KR100986238B1 - 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법 - Google Patents

Abstract

주로 200-250V용의 전원플러그에 사용되는 봉형 전극봉의 제작에 있어서, 종래의 황동봉을 수 차례의 절삭공정을 주 공정으로 하여 황동 환봉재 전극봉을 제작하는 제조방법 및, 황동 파이프를 재료로 하여 프레스공법에 의한 수 회의 드로잉공정으로 봉형 전극봉을 제조하는 제조방법에 비하여, 성형자재를 봉형 전극봉의 정규격에 상응하는 파이프형 전극봉을 성형하기 위하여 요구되는 적정 체적을 갖는 소정 직경과 길이의 황동재 환봉 성형칩을 사용하여, 상기 성형칩을 냉간단조기 또는 프레스에 장착되는 수 개의 다이, 펀치, 이젝터들이 일체로 구비된 연타식 포밍블럭에 의하여, 적어도 3 공정 이상의 임펙트 공정과 리듀싱(reducing)공정으로 소정의 반제품 파이프형 전극관으로 성형하고, 상기 반제품 파이프형 전극관에 대하여 중간 일 측에 몰드부재 고정통을 압축드로잉으로 형성하거나, 또는 후단부에 대하여 전선연결구를 후 가공하여, 소정의 전원플러그용 파이프형 전극봉으로 완성함을 특징으로 하여, 재료비를 더욱 절감하여 제조원가를 대폭 절감하며, 자동 생산성에 의하여 생산성을 높이고, 반구형 선단부의 성형을 용이하게 할 수 있는 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법을 제공한다.

전원플러그,봉형 전극봉,성형칩,파이프,냉간단조,드로잉,리듀싱,다이,펀치

Description

전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법{manufacture method of pipe-type electrode for power plug}

도 1은 본 발명이 적용되는 일 예 전원플러그의 단면도

도 2는 본 발명이 적용되는 일 예 전원플러그의 봉형 전극봉 분해사시도

도 3은 본 발명이 적용되는 일 예 몰드식 전원플러그의 단면구성도

도 4는 본 발명에 의하여 성형하고자 하는 일 예 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉의 단면도

도 5는 본 발명에 의하여 성형하고자 하는 일 예 몰드식 전원플러그용 파이프형 전극봉의 단면도

도 6은 본 발명에 의한 일 실시예 제조방법에 의하여 성형되는 반제품 파이프형 전극관의 단면도

도 7은 6도의 반제품 파이프형 전극관의 구성 중 후단부 확대도

도 8은 본 발명의 제조방법에 사용되는 성형칩의 구성도

도 9 내지 도 14는 일 예 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉을 제조하기 위한 본 발명의 제 1실시예 제조방법의 전체 공정도

도 15는 본 발명에 사용되는 성형칩의 모서리 정형을 위한 공정도

도 16은 본 발명의 여러 실시예 제조방법들에 실시되는 1단계 예비 임펙트 공정도

도 17은 본 발명의 여러 실시예 제조방법들에 실시되는 2단계 예비 임펙트 공정도

도 18은 본 발명의 여러 실시예 제조방법들에 실시되는 선단부 정형 공정도

도 19는 본 발명의 제 2실시예 제조방법 중의 1단계 임펙트 공정도

도 20은 본 발명의 제 2실시예 제조방법 중의 2단계 임펙트 공정도

도 21은 본 발명의 제 3실시예 제조방법 중의 3단계 드로잉 공정도

도 22는 본 발명의 제 4실시예 제조방법 중의 1단계 축소 드로잉 공정도

도 23은 본 발명의 제 4실시예 제조방법 중의 2단계 축소 드로잉 공정도

도 24는 본 발명의 제 4실시예 제조방법 중의 3단계 압축 드로잉 공정도

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명)

30:조립식 전원플러그 31,31a:전원플러그 본체 32:전극봉 고정대

33:조립나사 34:전선 35:봉형 전극봉 35a:반구형 선단부

35b:전선연결구 36:나사공 37:고정나사

40:몰드식 전원플러그 41:몰드식 전원플러그 본체

42:몰드식 전극봉 고정부재 45:몰드식 전극봉

45a:몰드식 전극봉 선단부 45b:몰드식 전극봉 전선연결구

45c:몰드식 전극봉 고정통 45d:몰드식 전극봉 고정테

P35:조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉 P35a:반구형 선단부

P35b:전선연결구 P35c:내륜 P35d:나사공 P35e:연결관

D:전극봉의 직경 D1:고정통의 직경 D2:전극봉 연결관의 외경

L:전극봉 직선부 길이 t1:전극봉 중간부재 직선부의 두께

t2:반구형 선단부의 두께 t3:연결관의 두께

P45:몰드식 전원플러그용 파이프형 전극봉 P45a:반구형 선단부

P45b:전선연결구 P45c:고정통 P45d:고정륜

P45e:연결관 La:전극관 직선부 길이 Lx:전극봉(P45) 직선부 길이

PM:반제품 파이프형 전극관 PMa:반구형 선단부 PMb:연결관

PMc:중간부재 Da:파이프형 전극관의 직경 Db:파이프형 전극관의 내경

Dc:연결관의 직경 La:전극관의 직선부 길이 ta:전극관 중간부재의 두께

tb:반구형 선단부의 두께 tc:연결관의 두께

M:성형칩 MD:성형칩의 직경 ML:성형칩의 길이 M1:일 예 성형칩

P35-10:제 1 실시예 1단계 성형칩 세팅도

P35-15:제 1 실시예 1단계 임펙트 공정도

D35-10:제 1실시예 1차 포밍블럭 D35a:제 1실시예 1단계 성형홈

H35-10:제 1 실시예 1단계 펀치 M1-10:1단계 칩성형물 EJ:이젝터

P35-20:제 1 실시예 2단계 성형물 세팅도

P35-25:제 1실시예 2단계 임펙트 공정도 D35b:제 1실시예 2단계 성형홈

H35-20:제 1실시예 2단계 펀치 M1-20:파이프형 2단계 칩성형물

P35-30:제 1실시예 3단계 성형물 세팅도

P35-35:제 1실시예 3단계 임펙트 공정도 D35c:제 1실시예 3단계 성형홈

H35-30:제 1실시예 3단계 펀치 M1-30:파이프형 3단계 칩성형물

P35-40:제 1실시예 4단계 성형물 세팅도

P35-45:제 1실시예 4단계 리듀싱 공정도

D35d:제 1실시예 4단계 리듀싱 성형홈 D35h:단턱륜

D35j:내부 성형홈 H35-40:제 1실시예 4단계 리듀싱 펀치

P35-50:제 1실시예 5단계 성형물 세팅도

P35-55:제 1실시예 5단계 압착 공정도 D35-50:제 1실시예 2차 다이

D35f:지지홈 H35-60:압착 받침봉 H35-65:압착펀치

PM1:반제품 파이프형 전극관 P35-60:제 1실시예 6단계 성형물 세팅도

P35-65:제 1실시예 6단계 피어싱 공정도 D35-60:제 1실시예 3차 다이

D35g:지지홈 H35-60:피어싱 받침봉 H35-65:피어싱펀치

PM2:반제품 파이프형 전극관

P35-5:성형칩 모서리 정형세팅도 P35-5a:성형칩 모서리 정형공정도

D35-5:좌우측 성형칩 정형블럭다이 D35r:정형 성형홈

P35-7:1단계 예비 임펙트 세팅도 P35-7a:1단계 예비 임펙트 공정도

D35s:1단계 예비 성형홈 H35-7:1단계 예비 펀치

M1-10:컵형 1단계 칩성형물 P35-16:2단계 예비 세팅도

P35-17:2단계 예비 임펙트 공정도 H35-17:2단계 예비 펀치

D35t:2단계 예비 성형홈 M1-17:2단계 예비 칩성형물

P35-70:7단계 정형세팅도 P35-75:7단계 정형 공정도

H35-70: 7단계 임펙트 펀치 D35-70:7단계 정형 다이

D35p:7단계 임펙트 성형홈 D35m:반구 성형홈

P35-10a:제 2실시예 1단계 성형칩 세팅도

P35-15a:제 2실시예 1단계 임펙트 공정도

M2:성형칩 M2-10:제 2실시예에 의한 반원추형 1단계 칩성형물

P35-20a:제 2실시예 2단계 성형칩 세팅도

P35-25a:2단계 임펙트 공정도 D35-10a:제 2실시예 포밍블럭

D35a-1:성형홈 H35-10a:제 2실시예 1단계 펀치

M2-20:제 2실시예 반원추형 2단계 칩성형물

P35-20a:제 2실시예 2단계 성형칩 세팅도

P35-25a:2단계 임펙트 공정도 D35b-1:성형홈

H35-20a:제 2실시예 2단계 펀치

M3-20:제 3실시예 파이프형 2단계 칩성형물 G1:가이드편

P35-30b:제 3실시예 3단계 성형칩 세팅도

P35-35b:제 3실시예 3단계 리듀싱 공정도

D35-30c:제 3실시예 3단계 포밍블럭 Dh1:리듀싱 성형홈

H35-30c:제 3실시예 3단계 리듀싱 펀치

M3-30:제 3실시예 파이프형 3단계 칩성형물 G2:가이드편

P45-50:제 4실시예 1단계 축소 드로잉 세팅도

P45-55:제 4실시예 1단계 축소 드로잉 공정도

D45-50:제 4실시예 1단계 축소 드로잉 다이 D45a:고정홈

H45-50:제 4실시예 1단계 축소 드로잉 펀치 R45a:원통형 펀치홈

H45-51:지지봉 PM2:반제품 파이프형 전극관 PM4e:원추관

P45-60:제 4 실시예 2단계 축소 드로잉 세팅도

P45-65:제 4실시예 2단계 축소 드로잉 공정도

D45-60:제 4실시예 2단계 축소 드로잉 다이 D45b:고정홈

H45-60:제 4실시예 2단계 축소 드로잉 펀치 R45b:원통형 펀치홈

H45-61:지지봉 PM3:반제품 파이프형 전극관 P45e:직선상의 단턱

P45-70:제 4 실시예 3단계 압축드로잉 세팅도

P45-75:제 4 실시예 3단계 압축드로잉 공정도

D45-70:제 4실시예 3단계 압축드로잉 다이 D45c:고정홈

D45-75:제 4실시예 3단계 압축드로잉 중간다이 D45d:지지홈

D45e:환형 확장부 H45-70:제 4실시예 3단계 압축드로잉 펀치

R45c:펀치홈 H45-71:지지봉 D45f:환형 확장부

본 발명은 전원플러그용 전극봉의 제조방법에 관한 것으로, 특히 전원플러그 전극봉 중에서 주로 200-250V용 봉형 전극봉의 제작을 단봉(短奉)형태의 성형칩을 재료로 하여 냉간 가공법인 형 드로잉(die drawing)과 리듀싱(reducing) 가공으로 파이프형 전극봉을 제조하는 방법에 관한 것이다.

