KR100987871B1 - 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막에 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치를 포함하는 상기 절연막 상에 금속 배선용 물질막을 형성하는 단계와, 상기 웨이퍼의 에지 영역에 대응하는 폭과 형상을 갖는 차단 부재를 상기 웨이퍼의 에지 영역 상에 위치시킨 뒤 상기 금속 배선용 물질막 상에 식각 마스크막을 형성하는 단계와, 상기 차단 부재를 탈거한 뒤 상기 식각 마스크막을 이용한 식각 공정으로 상기 웨이퍼의 에지 영역에 형성된 상기 금속 배선용 물질막을 제거하는 단계 및 상기 금속 배선용 물질막 및 상기 식각 마스크막에 대해 화학 기계적 연마 공정을 실시하여 상기 트렌치에만 상기 금속 배선용 물질막을 잔류시켜 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하기 때문에, 더욱 효율적인 반도체 제조 공정을 통해 신뢰성 있는 반도체 소자의 제조가 가능하다.
금속 배선, 식각 마스크, 트렌치, 화학 기계적 연마, 텅스텐
Description
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 특히 다마신(damascene) 방법을 이용한 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 금속 배선은 반도체 소자에 형성된 여러 요소들을 전기적으로 연결시켜주는 상호 연결선으로써 형성되며, 반도체 소자의 크기가 축소됨에 따라 적절한 비저항 특성을 가지면서 미세한 폭으로 형성하는 것이 점차 중요한 이슈가 되고 있다.
금속 배선 형성 물질로써 사용되는 금속 물질들은 대체적으로 식각 특성이 불량하여 금속막에 대해 직접 식각하여 패터닝하는 공정은 일반적인 금속 배선 형성 공정에 적용하기 어렵다. 즉, 고단차비를 가지는 금속 배선의 형성시 금속 배선의 CD 균일도(critical dimension uniformity), 라인 식각 프로파일(line etch profile) 및 포토 레지스트의 식각 선택비 등에서 만족할만한 결과를 얻기 힘들다. 이러한 단점을 극복하기 위하여 다마신(damascene) 방법을 이용한 금속 배선 형성 공정이 사용되고 있다.
통상적인 다마신 금속 배선 공정은, 먼저 트렌치 절연막에 금속 배선을 형성하기 위한 트렌치를 형성하고 트렌치를 포함하는 트렌치 절연막 상에 금속 장벽막과 금속막을 형성한다. 그리고 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 방법을 이용하여 트렌치 절연막 상부에 있는 금속 장벽막 및 금속막을 제거한다. 이로써, 각각의 트렌치에 금속 장벽막 및 금속막을 잔류시켜 금속 배선을 형성하는 과정을 거치고 있다.
이러한 금속막은 화학 기상 증착 방법을 이용하여 형성되는 텅스텐(W) 막으로 형성될 수 있다. 이때, 화학 기상 증착 방법의 특성상 텅스텐(W) 막은 웨이퍼 전면이 형성된다. 그런데, 웨이퍼에 형성된 텅스텐(W) 막에 대해 화학 기계적 연마 공정을 실시하면, 화학 기계적 연마 공정에서 사용되는 패드(pad)의 탄성 효과(elasticity effect)로 인하여 패드와 웨이퍼의 접촉이 끝나는 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역에서 웨이퍼에 가하는 패드 압력이 일정하지 않고 Sin파를 그리게 된다. 따라서 화학 기계적 연마 공정을 통해서도 에지 익스클루젼 영역에 형성된 텅스텐(W) 막은 제거되지 않고 불균일하게 남을 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 종래 기술에 따라 웨이퍼의 에지 익스클루젼(Edge Exclusion; EE) 영역에 형성된 금속막을 나타낸 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다.
이와 같이 화학 기계적 연마 공정을 통해서도 제거되지 않고 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역에 불균일하게 잔류하는 텅스텐(W) 막은, 도 5a와 같이 파티클(도면부호 b)로 잔류하여 웨이퍼로 전이되거나, 도 5b와 같이 박막 리프팅(film lifting; 도면부호 c)을 유발하거나, 도 5c와 같이 아킹(arcing; 도면부호 d)을 유발한다. 이와 같은 에지 익스클루젼 영역의 파티클(도면부호 a), 박막 리프팅(도면부호 b) 및 아킹(도면부호 d)은 모두 반도체 소자의 특성을 열화시킬 수 있는 결함 으로 작용할 수 있다. 따라서, 반도체 소자의 특성을 열화시키지 않기 위해서 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역에 텅스텐(W) 막이 불균일하게 잔류하는 것을 방지하는 것이 중요한 이슈가 되고 있다.
