KR100967918B1 - Data loss prevention apparatus and method of single poly eeprom by surge noise - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치는 외부로부터 입력되는 신호를 기 설정된 시간동안 지연하여 출력하는 제 1 신호 처리부; 상기 제 1 신호 처리부와 병렬로 연결되며, 외부로부터 입력되는 신호가 상기 제 1 신호 처리부보다 작은 기 설정된 시간동안 지연하여 출력하는 제 2 신호 처리부; 프로그램 시, 외부로부터 인에이블 신호(High)를 입력받아 동작하여 제어 신호(low)를 제공하는 한편, 프로그램을 입력하지 않을 경우 상기 제 2 신호 처리부와 연동하여 제 2 신호 처리부를 통해 입력되는 신호의 지연을 제어하는 신호 입력 제어부; 및 프로그램 시, 상기 신호 입력 제어부로부터 제어 신호(Low)를 입력받아 동작하여 상기 제 1 신호 처리부를 통해 입력되는 입력 신호를 이이피롬 제어부로 출력하는 한편, 프로그램을 입력하지 않을 경우 상기 제 1 신호 입력부와 상기 제 2 신호 처리부의 신호 입력 시간차에 따라 입력 신호를 차단하거나 출력하는 입력 전원 판단부를 포함하는 것으로, 이이피롬의 프로그램 또는 삭제를 하지 않는 상태에서 서지 노이즈로 인해 발생되는 이이피롬의 데이터 손실을 미연에 방지할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.
An apparatus for preventing data loss of a single poly Ypirom caused by surge noise according to the present invention includes: a first signal processor configured to delay and output a signal input from an external source for a predetermined time; A second signal processor connected in parallel with the first signal processor and outputting a signal input from the outside for a predetermined time smaller than the first signal processor; During programming, the enable signal High is received from the outside and operated to provide a control signal low, and when the program is not input, the signal input through the second signal processor in conjunction with the second signal processor is not used. A signal input control unit controlling a delay; And, when programming, receive a control signal from the signal input control unit to output an input signal input through the first signal processing unit to an Y-pyrom control unit, and if the program is not input, the first signal input unit. And an input power determination unit which cuts or outputs an input signal according to a signal input time difference of the second signal processor, wherein the data loss of Y-pyrom generated by surge noise is not generated without programming or deleting Y-pyrom. There is an excellent effect that can be prevented.
Description
본 발명은 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치 및 방법에 관한 것으로, 드라이브 IC의 출력 전압, 밝기, 및 능동형 유기 발광 다이오드 패널(panel)의 화이트 밸런스를 위한 정보가 내장된 싱글 폴리 이이피롬에 관한 것입니다. BACKGROUND OF THE
일반적으로 비휘발성 메모리의 구현 방법 중 하나로 Standard CMOS 공정을 사용한 싱글 폴리 이이피롬(EEPROM)이 있다. In general, one method of implementing a nonvolatile memory is a single poly IEPROM using a standard CMOS process.
싱글 폴리 이이피롬의 경우, 일반적인 이이피롬 공정을 사용한 것에 대비 면적 측면에서 불리하지만, 추가되는 마스크(mask) 수를 줄일 수 있기 때문에, 적은 메모리가 필요한 어플리케이션(application)에 매우 유용하다. Single poly ypyrom is disadvantageous in terms of area compared to using a conventional ypyrom process, but is very useful for applications requiring less memory because it can reduce the number of masks added.
하지만, 이 경우 외부 서지 노이즈(surge noise)에 대한 immunity가 매우 낮 기 때문에 시스템 조립 및 외부 노이즈에 기인한 데이터 손실(data loss)이 발생할 수 있는 문제점이 있었다. However, in this case, since immunity to external surge noise is very low, data loss due to system assembly and external noise may occur.
하기에서는 싱글 폴리 이이피롬의 동작 원리에 대하여 설명한다. Hereinafter, the operating principle of the single poly Y pyrom will be described.
도 1은 일반적인 싱글 폴리 이이피롬의 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing the structure of a typical single poly ypyrom.
하나의 n-type MOSFET(Metal Oxide Silicon Fie이 Effect Transistor)와 두 개의 Poly-Active의 캐패시터(capacitor)로 구현 가능하다. It can be implemented with one n-type MOSFET (Metal Oxide Silicon Fie Effect Transistor) and two Poly-Active capacitors.