전원플러그의 종류 중에서 200-250V용의 전원플러그들은 전극봉의 형태가 전원플러그의 제작방법이나 용도에 따라서 여러 종류가 있으나, 가장 상용적인 구성은 조립식과 몰드식이 있다.

도 1~도 2에는 사용자가 전선을 연결하여 사용하는 일 예의 조립식 전원플러그(30)의 구성이 도시되어 있다.

이 구성은 상하 두 쪽으로 분리되어 조립나사(33)로 조립되는 삼각형태의 전원플러그 본체(31)(31a)와, 이 본체(31)(31a)들 사이에 압박상태로 끼워지는 전극봉 고정대(32)와, 이 전극봉 고정대(32)들에 지지되는 2개의 봉형 전극봉(35)들로 구성된다.

상기 2개의 봉형 전극봉(35)들은 원 기둥 형태로서, 반구형(半球形) 선단부 (35a)를 갖는 전방부는 본체(31)(31a)의 전방 측으로 노출되고, 후방부는 고정대 (32)에 지지된 상태에서 전선(34)을 끼워 고정하는 전선연결구(35b)가 일정 깊이 형성되고, 전선연결구(35b)의 측단에 나사공(36)이 형성되어 전선을 눌러 고정하는 고정나사(37)가 설치되는 구성이다.

도 3에는 전선과 전원플러그 몸체가 일체화된 일 예의 몰드식 전원플러그 (40)의 구성이 도시되어 있다.

이 구성은 반구형 선단부(45a)를 갖는 2개의 봉형 전극봉(45)들이 중간 이후부터 직경이 가늘게 형성된 고정통(45c)과 고정테(45d)를 갖고 몰드형 고정부재 (42)에 의하여 일체로 고정되고, 이 몰드형 고정부재(42)는 2개의 봉형 전극봉(45)들 각각의 후단부에 형성된 전선연결구(45b)에 전선(44)이 압착 연결된 상태에서 다시 삼각 형태의 몰드형 전원플러그 본체(41)에 의하여 일체화된 구성이다.

상기 봉형 전극봉(45)은, 반구형 선단부(45a)를 갖는 전방부재와 전선(44)이 압착 연결되는 전선연결구(45b)를 갖는 후방부재로 구성되어, 전방부재의 일부는 몰드형 고정부재(42)로 몰딩하기 위한 구성으로 중간 이후부터 직경이 가늘게 형성된 고정통(45c)과, 이 고정통(45c)의 후측 외주면에 고정테(45d)가 구비된다.

상기와 같은 일반적인 200-250V용 전원플러그들에 사용되는 2종류의 봉형 전극봉(35)(45)들의 구성을 살펴보면, 후단부의 형태는 전선(34)(44)을 끼워 고정하는 전선연결구(35b)(45b)가 형성되는 구성이거나, 고정나사(37)를 조여주는 나사공(36)이 형성되는 등의 형식과 제작방식에 따른 여러 형태를 가지고 있고, 공통적으로 전극봉의 구성에서 선단부(35a)(45a)의 형태가 200-250V용 콘센트의 전원구멍에 용이하게 끼울 수 있도록 반구형 또는 반구형과 유사한 형태로 형성되며 소정 직경과 일정 길이를 갖는 황동재 환봉(黃銅材 還奉)으로 구성되어 있다.

상기한 종래의 200-250V용 봉형 전극봉(35)(45)들을 제조하는 가장 일반적인 방법은, 적정 직경의 황동재 환봉을 재료로 하여, 선반 등의 절삭기계를 이용하여 소정의 전극봉 직경과 전체 길이로 절삭하는 1차 절삭공정과, 이어서 반구형 선단부(35a)(45a)를 절삭하는 2차 절삭공정과, 이어서 후단부에 전선(34)(44)과의 전기적 접속을 위한 소정의 형태의 접속부재를 성형하기 위하여 소정의 전선연결구 (35b)(45b)들을 보오링이나 압착공정으로 성형하거나, 또는 고정나사(37)를 위한 나사공(36)을 측단에 가공하는 등의 3차 공정에 의하여 봉형 전극봉(35)(45)의 전체 형태를 성형한 후에, 제작된 전극봉의 표면에 니켈도금을 하여 최종 완성하는 방법으로 제조된다.

또한 상기 일반적인 제조방법 외에도 내구성과 기능성을 향상시킨 특수 용도의 전극봉을 위한 다른 일 제조방법으로는, 다이캐스팅 금형을 사용하는 다이캐스팅공법과, 형단조 금형을 사용하는 형단조공법이 있다.

상기와 같이 지금까지 제공되어 있는 봉형 전극봉의 여러 제조방법들은 각각의 제조방법별로 장, 단점이 있으나, 특수 용도의 전극봉을 제외한 대부분의 봉형 전극봉은 황동봉을 재료로 하고 수 차례의 절삭공정을 주 공정으로 하는 제조방법에 의하여 제작되고 있다.

그러나 상기 황동봉을 성형재료로 하고 수 차례의 절삭공정을 주 공정으로 하는 종래의 전원플러그용 봉형 전극봉 제조방법은, 절삭에 의한 재료 손실과, 전극봉 전체가 황동재로 되어 재료비가 높으며, 생산속도가 느려서 대량생산성이 미흡하여 전체적으로 볼 때 제조원가가 높은 단점이 있었다.

상기한 황동봉을 성형재료로 하고 수 차례의 절삭공정을 주 공정으로 하는 종래의 봉형 전극봉 제조방법의 단점들을 해결하고자 하는 발명으로서, 본 출원인에 의하여 국내특허출원 제 10-2002-0023913호로 전원플러그용 봉형 전극봉의 제조방법과 금형장치(이하 선 발명이라 함)가 선 출원되어 있다.

상기 선 발명은, 전원플러그용 봉형 전극봉을 제조함에 있어서 황동 파이프를 성형재료로 하여 프레스에 의한 드로잉공법으로, 도 4~도 5에 도시한 바와 같이 반구형 선단부(P35a)(P45a)를 갖고 내부가 빈 파이프형 전극봉(P35)(P45)을 제조할 수 있도록 하여, 재료 손실과 단위 체적당 중량비를 줄여서, 종래의 환봉을 절삭하여 제조되는 봉형 전극봉(35)(45)들에 비하여 재료비를 거의 1/2 정도로 대폭 낮출 수 있도록 함을 특징으로 하고 있다.

그러나 상기 선 발명은 성형 재료인 황동 파이프를 드로잉에 의하여 선단부를 오므려서 원만한 반 구형으로 성형하기 위해서는 적어도 2공정 이상의 드로잉 공정이 소요되고, 또한 완재품으로서의 반구형 선단부(P35a)(P45a)를 표면이 매끈한 형태로 완성하기 위해서는 별도로 압착공정, 스폿 용접공정 및 래핑공정 등의 추가공정이 요구되어서, 전체적으로 제조원가 절감율이 낮은 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 황동 환봉을 주 재료로 하고 수 차례의 절삭공정을 주 공정으로 하는 종래의 전원플러그용 봉형 전극봉 제조방법의 단점들을 제거하면서, 또한 황동 파이프를 성형재료로 하고 프레스 드로잉공법으로 파이프형 전극봉을 제조하는 선 발명의 전원플러그용 파이프형 전극봉 제조방법의 일부 단점들을 해결하고자 제공되는 것으로서, 전원플러그용 봉형 전극봉의 제조에 있어서 주 재 료인 황동의 단가는 단위 중량당 원가가 파이프보다는 환봉이 약 절반인 점을 감안하여, 황동 파이프 대신에 황동 환봉형 성형칩을 재료로 하여 냉간 단조기(cold forging machine: 일명 former) 또는 프레스에 의한 드로잉가공과 리듀싱 (reducing)가공으로 파이프형 전극봉을 제조할 수 있도록 함을 특징으로 하여, 선 발명에 비하여 재료비를 더욱 절감하고 제조공수를 줄여서 제조원가를 보다 낮추며, 생산성을 높이고, 반구형 선단부의 성형을 용이하게 할 수 있는 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법을 제공함에 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전원플러그용 파이프형 전극봉 제조방법은,

임의 규격의 전원플러그용 파이프형 전극봉을 성형하기 위하여 요구되는 적정 체적을 갖는 소정 직경과 길이의 환봉형 성형칩을 성형자재로 하여,

단계별로 드로잉 가공과 리듀싱 가공이 진행되는 수 개의 다이와 펀치와 이젝터들이 일체형으로 설치된 포밍블록을 냉간 단조기 또는 프레스에 장착하여, 드로잉 공정과 리듀싱 공정을 적어도 3 공정 이상으로 실시하여,

상기 환봉형 성형칩을 높이가 낮고 두께가 두터운 컵형에서 점차적으로 길이가 길고 두께가 얇으면서 일 측은 반구형 선단부가 형성되고 타 측은 개방된 일정 길이의 반제품 파이프형 전극관으로 성형하되,
상기 반제품 파이프형 전극관으로 성형되는 소정의 전원플러그용 파이프형 전극봉의 성형 공정에는, 반구형 선단부를 일 측단부로 하고 타 측단부는 개방되면서 외측으로 두꺼워진 직경을 갖는 연결관을 갖는 일정 길이의 직선상 파이프로 성형된 반제품 파이프형 전극관을 성형하고, 상기 반제품 파이프형 전극관의 연결관에 대하여 압착공정으로 내부는 전선을 일정 길이 삽입하여 연결하는 전선연결구를 내륜에 의하여 형성하고, 측단에는 고정나사를 나사 결합하는 나사공을 피어싱 가공으로 가공하여 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉으로 형성함을 특징으로 한다.

