KR100983096B1 - Underfill Hybrid Epoxy Compositions Having Improved Moisture Resistance and Fluidity - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지; (b) 실록산(siloxane)이 결합된 하이브리드 에폭시 수지; (c) 경화제로서 산무수물, 실록산(siloxane) 무수물, 실릴 무수물 또는 이의 혼합물; 및 (d) 경화촉진제를 포함하는 내습성 및 흐름성이 개선된 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 언더필용 조성물은 우수한 흐름성을 나타내어 신속하게 충진시킬 수 있고, 또한 우수한 내습성을 가지고 있어 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The present invention (a) an epoxy resin having two or more glycidyl groups; (b) a hybrid epoxy resin having a siloxane bonded thereto; (c) acid anhydride, siloxane anhydride, silyl anhydride or mixtures thereof as curing agent; And (d) relates to a hybrid epoxy composition for semiconductor underfill with improved moisture resistance and flow resistance comprising a curing accelerator. The underfill composition of the present invention exhibits excellent flowability and can be filled quickly, and also has excellent moisture resistance, thereby improving the reliability of the package.

에폭시, 하이브리드, 언더필, 실록산 Epoxy, hybrid, underfill, siloxane

Description

내습성 및 흐름성이 우수한 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물{Underfill Hybrid Epoxy Compositions Having Improved Moisture Resistance and Fluidity}Underfill Hybrid Epoxy Compositions Having Improved Moisture Resistance and Fluidity}

본 발명은 내습성 및 흐름성이 우수한 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a hybrid epoxy composition for semiconductor underfill excellent in moisture resistance and flowability.

전자제품의 소형화, 경박화, 다기능화에 따라 반도체 소자의 봉지 및 실장방법 등도 다변화되는 추세이다. 반도체 소자 등의 전자부품 패키지로서 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지, CSP(chip scale package)의 일종인 플립 칩(FLIP CHIP), 구동 직접회로(Integrated circuit IC) 등의 전자부품을 회로기판에 실장하는 칩 온 보드(Chip on Board; COB) 공정 및 봉지재로 사용되는 액상 칩 온 필름(Chip On Film: COF)의 포팅(potting) 공정 등이 행해진다.As electronic products become smaller, thinner, and more versatile, encapsulation and mounting methods for semiconductor devices are also diversifying. An electronic component package for semiconductor devices, such as a cavity down type ball grid array package, a flip chip (FLIP CHIP), which is a type of CSP (chip scale package), and an integrated circuit IC such as a driving integrated circuit IC. A chip on board (COB) process and a potting process of a liquid chip on film (COF) used as an encapsulant are performed.

플립칩 기술은 기판에 집적회로가 형성되어 있는 칩의 면이 기판을 마주 보도록 부착하는 기술이다. 플립칩 기술은 패키지 내에 사용되거나 또는 인쇄회로기판에 직접 사용될 수도 있다. 플립칩 기술이 패키지 내에 사용될 경우 칩은 솔더 접합부 를 통하여 연결되며, 이를 플립칩 인 패키지(FCIP, flip chip in package)라고 부른다. 한편 칩이 직접 인쇄회로기판에 연결되는 경우를 필립칩 온 보드(FCOB, flip chip on board) 또는 다이렉트 칩 어테치(DCA, direct chip attach)라고 부른다. 그러나 이러한 방식으로 실장된 플립 칩 패키지를 열충격 시험을 할 경우 회로기판과 솔더범프 간 연결상태 등에 대한 신뢰성 불량의 여지가 있다. 그 이유로 칩과 배선 기판과 솔더 볼의 상이한 열팽창계수가 열적 스트레스를 유발하기 때문이다. 이러한 열에 의한 응력을 완화하기 위하여 칩을 기판에 장착한 후 소자와 기판 사이의 공간을 수지로 충진하는 공정이 언더필 공정이며 이에 사용되는 소재가 주로 액상인 언더필재이다.Flip chip technology is a technology in which the surface of the chip on which the integrated circuit is formed is attached to face the substrate. Flip chip technology may be used in a package or directly on a printed circuit board. When flip chip technology is used in a package, the chips are connected through solder joints, which are called flip chip in packages (FCIP). On the other hand, the case in which the chip is directly connected to the printed circuit board is called a flip chip on board (FCOB) or direct chip attach (DCA). However, when thermal shock test is performed on the flip chip package mounted in this manner, there is room for reliability of the connection between the circuit board and the solder bumps. This is because the different coefficients of thermal expansion of the chip, the wiring board and the solder ball cause thermal stress. In order to alleviate the stress caused by heat, the process of filling the space between the device and the substrate with a resin after mounting the chip on the substrate is an underfill process, and the material used therein is mainly an underfill material having a liquid phase.

언더필재로서 다양한 에폭시 수지 조성물이 개발되었으나, 아직까지도 충분한 내습성 및 흐름성을 가지고 있는 에폭시 수지 조성물은 개발되어 있지 않다.Various epoxy resin compositions have been developed as underfill materials, but no epoxy resin compositions have yet been developed that have sufficient moisture resistance and flowability.

본 발명자들은 캐리어 기판 상에 장착된 반도체 칩을 포함하는 플립칩 어셈블리와 같은 반도체 장치 내의 언더필 공간을 신속하게 충진시키고, 수분흡습에 대한 내습성과 열충격 특성을 고려하여 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 내습성 및 흐름성이 우수한 언더필용 에폭시 수지 조성물을 개발하고 노력하였다. 그 결과, 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지 및/또는 경화제로서 실록산 무수물 또는 실릴 무수물을 이용하는 경우, 상기의 우수한 특성을 나타낸다는 것을 확인함으로써, 본 발명을 완성하게 되었다.The present inventors can quickly fill an underfill space in a semiconductor device such as a flip chip assembly including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate, and improve the reliability of the package in consideration of moisture resistance and thermal shock characteristics against moisture absorption. Epoxy resin compositions for underfill excellent in wettability and flowability have been developed and endeavored. As a result, the present invention was completed by confirming that siloxane anhydride or silyl anhydride was used as the hybrid epoxy resin and / or curing agent to which siloxane was bonded, and exhibited the above excellent characteristics.

따라서 본 발명의 목적은 내습성 및 흐름성이 개선된 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a hybrid epoxy composition for semiconductor underfill with improved moisture resistance and flowability.

본 발명의 다른 목적 및 이점은 하기의 발명의 상세한 설명, 청구범위에 의해 보다 명확하게 된다.Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description and claims.

본 발명의 양태에 따르면, 본 발명은 (a) 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지; (b) 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지; (c) 경화제로서 산무수물, 실록산 무수물, 실릴 무수물 또는 이의 혼합물; 및 (d) 경화촉진제를 포함하는 내습성 및 흐름성이 개선된 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물을 제공한 다.According to an aspect of the present invention, the present invention is (a) an epoxy resin having two or more glycidyl groups; (b) hybrid epoxy resins having siloxanes bound thereto; (c) acid anhydride, siloxane anhydride, silyl anhydride or mixtures thereof as curing agent; And (d) provides a hybrid epoxy composition for semiconductor underfill improved moisture resistance and flowability comprising a curing accelerator.

본 발명자들은 캐리어 기판 상에 장착된 반도체 칩을 포함하는 플립칩 어셈블리와 같은 반도체 장치 내의 언더필 공간을 신속하게 충진시키고, 수분흡습에 대한 내습성과 열충격 특성을 고려하여 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 내습성 및 흐름성이 우수한 언더필용 에폭시 수지 조성물을 개발하고 노력하였다. 그 결과, 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지 및/또는 경화제로서 실록산 무수물 또는 실릴 무수물을 이용하는 경우, 상기의 우수한 특성을 나타낸다는 것을 확인하였다.The present inventors can quickly fill an underfill space in a semiconductor device such as a flip chip assembly including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate, and improve the reliability of the package in consideration of moisture resistance and thermal shock characteristics against moisture absorption. Epoxy resin compositions for underfill excellent in wettability and flowability have been developed and endeavored. As a result, when siloxane anhydride or silyl anhydride was used as a hybrid epoxy resin and / or a hardening | curing agent to which siloxane was bonded, it confirmed that the said outstanding characteristic was shown.

