KR100965408B1 - Apparatus for depositing organic and inorganic material of oled - Google Patents
Apparatus for depositing organic and inorganic material of oled Download PDFInfo
- Publication number
- KR100965408B1 KR100965408B1 KR1020040100593A KR20040100593A KR100965408B1 KR 100965408 B1 KR100965408 B1 KR 100965408B1 KR 1020040100593 A KR1020040100593 A KR 1020040100593A KR 20040100593 A KR20040100593 A KR 20040100593A KR 100965408 B1 KR100965408 B1 KR 100965408B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- deposition
- inorganic
- organic
- Prior art date
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 145
- 239000011368 organic material Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 156
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 118
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 40
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 19
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 6
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 OLED용 기판에 소정 박막을 증착하는 OLED용 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 OLED용 기판에 전도 채널용 무기박막, 발광용 유기박막, 봉지(encapsulation)막 증착을 모두 수행할 수 있는 OLED용 증착장치에 관한 것이다. The present invention relates to an OLED deposition apparatus for depositing a predetermined thin film on an OLED substrate, and more particularly, to deposit an inorganic thin film for a conductive channel, an organic thin film for emitting light, and an encapsulation film on an OLED substrate. The present invention relates to a deposition apparatus for an OLED.
본 발명은, 중앙에 형성되며, 기판을 반송하는 반송 챔버; 상기 반송 챔버의 외주부에 결합되어 형성되되, 상기 반송 챔버에서 제공되는 기판에 특정 물질을 증착하는 적어도 2개의 증착챔버; 상기 반송 챔버의 외주부에 게이트 밸브에 의하여 결합되어 형성되며, 상기 반송 챔버에 기판을 반입하거나 상기 반송 챔버로부터 기판을 반출하는 하나의 로드락 챔버;를 포함하여 구성되되, 상기 증착챔버 중 적어도 하나는 기판에 무기물을 증착하는 무기물 증착 챔버이며, 적어도 다른 하나는 기판에 유기물을 증착하는 유기물 증착 챔버인 것을 특징으로 하는 OLED용 증착장치를 제공한다.The present invention is formed in the center, the transport chamber for transporting the substrate; At least two deposition chambers coupled to an outer circumference of the transport chamber and configured to deposit a specific material on a substrate provided in the transport chamber; Is formed by being coupled to the outer periphery of the transfer chamber by a gate valve, a load lock chamber for loading the substrate into the transfer chamber or to take out the substrate from the transfer chamber, wherein at least one of the deposition chamber An inorganic deposition chamber for depositing an inorganic material on a substrate, and at least the other provides an organic deposition deposition chamber for depositing an organic material on a substrate.
OLED, 무기물 증착, 유기물 증착, 클러스터타입OLED, inorganic material deposition, organic material deposition, cluster type
Description
도 1은 종래의 유기물 증착장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional organic material deposition apparatus.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 OLED용 증착장치의 레이아웃을 나타내는 도면이다. 2 is a view showing the layout of the deposition apparatus for an OLED according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제1 실시예의 변형예에 대한 레이아웃을 나타내는 도면이다. 3 is a diagram showing a layout of a modification of the first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1 실시예의 변형예에 구비되는 유기물 증착 챔버의 구조를 나타내는 도면이다. 4 is a view showing the structure of an organic material deposition chamber provided in a modification of the first embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 구비되는 무기물 증착 챔버의 구조를 나타내는 도면이다. 5 is a view showing the structure of an inorganic deposition chamber provided in the first embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 구비되는 유기물 증착 챔버의 구조를 나타내는 도면이다. 6 is a view showing the structure of the organic material deposition chamber provided in the first embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 무기물 증착 과정을 설명하는 도면이다. 7 is a view illustrating an inorganic deposition process according to a first embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 다른 유기물 증착 과정을 설명하는 도면이다. 8 is a view for explaining an organic material deposition process according to the first embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 OLED용 증착장치의 레이아웃을 나타내는 도면이다. 9 is a view showing a layout of an evaporation apparatus for an OLED according to a second embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 OLED용 증착장치에 구비되는 유기물 증착 챔버의 구조를 나타내는 도면이다. 10 is a view showing the structure of the organic material deposition chamber provided in the deposition apparatus for an OLED according to a second embodiment of the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art
1 : 종래의 유기물 증착 챔버1: conventional organic material deposition chamber
100 : 본 발명의 제1 실시예에 따른 OLED용 증착장치100: deposition apparatus for an OLED according to a first embodiment of the present invention
110 : 반송 챔버 120 : 증착챔버110: transfer chamber 120: deposition chamber
130 : 로드락 챔버 130: load lock chamber
100a : 본 발명의 제1 실시예의 변형예100a: Modification of First Embodiment of the Invention
200 : 무기물 증착 챔버 300 : 유기물 증착 챔버200: inorganic deposition chamber 300: organic deposition chamber
400 : 본 발명의 제2 실시예에 따른 OLED용 증착장치400: deposition apparatus for an OLED according to a second embodiment of the present invention
O : o-ring H : 힌지O: o-ring H: Hinge
S : 기판 M : 쉐도우 마스크S: Substrate M: Shadow Mask
본 발명은 OLED용 기판에 소정 박막을 증착하는 OLED용 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 OLED용 기판에 전도 채널용 무기박막, 발광용 유기박막, 봉지(encapsulation)막 증착을 모두 수행할 수 있는 OLED용 증착장치에 관한 것이 다. The present invention relates to an OLED deposition apparatus for depositing a predetermined thin film on an OLED substrate, and more particularly, to deposit an inorganic thin film for a conductive channel, an organic thin film for emitting light, and an encapsulation film on an OLED substrate. The present invention relates to a deposition apparatus for OLEDs.
