KR100986499B1 - Duplexer circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LTCC 공정에 의하여 제조되는 모듈 중 위상 시프트를 튜닝할 수 있도록 함으로써, 모듈의 특성을 개선시킬 수 있는 듀플렉서 회로를 개시한다. 개시된 본 발명은 안테나를 통하여 두 개의 주파수 대역 신호를 송수신하도록 필터링하는 다이플렉서; 상기 두 개의 주파수 대역 신호중 고주파 신호를 송신하는 제 1 송신단과, 저주파 신호를 송신하는 제 2 송신단; 상기 다이플렉서로부터 분리되어 수신된 신호중 고주파 대역 신호를 수신하는 제 1 수신단과 저주파 대역 신호를 수신하는 제 2 수신단; 상기 제 1 송신단과 직렬로 연결된 제 1 필터와, 상기 제 2 송신단과 직렬로 연결된 제 2 필터; 상기 제 1 수신단과 직렬로 연결된 제 1 위상 시프트와 상기 제 2 수신단과 직렬로 연결된 제 2 위상 시프트; 및 상기 위상 시프트들의 양측에 각각 연결하여 튜닝하는 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a duplexer circuit that can improve the characteristics of a module by allowing tuning of phase shift among modules manufactured by the LTCC process. The disclosed invention includes a diplexer for filtering to transmit and receive two frequency band signals through an antenna; A first transmitter for transmitting a high frequency signal of the two frequency band signals, and a second transmitter for transmitting a low frequency signal; A first receiving end receiving a high frequency band signal among the signals received separately from the diplexer and a second receiving end receiving a low frequency band signal; A first filter connected in series with the first transmitting end, and a second filter connected in series with the second transmitting end; A first phase shift in series with the first receiver and a second phase shift in series with the second receiver; And a first tuning unit and a second tuning unit respectively connected to and tuned to both sides of the phase shifts.

튜닝, LTCC, 모듈, 임피던스, 위상 시프트Tuning, LTCC, Module, Impedance, Phase Shift

Description

듀플렉서 회로{DUPLEXER CIRCUIT}Duplexer circuit {DUPLEXER CIRCUIT}

도 1은 종래 기술에 따른 LTCC로 제조되는 듀얼 밴드 듀플렉서 모듈을 도시한 블록도.1 is a block diagram illustrating a dual band duplexer module made of LTCC according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 듀얼 밴드 듀플렉서 모듈에서 위상 시프트를 튜닝할 수 있도록 설계된 블록도.2 is a block diagram designed to tune phase shift in a dual band duplexer module in accordance with the present invention.

도 3은 본 발명에 따라 위상 시프트를 튜닝하는 방법을 설명하기 위한 등가 회로.3 is an equivalent circuit for explaining a method of tuning phase shift in accordance with the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

200: 듀플렉서 201a: 제 1 필터200: duplexer 201a: first filter

201b: 제 2 필터 203a: 제 1 위상 시프트201b: second filter 203a: first phase shift

203b: 제 2 위상 시프트 205a: 제 1 튜닝부203b: second phase shift 205a: first tuning section

205b: 제 2 튜닝부205b: second tuning section

본 발명은 듀플렉서 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) 공정에 따라 다수개의 세라믹 기판을 적층하여 제 조되는 듀플렉서 모듈의 소자들을 외부에서 튜닝하여 제조 단계에서 발생하는 모듈의 수율 저하를 개선할 수 있는 듀플렉서 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a duplexer circuit, and more particularly, a module generated in a manufacturing step by externally tuning elements of a duplexer module manufactured by stacking a plurality of ceramic substrates according to a low temperature co-fired ceramic (LTCC) process. The present invention relates to a duplexer circuit that can improve the yield reduction of the.

최근, 이동 통신 시스템의 발전에 따라, 휴대 전화, 휴대형 정보 단말기 등의 이동 통신 기기가 급속히 보급되어, 이들 기기의 소형화 및 고성능화의 요구로부터 이들에 사용되는 부품의 소형화 및 고성능화가 요구되고 있다.Background Art In recent years, with the development of mobile communication systems, mobile communication devices such as mobile phones and portable information terminals are rapidly spreading, and the demand for miniaturization and high performance of these devices has been required to reduce the size and performance of components used therein.

