KR100965175B1 - Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display device having the same - Google Patents

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display device having the same Download PDF

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Abstract

반사율을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 액정표시장치를 개시한다. 박막 트랜지스터 기판은 제1 기판 상에 박막 트랜지스터를 구비하고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 투과 전극을 구비한다. 드레인 전극과 투과 전극과의 연결부를 유기 절연막으로 덮고, 유기 절연막 상에 반사 전극을 형성한다. 이로써, 반사 영역을 확장하여 반사율을 향상시킬 수 있다.

Figure R1020020077346

A thin film transistor substrate capable of improving reflectance, a method of manufacturing the same, and a liquid crystal display device having the same are disclosed. The thin film transistor substrate includes a thin film transistor on the first substrate, and includes a transmissive electrode electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor. The connection portion between the drain electrode and the transmission electrode is covered with an organic insulating film, and a reflective electrode is formed on the organic insulating film. Thereby, the reflectance can be extended to improve the reflectance.

Figure R1020020077346

Description

박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 액정표시장치{THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}A thin film transistor substrate, a method of manufacturing the same, and a liquid crystal display having the same {THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}

도 1은 일반적인 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a general reflection-transmissive liquid crystal display device.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 평면도이다.3 is a plan view of the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 2.

도 4a 내지 도 4d는 도 2에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.4A through 4D are flowcharts illustrating a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 2.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.6A to 6D are flowcharts illustrating a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 5.

도 7a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 7b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.7A is a cross-sectional view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 8은 액정 비틀림 각에 따른 반사-투과형 액정표시장치의 투과율을 나타낸 그래프이다.8 is a graph illustrating transmittance of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a liquid crystal twist angle.

도 9a는 전압 무인가시 액정층을 설명하기 위한 도면이고, 도 9b는 전압 인가시 액정층을 설명하기 위한 도면이다.9A is a view for explaining a liquid crystal layer when no voltage is applied, and FIG. 9B is a view for explaining a liquid crystal layer when voltage is applied.

도 10a와 도 10b는 본 발명에 따른 반사-투과형 액정표시장치에 있어서 반사 모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.10A and 10B are diagrams for explaining the operation principle of the reflection mode in the reflection-transmissive liquid crystal display device according to the present invention.

도 11a와 도 11b는 본 발명에 따른 반사-투과형 액정표시장치에 있어서 투과모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.11A and 11B are views for explaining the operation principle of the transmission mode in the reflection-transmissive liquid crystal display device according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 박막 트랜지스터 기판 110 : 제1 기판100 thin film transistor substrate 110 first substrate

120 : 박막 트랜지스터 140 : 무기 절연막120: thin film transistor 140: inorganic insulating film

145 : 콘택홀 150 : 투과 전극145 contact hole 150 transmission electrode

160 : 유기 절연막 165 : 투과창160: organic insulating film 165: transmission window

170 : 반사 전극 200 : 컬러 필터 기판170: reflective electrode 200: color filter substrate

300 : 액정층 410 : 제1 위상차판300: liquid crystal layer 410: first retardation plate

420 : 제2 위상차판 450 : 제1 편광판420: second retardation plate 450: first polarizing plate

460 : 제2 편광판 500 : 반사-투과형 액정표시장치460: second polarizer 500: reflection-transmissive liquid crystal display device

본 발명은 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치 에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사율을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 반사-투과형 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor substrate, a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device having the same, and more particularly, to a thin film transistor substrate, a method for manufacturing the same, and a reflection-transmissive liquid crystal display device having the same.

일반적으로 액정표시장치는 사용하는 광원에 따라 투과형(transmission type)과 반사형(reflection type)으로 나눌 수 있으며, 투과형 액정표시장치는 내부에 구비된 광발생 수단으로부터 인위적인 광을 제공받아 영상을 표시하며, 반사형 액정표시장치는 외부광을 제공받아 영상을 표시한다.In general, a liquid crystal display device may be classified into a transmission type and a reflection type according to a light source used, and the liquid crystal display device receives an artificial light from a light generating means provided therein to display an image. The reflective liquid crystal display receives an external light and displays an image.

반사형 액정표시장치는 투과형 액정표시장치의 단점을 장점으로 가지며, 투과형 액정표시장치는 반사형 액정표시장치의 단점을 장점으로 갖는다.Reflective liquid crystal displays have the disadvantages of transmissive liquid crystal displays, and transmissive liquid crystal displays have the disadvantages of reflective liquid crystal displays.

따라서, 반사형 및 투과형 액정표시장치의 장점을 모두 갖춘 반사-투과형 액정 표시 장치가 제안되었다.Accordingly, a reflection-transmissive liquid crystal display device having both the advantages of the reflective and transmissive liquid crystal display devices has been proposed.

도 1은 일반적인 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a general reflection-transmissive liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, 일반적인 반사-투과형 액정표시장치(50)는 박막 트랜지스터 기판(10), 컬러 필터 기판(20) 및 이들 사이에 구비된 액정층(30)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a general reflection-transmissive liquid crystal display device 50 includes a thin film transistor substrate 10, a color filter substrate 20, and a liquid crystal layer 30 disposed therebetween.

상기 박막 트랜지스터 기판(10)은 제1 기판(11), 상기 제1 기판(11) 상에 구비된 박막 트랜지스터(12), 박막 트랜지스터(12)가 구비된 제1 기판(11) 상에 형성된 절연막(13), 절연막(13) 상에 구비된 화소전극(16)을 포함한다.The thin film transistor substrate 10 is an insulating layer formed on the first substrate 11, the thin film transistor 12 provided on the first substrate 11, and the first substrate 11 provided with the thin film transistor 12. (13), the pixel electrode 16 provided on the insulating film 13 is included.

박막 트랜지스터(12)는 게이트 전극(12a), 게이트 전극(12a) 상에 구비되는 게이트 절연막(12b), 반도체층(12c), 소오스 전극(12d) 및 드레인 전극(12e)을 포함하며, 절연막(13)에는 드레인 전극(12e)을 노출시키는 콘택홀(13a)이 형성되어 있다. The thin film transistor 12 includes a gate electrode 12a, a gate insulating film 12b provided on the gate electrode 12a, a semiconductor layer 12c, a source electrode 12d, and a drain electrode 12e. The contact hole 13a exposing the drain electrode 12e is formed in the 13.                         

이로써, 절연막(13) 상에 구비된 화소전극(16)은 콘택홀(13a)을 통해 드레인 전극(12e)과 전기적으로 연결된다.As a result, the pixel electrode 16 provided on the insulating layer 13 is electrically connected to the drain electrode 12e through the contact hole 13a.

화소 전극(16)은 투과 전극(14)과 반사 전극(15)으로 이루어진다. 투과 전극(14)은 절연막(13) 상에 구비되고, 반사 전극(15)은 투과 전극(14) 상에 구비된다.The pixel electrode 16 consists of a transmission electrode 14 and a reflection electrode 15. The transmissive electrode 14 is provided on the insulating film 13, and the reflective electrode 15 is provided on the transmissive electrode 14.

반사 전극(15)은 외부로부터 입사되는 외부광(R1)을 반사시키는 반사 영역(R)을 정의하고, 또한 투과 전극(14)의 일정 영역을 노출시켜 반사-투과형 액정표시장치(50)의 내부에 구비된 광발생 수단(미도시)으로부터 제공된 내부광(R2)을 투과시키는 투과 영역(T)을 정의한다.The reflective electrode 15 defines a reflective region R that reflects external light R1 incident from the outside, and also exposes a predetermined region of the transmissive electrode 14 to expose the interior of the reflective-transmissive liquid crystal display 50. A transmission region T for transmitting the internal light R2 provided from the light generating means (not shown) provided in the unit is defined.

한편, 컬러 필터 기판(20)은 제2 기판(21), 제2 기판(21) 상에 형성된 R, G, B 색화소로 이루어진 컬러 필터층(22), 컬러 필터층(22) 상에 구비되고, 박막 트랜지스터 기판(10)의 화소 전극(16)에 대응하는 공통전극(23)을 포함한다.On the other hand, the color filter substrate 20 is provided on the second substrate 21, the color filter layer 22, the color filter layer 22 made of R, G, B color pixels formed on the second substrate 21, The common electrode 23 corresponding to the pixel electrode 16 of the thin film transistor substrate 10 is included.