이 경우 각각의 캐패시터의 액티브 노드(Active Node)가 프로그램 게이트(PG)(31)와 이레이즈 게이트(EG)(32)가 되며, 캐패시터의 폴리 노드와 MOSFET의 게이트가 쇼트되어 플로팅 게이트(FG)(33)를 형성한다. In this case, the active node of each capacitor becomes the program gate (PG) 31 and the erase gate (EG) 32, and the poly node of the capacitor and the gate of the MOSFET are short-circuited to form the floating gate (FG). 33 is formed.
프로그램/삭제(Erase)의 동작은 아래 [표 1]과 같이, PG와 EG에 인가되는 전압을 제어하여 구현한다. The program / erase operation is implemented by controlling voltages applied to PG and EG as shown in [Table 1] below.
[표 1]TABLE 1
이 경우, PG(cap1)(31)와 EG(cap2)(32)를 형성하는 캐패시터는 약 20:1의 커플링(coupling)이 존재한다. 즉, 프로그램의 경우, PG(31)에 높은 전압(약 20V)을 인가하고, EG(32)에 GND(0V)를 인가하면, 두 캐패시터의 커플링에 의해 전자가 EG(32)를 통해 FG(33)로 주입되게 되며(FN-tunneling), n-type MOSFET(34)의 VT(Threshold Voltage)는 높아진다. In this case, there is a coupling of about 20: 1 in the capacitor forming the PG (cap1) 31 and the EG (cap2) 32. That is, in the case of a program, when a high voltage (approximately 20 V) is applied to the
반대로 삭제의 경우, PG(31)에 GND를 인가하고, EP(32)에 높은 전압(약 20V)을 인가하면, FG(33)에 주입된 전자가 EG(32)를 통해 빠져 나와(FN-tunneling), n-type MOSFET(34)의 VT는 낮아진다. On the contrary, in the case of erasing, when GND is applied to the
[표 1]과 같이 PG(31)/EG(32)에 동시에 0V를 인가하여, n-type MOSFET(34)의 on/off를 센싱(sensing)하여 데이터를 읽게 된다. As shown in Table 1, 0V is simultaneously applied to the
도 2는 일반적인 싱글 폴리 이이피롬 회로에 대한 캐패시턴스 등가 회로를 나타낸 도면이다. FIG. 2 is a diagram showing a capacitance equivalent circuit for a typical single poly ypyrom circuit.
종래 싱글 폴리 이이피롬 회로의 경우 정상적으로 동작하는 MTP의 경우 프로그램/삭제 동작을 수행하지 않는 한 기억된 데이터 값은 변하지 않아야 된다. In the case of the conventional single poly YPIROM circuit, in the case of the MTP operating normally, the stored data value should not change unless the program / erase operation is performed.
그러나 전원을 인가하지 않은 상태에서 전원선에 서지 노이즈가 발생했을 때 싱글 폴리 이이피롬의 상태가 프로그램으로 변하는 현상이 발생할 수 있다. However, when the surge noise occurs on the power line without the power applied, the state of the single poly Y pyrom may change into a program.