또한, 휴대 전화에 있어서는 아날로그 방식과 디지털 방식의 2개의 종류의 무선 통신 시스템이 이용되고 있고, 무선 통신에 사용하는 주파수도 800MHz∼1GHz대와, 1.5GHz∼2.0GHz 대로 다방면에 걸쳐 있다.In addition, two types of wireless communication systems, analog and digital, are used in mobile telephones, and the frequencies used for wireless communication are in the 800 MHz to 1 GHz band and the 1.5 GHz to 2.0 GHz band.

특히, 통신 장치 및 다른 전자 장치에서, 대역 통과 필터로서 SAW 필터가 널리 사용되고 있다. SAW 필터로는 압전 기판 상에 소정 거리로 배열된 두 개의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지는 횡형 SAW 필터와, 압전 기판 상에 공진자를 구성하는 SAW 공진자 필터가 있다.In particular, SAW filters are widely used as band pass filters in communication devices and other electronic devices. SAW filters include a lateral SAW filter having two interdigital transducers (IDTs) arranged at a predetermined distance on a piezoelectric substrate, and a SAW resonator filter constituting a resonator on a piezoelectric substrate.

최근에는 통신 기기에서 신호를 송수신할 때 신호의 일정대역 주파수만 필터링하여 송신하거나, 수신할 때 일정한 주파수 대역의 신호만을 수신할 수 있도록 듀플렉서를 칩으로 제조하여 사용하고 있다.Recently, a duplexer is manufactured and used as a chip to filter and transmit only a predetermined band frequency of a signal when transmitting and receiving a signal in a communication device, or to receive a signal of a predetermined frequency band when receiving a signal.

상기에서, 설명한 쏘우-듀플렉서는 텔레비젼에서 화상의 중간주파수 필터용, 및 신호의 시간지연용 등으로 사용되는데, 그 구성은 수정 또는 LiTaO3, LiNbO3 등과 같은 압전체 상에 전기적인 입력신호를 기계적인 진동을 변환시키는 입력변환기와 이와 대립 형성되어 있으며 기계적인 진동을 전기적인 신호로 변환하여 부하로 출력시키는 출력변환기가 형성되어 있고, 상기 입력변환기와출력변환기에는 빗살형 태의 알루미늄전극이 서로 소정거리 이격 형성되어 있다.In the above description, the saw-duplexer is used for an intermediate frequency filter of an image, a time delay of a signal, etc. in a television, and its configuration is modified or mechanical vibration of an electrical input signal on a piezoelectric body such as LiTaO3, LiNbO3, etc. An input converter for converting and an opposing shape are formed, and an output converter for converting a mechanical vibration into an electrical signal and outputting the load to the load is formed. have.

그리고, 상기와 같은 쏘우 필터를 내장한 듀플렉서는 최근, 저온 동시소성 세라믹(LTCC: Low Temperature Co-fired Ceramic)라고 하는 기술에 의하여 세라믹 적층 기판 상에 형성된 회로 소자들과 일체의 패키지(package) 형태로 제조되고 있다.In addition, a duplexer incorporating the above-described saw filter has recently been integrated with circuit elements formed on a ceramic laminate substrate by a technology called low temperature co-fired ceramic (LTCC). It is manufactured.

상기 LTCC는 보통 회로를 구성할 때, 기판은 기판대로 만들고 그 위에 금속을 입히는 방식으로 제작하는 것이 일반적이지만, 이러한 방식은 집적화와 소형화에 어려움이 많다.The LTCC is generally manufactured by forming a substrate into a substrate and coating a metal on the circuit, but this method has difficulty in integration and miniaturization.

따라서, 상기 LTCC를 사용하면, 저온에서(Low temperature) 금속과 그 세라믹 기판이 동시에 만들어지는 코파이어(Co-fire) 공정기술이기 때문에 집적화와 소형화를 이룰 수 있다.Therefore, when the LTCC is used, since it is a co-fire process technology in which a metal and its ceramic substrate are simultaneously made at low temperature, integration and miniaturization can be achieved.

글라스(Glass) 계열 혹은 그것을 섞은 형태의 세라믹 계열 기판을 사용하면, 800~1,000℃ 정도에서 금속을 입힌 기판들을 압착 소성 시킬 수 있으며, 고주파 수동 소자 제작에 매우 적합하다.Glass-based or mixed ceramic-based substrates can be pressed and fired to metal-clad substrates at around 800 ~ 1000 ℃ and are well suited for high-frequency passive device fabrication.

