KR100959260B1 - 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치 - Google Patents

반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100959260B1
KR100959260B1 KR1020080008675A KR20080008675A KR100959260B1 KR 100959260 B1 KR100959260 B1 KR 100959260B1 KR 1020080008675 A KR1020080008675 A KR 1020080008675A KR 20080008675 A KR20080008675 A KR 20080008675A KR 100959260 B1 KR100959260 B1 KR 100959260B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bellows
opening
ring
heating chamber
exhaust
Prior art date
Application number
KR1020080008675A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090082744A (ko
Inventor
윤훈만
Original Assignee
(주) 예스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 예스티 filed Critical (주) 예스티
Priority to KR1020080008675A priority Critical patent/KR100959260B1/ko
Publication of KR20090082744A publication Critical patent/KR20090082744A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100959260B1 publication Critical patent/KR100959260B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B45/00—Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids
    • F04B45/02—Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids having bellows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치, 특히 배기구 개폐장치의 내부에 설치되는 개선된 이중벨로우즈장치는, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈에 의해 이중 벨로우즈 구조로 형성하여 배기구를 밀폐시에는 공기를 주입 충진시키고 개방시에는 주입 충진된 공기를 배출시키면서 배기구를 개폐시키도록 하되, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜서 된 것이다.
개선된 이중벨로우즈장치는, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단을 각각 별도로 구비되는 링의 정 위치에 정확하고 용이하게 용접할 수 있도록 하여 생산성과 정밀도를 크게 향상시킬 수 있고, 상단과 하단에 각각 별도로 구비되는 링에 의해 인벨로우즈와 아웃벨로우즈와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격을 일정(균일)하게 유지시켜 줌으로서 공기를 주입시킬 때에 인벨로우즈와 아웃벨로우즈가 균일하게 팽창 및 수축되도록 하여 개폐부재가 균일한 상태를 유지하면서 상하로 작동하여 개폐장치하우징과 히팅챔버하우징의 배기공을 정확(정밀)하게 개폐시켜 히팅챔버하우징의 가스가 배기구로 누출되는 현상을 방지할 수 있으며, 더불어 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정 또는 확산공정이 정밀하여 실시되도록 하여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.
히팅챔버하우징. 개폐장치. 개폐장치하우징. 냉각수단. 개폐부재. 탄성부재. 이중벨로우즈장치. 인벨로우즈. 아웃벨로우즈. 인벨로우즈링. 아웃벨로우즈링.