상기 본 발명의 구성에는 상기 전원플러그용 파이프형 전극관의 성형공정에 이어서, 상기 성형 된 반제품 파이프형 전극관의 중간부재에 대하여 냉간 단조기 또는 프레스에 의한 압축 드로잉 공정으로 작은 직경의 몰드부재 고정통으로 성형하는 공정을 더 포함하여 구성할 수 있다.

또한 본 발명의 구성에는 상기 전원플러그용 파이프형 전극관의 중간부재 후단부에 작은 직경의 몰드부재 고정통을 형성하는 성형공정에 이어서, 냉간 단조기 또는 프레스에 의한 드로잉 공정으로 몰드부재 고정통의 후단부에 외측으로 돌출되는 환형의 고정륜을 성형하는 공정을 더 포함하여 구성할 수 있다.

상기 본 발명의 성형자재인 환봉 성형칩은, 제작하고자 하는 형식의 봉형 전극봉의 정규격에 상응하는 소정의 단면 직경을 갖는 긴 길이의 롤형 원자재 황동재 환봉을 적정 길이로 절단한 칩형태의 소재가 사용된다.

상기 본 발명의 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법을 실시함에 있어서 바람직하게는, 성형자재인 황동재 환봉 성형칩을 긴 길이의 롤형 원자재 황동 환봉에서 적정 길이로 절단하여 냉간단조기 또는 프레스기에 자동으로 공급하는 공정과, 절단된 황동재 환봉 성형칩에 대하여 양 단면 원주 모서리를 궁글리는 모서리 다듬공정을 부가하여 실시할 수 있다.

상기 본 발명의 전원플러그용 파이프형 전극봉을 완성하기 위한 파이프형 전극관을 제조하는 공정에 있어서 바람직하게는, 상기 일차 성형된 반제품 파이프형 전극관에 대하여, 선단부를 반원구 형태로 정형하는 추가공정을 실시할 수 있다.

이하 본 발명의 전원플러그용 파이프형 전극봉 제조방법을 첨부된 여러 실시예에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 4에는 상술한 종래의 일 예 조립식 전원플러그(30)용의 봉형 전극봉(35) 을 대체하여 사용할 수 있도록 제공하는, 본 발명의 여러 실시예들에 의하여 성형하고자 하는 일 예의 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P35)의 구성이 도시되어 있다.

상기 일 예의 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P35)의 구성은, 종래의 조립식 플러그용 봉형 전극봉(35)과 비교하여, 콘센트 삽입부재로 형성되는 전방부재의 직경(D)은 4.8mm이고 직선부 길이(L)는 약 29.6mm로 동일하며 직선부의 두께(t1)는 약 0.2mm인 파이프형이다.

반구형 선단부(P35a)는 종래의 반구형 선단부(35a)의 구경과 동일한 4.8mm이고 두께(t2)는 약 1.0 ~ 2.2mm 의 규격으로 형성되고, 직선부는 선단부로 가면서 금형에서 요구되는 적정의 빼기 구배를 가진다.

후단부는 내부에 전선(34)을 삽입하여 연결하는 전선연결구(P35b)의 구성으로 개구되고 그 외륜은 약 5mm 정도의 짧은 길이를 갖는 연결관(P35e)으로 형성되어 두께(t3)가 약 0.4~ 0.5mm로 되어 직경(D2)은 약 5.2mm~ 5.4mm로 형성되며, 그 일 측단에 고정나사(37)를 나사 결합하는 나사공(P35d)이 구비되며, 연결관(P35e)의 내측편으로는 일정 깊이로 눌려진 내륜(P35c)이 형성된 구성이다.

도 5에는 상술한 종래의 일 예 몰드식 전원플러그(40)용의 봉형 전극봉(45)을 대체하여 사용할 수 있도록 제공하는, 본 발명의 여러 실시예에 의하여 성형하고자 하는 일 예의 몰드식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P45)의 구성이 도시되어 있다.

상기 일 예의 몰드식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P45)의 구성은, 종래의 몰드식 전원플러그(40)용 봉형 전극봉(45)과 비교하여 외형이 동일하고 전체 길이는 반구형 선단부(P45a)의 반구경과 직선부 길이(Lx)를 합하여 약 32mm로 동일한 파이프형이다.

반구형 선단부(P45a)의 구경은 직선부의 직경(D1)과 동일한 4.8mm이며, 몰드형 고정부재(42)와 일체식으로 몰딩하기 중간부재인 고정통(P45c)은 직경(D1)이 약 2.8mm이고, 후단부는 내부에 전선(34)을 삽입하여 연결하는 전선연결구(P45b)로 개구된 연결관(P45e)으로 형성되고, 그 내측에는 고정테(45d)에 대응하는 구성으로 고정륜(P45d)이 형성된 구성이다.

반구형 선단부(P45a)의 두께(t2)는 약 1.0 ~ 2.2mm이고, 직선부 및 고정통(P45c)의 두께(t1)는 약 0.2mm로 전술한 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P35)과 동일하다.

도 6, 도 7에는 이하에서 설명되는 본 발명의 여러 실시예들의 제조공정에 의하여 성형되는 반제품 파이프형 전극관(PM)이 구성이 도시되어 있다.

상기 반제품 파이프형 전극관(PM)의 구성에서, 부호 PMa는 반구형 선단부를 표시하며, 부호 PMb는 후단부의 연결관을 표시하며, 부호 PMc는 직선부인 중간부재, 부호 Da는 선단부를 포함한 전극관의 전방부 외경을 표시하고, 부호 Db는 전극관의 내경을 표시하며, 부호 Dc는 전극관 후단부에 형성되는 연결관(PMb)의 외경을 표시하며, 부호 La는 반구형 선단부(PMa)의 반 구부를 제외한 전극관의 직선부 중간부재(PMc)길이를 표시하며, 부호 ta는 원 기둥 중간부재(PMc)의 두께를 표시하고, 부호 tb는 반구형 선단부(PMa)의 두께, 부호 tc는 연결관(PMb)의 두께를 표시 한다.

이 반제품 파이프형 전극관(PM)의 구성은 상술한 일 예의 파이프형 전극봉(P35)(P45)들을 성형하기 위한 중간부재로서 사용되는 구성이면서, 플러그용 전극봉으로 후단부의 전선연결구 또는 몰드고정부재가 필요하지 않는 전극봉에는 완성품으로도 바로 사용되는 구성이다.

이후에서 설명되는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 여러 실시예들에서 직선부의 형태는 선단부로 가면서 금형에서 요구되는 적정의 빼기 구배를 갖고 형성된다.

도 8에는 본 발명의 여러 실시예 제조방법들에 의하여 상기 파이프형 전극봉(P35)(P45)들을 제조할 때 사용되는 성형자재인 황동봉재 성형칩(M)의 구성이 도시되어 있다. 부호 MD는 성형칩의 직경을 표시하고, 부호 ML은 성형칩의 길이를 표시한다.

도 9 내지 도 14에는 상기 일 예의 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P35)을 제조하기 위한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 공정도가 도시되어 있다.

상기 본 발명의 제 1 실시예 파이프형 전극봉 제조방법은, 상기 일 예의 파이프형 전극봉(P35)을 제조하기 위한 도 6과 같은 소정 규격의 반제품 파이프형 전극관(PM)의 직경(Da)과 동일하거나 보다 큰 직경을 가지면서, 상기 반제품 파이프형 전극관(PM)의 재료 체적에 대응하는 적정 길이의 일 예 황동재 성형칩(M1)을 성형소재로 사용한다.

성형하고자 하는 일 예의 반제품 파이프형 전극관(PM)을, 중간부재(PMc)의 직경(Da)은 4.8mm로 하고 두께(ta)는 0.2mm로 하며 길이(La)는 약 29.6mm 내외로, 후단부 연결관(PMb)은 두께(tc)를 약 0.4mm하여 직경을 5.2mm로 하고 길이는 5mmm로 하며, 반구형 선단부(PMa)의 두께(tb)를 약 2.0mm의 규격으로 형성하고자 할 경우에는 그 재료 체적은 약 134mm3 이므로,

일 예 성형칩(M1)의 규격은, 직경(MD)을 약 5.2mm로 형성하면서, 체적은 상기 파이프형 전극봉(P35)의 재료 체적에 대응하는 약 134mm3로 형성되게 길이(ML)를 약 6.3 mm의 규격을 사용한다.