도 1은 종래 기술에 따른 듀얼 밴드 듀플렉서를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a dual band duplexer according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 최근 통신기기는 듀얼 밴드 주파수 신호를 송수신하는 듀플렉서의 구조는 먼저, 1800MHz 이상의 주파수 대역을 사용하여 데이터 신호를 송수신하는 DCS와 900MHz 이하의 주파수 대역을 사용하여 데이터 신호를 송수신하는 GSM을 동일한 FEM(Front End Module)에 형성 배치한 구조이다.As shown in FIG. 1, a duplexer for transmitting / receiving a dual band frequency signal includes a DCS which transmits and receives a data signal using a frequency band of 1800 MHz or more and a frequency band of 900 MHz or less. It is a structure in which GSM to be transmitted and received is formed and arranged in the same front end module (FEM).

서로 다른 주파수 대역의 고주파 신호를 송수신하는 안테나로부터 송수신하 는 서로 다른 주파수 대역의 신호를 필터링 하는 다이플렉서(100)와, 상기 다이플렉서(100)로부터 분리되는 1800MHz 대역 주파수 신호를 사용하는 DCS 송수신 단자(Tx)와 상기 다이플렉서(100)로부터 분리되어 900MHz 대역 주파수 신호를 사용하는 GSM 송수신 단자(Tx)가 배치되어 있다.DCS using a diplexer 100 for filtering signals of different frequency bands transmitted and received from an antenna for transmitting and receiving high frequency signals of different frequency bands, and a 1800 MHz band frequency signal separated from the diplexer 100. A GSM transmit / receive terminal Tx, which is separated from the transmit / receive terminal Tx and the diplexer 100 and uses a 900 MHz band frequency signal, is disposed.

상기 DCS 송신 단자(Tx)에는 제 1 필터(201a)가 배치되어 있는데, 필터의 종류는 보통 쏘우 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고, DCS 수신 단자(Rx)에는 제 1 위상 시프트(103a)가 배치되어 있는데, 필터의 종류는 마찬가지로 쏘우 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고 있다.A first filter 201a is disposed at the DCS transmitting terminal Tx, and a type of filter is usually a saw filter or a FBAR filter, and a first phase shift 103a is disposed at the DCS receiving terminal Rx. There are two types of filters, similarly, a saw filter or a FBAR filter.

상기 GSM 송신 단자(Tx)에는 제 2 필터(101b)가 배치되어 있는데, 필터의 종류는 보통 쏘우(SAW) 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고, GSM 수신 단자(Rx)에는 제 2 위상 시프트(103b)가 배치되어 있는데, 필터의 종류는 마찬가지로 쏘우 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고 있다.A second filter 101b is disposed at the GSM transmission terminal Tx, and a type of filter is usually a SAW filter or a FBAR filter, and a second phase shift 103b at the GSM reception terminal Rx. The filter is similarly using a saw filter or a FBAR filter.

상기와 같은 구조를 갖는 듀플렉서는 상기 GSM 송신 단자(Tx)를 통하여 시스템 내부에서 발생된 900MHz 주파수 신호가 인가되면, 상기 제 2 필터(101b)를 통하여 밴드 폭을 중심으로 필터링 된 후에 상기 다이플렉서(100)의 로우 패스 필터 영역을 통과하면서 상기 안테나를 통하여 외부로 신호를 전송하게 된다. When the duplexer having the structure as described above is applied with a 900 MHz frequency signal generated inside the system through the GSM transmission terminal Tx, the diplexer is filtered around the band width through the second filter 101b. The signal is transmitted to the outside through the antenna while passing through the low pass filter region of 100.

동일한 경로를 통하여 외부에서 900MHz 대역의 주파수 신호를 상기 안테나로부터인가 받은 다음, 상기 다이플렉서(100)를 통하여 GSM 수신 단자(Rx)에 인가되며, 상기 제 2 위상 시프트(103b))를 통하여 시스템 내부로 신호를 수신하게 된다.A frequency signal of 900 MHz band is externally received from the antenna through the same path, and then applied to the GSM receiving terminal Rx through the diplexer 100 and the second phase shift 103b). The signal is received internally.