본 발명은 링 타입(ring type)의 클램프(clamp)를 이용한 물리적 기상 증착 방법으로 금속막이 형성된 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역을 오픈시키는 식각 마스크막을 형성한 뒤 식각 마스크막을 이용한 식각 공정으로 에지 익스클루젼 영역의 금속막을 제거함으로써, 식각 마스크막을 형성하는 공정 단계를 단축시키면서 에지 익스클루젼 영역의 금속막을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 금속 배선 형성 방법은, 웨이퍼 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막에 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치를 포함하는 상기 절연막 상에 금속 배선용 물질막을 형성하는 단계와, 상기 웨이퍼의 에지 영역에 대응하는 폭과 형상을 갖는 차단 부재를 상기 웨이퍼의 에지 영역 상에 위치시킨 뒤 상기 금속 배선용 물질막 상에 식각 마스크막을 형성하는 단계와, 상기 차단 부재를 탈거한 뒤 상기 식각 마스크막을 이용한 식각 공정으로 상기 웨이퍼의 에지 영역에 형성된 상기 금속 배선용 물질막을 제거하는 단계 및 상기 금속 배선용 물질막 및 상기 식각 마스크막에 대해 화학 기계적 연마 공정을 실시하여 상기 트렌치에만 상기 금속 배선용 물질막을 잔류시켜 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 차단 부재는 링 타입의 클램프를 포함할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 물리적 기상 증착 방법으로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 상기 금속 배선용 물질막에 비해 식각이 덜 되는 물질막으로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 상기 금속 배선용 물질막 대비 4:1∼5:1의 식각 선택비를 갖는 물질막으로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 금속 성분을 포함한 물질막으로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 티타늄(Ti)막 또는 티타늄 나이트라이드(TiN)막으로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 텅스텐(W) 막 또는 텅스텐 나이트라이드(WN)막으로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 상기 금속 배선용 물질막에 비해 높은 밀도로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 스탠다드(standard) 타입, 콜리메이티드(collimated) 타입 및 IMP(Ionized Metal Plasma) 타입 중 어느 하나의 스퍼터링 장비로 형성할 수 있다. 상기 식각 마스크막은 500∼1000Å의 두께로 형성할 수 있다.
상기 절연막은 BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)막, PSG(Phospho-Silicate Glass)막, FSG(Fluorinated Silicate Glass)막, PE-TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)막, PE-SiH4막, HDP USG(High Density Plasma Un-doped Silicate Glass)막, HDP-PSG막, HDP-APL(Advanced Planarization Layer)막 중 어느 하나로 형성할 수 있다. 상기 절연막은 2000∼6000Å의 두께로 형성할 수 있다.
상기 트렌치 내부에 형성되는 상기 금속 배선용 물질막은 상기 트렌치 입구의 높이보다 낮게 형성할 수 있다. 상기 금속 배선용 물질막은 텅스텐막으로 형성할 수 있다. 상기 텅스텐막은 화학적 기상 증착 방법으로 형성할 수 있다. 상기 금속 배선용 물질막은 티타늄 실리사이드(TiSix)막, 티타늄 나이트라이드(TiN)막, 구 리(Cu)막 및 알루미늄(Al)막 중 어느 하나로 형성할 수 있다.
상기 금속 배선용 물질막 하부에 금속 장벽막을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다. 상기 금속 장벽막은 티타늄/티타늄 나이트라이드막(Ti/TiN)의 적층막 또는 텅스텐 나이트라이드(WN)막으로 형성할 수 있다. 상기 금속 장벽막은 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 형성될 수 있다.