일반적으로 유기물 표시소자인 EL(Electro luminecence) 표시소자는 반도체 평면표시소자의 하나로서, 다른 평면표시소자와는 달리 완전 고체막으로 구성되어 발열 등이 제한적인 이상적인 구조를 가지고 있다. 또한 EL 표시소자는 자체 냉발광형이라는 장점으로 인하여 산업계에서의 수요가 증가하고 있는 평면표시소자이다. In general, the EL (Electro luminecence) display device, which is an organic display device, is one of the semiconductor flat display devices. Unlike other flat display devices, the EL display device is composed of a completely solid film and has an ideal structure in which heat generation is limited. In addition, the EL display device is a flat display device having an increasing demand in the industry due to its advantages of cold light emitting type.
따라서 현재 학계뿐만아니라 일반산업에서의 연구 개발 분야 중에서도 EL표시소자에 대한 개발 경쟁이 치열하게 전개되고 있다. 일반적으로 유기물질은 무기물질에 비해 디스플레이 소자로서 작은 구동전압, 높은 휘도 등의 많은 장점이 있어서, 차세대의 디스플레이 소자로서의 가능성과 응용 가능성을 세계적으로 인정받고 있는 상황이다. Therefore, the competition for development of EL display devices is fiercely developed not only in academia but also in research and development in general industry. In general, organic materials have many advantages, such as small driving voltage and high luminance, as display devices, compared to inorganic materials. Therefore, the organic materials have a globally recognized potential and application potential as next-generation display devices.
이러한 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 기판을 제조하기 위해서는 기판 상에 TFT(Thin Film Transistor)를 형성하기 위한 무기물 증착 공정과 패터닝 공정이 반복적으로 이루어지고, 이후 발광 Cell을 구성하기 위한 유기물 증착이 이루어 진다. 그리고 나서 산소와 수분을 차폐하기 위한 봉지(encapsulation)막 증착 공정이 진행된다. In order to manufacture the organic light emitting diode (OLED) substrate, an inorganic material deposition process and a patterning process for forming a thin film transistor (TFT) are repeatedly performed on the substrate, and then an organic material deposition for forming a light emitting cell is performed. . Then, an encapsulation film deposition process is performed to shield oxygen and moisture.
종래의 경우 전도 채널 형성용 박막은, 진공 챔버 하부에 마련된 탑재대의 상부에 기판을 위치시킨 후 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정으로 이루어진다. 반면에 발광용 유기박막은, 진공 챔버의 상부에 마련된 탑재대 하부에 기판을 위치시킨 후 열 증착 방식으로 성막되어 진다. 따라서 전도 채널 형 성용 박막과 발광용 유기 박막이 서로 다른 증착 공정에 의하여 이루어진다. 그런데 이렇게 각 박막이 서로 다른 방식에 의하여 증착되면, OLED용 증착장치를 하나의 증착 시스템으로 구성하지 못하고, 각각 다른 독립 장비에 의해 공정이 진행된다. 따라서 전체적인 장비 구성이 복잡해지고, 장비가 차지하는 footprint가 증가하는 문제점이 있다. In the conventional case, the thin film for conducting channel formation is made of a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process after placing a substrate on an upper portion of a mounting table provided under a vacuum chamber. On the other hand, the organic thin film for luminescence is formed by thermal evaporation after placing the substrate on the lower portion of the mounting table provided in the upper portion of the vacuum chamber. Therefore, the conductive channel forming thin film and the organic light emitting thin film are formed by different deposition processes. However, when each thin film is deposited in a different manner, the OLED deposition apparatus does not constitute a single deposition system, and the process is performed by different independent equipment. Therefore, the overall equipment configuration is complicated, and the footprint occupied by the equipment increases.
또한 종래의 전도 채널형성용 무기박막 증착장치는 비정질 상태로 박막을 증착시킨 후 이를 결정화시키기 위한 레이져 어닐링 공정이 추가적으로 요구된다. 그런데 이 레이져 어닐링 공정을 위한 레이져 소스의 크기를 확대하는 데에는 한계가 있다. 따라서 점차 대형화되고 있는 OLED 기판의 생산에 대응하지 못하는 문제점이 있다. In addition, a conventional inorganic thin film deposition apparatus for forming a conductive channel requires a laser annealing process for depositing a thin film in an amorphous state and crystallizing it. However, there is a limit to increasing the size of the laser source for this laser annealing process. Therefore, there is a problem that cannot cope with the production of OLED substrate that is becoming larger in size.
또한 종래의 발광용 유기 박막 증착장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 챔버(20) 상부에 탑재시키고, 그 하측에 쉐도우 마스크(M)를 위치시킨 후 증착하는 방식이므로 증착과정에서 쉐도우 마스크(M)가 자중에 의해 처지게 되므로 인접 발광 RGB Cell 사이의 간섭 현상이 발생하는 문제점이 있다. 그리고 이러한 열 증착 방식에 의하면 생산된 유기물질이 챔버(20) 안쪽 벽면에도 동일하게 코팅되므로 기판에 코팅되는 비율은 10%를 넘기 힘들어서 효율성이 떨어지는 문제점이 있다. In addition, in the conventional organic light emitting film deposition apparatus 1, as shown in FIG. 1, the substrate S is mounted on the
본 발명의 목적은 OLED용 기판에 전도 채널용 무기박막, 발광용 유기박막, 봉지(encapsulation)막을 모두 증착할 수 있는 OLED용 증착장치를 제공함에 있다. It is an object of the present invention to provide an OLED deposition apparatus capable of depositing all of an inorganic thin film for a conductive channel, an organic thin film for emitting light, and an encapsulation film on an OLED substrate.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 중앙에 형성되며, 기판을 반송하는 반송 챔버; 상기 반송 챔버의 외주부에 결합되어 형성되되, 상기 반송 챔버에서 제공되는 기판에 특정 물질을 증착하는 적어도 2개의 증착챔버; 상기 반송 챔버의 외주부에 게이트 밸브에 의하여 결합되어 형성되며, 상기 반송 챔버에 기판을 반입하거나 상기 반송 챔버로부터 기판을 반출하는 하나의 로드락 챔버;를 포함하여 구성되되, 상기 증착챔버 중 적어도 하나는 기판에 무기물을 증착하는 무기물 증착 챔버이며, 적어도 다른 하나는 기판에 유기물을 증착하는 유기물 증착 챔버인 것을 특징으로 하는 OLED용 증착장치를 제공한다.