도 3은 서지 노이즈의 입력을 나타낸 커패시턴스의 등가 회로로써, MOSFET(34)가 캐패시터로 작용하게 되면, 프로그램 게이트(cap1)(31)/이레이즈 게이트(cap2)(32)/MOSFET(cap3)(34)의 캐패시턴스는 20:1:1.5가 된다. FIG. 3 is a capacitance equivalent circuit showing the input of surge noise. When the
이 경우 MOSFET(34)의 캐패시턴스는 그 크기에 의존하며, n-type MOSFET(34)의 몸체는 GND로 연결되어 있으므로 MOSFET(cap3)(34)의 한쪽 노드는 항상 GND로 연결된다. In this case, the capacitance of the
전원이 인가되지 않은 상태에서 높은 전압을 인가하는 전원선을 통해 서지 노이즈가 인가되면 이이피롬 제어부(10)는 역할을 할 수 없게 되고 프로그램 게이 트(31)/이레이즈 게이트(32)에 동시에 높은 전압이 인가될 수 있다. If surge noise is applied through a power line applying a high voltage in a state where power is not applied, the YPIROM
이러한 경우, 프로그램 게이트(cap1)(31)와 MOSFET(cap3)(34)의 커플링에 의해 MOSFET의 몸체(body)를 통해 FG(33)에 전자가 주입되어 프로그램 상태(VT 상승)로 변화하는 문제점이 있었다. In this case, electrons are injected into the
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 외부 서지 노이즈에 대한 필터 회로를 구현함으로써 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실을 미연에 방지할 수 있는 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치 및 방법을 제공하는 데 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to implement a filter circuit for external surge noise. Disclosed is an apparatus and method for preventing data loss of polypyrom.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치의 일 측면에 따르면, 외부로부터 입력되는 신호를 기 설정된 시간동안 지연하여 출력하는 제 1 신호 처리부; 상기 제 1 신호 처리부와 병렬로 연결되며, 외부로부터 입력되는 신호가 상기 제 1 신호 처리부보다 작은 기 설정된 시간동안 지연하여 출력하는 제 2 신호 처리부; 프로그램 시, 외부로부터 인에이블 신호(High)를 입력받아 동작하여 제어 신호(low)를 제공하는 한편, 프로그램을 입력하지 않을 경우 상기 제 2 신호 처리부와 연동하여 제 2 신호 처리부를 통해 입력되는 신호의 지연을 제어하는 신호 입력 제어부; 및 프로그램 시, 상기 신호 입력 제어부로부터 제어 신호(Low)를 입력받아 동작하여 상기 제 1 신호 처리부를 통해 입력되는 입력 신호를 이이피롬 제어부로 출력하는 한편, 프로그램을 입력하지 않을 경우 상기 제 1 신호 입력부와 상기 제 2 신호 처리부의 신호 입력 시간차에 따라 입력 신호를 차단하거나 출력하는 입력 전원 판단부 를 포함할 수 있다. According to an aspect of the apparatus for preventing data loss of a single poly Ypirom due to surge noise according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the first signal for delaying and outputting a signal input from the outside for a predetermined time Processing unit; A second signal processor connected in parallel with the first signal processor and outputting a signal input from the outside for a predetermined time smaller than the first signal processor; During programming, the enable signal High is received from the outside and operated to provide a control signal low, and when the program is not input, the signal input through the second signal processor in conjunction with the second signal processor is not used. A signal input control unit controlling a delay; And, when programming, receive a control signal from the signal input control unit to output an input signal input through the first signal processing unit to an Y-pyrom control unit, and if the program is not input, the first signal input unit. And an input power determination unit which blocks or outputs an input signal according to a signal input time difference of the second signal processing unit.
상기 제 1 신호 처리부는 일측이 외부 라인의 입력단과 연결되고 타측이 상기 입력 전원 판단부의 제 2 입력단에 연결되는 제 1 저항과, 상기 제 1 저항과 병렬로 연결되는 제 1 캐패시터로 구성된 R/C 회로이며, 상기 제 2 신호 처리부는 일측이 외부 라인의 입력단과 연결되고 타측이 상기 입력 전원 판단부의 제 1 입력단과 상기 신호 입력 제어부에 병렬로 연결된 제 2 저항이다. The first signal processor includes an R / C including a first resistor having one side connected to an input terminal of an external line and the other side connected to a second input terminal of the input power determination unit, and a first capacitor connected in parallel with the first resistor. The second signal processor is a second resistor, one side of which is connected to an input terminal of an external line and the other side of which is connected in parallel to the first input terminal of the input power determining unit and the signal input controller.
상기 제 1 신호 처리부와 제 2 신호 처리부의 신호 처리 지연 시간은, 시정수 차이에 의해 제 1 신호 처리부와 제 2 신호 처리부로부터 제공되는 신호 사이의 시간 지연 차이를 설정한다. The signal processing delay time of the first signal processing unit and the second signal processing unit sets the time delay difference between the signals provided from the first signal processing unit and the second signal processing unit by the time constant difference.
상기 신호 입력 제어부는, 외부로부터 인에이블 신호(High) 또는 디스에이블 신호(Low)를 입력받는 게이트와, 상기 제 2 신호 처리부의 제 2 저항과 상기 입력 전원 판단부에 직렬로 연결된 드레인과, GND에 연결된 소스로 구성된 제 1 트렌지스터이다. The signal input controller may include a gate configured to receive an enable signal High or a disable signal Low from an external source, a drain connected in series with the second resistor of the second signal processor and the input power determination unit, and a GND. Is a first transistor consisting of a source connected to.
