JP2000089217A - Reflective liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents

Reflective liquid crystal display device and its manufacture

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JP2000089217A
JP2000089217A JP25356098A JP25356098A JP2000089217A JP 2000089217 A JP2000089217 A JP 2000089217A JP 25356098 A JP25356098 A JP 25356098A JP 25356098 A JP25356098 A JP 25356098A JP 2000089217 A JP2000089217 A JP 2000089217A
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liquid crystal
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electrode
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Application number
JP25356098A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshio Iwai
Tetsu Ogawa
Yoshinobu Sakurai
Tomoaki Sekime
Hisanori Yamaguchi
鉄 小川
久典 山口
義夫 岩井
芳亘 櫻井
智明 関目
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a reflective liquid crystal display device with high diffuse reflectivity and high contrast and a method for its manufacturing. SOLUTION: The second substrate part P2 formed by laminating a color filter 4, a transparent electrode 5 and an alignment layer 6a on a counter substrate 3 and the first substrate part P1 formed by laminating a TFT 13, interlayer insulating films 15 and 17, a reflective electrode 8A and an alignment layer 6b on a reflective substrate 10 are manufactured. A reflective liquid crystal display device is made by filling liquid crystal between the first and the second substrate parts. In this case, a part of a surface of the interlayer insulating film 17 is irradiated with an ultraviolet ray using a specified photomask and is made concave-shaped with an etchant. Succeedingly the reflective electrode 8A is made by film forming with aluminum. Thereby mirror parts and concave diffusion parts are formed simultaneously and contrast is improved without being influenced by polarization characteristics of a liquid crystal cell.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、散乱反射率を高め、かつ反射面での偏光変化を抑制してコントラスト低下を防ぐことのできる反射型液晶表示装置とその製造方法に関するものである。 The present invention relates to increases the scattering reflectance and to suppress polarization change on the reflection surface relates a method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device capable of preventing a decrease contrast.

【0002】 [0002]

【従来の技術】反射型液晶表示装置(以下、反射型LC BACKGROUND ART reflection type liquid crystal display device (hereinafter, reflective LC
Dという)は、パネル前面より入射した外光を液晶パネルにより変調し、液晶パネル裏面に設けた反射板によって反射させて表示を行うものである。 That D) is an external light incident from the front of the panel is modulated by the liquid crystal panel, in which display is performed by reflection by the reflective plate provided on the liquid crystal panel back surface. このため反射型L Because of this reflection-type L
CDは、透過型液晶表示装置(以下、透過型LCDという)に不可欠なバックライトが不要であり、消費電力の低減が可能である。 CD is a transmissive liquid crystal display device (hereinafter, referred to as transmissive LCD) integral backlight is unnecessary, it is possible to reduce power consumption. この意味で携帯情報端末や携帯機器に最適と言える。 It can be said that the ideal for portable information terminals and portable devices in this sense.

【0003】しかし、外光の反射により表示を行う反射型LCDでは、液晶パネルに対する入射光の調節機能がない。 However, the reflection-type LCD for displaying by reflection of external light, there is no adjustability of the light incident on the liquid crystal panel. このため外光の照度が弱い場合、例えば、屋内や夜間に反射型LCDを使用する場合では、表示画面が非常に暗くなり、視認性が劣化する欠点がある。 If illuminance Therefore external light is weak, for example, in the case of using the reflective LCD indoors or at night, there is a disadvantage that the display screen becomes very dark, visibility is deteriorated. このため、反射型LCDでは、入射した外光をできるだけ効率よく反射させるように、反射率を高める工夫が必要がある。 Therefore, the reflective LCD, so that as much as possible efficiently reflects external light incident, it is necessary to devise to enhance the reflectivity.

【0004】反射率を高める手段として、液晶セルや光学部材での光の伝搬ロスを防ぐことと、反射板での反射率を高める方法がある。 As a means to increase the reflectance, and to prevent propagation loss of light in the liquid crystal cell and the optical member, there is a method to increase the reflectance at the reflecting plate. また液晶セルや光学部材による光の伝播ロスを低減する方法としては、偏光板での光の透過損失がもっとも大きいことに着目して、偏光板を用いないゲストホスト型表示方式がある(特開平7−14 As the method of reducing the propagation loss of light by the liquid crystal cell and the optical member, the transmission loss of light in the polarizing plate in view of the fact greatest, there is a guest-host type display mode using no polarizing plate (JP-A 7-14
6469号参照)。 See No. 6469). また偏光板を1枚にした1枚偏光板方式がある(特開平7−84252号参照)。 There is also a single polarizing plate type in which the polarizing plate on one (see JP-A-7-84252).

【0005】また、反射板での反射率を高める方法として、従来は液晶セルの外側に設けてい反射板を液晶セルの内部に設け、かつ反射板の構成材料として、反射率が高く、電気抵抗値の低いアルミニュウムを用いて、反射板としての機能と電極としての機能を兼ね備えた反射電極を形成する方式が開示されている(特開平8−101 Further, as a method to increase the reflectance at the reflecting plate, conventionally a reflective plate have provided outside the liquid crystal cell in the interior of the liquid crystal cell, and as the constituent material of the reflector, high reflectivity, electrical resistance with low values ​​aluminum, a method of forming a reflective electrode which has both a function as a function and an electrode as a reflector has been disclosed (JP-a-8-101
384号参照)。 See 384 Patent). さらに、反射電極面に凹凸を設けて光散乱機能を付与し、液晶セルと位相板と偏光板を用いて表示を行う方式がある(特開平5−217701号参照)。 Further, irregularities on the reflective electrode surface to impart a light scattering function, there is a method of performing display by using a liquid crystal cell and the phase plate a polarizing plate (see JP-A-5-217701). 更に及び反射電極の凹凸をメルト法により形成する方式が開示されている(特開平9−146087号参照)。 It is further and discloses methods for forming irregularities of the reflection electrode by melt method (see JP-A-9-146087).

【0006】反射電極面に凹凸を設けた従来の反射型L [0006] The conventional irregularities on the reflective electrode surface reflection type L
CDとして、図7に示すようなものがある。 As CD, there is shown in FIG. この反射型LCDは、外光の入射面から順に列挙すると、偏光板1、ガラス基板3、カラーフィルタ4、透明電極5、配向膜6a、液晶7、配向膜6b、凹凸状の反射電極8、 The reflective LCD, when enumerating from the incident surface of the external light in order, the polarizing plate 1, a glass substrate 3, a color filter 4, the transparent electrode 5, the alignment layer 6a, the liquid crystal 7, the alignment film 6b, uneven reflective electrode 8,
層間絶縁膜17、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)13、ガラス基板10により構成されている。 Interlayer insulating film 17, a thin film transistor (hereinafter, TFT hereinafter) 13, a glass substrate 10. この反射型LCDは、偏光板を1枚にした1枚偏光板方式と、凹凸状の反射電極8を液晶セル内に設ける方式とを併用したものであり、反射電極8に散乱性を付与して拡散反射率を高め、視認性の向上を意図したものである。 The reflective LCD, and a single polarizing plate type in which the polarizing plate on one, and in an uneven reflective electrode 8 that a combination of the method provided in the liquid crystal cell, the scattering is imparted to the reflective electrode 8 increasing the diffuse reflectance Te, it is intended to improve the visibility.
反射電極8は、凹凸状の層間絶縁膜17上に形成され、 Reflection electrode 8 is formed on the uneven interlayer insulating film 17,
層間絶縁膜17の一部に設けられたされたコンタクトホール16を通して、TFT13のドレイン電極14と電気的に接続されている。 Through the contact hole 16 which is provided at a part of the interlayer insulating film 17, and is electrically connected to the drain electrode 14 of the TFT 13. 反射電極8はTFT13のゲート電極11とソース電極12に対するスイッチング動作によりパルス駆動され、液晶(液晶セル)7に対して画素信号に応じた駆動電圧を与える。 Reflective electrode 8 is pulse-driven by the switching operation with respect to the gate electrode 11 and the source electrode 12 of the TFT 13, applies a driving voltage corresponding to the pixel signal to the liquid crystal (liquid crystal cell) 7.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の反射型LCDに入射した光は、偏光板1を通過して直線偏光になり、液晶層で変調された後、凹凸状の反射電極8の表面で反射し、再度液晶層を通過して偏光板1に達する。 [SUMMARY OF THE INVENTION] The light incident on the reflective LCD is made into linearly polarized light passes through the polarizing plate 1, after being modulated by the liquid crystal layer, reflected by the surface of the uneven reflective electrode 8 and, reaching the polarizing plate 1 and passes through again the liquid crystal layer. 1枚の偏光板1で白、黒の表示を行うには、反射電極8面での反射光は、黒表示の場合には円偏光となり、白表示の場合には直線偏光となることが必要である。 White In one polarizing plate 1, to perform black display, light reflection at the eighth surface reflective electrode is converted into a circularly polarized light in the case of black display, it needs to be a linearly polarized light in the case of white display it is.