Description

반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치{A OPENING AND CLOSING DEVICE OF FURNACE FOR HITTING CHAMBER}
본 발명은 반도체를 제조하는 공정 중에서 화학기상 증착공정 및 확산공정 등과 같은 공정에서 사용되는 히팅챔버의 배기구에 설치되어 히팅챔버의 내부 공기층(히팅 온도)을 신속히 냉각시킬 때에 배기구를 신속하게 개폐시키기 위한 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치에 관한 것으로서, 특히 배기구 개폐장치의 내부에 설치되는 이중벨로우즈장치를 개선한 것이다.
이를 좀 더 상세히 설명하면, 반도체제조용 히팅챔버의 배기구에 설치되는 배기구 개폐장치에서, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈에 의해 이중 벨로우즈 구조로 형성하여 배기구를 밀폐시에는 공기를 주입 충진시키고 개방시에는 주입 충진된 공기를 배출시키면서 배기구를 개폐시키도록 하되, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 형성한 이중벨로우즈장치를 장착하여서 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는 것이다.
반도체를 제조하는 공정에서 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION) 공정은, 웨이퍼(WAFER)의 표면에 산화막과 금속막 및 질화막 등 다양한 재질의 박막(薄膜)을 순차적으로 적층시키는 성막(成膜) 공정을 필수적으로 실시하게 된다.
일반적으로 성막(成膜) 공정은 열(熱)과 플라즈마(PLASMA)를 이용하여 반응가스를 분해하고, 분해된 반응가스가 웨이퍼의 표면(상)에 증착되어 박막을 형성하는 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)장치에 의해 실시된다.
상기 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)장치를 이용하는 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정은 온도의 제어 상태에 따라 막의 형성과 품질이 결정된다.
또 확산공정에서는 표면의 농도를 낮추고 접합 깊이(JUNCTION DEPTH)를 깊게 유지시키기 위해, 온도를 제어하여 웨이퍼의 표면에 부착되는 불순물을 제거하고 고온을 일정하게 유지시킨 상태에서 실시하여야 한다.
화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정과 확산공정을 실시하기 위해서는 히팅챔버(HEATING CHAMBER)가 구비된다.
도 1은 라이트 타입의 반도체공정 챔버 가열용 히팅챔버(1)를 보인 예시도이다.
내면에 적층된 히팅블럭(2-1)을 포함하는 히팅챔버하우징(2)의 내부에는 히팅블럭(2-1)에 근접하여 필요한 열량을 발생시키기 위한 히터(5)가 설치되어 있고, 히팅챔버하우징(2)에는 각 히터(5)에 전원을 공급하는 전원공급부(6)가 설치되어 있다.
히팅챔버하우징(2)의 내부 온도를 감지하여 히팅챔벙하우징(2)의 내부 온도가 웨이퍼(12)의 열공정을 수행하기 위한 적정온도로 유지되고 있는지의 여부를 감지하여 히터(5)의 가동을 컨트롤하기 위한 온도감지기(7)가 설치되어 있다.
히팅챔버하우징(2)의 측면 하단에는 히터(5)의 열량에 대한 차감을 필요로 할 때에 외부 공기를 히팅챔버하우징(2)의 내부로 공급시키기 위한 블로우어(3)가 설치되어 있고, 히팅챔버하우징(2)의 상면 중앙에 뚫어진 배기공(6)의 외측에는 사용된 공기층을 냉각시키기 위하여 냉각시스템(SYSTEM)으로 유도(배출)하기 위한 배기구(22)가 설치되어 있으며, 배기구(22)의 선단에는 배기공(6)을 개폐시키기 위한 배기구개폐장치(20)가 설치되어 있다.
히팅챔버하우징(2)의 내면에 근접하여 설치된 히터(5)의 내측에는 반응튜브(10)가 설치되어 있고, 반응튜브(10)의 내부에는 웨이퍼(12)가 탑재된 보드(11)를 로팅 및 언로딩장치(구체적으로 도시하지 아니함)에 의해 로딩 및 언로딩시키게 된다.
상기와 같이 히팅챔버(1)에서 배기구(22)의 선단에 설치되어 배기공(6)을 개폐시키는 배기구개폐장치(20)는 도 2에 예시된 바와 같이 형성되어 있다.
개폐장치하우징(21)의 밑판 중앙에는 배기공(23)이 상기 히팅챔버하우징(2)의 배기공(6)과 연통되게 뚫어져 있고, 개폐장치하우징(21)의 내부 중앙에는 개폐변(26)을 갖은 개폐부재(25)가 설치되어 그 상측과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에 장착된 탄성부재(28)인 복수 개의 코일스프링에 의해 상측으로 탄발되도록 설치되어 있다.
탄성부재(28)의 외측에서 개폐부재(25)의 상면과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에는 기체공급배출장치(29)를 갖는 이중벨로우즈장치(30)가 설치되어 개폐부재(25)를 상하로 작동시켜 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우징(2)의 배기공(23)(6)을 동시에 개폐시킬 수 있도록 되어 있다.
개폐부재(25)의 상측에는 복수 개의 개폐감지센서(27)가 설치되어 개폐부재(25)의 ON/OFF를 감지하도록 되어 있고, 개폐부재(25)와 이중벨로우즈(30)의 외측에는 히팅챔버하우징(2)에서 배출되는 기체 및 이중벨로우즈(30)를 냉각시키기 위한 냉각수단(24)으로서 냉각코일이 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되는 배기구개폐장치(20)에서 종래의 이중벨로우즈장치(30)는, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단이 상측과 하측에 하나씩 구비되는 상단링(33)과 하단링(34)에 의해 일체로 고정(용접)되어 있으므로, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단을 상/하측에 단독으로 구비되는 상단링(33)과 하단링(34)에 용이하게 용접시킬 수 없는 문제가 있고, 생산성이 떨어지는 문제가 있다.