In order to achieve the above object, the present invention is formed in the center, the transport chamber for transporting the substrate; At least two deposition chambers coupled to an outer circumference of the transport chamber and configured to deposit a specific material on a substrate provided in the transport chamber; Is formed by being coupled to the outer periphery of the transfer chamber by a gate valve, a load lock chamber for loading the substrate into the transfer chamber or to take out the substrate from the transfer chamber, wherein at least one of the deposition chamber An inorganic deposition chamber for depositing an inorganic material on a substrate, and at least the other provides an organic deposition deposition chamber for depositing an organic material on a substrate.
이때 상기 증착챔버들은, 무기물 증착챔버와 유기물 증착챔버가 교대로 배치되어 마련되는 것이 무기물과 유기물을 효율적으로 증착할 수 있어서 바람직하다.
In this case, the deposition chambers, the inorganic deposition chamber and the organic deposition chamber is preferably arranged alternately because it is possible to efficiently deposit the inorganic material and the organic material.
그리고 본 발명에서는, 상기 무기물 증착 챔버를, And in the present invention, the inorganic vapor deposition chamber,
그 내부를 진공분위기로 만들 수 있으며, 그 내부에 기판을 탑재할 수 있는 기판 탑재대가 마련되는 챔버 본체; 상기 챔버 본체의 외부에 마련되며, 상기 챔버 본체 내부로 무기물 기체를 공급하는 무기물 공급부; 상기 챔버 본체의 외부에 마련되며, 상기 챔버 본체 내부로 무기물 리간드 제거가스를 공급하는 리간드 제거가스 공급부;를 포함하여 구성되도록 함으로써, 결정화를 위한 레이져 어닐링 공정 없이 결정질 무기박막이 기판 상에 직접 형성되도록 한다.
A chamber main body capable of making the inside of the vacuum atmosphere and having a substrate mounting table for mounting a substrate therein; An inorganic supply unit provided outside the chamber main body and supplying an inorganic gas into the chamber main body; A ligand removal gas supply unit provided outside the chamber body and supplying an inorganic ligand removal gas into the chamber body; such that the crystalline inorganic thin film is formed directly on the substrate without a laser annealing process for crystallization. do.
그리고 상기 기판 탑재대에는, 기판 탑재대에 탑재된 기판의 온도를 조절할 수 있는 기판 온도 조절부가 더 마련되도록 함으로써, 기판의 온도를 무기물이 흡착되는데 적절한 온도를 유지하는 상태에서 무기물이 효율적으로 흡착되도록 한다.
In addition, the substrate mount table may further include a substrate temperature controller configured to adjust the temperature of the substrate mounted on the substrate mount table so that the inorganic material may be efficiently adsorbed while maintaining an appropriate temperature for the inorganic material to be adsorbed. do.
이때 상기 무기물 기체는, Si(CmHn)x(m,n,x는 정수)의 구조식을 가지는 물질인 것이 바람직하다.
At this time, the inorganic gas is preferably a material having a structural formula of Si (C m H n ) x (m, n, x is an integer).
그리고 무기물 리간드 제거가스는, 수소 라디칼(radical) 또는 수소 이온인 것이 바람직하다.
The inorganic ligand removing gas is preferably hydrogen radicals or hydrogen ions.
그리고 본 발명에서는 상기 유기물 증착챔버를, In the present invention, the organic material deposition chamber,
그 내부를 진공분위기로 만들 수 있으며, 그 내부에 기판을 탑재할 수 있는 기판 탑재대가 마련되는 챔버 본체; 상기 챔버 본체의 외부에 마련되며, 상기 챔버 본체 내부로 유기물 전구체를 공급하는 유기물 전구체 공급부; 상기 챔버 본체의 외부에 마련되며, 상기 챔버 본체 내부로 퍼징 가스를 공급하는 퍼징가스 공급부;를 포함하여 구성되도록 함으로써, 무기물의 증착방식과 동일한 방식에 의하여 유기물이 증착되도록 한다.
A chamber main body capable of making the inside of the vacuum atmosphere and having a substrate mounting table for mounting a substrate therein; An organic precursor supply unit provided outside the chamber body and supplying an organic precursor to the chamber body; It is provided on the outside of the chamber body, the purging gas supply unit for supplying a purging gas into the chamber body; to be configured, so that the organic material is deposited by the same method as the deposition method of the inorganic material.
또한 상기 기판 탑재대에는, 기판 탑재대에 탑재된 기판의 온도를 조절할 수 있는 기판 온도 조절부가 더 마련되도록 함으로써, 기판에 유기 단분자가 증착되기에 적절한 온도로 기판의 온도를 유지하면서 유기물을 증착할 수 있도록 한다.
In addition, the substrate mounting stage is further provided with a substrate temperature control unit for controlling the temperature of the substrate mounted on the substrate mounting table, thereby depositing the organic material while maintaining the temperature of the substrate at a temperature suitable for organic monomolecules deposited on the substrate Do it.
그리고 상기 기판 탑재대의 상측에, 상기 유기물 전구체가 기판에 특정한 패턴을 가지며 증착되도록 하는 쉐도우 마스크를 재치시키는 쉐도우 마스크 재치부가 더 마련되도록 함으로써, 쉐도우 마스크가 유기물의 증착과정에서 휘어지는 현상이 발생하지 않도록 한다.
In addition, a shadow mask placement unit for placing the shadow mask for depositing the organic precursor having a specific pattern on the substrate is further provided on the substrate mount, so that the shadow mask does not bend during the deposition of the organic material. .
그리고 상기 기판 탑재대는, 그 내부에 균일한 자기장을 가지는 전자석이 마련되고, 상기 전자석의 자기장 세기를 조절하여 쉐도우 마스크가 기판에 밀착되도록 함으로써, 쉐도우 마스크가 기판에서 이격되지 않고 밀착된 상태에서 유기물의 증착이 이루어지도록 한다. 따라서 쉐도우 마스크에 형성되어 있는 패턴에 따라 정확하게 유기물이 증착되는 장점이 있다.