박막 트랜지스터 기판(10)의 하측에는 제1 위상차판(retardation plate)(41)과 제1 편광판(45)이 구비되고, 컬러 필터 기판(20)의 상측에는 제2 위상차판(42)과 제2 편광판(46)이 구비되어 있다.A first retardation plate 41 and a first polarizing plate 45 are provided below the thin film transistor substrate 10, and a second retardation plate 42 and a second are disposed above the color filter substrate 20. The polarizing plate 46 is provided.

일반적으로 제1 및 제2 위상차판(41, 42)은 λ/4 위상차판을 사용하고, 제1 및 제2 편광판(45, 46)은 편광축이 서로 수직하도록 구비된다.In general, the first and second retardation plates 41 and 42 use a λ / 4 retardation plate, and the first and second polarizing plates 45 and 46 are provided such that the polarization axes are perpendicular to each other.

이로써, 반사-투과형 액정표시장치(50)는 투과 전극(14)을 이용하여 내부광(R2)을 투과시켜 영상을 표시하고, 반사 전극(15)을 이용하여 외부광(R1)을 반사시켜 영상을 표시한다. Accordingly, the reflection-transmissive liquid crystal display device 50 transmits the internal light R2 using the transmission electrode 14 to display an image, and reflects the external light R1 using the reflection electrode 15 to reflect the image. Is displayed.                         

그러나 일반적인 반사-투과형 액정표시장치(50)에 있어서, 콘택홀(13a)은 드레인 전극(12e)을 노출시키도록 절연막(13) 상에 형성되며, 반사 전극(15)은 콘택홀(13a)을 덮도록 구비된다.However, in the general reflection-transmissive liquid crystal display device 50, the contact hole 13a is formed on the insulating film 13 to expose the drain electrode 12e, and the reflective electrode 15 forms the contact hole 13a. It is provided to cover.

외부광(R1)이 반사 전극(15)을 향하여 입사하는 경우, 콘택홀(13a)을 덮는 반사 전극(15) 부위는 외부광(R1)을 반사-투과형 액정표시장치(50)의 정면으로 반사시키기 어렵다.When the external light R1 is incident toward the reflective electrode 15, the portion of the reflective electrode 15 covering the contact hole 13a reflects the external light R1 toward the front of the reflection-transmissive liquid crystal display 50. Difficult to let

따라서, 일반적인 반사-투과형 액정표시장치(50)에서는 절연막(13)에 콘택홀(13a)이 형성되기 때문에, 반사 영역(R)이 실질적으로 감소되어 반사율이 저하되는 문제점이 있다.Therefore, in the general reflection-transmissive liquid crystal display device 50, since the contact hole 13a is formed in the insulating film 13, the reflection region R is substantially reduced, resulting in a decrease in reflectance.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 반사 영역을 확장시켜 반사율을 향상시킬 수 있는 반사-투과형 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.Accordingly, it is a first object of the present invention to provide a reflection-transmissive thin film transistor substrate capable of expanding the reflection area to improve the reflectance.

또한, 본 발명의 제2 목적은 상기한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, a second object of the present invention is to provide a method for manufacturing the thin film transistor substrate.

또한, 본 발명의 제3 목적은 상기한 박막 트랜지스터 기판을 갖는 반사-투과형 액정표시장치를 제공하는 것이다.Further, a third object of the present invention is to provide a reflection-transmissive liquid crystal display device having the thin film transistor substrate.

이러한 본 발명의 제1 목적을 실현하기 위한 박막 트랜지스터 기판은, 박막 트랜지스터를 갖는 기판; 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 투과 전극; 투과 전극 상에 구비되고, 투과 전극의 일부를 노출시켜 투과 영역을 정의하는 투과창이 형성된 유기 절연막; 및 유기 절연막 상에 구비되어 반사 영역을 정의하고, 투과창을 통해 투과 전극과 전기적으로 연결되는 반사 전극을 포함하여 이루어진다. 여기서, 드레인 전극과 반사 전극의 연결부는 유기 절연막에 의해 덮히고, 유기 절연막 상에 반사 전극이 구비된다.A thin film transistor substrate for realizing the first object of the present invention includes a substrate having a thin film transistor; A transmission electrode electrically connected to the thin film transistor; An organic insulating layer provided on the transmission electrode and having a transmission window defining a transmission region by exposing a part of the transmission electrode; And a reflective electrode provided on the organic insulating layer to define a reflective region and electrically connected to the transmission electrode through the transmission window. Here, the connection portion between the drain electrode and the reflective electrode is covered by the organic insulating film, and the reflective electrode is provided on the organic insulating film.

또한 본 발명의 제2 목적을 실현하기 위한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법은, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 투과 전극을 형성하는 단계; 드레인 전극과 투과 전극과의 연결 부위를 덮고, 투과 전극을 일부 노출시키는 투과창이 형성된 유기 절연막을 형성하는 단계; 및 유기 절연막 상에 형성되고, 투과창의 가장자리를 따라 투과 전극과 연결되는 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, a method of manufacturing a thin film transistor substrate for realizing a second object of the present invention, forming a thin film transistor on the substrate; Forming a transmission electrode electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor; Forming an organic insulating layer covering a connection portion between the drain electrode and the transmission electrode and having a transmission window for partially exposing the transmission electrode; And forming a reflective electrode formed on the organic insulating layer and connected to the transmission electrode along an edge of the transmission window.

또한 본 발명의 제3 목적을 실현하기 위한 반사-투과형 액정표시장치는, 제1 기판 상에 구비된 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 투과 전극과, 투과 전극 상에 구비되고, 투과 전극의 일부를 노출시켜 투과 영역을 정의하는 투과창이 형성된 유기 절연막 및 유기 절연막 상에 구비되어 반사 영역을 정의하고, 투과창을 통하여 투과 전극과 전기적으로 연결되는 반사 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판; 제2 기판 상에 구비된 컬러 필터층과 컬러 필터층 상에 구비된 공통 전극을 갖는 컬러 필터 기판; 및 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판과의 사이에 구비되고, 투과 영역에 제1 두께를 가지고, 반사 영역에 제1 두께와 다른 제2 두께를 갖는 액정을 포함하여 이루어진다. 여기서, 제1 두께는 제2 두께의 두 배이다.In addition, a reflection-transmissive liquid crystal display device for realizing a third object of the present invention includes a transmissive electrode electrically connected to a thin film transistor provided on a first substrate, a transmissive electrode provided on the transmissive electrode, and exposing a portion of the transmissive electrode. A thin film transistor substrate including an organic insulating film having a transmission window defining a transmission area and a reflection electrode provided on the organic insulating film to define a reflection area and electrically connected to the transmission electrode through the transmission window; A color filter substrate having a color filter layer provided on the second substrate and a common electrode provided on the color filter layer; And a liquid crystal provided between the thin film transistor substrate and the color filter substrate, the liquid crystal having a first thickness in the transmission region and a second thickness different from the first thickness in the reflection region. Here, the first thickness is twice the second thickness.

이러한 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치에 의하면 반사 영역을 확장시킴으로써 반사율을 향상시킬 수 있다.According to such a thin film transistor substrate, a method of manufacturing the same, and a liquid crystal display having the same, the reflectance can be improved by expanding the reflection region.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 평면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of the thin film transistor substrate shown in FIG. 2.

도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치(500)는 크게 박막 트랜지스터 기판(100), 박막 트랜지스터 기판(100)과 대향하여 결합하는 컬러 필터 기판(200) 및 박막 트랜지스터 기판(100)과 컬러 필터 기판(200)과의 사이에 구비되는 액정층(300)을 포함한다.2 and 3, the reflection-transmissive liquid crystal display device 500 according to the first embodiment of the present invention is largely a color filter substrate coupled to face the thin film transistor substrate 100 and the thin film transistor substrate 100. And a liquid crystal layer 300 provided between the thin film transistor substrate 100 and the color filter substrate 200.

박막 트랜지스터 기판(100)은 제1 기판(110), 박막 트랜지스터(120), 투과 전극(150), 유기 절연막(160) 및 반사 전극(170)을 포함한다.The thin film transistor substrate 100 includes a first substrate 110, a thin film transistor 120, a transmissive electrode 150, an organic insulating layer 160, and a reflective electrode 170.