상기 입력 전원 판단부는, 상기 제 2 신호 처리부와 신호 입력 제어부가 병렬로 연결되며 반전단자인 게이트와, 상기 제 1 신호 처리부의 제 1 저항과 제 1 트렌지스터와 연결된 드레인과, 출력단인 소스로 구성된 제 2 트렌지스터이다. The input power determining unit may include a gate connected to the second signal processing unit and the signal input control unit in parallel, an inverting terminal, a drain connected to the first resistor and the first transistor of the first signal processing unit, and a source serving as an output terminal. 2 transistors.
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상술한 바와 같이 본 발명에 의한 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치 및 방법에 의하면, 이이피롬의 프로그램 또는 삭제를 하지 않는 상태에서 서지 노이즈로 인해 발생되는 이이피롬의 데이터 손실을 미연에 방지할 수 있는 뛰어난 효과가 있다. As described above, according to the apparatus and method for preventing data loss of a single poly Ipirom caused by surge noise according to the present invention, it is possible to avoid data loss of Ipirom caused by surge noise without program or deletion of Ipirom. There is an excellent effect that can be prevented.
이하, 본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치 및 방법에 대한 바람직한 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 살펴보기로 한다. 이 때, 아래에서 설명하는 시스템 구성은 본 발명의 설명을 위해서 인용한 시스템으로써 아래 시스템으로 본 발명을 한정하지 않음을 이 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이해해야할 것이다. Hereinafter, a preferred embodiment of an apparatus and a method for preventing data loss of a single poly ypirom caused by surge noise according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. At this time, it will be understood by those of ordinary skill in the art that the system configuration described below is a system cited for the purpose of the present invention and does not limit the present invention to the following system.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치의 구성을 나타낸 기능블록도이고, 도 5는 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치의 회로도이다. 4 is a functional block diagram showing the configuration of a data loss prevention device of a single poly Ipyrom by surge noise according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a circuit diagram of a data loss prevention device of a single poly Ipyrom by surge noise to be.
본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치는 제 1 신호 처리부(210), 제 2 신호 처리부(220), 신호 입력 제어부(230) 및 입력 전원 판단부(240)를 포함한다. An apparatus for preventing data loss of a single poly Y pyrom due to surge noise according to the present invention includes a
제 1 신호 처리부(210)는 외부로부터 입력되는 신호를 기 설정된 시간동안 지연하여 입력 전원 판단부(240)로 출력한다. 여기서 제 1 신호 처리부(210)는 일측이 외부 입력단과 연결되고 타측이 입력 전원 판단부(240)의 제 2 입력단에 연결되는 제 1 저항(R1)과, 제 1 저항(R1)과 병렬로 연결되는 제 1 캐패시터(C1)로 구성된 R/C 회로이다. The
그리고 제 2 신호 처리부(220)는 제 1 신호 처리부(210)와 병렬로 연결되며, 외부로부터 입력되는 신호가 제 1 신호 처리부(210)보다 작은 기 설정된 시간동안 지연하여 입력 전원 판단부(240)로 출력한다. 여기서, 제 2 신호 처리부(220)는 일측이 외부 입력단과 연결되고 타측이 입력 전원 판단부(240)의 제 1 입력단과 신호 입력 제어부(230)에 병렬로 연결된 제 2 저항(R2)이다. In addition, the
이때, 제 1 신호 처리부(210)와 제 2 신호 처리부(220)의 신호 처리 지연 시간은, 시정수 차이에 의해 제 1 신호 처리부(210)와 제 2 신호 처리부(220)로부터 제공되는 신호 사이의 시간 지연 차이를 설정한다. In this case, the signal processing delay time between the first