In addition, the substrate mounting table is provided with an electromagnet having a uniform magnetic field therein, and by adjusting the magnetic field strength of the electromagnet so that the shadow mask is in close contact with the substrate, the shadow mask is in close contact with the substrate without being separated from the substrate. Allow deposition to take place. Therefore, there is an advantage that the organic material is accurately deposited according to the pattern formed on the shadow mask.
그리고 본 발명에서는, 상기 유기물 전구체 공급부는, 기화된 유기물 전구체를 이송가스와 함께 이송시켜 상기 챔버 본체 내부로 공급하도록 함으로써, 유기물 전구체가 필요한 양이 적정한 속도로 챔버 본체 내부로 공급되도록 한다.
In the present invention, the organic precursor supply unit, by transporting the vaporized organic precursor together with the transfer gas to be supplied into the chamber body, so that the required amount of the organic precursor is supplied into the chamber body at an appropriate speed.
또한 본 발명에서는, 연직방향에서 소정 각도 기울어진 상태로 배치되는 적 어도 4개의 챔버가 게이트 밸브에 의하여 병렬 연결되며, 상기 챔버 중 양 단의 챔버는 로드락 챔버이고, 양 로드락 챔버 사이의 챔버는 증착 챔버이되, 상기 증착챔버 중 적어도 하나는 기판에 무기물을 증착하는 무기물 증착 챔버이며, 적어도 다른 하나는 기판에 유기물을 증착하는 유기물 증착 챔버인 것을 특징으로 하는 OLED용 증착장치를 제공하여, 클러스터 타입뿐만아니라 인라인 타입으로 장치를 구성할 수 있도록 한다.
Further, in the present invention, at least four chambers arranged in a state inclined at a predetermined angle in the vertical direction are connected in parallel by a gate valve, and chambers at both ends of the chambers are load lock chambers, and chambers between both load lock chambers. Is a deposition chamber, wherein at least one of the deposition chambers is an inorganic deposition chamber for depositing an inorganic material on a substrate, and at least the other is an organic deposition deposition chamber for depositing an organic material on a substrate. Allows you to configure a device as an inline type as well as a type.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a specific embodiment of the present invention.
< 실시예 1 >≪ Example 1 >
본 실시예에 따른 OLED용 증착장치는 클러스터(cluster) 타입으로 마련된다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 중앙에 반송챔버(110)가 마련되고, 그 주위에 증착 챔버(120)와 로드락 챔버(130)가 배치되는 구조이다. The deposition apparatus for an OLED according to the present embodiment is provided in a cluster type. That is, as shown in FIG. 2, the
이때 반송 챔버(110)는 그 외주부에 결합되어 마련되는 각 증착 챔버(120)에 기판을 반입시키고, 반출하는 역할을 한다. 따라서 이 반송 챔버(110)에는 기판을 반송을 위한 반송 기구(112)가 마련된다. 본 실시예에서 이 반송 기구(112)는 로드락실(130)에 도입된 기판을 반출하여 특정한 증착 챔버로 반송할 수 있는 로봇으로 마련된다. 이렇게 반송 기구를 반송 로봇으로 마련하는 경우에는 기판의 반송을 신속하게 수행할 수 있는 장점이 있다. 이때 반송 로봇은 기판의 수평위치 및 수직위 치를 변화시켜 반송한다. In this case, the
한편 증착 챔버가 도 3에 도시된 바와 같이, 기립형으로 마련되는 경우에는 이 반송 기구를 반송 로봇이 아니라 기립형 탑재대(112a)로 마련한다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판을 탑재할 수 있는 탑재면이 마련된 탑재대(112a)를 형성시키고, 이 탑재대(112a)가 90°회동하여 기립할 수 있도록 하는 것이다. 이때 탑재대(112a)에 탑재된 기판(S)이 탑재대에서 이탈되지 않도록 단단히 고정시키는 고정수단(도면에 미도시)이 마련되어야 한다. 본 실시예에서는 이 고정수단으로 정전척을 이용한다. 이렇게 기립형 탑재대로 마련하는 경우에는 증착 챔버(120a)가 기립되어 클린룸 내에서 차지하는 면적이 감소되는 장점이 있다. 이 탑재대(112a)는 증착 챔버(120a) 내에서 공정이 처리되는 동안에는 증착챔버의 일 측벽을 구성한다. On the other hand, when a vapor deposition chamber is provided in a standing type | mold as shown in FIG. 3, this conveyance mechanism is provided by the standing type |
다음으로 로드락 챔버(130)는 OLED용 증착장치(100)가 외부와 연통하는 통로역할을 한다. 즉, 이 로드락 챔버(130)는 반송 챔버(110) 내로 처리가 진행될 새로운 기판을 반입하거나 처리가 완료된 기판을 반송 챔버로부터 반출하는 중간 통로 역할을 하는 것이다. 반송 챔버(110) 내부는 항상 진공 상태로 유지되므로 대기압 상태의 외부와 직접 연결될 수 없다. 따라서 이 로드락 챔버라는 완충 요소를 이용하여 능률적으로 외부와 연통하는 것이다. 이 로드락 챔버(130)는 그 내부를 진공 분위기와 대기압 분위기로 수시로 변화시키면서 외부 및 반송 챔버와 연통된다. Next, the
