KR100974013B1 - Apparatus and method for measuring temperature of wafer in Rapid Thermal Processor - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치는, 웨이퍼(20)의 상부에서 웨이퍼(20)를 가열하는 가열램프(10); 웨이퍼(20)의 하부에서 웨이퍼(20)의 온도를 측정하는 파이로미터(30); 파이로미터(30)의 측정온도 그래프에서 위로 볼록한 첫 번째 꼭지점(U1)과 아래로 볼록한 두 번째 꼭지점(U2)을 찾아내어 두 번째 꼭지점(U2)에서부터 온도제어시작명령을 출력하는 온도제어시작결정수단(70); 및 상기 온도제어시작명령을 입력받아 가열램프(10)에 인가되는 전력을 제어하는 온도제어수단(40);을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 파이로미터가 실제 웨이퍼의 온도를 정확히 측정하는 시점을 웨이퍼의 종류나 특성에 상관없이 가장 빠르게 파악할 수 있게 된다. Wafer temperature measuring apparatus of the rapid thermal processing apparatus according to the present invention, the heating lamp 10 for heating the wafer 20 in the upper portion of the wafer 20; A pyrometer 30 measuring the temperature of the wafer 20 at the bottom of the wafer 20; Determination of temperature control start that finds the first convex vertex (U1) and the second convex vertex (U2) that are convex upward from the measured temperature graph of the pyrometer (30) and outputs the temperature control start command from the second vertex (U2). Means 70; And a temperature control means 40 which receives the temperature control start command and controls the power applied to the heating lamp 10. According to the present invention, the point at which the pyrometer accurately measures the actual temperature of the wafer can be quickly determined regardless of the type or characteristics of the wafer.

급속열처리장치, 파이로미터, 투과도, 꼭지점, 폐루프 Rapid heat treatment device, pyrometer, transmittance, vertex, closed loop

Description

급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치 및 온도측정방법 {Apparatus and method for measuring temperature of wafer in Rapid Thermal Processor}Apparatus and method for measuring temperature of wafer in Rapid Thermal Processor

본 발명은 급속열처리 장치의 웨이퍼 온도측정장치 및 온도제어방법에 관한 것으로서, 특히 파이로미터를 사용하여 온도를 측정하는 경우에 웨이퍼의 실제 온도를 가장 빠르게 측정할 수 있는 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치 및 온도제어방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer temperature measuring apparatus and a temperature control method of a rapid thermal processing apparatus. In particular, the wafer temperature measurement of a rapid thermal processing apparatus that can quickly measure the actual temperature of a wafer in the case of measuring a temperature using a pyrometer An apparatus and a temperature control method are provided.

급속열처리 장치에서 웨이퍼의 온도는 파이로미터를 통하여 측정된다. 파이로미터는 0.8~1.1㎛의 파장대를 이용하여 온도를 측정하고 그 측정영역은 350~1250도 정도이다. 그런데 0.8~1.1㎛의 파장대에서 실리콘 웨이퍼의 광 투과도(transmittance)는 웨이퍼의 온도에 의존한다. 예컨대 25도(상온)에서의 실리콘 웨이퍼의 광투과도는 0.6 정도이고 400도 이상에서는 0(불투명)에 가깝다. 따라서 이러한 광투과도의 온도에 따른 변화로 인하여 파이로미터의 온도측정에 에러가 생긴다.In a rapid heat treatment apparatus, the temperature of the wafer is measured through a pyrometer. The pyrometer measures the temperature using the wavelength band of 0.8 ~ 1.1㎛ and its measuring range is about 350 ~ 1250 degrees. By the way, the light transmittance of the silicon wafer in the wavelength range of 0.8 ~ 1.1㎛ depends on the temperature of the wafer. For example, the light transmittance of a silicon wafer at 25 degrees (room temperature) is about 0.6 and close to 0 (opacity) at 400 degrees or more. Therefore, an error occurs in the temperature measurement of the pyrometer due to the change in temperature of the light transmittance.

도 1은 종래의 급속열처리 장치의 웨이퍼 온도측정장치를 설명하기 위한 도면이다. 할로겐 램프(10)의 복사열을 통하여 웨이퍼(20)가 가열되고, 웨이퍼(20)의 온도는 웨이퍼(20)의 밑에 설치되는 파이로미터(30)를 통해서 이루어진다. 온도제어수단(40)은 파이로미터(30)를 통해 읽어진 온도를 통해 할로겐 램프(10)에 인가되는 전력을 제어함으로써 웨이퍼(20)의 온도를 제어한다. 이 때 파이로미터(30)가 웨이퍼(20)의 온도를 정확히 측정하는 데에는 약간의 시간경과가 필요하다. 1 is a view for explaining a wafer temperature measuring apparatus of a conventional rapid heat treatment apparatus. The wafer 20 is heated through the radiant heat of the halogen lamp 10, and the temperature of the wafer 20 is made through a pyrometer 30 installed under the wafer 20. The temperature control means 40 controls the temperature of the wafer 20 by controlling the power applied to the halogen lamp 10 through the temperature read through the pyrometer 30. At this time, the pyrometer 30 requires some time to accurately measure the temperature of the wafer 20.

도 2는 웨이퍼(20)를 30초 동안에 900도까지 올리는 경우에 가열 초반에 파이로미터(30)에 의해 측정되는 온도(31)가 웨이퍼의 실제온도(32)와 차이가 나는 것을 설명하기 위한 그래프이다. 웨이퍼의 실제온도(32)는 열전대를 통해서 측정하였으며, 참조번호 33은 파이로미터 측정온도(31)와 웨이퍼 실제온도(32)의 차이를 나타내는 그래프며, 참조번호 34는 할로겐 램프(10)에 인가되는 전력 그래프이다. FIG. 2 illustrates that the temperature 31 measured by the pyrometer 30 at the beginning of heating when the wafer 20 is raised to 900 degrees in 30 seconds is different from the actual temperature 32 of the wafer. It is a graph. The actual temperature 32 of the wafer was measured using a thermocouple, and reference numeral 33 is a graph representing the difference between the pyrometer measurement temperature 31 and the wafer actual temperature 32, and reference numeral 34 is a halogen lamp 10. It is a power graph applied.

도 2를 참조하면, 램프 가열후 약 50초 정도가 지나야 파이로미터 측정온도(31)가 웨이퍼 실제온도(32)와 같아짐을 알 수 있다. 이는 상술한 바와 같이 파이로미터(30)의 온도측정에 이용되는 0.8~1.1㎛의 파장대에서 웨이퍼(20)의 광 투과도가 온도에 따라 달라지기 때문이다. Referring to FIG. 2, it can be seen that about 50 seconds after the lamp is heated, the pyrometer measurement temperature 31 is equal to the wafer actual temperature 32. This is because, as described above, the light transmittance of the wafer 20 varies depending on the temperature in the wavelength band of 0.8 to 1.1 μm used for the temperature measurement of the pyrometer 30.

구체적으로, 가열초반에는 웨이퍼의 광투과도가 상대적으로 높기 때문에 할로겐 램프(10)에서 나오는 빛이 웨이퍼(20)를 통과하여 직접 파이로미터(30)에 도달해버린다. 따라서 참조부호 A로 표시한 바와 같이, 웨이퍼 실제온도(32)는 상승하지 않음에도 불구하고 파이로미터 측정온도(31)는 상승하여 첫 번째 꼭지점(U1)까지 도달한다. Specifically, since the light transmittance of the wafer is relatively high at the beginning of heating, the light emitted from the halogen lamp 10 passes through the wafer 20 and directly reaches the pyrometer 30. Therefore, as indicated by reference numeral A, the pyrometer measurement temperature 31 rises to reach the first vertex U1 even though the wafer actual temperature 32 does not rise.

그 후에는 할로겐 램프(10)에 인가되는 전력이 일정하게 유지되는 지점에서 웨이퍼 실제온도(32)가 상승하게 되고 이에 따라 웨이퍼(20)의 광투과도가 떨어져서 할로겐 램프(10)에서 나오는 빛의 웨이퍼(20) 투과도가 작아지게 된다. 따라서 이 구간에서는 파이로미터 측정온도(31)가 점점 떨어진다. 그러다가 웨이퍼 실제온도(32)가 400도 부근에 접근할 때 파이로미터 측정온도(31)가 비로소 웨이퍼 실제온도(32)에 접근하게 되어 두 번째 꼭지점(U2)을 형성하게 된다. Thereafter, at a point where the power applied to the halogen lamp 10 is kept constant, the actual temperature of the wafer 32 rises, and thus the light transmittance of the wafer 20 drops and the wafer of light emitted from the halogen lamp 10 is lost. (20) The transmittance becomes small. Therefore, the pyrometer measurement temperature 31 gradually falls in this section. Then, when the wafer actual temperature 32 approaches 400 degrees, the pyrometer measurement temperature 31 finally approaches the wafer actual temperature 32 to form the second vertex U2.

따라서 상술한 종래의 급속열처리 장치의 경우는 일정한 전력과 시간동안 웨이퍼에 열을 가하여 400도 부근에 도달하였다고 판단되면 비로소 도 1과 같은 폐루프(closed loop) 방식으로 귀환신호를 통해 웨이퍼의 온도를 제어한다. 이 때 400도에 도달하였음을 판단할 방법이 없기 때문에 일정시간 경과 후에 이러한 폐루프 방식으로의 전환이 일어난다. Therefore, in the case of the conventional rapid heat treatment apparatus described above, when it is determined that the wafer reaches 400 degrees by applying heat to the wafer for a constant power and time, the temperature of the wafer is changed by the feedback signal in a closed loop method as shown in FIG. To control. At this time, since there is no way of judging that the temperature reaches 400 degrees, the switch to the closed loop method occurs after a certain time.

그러나 이 경우 폐루프 방식 전환시간에 오차가 생기면 그 사이의 낮은 온도는 제어가 불가능하게 된다. 예컨대 60초 후에 폐루프 방식으로 전환하였다면 웨이퍼 온도는 이미 600도가 되어 버린다. 더구나 이러한 오차는 기판으로 사용되는 웨이퍼의 특성이나 종류에 따라 달라진다. In this case, however, if an error occurs in the closed-loop switching time, the low temperature between them becomes impossible to control. For example, if it is switched to the closed loop method after 60 seconds, the wafer temperature is already 600 degrees. Moreover, this error depends on the characteristics or the type of wafer used as the substrate.

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 파이로미터를 사용하여 온도를 측정하는 경우에 웨이퍼의 실제 온도를 가장 빠르게 측정할 수 있도록 함으로써 웨 이퍼의 종류 및 특성에 따른 실제온도 도달시간의 변화에 대응할 수 있는 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치 및 온도제어방법을 제공하는 데 있다. Therefore, the problem to be solved by the present invention is to respond to the change in the actual temperature arrival time according to the type and characteristics of the wafer by enabling the fastest measurement of the actual temperature of the wafer when measuring the temperature using a pyrometer The present invention provides a wafer temperature measuring apparatus and a temperature control method of a rapid thermal processing apparatus.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치는, 웨이퍼의 상부에서 웨이퍼를 가열하는 가열램프; 상기 웨이퍼의 하부에서 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 파이로미터; 상기 파이로미터의 측정온도 그래프에서 위로 볼록한 첫 번째 꼭지점과 아래로 볼록한 두 번째 꼭지점을 찾아내어 상기 두 번째 꼭지점에서부터 온도제어시작명령을 출력하는 온도제어시작결정수단; 및 상기 온도제어시작명령을 입력받아 상기 가열램프에 인가되는 전력을 제어하는 온도제어수단;을 구비하는 것을 특징으로 한다. Wafer temperature measuring apparatus of the rapid thermal processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the heating lamp for heating the wafer on top of the wafer; A pyrometer measuring a temperature of the wafer at the bottom of the wafer; Temperature control start determining means for finding a first vertex that is convex upward and a second vertex that is convex downward in the measured temperature graph of the pyrometer and outputting a temperature control start command from the second vertex; And temperature control means for receiving the temperature control start command and controlling power applied to the heating lamp.

상기 파이로미터에서 측정되는 온도 그래프의 잡음을 제거하는 저역통과필터가 더 설치되는 것이 바람직하고, 이 경우 상기 온도제어시작결정수단은 상기 저역통과필터를 통과한 파이로미터 측정온도 그래프에서 위로 볼록한 첫 번째 꼭지점과 아래로 볼록한 두 번째 꼭지점을 찾아낸다.Preferably, a low pass filter for removing the noise of the temperature graph measured by the pyrometer is further installed, and in this case, the temperature control start determining means is convex upward in the pyrometer measurement temperature graph passing through the low pass filter. Find the first vertex and the second convex down.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정방법은, 웨이퍼의 상부에 있는 가열램프를 통하여 웨이퍼를 가열하면서 상기 웨이퍼의 밑에 설치되는 파이로미터로 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 단계; 상기 파이로미터로 측정되는 온도 그래프에서 위로 볼록한 첫 번째 꼭지점과 아래로 볼록한 두 번째 꼭지점을 찾아내는 단계; 및 상기 두 번째 꼭지점의 발생시점으로부터 상기 파이로미터의 측정온도를 피드백신호로 하여 상기 가열램프에 인가되는 전력을 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. Wafer temperature measuring method of the rapid thermal processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is to measure the temperature of the wafer with a pyrometer installed under the wafer while heating the wafer through a heating lamp on the top of the wafer step; Finding a first vertex that is convex upward and a second vertex that is convex downward in the temperature graph measured by the pyrometer; And controlling the power applied to the heating lamp by using the measured temperature of the pyrometer as a feedback signal from the time of occurrence of the second vertex.

상기 파이로미터로 측정되는 온도 그래프의 잡음을 제거하는 필터링 단계를 더 포함하는 것이 바람직하고, 이 경우 상기 첫 번째 꼭지점과 두 번째 꼭지점을 찾아내는 단계는 상기 필터링 단계 이후에 이루어진다. The method may further include a filtering step of removing noise of the temperature graph measured by the pyrometer, and in this case, finding the first vertex and the second vertex is performed after the filtering step.

본 발명에 의하면, 파이로미터가 실제 웨이퍼의 온도를 정확히 측정하는 시점을 웨이퍼의 종류나 특성에 상관없이 가장 빠르게 파악할 수 있게 된다. According to the present invention, the point at which the pyrometer accurately measures the actual temperature of the wafer can be quickly determined regardless of the type or characteristics of the wafer.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 아래의 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예에 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following examples are only presented to understand the content of the present invention, and those skilled in the art will be capable of many modifications within the technical spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited to these embodiments.

또한, 이하에서 웨이퍼라고 함은 통상적으로 실리콘 웨이퍼를 지칭하나, 본 발명의 사상은 온도에 따라 변화되는 광투과율을 가지며, 웨이퍼의 온도가 올라감에 따라서 불투명성을 나타내는 웨이퍼라면 어떤 종류의 웨이퍼에도 적용될 수 있음은 물론이다.In addition, hereinafter, a wafer generally refers to a silicon wafer, but the idea of the present invention may be applied to any kind of wafer as long as the wafer has a light transmittance that varies with temperature and exhibits opacity as the temperature of the wafer rises. Of course.

도 3 및 도 5는 본 발명에 따른 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치 및 온도제어방법을 설명하기 위한 도면이다. 도면에 있어서, 도1과 동일한 참조번호는 동일기능을 수행하는 구성요소를 나타내며 이에 대한 반복적인 설명은 생략한다.3 and 5 are views for explaining a wafer temperature measuring apparatus and a temperature control method of a rapid thermal processing apparatus according to the present invention. In the drawings, the same reference numerals as in FIG. 1 denote components that perform the same function, and a repetitive description thereof will be omitted.

도 3 및 도 5를 참조하면, 할로겐 램프(10)에 귀환신호를 보내지 않는 오픈 루프(open loop) 상태에서 할로겐 램프(10)에 전력을 인가하고(S101), 이 때의 온도를 파이로미터(30)로 측정한다(S102). 3 and 5, power is applied to the halogen lamp 10 in an open loop state in which a feedback signal is not sent to the halogen lamp 10 (S101), and the temperature at this time is measured by a pyrometer. Measured by (30) (S102).

파이로미터(30)에서 측정되는 온도 그래프는 저역통과필터(low pass filter, 60)를 통하여 잡음이 걸러진다. 저역통과필터(60)를 거친 파이로미터 측정온도 그래프(31)는 도 4에 도시된 바와 같이 가열초반에 위로 볼록한 첫 번째 꼭지점(U1)과 아래로 볼록한 두 번째 꼭지점(U2)이 순차적으로 생긴다. 첫 번째 꼭지점(U1)과 두 번째 꼭지점(U2)이 발생되기 전에는 이러한 오픈루프 상태에서의 전력인가가 계속 이루어지도록 한다. The temperature graph measured at the pyrometer 30 is filtered through a low pass filter 60. As shown in FIG. 4, the pyrometer measurement temperature graph 31 passing through the low pass filter 60 sequentially generates the first vertex U1 which is convex upward and the second vertex U2 which is convex downward. . Until the first vertex (U1) and the second vertex (U2) occurs, the power is applied in this open loop state.

저역통과필터(60)를 거친 그래프에서 첫 번째 꼭지점(U1)과 두 번째 꼭지점(U2)이 발생하면(S103, S104), 온도제어시작 결정수단(70)은 두 번째 꼭지점(U2)에서부터 온도제어시작명령을 내보낸다. 그러면 온도제어수단(40)은 상기 온도제어시작명령을 입력받아 할로겐 램프(10)에 인가되는 전력을 제어하여 폐루프(closed loop) 방식으로 웨이퍼(20)의 온도를 제어한다(S105). When the first vertex U1 and the second vertex U2 occur in the graph passing through the low pass filter 60 (S103, S104), the temperature control start determining means 70 controls the temperature from the second vertex U2. Export the start command. Then the temperature control means 40 receives the temperature control start command to control the power applied to the halogen lamp 10 to control the temperature of the wafer 20 in a closed loop (S105).

본 발명에 의하면 파이로미터(30)가 실제 웨이퍼의 온도를 정확히 측정하는 시점을 웨이퍼(20)의 종류나 특성에 상관없이 가장 빠르게 파악할 수 있게 된다. According to the present invention, the point at which the pyrometer 30 accurately measures the temperature of the actual wafer can be quickly determined regardless of the type or characteristics of the wafer 20.

도 1은 종래의 급속열처리 장치의 웨이퍼 온도측정장치를 설명하기 위한 도면;1 is a view for explaining a wafer temperature measuring apparatus of a conventional rapid thermal processing apparatus;

도 2는 도 1의 온도측정장치의 문제점을 설명하기 위한 그래프;2 is a graph illustrating a problem of the temperature measuring device of FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치를 설명하기 위한 도면;3 is a view for explaining a wafer temperature measuring apparatus of the rapid thermal processing apparatus according to the present invention;

도 4는 도 3의 저역통과필터(60)를 거친 파이로미터 측정온도 그래프(31)를 설명하기 위한 도면; 4 is a view for explaining a pyrometer measurement temperature graph 31 passed through the low pass filter 60 of FIG.

도 5는 본 발명에 따른 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 5 is a flowchart illustrating a wafer temperature measuring method of a rapid thermal processing apparatus according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 참조번호의 설명><Description of reference numbers for the main parts of the drawings>

10: 할로겐 램프 20: 웨이퍼10: halogen lamp 20: wafer

30: 파이로미터 31: 파이로미터 측정30: pyrometer 31: pyrometer measurement

32: 웨이퍼 실제온도 40: 온도제어수단32: actual temperature of wafer 40: temperature control means

60: 저역통과필터 70: 온도제어시작 결정수단60: low pass filter 70: temperature control start determination means

Claims (5)

웨이퍼의 상부에서 웨이퍼를 가열하는 가열램프;A heating lamp for heating the wafer on top of the wafer; 상기 웨이퍼의 하부에 배치되어 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 파이로미터;A pyrometer disposed under the wafer to measure a temperature of the wafer; 상기 파이로미터에 연결되고, 상기 파이로미터로 측정된 온도 그래프의 잡음을 제거하는 저역통과필터;A low pass filter connected to the pyrometer and removing noise of the temperature graph measured by the pyrometer; 상기 웨이퍼의 온도가 상승하여 제1 꼭지점의 제1 온도에 도달할 때까지 상기 가열램프에 제1 전력을 인가하고, 상기 제1 꼭지점의 온도에서 온도가 하강하여 제2 꼭지점의 제2 온도에 도달하는 지점에서 상기 가열램프에 인가되는 전력을 조절하여 상기 제1 전력과 서로 다른 제2 전력으로 인가하는 온도제어수단; 및The first electric power is applied to the heating lamp until the temperature of the wafer rises to reach the first temperature of the first vertex, and the temperature decreases at the temperature of the first vertex to reach the second temperature of the second vertex. Temperature control means for controlling the power applied to the heating lamp at a point to apply the second power different from the first power; And 상기 온도제어수단에 온도제어시작명령을 출력하는 온도제어시작결정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정장치. And a temperature control start determination means for outputting a temperature control start command to the temperature control means. 삭제delete 웨이퍼의 상부에 배치된 가열램프에 전력을 인가하여 상기 웨이퍼를 가열하면서 상기 가열되는 웨이퍼의 온도를 파이로미터로 측정하는 단계;Measuring a temperature of the heated wafer with a pyrometer while heating the wafer by applying power to a heating lamp disposed on the wafer; 상기 웨이퍼를 가열하는 동안 파이로미터로 웨이퍼의 온도를 측정하여 상기 웨이퍼의 온도가 상승하여 제1 꼭지점의 제1 온도에 도달할 때까지 상기 가열램프에 제1 전력을 인가하는 단계; 및Measuring the temperature of the wafer with a pyrometer while heating the wafer to apply first power to the heating lamp until the temperature of the wafer rises to reach a first temperature of a first vertex; And 상기 제1 꼭지점의 온도에서 온도가 하강하여 제2 꼭지점의 제2 온도에 도달하는 지점에서 상기 가열램프에 인가되는 전력을 조절하여 상기 제1 전력과 서로 다른 제2 전력으로 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정방법.And adjusting the power applied to the heating lamp at a point where the temperature decreases at the temperature of the first vertex to reach the second temperature of the second vertex, and applying the second power different from the first power. Wafer temperature measuring method of the rapid thermal processing apparatus characterized in that. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 파이로미터로 측정하는 단계는, 상기 파이로미터로 측정되는 온도 그래프의 잡음을 제거하는 필터링 단계를 더 포함하는 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정방법. The measuring by the pyrometer, Wafer temperature measuring method of the rapid thermal processing apparatus further comprises the step of filtering to remove noise of the temperature graph measured by the pyrometer. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 제1 꼭지점의 제1 온도 및 제2 꼭지점의 제2 온도는 상기 웨이퍼를 가열하기 시작한 후 20초 내지 60초 사이에서 검출하는 급속열처리장치의 웨이퍼 온도측정방법.And a first temperature of the first vertex and a second temperature of the second vertex are detected between 20 seconds and 60 seconds after starting the heating of the wafer.
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