또한, 신호 입력 제어부(230)는 프로그램 시, 외부로부터 인에이블 신호(High)를 입력받아 동작하여 제어 신호(Low)를 신호 입력 판단부(230)로 제공하여 구동시키는 한편, 프로그램 또는 삭제를 하지 않을 경우 외부로부터 디스에이블 신호(Low)를 입력받아 캐패시터로 동작하고 제 2 신호 처리부(220)와 연동하여 제 2 신호 처리부(220)를 통해 입력되는 신호의 지연을 제어한다. 여기서, 신호 입력 제어부(230)는 외부로부터 인에이블 신호(High) 또는 디스에이블 신호(Low)를 입력받는 게이트와, 제 2 신호 처리부(220)의 제 2 저항(R2)과 입력 전원 판단부(240)에 직렬로 연결된 드레인과, GND에 연결된 소스로 구성된 제 1 트렌지스터(TR1)이다. 한편, 별도의 제어부를 통해 인에이블 신호(High) 또는 디스에이블 신호(Low)를 제공할 수도 있으며, 이이피롬 제어부(10)를 통해 공급할 수도 있다. In addition, the signal
그리고 입력 전원 판단부(240)는 프로그램 시, 신호 입력 제어부(230)로부터 제어 신호(Low)를 입력받아 동작하여 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력되는 입력 신호를 이이피롬 제어부(10)로 출력하는 한편, 프로그램을 입력하지 않을 경우 제 1 신호 입력부와 제 2 신호 처리부(220)의 신호 입력 시간차에 따라 입력 신호를 차단하거나 출력한다. 여기서, 입력 전원 판단부(240)는, 제 2 신호 처리부(220)와 신호 입력 제어부(230)가 병렬로 연결되며 반전단자인 게이트와, 제 1 신호 처리부(210)의 제 1 저항(R1)과 제 1 트렌지스터(TR1)와 연결된 드레인과, 출력단인 소스로 구성된 제 2 트렌지스터(TR2)이다. In addition, the input
상기한 각 구성들에 대한 일반적인 기능 및 각각의 상세한 동작에 대하여는 그 설명을 생략하고, 본 발명에 상응하는 동작 위주로 그 동작들을 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하기로 한다. General functions and detailed operations of the above-described elements will be omitted, and the operations will be described with reference to FIGS. 4 and 5 based on the operations corresponding to the present invention.
먼저, 이이피롬에 프로그램/삭제 시, 신호 입력 제어부(230)는 외부로부터 인에이블 신호(High)가 입력되어 동작된다. First, when programming / deleting the EPIROM, the
그러면, 신호 입력 제어부(230)는 입력된 인에이블 신호(HIGH)를 통해 입력 전원 판단부(240)에 제어 신호(Low)를 제공한다. Then, the
또한, 외부 라인을 통해 제 2 신호 처리부(220)로 입력되는 신호(High)는 제어 신호(Low)로 전환되어 입력 전원 판단부(240)로 입력된다. In addition, the signal High input to the
그러면, 신호 입력 제어부(230)와 제 2 신호 처리부(220)로 부터 제어 신호(Low)를 입력받은 입력 전원 판단부(240)는 동작되며, 외부 라인으로부터 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력된 신호를 이이피롬 제어부(10)를 통해 프로그램 게 이트(31) 또는 이레이즈 게이트(32)로 제공한다. Then, the input
한편, 이이피롬에 프로그램/삭제를 하지 않을 경우, 외부로부터 디스에이블 신호(Low)가 신호 입력 제어부(230)로 입력됨으로써 신호 입력 제어부(230)는 캐피시터로 동작하게 되고 제 2 신호 처리부(220)와 연동하여 제 2 신호 처리부(220)를 통해 입력 전원 판단부(240)로 입력되는 신호를 지연한다. On the other hand, when the program / deletion is not performed in the Y-e-ROM, the disable signal Low is input to the signal
여기서, 제 1 신호 처리부(210)의 시정수와, 제 2 신호 처리부(220)와 신호 입력 제어부(230)와의 연동에 따른 시정수를 결정한다. 이에, 제 1 신호 처리부(210)의 시정수는 제 2 신호 처리부(220)와 신호 입력 제어부(230)와의 시정수 보다 크다. Here, the time constant of the
따라서 외부 라인으로부터 제공되는 신호가 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력 전원 판단부(240)로 입력되는 신호 보다 제 2 신호 처리부(220)를 통해 입력되는 신호(High)가 더 빨리 제공된다. Accordingly, the signal High input through the
이에, 제 2 신호 처리부(220)를 통해 신호(high)가 먼저 입력됨에 따라 입력 전원 판단부(240)는 구동되지 않게 되고, 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력되는 신호는 이이피롬 제어부(10)를 통해 프로그램 게이트(31) 또는 이레이즈 게이트(32)로 제공되지 않도록 차단된다. Accordingly, as the signal high is first input through the
따라서 이이피롬 제어부(10)에 연결된 선로에서 서지 노이즈가 발생하더라도 이이피롬의 데이터는 변환되거나 손실되지 않게 된다. Therefore, even if surge noise occurs in the line connected to the Y
그러면, 상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 방법에 대해 도 6을 참조하여 설명하기로 한다. Next, a method for preventing data loss of a single poly Y pyrom by surge noise according to the present invention having the above configuration will be described with reference to FIG. 6.
먼저, 신호 입력 제어부(230)는 이이피롬의 프로그램, 삭제를 위한 동작을 수행하기 위한 인에이블 신호(High)가 입력되는지의 여부를 판단한다.(S1).First, the
상기 판단 단계(S1)에서 인에이블 신호(High)가 입력되면(YES), 신호 입력 제어부(230)는 구동되고 제어 신호(Low)를 입력 전원 판단부(240)로 제공하여 구동시킨다(S2). When the enable signal High is input in the determination step S1 (YES), the
이어서, 입력 전원 판단부(240)는 외부로부터 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력되는 신호를 제공하여 이이피롬의 프로그램/삭제를 수행한다(S3). Subsequently, the input
반면에, 판단 단계(S1)에서 디스에이블 신호(Low)가 입력되면(NO), 신호 입력 제어부(230)는 구동되지 않고 캐패시터로 동작한다(S4). On the other hand, when the disable signal Low is input in the determination step S1 (NO), the
이어서, 제 1 신호 처리부(210)의 시정수와 제 2 신호 처리부(220)와 신호 입력 제어부(230) 간의 시정수 차이를 통해 제 2 신호 처리부(220)로부터 출력되는 신호(high)가 제 1 신호 처리부(210)를 통해 출력되는 신호를 먼저 입력 전원 판단부(240)로 제공한다(S5). Subsequently, a signal high from the
그러면, 입력 전원 판단부(240)는 제 2 신호 처리부(220)로부터 입력된 신호(high)에 의해 구동되지 않고, 제 1 신호 처리부(210)를 통해 제공되는 신호를 차단한다(S6). Then, the input
이하 하기에서는 본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치를 이용한 이이피롬 프로그램 장치에 대한 바람직한 실시 예에 대하여 첨부한 도 7을 참조하여 상세하게 살펴보기로 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of an EPyrom program device using an apparatus for preventing data loss of a single poly EPylo due to surge noise according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 7.
데이터 손실 방지 장치(20)는 이이피롬 제어부(10)에 연결된다. The data
만약, 이이피롬에 프로그램 또는 삭제하지 않을 경우, 외부로부터 입력되는 입력 신호가 이이피롬 제어부(10)를 통해 프로그램 게이트(31) 또는 이레이즈 게이트(32)에 입력되지 않도록 제어한다. 즉, 외부 전력선을 통해 입력된 신호가 프로그램 게이트(31) 또는 이레이즈 게이트(32)에 입력되도록 제어한다. If not programmed or deleted in the Y pyrom, an input signal input from the outside is controlled to be not input to the
한편, 이이피롬에 프로그램/삭제 시, 데이터 손실 방지 장치(20)의 신호 입력 제어부(230)는 외부로부터 인에이블 신호(High)가 입력되어 동작되며, 신호 입력 제어부(230)는 입력 전원 판단부(240)에 제어 신호(Low)를 제공한다. On the other hand, when programming / deleting the YPIROM, the
또한 제 2 신호 처리부(220)는 외부 라인을 통해 입력되는 신호(high)를 제어 신호(Low)로 변환하여 입력 전원 판단부(240)로 제공한다. In addition, the
이이서, 신호 입력 제어부(230)로부터 제어 신호(Low)를 입력받은 입력 전원 판단부(240)는 동작되며, 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력된 신호가 이이피롬 제어부(10)를 통해 프로그램 게이트(31) 또는 이레이즈 게이트(32)로 제공한다. Herein, the input
한편, 이이피롬에 프로그램/삭제를 하지 않을 경우, 외부로부터 디스에이블 신호(Low)가 신호 입력 제어부(230)로 입력된다. On the other hand, when the program / deletion is not performed on the EPIROM, the disable signal Low is input to the
그러면, 신호 입력 제어부(230)는 구동되지 않는다. 이에, 신호 입력 제어부(230)는 캐피시터로 동작하게 되며, 제 2 신호 처리부(220)와 연동하여 제 2 신호 처리부(220)를 통해 입력 전원 판단부(240)로 입력되는 신호를 지연한다. Then, the
여기서, 제 1 신호 처리부(210)의 시정수와, 제 2 신호 처리부(220)와 신호 입력 제어부(230)와의 연동에 따른 시정수를 결정한다. 이에, 제 1 신호 처리부(210)의 시정수는 제 2 신호 처리부(220)와 신호 입력 제어부(230)와의 시정수 보다 크다. Here, the time constant of the
따라서 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력 전원 판단부(240)로 입력되는 신호(high) 보다 제 2 신호 처리부(220)를 통해 입력되는 신호(high)가 더 빨리 제공된다. Therefore, the signal high input through the