상기 식각 공정은 SF6 가스를 포함하는 식각 가스를 이용한 건식 식각으로 실시할 수 있다. 상기 화학 기계적 연마 공정으로, 각각의 상기 트렌치에 상기 금속 배선용 물질막이 패터닝된 금속 배선과 상기 식각 마스크막이 패터닝된 식각 마스크 패턴이 형성될 수 잇다. 상기 트렌치에 형성된 상기 금속 배선 상의 상기 식각 마스크 패턴은 상기 화학 기계적 연마 공정에서 상기 트렌치에 형성된 상기 금속 배선을 보호할 수 있다. 상기 화학 기계적 연마 공정은 pH2∼8 및 50∼150nm의 입자 크기를 갖는 증기 상태(fumed)의 SiO2 또는 구형(spherical)의 Al2O3으로 실시할 수 있다. 상기 웨이퍼의 에지 영역은 에지 익스클루젼 영역인 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법은, 웨이퍼 에지 영역과 대응하는 폭과 형상을 갖는 차단 부재를 상기 웨이퍼 에지 영역 상에 위치시킨 뒤 웨이퍼를 척에 고정시키는 단계 및 물리 화학 기상 증착 방법을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 타겟막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 타겟막은 식각 마스크막일 수 있다. 상기 웨이퍼 에지 영역은 에지 익스클루젼 영역일 수 있다.
본 발명의 금속 배선 형성 방법에 따르면, 에지 익스클루젼 영역을 노출시키는 식각 마스크를 형성하는 공정 단계를 줄일 수 있고, 차단부재를 이용하여 형성된 식각 마스크를 이용하여 에지 익스클루젼 영역에 형성된 금속막을 제거할 수 있어 에지 익스클루젼 영역에 불규칙적으로 잔류하는 금속막으로 인한 반도체 소자의 결함을 방지할 수 있다. 따라서, 더욱 효율적인 반도체 제조 공정을 통해 신뢰성 있는 반도체 소자의 제조가 가능하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.
그러나, 본 발명은 이하에서 설명하는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다. 또한, 임의의 막이 다른 막 또는 반도체 기판 '상'에 형성된다고 기재된 경우 상기 임의의 막은 상기 다른 막 또는 상기 반도체 기판에 직접 접하여 형성될 수도 있고, 그 사이에 제3의 막이 개재되어 형성될 수도 있다. 또한, 도면에 도시된 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장될 수 있다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위하여 도시한 반도체 소자의 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 게이트(도시하지 않음), 콘택 플러그(도시하지 않음) 등이 형성된 웨이퍼(100)을 구비한다. 그리고, 웨이퍼(100)의 에지 부분에 소정의 폭을 갖는 에지 익스클루젼(Edge Exclusion; EE) 영역(도면부호 A)을 설정한다. 에지 익스클루젼 영역(A)의 폭은 웨이퍼 상의 다이(die)의 배치나 공정 장비의 구조 등을 고려하여 1∼10mm로 설정할 수 있다.
그리고, 웨이퍼(100) 상에 절연막(102)을 형성한다. 절연막(102)은 BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)막, PSG(Phospho-Silicate Glass)막, FSG(Fluorinated Silicate Glass)막, PE-TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)막, PE-SiH4막, HDP USG(High Density Plasma Un-doped Silicate Glass)막, HDP-PSG막, HDP-APL(Advanced Planarization Layer)막 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 절연막(102)은 2000∼6000Å의 두께로 형성할 수 있다.
그리고, 절연막(102) 상에 절연막(102)과 식각 선택비가 다른 물질막, 예를 들면 질화막을 형성한 뒤 질화막에 대해 식각 공정을 실시하여 식각 마스크 패턴(도시하지 않음)을 형성한다. 질화막은 노형(furnace)에서 저온으로 형성하거나 플 라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD) 방법으로 형성될 수 있다.
그리고, 식각 마스크 패턴(도시하지 않음)을 이용한 식각 공정으로 절연막(102) 중 금속 배선을 형성하고자 하는 영역을 식각하여 절연막(102) 상에 다수의 콘택홀(도시하지 않음) 또는 트렌치(도면부호 T)를 형성한다. 이후에, 식각 마스크 패턴(도시하지 않음)을 제거한다.