박막 트랜지스터(120)는 제1 방향으로 연장된 게이트 라인(131)으로부터 분기된 게이트 전극(121), 게이트 전극(121)을 보호하기 위하여 제1 기판(110) 전면에 적층된 게이트 절연막(122), 게이트 절연막(122) 상에 구비된 반도체층(123) 그리고 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장된 데이터 라인(133)으로부터 분기된 소오스 전극(124) 및 드레인 전극(125)으로 이루어진다.The thin film transistor 120 includes a gate insulating layer 122 stacked on the entire surface of the first substrate 110 to protect the gate electrode 121 and the gate electrode 121 branched from the gate line 131 extending in the first direction. And a source electrode 124 and a drain electrode 125 branched from the semiconductor layer 123 provided on the gate insulating layer 122 and the data line 133 extending in the second direction perpendicular to the first direction. .

투과 전극(150)은 투명 도전물질인 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어지며, 드레인 전극(125)의 일 측을 덮고 구비된다.The transmissive electrode 150 is made of indium tin oxide or indium zinc oxide, which is a transparent conductive material, and covers one side of the drain electrode 125.

유기 절연막(160)은 감광성 아크릴 수지로서, 투과 전극(150)이 형성된 제1 기판(110) 상에 소정의 두께를 가지고 구비된다. 여기서, 유기 절연막(160)의 두께 는 0.5 내지 2.5 ㎛이다.The organic insulating layer 160 is a photosensitive acrylic resin and has a predetermined thickness on the first substrate 110 on which the transmission electrode 150 is formed. Herein, the thickness of the organic insulating layer 160 is 0.5 to 2.5 μm.

유기 절연막(160)에는 투과 전극(150)의 일정 영역을 노출시키는 투과창(165)이 형성되어 있으며, 유기 절연막(160)의 상면에는 엠보싱 패턴이 형성되어 있다.The organic insulating layer 160 is provided with a transmission window 165 exposing a predetermined region of the transmission electrode 150, and an embossed pattern is formed on the upper surface of the organic insulating layer 160.

유기 절연막(160)에 형성된 투과창(165)은 반사-투과형 액정표시장치(500)의 내부에 구비된 광발생 수단(미도시)로부터 제공되는 내부광이 투과하여 소정의 영상을 표시하는 투과 영역(T)을 정의한다.The transmission window 165 formed on the organic insulating layer 160 transmits internal light provided from a light generating means (not shown) included in the reflection-transmissive liquid crystal display 500 to display a predetermined image. Define (T).

또한, 유기 절연막(160) 상에는 반사율이 우수한 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr) 등과 같은 금속으로 이루어진 반사 전극(170)이 구비된다.In addition, the organic insulating layer 160 is provided with a reflective electrode 170 made of a metal such as aluminum (Al), silver (Ag), chromium (Cr), and the like having excellent reflectance.

반사 전극(170)은 투과창(165)을 통하여 투과 전극(150)과 전기적으로 연결되며, 이때 반사 전극(170)은 투과창(165)에 의해 노출된 투과 전극(150)을 모두 덮지 않도록 투과창(165)의 가장자리를 따라 투과 전극(150)과 전기적으로 연결된다.The reflective electrode 170 is electrically connected to the transmissive electrode 150 through the transmissive window 165, wherein the reflective electrode 170 transmissive does not cover all of the transmissive electrodes 150 exposed by the transmissive window 165. It is electrically connected with the transmissive electrode 150 along the edge of the window 165.

이로써, 반사 전극(170)은 유기 절연막(160) 상에 구비되어 반사-투과형 액정표시장치(500)의 외부로부터 입사되는 외부광을 반사시켜 소정의 영상을 표시하는 반사 영역(R)을 정의한다.Accordingly, the reflective electrode 170 is provided on the organic insulating layer 160 to define the reflective region R for reflecting external light incident from the outside of the reflection-transmissive liquid crystal display 500 to display a predetermined image. .

반면, 컬러 필터 기판(200)은 크게 제2 기판(210), 컬러 필터층(220) 및 공통 전극(230)을 포함한다.On the other hand, the color filter substrate 200 largely includes the second substrate 210, the color filter layer 220, and the common electrode 230.

컬러 필터층(220)은 제2 기판(210) 상에 구비되며, 일정하게 배열된 R, G, B 색화소로 이루어진다. The color filter layer 220 is provided on the second substrate 210 and is formed of R, G, and B color pixels that are constantly arranged.                     

공통 전극(230)은 박막 트랜지스터 기판(100)의 투과 전극(150) 및 반사 전극(170)에 대응하도록 컬러 필터층(220) 상에 구비되며, 투과 전극(150)과 마찬가지로 투명 도전물질인 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어진다.The common electrode 230 is provided on the color filter layer 220 to correspond to the transmissive electrode 150 and the reflective electrode 170 of the thin film transistor substrate 100, and like the transmissive electrode 150, indium tin, which is a transparent conductive material, is provided. It is made of oxide (Indium Tin Oxide) or indium zinc oxide (Indium Zinc Oxide).

반사-투과형 액정표시장치(500)는 투과 영역(T)에서 편광 특성에 의한 광손실을 방지하기 위하여, 유기 절연막(160)에 형성된 투과창(165)을 이용하여 투과 영역(T)의 제2 셀 갭(D2)이 반사 영역(R)의 제1 셀 갭(D1)보다 두 배가 되도록 한다. 즉, 반사-투과형 액정표시장치(500)는 투과 영역(T)과 반사 영역(R)이 서로 다른 셀 갭을 갖는 이중 셀 갭 구조를 갖는다.In order to prevent light loss due to polarization characteristics in the transmissive region T, the reflective-transmissive liquid crystal display 500 uses a second transmissive region T of the transmissive region T by using the transmissive window 165 formed in the organic insulating layer 160. The cell gap D2 is doubled than the first cell gap D1 of the reflective region R. That is, the reflection-transmissive liquid crystal display 500 has a double cell gap structure in which the transmission region T and the reflection region R have different cell gaps.

한편, 박막 트랜지스터 기판(100)의 하측에는 제1 위상차판(410) 및 제1 편광판(450)이 구비되고, 컬러 필터 기판(200)의 상측에는 제2 위상차판(420) 및 제2 편광판(460)이 구비된다.Meanwhile, a first retardation plate 410 and a first polarizing plate 450 are provided below the thin film transistor substrate 100, and a second retardation plate 420 and a second polarizing plate (above the color filter substrate 200). 460 is provided.

제1 및 제2 위상차판(410, 420)과 제1 및 제2 편광판(450, 460)의 작용에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.Details of operations of the first and second retardation plates 410 and 420 and the first and second polarizers 450 and 460 will be described later.

이러한 반사-투과형 액정표시장치(500)에서 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(125)과 투과 전극(150)과의 연결부를 유기 절연막(160)으로 덮고, 유기 절연막(160) 상에 반사 전극(170)을 형성한다. 이로써, 반사 영역의 면적을 실질적으로 확장시켜 반사-투과형 액정표시장치(500)의 반사율을 향상시킬 수 있다.In the reflective-transmissive liquid crystal display device 500, the connection portion between the drain electrode 125 and the transmission electrode 150 of the thin film transistor 120 is covered with the organic insulating layer 160, and the reflective electrode (eg, the reflective electrode) is formed on the organic insulating layer 160. 170). As a result, the reflectance of the reflection-transmissive liquid crystal display device 500 may be improved by substantially expanding the area of the reflection area.

도 4a 내지 도 4d는 도 2에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다. 4A through 4D are flowcharts illustrating a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 2.                     

도 4a를 참조하면, 제1 기판(110) 상에 도 3에 도시된 게이트 라인(131)으로부터 분기된 게이트 전극(121)을 형성한다. 이후, 게이트 라인(131) 및 게이트 전극(121)을 덮도록 게이트 절연막(122)을 형성하고, 게이트 전극(121)에 대응하도록 게이트 절연막(122) 상에 반도체층(123)을 형성한다.Referring to FIG. 4A, a gate electrode 121 branched from the gate line 131 illustrated in FIG. 3 is formed on the first substrate 110. Thereafter, the gate insulating layer 122 is formed to cover the gate line 131 and the gate electrode 121, and the semiconductor layer 123 is formed on the gate insulating layer 122 to correspond to the gate electrode 121.

반도체층(123)이 형성된 제1 기판(110) 상에 도 3에 도시된 데이트 라인(133)으로부터 분기된 소오스(124) 및 드레인 전극(125)을 형성하여 박막 트랜지스터(120)를 완성한다.The thin film transistor 120 is completed by forming a source 124 and a drain electrode 125 branched from the data line 133 shown in FIG. 3 on the first substrate 110 on which the semiconductor layer 123 is formed.