상기 규격의 일 예 성형칩(M1)은 일명 포머(former)로 지칭되는 냉간 단조기에 장착된 냉간 가공용 횡열 연타식 또는 종열 연타식의 포밍블록(수 개의 단계적인 펀치가 하나의 몸체에 연타식으로 설치된 펀치블록과, 수 개의 단계적인 다이가 하나의 몸체에 연타식으로 설치된 다이블록으로 구성된 냉간 단조블럭 세트류)에 자동으로 공급시켜서, 행거(hanger)와 같은 트랜스퍼(transfer)에 의하여 단계적으로 수 개의 연타식 다이와 펀치 사치에 이동 세팅시키면서, 다음과 같은 단계적이고 연속적인 일련의 임펙트 공정 또는 드로잉 공정들 및 리듀싱 공정들에 의하여 일 예의 반제품 파이프형 전극관(PM)으로 성형한다.

상기 규격의 일 예 성형칩(M1)은 도 9의 1단계 성형칩 세팅도(P35-10)와 같이, 포머에서 성형칩 행거(미 도시)를 사용하여 1실시예 1차 포밍블럭(D35-10)의 1단계 펀치(H35-10)와 1단계 성형홈(D35a)사이에 안착시켜 세팅한다.

상기 1단계 성형홈(D35a)은 상기 직경 5.2mm의 일 예 성형칩(M1)이 길이방향으로 삽입될 수 있는 적정의 삽입 틈새를 갖는 소정 직경과 일정 길이의 원통형으 로 형성되고,

상기 1단계 펀치(H35-10)는 직경 약 3.4mm 내외의 규격과 상기 1단계 성형홈(D35a)의 길이보다 일정 길이 긴 규격의 원통봉으로 구성되어, 상기 1단계 성형홈 (D35a)의 중간 깊이까지 임펙트되는 행정으로 세팅된다.

상기한 1단계 성형홈(D35a)과 펀치(H35-10)에 의하여 도 9의 1단계 임펙트 공정도(P35-15)와 같이 일 예 성형칩(M1)을 1단계 임펙트 가공하면, 외경 5.2mm이고 높이는 6.3mm 보다 높아진 컵형의 1단계 칩성형물(M1-10)이 성형된다.

상기 공정으로 성형된 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)은 1단계 성형홈(D35a)의 후단에 구비되는 이젝터(EJ)에 의하여 성형홈(D35a)의 외측으로 배출되고, 배출되는 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)은 성형칩 행거(미 도시)에 의하여, 도 10의 2단계 성형물 세팅도(P35-20)와 같이 2단계 성형홈(D35b)과 2단계 펀치(H35-20)의 사이에 안착 세팅된다.

상기 2단계 성형홈(D35b)은 길이만 1단계 성형홈(D35a)의 길이보다 길고 직경은 동일하며, 2단계 펀치(H35-20)는 길이가 1단계 펀치(H35-10)의 길이보다 일정 길이 길고 직경은 약 3.6mm 내외로 커진 규격을 갖는 원통봉이며, 2단계 성형홈 (D35a)의 2/3 깊이까지 임펙트되는 행정으로 세팅된다.

상기 구성의 2단계 성형홈(D35b)에 세팅된 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)을 도 10의 2단계 임펙트 공정도(P35-25)와 같이 2단계 임펙트 가공하면, 외경은 5.2mm이면서 길이는 일정 규격 길어지고 두께는 약 0.8mm로 보다 얇아진 파이프형 2단계 칩성형물(M1-20)이 성형된다.

상기 공정으로 성형된 파이프형 2단계 칩성형물(M1-20)은 2단계 성형홈(D35b)의 후단에 구비되는 이젝터(EJ)에 의하여 성형홈의 외측으로 배출되고, 배출되는 파이프형 2단계 칩성형물(M1-20)은 성형칩 행거(미 도시)에 의하여 도 11의 3단계 성형물 세팅도(P35-30)와 같이 3단계 성형홈(D35c)과 3단계 펀치(H35-30)의 사이에서 안착 세팅된다.

상기 3단계 성형홈(D35c)은 길이가 2단계 성형홈(D35b)의 길이보다 길고 직경은 동일하며, 성형홈의 내측단부는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 반구형 선단부(PMa)의 구경에 거의 동일한 반구형으로 형성되며,

상기 3단계 펀치(H35-30)는 길이가 2단계 펀치(H35-20)의 길이보다 일정 길이 길고 직경은 약 4.4mm 까지 커진 규격이며, 끝단부의 형태는 적정의 타원형 또는 반구형으로 구성되고, 3단계 성형홈 (D35a)의 내측단부에 약 2mm 까지 접근하는 깊이까지 임펙트되는 행정으로 세팅된다.

상기 구성의 3단계 성형홈(D35c)에 세팅된 파이프형 2단계 칩성형물(M1-20)을 도 11의 3단계 임펙트 공정도(P35-35)와 같이 3단계 임펙트 가공하면, 2단계 칩성형물(M1-20)에 비하여 외경은 동일한 5.2mm이면서 두께는 약 0.4mm로 보다 얇아지며, 길이는 반제품 파이프형 전극관(PM) 길이의 약 절반정도 까지 길어진 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)이 성형된다.

상기 공정으로 성형된 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)은 3단계 성형홈(D35c)의 후단에 구비되는 이젝터(EJ)에 의하여 성형홈의 외측으로 배출되고, 배출되는 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)은 성형칩 행거(미 도시)에 의하여 도 12의 4단계 성형물 세팅도(P35-40)와 같이 4단계 리듀싱 성형홈(D35d)과 4단계 리듀싱 펀치(H35-40)의 사이에 안착 세팅된다.

상기 4단계 리듀싱 성형홈(D35d)의 규격은, 입구의 형태가 성형하고자 하는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 후단부에 형성한 연결관(PMb)의 형태와 동일하고, 직경도 5.2mm로 동일하면서, 그 내측으로는 성형하고자 하는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 중간부재(PMc)의 외경과 동일한 4.8mm의 내경을 갖는 단턱륜(D35h)이 구비되며,

상기 단턱륜(D35h)의 내측으로는 다시 내경이 5.2mm의 원통형으로 형성되고 끝단부가 거의 반구형 형태로 형성된 내부 성형홈(D35j)을 구비한 구성이다.

상기 4단계 리듀싱 펀치(H35-40)는 외경이 4.4mm이고, 길이는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 길이보다 다소 긴 구성으로 형성되면서, 상기 4단계 리듀싱 성형홈(D35d) 내부에서의 작동행정 길이가 반제품 파이프형 전극관(PM)의 전체길이에서 반구형 선단부(PMa)의 두께인 약 2mm를 제외한 길이에 상응하게 형성되는 구성으로 형성된다.

상기 구성의 4단계 성형 위치에 세팅된 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)을 도 12의 4단계 리듀싱 공정도(P35-45)와 같이 4단계 리듀싱 공정으로 가공하면,

4단계 성형홈(D35d)의 선단에 일부가 삽입되어 있는 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)의 내부로 직경 4.4mm의 4단계 리듀싱 펀치(H35-40)가 끼워지면서, 내경이 4.8mm인 단턱륜(D35h)을 기점으로 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)을 후방인 내부 성형홈(D35j)측으로 밀어 넣어서, 관경을 단턱륜(D35h)의 내경으로 줄이면서 길 이는 늘리는 리듀싱 가공이 수행된다.

상기한 리듀싱 가공 공정에 의하면, 선단부(PMa)는 내부 성형홈(D35j)의 끝단부 형태인 거의 반구형으로 형성되고, 직선부 중간부재(PMc)의 직경(Da)은 4.8mm이면서 두께(ta)는 약 0.2mm로 얇게 형성하며, 반구형 선단부(PMa)의 두께(tb)는 약 2.0mm이며, 후단부는 두께(tc)가 0.4mm로 이고 직경(Dc)은 5.2mm이며 길이는 5mmm인 후단부 연결관(PMb)을 형성하여 소정의 반제품 파이프형 전극관(PM)을 성형하게 된다.

상기와 같은 리듀싱 가공공정이 완료되면, 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM)은 4단계 내부 성형홈(D35j)의 후단에 구비되는 이젝터(EJ)에 의하여 지지홈(D35f)의 외측으로 배출된다.

상기와 같은 일련의 공정으로 성형된 일 예의 반제품 파이프형 전극관(PM)은 성형물 행거(미 도시)에 의하여, 도 13의 5단계 성형물 세팅도(P35-50)와 같이, 개방부 측이 일부 노출되게 몸체부를 제 1실시예 2차 다이(D35-50)의 지지홈(D35f)에 안착시킨 상태에서, 노출된 개방부의 일정 길이는 내주면에 밀착하는 압착 받침봉(H35-50)으로 받쳐지게 세팅된다.

상기 2차 다이(D35-50)의 지지홈(D35f)은 반제품 파이프형 전극관(PM)의 후단부에 압착펀치(H35-55)가 내륜(P35c)을 압착 가공하는 행정에 간섭되지 않는 길이로 형성되고, 압착 받침봉(H35-50)도 압착펀치(H35-55)의 압착가공에서 압착날의 작동행정에 간섭되지 않는 적정의 위치까지 이동제어되는 구성이다.

상기 구성의 2차 다이(D35-50)와 압착 받침봉(H35-50)에 세팅된 반제품 파이 프형 전극관(PM)을 도 13의 5단계 압착 공정도(P35-55)와 같이,

압착펀치(H35-55)를 작동 제어하여 내륜(P35c)을 압착 가공하면, 반제품 파이프형 전극관(PM)의 후단부 연결관(PMb)의 내부는 내륜(P35c)의 후방으로 전선(34)을 끼워 연결하는 전선 연결구(P35b)가 형성된 반제품 파이프형 전극관(PM1)으로 성형된다.