도 1b를 참조하면, 콘택홀(도시하지 않음) 또는 트렌치(도면부호 T)가 형성된 절연막(102) 상에 금속 장벽막(104)을 형성한다. 금속 장벽막(104)은 절연막(102) 상에 금속막을 형성하는 공정에서 금속막이 절연막(102)으로 확산되는 것을 방지하기 위한 막이다. 금속 장벽막(104)은 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 형성되는 티타늄/티타늄 나이트라이드막(Ti/TiN)의 적층막 또는 텅스텐 나이트라이드(WN)막으로 형성된다.
금속 장벽막(104) 상에는 금속 배선용 물질막(106)을 형성한다. 이때, 트렌치 내부에 형성되는 금속 배선용 물질막(106)은 트렌치 입구의 높이보다 낮게 형성하는 것이 바람직하다. 금속 배선용 물질막(106)은 화학적 기상 증착 방법을 이용하여 텅스텐(W)으로 형성하거나, 티타늄 실리사이드(TiSix)막, 티타늄 나이트라이드(TiN)막, 구리(Cu)막, 알루미늄(Al)막 등으로 형성할 수 있다. 이때, 화학 기상 증착 장비의 구조상 금속 장벽막(104)과 금속 배선용 물질막(106)은 에지 익스클루젼 영역(A)을 포함하는 웨이퍼의 전면에 형성된다.
에지 익스클루젼 영역(A)에 형성된 금속 배선용 물질막(106)은 후속하는 공정에서 결함 요소로 작용할 수 있기 때문에 에지 익스클루젼 영역(A)에 형성된 금속 배선용 물질막(106)을 제거하는 식각 공정을 실시하여야 한다. 이러한 식각 공정을 실시하기 위해서는 에지 익스클루젼 영역(A) 만을 오픈시키는 식각 마스크막을 형성하는 것이 필수적이다.
이러한 식각 마스크막은 포토 레지스트막을 이용하여 형성할 수도 있다. 하지만, 포토 레지스트막으로 식각 마스크를 형성하기 위해서는 웨이퍼 표면을 소수성 처리하는 HMDS(Hexamethyldisilazane) 단계, 포토 레지스트막 도포 단계, 소프트 베이크(soft bake) 단계, 노광 단계, 노광 후 베이크 단계 및 현상 단계를 거쳐야 하기 때문에, 공정 단계가 복잡하고 공정 시간이 오래 걸리는 단점이 있다.
이에, 본 발명은 에지 익스클루젼 영역(A)만을 오픈시키는 식각 마스크막을 형성하는 공정 단계를 축소시킬 수 있는 아래와 같은 일실시예를 제시하고자 한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 식각 마스크막을 물리적 기상 증착 방법으로 형성하는 것을 설명하기 위하여 도시한 개략도이다. 또한, 도 3은 식각 마스크막을 형성할 때 사용되는 클램프의 정면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 트렌치 또는 콘택홀이 형성된 절연막(도시하지 않음)과 금속 배선용 물질막(도시하지 않음)이 형성된 웨이퍼(204)를 척(202) 상부에 위치시킨다. 그리고, 웨이퍼(204)의 에지 영역, 특히 에지 익스클루젼 영역과 대응하는 폭과 형상을 갖는 차단 부재(208)를 웨이퍼(204)의 에지 영역 상에 위치시킨다. 즉, 차단 부재(208)를 웨이퍼(204) 상에 위치시키면 웨이퍼(204)의 에지 익스 클루젼 영역과 차단 부재(208)가 겹치도록 위치되어 웨이퍼(204)의 에지 익스클루젼 영역에 식각 마스크막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이후에, 웨이퍼(204)를 척(202)에 고정시킨다.
이러한 차단 부재(208)로써 웨이퍼(204)의 에지 영역, 특히 에지 익스클루젼 영역(A)과 대응하는 폭과 형상을 갖는 링 타입(ring type)의 클램프(clamp)를 이용할 수 있다. 클램프는 웨이퍼(204)의 표면과 접하여 위치하며 웨이퍼(204)를 척(202)에 고정하는 역할도 하기 때문에, 별도의 웨이퍼(204) 고정 수단을 구비하지 않아도 되는 장점이 있다.
