장치라고 하는데, 투과형 액정표시장치는 백라이트와 같은 인위적인 배면광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로 인한 전력소비(powerconsumption)가 큰 단점이 있다. Such a liquid crystal display device is called a transmission type liquid crystal display device. Since the liquid crystal display device uses an artificial back light source such as a backlight, it can realize a bright image even in a dark external environment, but power consumption due to the backlight is high. There is a big disadvantage.

이와 같은 단점을 보완하기 위해 반사형(reflection type) 액정표시장치가 제안되었다. 반사형 액정표시장치는 외부의 자연광이나 인조광을 반사시킴으로써 액정의 배열에 따라 빛의 투과율을 조절하는 형태로 투과형 액정표시장치에 비해 전력소비가 적다. 반사형 액정표시장치에서 하부의 전계 생성 전극은 반사가 잘 되는 도전 물질로 형성하고, 상부의 전계 생성 전극은 외부광을 투과시키기 위해 투명 도전 물질로 형성한다.In order to compensate for the above disadvantages, a reflection type liquid crystal display device has been proposed. The reflection type liquid crystal display device has less power consumption than the transmission type liquid crystal display device in the form of controlling light transmittance according to the arrangement of liquid crystals by reflecting external natural light or artificial light. In the reflective LCD, the lower field generating electrode is formed of a conductive material that reflects well, and the upper field generating electrode is formed of a transparent conductive material to transmit external light.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 반사판을 가진 액정표시장치의 예로서, 반사형 액정표시장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a reflection type liquid crystal display device will be described as an example of a liquid crystal display device having a reflection plate with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 반사형 액정표시장치의 한 픽셀에 해당하는 어레이기판의 평면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 기판상에 행으로 배열된 게이트(gate) 배선(8)과 열로 배열된 데이터(data) 배선(2)이 한 픽셀을 이루고 있다. 1 is a plan view of an array substrate corresponding to one pixel of a typical reflective liquid crystal display device. As shown in the drawing, the gate wiring 8 arranged in a row on the substrate and the data wiring 2 arranged in a column form one pixel.

그리고, 게이트 배선(8)의 소정의 위치에 게이트 전극(12)이 위치하고, 데이터 배선에 소스(source) 전극(16b)이 상기 게이트 전극(12) 상에 소정의 길이로 오버랩(overlap)되게 형성되어 있다.The gate electrode 12 is positioned at a predetermined position of the gate wiring 8, and the source electrode 16b is overlapped with a predetermined length on the gate electrode 12 in the data wiring. It is.

또한, 상기 소스 전극(16b)과 대응되게 드레인(drain) 전극(16c)이 형성되어 있고, 상기 드레인 전극(16c) 상에 위치한 드레인 콘택홀(drain contact hole:17a)을 통해 반사 전극(18)이 상기 드레인 전극(16c)과 전기적으로 접촉하고 있다. 일반적으로, 상기 반사 전극(18)은 반사율이 우수한 금속이 쓰인다.In addition, a drain electrode 16c is formed to correspond to the source electrode 16b and the reflective electrode 18 is formed through a drain contact hole 17a disposed on the drain electrode 16c. The drain electrode 16c is in electrical contact with the drain electrode 16c. In general, the reflective electrode 18 is made of a metal having excellent reflectance.

또한, 도 2는 종래에 따른 상기 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 어레이 기판과 이에 대응하는 컬러필터(color filter) 기판을 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of an array substrate cut along the line II ′ of FIG. 1 and a color filter substrate corresponding thereto.

이에 도시한 바와 같이, 소정간격을 가지고 제 1 기판(11)과 제 2 기판(21)이 배치되어 있다. 하부의 제 1 기판(11) 상에는 게이트(gate) 전극(12)이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트 절연막(13)이 형성되어 있다. As shown in this figure, the 1st board | substrate 11 and the 2nd board | substrate 21 are arrange | positioned at predetermined intervals. A gate electrode 12 is formed on the lower first substrate 11, and a gate insulating layer 13 is formed thereon.                         