도 4b를 참조하면, 박막 트랜지스터(120)가 형성된 제1 기판(110) 전면에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 투명 도전물질을 형성한다. 이후, 상기 투명 도전물질을 패터닝하여 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(125)과 전기적으로 연결되며, 게이트 절연막(122) 상에 소정의 넓이를 갖는 투과 전극(150)을 형성한다.Referring to FIG. 4B, a transparent conductive material made of indium tin oxide or indium zinc oxide is formed on the entire surface of the first substrate 110 on which the thin film transistor 120 is formed. Subsequently, the transparent conductive material is patterned to be electrically connected to the drain electrode 125 of the thin film transistor 120 to form a transmissive electrode 150 having a predetermined width on the gate insulating layer 122.

도 4c를 참조하면, 투과 전극(150)이 형성된 제1 기판(110) 상에 감광성 포토레지스트를 소정의 두께로 형성한다. 이후, 사진 공정을 통하여 상기 감광성 포토레지스트의 상면에 엠보싱 패턴(162)을 형성되고, 투과 전극(150)의 일정 영역을 노출시키는 투과창(165)을 형성한다. 이로써 엠보싱 패턴(162) 및 투과창(165)이 형성된 유기 절연막(160)을 형성한다.Referring to FIG. 4C, a photosensitive photoresist is formed to a predetermined thickness on the first substrate 110 on which the transmission electrode 150 is formed. Thereafter, an embossing pattern 162 is formed on the upper surface of the photosensitive photoresist through a photolithography process, and a transmission window 165 exposing a predetermined region of the transmission electrode 150 is formed. As a result, the organic insulating layer 160 having the embossed pattern 162 and the transmission window 165 is formed.

도 4d를 참조하면, 엠보싱 패턴(162) 및 투과창(165)이 형성된 유기 절연막(160) 상에 금속막을 형성한다. 이후, 상기 금속막을 패터닝하여 투과창(165)의 가장자리를 따라 투과 전극(150)과 전기적으로 연결되는 반사 전극(170)을 형성한다. Referring to FIG. 4D, a metal film is formed on the organic insulating layer 160 on which the embossed pattern 162 and the transmission window 165 are formed. Subsequently, the metal film is patterned to form a reflective electrode 170 that is electrically connected to the transmissive electrode 150 along an edge of the transmissive window 165.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 박막 트랜지스터 기판(100)은 제1 기판(110), 제1 기판(110) 상에 구비된 박막 트랜지스터(120), 무기 절연막(140), 투과 전극(150), 유기 절연막(160) 및 반사 전극(170)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the thin film transistor substrate 100 includes a first substrate 110, a thin film transistor 120 provided on the first substrate 110, an inorganic insulating layer 140, a transmission electrode 150, and an organic insulating layer. 160 and reflective electrode 170.

상기 무기 절연막(140)은 박막 트랜지스터(120)를 보호하기 위하여 제1 기판(110) 전면에 구비된다. 여기서, 상기 무기 절연막(140)은 실리콘 나이트라이드(SiNx)나 크롬 옥사이드(Cr2O3) 등과 같은 투명 무기물로 이루어진다.The inorganic insulating layer 140 is provided on the entire surface of the first substrate 110 to protect the thin film transistor 120. Here, the inorganic insulating layer 140 is made of a transparent inorganic material such as silicon nitride (SiNx) or chromium oxide (Cr 2 O 3 ).

상기 무기 절연막(140)에는 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(125)을 노출시키는 콘택홀(145)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 투명 도전물질인 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어지는 투과 전극(150)이 무기 절연막(140) 상에 구비되고, 콘택홀(145)을 통하여 드레인 전극(125)과 전기적으로 연결된다.A contact hole 145 is formed in the inorganic insulating layer 140 to expose the drain electrode 125 of the thin film transistor 120. Accordingly, a transparent electrode 150 made of indium tin oxide or indium zinc oxide, which is the transparent conductive material, is provided on the inorganic insulating layer 140 and drained through the contact hole 145. It is electrically connected to the electrode 125.

유기 절연막(160)은 감광성 아크릴 수지로서, 드레인 전극(125)과 투과 전극(150)과의 연결부, 즉 콘택홀(145)을 덮도록 구비된다. 아울러, 유기 절연막(160)에는 엠보싱 패턴(162) 및 투과 전극(150)의 일정 영역을 노출시키는 투과창(165)이 형성되어 있다. 투과창(165)은 투과 전극(150)을 노출시킴으로써 투과 영역(T)을 정의한다. The organic insulating layer 160 is a photosensitive acrylic resin and is provided to cover a connection portion between the drain electrode 125 and the transmission electrode 150, that is, the contact hole 145. In addition, the organic insulating layer 160 is provided with a transmission window 165 exposing a predetermined region of the embossed pattern 162 and the transmission electrode 150. The transmission window 165 defines the transmission region T by exposing the transmission electrode 150.                     

유기 절연막(160) 상에는 반사율이 우수한 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr)과 같은 금속으로 이루어진 반사 전극(170)이 구비되어, 투과창(165)의 가장자리를 따라 투과 전극(150)과 전기적으로 연결된다. 반사 전극(170)은 외부로부터 입사되는 광을 반사시켜 소정의 영상을 표시하는 반사 영역(R)을 정의한다.On the organic insulating layer 160, a reflective electrode 170 made of metal such as aluminum (Al), silver (Ag), and chromium (Cr) having excellent reflectivity is provided, and the transparent electrode 150 is formed along the edge of the transmission window 165. ) Is electrically connected. The reflective electrode 170 defines a reflective region R for reflecting light incident from the outside to display a predetermined image.

반사-투과형 액정표시장치(500)는 투과 영역(T)에서의 광손실을 방지하기 위하여, 유기 절연막(160)에 형성된 투과창(165)을 이용하여 투과 영역(T)의 제2 셀 갭(D4)이 반사 영역(R)의 제1 셀 갭(D3)보다 두 배가 되도록 한다. 즉, 반사-투과형 액정표시장치(500)는 투과 영역(T)과 반사 영역(R)이 서로 다른 셀 갭을 갖는 이중 셀 갭 구조를 갖는다.In order to prevent light loss in the transmissive region T, the reflective-transmissive liquid crystal display 500 uses a transmissive window 165 formed in the organic insulating layer 160 to form a second cell gap (ie, a second cell gap in the transmissive region T). D4) is doubled than the first cell gap D3 of the reflective region R. That is, the reflection-transmissive liquid crystal display 500 has a double cell gap structure in which the transmission region T and the reflection region R have different cell gaps.

이와 같은 반사-투과형 액정표시장치(500)에 있어서, 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(125)과 투과 전극(150)이 전기적으로 연결되는 콘택홀(135) 영역을 유기 절연막(160)으로 덮고, 유기 절연막(160) 상에 반사 전극(170)을 형성한다. 이로써, 콘택홀(135)에 대응하는 영역만큼 반사 영역(R)을 확장시켜 반사율을 향상시킬 수 있다.In the reflective-transmissive liquid crystal display device 500, the organic insulating layer 160 covers the region of the contact hole 135 in which the drain electrode 125 and the transmission electrode 150 of the thin film transistor 120 are electrically connected. The reflective electrode 170 is formed on the organic insulating layer 160. As a result, the reflectance R may be extended by an area corresponding to the contact hole 135 to improve the reflectance.

도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.6A to 6D are flowcharts illustrating a method of manufacturing the thin film transistor substrate illustrated in FIG. 5.

먼저 도 6a를 참조하면, 제1 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(120)를 형성한다. 박막 트랜지스터(120)의 형성 방법은 도 4a를 참조하여 설명한 것과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.First, referring to FIG. 6A, the thin film transistor 120 is formed on the first substrate 110. Since the method of forming the thin film transistor 120 is the same as that described with reference to FIG. 4A, description thereof is omitted.

이 후, 박막 트랜지스터(120)가 형성된 제1 기판(110) 전면에 박막 트랜지스 터(120)를 보호하기 위하여 무기 절연막(140)을 형성하고, 무기 절연막(140)에 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(125)을 노출시키는 콘택홀(145)을 형성한다.Subsequently, an inorganic insulating layer 140 is formed on the entire surface of the first substrate 110 on which the thin film transistor 120 is formed to protect the thin film transistor 120, and the inorganic insulating layer 140 is formed of the thin film transistor 120. A contact hole 145 exposing the drain electrode 125 is formed.