그리고, 고전압이 걸린 진공상태에서 챔버 내의 타겟(210)과 웨이퍼(204) 사이에 반응 가스를 공급하고 반응 가스를 이온화시켜 플라즈마를 형성한 뒤 플라즈마를 구성하는 이온들을 전기장에 의해 타겟(210)으로 가속시켜 타겟(210)의 표면과 충돌시킨다. 이러한 충돌에 의한 운동량의 교환에 의하여 타겟(210)의 표면 원자나 분자가 튀어나오고 튀어나온 원자나 분자들은 반응가스와 화학 반응하여 웨이퍼(204) 상에 식각 마스크막(206)을 형성한다. 이때, 식각 마스크막(206)은 차단 부재(208)로 덮인 웨이퍼(204)의 에지 익스클루젼 영역을 제외한 웨이퍼(204)의 전면에 형성된다. 이후에, 차단 부재(208)을 웨이퍼(204)로부터 탈거한다.
이와 같이, 차단 부재(208)를 이용하여 물리적 기상 증착 방법으로 에지 익스클루젼 영역(A)을 노출시키는 식각 마스크막(206)을 형성함으로써, 종래의 포토 레지스트를 이용하여 형성되는 식각 마스크막에 비해 더욱 간단한 공정 단계로 형성하여 더욱 짧은 공정 시간이 소요될 수 있다.
도 1c를 참조하면, 전술한 물리적 화학 기상 증착 방법으로 에지 익스클루젼 영역(A)을 노출시키는 식각 마스크막(108)를 금속 배선용 물질막(106) 상에 형성한다. 식각 마스크막(108)은 500∼1000Å의 두께로 형성할 수 있다.
식각 마스크막(108)은 금속 배선용 물질막(106)에 비해 식각이 덜 되기 때문에 후속하는 금속 배선용 물질막(106)에 대한 식각 공정에서 식각 정지막 역할을 한다. 또한, 식각 마스크막(108)은 후속하는 금속 배선용 물질막(106)에 대한 평탄화 공정에서 식각 저지막 역할을 한다. 이를 위하여, 식각 마스크막(108)은 금속 배선용 물질막(106) 대비 4:1∼5:1의 식각 선택비를 갖는 물질막으로 형성한다.
또한, 식각 마스크막(108)을 금속 물질을 포함하는 물질막으로 형성함으로써, 후속하는 공정에서 식각 마스크막(108)이 완전히 제거되지 않고 금속 배선용 물질막(106) 상에 잔류하더라도 금속 배선용 물질막(106)의 특성을 열화시키지 않도록 하는 것이 바람직하다. 오히려, 미세한 패턴에 금속 배선용 물질막(106)이 형성되어 발생하는 심(seam)이나 보이드(void)의 내부 또는 입구를 식각 마스크막(108)이 메움으로써, 후속하는 화학 기계적 연마 공정을 통해 보이드나 심이 확장되는 문제점을 방지할 수도 있다.
식각 마스크막(108)은 물리적 기상 증착 방법 중 스퍼터링 방법으로 티타늄(Ti)막으로 형성하거나 스퍼터링 시 질소(N2) 가스를 주입하여 티타늄(Ti)과 질소(N2)를 반응시킨 티타늄 나이트라이드(TiN)막으로 형성할 수 있다. 또는, 식각 마스크막(108)은 물리적 기상 증착 방법 중 스퍼터링 방법으로 텅스텐(W) 막으로 형 성하거나 스퍼터링시 질소(N2) 가스를 주입하여 텅스텐(W)과 질소(N2)를 반응시킨 텅스텐 나이트라이드(WN)막으로 형성할 수 있다. 식각 마스크막(108)을 텅스텐(W)막으로 형성할 때에는 스퍼터링 파워와 챔버의 압력을 조절하여 금속 배선용 물질막(106)보다 높은 밀도로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 스퍼터링 장비는 스탠다드(standard) 타입, 콜리메이티드(collimated) 타입 및 IMP(Ionized Metal Plasma) 타입 중 하나를 사용할 수 있다.