또, 상단링(33)과 하단링(34)의 밑면과 상면에 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단을 정 위치에 정확하게 용접시키지 못하게 되면 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격이 달라지고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격이 달라지게 되면 기체공급배출장치(29)에 의해 공기를 주입시킬 때에 위치에 따라 인벨로우 즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 팽창상태가 달라진다.
따라서 개폐부재(25)의 상하 작동상태가 일정(균일)하지 못하여 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우징(2)의 배기공(23)(6)을 정확(정밀)하게 개폐시키지 못하게 되어 히팅챔버하우징(2)의 가스가 배기구(22)로 누출될 염려가 있으며, 히팅챔버하우징(2)의 가스가 배기구(22)로 누출되면 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정과 확산공정이 정밀하게 이루어지지 못하여 웨이퍼(12)의 품질을 떨어뜨리게 되는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해소할 수 있도록 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치, 특히 배기구 개폐장치의 내부에 설치되는 개선된 이중벨로우즈장치를 제공하려는 것이다.
본 발명은, 반도체제조용 히팅챔버의 배기구에 설치되는 배기구 개폐장치에서, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈에 의해 이중 벨로우즈 구조로 형성하여 배기구를 밀폐시에는 공기를 주입 충진시키고 개방시에는 주입 충진된 공기를 배출시키면서 배기구를 개폐시키도록 하되, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 형성한 이중벨로우즈장치를 장착하여서 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 개폐장치의 내부에 장착되는 이중벨로우즈장치를 형성함에 있어, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 줌으로서, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단을 각각 별도로 구비되는 링의 정 위치에 정확하고 용이하게 용접할 수 있도록 하여 생산성과 정밀도를 크게 향상시킬 수 있도록 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상단과 하단에 각각 별도로 구비되는 링에 의해 인벨로우즈와 아웃벨로우즈와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격을 일정(균일)하게 유지시켜 줌으로서, 공기를 주입시킬 때에 인벨로우즈와 아웃벨로우즈가 균일하게 팽창되도록 하고, 개폐부재가 균일한 상태를 유지하면서 상하로 작동하여 개폐장치하우징과 히팅챔버하우징의 배기공을 정확(정밀)하게 개폐시켜 히팅챔버하우징의 가스가 배기구로 누출되는 현상을 방지할 수 있도록 하며, 더불어 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정 또는 확산공정이 정밀하여 실시되어 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있도록 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는데 있다.
본 발명의 상기 및 기타 목적은,
히팅챔버하우징의 상면에 설치되는 배기구개폐장치의 내부에 장착되고 벨로우즈가 이중으로 장착되는 이중벨로우즈장치에 있어서;
인벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 인벨로우즈뭉치를 형성한 것과;
아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 아웃벨로우즈뭉치를 형성한 것과;
인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체와, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 하단고정체를 당접시켜 고정수단에 의해 각각 일체로 고정시켜 이중벨로우즈장치로 형성한 것;을 포함하여 형성한 것을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.
상기에서, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치를 형성하도록 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 각 상단과 하단에 각각 고정되는 상단고정체와 하단고정체는; 원형 띠 형상 모양의 상단링과 하단링인 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.
상기에서, 인벨로우즈뭉치 또는 아웃벨로우즈뭉치를 형성하도록 인벨로우즈 또는 아웃벨로우즈의 상단에 고정되는 상단고정체 중에서 어느 일측 상단고정체에는 유체공급공을 더 형성한 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.
상기에서, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체와, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 하단고정체를 각각 일체로 고정시키는 고정수단은; 용접에 의해 일체로 고정시킨 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치, 특히 배기구 개폐장치의 내부에 설치되는 개선된 이중벨로우즈장치는,