다음으로 증착챔버(120)는 반송 챔버(110)의 외주부에 결합되어 마련되며, 기판에 특정한 물질을 증착시키는 역할을 한다. 본 실시예에서는 적어도 2개의 증착챔버를 배치시키며, 상기 증착챔버 중 적어도 하나는 기판에 무기물을 증착하는 무기물 증착 챔버이며, 적어도 다른 하나는 기판에 유기물을 증착하는 유기물 증착 챔버이다. 따라서 본 실시예에 따른 OLED용 증착장치(100)는 무기물 뿐만아니라 유기물도 증착할 수 있는 장점이 있다. 이때 무기물 증착 챔버와 유기물 증착챔버는 교대로 배치되는 것이 무기물 및 유기물을 효과적으로 증착할 수 있어서 바람직하다. Next, the
그리고 본 실시예에서는 무기물 증착 챔버(200)를, 도 5에 도시된 바와 같이, 챔버 본체(210); 무기물 공급부(220); 리간드 제거가스 공급부(230);를 포함하여 구성되도록 한다. 챔버 본체(210)는 무기물 증착 챔버의 본체를 이루는 구성요소이며, 그 내부를 진공분위기로 만들 수 있는 밀폐구조로 마련된다. 따라서 반송챔버와의 연결구도 밀폐될 수 있도록 게이트 밸브(240)에 의하여 차단된다. 그리고 이 챔버 본체(210)에는 챔버 본체 내부의 기체를 흡입하여 제거할 수 있는 진공 펌프(도면에 미도시)가 마련된다. 또한 이 챔버 본체(210) 내부 하측에는 기판 탑재대(212)가 마련된다. 이 기판 탑재대(212)는 챔버 본체 내에 반입된 기판을 탑재시키는 구성요소로서, 그 상부면에 기판을 탑재한 채로 증착 공정이 진행되도록 한다. 그리고 본 실시예에서는 이 기판 탑재대(212)에 기판 온도 조절부(도면에 미도시)가 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 기판 온도 조절부는 기판 탑재대에 탑재된 기판의 온도를 조절하며, 기판의 온도는 기판에 무기물이 가장 효율적으로 증착될 수 있는 온도로 유지된다. 본 실시예에서는 이 기판 온도 조절부를 기판 탑재대 내부에 내재되는 전열선으로 구성한다. In the present embodiment, the
그리고 본 실시예에 따른 무기물 증착 챔버(200)에는 챔버 본체(210) 내부로 기상의 무기 화합물을 공급하는 무기물 공급부(220)가 마련된다. 이 무기물 공급부(220)는 챔버 본체(210)의 외부에 마련되어 챔버 본체(210)와 연결된다. 이 무기물 공급부(220)에는 무기물 보관 탱크(222)가 마련되고, 이 무기물 보관 탱크(222)는 챔버 본체(210)와 연결관(224)에 의하여 연결된다. 따라서 무기물 보관 탱크(222)에 보관되어 있는 무기 화합물이 기화되어 연결관(224)에 의하여 적절한 양이 챔버 본체(210)로 적절한 시기에 공급된다. 챔버 본체(210) 내부 상측에는 이 탱크로부터 공급된 기상 무기 화합물이 챔버 본체(210) 내부로 균일하게 공급될 수 있도록 샤워헤드(214)가 마련되는 것이 바람직하다. In addition, the
또한 리간드 제거가스 공급부(230)는 챔버 본체(210) 내부로 리간드 제거가스를 공급하는 구성요소이다. 본 실시예에서는 이 리간드 제거가스 공급부(230)는 리간드 제거가스 보관 탱크(232), 연결관(234), 원격플라즈마 발생장치(236)로 구성된다. 리간드 제거가스 보관탱크(232)는 리간드 제거가스를 보관하고 있는 용기이며, 연결관(234)는 리간드 제거가스 보관탱크(232)와 챔버 본체(210)를 연결하는 경로이다. 그리고 원격 플라즈마 발생장치(236)은 연결관(234)의 중간 영역에 마련되며, 이 연결관(234)를 통과하는 리간드 제거가스를 활성화 시키는 역할을 한다. In addition, the ligand removal
한편 본 실시예에서는 기상 무기 화합물은 기판에 증착될 수 있는 기체상이며, 리간드 제거가스는 기판에 증착된 무기물과 반응하여 무기물에 결합되어 있는 유기화합물 리간드를 제거하는 역할을 하는 반응가스이다. Meanwhile, in the present exemplary embodiment, the vapor phase inorganic compound is a gas phase that can be deposited on a substrate, and the ligand removing gas is a reaction gas that serves to remove the organic compound ligand bonded to the inorganic material by reacting with the inorganic material deposited on the substrate.
그리고 본 실시예에서는 무기 화합물로 Si(CmHn)x(m,n,x는 정수)의 구조식을 가지는 실리콘 유기화합물을 사용하고, 상기 리간드 제거가스로는 수소 라디칼(radical) 또는 수소 이온을 사용한다. SiR4{여기서 R은 (CmHn)x 의 구조식을 가지는 유기화합물}는 기판에 증착되는 경우 도 7b에 도시된 바와 같이, 실리콘 원자가 기판에 증착되고 유기물 리간드들은 반대 방향을 향한다. 이렇게 실리콘 화합물이 증착되고 나면 도 7c에 도시된 바와 같이, 리간드 제거가스를 챔버 내부로 공급하여, 실리콘에 결합되어 있는 유기화합물을 제거한다. In this embodiment, a silicon organic compound having a structural formula of Si (C m H n ) x (m, n, x is an integer) is used as the inorganic compound, and the radical removing agent or hydrogen ion is used as the ligand removing gas. use. SiR 4 {wherein R is an organic compound having a structure of (C m H n ) x } is deposited on the substrate, as shown in FIG. 7B, silicon atoms are deposited on the substrate and the organic ligands are directed in the opposite direction. After the silicon compound is deposited in this way, as shown in FIG. 7C, the ligand removing gas is supplied into the chamber to remove the organic compound bound to the silicon.
본 실시예에서는 이 리간드 제거가스로 수소가스를 한다. 이때 리간드 제거가스는 반응성이 강한 상태이어야 하므로, 리간드 제거가스 보관 탱크와 챔버 본체를 연결하는 연결관을 통과하는 수소가스가 이 원격플라즈마 발생장치를 통과하면서 반응성이 강한 수소 라디칼 또는 수소이온으로 분해되어 챔버 본체로 공급된다.
In this embodiment, hydrogen gas is used as the ligand removal gas. In this case, since the ligand removing gas must be highly reactive, the hydrogen gas passing through the connecting pipe connecting the ligand removing gas storage tank and the chamber body passes through this remote plasma generator and is decomposed into highly reactive hydrogen radicals or hydrogen ions. Supplied to the chamber body.