도 1d를 참조하면, 식각 마스크막(108)을 이용한 식각 공정을 실시하여 에지 익스클루젼 영역(A)의 금속 배선용 물질막(106)과 금속 장벽막(104)을 제거한다. 이러한 식각 공정은 SF6 가스를 포함하는 식각 가스를 이용한 건식 식각으로 실시할 수 있다. 식각 공정을 통해 식각 마스크막(108)도 소정 두께 제거되어 최초 형성된 두께보다 얇은 두께로 잔류할 수 있다.
도 1e를 참조하면, 절연막(102)에 형성된 트렌치에만 금속 배선용 물질막(106)이 잔류하도록 식각 마스크막(108)과 금속 배선용 물질막(106)에 대해 화학 기계적 연마 방법을 실시한다. 이때, 절연막(102) 상에 형성된 금속 배선용 물질막(106)과 식각 마스크막(108)은 화학 기계적 연마 방법을 통해 함께 제거되어 각 트렌치에는 금속 배선용 물질막(106)과 식각 마스크막(108)이 패터닝된 금속 배선(106a) 및 식각 마스크 패턴(108a)이 형성된다. 즉, 식각 마스크 패턴(108a)은 트렌치에 형성된 금속 배선용 물질막(106)의 상부 높이와 트렌치 입구의 높이 차이만큼의 두께로 금속 배선용 물질막(106) 상에 잔류한다. 그리고, 트렌치에 형성된 금속 배선용 물질막(106) 상에 잔류하는 식각 마스크 패턴(108a)은 식각 저지막으로써 역할을 한다. 즉, 식각 마스크 패턴(108a)은 트렌치에 형성된 금속 배선용 물질막(106)을 보호함으로써 화학 기계적 연마 공정 중에 제거되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 절연막(102)의 트렌치에는 금속 배선(106a)이 형성된다. 이러한 화학 기계적 연마 공정은 pH 2∼8 및 50∼150nm의 입자 크기를 갖는 증기 상태(fumed)의 SiO2 또는 구형(spherical)의 Al2O3를 사용할 수 있다.
도 1f를 참조하면, 세정 공정을 실시하여 트렌치에 잔류하던 식각 마스크 패턴(108a)을 제거할 수 있다. 즉, 본 발명의 일실시예는 식각 마스크막(108)을 제거하는 공정을 별도로 실시하지 않고, 트렌치에 금속 배선(106a)을 형성하기 위한 화학 기계적 연마 공정을 실시한 뒤 세정 공정을 실시함으로써 추가 공정 없이 식각 마스크 패턴(108a)을 제거할 수 있다. 이후에, 절연막(102)과 금속 배선(106a) 상에 층간 절연막(110)을 형성한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일실시예의 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법이 따라 형성된 반도체 소자를 나타낸 SEM 사진이다. 특히, 도 4a는 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역(A)을 확대한 SEM 사진이고, 도 4b는 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역(A)과 패턴 형성 영역의 경계 부분을 확대한 SEM 사진이며, 도 4c는 웨이퍼의 패턴 형성 영역을 확대한 SEM 사진이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역(A)에 형성된 금속막은 완전히 제거되어 에지 익스클루젼 영역(A)에서 금속막이 불규칙적으로 잔 류하는 문제점을 예방할 수 있다.
한편, 본 발명은 금속 배선을 형성할 때 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역에 형성된 금속 배선용 물질막을 제거하는 공정을 예로 들어 설명하였지만, 이에 한정하지 않고 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역만을 오픈시키는 식각 마스크를 형성하고 이러한 식각 마스크를 이용한 식각 공정으로 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역에 형성된 임의의 막을 제거하는 모든 반도체 소자의 제조 공정에 적용 가능함은 당연하다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 에지 영역과 대응하는 폭과 형상을 갖는 차단 부재를 사용하는 물리적 기상 증착 방법으로 웨이퍼 에지 영역을 오픈시키는 식각 마스크막을 형성하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이에 한정하지 않고 웨이퍼 에지 영역을 오픈시키는 임의의 막을 형성하는 것이 가능함은 당연하다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위하여 도시한 반도체 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 식각 마스크막을 물리적 기상 증착 방법으로 형성하는 것을 설명하기 위하여 도시한 개략도이다.
도 3은 식각 마스크막을 형성할 때 사용되는 클램프의 정면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일실시예의 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법이 따라 형성된 반도체 소자를 나타낸 SEM 사진이다.