인벨로우즈와 아웃벨로우즈에 의해 이중 벨로우즈 구조로 형성하여 배기구를 밀폐시에는 공기를 주입 충진시키고 개방시에는 주입 충진된 공기를 배출시키면서 배기구를 개폐시키도록 하되, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 서 된 것으로서,
인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단을 각각 별도로 구비되는 링의 정 위치에 정확하고 용이하게 용접할 수 있도록 하여 생산성과 정밀도를 크게 향상시킬 수 있고, 상단과 하단에 각각 별도로 구비되는 링에 의해 인벨로우즈와 아웃벨로우즈와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격을 일정(균일)하게 유지시켜 줌으로서 공기를 주입시킬 때에 인벨로우즈와 아웃벨로우즈가 균일하게 팽창 및 수축되도록 하여 개폐부재가 균일한 상태를 유지하면서 상하로 작동하여 개폐장치하우징과 히팅챔버하우징의 배기공을 정확(정밀)하게 개폐시켜 히팅챔버하우징의 가스가 배기구로 누출되는 현상을 방지할 수 있으며, 더불어 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정 또는 확산공정이 정밀하여 실시되도록 하여 웨이퍼의 품질을 향상 시킬 수 있는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타 목적과 특징은 첨부된 도면에 의거한 다음의 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해할 수 있을 것이다
첨부된 도면 도 1과 도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치(20)의 구체적인 실현 예를 보인 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)를 반도체제조용 히팅챔버(1)에 설치한 상태를 보인 예시 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)에 설치되는 이중벨로우즈장치(30)를 발췌하여 보인 부분 단면 사시도이며, 도 4a 및 도 4b와 도 5는 상기 이중벨로우즈장치(30)를 분해 및 결합하여 보인 단면도이다.
도 1은 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)가 설치되는 반도체제조용 히팅챔버(1)를 보인 단면도이다.
내면에 적층된 히팅블럭(2-1)을 포함하는 히팅챔버하우징(2)의 내부에는 히팅블럭(2-1)에 근접하여 히터(5)를 설치하였고, 히팅챔버하우징(2)에는 각 히터(5)에 전원을 공급하는 전원공급부(6)와 히팅챔버하우징(2)의 내부 온도를 감지하여 히터(5)의 가동을 컨트롤하기 위한 온도감지기(7)를 설치하였으며, 히팅챔버하우징(2)의 측면 하단에는 히터(5)의 열량에 대한 차감을 필요로 할 때에 외부 공기를 히팅챔버하우징(2)의 내부로 공급시키기 위한 블로우어(3)를 설치하였다.
히팅챔버하우징(2)의 내면에 근접하여 설치된 히터(5)의 내측에는 반응튜브(10)를 설치하였고, 반응튜브(10)의 내부에는 웨이퍼(12)가 탑재된 보드(11)를 로팅 및 언로딩장치(구체적으로 도시하지 아니함)에 의해 로딩 및 언로딩시킬 수 있도록 하였다.
상기와 같이 구성되는 반도체제조용 히팅챔버(1)는 통상적으로 공지 공용되는 기술사상이므로 보다 구체적인 구성과 작동관계의 설명은 생략한다.
상기 히팅챔버하우징(2)의 상면 중앙에 뚫어진 배기공(6)의 외측에는 사용된 공기층을 냉각시키기 위하여 냉각시스템(SYSTEM)으로 유도(배출)하기 위한 배기구(22)를 설치하였으며, 배기구(22)의 선단에는 배기공(6)을 개폐시키기 위한 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)를 설치하였다.
히팅챔버(1)에서 배기구(22)의 선단에 설치되어 배기공(6)을 개폐시키는 배기구개폐장치(20)는 도 1과 도 3 내지 도 5에 예시된 바와 같이 형성하였다.
개폐장치하우징(21)의 밑판 중앙에는 배기공(23)을 히팅챔버하우징(2)의 배기공(6)과 연통되게 뚫어 주었고, 개폐장치하우징(21)의 내부 중앙에는 개폐변(26)이 구비된 개폐부재(25)를 설치하였으며, 개폐부재(25)의 상측과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에는 탄성부재(28)로서 복수 개의 코일스프링을 장착하여 개폐부재(25)가 상측으로 탄발되도록 하였다.
탄성부재(28)의 외측에서 개폐부재(25)의 상면과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에는 기체공급배출장치(29)가 구비된 이중벨로우즈장치(30-1)를 설치하여 개폐부재(25)를 상하로 작동시켜 줌으로서 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우 징(2)의 배기공(23)(6)을 동시에 개폐시킬 수 있도록 하였다.
개폐부재(25)의 상측에는 복수 개의 개폐감지센서(27)를 설치하여 개폐부재(25)의 ON/OFF를 감지하도록 하였고, 개폐부재(25)와 이중벨로우즈(30-1)의 외측에는 냉각수단(24)으로서 냉각코일을 설치하여 히팅챔버하우징(2)에서 배출되는 기체 및 이중벨로우즈(30-1)를 냉각시킬 수 있도록 하였다.
상기 이중벨로우즈장치(30-1)는 도 3 내지 도 5에 예시된 바와 같이 형성하였다.
인벨로우즈(31)의 각 상단과 하단에는 벨로우즈링(35)으로서 상단고정체와 하단고정체인 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)을 용접에 의해 일체로 고정시켜 인벨로우즈뭉치를 형성하였다.
특히, 인벨로우즈상단링(35-1)에는 유체공급공(37)을 형성(뚫어)하여 공기(유체)를 공급 및 배출시킬 수 있도록 하였다.