본 발명의 언더필용 에폭시 조성물은 기본적으로, 에폭시 수지, 경화제 및 경화촉진제를 포함한다.The underfill epoxy composition of the present invention basically contains an epoxy resin, a curing agent and a curing accelerator.

본 발명에서 이용되는 에폭시 수지는 (a) 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지; 및 (b) 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지 2종을 이용하거나 또는, 경화제로서 실록산 무수물 또는 실릴 무수물이 이용되는 경우에는 (a) 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지; 및 (b) 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지 중에서 하나의 종류를 이용하거나 또는 2개를 모두 이용한다.The epoxy resin used in the present invention is (a) an epoxy resin having two or more glycidyl groups; And (b) two kinds of siloxane-bonded hybrid epoxy resins, or when siloxane anhydride or silyl anhydride is used as the curing agent, (a) an epoxy resin having two or more glycidyl groups; And (b) one type of hybrid epoxy resin to which siloxane is bound or both.

본 발명에서 이용되는 에폭시 수지로는 글라이시딜기를 2개 이상 포함하는 어떠한 에폭시 수지도 본 발명에서 이용될 수 있다.As the epoxy resin used in the present invention, any epoxy resin containing two or more glycidyl groups may be used in the present invention.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 본 발명에서 이용되는 글라이시딜기가 2개 이상인 에폭시 수지는 화학식 1의 비스페놀 A형 에폭시 수지, 화학식 2의 비스페놀 F형 에폭시 수지, 화학식 3의 3관능성 에폭시 수지, 화학식 4의 4관능성 에폭시, 화학식 5의 비스페놀 S형 에폭시 수지, 화학식 6의 나프탈렌 타입 에폭시 수지, 화학식 7의 터트-부틸-카테콜 에폭시 수지, 화학식 8의 페놀 노볼락 타입 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, BPA(brominated bisphenol A) 노볼락 에폭시 수지, 화학식 9의 하이드로게네이트 BPA 타입 에폭시 수지 또는 상기 에폭시 수지들의 혼합물이다:According to a preferred embodiment of the present invention, the epoxy resin having two or more glycidyl groups used in the present invention is a bisphenol A type epoxy resin of Formula 1, a bisphenol F type epoxy resin of Formula 2, a trifunctional epoxy resin of Formula 3 , Tetrafunctional epoxy of formula 4, bisphenol S type epoxy resin of formula 5, naphthalene type epoxy resin of formula 6, tert-butyl-catechol epoxy resin of formula 7, phenol novolac type epoxy resin of formula 8, cresol furnace A volac epoxy resin, a brominated bisphenol A (BPA) novolac epoxy resin, a hydrogenated BPA type epoxy resin of formula 9 or a mixture of the above epoxy resins:

화학식 1Formula 1

Figure 112009005743776-pat00033
Figure 112009005743776-pat00033

삭제delete

화학식 2Formula 2

Figure 112009005743776-pat00034
Figure 112009005743776-pat00034

삭제delete

화학식 3Formula 3

Figure 112007085929509-pat00003
Figure 112007085929509-pat00003

상기 화학식 3에서, R은

Figure 112007085929509-pat00004
이고,In Formula 3, R is
Figure 112007085929509-pat00004
ego,

화학식 4Formula 4

Figure 112007085929509-pat00005
Figure 112007085929509-pat00005

상기 화학식 4에서, R은

Figure 112007085929509-pat00006
이고,In Formula 4, R is
Figure 112007085929509-pat00006
ego,

화학식 5Formula 5

Figure 112007085929509-pat00007
Figure 112007085929509-pat00007

상기 화학식 5에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이고,In Formula 5, R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an alkyl group,

화학식 66

Figure 112007085929509-pat00008
Figure 112007085929509-pat00008

화학식 7Formula 7

Figure 112007085929509-pat00009
Figure 112007085929509-pat00009

상기 화학식 7에서, R은 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이고,In Formula 7, R is each independently hydrogen or an alkyl group,

화학식 8Formula 8

Figure 112007085929509-pat00010
Figure 112007085929509-pat00010

상기 화학식 8에서, n은 1-10,000의 정수이고,In Formula 8, n is an integer of 1-10,000,

화학식 9Formula 9

Figure 112007085929509-pat00011
Figure 112007085929509-pat00011

상기 화학식 9에서, R은 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이다In Formula 9, each R is independently hydrogen or an alkyl group

상기 화학식에서 알킬기는, 직쇄 또는 분쇄 포화 탄화수소기를 의미하며, 바람직하게는 C1-C10 알킬기이며, 보다 바람직하게는 C1-C4 알킬기이고, 가장 바람직하게는 메틸기이다.In the above formula, the alkyl group means a straight-chain or pulverized saturated hydrocarbon group, preferably a C 1 -C 10 alkyl group, more preferably a C 1 -C 4 alkyl group, and most preferably a methyl group.

보다 바람직하게는, 본 발명에서 이용되는 글라이시딜기가 2개 이상인 에폭시 수지는 화학식 1의 비스페놀 A형 에폭시 수지, 화학식 2의 비스페놀 F형 에폭시 수지, 화학식 3의 3관능성 에폭시 수지, 화학식 4의 4관능성 수지, 화학식 5비스페놀 S형 에폭시 수지, 화학식 7의 터트-부틸-카테콜 에폭시 수지 또는 화학식 9의 하이드로게네이트 BPA 타입 에폭시 수지이고, 가장 바람직하게는 비스페놀 F형 에폭시 수지이다.More preferably, the epoxy resin having two or more glycidyl groups used in the present invention is a bisphenol A type epoxy resin of Formula 1, a bisphenol F type epoxy resin of Formula 2, a trifunctional epoxy resin of Formula 3, Tetrafunctional resin, bisphenol S type epoxy resin of formula (5), tert-butyl-catechol epoxy resin of formula (7), or hydrogenate BPA type epoxy resin of formula (9), most preferably bisphenol F type epoxy resin.

본 발명의 가장 큰 특징 중 하나는, 내습성 및 흐름성을 개선시키기 위하여 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지를 이용하는 것이다. One of the greatest features of the present invention is the use of hybrid epoxy resins in which siloxanes are bonded to improve moisture resistance and flowability.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지는 다음 일반식 1로 표시된다:According to a preferred embodiment of the invention, the siloxane-bonded hybrid epoxy resin is represented by the following general formula (1):

일반식 1Formula 1

-(E)m-(S)n--(E) m- (S) n-

상기 일반식에서, E는 에폭시기를 나타내고, S는 실록산을 나타내며, m 및 n은 1-100의 정수이다.In the general formula, E represents an epoxy group, S represents a siloxane, and m and n are integers of 1-100.

일반식 1의 하이브리드 에폭시 수지는 에폭시기와 실록산으로 이루어진 공중합체이다. 일반식 1에서, 에폭시기와 실록산은 규칙적으로 알더네이티브(alternative)하게 배열될 수 있으며(alternating copolymer), 랜덤하게 배열될 수 있다(random copolymer). 또한, 일반식 1에서 에폭시기와 실록산은 블록 공중합체 형태로 배열될 수 있다. 이 경우, 2개 이상의 연속적인 에폭시기에 의해 형성되는 폴리에 폭사이드와 2개 이상의 연속적인 실록산에 의해 형성되는 폴리실록산은 알더네이티브(alternative)하게 배열될 수도 있다.The hybrid epoxy resin of the general formula (1) is a copolymer composed of an epoxy group and a siloxane. In Formula 1, the epoxy group and the siloxane may be regularly alternatingly arranged (alternating copolymer) and randomly arranged (random copolymer). In addition, in Formula 1, the epoxy group and the siloxane may be arranged in the form of a block copolymer. In this case, the polysiloxane formed by the polyoxide formed by the two or more continuous epoxy groups and the two or more continuous siloxanes may be arranged alternatively.