다음으로 본 실시예에 따른 유기물 증착 챔버(300)는 도 6에 도시된 바와 같이, 챔버 본체(310); 유기물 전구체 공급부(320); 퍼징가스 공급부(330);를 포함하여 구성된다. 여기서 챔버 본체(310)는 유기물 증착 챔버의 본체를 이루는 것으로 그 내부에 진공분위기를 형성할 수 있는 구조를 가진다. 따라서 반송 챔버와 연결되는 개구부에는 게이트 밸브(340)가 마련된다. 그리고 챔버 본체(310) 내부 하측에는 기판을 탑재할 수 있는 탑재면을 가지는 기판 탑재대(312)가 마련된다. 기판은 이 기판 탑재대(312)에 탑재된 상태로 공정이 진행된다. 이 기판 탑재대(312)에도 무기물 증착챔버(200)에서와 마찬가지로 상기 기판 탑재대(312)에 탑재된 기판 (S)의 온도를 조절할 수 있는 기판 온도 조절부(도면에 미도시)가 더 마련되는 것이 바람직하다. Next, the organic
또한 이 기판 탑재대(312)의 상측에는, 상기 유기물 전구체가 기판에 특정한 패턴을 가지며 증착되도록 하는 쉐도우 마스크(M)를 재치시키는 쉐도우 마스크 재치부(314)가 더 마련된다. 그리고 상기 기판 탑재대(312)에는, 그 내부에 균일한 자기장을 가지는 전자석(도면에 미도시)이 마련된다. 이 전자석은 그 자기장 세기가 조절가능하며, 쉐도우 마스크 재치부(314)에 재치된 쉐도우 마스크(M)가 기판에 밀착되도록 하여 기판에 정밀한 패턴의 유기물 증착이 가능하도록 한다. In addition, a shadow
또한 본 실시예에 따른 유기물 증착 챔버(300)에는 챔버 본체(310) 내부로 유기물 전구체를 공급하는 유기물 전구체 공급부(320)가 마련된다. 이 유기물 전구체 공급부(320)는 챔버 본체(310)의 외부에 마련되어 챔버 본체(310)와 연결된다. 이 유기물 전구체 공급부(320)에는 2개 이상의 유기물 보관 탱크(322)가 마련된다. 이 유기물 전구체 공급부(320)는 기판에 증착될 최종 목표 유기물을 그대로 공급하는 것이 아니라, 2개 이상의 적절한 전구체 형태로 나누어서 각각 공급하여 증착시킨 후 결합시켜 목표 유기물이 최종적으로 기판에 증착되도록 한다. 따라서 각 유기물 전구체 보관 탱크(322)는 각 유기물 전구체를 보관하고 있으며, 기체상으로 챔버 본체에 공급한다. 그리고 퍼징가스는 기판에 증착된 유기물 전구체와 반응하여 유기물 전구체가 목표 유기물이 되도록 한다. 그리고 유기물 보관 탱크(322)와 챔버 본체(310)는 양자를 연결하는 연결관(324)에 의하여 연결되며, 챔버 본체(310) 내부 상측에는 유기물 전구체가 균일하게 공급되도록 하기 위한 샤워헤드 (316)가 마련된다. 그리고 유기물 전구체 공급부(320)에는 이송가스가 공급되어 유기물 전구체와 함께 챔버 본체로 공급되는 것이 유기물 전구체를 적절한 속도로 챔버 본체에 공급할 수 있어서 바람직하다. In addition, the organic
다음으로 유기물 증착 챔버(300)에는 퍼징가스 공급부(330)가 마련된다. 이 퍼징가스 공급부(330)는 챔버 본체(310) 내부로 퍼징가스를 공급하는 구성요소로서, 퍼징가스를 보관하고 있는 퍼징가스 보관 탱크(332) 및 퍼징가스 보관 탱크(332)를 챔버 본체(310)에 연결하는 연결관(334)로 구성된다.
Next, the purge
이하에서는 본 실시예에 따른 OLED용 증착장치를 이용하여 전도채널용 무기박막, OLED 발광용 유기박막, 봉지막을 증착하는 방법을 설명한다. Hereinafter, a method of depositing an inorganic thin film for a conductive channel, an organic thin film for OLED emission, and an encapsulation film using the OLED deposition apparatus according to the present embodiment will be described.
우선 기판 상에 전도 채널용 무기 박막을 증착하는 과정은 다음과 같다. 먼저 기판을 로드락 챔버를 통하여 반송 챔버내로 반입한다. 그리고 반송 챔버에서는 무기물 증착 챔버에 기판을 반입시킨다. 기판이 무기물 증착 챔버 내의 기판 탑재대에 탑재되면 무기물 증착챔버와 반송 챔버 사이의 연결구를 닫고, 무기물 증착을 시작한다. 따라서 무기물 기체 공급부에서 무기물 기체를 챔버 본체 내부로 공급한다. 이때 기판 탑재대에 탑재된 기판은 무기물이 증착되기에 적합한 온도로 유지된다. 무기물이 기판에 증착되고 나면 챔버 본체에 마련되어 있는 진공 챔버를 가동시켜 남은 무기물 기체를 배출하거나 퍼징 가스를 챔버 본체 내부로 주입하여 챔버 본체 내부의 무기물 기체를 제거한다. 그리고 나서 리간드 제거가스를 챔버 본체로 공급하여 실리콘 원자와 결합되어 있는 유기화합물을 제거하여 원자층 단위의 실리 콘 박막을 기판 상에 증착 배향한다. 이 공정이 완료되면 챔버 내부의 수소 가스 및 유기화합물 기체를 제거하기 위한 펌핑 내지는 퍼징 작업이 진행된다. First, a process of depositing an inorganic thin film for a conductive channel on a substrate is as follows. First, the substrate is loaded into the transfer chamber through the load lock chamber. In the transfer chamber, the substrate is loaded into the inorganic deposition chamber. When the substrate is mounted on the substrate mount in the inorganic deposition chamber, the connector between the inorganic deposition chamber and the transfer chamber is closed to start the inorganic deposition. Therefore, the inorganic gas is supplied from the inorganic gas supply unit into the chamber body. At this time, the substrate mounted on the substrate mount is maintained at a temperature suitable for depositing the inorganic material. After the inorganic material is deposited on the substrate, the vacuum chamber provided in the chamber body is operated to discharge the remaining inorganic gas or the purging gas is injected into the chamber body to remove the inorganic gas inside the chamber body. Then, a ligand removing gas is supplied to the chamber body to remove organic compounds bonded to silicon atoms, and the silicon thin films in atomic layer units are deposited on the substrate. When this process is completed, a pumping or purging operation for removing hydrogen gas and organic compound gas in the chamber is performed.