아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단에는 벨로우즈링(36)으로서 상단고정수단과 하단고정체인 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)을 용접에 의해 일체로 고정시켜 아웃벨로우즈뭉치를 형성하였다.
상기 인벨로우즈뭉치를 형성하는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2) 및 아웃벨로우즈뭉치를 형성하는 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)은 원형 띠의 형상과 모양으로 된 링형상으로 형성하되, 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주 보다 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주를 미세하게 크게 형성하여 인벨로우즈상단링(35- 1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주에 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주가 밀접하게 당접되도록 하였다.
상기와 같이 형성된 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치에서 아웃벨로우즈뭉치의 내부에 인벨로우즈뭉치를 삽입시키되, 인벨로우즈뭉치를 형성하는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주와 아웃벨로우즈뭉치를 형성하는 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주를 밀접하게 당접시킨 상태에서 이들 당접면을 통상의 용접방법으로 용접시켜 용접부(38-1)(38-2)에 의해 일체로 형성하여 줌으로서 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하도록 하였다.
상기와 같이 형성되는 이중벨로우즈장치(30-1)는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주와 아웃벨로우즈뭉치를 형성하는 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주이 밀접하게 당접되어 용접되므로 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32) 사이의 간격을 일정(동일)하게 유지시킬 수 있게 된다.
상기 이중벨로우즈장치(30-1)는 도 1에 예시된 바와 같이 탄성부재(28)의 외측에서 개폐부재(25)의 상면과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에 장착하였고, 인벨로우즈상단링(35-1)에 형성된 유체공급공(37)에는 기체공급배출장치(29)를 장착하여 포트(PORT)에 충진된 공기(기체)를 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이에 공급하거나 공급된 기체(공기)를 포트(PORT)에 복귀시킬 수 있도록 하였다.
이하, 상기와 같이 이중벨로우즈장치(30-1)가 장착된 배기구개폐장치(20)의 작동관계를 설명한다.
배기구개폐장치(20)에 의해 배기구(22)를 폐쇄시키고자 할 때에는 다음과 같이 실시한다.
기체공급배출장치(29)를 가동시켜 포트(PORT)에 충진되어 있는 기체(공기)를 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하는 인벨로우즈상단링(35-1)에 형성된 유체공급공(37)을 통해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급(충진)시킨다.
기체(공기)가 공급(충진)되는 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)는 탄성부재(28)인 코일스프링의 인발력을 이기고 신장(팽창)하게 되고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 신장(팽창)하면서 개폐변(26)을 포함하는 개폐부재(25)를 하측으로 밀어(이동시켜)주게 되며, 하측으로 이동하는 개폐부재(25)의 개폐변(26)이 개폐장치하우징(21)을 형성하는 밑판에 밀접하게 접속되면서 배기공(23)(6)을 폐쇄시키게 된다.
특히, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 기체(공기)가 공급되어 신장(팽창)할 때에 히팅챔버하우징(2)내의 열기가 개폐부재(25)를 통해 이중벨로우즈장치(30-1)로 전열되면서 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 충진된 기체(공기)는 팽창하게 되고, 팽창하는 기체(공기)에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 더욱 신장(팽창)하여 개폐부재(25)를 하측으로 밀어 주게 된다.
따라서, 개폐변(26)이 개폐장치하우징(21)을 형성하는 밑판에 견고하게 밀착되면서 배기공(23)을 견실하게 폐쇄시켜 밀폐효과를 높게 더욱 높일 수 있게 된다.
또 상기 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하는 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우 즈(32)의 하단에는 인벨로우즈하단링(35-2)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)이 구비되어 있으므로, 열교환면적이 종래 이중벨로우즈장치(30)보다 넓게 된다.
따라서, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급된 기체의 온도가 신속하게 상승하여 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)를 더욱 신속하게 신장(팽창)시켜 밀폐작동이 신속하게 이루어지고, 폐쇄상태에서도 전열되는 열기에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 팽창상태가 지속적으로 유지되어 높은 밀폐효과를 유지하게 된다.