또한, 상기 DCS 송신 단자(Tx)를 통하여 시스템 내부에서 발생된 1800MHz 대 역의 주파수 신호가 인가되면, 상기 제 1 필터(101a)를 통하여 밴드 폭을 중심으로 필터링 된 후에 상기 다이플렉서(100)의 로우 패스 필터(Low Pass Filter) 영역을 통과하면서 상기 안테나를 통하여 외부로 신호를 전송하게 된다.In addition, when a frequency signal of 1800 MHz band generated inside the system is applied through the DCS transmitting terminal Tx, the diplexer 100 is filtered around the band width through the first filter 101a. The signal is transmitted to the outside through the antenna while passing through the low pass filter region of the antenna.

동일한 경로를 통하여 외부에서 1800MHz 대역의 주파수 신호를 상기 안테나로부터인가 받은 다음, 상기 다이플렉서(100)를 통하여 DCS 수신 단자(Rx)에 인가되며, 상기 제 1 위상 시프트(103a)를 통하여 시스템 내부로 신호를 수신하게 된다.After receiving the frequency signal of the 1800MHz band from the outside through the same path from the antenna, it is applied to the DCS receiving terminal (Rx) through the diplexer 100, the system through the first phase shift (103a) Receive a signal.

상기와 같은, 두 가지 대역의 주파수 신호를 송수신하기 위한 듀플렉서는 LTCC 제조 공정에 따라 다수개의 세라믹 기판들을 적층하여 하나의 패키지 형태로 제조하고, 패키지 형태로 제조된 모듈은 하나의 전자 부품으로 취급되어 사용된다.As described above, a duplexer for transmitting and receiving frequency signals of two bands is manufactured by stacking a plurality of ceramic substrates in one package according to the LTCC manufacturing process, and the module manufactured in the package form is treated as one electronic component. Used.

그러나, 상기와 같은 듀플렉서 회로를 LTCC 공정에 따라 제조하게되면, 듀플렉서 회로상 각각의 소자들이 갖는 값과 세라믹 기판 상에 금속을 패터닝하여 형성한 소자들의 값이 차이가 나게되어 모듈 특성이 변화하는 문제가 있다.However, if the above duplexer circuit is manufactured according to the LTCC process, the value of each element on the duplexer circuit and the value of the elements formed by patterning the metal on the ceramic substrate are different, resulting in a change in module characteristics. There is.

특히, LTCC 공정에 의하여 세라믹 기판이 적층되면, 치수 불량에 의한 소자 특성의 불량을 개선할 수 없게되고, 모듈 특성의 변화가 큰 경우에는 다시 제작하여야 하는 문제가 있다.In particular, when the ceramic substrate is laminated by the LTCC process, it is impossible to improve the defects of the device characteristics due to the dimensional defects, and there is a problem of remanufacturing when the change in the module characteristics is large.

듀플렉서 모듈에 실장되는 소자들 중에서 위상 시프트는 세라믹 기판 상에 긴 전송 선로를 형성하기 때문에 실제 제조 공정을 거쳐 제조된 값과 큰 차이가 발생하게 된다.Among the devices mounted on the duplexer module, the phase shift forms a long transmission line on the ceramic substrate, which causes a large difference from the value manufactured through the actual manufacturing process.

본 발명은, LTCC 공정에 의하여 제조되는 모듈 중에서 제조 과정에서 발생하는 소자들의 수율이 저하되는 것을 모듈 표면 상에 인던터 또는 커패시터를 실장여 튜닝할 수 있도록 함으로써, LTCC 모듈 특성을 개선시킬 수 있는 듀플렉서 회로를 제공함에 그 목적이 있다. The present invention provides a duplexer that can improve the characteristics of the LTCC module by mounting an inductor or a capacitor on the module surface to reduce the yield of devices generated during the manufacturing process among the modules manufactured by the LTCC process. The purpose is to provide a circuit.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 듀플렉서 회로는,In order to achieve the above object, a duplexer circuit according to the present invention,

안테나를 통하여 두 개의 주파수 대역 신호를 송수신하도록 필터링하는 다이플렉서;A diplexer for filtering to transmit and receive two frequency band signals through an antenna;

상기 두 개의 주파수 대역 신호중 고주파 신호를 송신하는 제 1 송신단과, 저주파 신호를 송신하는 제 2 송신단;A first transmitter for transmitting a high frequency signal of the two frequency band signals, and a second transmitter for transmitting a low frequency signal;