도 5a 내지 도 5c는 종래 기술에 따라 웨이퍼의 에지 익스클루젼 영역에 형성된 금속막을 나타낸 SEM 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
100 : 웨이퍼 102 : 절연막
104 : 금속 장벽막 106 : 금속 배선용 물질막
106a : 금속 배선 108 : 식각 마스크막
108a : 식각 마스크 패턴 110 : 층간 절연막
Claims (28)
- 웨이퍼 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막에 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치를 포함하는 상기 절연막 상에 금속 배선용 물질막을 형성하는 단계;상기 웨이퍼의 에지 영역에 대응하는 폭과 형상을 갖는 차단 부재를 상기 웨이퍼의 에지 영역 상에 위치시킨 뒤 상기 금속 배선용 물질막 상에 식각 마스크막을 형성하는 단계;상기 차단 부재를 탈거한 뒤 상기 식각 마스크막을 이용한 식각 공정으로 상기 웨이퍼의 에지 영역에 형성된 상기 금속 배선용 물질막을 제거하는 단계; 및상기 금속 배선용 물질막 및 상기 식각 마스크막에 대해 화학 기계적 연마 공정을 실시하여 상기 트렌치에만 상기 금속 배선용 물질막을 잔류시켜 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 차단 부재는 링 타입의 클램프를 포함하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 마스크막은 물리적 기상 증착 방법으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 마스크막은 상기 금속 배선용 물질막에 비해 식각이 덜 되는 물질막으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 마스크막은 상기 금속 배선용 물질막 대비 4:1∼5:1의 식각 선택비를 갖는 물질막으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 마스크막은 금속 성분을 포함한 물질막으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 마스크막은 티타늄막 또는 티타늄 나이트라이드막으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 마스크막은 텅스텐 막 또는 텅스텐 나이트라이드막으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제8항에 있어서,상기 식각 마스크막은 상기 금속 배선용 물질막에 비해 높은 밀도로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 식각 마스크막은 스탠다드(standard) 타입, 콜리메이티드(collimated) 타입 및 IMP(Ionized Metal Plasma) 타입 중 어느 하나의 스퍼터링 장비로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 마스크막은 500∼1000Å의 두께로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연막은 BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)막, PSG(Phospho-Silicate Glass)막, FSG(Fluorinated Silicate Glass)막, PE-TEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate)막, PE-SiH4막, HDP USG(High Density Plasma Un-doped Silicate Glass)막, HDP-PSG막, HDP-APL(Advanced Planarization Layer)막 중 어느 하나로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연막은 2000∼6000Å의 두께로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 트렌치 내부에 형성되는 상기 금속 배선용 물질막은 상기 트렌치 입구의 높이보다 낮게 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속 배선용 물질막은 텅스텐막으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제15항에 있어서,상기 텅스텐막은 화학적 기상 증착 방법으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속 배선용 물질막은 티타늄 실리사이드막, 티타늄 나이트라이드막, 구리막 및 알루미늄막 중 어느 하나로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속 배선용 물질막 하부에 금속 장벽막을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제18항에 있어서,상기 금속 장벽막은 티타늄/티타늄 나이트라이드막(Ti/TiN)의 적층막 또는 텅스텐 나이트라이드(WN)막으로 형성하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제19항에 있어서,상기 금속 장벽막은 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 형성되는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각 공정은 SF6 가스를 포함하는 식각 가스를 이용한 건식 식각으로 실시하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 화학 기계적 연마 공정으로 각각의 상기 트렌치에 상기 금속 배선용 물질막이 패터닝된 금속 배선과, 상기 식각 마스크막이 패터닝된 식각 마스크 패턴이 형성되는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제22항에 있어서,상기 트렌치에 형성된 상기 금속 배선 상의 상기 식각 마스크 패턴은 상기 화학 기계적 연마 공정에서 상기 트렌치에 형성된 상기 금속 배선을 보호하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 화학 기계적 연마 공정은 pH 2∼8 및 50∼150nm의 입자 크기를 갖는 증기 상태(fumed)의 SiO2 또는 구형(spherical)의 Al2O3으로 실시하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 웨이퍼의 에지 영역은 에지 익스클루젼 영역인 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
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