상기 게이트 절연막(13) 하부에는 게이트 전극(12)과 연결된 게이트 배선(도 1의 8)이 더 형성되어 있다. 다음, 상기 게이트 전극(12) 상부의 게이트 절연막(13) 위에는 액티브(active)층(14)과 오믹 콘택(ohmic contact)층(15a, 15b)이 차례로 형성되어 있다. 상기 오믹 콘택층(15a,15b) 위에는 소스 및 드레인 전극(16b, 16c)이 형성되어 있는데, 상기 소스 및 드레인 전극(16b, 16c)은 상기 게이트 전극(12)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다. A gate line (8 of FIG. 1) connected to the gate electrode 12 is further formed under the gate insulating layer 13. Next, the active layer 14 and the ohmic contact layers 15a and 15b are sequentially formed on the gate insulating layer 13 on the gate electrode 12. Source and drain electrodes 16b and 16c are formed on the ohmic contact layers 15a and 15b, and the source and drain electrodes 16b and 16c form a thin film transistor T together with the gate electrode 12. .

한편, 상기 소스 및 드레인 전극(16b, 16c)과 같은 물질로 이루어진 데이터 배선(4)이 상기 게이트 절연막(13) 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(4)은 상기 소스 전극(16b)과 연결되어 있다. 이때, 상기 데이터 배선(4)은 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의한다. Meanwhile, a data line 4 made of the same material as the source and drain electrodes 16b and 16c is formed on the gate insulating layer 13, and the data line 4 is connected to the source electrode 16b. have. In this case, the data line 4 crosses the gate line to define a pixel area.

다음, 상기 데이터 배선(4)과 상기 소스 및 드레인 전극(16b, 16c) 상부에는 유기 물질로 이루어진 보호층(17)이 형성되어 박막트랜지스터(thin film transistor:T)를 덮고 있으며, 상기 보호층(17)은 상기 드레인 전극(16c)을 드러내는 콘택홀(17a)을 가진다. Next, a passivation layer 17 made of an organic material is formed on the data line 4 and the source and drain electrodes 16b and 16c to cover a thin film transistor (T). 17 has a contact hole 17a exposing the drain electrode 16c.

이어서, 상기 보호층(17) 상부의 화소 영역에는 반사전극(18)이 형성되어 있어, 상기 콘택홀(17a)을 통해 상기 드레인 전극(16c)과 연결되어 있다. 여기서, 상기 반사전극(18)은 금속과 같은 도전 물질로 이루어지고, 박막 트랜지스터(T)를 덮고 있다. 또한, 상기 데이터 배선(4)과 중첩되어 있어 개구율을 향상시킬 수 있는데, 상기 보호층(17)을 저유전 상수를 가지는 유기 물질로 형성하여 상기 반사전극(18)과 상기 데이터 배선(4) 사이에 신호 간섭이 발생하지 않도록 한다. Subsequently, a reflective electrode 18 is formed in the pixel area above the passivation layer 17 and connected to the drain electrode 16c through the contact hole 17a. The reflective electrode 18 is made of a conductive material such as metal and covers the thin film transistor T. In addition, the aperture ratio can be improved by overlapping with the data line 4. The protective layer 17 is formed of an organic material having a low dielectric constant, and is formed between the reflective electrode 18 and the data line 4. Do not cause signal interference.                         

한편, 제 2 기판(21)의 안쪽면에는 블랙 매트릭스(22)가 형성되어 있고, 그 하부에 적(R), 녹(G), 청(B)의 색이 순차적으로 반복되어 있는 컬러필터(23a, 23b, 23c)가 형성되어 있으며, 상기 컬러필터(23a, 23b, 23c) 하부에는 투명 도전 물질로 이루어진 공통 전극(24)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 컬러필터(23a, 23b, 23c)는 하나의 색이 하나의 반사전극(18)과 대응하며, 상기 블랙 매트릭스(22)는 상기 반사전극(18)의 가장자리에 대응되는 위치에 형성되어 있다. On the other hand, a black matrix 22 is formed on the inner surface of the second substrate 21, and a color filter in which red (R), green (G), and blue (B) are sequentially repeated at the bottom thereof ( 23a, 23b, and 23c are formed, and a common electrode 24 made of a transparent conductive material is formed under the color filters 23a, 23b, and 23c. Here, the color filters 23a, 23b, and 23c have one color corresponding to one reflective electrode 18, and the black matrix 22 is formed at a position corresponding to an edge of the reflective electrode 18. have.