도 6b를 참조하면, 콘택홀(145)이 형성된 무기 절연막(140) 상에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어지는 투명 도전물질을 형성한다.Referring to FIG. 6B, a transparent conductive material made of indium tin oxide or indium zinc oxide is formed on the inorganic insulating layer 140 on which the contact hole 145 is formed.

이때, 상기 투명 도전물질은 콘택홀(145)을 통하여 드레인 전극(125)과 전기적으로 연결된다. 이후, 상기 투명 도전물질을 패터닝하여 드레인 전극(125)과 전기적으로 연결되며, 무기 절연막(140) 상에 소정의 넓이를 갖는 투과 전극(150)을 형성한다.In this case, the transparent conductive material is electrically connected to the drain electrode 125 through the contact hole 145. Subsequently, the transparent conductive material is patterned to be electrically connected to the drain electrode 125 to form a transmissive electrode 150 having a predetermined width on the inorganic insulating layer 140.

도 6c를 참조하면, 투과 전극(150)이 형성된 제1 기판(110) 상에 감광성 포토레지스트를 소정의 두께로 형성한다.Referring to FIG. 6C, a photosensitive photoresist is formed to a predetermined thickness on the first substrate 110 on which the transmission electrode 150 is formed.

이후, 사진 공정을 통하여 상기 감광성 포토레지스트에 엠보싱 패턴(162) 및 투과 전극(150)의 일정 영역을 노출시키는 투과창(165)을 형성한다. 이로써, 유기 절연막(160)을 형성한다.Thereafter, a transmissive window 165 is formed on the photosensitive photoresist to expose a predetermined region of the embossed pattern 162 and the transmissive electrode 150. As a result, the organic insulating layer 160 is formed.

도 6d를 참조하면, 엠보싱 패턴(162) 및 투과창(165)이 형성된 유기 절연막(160) 상에 금속막을 형성한다.Referring to FIG. 6D, a metal film is formed on the organic insulating layer 160 on which the embossed pattern 162 and the transmission window 165 are formed.

이후, 상기 금속막을 패터닝하여 반사 전극(170)을 형성한다. 여기서, 반사 전극(170)은 투과창(165)의 가장자리를 따라 투과 전극(150)과 전기적으로 연결된다.Thereafter, the metal film is patterned to form the reflective electrode 170. Here, the reflective electrode 170 is electrically connected to the transmission electrode 150 along the edge of the transmission window 165.

도 7a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 7b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.7A is a cross-sectional view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7a 및 도 7b에 도시된 박막 트랜지스터 기판(100)은 도 5를 참조하여 설명한 박막 트랜지스터 기판(100)과 동일하므로 이하에서 구체적인 설명을 생략한다.Since the thin film transistor substrate 100 illustrated in FIGS. 7A and 7B is the same as the thin film transistor substrate 100 described with reference to FIG. 5, a detailed description thereof will be omitted below.

먼저 도 7a를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치(500)는 박막 트랜지스터 기판(100), 박막 트랜지스터 기판(100)과 대향하여 결합하는 컬러 필터 기판(200) 및 이들 사이에 봉입된 액정층(300)을 포함한다.First, referring to FIG. 7A, the reflection-transmissive liquid crystal display device 500 according to the third exemplary embodiment of the present invention may include a thin film transistor substrate 100 and a color filter substrate 200 coupled to face the thin film transistor substrate 100. And a liquid crystal layer 300 enclosed therebetween.

컬러 필터 기판(200)은 제2 기판(210), 두께 조절부재(215), 제1 및 제2 두께(T1, T2)를 갖는 컬러 필터층(220a) 및 공통 전극(230)을 포함한다.The color filter substrate 200 includes a second substrate 210, a thickness adjusting member 215, a color filter layer 220a having first and second thicknesses T1 and T2, and a common electrode 230.

두께 조절부재(215)는 제2 기판(210) 상에 균일한 두께를 가지고 박막 트랜지스터 기판(100)과 대향하도록 구비되며, 박막 트랜지스터 기판(100)의 투과창(165)에 대응하는 영역이 제거되어 제2 기판(210)을 노출시킨다.The thickness adjusting member 215 is provided on the second substrate 210 to face the thin film transistor substrate 100 with a uniform thickness, and the region corresponding to the transmission window 165 of the thin film transistor substrate 100 is removed. To expose the second substrate 210.

한편, 컬러 필터층(220a)은 두께 조절부재(215)를 덮도록 제2 기판(210) 상에 구비된다. 이로써, 컬러 필터층(220a)은 반사 영역(R)에 대응하여 제1 두께(T1)를 가지고, 투과 영역(T)에 대응하여 제2 두께(T2)를 갖는다. 여기서, 제2 두께(T2)는 바람직하게 제1 두께(T1)의 두 배이다.Meanwhile, the color filter layer 220a is provided on the second substrate 210 to cover the thickness adjusting member 215. As a result, the color filter layer 220a has a first thickness T1 corresponding to the reflective region R, and has a second thickness T2 corresponding to the transmission region T. FIG. Here, the second thickness T2 is preferably twice the first thickness T1.

반사 영역(R)으로 입사되어 반사 전극(170)에 의해 반사되는 반사광은 제1 두께(T1)를 갖는 컬러 필터층(220a)을 2 번 경유하고, 투과 영역(T)을 투과하는 투과광은 제2 두께(T2)를 갖는 컬러 필터층(220a)을 1 번 경유하게 된다. The reflected light incident to the reflective region R and reflected by the reflective electrode 170 passes through the color filter layer 220a having the first thickness T1 twice, and the transmitted light passing through the transmissive region T is the second. It passes through the color filter layer 220a which has thickness T2 once.                     

따라서, 상기 반사광과 상기 투과광은 실질적으로 서로 동일한 두께의 컬러 필터층(220a)을 경유하는 것과 같아, 반사 영역(R)과 투과 영역(T)간의 색재현성을 동일하게 할 수 있다.Therefore, the reflected light and the transmitted light may be the same as those of the color filter layer 220a having substantially the same thickness, thereby making the color reproducibility between the reflective region R and the transparent region T the same.

또한, 두께 조절부재(215) 및 컬러 필터층(220a)의 두께를 조절함으로써 투과 영역(T)의 제2 셀 갭(D6)이 반사 영역(R)의 제1 셀 갭(D5)의 두 배가 되도록 제어할 수 있다.In addition, by adjusting the thicknesses of the thickness adjusting member 215 and the color filter layer 220a, the second cell gap D6 of the transmission region T is twice the first cell gap D5 of the reflection region R. Can be controlled.

도 7b를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치는 박막 트랜지스터 기판(100), 박막 트랜지스터 기판(100)과 대향하여 결합하는 컬러 필터 기판(200) 및 이들 사이에 구비되는 액정층(300)을 포함한다.Referring to FIG. 7B, the reflective-transmissive liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention includes a thin film transistor substrate 100, a color filter substrate 200 that opposes and couples the thin film transistor substrate 100, and a space therebetween. It includes a liquid crystal layer 300 is provided.

컬러 필터 기판(200)은 제2 기판(210) 상에 서로 다른 두께를 갖는 컬러 필터층(220b)이 형성되어 있다. 컬러 필터층(220b)은 반사 영역(R)에 대응하여 제1 두께(T3)를 갖고, 투과 영역(T)에 대응하여 제2 두께(T4)를 갖는다.The color filter substrate 200 has color filter layers 220b having different thicknesses formed on the second substrate 210. The color filter layer 220b has a first thickness T3 corresponding to the reflective region R and a second thickness T4 corresponding to the transmission region T. FIG.

컬러 필터층(220b)은 제2 기판(210) 상에 제2 두께(T4)를 갖도록 R, G, B 색화소를 형성한다. 그리고, 반사 영역(R)에 대응하도록 상기 R, G, B 색화소를 패터닝하여 제1 두께(T3)를 갖는 컬러 필터층(220b)을 형성한다. 여기서, 제2 두께(T4)는 제1 두께(T3)의 두 배이다.The color filter layer 220b forms R, G, and B color pixels on the second substrate 210 to have a second thickness T4. The R, G, and B color pixels are patterned to correspond to the reflective region R to form a color filter layer 220b having a first thickness T3. Here, the second thickness T4 is twice the first thickness T3.