상기 다이플렉서로부터 분리되어 수신된 신호중 고주파 대역 신호를 수신하는 제 1 수신단과 저주파 대역 신호를 수신하는 제 2 수신단;A first receiving end receiving a high frequency band signal among the signals received separately from the diplexer and a second receiving end receiving a low frequency band signal;

상기 제 1 송신단과 직렬로 연결된 제 1 필터와, 상기 제 2 송신단과 직렬로 연결된 제 2 필터;A first filter connected in series with the first transmitting end, and a second filter connected in series with the second transmitting end;

상기 제 1 수신단과 직렬로 연결된 제 1 위상 시프트와 상기 제 2 수신단과 직렬로 연결된 제 2 위상 시프트; 및A first phase shift in series with the first receiver and a second phase shift in series with the second receiver; And

상기 위상 시프트들의 양측에 각각 연결하여 튜닝하는 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a first tuning unit and a second tuning unit which are connected to and tuned to both sides of the phase shifts, respectively.

여기서, 상기 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부는 인덕터 또는 커패시터로 구성되어 있고, 상기 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부는 상기 위상 시프트 양측에 병렬로 연결 되며, 상기 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부는 인덕턴스 또는 커패시턴스 중 어느 하나의 값을 변화시켜 임피던스를 조절하는 것을 특징으로 한다.Here, the first tuning unit and the second tuning unit is composed of an inductor or a capacitor, the first tuning unit and the second tuning unit are connected in parallel to both sides of the phase shift, the first tuning unit and the second tuning unit It is characterized in that the impedance is adjusted by changing the value of either inductance or capacitance.

본 발명에 의하면, LTCC 공정에 의하여 제조되는 모듈은 제조 공정 중에서 설계에서 제시된 소자 값을 정확하게 구현시키기 어려워서, 모듈 표면에 인던터 또는 커패시터를 실장하고 LTCC에서 형성된 듀플렉서 패키지 내의 소자들을 일정한 값으로 튜닝시킬 수 있다.According to the present invention, a module manufactured by the LTCC process is difficult to accurately implement the device values presented in the design during the manufacturing process, thereby mounting an inductor or capacitor on the module surface and tuning the devices in the duplexer package formed in the LTCC to a constant value. Can be.

특히, 오차가 심한 위상 시프트의 경우 듀플렉서 패키지가 완성된 후에라도, 외부에서 인덕터와 커패시터를 병렬로 연결하고 조절하도록 함으로써, LTCC 모듈 특성을 개선시킬 수 있다.In particular, in the case of error-prone phase shifts, even after the duplexer package is completed, the LTCC module characteristics can be improved by externally connecting and adjusting inductors and capacitors in parallel.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 듀얼 밴드 듀플렉서 모듈에서 위상 시프트를 튜닝할 수 있도록 설계된 블록도이다.2 is a block diagram designed to tune phase shift in a dual band duplexer module according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 서로 다른 주파수 대역의 고주파 신호를 송수신하는 안테나로부터 송수신하는 서로 다른 주파수 대역의 신호를 필터링 하는 다이플렉서(200)와, 상기 다이플렉서(200)로부터 분리되는 1800MHz 대역 주파수 신호를 사용하는 DCS 송수신 단자(Tx)와 상기 다이플렉서(200)로부터 분리되어 900MHz 대역 주파수 신호를 사용하는 GSM 송수신 단자(Tx)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 2, a diplexer 200 for filtering signals of different frequency bands transmitted and received from an antenna for transmitting and receiving high frequency signals of different frequency bands, and 1800 MHz separated from the diplexer 200. A DC transmission / reception terminal Tx using a band frequency signal and a GSM transmission / reception terminal Tx using a 900 MHz band frequency signal are separated from the diplexer 200.

상기 DCS 송신 단자(Tx)에는 제 1 필터(201a)가 배치되어 있는데, 필터의 종류는 보통 쏘우 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고, DCS 수신 단자(Rx)에는 제 1 위 상 시프트(203a)가 배치되어 있는데, 필터의 종류는 마찬가지로 쏘우 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고 있다.A first filter 201a is disposed at the DCS transmitting terminal Tx, and a type of filter is usually a saw filter or a FBAR filter, and a first phase shift 203a is disposed at the DCS receiving terminal Rx. The type of filter is similarly used as a saw filter or FBAR filter.