앞서 언급한 것처럼, 금속과 같이 불투명한 도전 물질로 이루어진 상기 반사전극(18)이 박막 트랜지스터(T)를 덮고 있으므로, 상기 블랙 매트릭스(22)는 상기 반사전극(18)의 가장자리만을 가리도록 이루어질 수 있다.As mentioned above, since the reflective electrode 18 made of an opaque conductive material such as metal covers the thin film transistor T, the black matrix 22 may be formed to cover only the edge of the reflective electrode 18. have.

다음, 상기 반사전극(18)과 상기 공통 전극(24) 사이에는 액정층(30)이 위치하며, 상기 액정층(30)의 액정 분자는 상기 반사전극(18)과 상기 공통전극(24)에 전압이 인가되었을 때, 두 전극(18, 24) 사이에 생성된 전기장에 의해 배열 상태가 변화된다. 이때, 도시하지 않았지만 상기 반사전극(18) 상부와 상기 공통 전극(24) 하부에는 각각 배향막이 형성되어 있어, 액정 분자의 초기 배열 상태를 결정한다.Next, the liquid crystal layer 30 is positioned between the reflective electrode 18 and the common electrode 24, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 30 are disposed on the reflective electrode 18 and the common electrode 24. When a voltage is applied, the arrangement state is changed by the electric field generated between the two electrodes 18, 24. Although not illustrated, an alignment layer is formed on the reflective electrode 18 and the common electrode 24, respectively, to determine the initial arrangement state of the liquid crystal molecules.

한편, 하기에서는 상기 도 2의 요철 반사판을 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 단면도를 참조해서, 이러한 요철을 형성하는 과정을 포함하여 종래의 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법을 기술하겠다.Meanwhile, referring to a cross-sectional view of an array substrate for a reflective liquid crystal display device including the uneven reflection plate of FIG. I will describe.

도 3a 내지 도 3f은 종래에 따른 반사형 액정표시장치의 어레이 기판의 제조방법에 대한 순서도이다. 여기서, 소스/드레인 전극을 형성하는 공정까지는 통상적인 액정표시장치와 동일하므로 생략하겠다. 3A to 3F are flowcharts illustrating a method of manufacturing an array substrate of a reflective liquid crystal display device according to the related art. Here, the process of forming the source / drain electrodes is the same as in the conventional liquid crystal display device, and thus will be omitted.                         

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 상기 보호층(17) 상부에 유기물질을 도포하여 제 1 유기막(31)을 형성한다. 이 유기물질은 감광성 물질로 이루어지는 것이 좋다. 이는 유기물질을 패턴하는데 별도의 포토 레지스터를 사용할 필요가 없기 때문이다.First, as illustrated in FIG. 3A, an organic material is coated on the passivation layer 17 to form a first organic layer 31. This organic material is preferably made of a photosensitive material. This is because there is no need to use a separate photoresist to pattern the organic material.

이어서, 도 3b에 도시한 바와 같이, 마스크를 사용하여 노광 및 현상하고, 감광성 유기 물질을 제거하면 일정한 간격 및 크기를 가지는 톱니형상의 유기막 패턴(33)을 형성할 수 있다. 이때, 패턴간의 간격 및 중첩 정도를 조절하여 이후 형성되는 요철의 경사각을 조절할 수 있다. 이러한 유기 물질은 빛을 받는 부분이 제거되도록 할 수도 있으며, 빛을 받지 않는 부분이 제거되도록 할 수도 있다.Subsequently, as shown in FIG. 3B, when exposed and developed using a mask, and the photosensitive organic material is removed, the sawtooth-shaped organic film pattern 33 having a predetermined interval and size can be formed. At this time, it is possible to adjust the inclination angle of the irregularities to be formed later by adjusting the interval and the degree of overlap between the patterns. Such organic materials may cause the portions that are not illuminated to be removed or may be such that the portions that are not illuminated are removed.

다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 톱니형상의 제 1 유기막 패턴(33)을 열처리하면 요철형상의 제 2 유기막패턴(35)이 만들어진다. 이때, 유기막 패턴은 열처리에 의해 용융되어 퍼지게 되고, 이어 경화되어 10 도 내외의 경사각을 가지는 완만한 굴곡을 이루게 된다.Next, as shown in FIG. 3C, when the tooth-shaped first organic film pattern 33 is heat-treated, an uneven second organic film pattern 35 is formed. At this time, the organic layer pattern is melted and spread by heat treatment, and then cured to form a gentle bend having an inclination angle of about 10 degrees.