상기 공정으로 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM1)은 지지홈(D35f)의 후단에 구비되는 이젝터(EJ)에 의하여 지지홈(D35f)의 외측으로 배출되고, 배출되는 반제품 파이프형 전극관(PM1)은 성형물 행거(미 도시)에 의하여 도 14의 6단계 성형물 세팅도(P35-60)와 같이, 전선 연결구(P35b)를 노출시킨 상태로 몸체부를 3차 다이(D35-60)의 지지홈(D35g)에 안착시킨 상태에서, 노출된 연결관(PMb)은 내부 전선 연결구(P35b)의 내주면에 밀착하는 피어싱(piercing) 받침봉(H35-60)으로 받쳐지게 세팅된다.

상기 6단계 피어싱 받침봉(H35-60)은 나사공(P35d)을 가공하는 피어싱펀치 (H35-65)의 펀치날 작동행정에 간섭되지 않으면서 연결관(PMb)을 받쳐주는 적정의 형태를 구비하면서, 나사공(P35d)의 가공 후에는 나사공(P35d)의 하단에 간섭되지 않고 전선연결구(P35b)로부터 외측으로 빠져 나오는 수단, 예를 들면 상하 2쪽으로 분리된 구성을 구비하여 이동제어되는 구성이다.

상기 구성의 3차 다이(D35-60)와 피어싱 받침봉(H35-60)에 세팅된 반제품 파이프형 전극관(PM1)의 후단부에 대하여 도 14의 6단계 피어싱 공정도(P35-65)와 같이, 피어싱펀치(H35-65)를 하강 작동제어하여 드로잉 가공하면 나사공(P35d)용의 구멍이 형성된 반제품 파이프형 전극관(PM2)이 성형되므로, 피어싱펀치(H35-65)를 상승시키고 피어싱 받침봉(H35-60)을 하부쪽에 이어서 상부쪽을 연차적으로 빼낸 후에, 지지홈(D35g)의 후단에 구비되는 이젝터(EJ)에 의하여 나사공(P35d)용 구멍이 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM2)을 지지홈(D35g)의 외측으로 배출시킨다.

이어서 나사공(P35d)용 구멍이 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM2)을 다른 가공 다이에 이송하여, 후 가공으로 나사공(P35d)용 구멍의 내부에 나사산을 탭가공하면 나사공(P35d)으로 형성되어 소정의 일 예 파이프형 전극봉(P35)으로 완성된다.

상기와 같은 본 발명의 제 1실시예 구성을 실시함에 있어서, 일 예 파이프형 전극봉(P35)의 구성 중에서 내륜(P35c)이 요구되지 않는 경우에는, 도 13의 5단계 성형물 세팅도(P35-50)와 그에 따른 도 13의 5단계 압착 공정도(P35-55)를 생략하여 실시할 수도 있다.

상기한 일 예 파이프형 전극봉(P35)을 제조하기 위한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법을 실시함에 있어서 바람직하게는 성형물의 치수 안정성과 생산성과 금형 안정성과 수명을 높이면서 불량률 저하를 위한 임의의 공정을 부가하여 실시할 수 있다.

예를 들어, 상기 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 공정 중에는, 도 9의 1단계 성형칩 세팅도(P35-10)에 의한 성형칩 세팅공정 이전 단계에,

도 15에 도시한 성형칩 모서리 정형세팅도(P35-5)와 성형칩 모서리 정형공정도(P35-5a)같이, 롤형 원자재 황동봉에서 소정의 규격으로 절단된 성형칩(M1)의 양 단부 원주상 모서리에 대하여, 모서리부가 일절 원호 또는 경사면으로 모따기 된 정형 성형홈(D35r)을 갖는 좌우측 성형칩 정형블럭다이(D35-5)에 의하여 적정의 원호면으로 궁글리는 성형칩 모서리 정형공정을 추가하여 실시할 수 있다.

일반적으로 롤형 원자재 황동봉에서 소정의 길이로 성형칩(M1)을 절단하는 경우에는, 절단금형이 정밀하여도 절단되는 성형칩(M1)의 절단면이 절단방향으로 얼마 간의 일그러짐이 발생하는 바, 이러한 절단면 일그러짐이 발생한 성형칩(M1)은 정밀한 직경의 1실시예 1차 포밍블럭(D35-10)의 1단계 성형홈(D35a)에 안착시킬 때 간섭이 일어나 세팅불량이 발생하고, 강제로 세팅되면 일그러짐부가 1단계 성형홈(D35a) 선단부 에지에 의해 깍이면서 절삭칩으로 형성되어 임펙트 공정에서 성형불량을 일으킨다.

따라서 상기한 성형칩 모서리 정형공정의 추가에 의하면, 도 9의 1단계 성형칩 세팅도(P35-10)와 같이 성형칩 행거에 의하여 성형칩(M1)을 1단계 성형홈(D35a)에 안착시키는 세팅공정의 안정성을 확실히 확보 할 수 있으면서, 동시에 임펙트 공정의 성형불량률을 방지할 수 있게된다.

또한 상기 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 공정 중에는, 도 9의 1단계 임펙트 공정도(P35-15)에 의한 1차 임펙트 공정 이전 단계에,

도 16에 도시한 1단계 예비 임펙트 세팅도(P35-7)와 1단계 예비 임펙트 공정도(P35-7a)와 같이, 제 1실시예 1차 포밍블럭(D35-10)의 1단계 성형홈(D35a)의 이전 위치에 성형칩(M1)을 수용하는 1단계 예비 성형홈(D35s)을 설치하고, 이 1단계 예비 성형홈(D35s)에 대응하는 펀치의 구성은 작은 구경의 반구형 선단부를 갖는 1 단계 예비 펀치(H35-7)를 설치하여, 성형칩(M1)의 선단부를 작은 구경의 반구형으로 예비 임펙트 가공하는 예비 임펙트 공정을 추가하여 실시할 수 있다.

상기한 1단계 예비 임펙트 공정을 추가하여 실시하게되면, 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)을 성형하는 공정에 사용되는 1단계 펀치(H35-10)가 비교적 가늘게 형성되어 있어서, 임펙트 작동 중에 예상될 수 있는 휘어짐이나 파손 등을 원천적으로 방지하여 1단계 펀치(H35-10)의 수명을 연장시키고, 불량 성형을 방지할 수 있게된다.

또한 상기 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 공정 중에는, 도 10의 2단계 임펙트 공정도(P35-25)에 의한 2차 임펙트 공정 이전 단계에,

도 17에 도시한 2단계 예비 세팅도(P35-16)와 2단계 예비 임펙트 공정도(P35-17)와 같이, 1실시예 1차 포밍블럭(D35-10)의 2단계 성형홈(D35b)의 이전 위치에 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)을 수용하는 2단계 예비 성형홈(D35t)을 설치하고, 이 2단계 예비 성형홈(D35t)에 대응하는 펀치의 구성은 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)의 내주면 직경과 동일한 외경과 이 외경의 절반에 상응하는 작은 외경의 2단형 펀치봉이 형성된 2단계 예비 펀치(H35-17)를 설치하여, 2단계 예비 성형홈(D35t)에 안착 세팅된 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)의 내단면 중앙부에 대하여, 작은 직경으로 일정 깊이 임펙트 가공하는 2단계 예비 임펙트 공정을 추가하여 2단계 예비 칩성형물(M1-17)을 성형할 수 있다.

상기한 2단계 예비 임펙트 공정을 추가하여 실시하게되면, 컵형 1단계 칩성형물(M1-10)을 길이는 길게 늘여주고 두께는 얇게 성형하는 2단계 임펙트 공정을 보다 적은 펀치력으로 원만하게 실시할 수 있게되고, 아울러 2단계 펀치(H35-20)의 수명 연장과 파이프형 2단계 칩성형물((M1-20)의 성형 불량률을 낮출 수 있다.

상기 설명한 일 예 파이프형 전극봉(P35)을 제조하기 위한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법에 사용되는 임펙트 또는 드로잉 가공용의 제반 다이의 성형홈 및 지지홈들과 펀치들은 해당 공정에서 성형되는 칩성형물 또는 반제품 파이프형 전극관(PM1)(PM2)들이 용이하게 세팅되고 빠질 수 있는 적정의 빼기 구배를 갖고 형성된다.

또한 상기 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 공정 중에는,

도 12의 4단계 리듀싱 공정도(P35-45)와 같이 4단계 리듀싱 공정으로 완성된 반제품 파이프형 전극관(PM)에 대하여, 반구형 선단부(PMa)의 반구형태를 정규격의 반구형으로 정형하기 위한 공정으로서, 도 18과 같은 7단계 정형세팅도(P35-70)에 의한 7단계 정형공정(P36-75)을 추가적으로 실시할 수 있다.

상술한 1실시예의 4단계 리듀싱 공정도(P35-45)와 같은 4단계 리듀싱 공정은 3단계 임펙트공정으로 성형된 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)에 대하여 길이를 늘리고 두께를 줄이는 리듀싱 가공 공정이다.

따라서 4단계 리듀싱 성형홈(D35d)의 내측에 형성된 내부성형홈(D35j)의 끝단부를 거의 반구형 형태로 형성하여도, 리듀싱 가공이 임펙트 또는 드로잉 가공에 비하여 단면상의 형태 가공에 적합하지 않은 특성상, 4단계 리듀싱 가공에 의하여 성형되는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 반구형 선단부(PMa)의 반구형태를 정규격의 반구형으로 성형하기 어려운 측면도 있다.

따라서 바람직하게는 도 12의 4단계 리듀싱 세팅도(P35-40)과 리듀싱 공정도(P35-45)에 의한 4단계 리듀싱 공정에서는 파이프형 3단계 칩성형물(M1-30)에 대하여 길이를 늘리고 두께를 줄이는 리듀싱 가공으로 한정하고, 반구형 선단부(PMa)의 가공은 별도로 실시하는 것이 효과적이다.