따라서, 반사 영역(R) 및 투과 영역(T)으로부터 출사되는 광이 동일한 두께의 컬러 필터층(220b)을 경유하도록 하여, 반사 영역(R)과 투과 영역(T)간의 색재현성을 동일하게 할 수 있다.Therefore, the light emitted from the reflective region R and the transparent region T passes through the color filter layer 220b having the same thickness, so that the color reproducibility between the reflective region R and the transparent region T can be made the same. have.

도 8은 액정 비틀림 각에 따른 반사-투과형 액정표시장치의 투과율을 나타낸 그래프이다.8 is a graph illustrating transmittance of a reflection-transmissive liquid crystal display device according to a liquid crystal twist angle.

액정 비틀림 각이란 두 장의 기판 사이에 액정층이 구비될 때, 상부 기판에 접하는 액정층과 하부 기판에 접하는 액정층의 배열 방향이 이루는 각을 말한다. 여기서, 배열 방향이란 장축과 단축을 갖는 액정 분자의 장축 방향을 말한다.The liquid crystal twist angle refers to an angle formed by an arrangement direction of a liquid crystal layer in contact with an upper substrate and a liquid crystal layer in contact with a lower substrate when a liquid crystal layer is provided between two substrates. Here, an arrangement direction means the long axis direction of the liquid crystal molecule which has a long axis and a short axis.

도 8을 참조하면, 상기 액정 비틀림 각이 증가함에 따라 반사-투과형 액정표시장치의 투과율이 감소함을 알 수 있다. Referring to FIG. 8, it can be seen that as the liquid crystal twist angle increases, the transmittance of the reflection-transmissive liquid crystal display decreases.

반사-투과형 액정표시장치는 반사 영역과 투과 영역을 가지며, 편광 특성에 의한 광손실을 방지하기 위하여 투과 영역의 셀 갭이 반사 영역의 셀 갭의 두 배인 이중 셀 갭을 갖는다. 이와 같은 반사-투과형 액정표시장치에 있어서, 액정 비틀림 각이 0도, 즉 액정층이 수평(homogeneous) 배향된 경우 투과 영역의 투과율이 약 40%이다.The reflection-transmissive liquid crystal display has a reflection region and a transmission region, and has a double cell gap in which the cell gap of the transmission region is twice the cell gap of the reflection region in order to prevent light loss due to polarization characteristics. In such a reflection-transmissive liquid crystal display device, when the liquid crystal twist angle is 0 degrees, that is, when the liquid crystal layer is homogeneous, the transmittance of the transmission region is about 40%.

반면, 액정 비틀림 각이 90도, 즉 액정층이 트위스티드(Twisted) 배향된 경우 투과 영역의 투과율이 15%로서 비틀림 각 0도에 비하여 상대적으로 낮음을 알 수 있다.On the other hand, when the liquid crystal twist angle is 90 degrees, that is, when the liquid crystal layer is twisted, the transmittance of the transmission region is 15%, which is relatively low compared to the twist angle of 0 degrees.

따라서, 이중 셀 갭을 갖는 반사-투과형 액정표시장치에 있어서 투과 영역의 투과율을 향상시키기 위하여 액정 비틀림 각이 0도인 수평 배향을 한다.Accordingly, in the reflection-transmissive liquid crystal display device having a double cell gap, a horizontal alignment with a liquid crystal twist angle of 0 degrees is performed in order to improve the transmittance of the transmission region.

도 9a는 전압 무인가시 액정층을 설명하기 위한 도면이고, 도 9b는 전압 인가시 액정층을 설명하기 위한 도면이다.9A is a view for explaining a liquid crystal layer when no voltage is applied, and FIG. 9B is a view for explaining a liquid crystal layer when voltage is applied.

먼저 9a를 참조하면, 반사-투과형 액정표시장치(500)는 박막 트랜지스터 기판(100), 박막 트랜지스터 기판(100)과 대향하여 결합하는 컬러 필터 기판(200) 및 이들 사이에 구비된 액정층(300)을 포함한다.First, referring to 9a, the reflective-transmissive liquid crystal display device 500 may include the thin film transistor substrate 100, the color filter substrate 200 coupled to the thin film transistor substrate 100, and the liquid crystal layer 300 disposed therebetween. ).

박막 트랜지스터 기판(100)에는 투과 전극(미도시) 및 반사 전극(미도시)이 구비되고, 컬러 필터 기판(200)에는 투과 전극 및 반사 전극에 대응하는 공통 전극(미도시)이 구비되어 있다.The thin film transistor substrate 100 includes a transmission electrode (not shown) and a reflection electrode (not shown), and the color filter substrate 200 is provided with a common electrode (not shown) corresponding to the transmission electrode and the reflection electrode.

액정층(300)은 도 8에 도시된 바와 같이 투과율을 향상시키기 위하여 액정 비틀림 각이 0도인 수평(homogeneous) 배향을 이룬다.As shown in FIG. 8, the liquid crystal layer 300 has a homogeneous orientation in which the liquid crystal twist angle is 0 degrees to improve transmittance.

도 9b를 참조하면, 도 9a에 도시된 반사-투과형 액정표시장치(500)의 액정층(300)에 전압이 인가되면, 액정층(300)은 상기 전압에 대응하여 일정한 방향을 가지고 배열한다.Referring to FIG. 9B, when a voltage is applied to the liquid crystal layer 300 of the reflection-transmissive liquid crystal display 500 shown in FIG. 9A, the liquid crystal layer 300 is arranged in a predetermined direction corresponding to the voltage.

즉, 박막 트랜지스터 기판(100)에 구비된 투과 전극 및 반사 전극과 컬러 필터 기판(200)에 구비된 공통 전극간에 전압이 인가되어 전계가 형성되면, 도 9a에 도시된 액정층(300)은 전계의 세기에 따라 도 9b에 도시된 바와 같이 배열된다.That is, when a voltage is applied between the transmissive electrode and the reflective electrode provided in the thin film transistor substrate 100 and the common electrode provided in the color filter substrate 200, the liquid crystal layer 300 illustrated in FIG. 9A may have an electric field. According to the intensity of the arrangement as shown in Figure 9b.

도 10a 및 도 10b는 도 2에 도시된 반사-투과형 액정표시장치에 있어서 반사 모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.10A and 10B are diagrams for describing an operation principle of a reflection mode in the reflection-transmissive liquid crystal display shown in FIG. 2.

도 10a를 참조하면, 전압 무인가시 액정층(300)은 도 9a에 도시된 바와 같이 수평 배향을 이루며, 액정층(300)은 도 2에 도시된 제1 셀 갭(D1)에 해당하는 두께를 가지고 구비된다.Referring to FIG. 10A, when no voltage is applied, the liquid crystal layer 300 has a horizontal alignment as shown in FIG. 9A, and the liquid crystal layer 300 has a thickness corresponding to the first cell gap D1 shown in FIG. 2. It is equipped with.

외부로부터 광(L1)이 제2 편광판(460)으로 입사된다. 입사광(L1)은 제2 편광판(460)의 편광축과 평행한 진동 성분만이 투과되어 선편광(L2)으로 변경된다.Light L1 is incident on the second polarizing plate 460 from the outside. The incident light L1 transmits only a vibration component parallel to the polarization axis of the second polarizing plate 460 to be changed to linearly polarized light L2.

이후, 선편광(L2)은 제2 위상차판(420)을 투과하여 좌원편광(L3)이 되고, 좌 원편광(L3)은 액정층(300)을 따라 진행하여 제2 편광판(460)을 투과한 선편광(L2) 및 광의 진행방향과 각각 수직한 방향으로 진동하는 선편광(L4)이 된다.Thereafter, the linearly polarized light L2 passes through the second retardation plate 420 to become left circularly polarized light L3, and the left circularly polarized light L3 travels along the liquid crystal layer 300 to transmit the second polarizing plate 460. The linearly polarized light L2 and the linearly polarized light L4 vibrating in a direction perpendicular to the traveling direction of the light, respectively.

선편광(L4)은 반사 전극(170)에 의해 반사되어 입사 경로의 역순으로 출사된다. 즉, 선편광(L4)은 액정층(300)을 투과하여 좌원편광(L5)이 되고, 좌원편광(L5)은 제2 위상차판(420)을 투과하여 선편광(L6)이 된다. The linearly polarized light L4 is reflected by the reflective electrode 170 and exits in the reverse order of the incident path. That is, the linearly polarized light L4 is transmitted through the liquid crystal layer 300 to become left circularly polarized light L5, and the left circularly polarized light L5 is transmitted through the second retardation plate 420 to be linearly polarized light L6.