계속하여, 도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 요철형상의 제 2 유기막 패턴(35)이 형성된 보호층 전면에 유기 물질을 코팅하여 제 2 유기막(37)을 형성한다. 여기서, 제 2 유기막(37)은 상기 요철 형상의 제 2 유기막 패턴(35)에 의해 형성된 윤곽을 조절하여 표면의 경사각이 10 도 내외인 굴곡을 이루게 된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3D, an organic material is coated on the entire surface of the protective layer on which the uneven second organic film pattern 35 is formed to form the second organic film 37. Here, the second organic film 37 adjusts the contour formed by the uneven second organic film pattern 35 to form a curved surface having an inclination angle of about 10 degrees.

이어서, 도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 유기막(35) 및 상기 제 2 유기막(37)으로 이루어진 상기 보호층(17)을 패턴하여 상기 드레인 전극(16c)을 노출하는 드레인 콘택홀(17a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 3E, the drain contact hole exposing the drain electrode 16c by patterning the passivation layer 17 including the first organic layer 35 and the second organic layer 37. It forms 17a.                         

마지막으로, 도 3f 에 도시한 바와 같이, 상기 보호층(17) 상부의 화소 영역에는 마스크를 사용하여 빛을 반사시키는 반사전극(18)을 형성한다.Finally, as shown in FIG. 3F, a reflective electrode 18 is formed in the pixel area on the passivation layer 17 to reflect light using a mask.

한편, 반사투과형 액정 표시장치용 어레이 기판의 제조 방법의 경우, 요철 형상의 유기막 패턴을 형성하는 상기 반사형 액정 표시장치용 어레이 기판의 제조 방법과 동일하다. 다만, 투명전극을 패턴하는 마스크 공정이 더 추가된다. On the other hand, the manufacturing method of the array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device is the same as the manufacturing method of the said array substrate for a reflective liquid crystal display device which forms the uneven | corrugated organic film pattern. However, a mask process for patterning the transparent electrode is further added.

이와 같이, 반사형 또는 반사투과형 액정표시장치에서 미소 반사판 구조(MRS)를 갖는 반사막을 형성할 경우, 유기 절연막을 패턴하기 위한 포토 마스크 공정이 추가로 수행됨으로써 생산단가가 높아지는 문제점이 발생된다.As described above, when the reflective film having the micro-reflective plate structure (MRS) is formed in the reflective or reflective transmissive liquid crystal display device, a photo mask process for patterning the organic insulating film is additionally performed, resulting in a high production cost.

본 발명은, 반사형 액정표시장치에 적용되는 반사판을 오목한 요철 구조로 형성함으로써 평면성분을 최소하여 밀집도를 높일 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, by forming a reflecting plate applied to a reflective liquid crystal display device in a concave and convex structure to minimize the planar components and increase the density.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치는,In order to achieve the above object, the liquid crystal display device according to the present invention,

스위칭영역과 화소영역을 가진 기판의 스위칭 영역에 형성된 스위칭소자와;A switching element formed in the switching area of the substrate having the switching area and the pixel area;

상기 스위칭 소자가 형성된 기판상의 화소 영역에 유기절연막이 도포된 후, 소정간격으로 이격되어 패턴된 격벽과;A barrier rib patterned after the organic insulating film is applied to the pixel area on the substrate on which the switching element is formed, and spaced at a predetermined interval;

상기 소정간격이 이격된 격벽사이에 형성된 오목형 요철과;Concave-convex irregularities formed between the partition walls spaced apart from the predetermined intervals;

상기 격벽 및 오목형 요철상에 금속물질을 증착하여 형성된 반사판을 포함하는 점에 그 특징이 있다. It is characterized in that it comprises a reflective plate formed by depositing a metal material on the partition and concave-convex concave-convex.                     

여기서, 특히 상기 반사판은 오목형 반사판으로 형성되는 점에 그 특징이 있다.Here, in particular, the reflector is characterized in that it is formed as a concave reflector.