도 18의 7단계 정형세팅도(P35-70)에 설치되는 7단계 임펙트 펀치(H35-70)의 구성은 상기 4단계 리듀싱 펀치(H35-40)의 구성과 동일 규격을 사용하고,

별도의 7단계 정형 다이(D35-70) 또는 1단계 포밍블럭(D35-10)에 7단계 임펙트 성형홈(D35p)을 구비하되, 내측 끝단부의 형태가 거의 반구형 형태로 형성된 4단계 내부 성형홈(D35j)에 비하여 반제품 파이프형 전극관(PM)의 반구형 선단부(PMa)와 동일한 반구 성형홈(D35m)을 끝단부에 구비하며, 나머지 형태는 성형하고자하는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 외형태와 동일한 규격으로 형성된다.

상기와 같은 구성의 7단계 정형세팅도(P35-70)에 의하여 7단계 정형공정도 (P35-75)와 같이 선단부(PMa)의 정형공정을 추가로 실시하면, 4단계 리듀싱 세팅도(P35_40)에서 거의 반구형으로 형성되는 4단계 내부 성형홈(D35j)의 끝단부를 리듀싱 성형행정에 간섭되지 않게 간격을 두고 형성하는 구성으로 실시하여서, 리듀싱 가공된 성형물의 선단부가 도 6에 도시한 일 예의 반제품 파이프형 전극관(PM)의 선단부(PMa)와 같은 정규격 반구형으로 성형되지 않더라도, 이를 반구 성형홈(D35m)에 임펙트하는 정형 공정에 의하여 정규격의 반구형 선단부(PMa)로 정형할 수 있는 것이다.

상술한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법들은 상기 일 예의 파이프형 전극봉(P35)을 제조하기 위한 기본적인 제조방법을 제시한 것으로서, 바람직하게는 생산성 또는 제품의 품질 제고를 위하여 일부 공정을 다른 구성으로 대체 변경하거나 새로운 공정을 추가하여 구성할 수 있다.

도 19 내지 도 20에는 상기 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법을 응용하여 일부 공정만을 다른 구성으로 변경 실시하여, 본 발명의 제 2실시예 파이프형 전극봉 제조방법을 구성하고자 제공되는 요부 구성이 도시되어 있다.

본 발명의 제 2실시예 파이프형 전극봉 제조방법은 성형자재를 제 1 실시예의 황동 성형칩(M1)과 동일한 제 2 실시예 황동 성형칩(M2)을 사용하는 점과, 제 3단계 이후의 제반 공정을 구비하는 점에서는 상술한 제 1실시예와 동일하다.

다른 점은 상술한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 전체 공정 중에서, 도 9의 1단계 성형칩 세팅도(P35-10)에 의한 1단계 임펙트 공정도 (P35-15)로 실시되는 1단계 임펙트 공정과, 도 10의 2단계 성형칩 세팅도(P35-20)에 의한 2단계 임펙트 공정도(P35-25)로 실시되는 2단계 임펙트 공정을 다른 수단으로 변경 실시하여, 제 1,2단계 임펙트 가공의 용이성과 금형 안정성, 수명연장을 보다 확실히 확보하고, 성형불량을 보다 줄일 수 있도록 함에 있다.

상기 본 발명의 제 2실시예 파이프형 전극봉 제조방법에서 1단계 임펙트 공정은 도 19에 도시한 다른 실시예 1단계 성형칩 세팅도(P35-10a)에 의한 1단계 임펙트 공정도(P35-15a)와 같이 실시되어, 1단계 칩성형물의 형태를 상술한 일 예 성형칩(M1)과 동일한 규격의 일 예 성형칩(M2)을 사용하면서도, 다른 실시예 반원추형 1단계 칩성형물(M2-10)을 성형함에 특징이 있다.

따라서 상기 반원추형 1단계 칩성형물(M2-10)을 성형하는 제 2실시예 포밍블록(D35-10a)의 1단계 성형홈(D35a-1)은, 내측단이 성형칩(M2)의 직경과 동일한 직경 5.2mm로 형성하고, 개방부 직경은 반원추형 1단계 칩성형물(M2-10)의 형태에 맞추어 상기 내측단의 직경인 5.2mm보다 크게 형성하는 구성으로 실시된다.

또한 제 2실시예 1단계 임펙트 공정에 사용되는 제 2실시예 1단계 펀치(H35-10a)의 형태도 끝단이 작은 직경으로 되고 후단이 큰 직경으로 되어 소정의 반원추형 1단계 칩성형물(M2-10)을 성형할 수 있는 반 원추형으로 형성된다.

또한 도 20과 같이 상기 제 2실시예 1단계 임펙트 공정에 연이어서 실시되는 제 2실시예 2단계 성형칩 세팅도(P35-20a)와 2단계 임펙트 공정도(P35-25a)에 의하여 성형되는 제 2실시예 2단계 칩성형물의 형태도, 내측단은 성형칩(M2)의 직경과 동일한 직경 5.2mm로 형성되고, 개방부는 상기 반원추형 1단계 칩성형물(M2-10)의 개방부 직경보다 다소 오므려진 규격으로 반원추형 2단계 칩성형물(M2-20)이 성형되도록, 제 2실시예 2단계 성형홈(D35b-1)과 2단계 펀치(H35-20a)의 형태도 상기 반원추형 2단계 칩성형물(M2-20)를 성형할 수 있는 반 원추형으로 형성한다.

상기한 바와 같이 본 발명의 제 2실시예 파이프형 전극봉 제조방법은, 전술한 본 발명의 제 1 실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 전체 공정 중에서 1단계 임펙트 공정과 2단계 임펙트 공정을, 제 2실시예 1단계 성형칩 세팅도(P35-10a)와 1단계 임펙트 공정도(P35-15a)로 대체 실시하여 제 2실시예 반원추형 1단계 칩성형물(M2-10)을 성형하며,

이어서 성형된 반원추형 1단계 칩성형물(M2-10)을 제 2실시예 2단계 성형칩 세팅도(P35-20a)와 2단계 임펙트 공정도(P35-25a)에 의하여 개방부가 벌어진 반원추형 2단계 칩성형물(M2-20)을 성형함으로서, 전술한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법에 비하여, 제 1,2 단계의 임펙트 가공 용이성과 금형 안정성, 수명연장을 확보하고, 성형불량을 줄일 수 있는 특징을 갖는다.

도 21에는 상술한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 일부 공정을 다른 구성으로 변경하여, 상기 일 예의 파이프형 전극봉(P35)을 제조하기 위한 또 다른 실시예인 제 3실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 요부 구성이 도시되어 있다.

본 발명의 제 3실시예 파이프형 전극봉 제조방법은 성형자재를 황동 성형칩(M)을 사용하는 점과, 상술한 제 1,2실시예들에 실시되는 제 1,2단계 임펙트 공정들 및 제 4단계 이후의 제반 공정을 동일하게 실시하는 점에서는 동일하다.

다른 점은 상술한 본 발명의 제 1실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 전체 공정 중에서, 도 11의 3단계 성형칩 세팅도(P35-30)에 의한 3단계 임펙트 공정도(P35-35)로 실시되는 3단계 임펙트 공정으로 일정 길이의 파이프형 3단계 전극관(M1-30)을 성형하는 공정을 제 3실시예 3단계 리듀싱 공정으로 대체 실시하여서,

일정 길이의 파이프형 3단계 전극관(M1-30)과 동일한 파이프형 3단계 전극관(M3-30)을 성형함에 특징이 있는 것이다.

도 21에 도시된 본 발명의 제 3실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 주요 구성인 제 3실시예 3단계 성형칩 세팅도(P35-30b)와 3단계 리듀싱 공정도(P35-35b)에 사용되는 제 3실시예 3단계 다이(D35-30c)는, 리듀싱 성형홈(Dh1)의 직경을 성형하고자 하는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 연결관(P35e) 직경(D2)과 동일하게 형성되고, 제 3실시예 3단계 리듀싱 펀치(H35-30c)는 직경을 제 1실시예 3단계 임펙트 펀치(H35-30)의 직경과 동일하게 형성하되 길이는 2배 정도로 길게 형성된다.

상기한 제 3실시예 다이와 펀치들에 의한 본 발명의 제 3실시예 3단계 리듀싱 공정은, 상기한 구성의 제 3실시예 3차 다이(D35-30c)에서 리듀싱 성형홈(Dh1)의 선단과 제 3실시예 3단계 리듀싱 펀치(H35-30c) 사이에 가이드편(G1)으로 전술한 다른 실시예들에 의하여 일차 성형된 제 3실시예 파이프형 2단계 칩성형물(M3-20)을 위치 정열한 상태에서,

제 3실시예 파이프형 2단계 칩성형물(M3-20)의 개방부 측으로 제 3실시예 3단계 리듀싱 펀치(H35-30c)를 펀칭하여, 제 3실시예 파이프형 2단계 칩성형물(M3-20)을 제 3실시예 3단계 리듀싱 성형홈(Dh1)을 강제적으로 관통시키는 리듀싱 가공 공정에 의하여, 직경은 축소되고 길이는 길어지면서 두께는 더 얇아진 제 3실시예 파이프형 3단계 칩성형물(M3-20)을 성형하는 것이다.

상기한 구성으로 성형된 제 3실시예 파이프형 3단계 칩성형물(M3-30)은 도 12에 도시된 제 1실시예 4단계 성형칩 세팅도(P35-40)와 4단계 리듀싱 공정도(P35-45)에 의한 4단계 리듀싱 공정에 투입되어 일 예 반제품 파이프형 전극관(PM)을 성형할 수 있게 된다.