다음으로 유기물을 증착하는 과정은 다음과 같다. 우선 유기물 증착 챔버 내부로 기판을 반입한다. 기판이 기판 탑재대에 탑재된 후 쉐도우 마스크를 쉐도우 마스크 재치부에 마련한다. 이 쉐도우 마스크는 유기물 증착 챔버 상벽에 마련된 광학 CCD카메라와 이에 연결된 모니터를 통해 그 위치가 측정되고, 측정된 위치가 기판과 일치되지 않는 경우에는 쉐도우 마스크 재치부를 구동시켜 쉐도우 마스크를 어라인한다. 그리고 유기물 전구체 공급부를 가동시켜 유기물 전구체를 챔버 본체 내부로 공급한다. 이때 기판 탑재대에 탑재되어 있는 기판을 유기물이 증착되기에 적합한 온도로 유지된다. 공급된 유기물 전구체가 기판에 증착된 후 퍼징가스를 챔버 본체 내부로 공급하여 유기물 전구체가 특정한 유기물로 전환되도록 한다. 그리고 다음 유기물 전구체를 챔버 내부로 공급하여 첫번째 유기물과 결합되도록 하다. 그리고 다시 퍼징가스를 공급하여 두번째 유기물 전구체가 특정한 유기물로 전환되어 목표 유기물이 기판 상에 증착되도록 한다. Next, the process of depositing organic materials is as follows. First, the substrate is brought into the organic deposition chamber. After the substrate is mounted on the substrate mounting table, the shadow mask is provided in the shadow mask placement unit. The shadow mask is measured by an optical CCD camera provided on the upper wall of the organic deposition chamber and a monitor connected thereto, and when the measured position does not coincide with the substrate, the shadow mask is driven by arranging the shadow mask. The organic precursor supply unit is operated to supply the organic precursor into the chamber body. At this time, the substrate mounted on the substrate mount is maintained at a temperature suitable for deposition of organic matter. After the supplied organic precursor is deposited on the substrate, a purging gas is supplied into the chamber body to convert the organic precursor into a specific organic material. The next organic precursor is then fed into the chamber to combine with the first organic material. The purge gas is again supplied to convert the second organic precursor into a specific organic material so that the target organic material is deposited on the substrate.
다음으로 봉지막 증착 과정은 다음과 같다. 우선 기판을 무기물 증착 챔버에 반입시킨 후 SiR4를 챔버 내부로 공급하여 증착시킨다. 그리고 소소 라디칼이나 수소이온을 챔버 내부로 공급하여 실리콘 원자와 결합되어 있는 유기화합물을 제거한다. 그러면 기판 상에 원자층 단위의 실리콘 박막이 증착된다. 그리고 나서 챔버 내에 질소가스를 공급하여 SiNx 박막을 형성시킨다. 그리고 나서 이 기판을 유기물 증착 챔버로 옮겨 유기 박막을 형성시킨다. 이러한 과정을 반복하면 봉지막 (encapsulation layer)가 완성된다.
Next, the encapsulation film deposition process is as follows. First, the substrate is loaded into the inorganic deposition chamber, and then SiR 4 is supplied into the chamber and deposited. In addition, source radicals and hydrogen ions are supplied into the chamber to remove organic compounds bonded to silicon atoms. The silicon thin film in atomic layer is then deposited on the substrate. Then, nitrogen gas is supplied into the chamber to form a SiNx thin film. The substrate is then transferred to an organic deposition chamber to form an organic thin film. This process is repeated to complete the encapsulation layer.
< 실시예 2 >≪ Example 2 >
본 실시예에 따른 OLED용 증착장치(400)는, 연직방향에서 소정 각도 기울어진 상태로 배치되는 적어도 4개의 챔버가 게이트 밸브에 의하여 병렬 연결된 구조이다. 이때 상기 챔버 중 양 단의 챔버는 로드락 챔버(410, 420)이고, 양 로드락 챔버 사이의 챔버(430, 440, 450)는 증착 챔버이되, 상기 증착챔버 중 적어도 하나는 기판에 무기물을 증착하는 무기물 증착 챔버이며, 적어도 다른 하나는 기판에 유기물을 증착하는 유기물 증착 챔버이다. 그리고 증착 챔버가 3개 이상 복수로 마련되는 경우에는 무기물 증착챔버와 유기물 증착챔버가 교대로 배치되어 마련되는 것이 바람직하다. The
여기서 본 실시예에 따른 무기물 증착 챔버(430)는 도 10에 도시된 바와 같이, 챔버 본체가 연직방향으로부터 소정각도 기울어진 상태로 기립된 형상인 것이 실시예 1에 따른 무기물 증착챔버와 상이하다. 그리고 증착챔버의 양 측에 다른 챔버가 연결되므로 양 측부에 다른 챔버와 연통할 수 있는 개구부가 마련된다. 그리고 이 개구부는 이웃하는 챔버와의 기밀 유지를 위하여 게이트 밸브에 의하여 개폐된다. 그리고 본 실시예에 따른 무기물 증착 챔버에는 무기물 공급부와 리간드 제거가스 공급부가 더 마련되는데 이들의 구조 및 기능을 실시예 1에서와 동일하므로 여기에서 반복하여 설명하지 않는다. Herein, the
그리고 본 실시예에 따른 유기물 증착 챔버도 무기물 증착 챔버와 마찬가지 로 챔버 본체가 연직방향으로부터 소정각도 기울어진 상태로 기립되어 배치되며, 그 양측에는 다른 챔버가 연결되므로 개구부가 마련되고, 이 개구부는 게이트 밸브에 의하여 개폐된다. 그리고 유기물 전구체 공급부와 퍼징가스 공급부도 마련되는데 이 들의 구조 및 기능을 실시예 1에서와 동일하므로 여기에서 반복하여 설명하지 않는다.