또한, 이중벨로우즈장치(30-1)의 외측에 설치된 냉각수단(24)인 냉각코일에는 냉매 또는 냉각수가 통과하여 개폐장치하우징(21)의 내부를 냉각시키고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 과도하게 과열되는 것을 견제하고 방지하며, 뿐만 아니라 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 변형을 방지하게 된다.
반면에, 배기구개폐장치(20)에 의해 배기구(22)를 개방시켜 히팅챔버하우징(2)내의 가스를 배출시킬 때에는 다음과 같이 실시한다.
전술한 바와 같이 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하는 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 기체가 공급되어 개폐부재(25)가 하향하여 배기공(23)(6)을 폐쇄시키고 이는 상태에서 개방이 실시된다.
기체공급배출장치(29)가 역으로 작동하여 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이에 충진되어 있는 기체를 흡입하여 포트(PORT)에 복귀시키고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이에 충진된 기체가 포트(PORT)로 복귀하면 신장(팽창)되어 있던 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)는 수축된다.
인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)이 수축될 때에, 신장되어 있던 탄성부재(28)가 압축되면서 개폐부재(25)를 상측으로 당기게 되고, 이중벨로우즈장치(30-1)의 외측에 설치된 냉각수단(24)인 냉각코일을 통과하는 냉매 또는 냉각수에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 냉각되므로, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)는 더욱 신속하게 수축된다.
인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 수축되고 탄성부재(28)가 압축되어 개폐부재(25)가 상측으로 이동하게 되면 배기공(23)(6)은 개방되며, 개방된 배기공(23)(6)을 통해 개폐장치하우징(21)으로 유입되는 히팅챔버하우징(2)내의 가스는 배기구(22)를 통해 배출된다.
개폐부재(25)가 상승하여 배기공(23)(6)을 개방시킬 때에 상승한 개폐부재(25)가 개폐감지센서(27)를 터치하여 배기공(23)(6)이 개방된 정보를 메인컨트롤부(구체적으로 도시하지 아니함)에 제공하게 된다.
상기와 같이 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)는, 기체공급배출장치(29)를 작동시켜 기체를 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급(충진)시켜 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)를 신장(팽창)시켜 줌으로서 배기공(23)(6)을 폐쇄시키고, 기체공급배출장치(29)를 역 작동시켜 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급(충진)되어 있는 기체를 포트(PORT)로 복귀시켜 신장(팽창)되어 있던 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)를 수축시켜 줌으로서 배기공(23)(6)을 개방시켜 주게 된다.
특히, 배기구개폐장치(20)의 이중벨로우즈장치(30-1)는, 상단과 하단에 각각 별도로 구비되는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2) 및 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32) 사이에 형성되는 내부공간의 간격이 일정(균일)하게 유지되므로, 기체를 주입시키거나 방출시킬 때에 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 균일하게 팽창 및 수축되면서 개폐부재(25)를 균일한 상태로 유지시키면서 상하 작동시켜 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우징(2)의 배기공(23)(6)을 정확(정밀)하게 개폐시켜 주게 된다.
상기에서 본 발명의 특정한 실시 예에 대하여만 설명 및 도시되었지만, 보 발명의 기술사상범위 내에서 다양한 변형 및 수정할 수 있음은 당업자에 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 반도체제조용 히팅챔버에 설치한 상태를 보인 예시 단면도.
도 2는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구에 설치되는 종래의 배기구 개폐장치를 보인 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치에 설치되는 이중벨로우즈장치를 발췌하여 보인 부분 단면 사시도.
도 4a 및 도 4b와 도 5는 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치에 설치되는 이중벨로우즈장치의 분해 및 결합 상태를 보인 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1: 히팅챔버 2: 히팅챔버하우징 3: 블로우어
5: 히터 6: 전원공급부 7: 온도감지기
10: 반응튜브 11: 보드 12: 웨이퍼
20: 배기구개폐장치 21: 개폐장치하우징 22: 배기구
24: 냉각수단 25: 개폐부재 28: 탄성부재
30.30-1: 이중벨로우즈장치 31: 인벨로우즈
32: 아웃벨로우즈 35: 인벨로우즈링 36: 아웃벨로우즈링
37: 유체공급공 38-1. 38-2: 용접부