여기서, 특히 상기 격벽은 반원 테이퍼, 사각형 테이퍼 또는 역 테이퍼 형상 등을 갖는 점에 그 특징이 있다.Here, in particular, the partition wall is characterized in that it has a semi-circle taper, a square taper or an inverted taper shape.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은,In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

스위칭영역과 화소영역을 가진 기판의 상기 스위칭영역에 스위칭소자를 형성하는 단계와;Forming a switching element in said switching region of the substrate having a switching region and a pixel region;

상기 기판의 화소영역에 유기절연막을 형성하는 단계와;Forming an organic insulating film in the pixel region of the substrate;

상기 유기절연막을 소정 간격이 이격된 격벽을 패턴하여 경화하는 단계와;Hardening the organic insulating film by patterning partition walls spaced apart from each other by a predetermined interval;

상기 격벽사이에 유기절연막 재료의 잉크를 떨어뜨리고, 경화하는 단계와;Dropping and curing the ink of the organic insulating film material between the barrier ribs;

상기 경화된 패턴상에 금속물질을 증착하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.It is characterized in that it comprises the step of depositing a metal material on the cured pattern.

여기서, 특히 상기 격벽은 반원 테이퍼, 사각형 테이퍼 또는 역 테이퍼 형상 등으로 형성되는 점에 그 특징이 있다.Here, in particular, the partition is characterized in that it is formed in a semi-circle taper, square taper or inverse taper shape.

여기서, 특히 상기 격벽사이에 잉크를 떨어뜨리는 방법으로는 잉크 제트 방법이 적용되는 점에 그 특징이 있다.In particular, the ink jet method is applied as a method of dropping ink between the partition walls.

여기서, 특히 상기 격벽사이에 떨어뜨린 잉크는 피닝 현상 및 모세관 현상에 의해 격벽을 따라 올라가 오목한 형상을 형성하는 점에 그 특징이 있다.Here, in particular, the ink dropped between the barrier ribs is characterized in that it rises along the barrier ribs by a pinning phenomenon and a capillary phenomenon to form a concave shape.

이와 같은 본 발명에 의하면, 반사형 액정표시장치에 적용되는 반사판을 오 목한 요철 구조로 형성함으로써 평면성분을 최소하여 밀집도를 높일 수 있다.According to the present invention, by forming the reflecting plate applied to the reflective liquid crystal display device in the concave-convex structure, the compactness can be increased by minimizing the planar component.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다. 여기서, 도 4에 도시된 반사형 액정표시장치의 단면은, 상기 도 1 의 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 절단한 어레이 기판과 대응하는 칼라필터 기판을 같이 도시한 단면도로서, 이 도면의 단면구조는 상기 도 2 와 유사하므로 중복되는 부분에 대해서는 자세한 설명은 생략한다. 4 is a schematic cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device according to the present invention. 4 is a cross sectional view showing a color filter substrate corresponding to an array substrate cut along the line II ′ of FIG. 1, wherein the cross-sectional structure of the reflective liquid crystal display device shown in FIG. Since it is similar to FIG. 2, a detailed description thereof will be omitted.

상기 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는, 보호층(47)의 상부면에 오목형의 굴곡을 형성하여 반사 전극(48)의 표면이 요철 형태를 가지도록 한다. 따라서, 반사되는 빛의 각도를 변화시켜 정면 휘도를 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 4, in the liquid crystal display according to the present invention, concave-shaped bends are formed on the upper surface of the protective layer 47 so that the surface of the reflective electrode 48 has an uneven shape. Therefore, the front brightness can be improved by changing the angle of the reflected light.

한편, 도 5는 반사판의 유효 반사각내에서의 반사 밀집도를 도시한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, A는 종래에 따른 볼록형 요철 구조를 갖는 반사판의 유효 반사각내의 반사 밀집도를 나타낸 것이고, B는 본 발명에 따른 오목형 요철 구조를 갖는 반사판의 유효 반사각내의 반사 밀집도를 나타낸 것이다.5 is a diagram showing the reflection density within the effective reflection angle of the reflecting plate. As shown therein, A represents the reflection density within the effective reflection angle of the reflecting plate having the convex concave-convex structure according to the prior art, and B represents the reflection density within the effective reflection angle of the reflecting plate having the concave-convex concave-convex structure according to the present invention.

따라서, 본 발명에 따른 오목형 요철 구조를 갖는 반사판이 유효 반사각내에서 반사율이 높아짐을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the reflecting plate having the concave-convex concave-convex structure according to the present invention has a high reflectance within the effective reflecting angle.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 제조방법을 설명한다. 이하, 도 6a 내지 6e는 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치의 제조방법을 도시한 순서도이다. In addition, a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to a preferred embodiment of the present invention will be described. 6A to 6E are flowcharts illustrating a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to the present invention.                     