이때, 선편광(L6)은 제2 편광판(460)의 편광축과 평행한 방향으로 진동하는 선편광으로, 제2 편광판(460)을 투과하여 소정의 칼라를 표시한다.In this case, the linearly polarized light L6 is linearly polarized light vibrating in a direction parallel to the polarization axis of the second polarizing plate 460, and passes through the second polarizing plate 460 to display a predetermined color.

반면, 도 10b를 참조하면, 전압 인가시 액정층(300)은 도 9b에 도시된 바와 같이 수직하게 배열되고, 액정층(300)은 도 2에 도시된 제1 셀 갭(D1)에 해당하는 두께를 가지고 구비된다.On the other hand, referring to FIG. 10B, when voltage is applied, the liquid crystal layers 300 are vertically arranged as shown in FIG. 9B, and the liquid crystal layer 300 corresponds to the first cell gap D1 shown in FIG. 2. It is provided with a thickness.

외부광(L1)이 제2 편광판(460)을 투과하여 선편광(L7)이 되고, 선편광(L7)이 제2 위상차판(420)을 투과하여 좌원편광(L8)으로 변경된다.The external light L1 passes through the second polarizing plate 460 to become linearly polarized light L7, and the linearly polarized light L7 passes through the second retardation plate 420 to change to left circularly polarized light L8.

좌원편광(L8)은 액정층(300)을 광특성의 변경없이 투과한다. 이후, 반사 전극(170)에 의해 우원편광(L9)으로 변경되고, 액정층(300)을 광특성의 변경없이 투과하여 제2 위상차판(420)에 입사된다. The left circularly polarized light L8 transmits the liquid crystal layer 300 without changing the optical characteristics. Subsequently, the reflective electrode 170 is changed into the right circularly polarized light L9, and the liquid crystal layer 300 is transmitted to the second retardation plate 420 without changing the optical characteristics.

제2 위상차판(420)에 입사된 우원편광(L9)은 제1 편광판(460)을 투과한 선편광(L7) 및 광의 진행방향과 각각 수직한 방향으로 진동하는 선편광(L10)으로 변경된다. 선편광(L10)은 제2 편광판(460)의 편광축과 수직한 방향으로 진동하므로 제2 편광판(460)을 투과하지 못하게 되고, 반사-투과형 액정표시장치(500)는 블랙을 표시한다. The right circularly polarized light L9 incident on the second retardation plate 420 is changed into a linearly polarized light L7 transmitted through the first polarizing plate 460 and a linearly polarized light L10 vibrating in a direction perpendicular to the traveling direction of the light. Since the linearly polarized light L10 vibrates in a direction perpendicular to the polarization axis of the second polarizing plate 460, the linearly polarized light L10 does not transmit through the second polarizing plate 460, and the reflection-transmissive liquid crystal display 500 displays black.                     

도 11a 및 도 11b는 도 2에 도시된 반사-투과형 액정표시장치에 있어서 투과 모드의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.11A and 11B are diagrams for describing a principle of operation of a transmission mode in the reflection-transmissive liquid crystal display shown in FIG. 2.

도 11a를 참조하면, 전압 무인가시 액정층(300)은 도 9a에 도시된 바와 같이 수평 배향을 이루며, 액정층(300)은 도 2에 도시된 제2 셀 갭(D2)에 해당하는 두께를 가지고 구비된다. 여기서 제2 셀 갭(D2)은 도 2에 도시된 제1 셀 갭(D1)의 두 배의 크기를 갖는다.Referring to FIG. 11A, when no voltage is applied, the liquid crystal layer 300 has a horizontal alignment as shown in FIG. 9A, and the liquid crystal layer 300 has a thickness corresponding to the second cell gap D2 shown in FIG. 2. It is equipped with. Here, the second cell gap D2 has twice the size of the first cell gap D1 shown in FIG. 2.

반사-투과형 액정표시장치(500)의 내부에 구비된 광발생 수단(미도시)으로부터 발생된 내부광(L11)이 제1 편광판(450)을 투과한다. 이때, 내부광(L11)은 제1 편광판(450)의 편광축과 동일한 방향을 갖는 성분만이 투과하여 도 10에 도시된 선편광(L10)이 진동하는 방향과 동일한 방향으로 진동하는 선편광(L12)이 된다.The internal light L11 generated from the light generating means (not shown) provided in the reflection-transmissive liquid crystal display 500 passes through the first polarizing plate 450. At this time, the internal light L11 transmits only components having the same direction as the polarization axis of the first polarizing plate 450 so that the linearly polarized light L12 vibrating in the same direction as the linear polarization L10 shown in FIG. 10 vibrates. do.

선편광(L12)은 제1 위상차판(410)을 통과하면서 우원편광(L13)이 되고, 투과 전극(150)을 통과하여 액정층(300)으로 입사된다. 여기서, 액정층(300)은 도 10a에 도시된 액정층의 두 배의 두께를 가지며, 우원편광(L13)을 좌원편광(L14)으로 변경시킨다.The linearly polarized light L12 becomes the right circularly polarized light L13 while passing through the first retardation plate 410, and passes through the transmission electrode 150 to enter the liquid crystal layer 300. Here, the liquid crystal layer 300 has twice the thickness of the liquid crystal layer shown in FIG. 10A, and changes the right circularly polarized light L13 to the left circularly polarized light L14.

이후, 액정층(300)을 투과한 좌원편광(L14)은 제2 위상차판(420)을 투과하여 제1 편광판(450)을 투과한 선편광(L12)의 진동방향과 수직한 방향으로 진동하는 선편광(L15)으로 변경되고, 선편광(L15)의 진동 방향이 제2 편광판(460)의 편광축과 평행하므로 선편광(L15)은 제2 편광판(460)을 투과하여 화이트 컬러를 표시한다.Thereafter, the left circularly polarized light L14 transmitted through the liquid crystal layer 300 penetrates the second retardation plate 420 and vibrates in a direction perpendicular to the vibration direction of the linearly polarized light L12 transmitted through the first polarizing plate 450. (L15), and since the vibration direction of the linearly polarized light L15 is parallel to the polarization axis of the second polarizing plate 460, the linearly polarized light L15 passes through the second polarizing plate 460 to display a white color.

도 11b를 참조하면, 전압 무인가시 액정층(300)은 도 9b에 도시된 바와 같이 수직하게 배열되며, 액정층(300)은 도 2에 도시된 제2 셀 갭(D2)에 해당하는 두께 를 가지고 구비된다.Referring to FIG. 11B, when no voltage is applied, the liquid crystal layers 300 are vertically arranged as shown in FIG. 9B, and the liquid crystal layer 300 has a thickness corresponding to the second cell gap D2 shown in FIG. 2. It is equipped with.

반사-투과형 액정표시장치(500)의 액정층(300)에 전압이 인가되어 액정층(300)이 도 9b에 도시된 바와 같이 수직하게 배열되어 있으며, 액정층(300)은 도 2에 도시된 제2 셀 갭(D2)에 해당하는 두께를 가지고 구비된다.Voltage is applied to the liquid crystal layer 300 of the reflection-transmissive liquid crystal display device 500 so that the liquid crystal layer 300 is vertically arranged as shown in FIG. 9B, and the liquid crystal layer 300 is shown in FIG. 2. It is provided having a thickness corresponding to the second cell gap D2.

내부광(L11)이 제1 편광판(450)을 투과한다. 이때, 내부광(L11)은 제1 편광판(460)의 편광축과 동일한 방향을 갖는 성분만이 투과하여 도 11a에 도시된 제1 편광판(450)을 투과한 선편광(L12)과 동일한 방향으로 진동하는 선편광(L16)이 된다.The internal light L11 passes through the first polarizer 450. At this time, the internal light L11 transmits only components having the same direction as the polarization axis of the first polarizing plate 460 and vibrates in the same direction as the linearly polarized light L12 transmitted through the first polarizing plate 450 shown in FIG. 11A. Linear polarization L16 is obtained.