【0008】一般に金属反射面に斜めから光を入射させると、反射光のP波、S波間で位相差が発生することが知られている。 [0008] In general, light is incident from an oblique reflective metal surface, P-wave of the reflected light, it is known that the phase difference is generated at the S waves. 位相差は入射角依存性があり、入射角(反射角)が大きくなるにつれて、位相差も大きくなる。 The phase difference has incident angle dependency, as the incident angle (reflection angle) increases, also increases the phase difference. 上記構成で用いられる凹凸状の反射電極8の表面でも同様な現象が発生する。 Similar phenomenon also occurs at the surface of the uneven reflective electrodes 8 used in the above configuration. すなわち、拡散性の大きな反射電極8ほど位相差が大きくなる。 That is, the phase difference increases as a large reflector 8 diffusive. このため、偏光を用いる液晶パネルでは、凹凸状の反射電極8で反射光の偏光状態が変化し、コントラストが低下するという問題点があった。 Therefore, in the liquid crystal panel using polarized light, the polarization state of the reflected light is changed by the uneven shape of the reflective electrode 8, there is a problem in that contrast is lowered.

【0009】本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであって、散乱反射率を高め、かつ反射電極面での偏光変化を抑制し、コントラスト低下を防ぐことのできる反射型液晶表示装置と、その製造方法を実現することを目的とする。 [0009] The present invention was made in view of such conventional problems, increase the scattering reflectance and suppresses polarization change in the reflection electrode surface, the reflection that can prevent degradation contrast the purpose and type liquid crystal display device, to realize a manufacturing method thereof.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】このような課題を解決するために、本願の請求項1の発明は、第1の基板にアクティブ素子と画素電極とが形成された第1の基板部と、 To solve SUMMARY OF THE INVENTION The above problems, the invention of claim 1 includes a first substrate portion to the first substrate and the active elements and the pixel electrodes are formed,
透明な第2の基板にカラーフィルタと透明電極が形成された第2の基板部と、前記第1の基板部と第2の基板部の間隙に充填された液晶層と、を具備する反射型液晶表示装置であって、前記画素電極は、導電性材料で画素単位で薄膜状に形成され、前記アクティブ素子の出力端と結合されるコンタクトホール部と、前記アクティブ素子の入力ラインと無機の層間絶縁膜及び有機の層間絶縁膜を介して隔離され、前記液晶層と対向する面の複数箇所に平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成された反射電極部と、を有することを特徴とするものである。 A second substrate portion on which the color filter and the transparent electrode on a transparent second substrate is formed, the reflection type comprising a liquid crystal layer filled in the first substrate portion and the gap between the second substrate portion a liquid crystal display device, the pixel electrode is formed into a thin film in a pixel unit of a conductive material, and the contact hole portion which is coupled to the output terminal of the active element, an input line and an inorganic interlayer of the active element isolated with an insulating film and an organic interlayer insulating film, that the concave diffusion and flat surface at a plurality of positions of the liquid crystal layer and the opposing surfaces have a reflective electrode portion formed at a predetermined area ratio it is an feature.

【0011】本願の請求項2の発明は、請求項1の反射型液晶表示装置において、前記反射電極部の拡散用凹面は、前記無機の層間絶縁膜より膜厚の大きい有機の層間絶縁膜の表面に形成され、前記コンタクトホール部の形成に用いるフォトエッチング処理と同一のフォトエッチング処理により、前記有機の層間絶縁膜の表面を部分的に凹面状に除去し、前記拡散用凹面と前記平坦面が形成された後に、光反射率の高い導電性材料で塗膜されたことを特徴とするものである。 [0011] The present invention of claim 2 is the reflective type liquid crystal display device according to claim 1, diffusion concave of the reflective electrode section, a large organic interlayer insulating film having a thickness of from interlayer insulating film of the inorganic is formed on a surface, said by the same photo-etching process and the photo-etching process used for forming the contact hole portion, wherein the surface of the organic interlayer insulating film is partially removed concave, the flat surface and the concave surface for diffused after There formed, it is characterized in that a high conductive material light reflectance was coated film.

【0012】本願の請求項3の発明は、請求項1又は2 [0012] the invention of claim 3, claim 1 or 2
の反射型液晶表示装置において、1画素の面積をS1とし、前記拡散用凹面の面積をS2、前記拡散用凹面の1 In the reflection type liquid crystal display device, the area of ​​one pixel is S1, the diffusion concave area of ​​S2, the diffusion of the concave 1
画素当たりの個数をNとした場合、S2×N/S1が0.5以上0.8以下であることを特徴とするものである。 If the number per pixel was N, S2 × N / S1 is characterized in that 0.5 to 0.8.

【0013】本願の請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれか1項の反射型液晶表示装置において、前記反射電極部は、前記拡散用凹面の平均深さをd1、前記コンタクトホール部の平均深さをd2とすると、d1<d2 [0013] the invention of claim 4, in the reflection type liquid crystal display device of claim 1, wherein the reflective electrode section, the average depth of the concave for diffused d1, the contact hole If the average depth of parts and d2, d1 <d2
なる関係を満たし、かつ0.5μm<d1<1μmであることを特徴とするものである。 Satisfy the relationship: and is characterized in that it is 0.5μm <d1 <1μm.

【0014】本願の請求項5の発明は、第1の基板にアクティブ素子と画素電極とが形成された第1の基板部と、透明な第2の基板にカラーフィルタと透明電極が形成された第2の基板部と、前記第1の基板部と第2の基板部の間隙に充填された液晶層と、を具備する反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板にゲート線とソース線とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配置して形成する第1の工程と、 [0014] The present invention of claim 5 includes a first substrate portion and the active element and a pixel electrode are formed on the first substrate, a color filter and a transparent electrode are formed on a transparent second substrate a second substrate portion, a manufacturing method of a reflection type liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer filled in the first substrate portion and the gap between the second substrate portion, the first substrate a first step of forming by arranging thin film transistors in a matrix having gate lines and the source line and the drain electrode,
前記第1の工程で得られた基板の上面に対し、無機材料を用いて第1の層間絶縁膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜の上層に感光性樹脂を塗膜して第2の層間絶縁膜を形成する第2の工程と、前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光及び現像を行い、前記ドレイン電極の部分にコンタクトホールを形成し、反射電極となる部分に前記コンタクトホールより浅いホールを形成する第3の工程と、前記ホールが形成された第2の層間絶縁膜に対して紫外線を照射し、更に第2の層間絶縁膜に第1の熱処理を施して、前記感光性樹脂の上層部を溶融させ、上面が略円形状であり、断面が略円弧状の拡散用凹面を形成する第4の工程と、前記第4の工程後の前記感光性樹脂に対し、第2の熱処理を施して架橋反応させる第5の工程と、前記第5の With respect to the upper surface of the substrate obtained in the first step, a first interlayer insulating film is formed using an inorganic material, the second to coating the photosensitive resin in the upper layer of the first interlayer insulating film a second step of forming an interlayer insulating film, wherein the photosensitive resin subjected to exposure and development using a photomask, a contact hole is formed in a portion of the drain electrode, the contact hole on the portion to be a reflective electrode a third step of forming a shallower holes, ultraviolet rays are irradiated on the second interlayer insulating film, wherein the hole is formed, by performing a further first heat treatment in the second interlayer insulating film, the photosensitive to melt the upper part of rESIN upper surface is substantially circular, a fourth step of cross-section to form a concave diffusion of a substantially arc shape, relative to the photosensitive resin after the fourth step, the a fifth step of cross-linking reaction subjected to a second heat treatment, the fifth 程で得られた基板の最上面に対して、光反射率の高い導電性材料を塗膜することにより、 Against the top surface of the resulting substrate in degree, high conductivity material light reflectance by coating,
前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続された反射電極を形成する第6の工程と、を有することを特徴とするものである。 Is characterized in that it has a, a sixth step of forming a connected reflective electrode and the drain electrode through the contact hole.

【0015】本願の請求項6の発明は、請求項5の反射型液晶表示装置の製造方法において、前記第3の工程は、前記ホールの露光量をW1とし、前記コンタクトホールの露光量をW2とすると、W1<W2の関係式を満たすことを特徴とするものである。 [0015] The present invention of claim 6 is the method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device according to claim 5, wherein the third step, the exposure amount of the hole and W1, the exposure of the contact hole W2 When, it is characterized in satisfying the relationship of W1 <W2.

【0016】本願の請求項7の発明は、請求項5又は6 [0016] the invention of claim 7, claim 5 or 6
の反射型液晶表示装置の製造方法において、前記第3の工程における前記ホールと前記コンタクトホールで露光量を異ならしめる方法として、前記ホールと前記コンタクトホールで光線透過量の異なるフォトマスクを用いることを特徴とするものである。 The method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, as a method made different exposure amount in the contact hole and the hole in the third step, the use of different photomasks light transmission amount in the contact hole and the hole it is an feature.

【0017】本願の請求項8の発明は、請求項5又は6 [0017] the invention of claim 8, claim 5 or 6
の反射型液晶表示装置の製造方法において、前記第3の工程における前記ホールと前記コンタクトホールで露光量を異ならしめる方法として、前記ホールと前記コンタクトホールで、光線透過面積の異なるフォトマスクを用いたことを特徴とするものである。 The method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device, as a method made different exposure amount in the contact hole and the hole in the third step, in the contact hole and the hole, using different photomasks light transmission area it is characterized in.

【0018】本願の請求項9の発明は、第1の基板にアクティブ素子と画素電極とが形成された第1の基板部と、透明な第2の基板にカラーフィルタと透明電極が形成された第2の基板部と、前記第1の基板部と第2の基板部の間隙に充填された液晶層と、を具備する反射型液晶表示装置の製造方法であって、前記第1の基板にゲート線とソース線とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配置して形成する第1の工程と、 [0018] The present invention of claim 9 includes a first substrate portion and the active element and a pixel electrode are formed on the first substrate, a color filter and a transparent electrode are formed on a transparent second substrate a second substrate portion, a manufacturing method of a reflection type liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer filled in the first substrate portion and the gap between the second substrate portion, the first substrate a first step of forming by arranging thin film transistors in a matrix having gate lines and the source line and the drain electrode,
前記第1の工程で得られた基板の上面に対し、無機材料を用いて第1の層間絶縁膜を、前記ドレイン電極の形成面より高くなるまで形成する第2の工程と、前記第2の工程で形成された第1の層間絶縁膜に対し、フォトマスクを用いて露光及び現像を行い、前記ドレイン電極の部分にホールを形成し、反射電極となる部分に凹部を形成する第3の工程と、前記第3の工程で加工された第1の層間絶縁膜に第2の層間絶縁膜として感光性樹脂を塗膜することにより、反射電極となる部分に拡散用凹面を形成する第4の工程と、前記第4の工程で塗膜された感光性樹脂に対してフォトマスクを用いて露光及び現像を行い、前記ドレイン電極の部分にコンタクトホールを形成する第5の工程と、前記第5の工程後の前記感光性樹脂に対し、第2の熱 With respect to the upper surface of the substrate obtained in the first step, a first interlayer insulating film using an inorganic material, a second step of forming to be higher than the forming surface of the drain electrode, the second with respect to the first interlayer insulating film formed in the step, exposure and development using a photomask, holes are formed in a portion of the drain electrode, a third step of forming a recess in a portion to be a reflective electrode When, by first coating the photosensitive resin as the second interlayer insulating film is an interlayer insulating film which is processed in the third step, the fourth forming a diffusion concave surface facing the portion to be a reflective electrode a step, exposure and development using a photomask to said fourth coating photosensitive resin in step, a fifth step of forming a contact hole in a portion of the drain electrode, the fifth to said photosensitive resin after the step, the second thermal 理を施して架橋反応させる第6の工程と、前記第6の工程で得られた基板の最上面に対して、光反射率の高い導電性材料を塗膜することにより、 A sixth step of cross-linking reaction subjected to physical, against the top surface of the substrate obtained in the sixth step, the high conductivity material light reflectance by coating,
前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続された反射電極を形成する第7の工程と、を有することを特徴とするものである。 Is characterized in that it has a, a seventh step of forming a connected reflective electrode and the drain electrode through the contact hole.

【0019】 [0019]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)本発明の実施の形態1における反射型液晶表示装置について図面を参照しつつ説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) will be described with reference to the drawings reflective type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 図1は本実施の形態における反射型液晶表示装置の構成図であり、特に1画素部分の断面構造を示している。 Figure 1 is a block diagram of a reflection type liquid crystal display device of this embodiment, in particular shows a cross-sectional structure of one pixel portion. なお本図において従来例と同一部分は同一の符号を付けている。 Note conventional example same parts in the figure are given the same reference numerals. 反射型液晶表示装置(反射型L Reflection type liquid crystal display device (reflection type L
CD)は構造的に、第1の基板にアクティブ素子及び画素電極が形成された第1の基板部P1と、第2の基板に対向電極及びカラーフィルタが形成された第2の基板部P2と、第1及び第2の基板部に挟持された液晶層Cとから構成される。 CD) is Structurally, the first substrate portion P1 of the first substrate is an active element and a pixel electrode is formed, a second substrate portion P2 of the counter electrode and a color filter is formed on the second substrate , composed of a liquid crystal layer C interposed between the first and second substrate portions. アクティブ素子及び画素電極は画素単位でマトリクス状に配置され、図1はその1画素部分を示す断面図である。 Active elements and pixel electrodes are arranged in a matrix in a pixel unit, FIG. 1 is a sectional view showing one pixel portion thereof.

【0020】第2の基板部P2は、ガラス基板である対向基板3の上面に偏光フィルム1とλ/4波長板2とを設け、対向基板3の下面にカラーフィルタ4、透明電極5、配向膜6aを形成したものである。 [0020] The second substrate portion P2 is the upper surface of the opposing substrate 3 is a glass substrate provided with the polarizing film 1 and the lambda / 4 wave plate 2, the color filter 4 to the lower surface of the opposing substrate 3, the transparent electrode 5, orientation it is obtained by forming a film 6a. 第1の基板部P The first substrate portion P
1は、反射基板10の上面の一部に、ゲート電極11及びゲート線11a、ソース電極12及びソース線12 1, a part of the upper surface of the reflective substrate 10, the gate electrode 11 and the gate line 11a, the source electrode 12 and the source line 12
a、ドレイン電極14を含むTFT13と、反射基板1 a, a TFT13 comprising drain electrode 14, the reflective substrate 1
0の上面全体に形成した第1の層間絶縁膜15及び第2 A first interlayer formed on the entire top surface of the 0 dielectric layer 15 and a second
の層間絶縁膜17と、第2の層間絶縁膜17の上層に形成した反射電極8A及び配向膜6bとを有するものである。 And the interlayer insulating film 17, and has a reflective electrode 8A and the alignment film 6b is formed on the upper layer of the second interlayer insulating film 17. そして第2の基板部P2側より入射した光を液晶セル7で変調し、変調光を第1の基板部P1の反射電極8 The light incident from the second substrate portion P2 side modulated by the liquid crystal cell 7, the reflective electrodes of the modulated light first substrate portion P1 8
Aで反射させ、第2の基板部P2の外側方向に出射させて各画素の表示を行う。 Is reflected by A, performs display of each pixel is emitted to the outside direction of the second substrate portion P2.

【0021】次に、このような構造の反射型LCDの製造方法について説明する。 [0021] Next, a method for manufacturing a reflective LCD having such a structure. まず、第2の基板部P2を構成要素である対向基板3として無アルカリガラスを用い、この対向基板3上に顔料分散レジストからなる赤、 First, using the alkali-free glass of the second substrate portion P2 as a counter substrate 3 is a component, consisting of a pigment dispersed resist on the counter substrate 3 red,
緑、青のカラーフィルタ4をストライプ状に形成する。 Green, to form a color filter 4 of the blue in a stripe pattern.
その後、カラーフィルタ4上に酸化インジュウム錫(以下、ITOという)膜を成膜し、透明電極5を形成する。 Then, indium tin oxide on the color filter 4 (hereinafter, ITO hereinafter) film is formed, a transparent electrode 5.

【0022】次に、第1の基板部P1の構成要素である反射基板10として無アルカリガラスを用い、その上の一部にアクティブ素子を形成する。 Next, using a non-alkali glass as the reflective substrate 10 which is a component of the first substrate portion P1, to form an active element on a part of it. アクティブ素子は、 Active element,
アルミニュウムとタンタルからなるゲート電極11及びゲート線11aと、チタンとアルミニュウムからなるソース電極12及びソース線12aと、チタンとアルミニュウムからなるドレイン電極14とを有し、ゲート線1 A gate electrode 11 and the gate line 11a made of aluminum and tantalum, the source electrode 12 and the source line 12a consisting of titanium and aluminum, and a drain electrode 14 made of titanium and aluminum, the gate line 1
1aとソース線12aとの各交差部に、アモルファスシリコンからなるTFT13を形成したものである。 At each intersection between 1a and the source line 12a, it is obtained by forming a TFT13 made of amorphous silicon.

【0023】次にアクティブ素子の上面と、アクティブ素子が形成されない反射基板10の上面に、窒化シリコンからなる無機の層間絶縁膜15を例えば0.4μmの膜厚で形成する。 [0023] Then the upper surface of the active element, the upper surface of the reflective substrate 10 which active elements are not formed, to form an inorganic interlayer insulating film 15 made of silicon nitride for example, 0.4μm film thickness. そして、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射し、その後ドライエッチングにより、成膜された窒化シリコンの一部をエッチングし、ドレイン電極14上にコンタクトホール16aを形成する。 Then, irradiation with ultraviolet rays by using a photoresist and a predetermined photo mask, by the subsequent dry etching, a part of the deposited silicon nitride is etched to form a contact hole 16a on the drain electrode 14. 残された無機の層間絶縁膜15は、TFT1 An interlayer insulating film 15 of the remaining inorganic, TFT 1
3の層間絶縁膜として機能すると共に、図示しないドライバ実装部分での電極保護膜としても機能する。 3 functions as an interlayer insulating film, and also functions as an electrode protective film in the driver implementation part (not shown).

【0024】次に、層間絶縁膜15の上部全面に、感光性アクリル樹脂(例えば,PC302:JSR(株) Next, the whole upper surface of the interlayer insulating film 15, a photosensitive acrylic resin (e.g., PC 302: JSR (Co.)
製)を塗布して、膜厚約3μmの有機の層間絶縁膜17 By applying Ltd.), thickness of about 3μm of the organic interlayer insulating film 17
を形成する。 To form. そして面内に、一辺が10μmの正方形状であり、多数の拡散用凹面形成用パターンが設けられたフォトマスクを用い、紫外線を20〜30mJ/cm 2 And in the plane, one side is 10μm square, using a photomask provided with a number of diffusing concave forming pattern, an ultraviolet 20~30mJ / cm 2
照射する。 Irradiated. ここで1画素あたりの拡散用凹面18の総面積が、1画素の面積に対して0.6になるように拡散用凹面18のパターン数Nを決定する。 Wherein the total area of ​​the diffusion concave 18 per pixel determines the number of patterns N diffusion for the concave 18 so as to be 0.6 with respect to the area of ​​one pixel.

【0025】次に、コンタクトホール形成用のフォトマスクを用いて、紫外線を120〜150mJ/cm 2照射する。 Next, using a photomask for forming contact holes, ultraviolet 120~150mJ / cm 2 irradiation. このとき、拡散用凹面18に相当する部分には全く紫外線を照射しない。 In this case, not at all irradiated with ultraviolet rays in a portion corresponding to the diffusion concave 18. 次に有機アルカリを用いて一定時間現像を行う。 Then perform certain time development by using an organic alkali. この状態で、層間絶縁膜17上には、深さの異なる2種類のホールが形成される。 In this state, on the interlayer insulating film 17, two different types of hole depths are formed. 即ち、 In other words,
拡散用凹面18では深さd1が約0.6〜0.8μmのホールが形成され、コンタクトホール16となる部分では深さd2が約3μm(d1<d2)のホールが形成される。 Depth d1 in diffusion concave 18 holes about 0.6~0.8μm is formed, the hole depth d2 is approximately 3μm in a portion where the contact hole 16 (d1 <d2) is formed.

【0026】次に、層間絶縁膜17の全面に1J/cm Next, the entire surface 1J / cm of the interlayer insulating film 17
2 〜2J/cm 2の紫外線を照射した後、110℃の温度に保たれたホットプレート上で5分間硬化した。 After irradiation with the 2 ~2J / cm 2 ultraviolet and cured for 5 minutes on a hot plate maintained at a temperature of 110 ° C.. この処理で拡散用凹面18となる部分は、角穴形状から凹面形状、即ち上面が略円形状で断面が円弧状に変化した。 Portion serving as diffusion concave 18 In this process, a concave shape from a square hole shape, that is, cross-sectional top is in a substantially circular shape was changed to an arc shape.
ホットプレートの温度が100℃以下では、層間絶縁膜17が溶融せず、拡散用凹面18の断面形状は、現像後の形状のまま変化せず、逆台形状のままであった。 Temperature of hot plate at 100 ° C. or less is not melted interlayer insulating film 17, the cross-sectional shape of the diffusion concave 18 does not change from the shape after development, remained inverted trapezoid. 逆に130℃以上の温度では、急激に溶融し、拡散用凹面1 In the reverse to 130 ° C. or higher temperatures, rapidly melting, diffusion concave 1
8が埋められて消失した。 8 is lost and buried. 110℃〜120℃の温度範囲で、拡散用凹面18の内面は凹状の曲面となった。 In a temperature range of 110 ° C. to 120 ° C., the inner surface of the diffusion concave 18 it became concave curved surface. また、紫外線を照射しなければ、110℃から急激に溶融していまい、曲面形状を得る温度範囲が極めて狭くなり、かつ面内で形状が不均一になった。 Further, unless irradiated with ultraviolet rays, Mai have rapidly melted from 110 ° C., the temperature range to obtain a curved shape is very narrow, and the shape in a plane becomes uneven. 以上のことから、一定量以上の紫外線を照射することで、溶融を抑制し、曲面形状を得るための温度範囲を拡大できることが分かった。 From the above, by irradiating a predetermined amount or more of ultraviolet, it was found to be larger temperature range for suppressing melting, obtaining a curved surface shape. その後、200℃のクリーンオーブンの中で第1の基板部P1の熱処理を行い、感光性アクリル樹脂を架橋させた。 Thereafter, a heat treatment of the first substrate portion P1 in the 200 ° C. clean oven, to crosslink the photosensitive acrylic resin.

【0027】次に、有機の層間絶縁膜17上に、光学的に反射率の高いアルミニュウムを成膜し、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射し、その後燐酸系のエッチング液を用いて反射電極8Aを形成した。 Next, on the organic interlayer insulating film 17, forming a aluminum high reflectance optically, and irradiated with ultraviolet light using a photoresist and a predetermined photo mask, the etching solution then phosphoric acid to form a reflective electrode 8A using. この場合の反射電極8Aの反射面は、図7に示す従来の反射型LCDと異なり、鏡面性を有する平坦部と、 The reflecting surface of the reflecting electrode 8A in this case, unlike the conventional reflective LCD shown in FIG. 7, a flat portion having a specular,
拡散性を有する拡散用凹面18とが、1画素範囲内で不規則な位置に多数形成された。 And diffusing concave 18 having a diffusing property was formed large number irregular positions in one pixel area.

【0028】次に第2の基板部P2の透明電極5の下面、及び第1の基板部P1の反射電極8A上面に対し、 [0028] Then the lower surface of the transparent electrode 5 of the second substrate portion P2, and the reflective electrode 8A top surface of the first substrate portion P1 to,
固形分濃度5(重量%)のポリアミック酸溶液(SE− Polyamic acid solution having a solid content concentration of 5 (wt%) (SE-
7211:日産化学工業(株))を印刷し、220℃で硬化した。 7211: Nissan Chemical Industries Co., Ltd.) was printed, and cured at 220 ° C.. そしてTN配向になるようにレーヨン布を用いて回転ラビングにより配向処理を行い、ポリイミド膜を形成した。 Secondly, an alignment process by rotating rubbing using rayon cloth so that the TN orientation to form a polyimide film. 反射電極8Aに形成したポリイミド膜を配向膜6bとし、その膜厚を120nmとする。 The polyimide film formed on the reflective electrode 8A and the alignment layer 6b, the film thickness and 120 nm. 同様に透明電極5に形成したポリイミド膜を配向膜6aとし、その膜厚を120nmとする。 The polyimide film formed in the same manner transparent electrode 5 and an orientation film 6a, the film thickness and 120 nm.

【0029】次に対向基板3の周辺部に、熱硬化型のシール材(例えばストラクトボンド:三井東圧化学(株) [0029] Next to the periphery of the counter substrate 3, thermosetting sealant (e.g. stringent Lactobacillus Bond: Mitsui Toatsu Chemical Co.
製)を印刷し、液晶注入口を設けた。 Ltd.) was printed, provided a liquid crystal injection port. そして第1の基板部P1の上面には、直径3μmのプラスチックからなる球状のスペーサを150〜200個/mm 2分散させ、第1の基板部P1と第2の基板部P2とを、反射基板10 And on the upper surface of the first substrate portion P1, 150 to 200 pieces of spherical spacers made of plastic with a diameter of 3 [mu] m / mm 2 is dispersed, the first substrate portion P1 and the second substrate portion P2, reflective substrate 10
と対向基板3との部分でシール材を用いて互いに貼り合わせ、150℃でシール材を硬化させた。 And the portion of the opposing substrate 3 bonded to each other with a sealant, curing the sealant at 0.99 ° C.. 次に屈折率異方性が0.09であるフッ素系ネマチック液晶組成物にカイラル組成物を添加した液晶を真空注入して、紫外線硬化樹脂により注入口を封止した。 The liquid crystal next refractive anisotropy by adding a chiral composition in fluorine-based nematic liquid crystal composition is 0.09 to vacuum injection, the injection opening was sealed by an ultraviolet curable resin. こうして各画素部に液晶セル7を形成した。 Thus forming a liquid crystal cell 7 in the respective pixel portions. このように形成した液晶層Cの対向基板3に、λ/4波長板2を積層した偏光フィルム1を貼付け、アクティブマトリクスタイプの反射型LC The thus-formed opposing substrate 3 of the liquid crystal layer C, lambda / 4 Paste the polarizing film 1 wavelength plate 2 are laminated, reflective LC active matrix type
Dを製造した。 It was produced D.

【0030】図2は、反射型LCDにおける画素部の平面図である。 FIG. 2 is a plan view of a pixel portion in the reflection-type LCD. 各画素内のTFT13が形成される部分にはゲート線11aが走り、コンタクトホール16が形成される。 The portions TFT13 in each pixel is formed running gate line 11a, the contact hole 16 is formed. 各画素内には、上面が略円形状である拡散用凹面18が多数形成されている。 Within each pixel, diffusing concave 18 upper surface is substantially circular shape is formed a number. 網点で示す平坦部19は鏡面性の反射特性を有し、拡散用凹面18は散乱性の反射特性を有する。 Flat portion 19 shown by dots have reflection characteristics of specular and diffuse for concave 18 has a reflection characteristic of the scattering.

【0031】本実施の形態における反射電極8Aの反射特性を図3に示す。 [0031] The reflection characteristic of the reflective electrode 8A of this embodiment shown in FIG. この反射特性は図4に示す測定系により行った。 The reflection characteristic was carried out by the measurement system shown in FIG. 反射型LCDに対し、反射電極8Aの法線に対して−40°方向に光源Lを設け、光源Lから反射電極8Aに対して光を照射し、反射電極8Aの法線に対して+θ°方向に受光器Dを設ける。 To reflective LCD, a light source L in the -40 ° direction with respect to the normal of the reflective electrode 8A is provided, the light is irradiated to the reflecting electrode 8A from the light source L, + theta ° to the normal of the reflective electrode 8A direction provided photodetector D. このθ°を視角として、θ=0°からθ=+90°の範囲で反射率を測定すると、図3のような特性が得られた。 The theta ° as the viewing angle, as measured reflectivity in the range of theta = 0 ° of θ = + 90 °, characteristics as shown in FIG. 3 were obtained. 破線で示す比較例1は、凹構造部8Aを設けない反射電極の反射特性を示し、視角が外光の入射角と等しいとき、極めて高い反射光が得られるが、視角が40°+10°以上、及び4 Comparative Example 1 shown by a broken line indicates the reflection characteristic of the reflection electrode without the concave structure portion 8A, when the viewing angle is equal to the incident angle of external light, but a very high reflected light can be obtained, the viewing angle is 40 ° + 10 ° or more , and 4
0°−10°以下になると、反射光は極端に少なくなる。 0 ° -10 ° becomes below, the reflected light becomes extremely small. また一点鎖線で示す比較例2は、従来例の反射型L The Comparative Example 2 shown by a dashed line, the reflection-type conventional L
CDのように、凹凸反射電極が形成された場合の反射特性を示し、視角が広いものの、反射率そのものは決して高くない。 Like the CD, it indicates the reflection characteristic in the case where uneven reflective electrodes are formed, although the viewing angle is wide, the reflectivity itself is not so high. これに対して実線で示す本実施の形態では、 In this embodiment shown by the solid line with respect to this,
鏡面成分と拡散成分の両方の特性を有している。 It has characteristics of both the specular component and the diffuse component. 更に視角が40°−20°〜40°+20°の範囲では、比較例2以上の反射率が確保されていることが判る。 Further in the range of viewing angles 40 ° -20 ° ~40 ° + 20 °, it can be seen that Comparative Example 2 or more reflectance is ensured. 尚、上記の反射率の測定は、反射電極8Aの上に直接、円偏光板1を置き、そのときの反射率を測定した結果である。 The measurement of the reflectance of the directly on the reflective electrode 8A, place the circular polarizer 1, the results obtained by measuring the reflectance at that time.
測定には色彩測色計(CM-508D 、ミノルタ株式会社製) Color colorimeter to measure (CM-508D, manufactured by Minolta Co., Ltd.)
を使用し、標準白色板を基準に用いた。 It was used to using a standard white plate as a reference.

【0032】液晶を封入した本実施の形態の反射型LC The reflective LC of this embodiment encapsulating liquid crystal
Dでは、視角40°における反射率は1.5%であり、 In D, the reflectivity at the viewing angle 40 ° is 1.5%
比較例2の凹凸反射電極を用いた反射型LCDでは、視角40°における反射率3.9%であった。 In the reflection type LCD using the uneven reflective electrode of Comparative Example 2 was 3.9% reflectivity at the viewing angle 40 °. このことから視角40°における反射率を十分低い値にすることができた。 The reflectivity at the viewing angle 40 ° from this that it was possible to sufficiently low value. また1画素面積をS1とし、1画素内での拡散用凹面の面積をS2とし、1画素内の拡散用凹面の個数をNとした場合、拡散用凹面の面積比率(S2×N/S The one pixel area as S1, and a concave area for diffusion in one pixel and S2, 1 if the number of the concave diffusion in the pixel was set to N, diffusion concave area ratio (S2 × N / S
1)が0.5以下では、拡散反射成分が弱く、また0. 1) is at 0.5 or less, weak diffuse reflection component, also 0.
9以上では拡散反射成分が強すぎ、偏光変化が大きかった。 Too strong diffuse reflection component is 9 or more, the polarization change is greater. このことから、面積比率として0.5以上、0.8 Therefore, 0.5 or more as the area ratio, 0.8
以下が好ましいことが判った。 It was found that less is preferable. 本実施の形態のアクティブマトリクス型の反射型LCDを駆動して、拡散光源下でのパネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が1.8%、白状態で反射率が16.3%になり、反射率の高い良好なパネル反射特性が実現できた。 Drives the reflective LCD of the active matrix type in this embodiment, the measured panel reflectivity under diffuse light source, 1.8% reflectance black state, the reflectance in the white state 16.3 % becomes high good panel reflection characteristic reflectivity can be realized.

【0033】本実施の形態の場合、拡散用凹面18とコンタクトホール16の形成に、2枚のフォトマスクを用いた。 In the case of this embodiment, the formation of diffusion concave 18 and the contact hole 16, using two photomasks. このとき拡散用凹面の露光量をW1とし、コンタクトホールの露光量をW2とし、W1<W2になるよう露光量を変えたが、1枚のマスクを用いて露光量を変えるようにしてもよい。 At this time the exposure of the concave diffusion and W1, the exposure of the contact hole and W2, but changed so that the exposure amount to be W1 <W2, may be changed exposure amount using the one mask . 即ち、1枚のマスク中に拡散用凹面の透過パターンと、コンタクトホールの透過パターンを同時に設け、拡散用凹面の透過パターンでは、コンタクトホールの透過パターンよりも光の透過率を低くしたものを用いる。 That is, the transmission pattern of the concave diffusion into one mask, provided simultaneously transmitting pattern of the contact hole, the transmission pattern of the concave diffusion, used after lowering the transmittance of light than the transmittance pattern of the contact hole . その具体例を図5に示す。 The specific examples shown in FIG. 1つの拡散用凹面のパターンを5×5=25分割して、透過領域A1 One diffusion concave pattern 5 × 5 = 25 divided by the transmission area A1
と非透過領域A0を設け、光線透過率を面積的に制御する。 And a non-transmissive region A0 provided to the area to control the light transmittance. 図5(a)は透過領域A1と非透過領域A0との面積比率を9:16にし、図5(b)は13:12にした例である。 5 (a) is a area ratio of the transmissive region A1 and the non-transmissive regions A0 to 9:16, FIG. 5 (b) is an example of the 13:12. コンタクトホールの透過パターンを完全に開口したものとすると、図5(a)では拡散用凹面の透過パターンコンタクトホールの透過パターンの約36%になり、図5(b)では52%になる。 Assuming that completely open the transmission pattern of the contact hole, is about 36% of the transmission pattern of the transmission pattern the contact holes of the concave diffusion in FIG. 5 (a), the composed in FIG 5 (b) in 52%. このように透過領域A1と非透過領域A0の面積を適宜に設定することにより、フォトマスクの光線透過量を調節することができる。 By thus setting the transmission area A1 and the area of ​​the non-transmissive region A0 appropriately, it is possible to adjust the light transmittance of the photomask. こうすれば、1種類のフォトマスクと1回の露光処理により、深さd1,d2の異なる2種類のホールを形成することができる。 This arrangement ensures the one photomask and one exposure treatment to form two different hole depths d1, d2.

【0034】(実施の形態2)次に本発明の実施の形態2における反射型液晶表示装置(反射型LCD)について図面を参照しつつ説明する。 [0034] (Embodiment 2) Next, the reflection type liquid crystal display device of the second embodiment of the present invention (reflective LCD) will be described with reference to the drawings. 図6は本実施の形態における反射型液晶表示装置の構成図であり、特に1画素部分の断面構造を示している。 Figure 6 is a block diagram of a reflection type liquid crystal display device of this embodiment, in particular shows a cross-sectional structure of one pixel portion. なお本図において実施の形態1と同一部分は同一の符号を付け、説明を省略する。 As to the form 1 and the same parts of the embodiment in this figure are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
本実施の形態の反射型LCDも構造的に、第1の基板に対してアクティブ素子及び画素電極が形成された第1の基板部P1と、第2の基板に対して対向電極画及びカラーフィルタが形成された第2の基板部P2と、第1及び第2の基板部に挟持された液晶層Cとから構成されるが、図1とは断面形状の異なる第1の層間絶縁膜15A Reflective LCD also structurally the present embodiment, the first substrate portion P1 which is an active element and a pixel electrode formed on the first substrate, the counter electrode picture and the color filter relative to the second substrate the two substrate portions P2, is composed of a liquid crystal layer C interposed between the first and second substrate portions, the first interlayer insulating film 15A having different cross-sectional shape as in FIG 1 but formed
及び第2の層間絶縁膜17Aを用いて拡散用凹面18A And diffusing the concave 18A with the second interlayer insulating film 17A
を形成したことを特徴とする。 Characterized in that the formation of the.

【0035】この反射型LCDの製造工程に従って具体的に説明する。 [0035] specifically described in accordance with the manufacturing process of the reflective LCD. 実施の形態1と同様に、第2の基板部P Similar to the first embodiment, the second substrate portion P
2として、無アルカリガラスからなる対向基板3上にカラーフィルタ4を形成し、更にカラーフィルタ4の全面に透明電極5を形成した。 As 2, the color filter 4 formed on the opposing substrate 3 made of alkali-free glass, to form a transparent electrode 5 further on the entire surface of the color filter 4. 次に、次に、第1の基板部P Then, next, the first substrate portion P
1の一部を構成する反射基板10として、無アルカリガラスを用い、その上の一部にアクティブ素子を形成する。 As reflecting substrate 10 constituting a part of 1, using a non-alkali glass, to form an active element on a part of it. アクティブ素子は、アルミニュウムとタンタルからなるゲート電極11及びゲート線11aと、チタンとアルミニュウムからなるソース電極12及びソース線12 Active element includes a gate electrode 11 and the gate line 11a made of aluminum and tantalum, source electrode 12 and the source line 12 consisting of titanium and aluminum
aと、チタンとアルミニュウムからなるドレイン電極1 And a, a drain electrode 1 made of titanium and aluminum
4とを有し、ゲート線11aとソース線12aとの各交差部に、アモルファスシリコンからなるTFT13を形成したものである。 And a 4, at each intersection of the gate line 11a and the source lines 12a, it is obtained by forming a TFT13 made of amorphous silicon.

【0036】次に反射基板10上に窒化シリコンからなる膜厚2μmの無機の層間絶縁膜15Aを形成した。 [0036] Then the formation of the interlayer insulating film 15A of an inorganic film thickness 2μm made of silicon nitride on the reflective substrate 10. 次に、コンタクトホールと拡散用凹面のパターンを有するフォトマスクを用いて、所定のパターンニングを行い、 Then, using a photomask having a pattern of concave diffusion contact hole, it performs a predetermined patterning,
その後ドライエッチングにより窒化シリコンをエッチングし、ドレイン電極上14にコンタクトホール16bを形成し、TFT以外の部分に凹部15aと凸部15bとを形成した。 Then etching the silicon nitride by dry etching, to form contact holes 16b to the drain electrode on 14, to form a concave portion 15a and convex portion 15b in a portion other than the TFT. この状態では、実施の形態1の層間絶縁膜15と異なり、その表面形状がTFT13の部分のみならず、画素電極部にも凹凸が形成される。 In this state, unlike the interlayer insulating film 15 in the first embodiment, the surface shape not only part of the TFT 13, irregularities in the pixel electrode portion is formed.

【0037】次に、無機の層間絶縁膜15A上に感光性アクリル樹脂(例えば,FVR:富士薬品工業(株) Next, an inorganic interlayer insulating film 15A on the photosensitive acrylic resin (for example, FVR: Fujiyakuhinkogyo Co.
製)からなる層間絶縁膜17Aを約1μmの膜厚で形成する。 Forming an interlayer insulating film 17A made of Ltd.) with a thickness of about 1 [mu] m. そしてコンタクトホール16cの部分のみを開口した別のフォトマスクを用いて露光及び現像を行い、感光性樹脂を除去した。 And subjected to exposure and development using a different photomask having an opening only a part of the contact holes 16c, to remove the photosensitive resin. その後、200℃のクリーンオーブン中で熱処理を行い、感光性樹脂を架橋させた。 Thereafter, a heat treatment in a clean oven at 200 ° C., to crosslink the photosensitive resin.

【0038】次に、凹凸が形成された有機の層間絶縁膜17A上に、光学的に反射率の高いアルミニュウムを成膜し、フォトレジストと所定のフォトマスクを用いて紫外線を照射した。 Next, the unevenness on the interlayer insulating film 17A of the formed organic, forming a aluminum high reflectance optically, and irradiated with ultraviolet rays by using a photoresist and a predetermined photo mask. そして、燐酸系のエッチング液を用いて、各画素に対する反射電極8Bを形成した。 Then, using an etching solution of phosphoric acid, to form a reflective electrode 8B for each pixel. 本実施の形態では、層間絶縁膜15A中に形成された凹部15a Recess 15a in this embodiment, formed in the interlayer insulating film 15A
は、層間絶縁膜17Aによって埋められ、図6に示すように曲面状になり、層間絶縁膜15A中に形成された凸部15bの上部は平面状になっているのが確認された。 Is filled with the interlayer insulating film 17A, it becomes curved as shown in FIG. 6, the upper portion of the convex portion 15b formed in the interlayer insulating film 15A is that has become flat was confirmed.
また拡散用凹面18Aの平均深さは約0.6μm〜0. The average depth of the diffusion concave 18A is about 0.6Myuemu~0.
8μmであった。 It was 8μm. その後、実施の形態1と同様の手順により、アクティブマトリクスタイプの反射型LCDを製造した。 Thereafter, the same procedure as that of the first embodiment was manufactured a reflection type LCD of the active matrix type.

【0039】上記の反射型LCDを駆動して、パネル反射率を測定したところ、黒状態で反射率が1.5%であり、白状態で反射率が16.5%であり、実施の形態1 [0039] In driving the reflection type LCD, where the panel reflectivity was measured to be 1.5% reflectance black state, it is 16.5% reflectance white state, the embodiment 1
と同様に白の反射率の高く、コントラストの低下の少ない良好なパネル反射特性が実現できた。 Similarly reflectance white high as less favorable panel reflection characteristics of reduction in contrast can be realized. また、本実施の形態では、拡散用凹面を窒化シリコン膜から形成したが、有機の層間絶縁膜を用いても十分可能である。 Further, in the present embodiment has formed the concave diffusion from a silicon nitride film, it is possible sufficiently even with interlayer insulating film of an organic.

【0040】 [0040]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、平坦な反射電極面に上面が略円形状で、断面が円弧状である拡散用凹面を複数設けることにより、拡散反射率が高くかつコントラスト低下の少ない反射型液晶表示装置を実現することができる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, the upper surface is substantially circular in flat reflective electrode surface, by cross-section providing a plurality of concave diffusion is arcuate, high diffuse reflectance and contrast it is possible to realize a smaller reduction in the reflection type liquid crystal display device.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態1における反射型液晶表示装置の構造を示す部分断面図である。 1 is a partial sectional view showing the structure of a reflective type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】実施の形態1の反射型液晶表示装置において、 [2] In the reflection type liquid crystal display device of the first embodiment,
画素部の構成を示す平面図である。 It is a plan view showing a structure of a pixel portion.

【図3】実施の形態1の反射型液晶表示装置において、 [3] In the reflection type liquid crystal display device of the first embodiment,
反射電極の視角変化に対する反射特性図である。 A reflection characteristic diagram for the viewing angle change in the reflecting electrode.

【図4】反射電極の反射特性を得るための測定系である。 4 is a measurement system for obtaining the reflection characteristic of the reflective electrode.

【図5】本実施の形態の反射電極を形成する際に用いられるフォトマスクのパターン図である。 5 is a pattern view of a photomask used for forming a reflective electrode according to the present embodiment.

【図6】本発明の実施の形態2における反射型液晶表示装置の構造を示す部分断面図である。 6 is a partial sectional view showing the structure of a reflective type liquid crystal display device of the second embodiment of the present invention.

【図7】従来例における反射型液晶表示装置の構成を示す部分断面図である。 7 is a partial sectional view showing the structure of a reflection type liquid crystal display device in a conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 偏光フィルム 2 λ/4波長板 3 対向基板 4 カラーフィルタ 5 透明電極 6a,6b 配向膜 7 液晶セル 8A,8B 反射電極 10 反射基板 11 ゲート電極 11a ゲート線 12 ソース電極 12a ソース線 13 TFT 14 ドレイン電極 15,15A 無機の層間絶縁膜膜 15a 凹部 15b 凸部 16,16a,16c コンタクトホール 17,17A 有機の層間絶縁膜 18,18A 拡散用凹面 19 平坦部 L 光源 D 受光器 A0 非透過領域 A1 透過領域 P1 第1の基板部 P2 第の基板部 C 液晶層 First polarizing film 2 lambda / 4 wave plate 3 opposite substrate 4 color filter 5 transparent electrodes 6a, 6b alignment film 7 crystal cell 8A, 8B reflector 10 reflecting substrate 11 a gate electrode 11a gate line 12 the source electrode 12a source line 13 TFT 14 drain electrodes 15,15A inorganic interlayer insulating film layer 15a recess 15b protrusions 16, 16a, 16c contact holes interlayer insulating film 18,18A diffusion concave 19 flat portion 17,17A organic L source D photoreceiver A0 non-transparent areas A1 transmission region P1 first substrate portion P2 substrate portion C liquid crystal layer of the

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 久典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 関目 智明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小川 鉄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA02Y FA14Y FA31Y FB08 FC10 FC23 FC26 FD01 GA01 GA03 GA06 GA08 GA09 GA13 LA16 LA17 2H092 GA19 HA05 JA24 JA40 JA44 JA46 KA05 KB22 KB25 MA13 MA17 MA19 PA12 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Hisanori Yamaguchi Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the (72) inventor Tomoaki Sekime Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the ( 72) inventor Tetsu Ogawa Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the F-term (reference) 2H091 FA02Y FA14Y FA31Y FB08 FC10 FC23 FC26 FD01 GA01 GA03 GA06 GA08 GA09 GA13 LA16 LA17 2H092 GA19 HA05 JA24 JA40 JA44 JA46 KA05 KB22 KB25 MA13 MA17 MA19 PA12