보다 바람직하게는, 일반식 1로 표시되는 하이브리드 에폭시 수지는 폴리에폭사이드와 폴리실록산이 알더네이티브하게 결합된 선형의 블록 공중합체이다.More preferably, the hybrid epoxy resin represented by the general formula (1) is a linear block copolymer in which an polyepoxide and a polysiloxane are bonded to each other.

보다 바람직하게는, 일반식 1로 표시되는 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지의 적어도 하나의 말단, 보다 더 바람직하게는 양 말단에는 에폭시기 또는 사이클로알리파틱 에폭시기가 결합되어 있다. 예를 들어,

Figure 112007085929509-pat00012
또는
Figure 112007085929509-pat00013
이 하이브리드 에폭시 수지의 적어도 하나의 말단에 결합된다.More preferably, an epoxy group or a cycloaliphatic epoxy group is bonded to at least one terminal and even more preferably both terminals of the hybrid epoxy resin bonded to the siloxane represented by the general formula (1). E.g,
Figure 112007085929509-pat00012
or
Figure 112007085929509-pat00013
It is bonded to at least one terminal of this hybrid epoxy resin.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지는 20-80 wt%의 실리콘 함량을 갖는다. According to a preferred embodiment of the present invention, the siloxane-bonded hybrid epoxy resin has a silicon content of 20-80 wt%.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지는 600-3000 g/equiv의 EEW(epoxy equivalent weight)를 갖는다.According to a preferred embodiment of the present invention, the siloxane-bonded hybrid epoxy resin has an epoxy equivalent weight (EEW) of 600-3000 g / equiv.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지는 20,000-100,000 cps의 상온에서의 점도를 나타낸다.According to a preferred embodiment of the present invention, the siloxane-bonded hybrid epoxy resin has a viscosity at room temperature of 20,000-100,000 cps.

본 발명에서 이용되는 경화제는 산무수물, 실록산 무수물, 실릴 무수물 또는 이의 혼합물이다. 실록산 무수물 및 실릴 무수물은 상기 에폭시 수지로서 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지가 이용되는 경우에는 이용하지 않을 수 있다.The curing agent used in the present invention is an acid anhydride, siloxane anhydride, silyl anhydride or mixtures thereof. The siloxane anhydride and silyl anhydride may not be used when a hybrid epoxy resin having a siloxane bonded thereto is used as the epoxy resin.

본 발명에서 이용되는 경화제로서 산무수물은 당업계에 공지된 어떠한 산무수물도 포함한다.Acid anhydrides as the curing agent used in the present invention include any acid anhydride known in the art.

바람직하게는, 경화제로서의 산무수물은 프탈릭 무수물, 말레익 무수물, 트리멜리틱 무수물, 파이로멜리틱 무수물, 헥사하이드로프탈릭 무수물, 테트라하이드로프탈릭 무수물, 메틸나딕 무수물, 나딕 무수물, 글루타릭 무수물, 메틸헥사하이드로프탈릭 무수물, 메틸테트라하이드로프탈릭 무수물 또는 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물이다. 가장 바람직하게는, 본 발명에 적합한 산무수물은 메틸헥사하이드로프탈산 무수물이다.Preferably, the acid anhydride as the curing agent is phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, nadic anhydride, glutaric Anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride or 5- (2,5-dioxotetrahydro) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride. Most preferably, the acid anhydrides suitable for the present invention are methylhexahydrophthalic anhydride.

본 발명에서 경화제로서 이용되는 실록산 무수물은 실록산을 포함하는 어떠한 무수물도 포함한다.The siloxane anhydride used as the curing agent in the present invention includes any anhydride including siloxanes.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 경화제로서의 실록산 무수물은 다음 화학식 10으로 표시되는 숙신산 무수물이 양 말단에 위치한 실록산 무수물이다:According to a preferred embodiment of the present invention, the siloxane anhydride as a curing agent is a siloxane anhydride in which both succinic anhydrides represented by the following formula (10) are located at both ends:

화학식 10Formula 10

Figure 112007085929509-pat00014
Figure 112007085929509-pat00014

상기 화학식에서, R1-R6는 서로 독립적으로 C1 -10 알킬, C1 -10 알콕시, C2 -10 알케닐 또는 C6 -14 아릴기이고, m은 1-10의 정수이고, n은 1-100의 정수이며, p는 1-10의 정수이다.And in the formula, R 1 -R 6 are independently C 1 -10 alkyl, C 1 -10 alkoxy, C 2 -10 alkenyl or C 6 -14 aryl group, m is an integer of 1-10 to each other, n Is an integer of 1-100, p is an integer of 1-10.

상기 화학식 10에서, 용어 “ C1-C10 알킬”은 탄소수 1-10의 직쇄 또는 분쇄 포화 탄화수소기를 의미하며, 바람직하게는 “C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알킬”이며, 이는 저가 알킬로서 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 이소부틸, n-부틸 및 t-부틸을 포함한다. 용어, “알콕시”는 -O알킬기를 의미한다. 바람직하게는, 알콕시기는 메톡시 및 에톡시를 포함한다.In Chemical Formula 10, the term “C 1 -C 10 alkyl” refers to a straight or pulverized saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, preferably “C 1 -C 4 straight or branched alkyl”, which is a low-cost alkyl. Methyl, ethyl, n -propyl, isopropyl, isobutyl, n -butyl and t -butyl. The term “alkoxy” means an —Oalkyl group. Preferably, the alkoxy group includes methoxy and ethoxy.

용어, “알케닐기”는 지정된 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분쇄 불포화 탄화수소기를 나타내며, 바람직하게는 C2-C6 직쇄 또는 가지쇄 알케닐이고, 이는 최소 하나의 이중 결합을 갖는 탄소수 2-6의 탄화수소기로서, 예컨대, 에테닐, 프로페닐, 이소프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, t-부테닐, n-펜테닐 및 n-헥세닐을 포함한다.The term “alkenyl group” refers to a straight or pulverized unsaturated hydrocarbon group having a specified carbon number, preferably C 2 -C 6 straight or branched chain alkenyl, which is a hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms having at least one double bond. Examples include ethenyl, propenyl, isopropenyl, butenyl, isobutenyl, t -butenyl, n -pentenyl and n -hexenyl.

용어 “아릴”은 전체적으로 또는 부분적으로 불포화된 치환 또는 비치환된 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄소 고리를 의미하며, 바람직하게는 모노아릴 또는 비아릴이다. 가장 바람직하게는 상기 아릴은 치환 또는 비치환된 페닐이다.The term "aryl" refers to a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic carbon ring which is wholly or partially unsaturated, preferably monoaryl or biaryl. Most preferably said aryl is substituted or unsubstituted phenyl.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 경화제로서의 실릴 무수물은 다음 화학식 11로 표시되는 숙신산 무수물이 한 쪽 말단에 위치한 실릴산 무수물이다:According to a preferred embodiment of the invention, the silyl anhydride as a curing agent is a silyl anhydride with one succinic anhydride represented by the following formula (11) at one end:

화학식 11Formula 11

Figure 112007085929509-pat00015
Figure 112007085929509-pat00015

상기 화학식에서, R1-R3는 서로 독립적으로 C1 -10 알킬, C1 -10 알콕시, C2 -10 알케닐 또 는 C6 -14 아릴기이고, m은 1-10의 정수이다.In the formula, R 1 -R 3 are independently C 1 -10 alkyl, C 1 -10 alkoxy, C 2 -10 alkenyl or C 6 -14 aryl group to each other, m is an integer of 1-10.

상기 화학식에서, R1-R6는 서로 독립적으로 C1 -10 알킬, C1 -10 알콕시, C2 -10 알케닐 또는 C6 -14 아릴기이고, m은 1-10의 정수이고, n은 1-100의 정수이며, p는 1-10의 정수이다.And in the formula, R 1 -R 6 are independently C 1 -10 alkyl, C 1 -10 alkoxy, C 2 -10 alkenyl or C 6 -14 aryl group, m is an integer of 1-10 to each other, n Is an integer of 1-100, p is an integer of 1-10.

상기 화학식 11에서, 용어 “ C1-C10 알킬”은 탄소수 1-10의 직쇄 또는 분쇄 포화 탄화수소기를 의미하며, 바람직하게는 “C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알킬”이며, 이는 저가 알킬로서 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 이소부틸, n-부틸 및 t-부틸을 포함한다. 용어, “알콕시”는 -O알킬기를 의미한다. 바람직하게는, 알콕시기는 메톡시 및 에톡시를 포함한다.In Formula 11, the term “C 1 -C 10 alkyl” refers to a straight or pulverized saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, preferably “C 1 -C 4 straight or branched alkyl”, which is a low-cost alkyl. Methyl, ethyl, n -propyl, isopropyl, isobutyl, n -butyl and t -butyl. The term “alkoxy” means an —Oalkyl group. Preferably, the alkoxy group includes methoxy and ethoxy.

용어, “알케닐기”는 지정된 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분쇄 불포화 탄화수소기를 나타내며, 바람직하게는 C2-C6 직쇄 또는 가지쇄 알케닐이고, 이는 최소 하나의 이중 결합을 갖는 탄소수 2-6의 탄화수소기로서, 예컨대, 에테닐, 프로페닐, 이소프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, t-부테닐, n-펜테닐 및 n-헥세닐을 포함한다.The term “alkenyl group” refers to a straight or pulverized unsaturated hydrocarbon group having a specified carbon number, preferably C 2 -C 6 straight or branched chain alkenyl, which is a hydrocarbon group having 2 to 6 carbon atoms having at least one double bond. Examples include ethenyl, propenyl, isopropenyl, butenyl, isobutenyl, t -butenyl, n -pentenyl and n -hexenyl.

용어 “아릴”은 전체적으로 또는 부분적으로 불포화된 치환 또는 비치환된 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 탄소 고리를 의미하며, 바람직하게는 모노아릴 또는 비아릴이다. 가장 바람직하게는 상기 아릴은 치환 또는 비치환된 페닐이다.The term "aryl" refers to a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic carbon ring which is wholly or partially unsaturated, preferably monoaryl or biaryl. Most preferably said aryl is substituted or unsubstituted phenyl.

가장 바람직하게는, 경화제로서의 실록산 무수물 및 실릴 무수물은 각각 다음 화학식 12 및 13로 표시된다:Most preferably, the siloxane anhydride and silyl anhydride as hardeners are represented by the following formulas (12) and (13), respectively:

화학식 12Formula 12

Figure 112007085929509-pat00016
Figure 112007085929509-pat00016

화학식 13Formula 13

Figure 112007085929509-pat00017
Figure 112007085929509-pat00017

본 발명의 하이브리드 에폭시 조성물에 포함하는 경화 촉진제는 당업계에서 에폭시 조성물에 이용되는 어떠한 경화 촉진제도 포함한다.Curing accelerators included in the hybrid epoxy composition of the present invention include any curing accelerator used in the epoxy composition in the art.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 본 발명의 하이브리드 에폭시 조성물에 포함하는 경화 촉진제는 말단기에 -OH, -COOH, SO3H, -CONH2, -CONHR(R은 알킬기를 나타낸다), -SO3NH2, -SO3NHR(R은 알킬기를 나타낸다) 또는 -SH를 갖는 경화촉진제 또는 이미다졸계 경화 촉진제이다. 상기 R은 바람직하게는 C1-C10 알킬로서, 탄소수 1-10의 직쇄 또는 분쇄 포화 탄화수소기를 의미하며, 보다 바람직하게는 “C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알킬”이며, 이는 저가 알킬로서 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 이소부틸, n-부틸 및 t-부틸을 포함한다. According to a preferred embodiment of the present invention, the curing accelerator included in the hybrid epoxy composition of the present invention is -OH, -COOH, SO 3 H, -CONH 2 , -CONHR (R represents an alkyl group), -SO 3 NH 2 , —SO 3 NHR (R represents an alkyl group) or a curing accelerator having -SH or an imidazole series curing accelerator. R is preferably C 1 -C 10 alkyl, which means a straight or pulverized saturated hydrocarbon group having 1-10 carbon atoms, more preferably “C 1 -C 4 straight or branched alkyl”, which is a low-cost alkyl. Methyl, ethyl, n -propyl, isopropyl, isobutyl, n -butyl and t -butyl.

보다 바람직하게는, 본 발명에서 이용되는 경화 촉진제는 이미다졸계 경화 촉진제이다.More preferably, the curing accelerator used in the present invention is an imidazole series curing accelerator.

본 발명에 적합한 이미다졸계 경화 촉진제는 이미디졸, 이소이미디졸, 2-메틸 이미디졸, 2-에틸-4-메틸이미디졸, 2,4-디메틸이미디졸, 부틸이미디졸, 2-헵타데센일-4-메틸이미디졸, 2-메틸이미디졸, 2-운데센일이미디졸, 1-비닐-2-메틸이미디졸,2-n-헵타데실이미디졸, 2-운데실이미디졸, 2-헵타데실이미디졸, 2-페닐이미디졸, 1-벤질-2-메틸이미디졸, 1-프로필-2-메틸이미디졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미디졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미디졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미디졸, 1-시아노에틸 -2-페닐이미디졸, 1-구아나미노에틸-2-메틸이미디졸, 이미디졸과 메틸이미디졸의 부가생성물,이미디졸과 트리멜리트산의 부가생성물, 2-n-헵타데실-4-메틸이미디졸, 페닐이미디졸, 벤질이미디졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미디졸, 2,3,5-트리페닐이미디졸, 2-스티릴이미디졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미디졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 2-(p-디메틸-아미노페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 디(4,5-디페닐-2-이미디졸)-벤젠-1,4, 2-나프틸-4,5-디페닐이미디졸, 1-벤질-2-메틸이미디졸 및 2-p-메톡시스티릴이미디졸 등을 포함한다.Suitable imidazole series curing accelerators for the present invention are imidazole, isimidazole, 2-methyl imidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, butylimidazole, 2- Heptadecenyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-undecenylimidazole, 1-vinyl-2-methylimidazole, 2-n-heptadecylimidazole, 2-unde Silimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1 Guanaminoethyl-2-methylimidazole, adduct of imidazole and methylimidazole, adduct of imidazole and trimellitic acid, 2-n-heptadecyl-4-methylimidazole, phenyl Midiazole, benzylimidazole, 2-methyl-4,5-diphenylimidazole, 2,3,5-triphenylimidazole, 2-styrylimidazole, 1- (dodecyl Vaginal) -2-methylimidazole, 2- (2-hydroxy-4-t-butylphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2-methoxyphenyl) -4,5- Diphenylimidazole, 2- (3-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (p-dimethyl-aminophenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- ( 2-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, di (4,5-diphenyl-2-imidazole) -benzene-1,4, 2-naphthyl-4,5-diphenyl Midisol, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-p-methoxystyrylimidazole and the like.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 본 발명의 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물은 에폭시 실란 커플링제를 추가적으로 포함한다. 보다 더 바람직하게는, 상기 에폭시 실란 커플링제는 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리스(2-에틸에톡시)실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, (3-글라이시독시프로필)메틸디에톡시실란, 3-글라이시독시프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 비스[3-(트리스에톡시실릴)프로필]테트라설파이드, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란이다.According to a preferred embodiment of the present invention, the hybrid epoxy composition for semiconductor underfill of the present invention further comprises an epoxy silane coupling agent. Even more preferably, the epoxy silane coupling agent is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltris (2-ethylethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyl trimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, bis [3- (trisethoxysilyl) propyl] tetrasulfide, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane or 3-mercaptopropyltrimethoxysilane.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 본 발명의 언더필용 에폭시 조성물은 아민 경화제, 무기물 충진제, 안료(예컨대, 카본 블랙) 또는 이의 혼합물을 추가적으로 포함한다. 선택적으로, 본 발명의 언더필용 에폭시 조성물은 공기 방출제, 흐름 첨가제, 접착 촉진제 및 개질제와 같은 각종 첨가제를 포함할 수도 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the underfill epoxy composition of the present invention further comprises an amine curing agent, an inorganic filler, a pigment (eg carbon black) or a mixture thereof. Optionally, the underfill epoxy composition of the present invention may include various additives such as air release agents, flow additives, adhesion promoters, and modifiers.

본 발명의 언더필용 조성물에 적합한 아민 경화제는, 지방족 아민, 변형된 지방족 아민, 방향족 아민, 제2급 아민 및 제3급 아민 등을 포함하며, 예를 들어, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌 테트라민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌아민, 디메틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀 등을 포함한다.Suitable amine curing agents for the underfill compositions of the present invention include aliphatic amines, modified aliphatic amines, aromatic amines, secondary amines and tertiary amines, and the like, for example benzyldimethylamine, triethanolamine, triethylene Tetramin, diethylenetriamine, triethyleneamine, dimethylaminoethanol, tri (dimethylaminomethyl) phenol and the like.

무기물 충진제로 이용 가능한 것은, 당업계에 공지된 어떠한 충진제도 포함하며, 바람직하게는 0.01-100 마이크로미터 입자 크기를 갖는 구형 또는 파쇄형 무기물 세라믹(예컨대, 실리카, 알루미나 등)이다.Available as inorganic fillers include any filler known in the art and are preferably spherical or crushed inorganic ceramics (eg silica, alumina, etc.) having a particle size of 0.01-100 micrometers.

본 발명의 언더필용 조성물이, 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지, 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지, 경화제로서 산무수물 및 경화 촉진제를 포함하는 경우, 수지 혼합물(글라이시딜기가 2개 이상인 에폭시 수지와 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지의 혼합물) 전체를 기준으로 하여, 글라이시 딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지의 함량은 바람직하게는 0.01-99 wt%이며, 보다 바람직하게는 5-95 wt%이다. 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지의 함량은 수지 혼합물 전체를 기준으로 하여, 바람직하게는 0.01-99 wt%이며, 보다 바람직하게는 5-95 wt%이다. 경화제로서의 산무수물의 함량은 수지 100 중량부를 기준으로 하여, 바람직하게는 0.01-200 중량부이며, 보다 바람직하게는 10-120 중량부이다. 경화 촉진제의 함량은 수지 100 중량부를 기준으로 하여, 바람직하게는 0.01-10 중량부이며, 보다 바람직하게는 0.01-3 중량부이다.When the underfill composition of the present invention contains an epoxy resin having two or more glycidyl groups, a hybrid epoxy resin having a siloxane bond, an acid anhydride and a curing accelerator as a curing agent, two resin mixtures (two glycidyl groups) The content of the epoxy resin having two or more glycidyl groups is preferably 0.01-99 wt%, more preferably 5, based on the entire mixture of the epoxy resin and the hybrid epoxy resin in which the siloxane is bonded. -95 wt%. The content of the hybrid epoxy resin in which the siloxane is bonded is preferably 0.01-99 wt%, more preferably 5-95 wt%, based on the entire resin mixture. The content of the acid anhydride as the curing agent is preferably 0.01 to 200 parts by weight, more preferably 10 to 120 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin. The content of the curing accelerator is preferably 0.01-10 parts by weight, more preferably 0.01-3 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin.

본 발명의 언더필용 조성물이, 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지, 경화제로서 실록산 무수물 또는 실릴 무수물, 그리고 경화 촉진제를 포함하는 경우, 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지의 함량은 전체 조성물을 기준으로 하여 바람직하게는 0.01-99 wt%이며, 보다 바람직하게는 5-95 wt%이다. 경화제로서 실록산 무수물 또는 실릴 무수물은, 수지 100 중량부를 기준으로 하여 바람직하게는 0.01-200 중량부이며, 보다 바람직하게는 0.01-120 중량부이다. 경화제로서의 산무수물의 함량은 수지 100 중량부를 기준으로 하여, 바람직하게는 0.01-200 중량부이며, 보다 바람직하게는 0.01-120 중량부이다. 경화 촉진제의 함량은 수지 100 중량부를 기준으로 하여, 바람직하게는 0.01-10 중량부이며, 보다 바람직하게는 0.01-3 중량부이다.When the underfill composition of the present invention contains an epoxy resin having two or more glycidyl groups, a siloxane anhydride or silyl anhydride as a curing agent, and a curing accelerator, an epoxy resin having two or more glycidyl groups is used. The content is preferably 0.01-99 wt%, more preferably 5-95 wt%, based on the total composition. The siloxane anhydride or silyl anhydride as the curing agent is preferably 0.01 to 200 parts by weight, more preferably 0.01 to 120 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin. The content of the acid anhydride as the curing agent is preferably 0.01 to 200 parts by weight, more preferably 0.01 to 120 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin. The content of the curing accelerator is preferably 0.01-10 parts by weight, more preferably 0.01-3 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin.

본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 본 발명의 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물은 0.20-1.3%의 흡습율을 나타낸다. 상기 흡습율은 하기 실시예에 기재한 바와 같이, 85℃/85 RH(relative humidity)% 조건의 항온 항습 챔버에서 24시간 흡습시 킨 후 무게 변화를 측정하여 분석된 것이다. 하기의 실험예에서 입증한 바와 같이, 본 발명의 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물은 1.1% 이하의 매우 낮은 흡습율을 나타내어 우수한 내습성을 갖고 있음을 알 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the hybrid epoxy composition for underfill of the present invention exhibits a moisture absorption of 0.20-1.3%. The moisture absorption rate was analyzed by measuring the change in weight after 24 hours of moisture absorption in a constant temperature and humidity chamber of 85 ℃ / 85 RH (relative humidity)% conditions as described in the following examples. As demonstrated in the following Experimental Example, the hybrid epoxy composition for underfill of the present invention shows very low moisture absorption of 1.1% or less, it can be seen that it has excellent moisture resistance.

또한, 실험예에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물은 15초 미만의 침투 속도를 나타내어 흐름성도 매우 우수하다는 것을 알 수 있다.In addition, as can be seen in the experimental example, the underfill hybrid epoxy composition of the present invention shows a penetration rate of less than 15 seconds, it can be seen that the flowability is very excellent.

상술한 바와 같이, 본 발명은 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물을 제공한다. 본 발명의 언더필용 조성물은 우수한 흐름성을 나타내어 신속하게 충진시킬 수 있고, 또한 우수한 내습성을 가지고 있어 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention provides a hybrid epoxy composition for underfill. The underfill composition of the present invention exhibits excellent flowability and can be filled quickly, and also has excellent moisture resistance, thereby improving the reliability of the package.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. It is to be understood by those skilled in the art that these embodiments are only for describing the present invention in more detail and that the scope of the present invention is not limited by these embodiments in accordance with the gist of the present invention .

실시예Example

실시예Example 1 One

다음 표 1의 조성물을 제조하고 여기에 중량 비율로 25:75으로 하여 구형 실리카(평균 입도 5 ㎛)를 혼합하여 최종적으로 본 발명의 반도체 언더필용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. Next, the composition of Table 1 was prepared, and a spherical silica (average particle size of 5 μm) was mixed in a weight ratio of 25:75 to finally prepare an epoxy resin composition for semiconductor underfill of the present invention.

원료Raw material 함량(Phr)Content (Phr) 비스페놀 F형 에폭시 수지1) Bisphenol F type epoxy resin 1) 100100 MHHPA2) MHHPA 2) 4545 숙신산 무수물 말단 폴리디메톡시실록산3) Succinic anhydride terminated polydimethoxysiloxane 3) 4545 에폭시 실란 커플링제4) Epoxy silane coupling agent 4) 0.50.5 BDMA5) BDMA 5) 1One EI-24C6) EI-24C 6) 1One

1)(주)국도화학, 점도 3500-4500 cps; 2)메틸헥사하이드로프탈산 무수물, (주)국도화학; 3)succinic anhydride terminated polydimethylsiloxane, (주)Gelest; 4)에폭시 실란, (주)UCT; 5)벤질디메틸아민,시그마 알드리치; 6)이미다졸 경화 촉진제, (주)시코쿠 1) Kukdo Chemical Co., Ltd., viscosity 3500-4500 cps; 2) methylhexahydrophthalic anhydride, Kukdo Chemical Co., Ltd .; 3) succinic anhydride terminated polydimethylsiloxane, Gelest Co .; 4) epoxy silane, UCT Co., Ltd .; 5) benzyldimethylamine, sigma aldrich; 6) imidazole curing accelerator, Shikoku Co., Ltd.

실시예Example 2 2

다음 표 2의 조성물을 제조하고 여기에 중량 비율로 25:75으로 하여 구형 실리카(평균 입도 5 ㎛)를 혼합하여 최종적으로 본 발명의 반도체 언더필용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. Next, the composition of Table 2 was prepared, and a spherical silica (average particle size of 5 μm) was mixed in a weight ratio of 25:75 to finally prepare an epoxy resin composition for semiconductor underfill of the present invention.

원료Raw material 함량(Phr)Content (Phr) 비스페놀 F형 에폭시 수지1) Bisphenol F type epoxy resin 1) 100100 MHHPA2) MHHPA 2) 4545 3-(트리에톡시실릴)프로필숙신산 무수물3) 3- (triethoxysilyl) propylsuccinic anhydride 3) 4545 에폭시 실란 커플링제4) Epoxy silane coupling agent 4) 0.50.5 BDMA5) BDMA 5) 1One EI-24C6) EI-24C 6) 1One

1)(주)국도화학, 점도 3500-4500 cps; 2)메틸헥사하이드로프탈산 무수물, (주)국도화학; 3)3-(triethoxysilyl)propylsuccinic anhydride, (주)Gelest; 4)에폭시실란, (주)UCT; 5)벤질디메틸아민, 시그마알드리치 ; 6)이미다졸 경화 촉진제, (주)시코쿠 1) Kukdo Chemical Co., Ltd., viscosity 3500-4500 cps; 2) methylhexahydrophthalic anhydride, Kukdo Chemical Co., Ltd .; 3) 3- (triethoxysilyl) propylsuccinic anhydride, Gelest Co .; 4) Epoxysilane, UCT Co., Ltd .; 5) benzyldimethylamine, sigma aldrich; 6) imidazole curing accelerator, Shikoku Co., Ltd.

실시예Example 3 3

다음 표 3의 조성물을 제조하고 여기에 중량 비율로 25:75으로 하여 구형 실리카(평균 입도 5 ㎛)를 혼합하여 최종적으로 본 발명의 반도체 언더필용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. Next, the composition of Table 3 was prepared, and a spherical silica (average particle size of 5 μm) was mixed in a weight ratio of 25:75 to finally prepare an epoxy resin composition for semiconductor underfill of the present invention.

원료Raw material 함량(Phr)Content (Phr) 비스페놀 F형 에폭시 수지1) Bisphenol F type epoxy resin 1) 9595 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지2) Hybrid Epoxy Resin Bonded with Siloxane 2) 55 MHHPA3) MHHPA 3) 9090 에폭시 실란 커플링제4) Epoxy silane coupling agent 4) 0.50.5 BDMA5) BDMA 5) 1One EI-24C6) EI-24C 6) 1One

1)(주)국도화학, 점도 3500-4500 cps; 2)폴리에폭사이드와 폴리실록산이 알더네이티브하게 결합된 선형의 블록 공중합체로서 양 말단에

Figure 112007085929509-pat00018
이 결합된 하이브리드 에폭시 수지; 3)메틸헥사하이드로프탈산 무수물, (주)국도화학; 4)에폭시 실란, (주)UCT; 5)벤질디메틸아민, 시그마 알드리치; 6)이미다졸 경화 촉진제, (주)시코쿠 1) Kukdo Chemical Co., Ltd., viscosity 3500-4500 cps; 2) linear block copolymers in which polyepoxides and polysiloxanes are bonded alderatively at both ends;
Figure 112007085929509-pat00018
This bonded hybrid epoxy resin; 3) methylhexahydrophthalic anhydride, Kukdo Chemical Co., Ltd .; 4) epoxy silane, UCT Co., Ltd .; 5) benzyldimethylamine, sigma aldrich; 6) imidazole curing accelerator, Shikoku Co., Ltd.

실시예Example 4 4

다음 표 4의 조성물을 제조하고 여기에 중량 비율로 25:75으로 하여 구형 실리카(평균 입도 5 ㎛)를 혼합하여 최종적으로 본 발명의 반도체 언더필용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. Next, the composition of Table 4 was prepared, and spherical silica (average particle size of 5 μm) was mixed in a weight ratio of 25:75 to finally prepare an epoxy resin composition for semiconductor underfill of the present invention.

원료Raw material 함량(Phr)Content (Phr) 비스페놀 F형 에폭시 수지1) Bisphenol F type epoxy resin 1) 1010 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지2) Hybrid Epoxy Resin Bonded with Siloxane 2) 9090 MHHPA3) MHHPA 3) 9090 에폭시 실란 커플링제4) Epoxy silane coupling agent 4) 0.50.5 BDMA5) BDMA 5) 1One EI-24C6) EI-24C 6) 1One

1)(주)국도화학, 점도 3500-4500 cps; 2)폴리에폭사이드와 폴리실록산이 알더네이티브하게 결합된 선형의 블록 공중합체로서 양 말단에

Figure 112007085929509-pat00019
이 결합된 하이브리드 에폭시 수지; 3)메틸헥사하이드로프탈산 무수물, (주)국도화학; 4)에폭시 실란, (주)UCT; 5)벤질디메틸아민, 시그마 알드리치; 6)이미다졸 경화 촉진제, (주)시코쿠 1) Kukdo Chemical Co., Ltd., viscosity 3500-4500 cps; 2) linear block copolymers in which polyepoxides and polysiloxanes are bonded alderatively at both ends;
Figure 112007085929509-pat00019
This bonded hybrid epoxy resin; 3) methylhexahydrophthalic anhydride, Kukdo Chemical Co., Ltd .; 4) epoxy silane, UCT Co., Ltd .; 5) benzyldimethylamine, sigma aldrich; 6) imidazole curing accelerator, Shikoku Co., Ltd.

실험예Experimental Example 1:  One: 언더필용For underfill 에폭시 수지 조성물의 특성 분석 Characterization of Epoxy Resin Compositions

상기 비교예 및 실시예에서 제조한 언더필용 에폭시 수지 조성물에 대하여 다양한 특성을 분석하였고, 그 결과는 표 6에 기재되어 있다.Various properties were analyzed for the underfill epoxy resin compositions prepared in Comparative Examples and Examples, and the results are shown in Table 6.

측정 항목Measurement item 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 점도 25
(cps)
Viscosity 25
(cps)
300± 50300 ± 50 300± 50300 ± 50 400± 50400 ± 50 35,000± 1,00035,000 ± 1,000
유리전이온도Glass transition temperature 110± 10℃110 ± 10 ℃ 110± 10℃110 ± 10 ℃ 108± 10℃108 ± 10 ℃ 110± 10℃110 ± 10 ℃ 열팽창계수Coefficient of thermal expansion 알파1Alpha 1 7575 8282 9292 2525 알파2Alpha 2 175175 180180 190190 113113 겔화시간 at 150℃Gel time at 150 ℃ 100± 5초100 ± 5 seconds 100± 5초100 ± 5 seconds 120± 5초120 ± 5 seconds 100± 5초100 ± 5 seconds 흡습율Moisture absorption 1.1%1.1% 1.1%1.1% 1.05%1.05% 0.35%0.35% 침투속도Penetration speed <15초<15 seconds <15초<15 seconds < 15초<15 seconds <30초<30 seconds

분석은 다음과 같이 하였다:The analysis was as follows:

1) 점도 Cone amp: 플레이트형 Brookfield 점도계를 사용하여 25℃에서 측정하였다.1) Viscosity Cone amp: Measured at 25 ° C. using a plate Brookfield viscometer.

2) 유리전이온도(Tg) 및 열팽창계수: TMA(Thermo Mechanical Analyser)로 평가 (승온속도 10℃/min)2) Glass transition temperature (Tg) and coefficient of thermal expansion: evaluated by TMA (Thermo Mechanical Analyser) (heating rate 10 ℃ / min)

3) 겔화시간: 핫 플레이트로 150℃에서 시료량 20-30 mg으로 하여 평가. 초시계를 사용하여 액상의 조성물이 경화하여 고상이 되는 시점을 측정하였다.3) Gelation time: Evaluated with a sample amount of 20-30 mg at 150 ° C. with a hot plate. Using the stopwatch, the time point at which the liquid composition cured and became a solid phase was measured.

4) 흡습율: 85℃/85 RH% 조건의 항온 항습 챔버에서 24시간 흡습시킨 후 무게 변화를 측정(포화상태 측정).4) Moisture Absorption: After 24 hours of moisture absorption in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C./85 RH%, the change in weight is measured (saturation state measurement).

5) 침투속도 측정: 400 x 400 mil의 커버글라스를 BT 레진 기판에 간극 24 μm(2mil)을 두고 커버 글라스 가장자리에 L자 모양으로 포팅하고, 모세관 효과에 의하여 액상 에폭시 조성물이 반대쪽의 가장자리까지 도달하는 시간을 측정함(80℃).5) Penetration rate measurement: Cover glass of 400 x 400 mil with L-shape on the cover glass edge with a gap of 24 μm (2 mil) on BT resin substrate, and the liquid epoxy composition reaches the opposite edge by capillary effect. Measure the time to do (80 ℃).

상기 표에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 에폭시 조성물은 흡습율이 작다. 통상적으로, 에폭시 조성물은 1.5% 이상의 흡습율을 나타내지만, 본 발명의 에폭시 조성물은 1.1% 이하의 흡습율을 나타내며, 특히 실시예 4의 경우에는 0.35%의 흡습율을 나타내었다. 따라서, 본 발명의 에폭시 조성물은 언더필용 조성물에서 요구되는 내습성이 매우 우수하다는 것을 알 수 있다.As can be seen from the above table, the epoxy composition of the present invention has a low moisture absorption rate. Typically, the epoxy composition exhibits a moisture absorption rate of 1.5% or more, but the epoxy composition of the present invention exhibits a moisture absorption rate of 1.1% or less, in particular, in Example 4, a moisture absorption rate of 0.35%. Therefore, it can be seen that the epoxy composition of the present invention is very excellent in moisture resistance required for the underfill composition.

또한, 본 발명의 에폭시 조성물은 침투속도도 매우 빠르다. 표에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 에폭시 조성물은 실시예를 4를 제외하고는 15초 이하의 침투속도를 나타낸다. 따라서, 본 발명의 에폭시 조성물은 언더필용 조성물에서 요구되는 흐름성이 매우 우수하다는 것을 알 수 있다.In addition, the epoxy composition of the present invention has a very fast penetration rate. As can be seen from the table, the epoxy composition of the present invention exhibits a penetration rate of 15 seconds or less except for Example 4. Therefore, it can be seen that the epoxy composition of the present invention is very excellent in the flowability required in the underfill composition.

이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현 예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백하다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항과 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.Having described the specific part of the present invention in detail, it is apparent to those skilled in the art that the specific technology is merely a preferred embodiment, and the scope of the present invention is not limited thereto. Thus, the substantial scope of the present invention will be defined by the appended claims and equivalents thereof.

Claims (13)

(a) 글라이시딜(glycidyl)기가 2개 이상인 에폭시 수지; (b) 실록산(siloxane)이 결합된 하이브리드 에폭시 수지; (c) 수지 100 중량부 기준 0.01-200 중량부의 경화제로서 산무수물, 산무수물과 실록산 무수물의 혼합물 또는 산무수물과 실릴 무수물의 혼합물; (d) 수지 100 중량부 기준 0.01-10 중량부의 경화촉진제; (e) 실란 커플링제 및 (f) 상기 (a)-(e) 중량에 대하여 3배 중량의 0.01-100 마이크로미터의 입자크기를 갖는 구형 또는 파쇄형 무기물 세라믹을 포함하는 내습성 및 흐름성이 개선된 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물.(a) epoxy resins having two or more glycidyl groups; (b) a hybrid epoxy resin having a siloxane bonded thereto; (c) 0.01-200 parts by weight of a curing agent based on 100 parts by weight of the resin as an acid anhydride, a mixture of acid anhydride and siloxane anhydride or a mixture of acid anhydride and silyl anhydride; (d) 0.01-10 parts by weight of a curing accelerator based on 100 parts by weight of the resin; Moisture and flow resistance properties include (e) a silane coupling agent and (f) a spherical or crushed inorganic ceramic having a particle size of 0.01-100 micrometers, which is three times by weight to the weight of (a)-(e). Improved hybrid epoxy composition for semiconductor underfill. 제 1 항에 있어서, 상기 글라이시딜기가 2개 이상인 에폭시 수지는 화학식 1의 비스페놀 A형 에폭시 수지, 화학식 2의 비스페놀 F형 에폭시 수지, 화학식 3의 3관능성 에폭시 수지, 화학식 4의 4관능성 에폭시, 화학식 5의 비스페놀 S형 에폭시 수지, 화학식 6의 나프탈렌 타입 에폭시 수지, 화학식 7의 터트-부틸-카테콜 에폭시 수지, 화학식 8의 페놀 노볼락 타입 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, BPA(brominated bisphenol A) 노볼락 에폭시 수지, 화학식 9의 하이드로게네이트 BPA 타입 에폭시 수지 또는 상기 에폭시 수지들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물:The epoxy resin of claim 1, wherein the epoxy resin having two or more glycidyl groups is a bisphenol A type epoxy resin of Formula 1, a bisphenol F type epoxy resin of Formula 2, a trifunctional epoxy resin of Formula 3, or a tetrafunctional of Formula 4 Epoxy, bisphenol S type epoxy resin of formula 5, naphthalene type epoxy resin of formula 6, tert-butyl-catechol epoxy resin of formula 7, phenol novolac type epoxy resin of formula 8, cresol novolac epoxy resin, BPA (brominated) bisphenol A) a novolak epoxy resin, a hydrogenated BPA type epoxy resin of formula 9 or a hybrid epoxy composition for a semiconductor underfill, characterized in that a mixture of the epoxy resins: 화학식 1Formula 1
Figure 112009005743776-pat00035
Figure 112009005743776-pat00035
화학식 2Formula 2
Figure 112009005743776-pat00036
Figure 112009005743776-pat00036
화학식 3Formula 3
Figure 112009005743776-pat00022
Figure 112009005743776-pat00022
상기 화학식 3에서, R은
Figure 112009005743776-pat00023
이고,
In Formula 3, R is
Figure 112009005743776-pat00023
ego,
화학식 4Formula 4
Figure 112009005743776-pat00024
Figure 112009005743776-pat00024
상기 화학식 4에서, R은
Figure 112009005743776-pat00025
이고,
In Formula 4, R is
Figure 112009005743776-pat00025
ego,
화학식 5Formula 5
Figure 112009005743776-pat00026
Figure 112009005743776-pat00026
상기 화학식 5에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이고,In Formula 5, R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an alkyl group, 화학식 66
Figure 112009005743776-pat00027
Figure 112009005743776-pat00027
화학식 7Formula 7
Figure 112009005743776-pat00028
Figure 112009005743776-pat00028
상기 화학식 7에서, R은 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이고,In Formula 7, R is each independently hydrogen or an alkyl group, 화학식 8Formula 8
Figure 112009005743776-pat00029
Figure 112009005743776-pat00029
상기 화학식 8에서, n은 1-10,000의 정수이고,In Formula 8, n is an integer of 1-10,000, 화학식 9Formula 9
Figure 112009005743776-pat00030
Figure 112009005743776-pat00030
상기 화학식 9에서, R은 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이다In Formula 9, each R is independently hydrogen or an alkyl group
제 1 항에 있어서, 상기 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지는 다음 일반식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물:The hybrid epoxy composition for semiconductor underfill according to claim 1, wherein the siloxane-bonded hybrid epoxy resin is represented by the following general formula (1): 일반식 1Formula 1 -(E)m-(S)n--(E) m- (S) n- 상기 일반식에서, E는 에폭시기를 나타내고, S는 실록산을 나타내며, m 및 n은 1-100의 정수이다.In the general formula, E represents an epoxy group, S represents a siloxane, and m and n are integers of 1-100. 제 3 항에 있어서, 상기 일반식 1로 표시되는 실록산이 결합된 하이브리드 에폭시 수지의 적어도 하나의 말단에는 에폭시기 또는 사이클로알리파틱 에폭시기가 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물. The hybrid epoxy composition for semiconductor underfill according to claim 3, wherein an epoxy group or a cycloaliphatic epoxy group is bonded to at least one end of the hybrid epoxy resin having a siloxane bond represented by the general formula (1). 제 1 항에 있어서, 상기 경화제로서의 산무수물은 프탈릭 무수물, 말레익 무수물, 트리멜리틱 무수물, 파이로멜리틱 무수물, 헥사하이드로프탈릭 무수물, 테트라하이드로프탈릭 무수물, 메틸나딕 무수물, 나딕 무수물, 글루타릭 무수물, 메틸헥사하이드로프탈릭 무수물, 메틸테트라하이드로프탈릭 무수물 또는 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물인 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물. The acid anhydride as the curing agent is phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, nadic anhydride, Glutaric anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride or 5- (2,5-dioxotetrahydro) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid It is anhydride, The hybrid epoxy composition for semiconductor underfills characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, 상기 경화제로서의 실록산 무수물은 다음 화학식 10으로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물:The hybrid epoxy composition for semiconductor underfill according to claim 1, wherein the siloxane anhydride as the curing agent is represented by the following Chemical Formula 10: 화학식 10Formula 10
Figure 112007085929509-pat00031
Figure 112007085929509-pat00031
상기 화학식에서, R1-R6는 서로 독립적으로 C1 -10 알킬, C1 -10 알콕시, C2 -10 알케닐 또는 C6 -14 아릴기이고, m은 1-10의 정수이고, n은 1-100의 정수이며, p는 1-10의 정수이다.And in the formula, R 1 -R 6 are independently C 1 -10 alkyl, C 1 -10 alkoxy, C 2 -10 alkenyl or C 6 -14 aryl group, m is an integer of 1-10 to each other, n Is an integer of 1-100, p is an integer of 1-10.
제 1 항에 있어서, 상기 경화제로서의 실릴 무수물은 다음 화학식 11로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물:2. The hybrid epoxy composition for semiconductor underfill according to claim 1, wherein the silyl anhydride as the curing agent is represented by the following general formula (11): 화학식 11Formula 11
Figure 112007085929509-pat00032
Figure 112007085929509-pat00032
상기 화학식에서, R1-R3는 서로 독립적으로 C1 -10 알킬, C1 -10 알콕시, C2 -10 알케닐 또는 C6 -14 아릴기이고, m은 1-10의 정수이다.In the formula, R 1 -R 3 are independently C 1 -10 alkyl, C 1 -10 alkoxy, C 2 -10 alkenyl or C 6 -14 aryl group to each other, m is an integer of 1-10.
제 1 항에 있어서, 상기 경화 촉진제는 말단기에 -OH, -COOH, SO3H, -CONH2, -CONHR(R은 알킬기를 나타낸다), -SO3NH2, -SO3NHR(R은 알킬기를 나타낸다) 또는 -SH를 갖는 경화촉진제 또는 이미다졸계 경화 촉진제인 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물.According to claim 1, wherein the curing accelerator is -OH, -COOH, SO 3 H, -CONH 2 , -CONHR (R represents an alkyl group), -SO 3 NH 2 , -SO 3 NHR (R is An alkyl group) or a curing accelerator having -SH or an imidazole series curing accelerator. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 실란 커플링제는 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리스(2-에틸에톡시)실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, (3-글라이시독시프로필)메틸디에톡시실란, 3-글라이시독시프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 비스[3-(트리스에톡시실릴)프로필]테트라설파이드, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란인 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물.The method of claim 1, wherein the silane coupling agent is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- ( 2-aminoethyl) -3-aminopropyltris (2-ethylethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 2- ( 3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, bis [ 3- (trisethoxysilyl) propyl] tetrasulfide, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, or 3-mercaptopropyltrimethoxysilane. A hybrid epoxy composition for semiconductor underfill. 제 1 항에 있어서, 상기 실록산(siloxane)이 결합된 하이브리드 에폭시 수지는 20- 80 wt%의 실리콘 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물.The hybrid epoxy composition for semiconductor underfill according to claim 1, wherein the siloxane-bonded hybrid epoxy resin has a silicon content of 20-80 wt%. 제 1 항에 있어서, 상기 실록산(siloxane)이 결합된 하이브리드 에폭시 수지는 600-3000 g/equiv의 EEW(epoxy equivalent weight)를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물.The hybrid epoxy composition of claim 1, wherein the siloxane-bonded hybrid epoxy resin has an epoxy equivalent weight (EEW) of 600-3000 g / equiv. 제 1 항에 있어서, 상기 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물은 0.20-1.3%의 흡습율을 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 언더필용 하이브리드 에폭시 조성물.The hybrid epoxy composition for semiconductor underfill according to claim 1, wherein the hybrid epoxy composition for underfill exhibits a moisture absorption of 0.20-1.3%.
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