이후, 선편광(L16)은 제1 위상차판(410)을 통과하여 우원편광(L17)으로 변경되고, 투과 전극(150) 및 액정층(300)을 투과한다.Subsequently, the linearly polarized light L16 is changed to the right circularly polarized light L17 by passing through the first retardation plate 410, and passes through the transmission electrode 150 and the liquid crystal layer 300.

액정층(300)을 투과한 우원편광(L17)은 제2 위상차판(420)을 투과하면서 도 11b를 관통하는 방향으로 진동하는 선편광(L18)으로 변경된다. 그러나, 제2 위상차판(420)을 투과한 선편광(L18)의 진동 방향은 제2 편광판(460)의 편광축 방향과 수직하므로, 선편광(L18)은 제2 편광판(460)을 투과하지 못하게 되어 블랙 칼라를 표시한다.The right circularly polarized light L17 that has passed through the liquid crystal layer 300 is changed into linearly polarized light L18 that transmits through the second retardation plate 420 and vibrates in a direction passing through FIG. 11B. However, since the oscillation direction of the linearly polarized light L18 transmitted through the second retardation plate 420 is perpendicular to the direction of the polarization axis of the second polarizing plate 460, the linearly polarized light L18 does not pass through the second polarizing plate 460 and thus is black. Display the color.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 액정 비틀림 각이 0도가 되도록 액정층을 수평 배향하고, 투과 영역의 셀 갭이 반사 영역의 셀 갭의 두 배가 되도록 형성한다. 또한, 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 투과 전극과의 연결부를 유기 절연막으로 덮고 유기 절연막 상에 반사 전극을 형성한다. As described above, according to the present invention, the liquid crystal layer is horizontally aligned so that the liquid crystal twist angle is 0 degrees, and the cell gap of the transmission area is formed to be twice the cell gap of the reflection area. In addition, the connection portion between the drain electrode and the transmission electrode of the thin film transistor is covered with an organic insulating film, and a reflective electrode is formed on the organic insulating film.                     

이로써, 투과 모드시 편광 특성에 의한 투과광의 손실을 방지하여 투과율을 향상시킬 수 있으며, 드레인 전극과 투과 전극과의 연결부를 반사 전극으로 덮어 반사 영역을 확장함으로써 반사율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the transmittance can be improved by preventing the loss of transmitted light due to the polarization characteristic in the transmission mode, and the reflectance can be improved by covering the connection portion between the drain electrode and the transmission electrode with the reflection electrode to expand the reflection area.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

Claims (11)

박막 트랜지스터가 구비된 기판;A substrate having a thin film transistor; 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 투과 전극;A transmission electrode electrically connected to the thin film transistor; 상기 투과 전극 상에 구비되고, 상기 투과 전극의 일부를 노출시켜 투과 영역을 정의하는 투과창이 형성된 제1 절연막; 및A first insulating layer provided on the transmissive electrode and having a transmissive window defining a transmissive region by exposing a portion of the transmissive electrode; And 상기 제1 절연막 상에 구비되어 반사 영역을 정의하고, 상기 투과창의 가장자리를 따라 상기 투과 전극과 전기적으로 연결되되 상기 투과창에 대응하여 상기 투과 전극이 노출되도록 제거된 반사 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.A thin film transistor substrate disposed on the first insulating layer to define a reflective region, and including a reflective electrode electrically connected to the transmissive electrode along an edge of the transmissive window and removed to expose the transmissive electrode corresponding to the transmissive window. . 제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터와 상기 투과 전극과의 연결부위가 상기 제1 절연막에 의해 덮어지고, 상기 연결부위에 대응하는 상기 제1 절연막 상에 상기 반사 전극이 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film of claim 1, wherein a connection portion between the thin film transistor and the transmission electrode is covered by the first insulating layer, and the reflective electrode is provided on the first insulating layer corresponding to the connection portion. Transistor substrate. 제2항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 상에 제2 절연막을 더 구비하고, 상기 제2 절연막에는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀이 형성되며, 상기 투과 전극은 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.3. The semiconductor device of claim 2, further comprising a second insulating film on the thin film transistor, wherein the contact hole is formed in the second insulating film so that the drain electrode of the thin film transistor is exposed. A thin film transistor substrate, characterized in that connected to the electrode. 제1항에 있어서, 상기 반사 전극은 상기 투과창의 가장자리를 따라 상기 투 과 전극과 연결되고, 상기 투과 영역에 대응하도록 상기 투과 전극을 노출시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 1, wherein the reflective electrode is connected to the transmission electrode along an edge of the transmission window and exposes the transmission electrode to correspond to the transmission area. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연막 두께는 0.5 내지 2.5 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 1, wherein the first insulating layer has a thickness of 0.5 to 2.5 μm. 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;Forming a thin film transistor on the substrate; 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 투과 전극을 형성하는 단계;Forming a transmission electrode electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor; 상기 드레인 전극과 상기 투과 전극과의 연결 부위를 덮고, 상기 투과 전극을 일부 노출시키는 투과창이 형성된 제1 절연막을 형성하는 단계; 및Forming a first insulating layer covering a connection portion between the drain electrode and the transmission electrode and having a transmission window partially exposing the transmission electrode; And 상기 제1 절연막 상에 형성되고, 상기 투과창의 가장자리를 따라 상기 투과 전극과 연결되되 상기 투과창에 대응하여 상기 투과 전극이 노출되도록 제거된 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.Forming a reflective electrode formed on the first insulating layer and connected to the transmission electrode along an edge of the transmission window, the reflection electrode being removed to expose the transmission electrode in correspondence to the transmission window; . 제6항에 있어서, 상기 투과 전극을 형성하는 단계는,The method of claim 6, wherein the forming of the transmission electrode, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 제2 절연막을 형성하는 단계;Forming a second insulating film to cover the thin film transistor; 상기 제2 절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;Patterning the second insulating film to form a contact hole exposing the drain electrode; 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되도록 상기 제2 절연막 상에 투명 도전막을 형성하는 단계; 및Forming a transparent conductive film on the second insulating film to be connected to the drain electrode through the contact hole; And 상기 투명 도전막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.And patterning the transparent conductive film. 제1 기판 상에 구비된 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 투과 전극과, 상기 투과 전극 상에 구비되고, 상기 투과 전극의 일부를 노출시켜 투과 영역을 정의하는 투과창이 형성된 제1 절연막 및 상기 제1 절연막 상에 구비되어 반사 영역을 정의하고, 상기 투과창의 가장자리를 따라 상기 투과 전극과 전기적으로 연결되되 상기 투과창에 대응하여 상기 투과 전극이 노출되도록 제거된 반사 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판;A first insulating film and a first insulating film having a transmissive electrode electrically connected to the thin film transistor provided on the first substrate, and a transmissive window provided on the transmissive electrode and defining a transmissive region by exposing a portion of the transmissive electrode. A thin film transistor substrate disposed on the defining portion and including a reflective electrode electrically connected to the transmissive electrode along an edge of the transmissive window, the reflective electrode being removed to expose the transmissive electrode corresponding to the transmissive window; 제2 기판 상에 구비된 컬러 필터층과 상기 컬러 필터층 상에 구비된 공통 전극을 갖는 컬러 필터 기판; 및A color filter substrate having a color filter layer provided on a second substrate and a common electrode provided on the color filter layer; And 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판과의 사이에 구비되고, 상기 투과 영역에 제1 두께를 가지고, 상기 반사 영역에 상기 제1 두께와 다른 제2 두께를 갖는 액정을 포함하는 액정 표시 장치. And a liquid crystal disposed between the thin film transistor substrate and the color filter substrate, the liquid crystal having a first thickness in the transmission region and a second thickness different from the first thickness in the reflection region. 제8항에 있어서, 상기 제1 두께는 상기 제2 두께의 두 배인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The liquid crystal display of claim 8, wherein the first thickness is twice the second thickness. 제8항에 있어서, 상기 투과 영역에 대응하는 상기 컬러 필터층의 두께는 상기 반사 영역에 대응하는 컬러 필터층의 두께의 두 배인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The liquid crystal display of claim 8, wherein the thickness of the color filter layer corresponding to the transmission region is twice the thickness of the color filter layer corresponding to the reflection region. 제8항에 있어서, 상기 컬러 필터 기판에 접하는 상기 액정의 장축방향과 상기 박막 트랜지스터 기판에 접하는 상기 액정의 장축 방향이 동일한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the long axis direction of the liquid crystal in contact with the color filter substrate and the long axis direction of the liquid crystal in contact with the thin film transistor substrate are the same.
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