Claims (9)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 第1の基板にアクティブ素子と画素電極とが形成された第1の基板部と、 透明な第2の基板にカラーフィルタと透明電極が形成された第2の基板部と、 前記第1の基板部と第2の基板部の間隙に充填された液晶層と、を具備する反射型液晶表示装置であって、 前記画素電極は、 導電性材料で画素単位で薄膜状に形成され、 前記アクティブ素子の出力端と結合されるコンタクトホール部と、 前記アクティブ素子の入力ラインと無機の層間絶縁膜及び有機の層間絶縁膜を介して隔離され、前記液晶層と対向する面の複数箇所に平坦面と拡散用凹面とが所定の面積比率で形成された反射電極部と、を有するものであることを特徴とする反射型液晶表示装置。 And 1. A first substrate portion and the active element and a pixel electrode are formed on the first substrate, a second substrate portion on which the color filter and a transparent electrode are formed on a transparent second substrate, a reflective liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer filled in the first substrate portion and the gap between the second substrate portion, the pixel electrode is formed into a thin film in a pixel unit of a conductive material is a contact hole portion which is coupled to the output terminal of the active element, the isolated via the input line and an inorganic interlayer insulating film and an organic interlayer insulating film of the active elements, a plurality of the liquid crystal layer surface facing reflection type liquid crystal display device, wherein the concave and has a diffusing flat surface and has a, a reflective electrode portion formed at a predetermined area ratio in place.
  2. 【請求項2】 前記反射電極部の拡散用凹面は、 前記無機の層間絶縁膜より膜厚の大きい有機の層間絶縁膜の表面に形成され、前記コンタクトホール部の形成に用いるフォトエッチング処理と同一のフォトエッチング処理により、前記有機の層間絶縁膜の表面を部分的に凹面状に除去し、前記拡散用凹面と前記平坦面が形成された後に、光反射率の高い導電性材料で塗膜されたものであることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示装置。 2. A diffusing concave of the reflective electrode portion is formed on the surface of the large organic interlayer insulating film having a thickness of from interlayer insulating film of the inorganic, identical to the photo-etching process used for forming the contact hole portion the photo-etching process, the surface of the organic interlayer insulating film is partially removed concave, after said diffusion concave and the flat surface is formed, is coating with high conductivity material light reflectance reflection type liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that the.
  3. 【請求項3】 1画素の面積をS1とし、前記拡散用凹面の面積をS2、前記拡散用凹面の1画素当たりの個数をNとした場合、S2×N/S1が0.5以上0.8以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の反射型液晶表示装置。 Wherein the area of ​​one pixel is S1, the diffusion concave area of ​​S2, the case where the number per pixel concave diffusion and N, S2 × N / S1 is 0.5 or more 0. reflection type liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the 8 or less.
  4. 【請求項4】 前記反射電極部は、 前記拡散用凹面の平均深さをd1、前記コンタクトホール部の平均深さをd2とすると、d1<d2なる関係を満たし、かつ0.5μm<d1<1μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の反射型液晶表示装置。 Wherein said reflective electrode section, when the average depth of the concave for diffused d1, an average depth of the contact hole portion is d2, satisfies the d1 <d2 the relationship, and 0.5 [mu] m <d1 < reflection type liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is 1 [mu] m.
  5. 【請求項5】 第1の基板にアクティブ素子と画素電極とが形成された第1の基板部と、透明な第2の基板にカラーフィルタと透明電極が形成された第2の基板部と、 5. A first substrate portion and the active element and a pixel electrode are formed on the first substrate, a second substrate portion on which the color filter and a transparent electrode are formed on a transparent second substrate,
    前記第1の基板部と第2の基板部の間隙に充填された液晶層と、を具備する反射型液晶表示装置の製造方法であって、 前記第1の基板にゲート線とソース線とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配置して形成する第1の工程と、 前記第1の工程で得られた基板の上面に対し、無機材料を用いて第1の層間絶縁膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜の上層に感光性樹脂を塗膜して第2の層間絶縁膜を形成する第2の工程と、 前記感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光及び現像を行い、前記ドレイン電極の部分にコンタクトホールを形成し、反射電極となる部分に前記コンタクトホールより浅いホールを形成する第3の工程と、 前記ホールが形成された第2の層間絶縁膜に対して紫外線を照射し、更に第2の層間絶縁膜 A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer filled in the first substrate portion and the gap between the second substrate portion, the first gate line on a substrate and the source line and the drain a first step of forming by arranging a thin film transistor having an electrode in a matrix, with respect to the upper surface of the substrate obtained in the first step, the first interlayer insulating film using an inorganic material is formed, a second step of forming a second interlayer insulating film by coating the upper layer in the photosensitive resin of the first interlayer insulating film, subjected to exposure and development using a photomask with the photosensitive resin, the a contact hole is formed in a portion of the drain electrode, a third step of forming a shallow hole than the contact hole portion serving as the reflective electrode, the ultraviolet to the second interlayer insulating film, wherein the hole is formed irradiated and further the second interlayer insulating film に第1の熱処理を施して、前記感光性樹脂の上層部を溶融させ、上面が略円形状であり、断面が略円弧状の拡散用凹面を形成する第4の工程と、 前記第4の工程後の前記感光性樹脂に対し、第2の熱処理を施して架橋反応させる第5の工程と、 前記第5の工程で得られた基板の最上面に対して、光反射率の高い導電性材料を塗膜することにより、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続された反射電極を形成する第6の工程と、を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 Subjected to first heat treatment, the upper layer portion of the photosensitive resin is melted, the top surface is substantially circular, a fourth step of cross-section to form a concave diffusion of substantially arcuate shape, the fourth to said photosensitive resin after the step, a fifth step of the crosslinking reaction and performing a second heat treatment for the uppermost surface of the substrate obtained in said fifth step, high conductivity of the light reflection factor by coating the material, method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device characterized by having a sixth step of forming a connected reflective electrode and the drain electrode through the contact hole.
  6. 【請求項6】 前記第3の工程において、 前記ホールの露光量をW1とし、前記コンタクトホールの露光量をW2とすると、W1<W2の関係式を満たすことを特徴とする請求項5記載の反射型液晶表示装置の製造方法。 6. in the third step, the exposure amount of the hole and W1, when the exposure amount of the contact hole and W2, W1 <according to claim 5, wherein a satisfies the relationship expression W2 method of manufacturing a reflective liquid crystal display device.
  7. 【請求項7】 前記第3の工程における前記ホールと前記コンタクトホールで露光量を異ならしめる方法として、前記ホールと前記コンタクトホールで光線透過量の異なるフォトマスクを用いることを特徴とする請求項5 As a method made different exposure amount in the hole and the contact hole in wherein said third step, claim, characterized by using different photomasks light transmission amount in the contact hole and the hole 5
    又は6記載の反射型液晶表示装置の製造方法。 Or 6 manufacturing method of the reflection-type liquid crystal display device according.
  8. 【請求項8】 前記第3の工程における前記ホールと前記コンタクトホールで露光量を異ならしめる方法として、前記ホールと前記コンタクトホールで、光線透過面積の異なるフォトマスクを用いたことを特徴とする請求項5又は6記載の反射型液晶表示装置の製造方法。 As a method made different exposure amount in the hole and the contact hole in wherein said third step, in the contact hole and the hole, claims characterized by using different photomasks light transmission area method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device of claim 5 or 6, wherein.
  9. 【請求項9】 第1の基板にアクティブ素子と画素電極とが形成された第1の基板部と、透明な第2の基板にカラーフィルタと透明電極が形成された第2の基板部と、 9. A first substrate portion and the active element and a pixel electrode are formed on the first substrate, a second substrate portion on which the color filter and a transparent electrode are formed on a transparent second substrate,
    前記第1の基板部と第2の基板部の間隙に充填された液晶層と、を具備する反射型液晶表示装置の製造方法であって、 前記第1の基板にゲート線とソース線とドレイン電極とを有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配置して形成する第1の工程と、 前記第1の工程で得られた基板の上面に対し、無機材料を用いて第1の層間絶縁膜を、前記ドレイン電極の形成面より高くなるまで形成する第2の工程と、 前記第2の工程で形成された第1の層間絶縁膜に対し、 A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer filled in the first substrate portion and the gap between the second substrate portion, the first gate line on a substrate and the source line and the drain a first step of forming by arranging a thin film transistor having an electrode in a matrix, with respect to the upper surface of the substrate obtained in the first step, a first interlayer insulating film using an inorganic material, said drain a second step of forming to be higher than the forming surface of the electrode, with respect to the first interlayer insulating film formed in said second step,
    フォトマスクを用いて露光及び現像を行い、前記ドレイン電極の部分にホールを形成し、反射電極となる部分に凹部を形成する第3の工程と、 前記第3の工程で加工された第1の層間絶縁膜に第2の層間絶縁膜として感光性樹脂を塗膜することにより、反射電極となる部分に拡散用凹面を形成する第4の工程と、 前記第4の工程で塗膜された感光性樹脂に対してフォトマスクを用いて露光及び現像を行い、前記ドレイン電極の部分にコンタクトホールを形成する第5の工程と、 前記第5の工程後の前記感光性樹脂に対し、第2の熱処理を施して架橋反応させる第6の工程と、 前記第6の工程で得られた基板の最上面に対して、光反射率の高い導電性材料を塗膜することにより、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続された Subjected to exposure and development using a photomask, to form a hole in a portion of the drain electrode, a third step of forming a recess in a portion serving as a reflective electrode, a first that is processed in the third step by coating the photosensitive resin as the second interlayer insulating film on the interlayer insulating film, a fourth step of forming a concave surface diffusion in a portion serving as the reflective electrode, it was coated film by the fourth step photosensitive subjected to exposure and development using a photomask with respect rESIN, wherein a fifth step of forming a contact hole in a portion of the drain electrode, with respect to the photosensitive resin after the fifth step, the second a sixth step of the crosslinking reaction by heat treatment, with respect to the top surface of the substrate obtained in the sixth step, the high conductivity material light reflectance by coating, via the contact hole It is connected to the drain electrode Te 反射電極を形成する第7の工程と、を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device characterized by having a seventh step of forming a reflective electrode.
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