지금까지 설명된 본 발명의 제 1,2,3실시예 파이프형 전극봉 제조방법들은 도 1,2에 도시한 조립식 전원플러그(30)의 봉형 전극봉(35)에 대체되는, 도 4에 도 시한 조립식용 일 예의 파이프형 전극봉(P35)을 제조하는 방법에 관한 것이나,

이들 제 1,2,3실시예 파이프형 전극봉 제조방법들은 도 3에 도시한 몰드식 전원플러그(40)의 전극봉으로 사용되는 도 5에 도시한 파이프형 전극봉(P45) 및 기타 어댑터용 전원플러그을 위한 전극봉의 제조방법으로서 일부 공정과 금형장치들을 변경하여 응용 실시할 수 있는 것이다.

도 22 내지 도 24에는 도 3에 도시한 일 예 몰드식 전원플러그(40)의 전극봉(45)으로 사용되는 구성인, 도 5에 도시한 일 예 파이프형 전극봉(P45)을 제조하는 본 발명의 제 4실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 주요 구성이 도시되어 있다.

상기 도 5에 도시한 일 예 파이프형 전극봉(P45)의 형태는, 전체 형태가 파이프형이면서 선단부(P45a)의 반구부와 직선부 일부의 규격이 전술한 파이프형 전극봉(P35)과 동일하여, 도 6에 도시한 반제품 파이프형 전극관(PM)을 기본 부재로 사용할 수 있으나,

후단부에 형성된 전선연결구(P45b) 및, 몰드형 고정부재(42)와 일체식으로 몰딩하기 위한 고정통(P45c)의 구성은, 도 6에 도시한 반제품 파이프형 전극관(PM)의 직경(Da)보다 작은 직경의 원통관으로 형성되어 있어서, 이들 형태를 가공하기 위한 별도의 공정이 요구되고, 고정륜(P45d)의 구성도 후 가공이 요구된다.

따라서 본 발명의 제 4실시예 파이프형 전극봉 제조방법은, 성형자재를 황동 성형칩(M)을 사용하는 점과, 전술한 본 발명의 제 1실시예에 실시되는 제 1~ 4단계 임펙트 공정들과 리듀싱 공정에 의하여 반제품 파이프형 전극관(PM)을 성형하는 공 정은 동일하게 구비된다.

다른 점은 제 1실시예에서 제 4단계 공정 이후에 반제품 파이프형 전극관(PM)의 후단부에 대하여 실시되는 후가공 공정들 대신에, 반제품 파이프형 전극관(PM)에서 반구형 선단부(PMa)와 일부 직선부를 제외한 나머지 후단 직선부를 작은 직경의 원통형으로 축소시켜 고정통(P45c)으로 형성하는 축소 드로잉 공정을 실시하고, 이어서 고정통(P45c)의 후단 일 측에 고정륜(P45d)을 형성하는 압축드로잉 공정으로 일 예의 파이프형 전극봉(P45)을 완성하는 방법으로 형성된다.

상기 본 발명의 제 4실시예 파이프형 전극봉 제조방법을 구성하는 주요공정을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

도 22에는 본 발명의 제 4실시예 파이프형 전극봉 제조방법의 구성 중에서, 전술한 본 발명의 제 1실시예에 실시되는 제 1~ 4단계 임펙트 공정들 및 리듀싱 공정들과 동일하게 실시되는 공정들에 의하여 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM)에 대하여, 반구형 선단부(PMa)와 직선부 일부를 제외한 나머지 후단부를 작은 직경의 원통형 고정통(P45c)으로 형성하는 1단계 축소 드로잉 공정을 위한 제 4실시예 1단계 축소 드로잉 세팅도(P45-50)와 1단계 축소 드로잉 공정도(P45-55)가 도시되어 있다.

상기 제 4실시예 1단계 축소 드로잉 세팅도(P45-50)와 1단계 축소 드로잉 공정도(P45-55)에 의한 1단계 축소 드로잉 공정에 사용되는 제 4실시예 1단계 축소 드로잉 다이(D45-50)는, 반구형 선단부(P45a)가 있는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 선단 측을, 성형하고자하는 고정통(P45c)과의 경계부까지 끼워 고정할 수 있는 고정홈(D45a)이 구비된 구성이고,

제 4실시예 1단계 축소 드로잉 펀치(H45-50)는 반제품 파이프형 전극관(PM)에 성형할 고정통(P45c)의 직경과 길이에 상응하는 일정 규격의 원통형 펀치홈(R45a)이 선단부에 나팔관형 확장부를 갖고 형성되며, 펀치홈(R45a)의 내부 중심에 축소할 고정통(P45c)의 내경과 동일한 직경의 지지봉(H45-51)이 구비된 구성이다.

상기한 구성에 의한 본 발명의 제 4실시예 1단계 축소 드로잉 공정은,

1단계 축소 드로잉 세팅도(P45-50)와 같이, 1단계 축소 드로잉 다이(D45-50)의 고정홈(D45a)에 반제품 파이프형 전극관(PM)의 반구형 선단부(P45a) 측을 끼워 지지시킨 상태에서,

1단계 축소 드로잉 공정도(P45-55)와 같이, 펀치홈(R45a)이 있는 1단계 축소 드로잉 펀치(H45-50)를 반제품 파이프형 전극관(PM)의 개방부 측으로 펀칭시키면, 반제품 파이프형 전극관(PM)의 직선부 중간 일부가 1단계 축소 드로잉 펀치(H45-50)의 나팔관형 펀치홈(R45a)에 의하여 원추관(PM4e)으로 성형되고, 후단부는 성형하고자하는 소정의 고정통(P45c)의 직경으로 축소된 반제품 파이프형 전극관(PM2)으로 1단계 축소 드로잉 성형되는 방법으로 실시된다.

도 23에는 상기한 1단계 축소 드로잉 공정에 의하여 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM2)에 대하여, 원추관(PM4e)을 작은 직경의 후단부 고정통(P45c)과 동일한 직경으로 축소시키면서 동시에, 원추관(PM4e)과 큰 직경의 직선부 경계부를 거의 직선상의 단턱(P45e)으로 2단계 축소 드로잉 성형하는 제 4 실시예 2단계 축소 드 로잉 세팅도(P45-60)와 2단계 축소 드로잉 공정도(P45-65)가 도시되어 있다.

상기 제 4실시예 2단계 축소 드로잉 세팅도(P45-60)와 2단계 축소 드로잉 공정도(P45-65)에 의한 2단계 축소 드로잉 공정에 사용되는 제 4실시예 2단계 축소 드로잉 다이(D45-60)는, 반구형 선단부(P45a)가 있는 반제품 파이프형 전극관(PM2)의 선단 측을, 성형하고자하는 고정통(P45c)과의 경계부까지 끼워 고정할 수 있는 고정홈(D45b)이 구비된 구성이고,

제 4실시예 2단계 축소 드로잉 펀치(H45-60)는 반제품 파이프형 전극관(PM2)을 재차 가공하여 성형하고자하는 작은 직경의 고정통(P45c)의 직경과 길이에 상응하는 일정 규격의 원통형 펀치홈(R45b)이 형성된 구성이다.

상기한 구성에 의한 본 발명의 제 4실시예 2단계 축소 드로잉 공정은,

2단계 축소 드로잉 세팅도(P45-60)와 같이, 2단계 축소 드로잉 다이(D45-60)의 고정홈(D45b)에 반제품 파이프형 전극관(PM4-1)의 반구형 선단부(P45a) 측을 끼워 지지시킨 상태에서,

2단계 축소 드로잉 공정도(P45-65)와 같이, 펀치홈(R45b)이 있는 2단계 축소 드로잉 펀치(H45-60)를 반제품 파이프형 전극관(PM2)의 개방부 측으로 펀칭시키면, 반제품 파이프형 전극관(PM2)의 원추관(PM4e)부는 2단계 축소 드로잉 펀치(H45-60)의 펀치홈(R45b)에 의하여, 반제품 파이프형 전극관의 선단부 측과 직선상의 단턱(P45e)을 갖는 소정 직경의 고정통(P45c)을 성형하여 반제품 파이프형 전극관(PM3)으로 2단계 축소 드로잉 성형하는 방법으로 실시된다.

도 24에는 상기한 2단계 축소 드로잉 공정에 의하여 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM3)에 대하여, 고정통(P45c)의 후단 일 측에 고정륜(P45d)을 형성하는 압축드로잉 공정을 실시하여 일 예의 파이프형 전극봉(P45)을 완성하기 위한, 제 4 실시예 3단계 압축드로잉 세팅도(P45-70)와 3단계 압축드로잉 공정도(P45-75)가 도시되어 있다.

상기 제 4실시예 3단계 압축드로잉 세팅도(P45-70)와 3단계 압축드로잉 공정도(P45-75)에 의한 3단계 압축드로잉 공정에 사용되는 제 4실시예 3단계 압축드로잉 다이(D45-70)는, 반구형 선단부(P45a)가 있는 반제품 파이프형 전극관(PM3)의 선단 측을, 고정통(P45c)과의 경계부(P45e)까지 끼워 고정할 수 있는 고정홈(D45c)이 구비된 구성이고,

제 4실시예 3단계 압축드로잉 중간다이(D45-75)는 상하 두 쪽으로 분할되는 구조를 갖고, 반제품 파이프형 전극관(PM3)의 고정통(P45c) 일부를 관통상태로 지지하는 지지홈(D45d)이 선단부에 고정륜(P45d)의 절반을 성형하는 환형 확장부 (D45e)를 갖고 구성된다.

제 4실시예 3단계 압축드로잉 펀치(H45-70)는 반제품 파이프형 전극관(PM3)의 후단부를 고정륜(P45d)이 위치되는 부분까지 삽입상태로 지지하는 펀치홈(R45c)이 선단부에는 고정륜(P45d)의 절반을 성형하는 환형 확장부(D45f)를 구비하고 중심에는 지지봉((H45-71)을 구비하는 구성이다.