먼저, 도 6a 에 도시한 바와 같이, 기판(41) 상에 게이트(gate)전극(42)을 형성한다. 여기서, 기판(41) 위에 크롬, 구리, 알루미늄과 같은 금속층을 증착하고, 금속층을 세정한 후 그 위에 포토 레지스터를 코팅한다. 다음 포토 마스크에 형성된게이트 패턴을 포토 레지스터 위에 노광하여 현상, 에칭한 후 포토 레지스터를 제거시키면 게이트 전극(42)이 형성된다.First, as shown in FIG. 6A, a gate electrode 42 is formed on the substrate 41. Here, a metal layer such as chromium, copper, aluminum is deposited on the substrate 41, the metal layer is cleaned, and a photoresist is coated thereon. Next, the gate pattern formed on the photomask is exposed on the photoresist, developed and etched, and then the photoresist is removed to form the gate electrode 42.

상기 게이트전극(42)이 형성된 기판(41)의 상부에 게이트 절연막(43)을 형성한다. 이때 게이트 절연막(43)으로는 실리콘질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO₂)이 이용된다.A gate insulating layer 43 is formed on the substrate 41 on which the gate electrode 42 is formed. At this time, a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiO₂) is used as the gate insulating film 43.

다음으로, 상기 게이트전극(42)상부의 게이트 절연막(43)상에 아몰퍼스 실리콘인 액티브층(active layer:44)과 불순물이 포함된 아몰퍼스 실리콘인 오믹콘택층(ohmic contact layer;45a,45b)이 아일랜드 형태로 구성된 반도체층을 형성한다. 여기서, 실리콘층을 증착하고 패터닝하여 액티브층(44)을 형성하고 액티브층에 불순물인 인(Phosphorus)이나 붕소(Boron)로 이온도핑하여 오믹콘택층 (45a,45b)을 형성된다.Next, an active layer 44 of amorphous silicon and an ohmic contact layer 45a and 45b containing impurities are formed on the gate insulating layer 43 on the gate electrode 42. A semiconductor layer having an island shape is formed. Here, an active layer 44 is formed by depositing and patterning a silicon layer, and ohmic contact layers 45a and 45b are formed by ion doping with phosphorus or boron as impurities in the active layer.

다음으로, 상기 오믹콘택층(45a,45b) 상부에 소스전극(46b)과 드레인전극 (46c) 그리고 게이트 배선과는 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(34)을 형성한다. 여기서, 금속층을 증착하고 패턴닝하여 소스/드레인 전극(46b,46c)과 데이터 배선(34)을 형성한다. 한편, 액티브층(44)과 오믹 콘택층(45a,45b)을 형성하고 그 위에 소스/드레인 전극(46b,46c)을 형성한 다음 소스/드레인 전극(46b,46c) 사이에 이격된 영역에서 노출된 오믹 콘택층(45a,45b)을 제거하여 그 하부에 액티브층(44)을 노출하여 채널영역을 형성한다. Next, a data line 34 is formed on the ohmic contact layers 45a and 45b to vertically cross the source electrode 46b, the drain electrode 46c, and the gate line to define the pixel area P. . Here, metal layers are deposited and patterned to form source / drain electrodes 46b and 46c and data lines 34. Meanwhile, the active layer 44 and the ohmic contact layers 45a and 45b are formed, and source / drain electrodes 46b and 46c are formed thereon, and then exposed in a spaced apart area between the source / drain electrodes 46b and 46c. The ohmic contact layers 45a and 45b are removed to expose the active layer 44 at the bottom to form a channel region.

그리고, 다음으로 상기 소스/드레인 전극(46b,46c)이 형성된 기판(41)상에 절연물질을 증착하여 보호층(47)을 형성한다. 이때 보호층(47)은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막, 바람직하게는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene ;BCB )이나 감광성 아크릴(photoacryl )계열의 유기 절연막으로 이루어진다.Next, a protective layer 47 is formed by depositing an insulating material on the substrate 41 on which the source / drain electrodes 46b and 46c are formed. At this time, the protective layer 47 is made of a silicon nitride film or a silicon oxide film, preferably an organic insulating film of benzocyclobutene (BCB) or photoacryl series.

다음으로, 도 6b에서 도시된 바와 같이, 상기 보호층(47) 상부에 유기물질을 도포하여 유기절연막(71)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 6B, an organic material is coated on the passivation layer 47 to form an organic insulating layer 71.