상기 GSM 송신 단자(Tx)에는 제 2 필터(201b)가 배치되어 있는데, 필터의 종류는 보통 쏘우(SAW) 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고, GSM 수신 단자(Rx)에는 제 2 위상 시프트(203b)가 배치되고, 상기 제 2 위상 시프트(203b)의 양측에는 임피던스 조절을 위하여 병렬로 서셉턴스(jB) 값을 갖는 제 1 튜닝부(205a)와 제 2 튜닝부(205b)를 배치하며, 상기 튜닝부들(205a, 205b)은 인덕터 또는 커패시터 소자를 사용하여 배치한다.A second filter 201b is disposed at the GSM transmission terminal Tx, and a type of the filter is usually a SAW filter or a FBAR filter, and a second phase shift 203b at the GSM reception terminal Rx. And a first tuning unit 205a and a second tuning unit 205b each having a susceptance jB value in parallel for impedance control on both sides of the second phase shift 203b. The portions 205a and 205b are arranged using an inductor or a capacitor element.

마찬가지로, 상기 제 2 위상 시프트(203b) 필터의 종류는 마찬가지로 쏘우 필터 또는 FBAR 필터를 사용하고 있다.Similarly, the type of the second phase shift 203b filter similarly uses a saw filter or an FBAR filter.

이하, 신호처리 과정은 상기 도 1에서 설명한 듀플렉서와 동일하므로, 구별되는 튜닝부 영역에 대하여만 설명을 한다.Hereinafter, since the signal processing process is the same as that of the duplexer described with reference to FIG. 1, only the tuning unit region to be distinguished will be described.

LTCC 공정에 따라 세라믹 기판을 적층하여 듀플렉서 패키지를 완성한 다음, 외장에 튜닝부들을 실장하는데, 상기 튜닝부들(205a, 205b)은 설명한 바와 같이 적층된 세라믹 기판들 중에서 GSM 수신 단자에 배치되어 있는 위상 시프트들의 좌우측에 병렬로 연결될 수 있도록 한다.The ceramic substrate is stacked according to the LTCC process to complete the duplexer package, and then the tuning units are mounted on the exterior, and the tuning units 205a and 205b are disposed in the GSM receiving terminal among the stacked ceramic substrates as described above. Allow them to be connected in parallel to the left and right of the field.

물론, 도 2에서는 도시하지 않았지만, DCS 수신 단자에 배치되어 있는 위상시프트들 좌우측에 병렬로 연결할 수 있다.Of course, although not shown in Figure 2, it can be connected in parallel to the left and right phase shifts arranged in the DCS receiving terminal.

듀플렉서 외장에 배치되어 있는 튜닝부(205a, 205b)는 인덕터 또는 커패시터를 이용하여 임피던스 중 서셉턴스 값을 상기 위상 시프트의 전후 단에 배치함으로 써, LTCC 공정에 의하여 제조되는 세라믹 기판 상의 전송 패턴의 불량을 조절할 수 있다.The tuning units 205a and 205b disposed in the duplexer housing have a susceptance value of impedance at the front and rear ends of the phase shift by using an inductor or a capacitor, so that the transmission pattern on the ceramic substrate manufactured by the LTCC process is defective. Can be adjusted.

도 3은 본 발명에 따라 위상 시프트를 튜닝하는 방법을 설명하기 위한 등가 회로이다.3 is an equivalent circuit for explaining a method for tuning phase shift in accordance with the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 실제 튜닝부가 위상 시프트 좌우측 단에 병렬로 연결되어 있는 것과 이에 대한 전성 선로를 따라 임피던스 값을 등가적으로 나타낸 도면이다.As shown in FIG. 3, the actual tuning unit is connected in parallel to the left and right ends of the phase shift, and equivalently represents an impedance value along a malleable line thereof.

위상 시프트의 좌우측에 병렬로 배치되는 jB 서셉턴스 값들을 부하 선로에서 ABCD 파라미터(parameter)를 구하면 다음과 같다.When jB susceptance values arranged in parallel on the left and right sides of the phase shift are obtained from the load line, the ABCD parameter is as follows.

Figure 112003032701516-pat00001
Figure 112003032701516-pat00001

그리고 등가회로로부터 ABCD 파라미터(parameter)를 구하면 다음과 같다.Then, ABCD parameters are obtained from the equivalent circuit.