상기한 구성에 의한 본 발명의 제 4실시예 3단계 압축드로잉 공정은,

3단계 압축드로잉 세팅도(P45-70)와 같이, 3단계 압축드로잉 다이(D45-70)의 고정홈(D45c)에 반제품 파이프형 전극관(PM3)의 반구형 선단부(P45a) 측을 끼워 지 지시키고, 지지된 반제품 파이프형 전극관(PM3)의 고정통(P45c)에 3단계 압축드로잉 중간다이(D45-75)의 지지홈(D45d)을 끼워 지지시킨 상태에서,

3단계 압축드로잉 공정도(P45-75)와 같이, 펀치홈(R45c)이 있는 3단계 압축드로잉 펀치(H45-70)를 반제품 파이프형 전극관(PM3)의 고정통(P45c) 후단부 측으로 펀칭시켜서, 반제품 파이프형 전극관(PM3)의 중간부재(P45c) 후단부를 3단계 압축드로잉 펀치(H45-70)의 펀치홈(R45c)에 끼워서 중간다이(D45-75)의 환형 확장부 (D45e) 측으로 압축하여서, 중간부재(P45c) 후단부의 일부를 외측으로 확장시키면서 환형 확장부(D45e)(D45f)에 의하여 고정통(P45c)의 후단 일 측에 소정의 고정륜(P45d)을 성형하는 방법으로 실시된다.

상기와 같은 본 발명의 제 4실시예 파이프형 전극봉의 제조방법에 의하면, 일 예 몰드식 전원플러그(40)의 전극봉으로 사용되는 도 5에 도시한 바와 같은 파이프형 전극봉(P45)을 제조할 수 있는 것이다.

이와 같은 본 발명을 실시함에 있어서 상술한 여러 실시예들의 금형장치와 이를 사용한 제조공정들은 본 발명을 실시하는 바람직한 일 실시예로 제시된 것으로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

예를 들어, 본 발명의 성형재료로 사용되는 환봉형 성형칩의 재질은 일 예로 제시된 황동재를 사용하는 것이 전연성(展延性)과 전기전도성(電氣傳導性)이 높고 가격이 저렴하여 가장 바람직하나, 황동 외에도 용도에 따라서는 냉간 가공이 용이한 전연성(展延性)과 전기전도성을 확보할 수 있는 다른 재질을 사용할 수 있는 것이다.

또한 환봉형 성형칩의 직경과 길이의 규격도 성형하고자 하는 전극관 또는 파이프형 전극봉의 규격에 따라서 임의의 규격으로 증감시키고, 그에 따라 다이의 성형홈과 펀치의 규격을 변경, 증감 대응시켜서도 실시할 수 있는 것이다.

또한 본 발명에 의하여 제조하고자하는 파이프형 전극관이나 전극봉의 형태나 규격은 상술한 일 예의 구성 외에도 다른 형태나 규격에도 동일한 수단으로 적용할 수 있는 것이다.

또한 본 발명은 상술한 여러 실시예들 외에도 임펙트, 드로잉, 리듀싱 가공의 효율을 높이기 위하여 제반 가공공정들을 복합공정으로 실시하거나, 금형장치와 제조공정의 일부를 변경 또는 증감하여 실시할 수 있는 것이며, 봉형 전극봉의 형태에 따라서도 임의의 공정들과 금형장치들을 조합하여 실시할 수도 있는 것이다.

또한 본 발명에 의하여 제조되는 상술한 여러 종류의 반제품 파이프형 전극관(PM) 또는 파이프형 전극봉(P35)(P45)(P65)들의 두께는, 임의의 규격으로 증감시켜 구성할 수도 있는 것이며, 특히 전원 콘센트에 접속되는 반구형 선단부(PMa)와 그 주변 일부분의 두께는 직선부의 두께보다 두텁게 성형하는 구성으로도 실시할 수 있는 것이며, 직선부의 두께(t1)를 충분히 확보하면 반구형 선단부(PMa)의 두께(t2)를 균일하게 형성할 수도 있는 것이다.

상기와 같이 본 발명의 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법에 의하면, 주로 200-250V용의 전원플러그에 사용되는 봉형 전극봉의 제작에 있어서, 종래의 황동봉을 주 재료로 하고 수 차례의 절삭공정을 주 공정으로 하는 제조방법은 물론 선 발명의 황동 파이프를 이용한 전극봉 제조방법과 비교하여, 성형재료를 단위 중량당 원가가 황동파이프에 비하여 약 절반인 황동봉재의 성형칩을 사용하면서, 이 성형칩을 자동생산성이 높은 냉간 단조기 또는 프레스에 의한 임펙트, 리듀싱, 드로잉 공정 등에 의하여 파이프형의 전극봉으로 성형함으로서, 재료비를 약 절반까지 절감하고 공정을 줄여서 제조원가를 대폭 절감하며, 아울러 자동 생산성에 의하여 생산성을 높이고, 반구형 선단부의 성형을 매끈하고 용이하게 할 수 있는 효과를 갖는 것이다.

Claims (7)

1. 모서리부가 모따기된 정형 성형홈(D35r)을 갖는 좌우측 성형칩 정형블럭다이(D35-5)를 이용하여, 성형칩의 모서리를 궁글리는 단계;

   궁글려진 성형칩(M1)을 수용하는 1단계 예비 성형홈(D35s)을 설치하고, 성형칩(M1)의 선단부를 작은 구경의 반구형으로 예비 임펙트 가공하는 예비 단계;

   예비 단계 후 성형칩을, 1단계 펀치(H35-10)와 1단계 성형홈(D35a)사이에 안착시킨 후, 1단계 펀치로 임펙트되도록 하여, 1단계 칩성형물(M1-10)을 성형하는 제1단계;

   1단계 칩성형물을 2단계 예비 성형홈(D35t)에 안착 후, 1단계 칩성형물의 내주면 직경과 동일한 외경 및 작은 외경을 갖는 2단형 펀치봉이 형성된 2단계 예비 펀치(H35-17)로, 임펙트 가공하여 2단계 예비 칩성형물(M1-17)을 성형하는 단계;

   2단계 예비 칩성형물을, 1단계 성형홈의 길이보다 길고 직경은 동일한 2단계 성형홈(D35b)과, 1단계 펀치보다 길고 직경이 큰 2단계 펀치(H35-20)의 사이에 안착 후, 2단계 펀치로 임펙트하여, 2단계 칩성형물(M1-20)을 성형하는 제2단계;

   2단계 칩성형물을, 2단계 성형홈보다 길고 직경은 동일한 3단계 성형홈(D35c)과, 2단계 펀치보다 길고 직경은 큰 3단계 펀치(H35-30)의 사이에 안착 후, 임펙트하여, 길이가 반제품 파이프형 전극관(PM) 길이의 절반 정도까지 길어진 3단계 칩성형물(M1-30)을 성형하는 제3단계; 및

   3단계 칩성형물을, 4단계 리듀싱 성형홈(D35d)과, 4단계 리듀싱 펀치(H35-40)의 사이에 안착 후, 임펙트하여, 선단부(PMa)가 내부 성형홈(D35j)의 끝단부 형태인 반구형으로 형성되고, 반구형 선단부(PMa)의 두께가 직선부 중간부재의 두께보다는 크게 형성된 반제품 파이프형 전극관(PM)을 성형하며, 반제품 파이프형 전극관을 성형하여 전원플러그용 파이프형 전극봉을 성형하는 제4단계를 포함하는 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 전원플러그용 파이프형 전극봉을 성형하는 제4단계는,

   상기 제4단계를 통해 성형된 반제품 파이프형 전극관(PM1)의 후단부에 나사산이 가공되어 있는 나사공(P35d)을 형성시켜, 조립식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P35)을 성형하는 제6단계를 포함하는 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 전원플러그용 파이프형 전극봉을 성형하는 제 4 단계는,

   상기 제4단계를 통해 성형된 반제품 파이프형 전극관을, 반구형 선단부(P45a)의 구경은 상기 반제품 파이프형 전극관의 직경(D)과 동일하고, 반구형 선단부와 연결되는 중간부재인 고정통(P45c)의 직경(D1)은 상기 반제품 파이프형 전극관의 직경보다 작도록 형성시키며, 상기 고정통의 후단부에는 외측으로 돌출되는 환형의 고정륜을 성형하여, 몰드식 전원플러그용 파이프형 전극봉(P45)을 성형하는 것을 특징으로 하는 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법.
4. 제 1항에 있어서 상기 성형칩은 황동재로 구성함을 특징으로 하는 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법.
5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 4단계 리듀싱 성형홈(D35d)은, 입구의 형태가 성형하고자 하는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 후단부에 형성한 연결관(PMb)의 형태와 동일하고, 직경도 동일하면서, 내측으로는 성형하고자 하는 반제품 파이프형 전극관(PM)의 중간부재(PMc)의 외경과 동일한 내경을 갖는 단턱륜(D35h)이 구비되며, 상기 단턱륜(D35h)의 내측으로는 다시 내경이 원통형으로 형성되고 끝단부가 반구형 형태로 형성된 내부 성형홈(D35j)을 구비하며,

   상기 4단계 리듀싱 펀치(H35-40)는, 상기 반제품 파이프형 전극관(PM)의 길이보다 길고, 4단계 리듀싱 성형홈 내부에서의 작동행정 길이가 반제품 파이프형 전극관(PM)의 전체길이에서 반구형 선단부(PMa)의 두께를 제외한 길이에 상응하게 형성되는 것을 특징으로 하는 전원플러그용 파이프형 전극봉의 제조방법.
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