이어서, 도 6c에서 도시된 바와 같이, 상기 유기절연막(71)은 포토 공정을 이용하여, 격벽(barrier)(72)을 형성하게 된다. Subsequently, as shown in FIG. 6C, the organic insulating layer 71 forms a barrier 72 by using a photo process.

이때, 상기 격벽(72)의 유기절연막 패턴은 열처리 과정을 거쳐 원하는 모양(texture)으로 경화시키게 된다. 따라서, 상기 격벽(72)의 형상은 포토 공정에 의해 반원 테이퍼, 사각형 테이퍼 또는 역 테이퍼 형상 등의 여러 가지 형태로 형성될 수 있다. At this time, the organic insulating film pattern of the partition 72 is cured to a desired texture through a heat treatment process. Therefore, the partition wall 72 may be formed in various shapes such as a semi-circle taper, a square taper, or an inverse taper shape by a photo process.

다음으로, 도 6d에서 도시된 바와 같이, 상기 형성된 격벽(72) 사이에 잉크 제트 방법(ink jet method)을 사용하여 유기 절연물질의 재료인 잉크(73)를 물방울처럼 떨어뜨리게 된다.Next, as shown in FIG. 6D, the ink 73, which is a material of an organic insulating material, is dropped like a drop of water between the formed partitions 72 using an ink jet method.

이때, 상기 격벽(72)안에 떨어진 잉크(73)는 피닝(pinnig)현상 및 모세관 현상으로 인해 평탄(flat)하게 형성되지 않고, 격벽(72)을 따라 올라가 오목한 형태로 형성하게 된다.At this time, the ink 73 dropped in the partition wall 72 is not formed flat due to pinning and capillary phenomenon, and rises along the partition 72 to form a concave shape.

그리고, 상기 격벽(72)사이에 오목한 형태로 형성된 유기절연물질의 잉크(73)는 경화시키게 된다.The ink 73 of the organic insulating material formed in a concave shape between the partitions 72 is cured.

계속하여, 도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 오목형으로 형성된 유기막패턴상의 전면상에는 화소 영역에 빛을 반사시키는 반사전극(48)이 형성된다.Subsequently, as shown in Fig. 6E, a reflective electrode 48 for reflecting light in the pixel region is formed on the entire surface of the concave organic film pattern.

상기 반사전극(48)은 빛의 반사가 잘되는 알루미늄이나 알루미늄 합금과 같은 도전물질로 이루어져 있다. The reflective electrode 48 is made of a conductive material such as aluminum or an aluminum alloy, which reflects light well.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은, 반사형 액정표시장치에 적용되는 반사판을 오목한 요철 구조로 형성함으로써 평면성분을 최소하여 밀집도를 높일 수 있다.As described above, the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention can increase the compactness by minimizing the planar components by forming the reflective plate applied to the reflective liquid crystal display device in a concave-convex structure.

또한, 상기 오목형 반사판을 형성하는데 있어, 잉크 제트 방법을 적용하여 공정수를 줄일 수 있다.In addition, in forming the concave reflecting plate, the number of processes can be reduced by applying an ink jet method.

Claims (7)

스위칭영역과 화소영역을 가진 기판의 스위칭 영역에 형성된 스위칭소자와;A switching element formed in the switching area of the substrate having the switching area and the pixel area; 상기 스위칭 소자가 형성된 기판상의 화소 영역에 유기절연막이 도포된 후, 소정간격으로 이격되어 패턴된 격벽과;A barrier rib patterned after the organic insulating film is applied to the pixel area on the substrate on which the switching element is formed, and spaced at a predetermined interval; 상기 소정간격이 이격된 격벽사이에 형성된 오목형 요철과;Concave-convex irregularities formed between the partition walls spaced apart from the predetermined intervals; 상기 격벽 및 오목형 요철상에 금속물질을 증착하여 형성된 반사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a reflector formed by depositing a metal material on the barrier ribs and the concave-convex concave-convex. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사판은 오목형 반사판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the reflector is formed as a concave reflector. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 격벽은 반원 테이퍼, 사각형 테이퍼 또는 역 테이퍼 형상 등을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the partition wall has a semi-circle taper, a square taper or an inverted taper shape. 스위칭영역과 화소영역을 가진 기판의 상기 스위칭영역에 스위칭소자를 형성하는 단계와;Forming a switching element in said switching region of the substrate having a switching region and a pixel region; 상기 기판의 화소영역에 유기절연막을 형성하는 단계와;Forming an organic insulating film in the pixel region of the substrate; 상기 유기절연막을 소정 간격이 이격된 격벽을 패턴하여 경화하는 단계와;Hardening the organic insulating film by patterning partition walls spaced apart from each other by a predetermined interval; 상기 격벽사이에 유기절연막 재료의 잉크를 떨어뜨리고, 경화하는 단계와;Dropping and curing the ink of the organic insulating film material between the barrier ribs; 상기 경화된 패턴상에 금속물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And depositing a metal material on the cured pattern. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 격벽은 반원 테이퍼, 사각형 테이퍼 또는 역 테이퍼 형상 등으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And the partition wall is formed in a semi-circle taper, a square taper or an inverted taper shape. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 격벽사이에 떨어뜨린 잉크는 잉크 제트 방법이 적용되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And the ink jet method is applied to the ink dropped between the barrier ribs. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 격벽사이에 떨어뜨린 잉크는 피닝 현상 및 모세관 현상에 의해 격벽을 따라 올라가 오목한 형상을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And the ink dropped between the partition walls is formed along the partition walls by a pinning phenomenon and a capillary phenomenon to form a concave shape.
KR1020030100347A 2003-12-30 2003-12-30 Device and fabrication method for liquid crystal display KR100989465B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030100347A KR100989465B1 (en) 2003-12-30 2003-12-30 Device and fabrication method for liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030100347A KR100989465B1 (en) 2003-12-30 2003-12-30 Device and fabrication method for liquid crystal display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050070608A KR20050070608A (en) 2005-07-07
KR100989465B1 true KR100989465B1 (en) 2010-10-22

Family

ID=37260671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030100347A KR100989465B1 (en) 2003-12-30 2003-12-30 Device and fabrication method for liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100989465B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101534008B1 (en) 2008-08-12 2015-07-07 삼성디스플레이 주식회사 Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000089217A (en) 1998-09-08 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflective liquid crystal display device and its manufacture
KR20020057218A (en) * 2000-12-30 2002-07-11 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 method for manufacturing semipermeable reflection mode liquid crystal display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000089217A (en) 1998-09-08 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflective liquid crystal display device and its manufacture
KR20020057218A (en) * 2000-12-30 2002-07-11 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 method for manufacturing semipermeable reflection mode liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050070608A (en) 2005-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101197223B1 (en) An array substrate for trans-flective liquid crystal display device and fabrication method of the same
KR101202983B1 (en) An array substrate for trans-flective liquid crystal display device and fabrication method of the same
KR100688230B1 (en) Transflective liquid crystal display device
US20060114379A1 (en) Reflective LCD comprising reflective surface including convex portions whose elevation varying cycles is greater than pitch of convex portions
KR20040100489A (en) Transflective liquid crystal display device and fabrication method of the same
JP2007212969A (en) Reflection plate, liquid crystal display device provided with the reflection plate, and method of manufacturing the same
KR100993608B1 (en) Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method of the same
US20100279445A1 (en) Transflective type diode substrate and a method for fabrication the same
US8241935B2 (en) Method of fabricating liquid crystal display device having concave reflector
JP2000284272A (en) Liquid crystal display device and its production
KR20070042615A (en) Array substrate and method of manufacturing the same
KR100989465B1 (en) Device and fabrication method for liquid crystal display
KR20080049514A (en) Vertical alignment mode trans-flective liquid crystal display device and method of fabricating the same
US20090127563A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR100775393B1 (en) transflective liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR101000399B1 (en) Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method of the same
KR100487783B1 (en) Fabrication method of an array substrate having a reflective plate for a liquid crystal display device
KR20080061924A (en) Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof
KR100930921B1 (en) Array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR20040110834A (en) Color filter substrate for transflective liquid crystal display device and fabrication method of the same
KR20060124850A (en) Transflective liquid crystal display device
KR101658514B1 (en) Method of fabricating an array substrate for trans-flective liquid crystal display device
KR100835169B1 (en) Fabrication method of an array substrate having a reflective plate for a liquid crystal display device
KR20040090301A (en) reflective type liquid crystal display and method for fabricating the same
KR20070005075A (en) Manufacturing method of reflective type liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140918

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150930

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 9