이에, 제 2 신호 처리부(220)를 통해 신호(high)가 입력됨에 따라 입력 전원 판단부(240)는 구동되지 않게 되고, 제 1 신호 처리부(210)를 통해 입력되는 신호는 이이피롬 제어부(10)로 입력되지 않게 되어 프로그램 게이트(31) 또는 이레이즈 게이트(32)로도 제공되지 않는다. Accordingly, as the signal high is input through the
따라서 이이피롬 제어부(10)에 연결된 선로에서 서지 노이즈가 발생하더라도 이이피롬의 데이터는 변환되거나 손실되지 않게 된다. Therefore, even if surge noise occurs in the line connected to the Y
상기와 같이 데이터 손실 방지 장치(20)를 포함하는 이이피롬은 도 8에 도시된 바와 같이 디스플레이 드라이버 IC에 장착되어 사용된다. 여기서는 능동형 유 기 발광 다이오드 PANEL에 사용되는 실시예를 나타낸 실시 예이다. The Y pyrom including the data
이상에서 본 발명은 기재된 구체적인 실시 예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다. Although the present invention has been described in detail only with respect to the specific embodiments described, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims. .
도 1은 일반적인 싱글 폴리 이이피롬의 구조를 나타낸 도면. 1 is a view showing the structure of a typical single poly ypyrom.
도 2는 도 1에 따른 일반적인 싱글 폴리 이이피롬 회로에 대한 캐패시턴스 등가 회로를 나타낸 도면. FIG. 2 shows a capacitance equivalent circuit for a typical single poly ypyrom circuit according to FIG. 1. FIG.
도 3은 도 1에 따른 일반적인 싱글 폴리 이이피롬 회로에서 서지 노이즈 입력에 따른 캐패시턴스 등가 회로를 나타낸 도면. FIG. 3 is a diagram illustrating a capacitance equivalent circuit according to surge noise input in a typical single poly ypyrom circuit according to FIG. 1; FIG.
도 4는 본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치의 구성을 나타낸 기능블록도. Figure 4 is a functional block diagram showing the configuration of a data loss prevention device of a single poly ypyrom by surge noise in accordance with the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치를 나타낸 회로도. 5 is a circuit diagram showing an apparatus for preventing data loss of a single poly ypirom caused by surge noise according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 방법을 나타낸 순서도. 6 is a flow chart showing a method for preventing data loss of a single poly Ypirom by surge noise in accordance with the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시에를 나타낸 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치를 이용한 이이피롬 프로그램 장치를 나타낸 기능블록도. FIG. 7 is a functional block diagram of an EPyrom program device using an apparatus for preventing data loss of a single poly EPylo due to surge noise according to another embodiment of the present invention; FIG.
도 8은 도 7에 따른 서지 노이즈에 의한 싱글 폴리 이이피롬의 데이터 손실 방지 장치를 이용한 이이피롬 프로그램 장치가 디스플레이 드라이버 IC에 장착된 모습을 나타낸 도면이다. FIG. 8 is a diagram illustrating a display device in which an EPyrom program device using a device for preventing data loss of a single poly YPIROM due to surge noise is mounted on a display driver IC. Referring to FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 이이피롬 제어부 31 : 프로그램 게이트(PG) 10: Y pyrom control unit 31: program gate (PG)
32 : 이레이즈 게이트(EG) 33 : 플로팅 게이트(FG) 32: erase gate (EG) 33: floating gate (FG)
210 : 제 1 신호 처리부 220 : 제 2 신호 처리부210: first signal processor 220: second signal processor
230 : 신호 입력 제어부 240 : 입력 전원 판단부230: signal input control unit 240: input power determination unit
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