Claims (4)

  1. 히팅챔버하우징의 상면에 설치되는 배기구개폐장치의 내부에 장착되고 벨로우즈가 이중으로 장착되는 이중벨로우즈장치에 있어서;
    인벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 인벨로우즈뭉치를 형성한 것과;
    아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 아웃벨로우즈뭉치를 형성한 것과;
    인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체와, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 하단고정체를 당접시켜 고정수단에 의해 각각 일체로 고정시켜 이중벨로우즈장치로 형성한 것;을 포함하여 형성하되,
    상기 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 각 상단과 하단에 각각 고정되는 상단고정체와 하단고정체는 원형 띠 형상 모양의 상단링과 하단링인, 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체 및 하단고정체를 각각 일체로 고정시키는 고정수단은;
    용접에 의해 일체로 고정시킨 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치.
KR1020080008675A 2008-01-28 2008-01-28 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치 KR100959260B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008675A KR100959260B1 (ko) 2008-01-28 2008-01-28 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008675A KR100959260B1 (ko) 2008-01-28 2008-01-28 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090082744A KR20090082744A (ko) 2009-07-31
KR100959260B1 true KR100959260B1 (ko) 2010-05-26

Family

ID=41294000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080008675A KR100959260B1 (ko) 2008-01-28 2008-01-28 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100959260B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0989139A (ja) * 1995-09-25 1997-03-31 Ckd Corp 真空用開閉弁
KR19990086797A (ko) * 1998-05-29 1999-12-15 윤종용 반도체 진공설비의 이중 벨로즈장치
KR20040013294A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 삼성전자주식회사 반도체 제조용 건식식각장비의 도어 구동축 밀폐장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0989139A (ja) * 1995-09-25 1997-03-31 Ckd Corp 真空用開閉弁
KR19990086797A (ko) * 1998-05-29 1999-12-15 윤종용 반도체 진공설비의 이중 벨로즈장치
KR20040013294A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 삼성전자주식회사 반도체 제조용 건식식각장비의 도어 구동축 밀폐장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090082744A (ko) 2009-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100966389B1 (ko) 진공 장치의 밀봉 구조
JP4736564B2 (ja) 載置台装置の取付構造及び処理装置
CN101680090B (zh) 真空处理装置
KR101117188B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150023330A (ko) 기판 적재대 및 기판 처리 장치
US6902648B2 (en) Plasma etching device
KR100959260B1 (ko) 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치
KR101408008B1 (ko) 에어 밸브
KR20100058210A (ko) 기판처리장치
CN113053785A (zh) 半导体加工设备
US20160326648A1 (en) Apparatus for selectively sealing a gas feedthrough
KR101509632B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20060086629A (ko) 리모트 플라즈마 애싱 장치
US20220223404A1 (en) Cleaning method and processing apparatus
KR102310460B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101099604B1 (ko) 벨로우즈 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 벨로우즈 유닛의 리크 체크 방법
KR101088679B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR102470479B1 (ko) 밸브 장치 및 그 제어 방법
KR20070023406A (ko) 열배기덕트를 채택하는 반도체 제조장비
KR20040039792A (ko) 반도체 제조설비용 프로세스챔버
TWI829326B (zh) 基板處理裝置
KR102668583B1 (ko) 고압 기판 처리 장치 및 방법
KR100444405B1 (ko) 반도체 제조용 챔버의 냉각장치
US20230417488A1 (en) Heat treatment apparatus and temperature regulation method of heat treatment apparatus
KR20110045516A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130816

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140703

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150616

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160715

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170802

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190712

Year of fee payment: 10