Figure 112003032701516-pat00002
Figure 112003032701516-pat00002

따라서,therefore,

Figure 112003032701516-pat00003
Figure 112003032701516-pat00003

이때, b가 작다면 θe 는

Figure 112003032701516-pat00004
에 근접할 것이고 위의 결과는If b is small, θ e is
Figure 112003032701516-pat00004
Will be close to the above result

Figure 112003032701516-pat00005
Figure 112003032701516-pat00005

이 된다.Becomes

따라서, 위상 시프트이 전후단에 서셉턴스를 병렬로 배치하고, 인덕터와 커패시터 값을 조절함으로써, 전성 선로의 임피던스 튜닝을 시킬 수 있다.Therefore, by shifting the susceptance in parallel before and after the phase shift and adjusting the values of the inductor and the capacitor, impedance tuning of the main line can be performed.

그래서, 실제 설계상에 제시된 소자 값들과 다른 LTCC 공정에 의하여 제조되는 값들의 차이를 튜닝에 의하여 조절함으로써 듀플렉서 모듈의 특성을 개선시킬 수 있다.Thus, the tuning of the difference between the device values presented in the actual design and the values produced by other LTCC processes can be improved by tuning to improve the characteristics of the duplexer module.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 LTCC 공정에 의하여 제조되는 모듈은 제조 공정 중에서 설계에 따라 정확하게 구현되기 어려워서, 모듈 표면에 인덕터 또는 커패시터를 실장하고 LTCC에서 형성된 위상 시프트와 병렬로 연결하여 조절함으로써, LTCC 모듈 특성을 향상시킬 수 있다.As described in detail above, the present invention is difficult to accurately implement a module manufactured by the LTCC process according to the design, the inductor or capacitor mounted on the module surface and connected in parallel with the phase shift formed in the LTCC control By doing so, the LTCC module characteristics can be improved.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.

Claims (4)

안테나를 통하여 두 개의 주파수 대역 신호를 송수신하도록 필터링하는 다이플렉서;A diplexer for filtering to transmit and receive two frequency band signals through an antenna; 상기 두 개의 주파수 대역 신호중 고주파 신호를 송신하는 제 1 송신단과, 저주파 신호를 송신하는 제 2 송신단;A first transmitter for transmitting a high frequency signal of the two frequency band signals, and a second transmitter for transmitting a low frequency signal; 상기 다이플렉서로부터 분리되어 수신된 신호중 고주파 대역 신호를 수신하는 제 1 수신단과 저주파 대역 신호를 수신하는 제 2 수신단;A first receiving end receiving a high frequency band signal among the signals received separately from the diplexer and a second receiving end receiving a low frequency band signal; 상기 제 1 송신단과 직렬로 연결된 제 1 필터와, 상기 제 2 송신단과 직렬로 연결된 제 2 필터;A first filter connected in series with the first transmitting end, and a second filter connected in series with the second transmitting end; 상기 제 1 수신단과 직렬로 연결된 제 1 위상 시프트와 상기 제 2 수신단과 직렬로 연결된 제 2 위상 시프트; 및A first phase shift in series with the first receiver and a second phase shift in series with the second receiver; And 상기 위상 시프트들의 양측에 각각 연결하여 튜닝하는 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부;를 포함하며, And a first tuning unit and a second tuning unit connected to and tuned to both sides of the phase shifts, respectively. 상기 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부는 인덕터 또는 커패시터 로 구성되고, The first tuning unit and the second tuning unit is composed of an inductor or a capacitor, 상기 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부는 인덕턴스 또는 커패시턴스 중 어느 하나의 값을 변화시켜 임피던스를 조절하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서 회로.And the first tuning unit and the second tuning unit adjust impedance by changing any one of inductance or capacitance. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 튜닝부와 제 2 튜닝부는 상기 위상 시프트 양측에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서 회로.The duplexer circuit according to claim 1, wherein the first tuning unit and the second tuning unit are connected in parallel to both sides of the phase shift. 삭제delete
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KR20000028933A (en) * 1998-10-08 2000-05-25 무라타 야스타카 Antenna duplexer and communication apparatus
KR100397729B1 (en) * 2000-04-19 2003-09-13 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Filter, Antenna Duplexer, And Communication Apparatus Incorporating The Same

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