In addition, the organic material deposition chamber according to the present embodiment is also disposed in a state in which the chamber body is inclined at a predetermined angle from the vertical direction, similarly to the inorganic material deposition chamber, and an opening is provided because the other chambers are connected to both sides thereof. It is opened and closed by a valve. In addition, the organic precursor supply unit and the purge gas supply unit are also provided, since their structures and functions are the same as those in Example 1, and are not described herein again.
본 발명에 따른 OLED용 증착장치는 유기물 증착 챔버와 무기물 증착 챔버를 모두 구비하고 있으므로, 하나의 증착장치에 의하여 유기물과 무기물을 모두 증착할 수 있는 장점이 있다. 구체적으로는 전도채널 형성용 무기박막, 발광용 유기박막, 봉지막 등을 모두 증착시킬 수 있는 장점이 있다. 따라서 OLED 기판을 제조함에 있어서, 제조 시스템을 일원화할 수 있으며, 클린룸내에서 차지하는 면적을 대폭 감소 시킬 수 있는 장점이 있다. Since the OLED deposition apparatus according to the present invention includes both an organic deposition chamber and an inorganic deposition chamber, there is an advantage in that both organic and inorganic materials can be deposited by one deposition apparatus. Specifically, the inorganic thin film for forming the conductive channel, the organic thin film for emitting light, and the encapsulation film may be deposited. Therefore, in manufacturing the OLED substrate, it is possible to unify the manufacturing system, there is an advantage that can significantly reduce the area occupied in the clean room.
Claims (22)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040100593A KR100965408B1 (en) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | Apparatus for depositing organic and inorganic material of oled |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040100593A KR100965408B1 (en) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | Apparatus for depositing organic and inorganic material of oled |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060061960A KR20060061960A (en) | 2006-06-09 |
KR100965408B1 true KR100965408B1 (en) | 2010-06-24 |
Family
ID=37158195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040100593A KR100965408B1 (en) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | Apparatus for depositing organic and inorganic material of oled |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100965408B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015167105A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | 한국과학기술원 | Vapor deposition device |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100805526B1 (en) * | 2006-05-11 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Apparatus of thin film evaporation and method for thin film evaporation using the same |
KR102314466B1 (en) * | 2014-10-06 | 2021-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing display apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002060926A (en) * | 2000-05-02 | 2002-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film deposition apparatus, and cleaning method thereof |
KR20020051456A (en) * | 2000-12-22 | 2002-06-29 | 황 철 주 | Chemical Vapor deposition method in low temperature condition |
KR20020089350A (en) * | 2000-02-16 | 2002-11-29 | 아익스트론 아게 | Condensation coating method |
-
2004
- 2004-12-02 KR KR1020040100593A patent/KR100965408B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020089350A (en) * | 2000-02-16 | 2002-11-29 | 아익스트론 아게 | Condensation coating method |
JP2002060926A (en) * | 2000-05-02 | 2002-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film deposition apparatus, and cleaning method thereof |
KR20020051456A (en) * | 2000-12-22 | 2002-06-29 | 황 철 주 | Chemical Vapor deposition method in low temperature condition |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015167105A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | 한국과학기술원 | Vapor deposition device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060061960A (en) | 2006-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6309260B2 (en) | Thin film sealing manufacturing apparatus and thin film sealing manufacturing method | |
TWI659785B (en) | Evaporation source, deposition apparatus having an evaporation source, system having a deposition apparatus with an evaporation source, and method for operating an evaporation source | |
KR101997808B1 (en) | Evaporation source for organic material | |
US20170092899A1 (en) | Evaporation source for organic material | |
TW201104008A (en) | Apparatus for depositing film and method for depositing film and system for depositing film | |
KR101673016B1 (en) | Thin film encapsulation manufacturing device and manufacturing method of display apparatus using the same | |
KR101038457B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing light emitting device | |
US20210265605A1 (en) | Film formation device, vapor-deposited film formation method, and organic el display device production method | |
CN110164753B (en) | Apparatus and method for manufacturing oxide film and display apparatus including the same | |
WO2010113659A1 (en) | Film forming device, film forming method, and organic el element | |
KR101046239B1 (en) | Deposition Device, Deposition System and Deposition Method | |
KR100965408B1 (en) | Apparatus for depositing organic and inorganic material of oled | |
KR100783729B1 (en) | OLED(Organic Light Emitting Diodes) Panel Fabrication process | |
KR20100087514A (en) | Apparatus and method for manufacturing of oled | |
KR20060115045A (en) | Oled(organic light emitting diodes) panel fabrication process | |
KR100685144B1 (en) | Apparatus for depositing organic material and method thereof | |
KR101175126B1 (en) | Gas distribution unit having oval path and upright type deposition apparatus having the gas distribution unit | |
US20050241585A1 (en) | System for vaporizing materials onto a substrate surface | |
US20090202708A1 (en) | Apparatus for Manufacturing Light Emitting Elements and Method of Manufacturing Light Emitting Elements | |
JP6833610B2 (en) | Evaporative Sources for Organic Materials, Devices with Evaporative Sources for Organic Materials, Systems with Evaporative Accumulation Devices Containing Evaporative Sources for Organic Materials, and Methods for Manipulating Evaporative Sources for Organic Materials | |
CN101296537A (en) | Method of producing organic light emitting apparatus | |
KR20150137551A (en) | Thermal evaporation apparatus and method for in line type | |
JP2019214791A (en) | Evaporation source for organic materials | |
US20100055816A1 (en) | Light Emitting Device Manufacturing Apparatus and Method | |
KR20090093314A (en) | Apparatus for Doping Metal in Atmospheric Pressure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130617 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150611 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |