KR100954991B1

KR100954991B1 - Transmission line impedance matching

Info

Publication number: KR100954991B1
Application number: KR1020067027721A
Authority: KR
Inventors: 현준 김; 중호 김; 동호 한; 지앙치 헤
Original assignee: 인텔 코오퍼레이션
Priority date: 2004-06-29
Filing date: 2005-06-09
Publication date: 2010-04-29
Also published as: KR20070023789A

Abstract

전송 신호 트레이스 상의 임피던스 불연속을 매칭시키기 위한 전송 라인 임피던스 매칭이 설명된다. 본 장치는 전송 신호 트레이스 및 비전송 트레이스를 포함한다. 전송 신호 트레이스는 임피던스 불연속, 제1 길이 및 소정의 제1 폭을 갖는다. 비전송 트레이스는 임피던스 불연속에 대응하는 영역에서 전송 신호 트레이스 근처에 배치된다. 비전송 트레이스는 전송 신호 트레이스의 제1 길이보다 실질적으로 작은 제2 길이를 갖는다. 또한, 비전송 트레이스는 전송 신호 트레이스 상에 매칭된 임피던스를 제공하기 위하여 전송 신호 트레이스 상의 전류의 존재하에 전송 신호 트레이스에 전자기적으로 결합되도록 구성된다.Transmission line impedance matching for matching impedance discontinuities on a transmission signal trace is described. The apparatus includes a transmit signal trace and a non-transmit trace. The transmission signal trace has an impedance discontinuity, a first length and a predetermined first width. The non-transmission trace is placed near the transmission signal trace in the region corresponding to the impedance discontinuity. The non-transmission trace has a second length that is substantially less than the first length of the transmission signal trace. The non-transmitting trace is also configured to be electromagnetically coupled to the transmit signal trace in the presence of a current on the transmit signal trace to provide a matched impedance on the transmit signal trace.

전송 라인 임피던스 매칭, 전송 신호 트레이스, 비전송 트레이스, 임피던스 불연속 Transmission line impedance matching, transmission signal trace, non-transmission trace, impedance discontinuity

Description

Transmission Line Impedance Matching {TRANSMISSION LINE IMPEDANCE MATCHING}

본 발명의 실시예들은 회로 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전송 신호 트레이스 상의 임피던스 불연속에 대한 임피던스 매칭 기술에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to the field of circuitry and, more particularly, to impedance matching techniques for impedance discontinuities on transmission signal traces.

회로들 사이에 디지털 신호를 전송하는 데 이용되는 동작 주파수가 증가함에 따라, 전송 신호의 신호 무결성이 더 중요해지고 있다. 구체적으로, 전송 신호 무결성 문제는 기가 헤르츠 이상의 동작 주파수에서 더 중요해지고 있다. As the operating frequency used to transfer digital signals between circuits increases, the signal integrity of the transmitted signal becomes more important. In particular, transmission signal integrity issues are becoming more important at operating frequencies above gigahertz.

도 1을 참조하면, 전송 신호는 기준면(110)을 가진 회로 내의 전송 신호 트레이스(105) 상에서 전파될 수 있다. 전류가 전송 신호 트레이스(105)를 통과할 때 전기장(130) 및 자기장(135)이 생성된다. 도시된 전기장(130) 및 자기장(135)은 전송 신호 트레이스(105) 주위에 존재할 수 있는 전자기장을 나타낸다. 구체적으로, 전기장(130)은 전송 신호 트레이스(105)와 기준 접지면(110) 사이의 유전체층(도시되지 않음) 내에 존재한다. 자기장(135)은 전송 신호 트레이스(105) 주위에 존재한다. Referring to FIG. 1, a transmission signal may be propagated on a transmission signal trace 105 in a circuit having a reference plane 110. The electric field 130 and the magnetic field 135 are generated when current passes through the transmission signal trace 105. The illustrated electric field 130 and magnetic field 135 represent electromagnetic fields that may be present around the transmission signal trace 105. Specifically, the electric field 130 is in a dielectric layer (not shown) between the transmission signal trace 105 and the reference ground plane 110. The magnetic field 135 is around the transmission signal trace 105.

전송 신호 트레이스 상에서 보다 높은 주파수로 신호를 전송하는 것은 잡음 및 다른 간섭이 전송 신호를 상대적으로 용이하게 왜곡할 수 있는 것에 의해 복잡해진다. 임피던스 불연속은 전송 신호 트레이스 상의 전송 신호의 품질을 저하시 킬 수 있는 하나의 왜곡 소스이다. 본 명세서에서 사용되는 임피던스 불연속은 임피던스 불연속의 위치에서 전송 신호의 왜곡으로 귀착되는 전송 신호 트레이스를 따른 임피던스(저항 및 리액턴스)의 변화이다. 임피던스 불연속은 또한, 전송 신호의 전송 전력의 손실로 귀착될 수 있다. Transmitting signals at higher frequencies on the transmission signal traces is complicated by noise and other interferences that can relatively easily distort the transmission signal. Impedance discontinuity is one source of distortion that can degrade the quality of the transmission signal on the transmission signal trace. As used herein, impedance discontinuity is the change in impedance (resistance and reactance) along a transmission signal trace that results in distortion of the transmission signal at the location of the impedance discontinuity. Impedance discontinuity can also result in loss of transmit power of the transmit signal.

전송 신호 트레이스의 임피던스는 트레이스 길이, 트레이스 두께, 트레이스 폭, 유전체층 재료 특성 등을 포함하는 다양한 요인에 의존할 수 있다. 임피던스 불연속은 전송 신호 트레이스 특성이 변하는 경우에 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같이, 임피던스 불연속은 전송 신호 트레이스(205) 상의 기하학적 또는 물리적 불연속(예를 들어, 벤드(bend) 또는 테이퍼(taper))에서 발생할 수 있다. 전송 신호 트레이스(205)에 전류가 인가될 때, 임피던스 불연속에서 주변(fringing) 전기장(215)이 발생할 수 있다. The impedance of the transmission signal trace may depend on various factors including trace length, trace thickness, trace width, dielectric layer material properties, and the like. Impedance discontinuity can occur when the transmission signal trace characteristics change. For example, as shown in FIG. 2A, impedance discontinuity may occur at geometric or physical discontinuity (eg, bend or taper) on the transmission signal trace 205. When a current is applied to the transmission signal trace 205, a fringing electric field 215 may occur in the impedance discontinuity.

도 2b는 전송 신호 트레이스(205)와 기준면(210) 사이에 존재하는 주변 전기장(215)을 포함하는 전기장(230)의 단면도이다. 주변 전기장(215)은 바로 전송 신호 트레이스(205)와 기준면(210) 사이의 영역의 외측에 존재한다. 구체적으로, 주변 전기장(215)은 도 1에 도시된 전형적인 전기장(130)보다 넓게 분포된다. 도 1의 전송 신호 트레이스(105)에 완전한 임피던스 매칭이 존재하는 경우에도, 소정의 주변 전기장이 여전히 존재할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 그러나, 도 2a에 도시된 바와 같이, 임피던스 불연속의 존재시에 보다 많은 주변 전기장이 존재할 수 있다. 전술한 바와 같이, 이러한 주변 전기장(215)은 전송 신호 트레이스(205) 내의 임피던스 불연속에 의해 발생하며, 전송 신호를 왜곡시키고, 전송 신호 트레이 스(205) 상의 전송 신호의 전송 전력을 감소시키도록 작용한다. 더욱이, 이러한 주변 전기장(215) 및 이에 대응하는 왜곡된 자기장(도시되지 않음)은 근처의 다른 전송 신호 트레이스들(도시되지 않음) 상에 크로스-토크 형태의 간섭을 유발할 수 있다. 2B is a cross sectional view of an electric field 230 including a peripheral electric field 215 present between the transmission signal trace 205 and the reference plane 210. The peripheral electric field 215 is just outside the area between the transmission signal trace 205 and the reference plane 210. Specifically, the peripheral electric field 215 is distributed wider than the typical electric field 130 shown in FIG. It should be noted that even when there is complete impedance matching in the transmission signal trace 105 of FIG. 1, some surrounding electric field may still be present. However, as shown in FIG. 2A, there may be more ambient electric field in the presence of impedance discontinuities. As described above, this peripheral electric field 215 is generated by impedance discontinuities in the transmission signal trace 205 and acts to distort the transmission signal and reduce the transmission power of the transmission signal on the transmission signal trace 205. do. Moreover, this peripheral electric field 215 and its corresponding distorted magnetic field (not shown) can cause cross-talk-shaped interference on other nearby transmit signal traces (not shown).

통상적으로, 전송 신호 트레이스 상의 임피던스 매칭은 전송 신호 트레이스 파라미터들의 경험적 조정을 이용하는 하나 이상의 기술을 통해 달성될 수 있다. 예를 들어, 전송 신호 트레이스는 다른 임피던스 불연속을 보상하기 위해 계산되는 폭, 두께 등의 설계 변화를 포함할 수 있다. 그러나, 전송 신호 트레이스의 많은 물리적 속성들은 전체 회로의 설계시에 미리 결정될 수 있다. 예를 들어, 전송 신호 트레이스의 라우팅 및 벤드는 가장 중요한 회로 설계 고려 사항에 따라 미리 결정될 수 있다. Typically, impedance matching on the transmit signal trace may be accomplished through one or more techniques that use empirical adjustment of the transmit signal trace parameters. For example, the transmission signal trace may include design changes such as width, thickness, etc. that are calculated to compensate for other impedance discontinuities. However, many physical properties of the transmission signal trace can be predetermined at the time of design of the overall circuit. For example, the routing and bend of the transmission signal trace can be predetermined according to the most important circuit design considerations.

전술한 바와 같이, 2개의 전송 신호 트레이스 간에 크로스-토크 간섭이 발생할 수 있다. 예를 들어, 전송 신호 트레이스들 중 하나 상의 전송 신호가 전자기 결합을 통해 인접 전송 신호 트레이스 상에 잡음을 유발할 수 있다. 이러한 크로스-토크를 방지하는 한 가지 방법이 인접 신호 트레이스들 간에 가드 트레이스들을 교대로 산재시킴으로써 신호 트레이스들 사이에 잡음 차폐를 제공하는 Govind 등의 미국 특허 제6,531,932호(이하, "고빈드"라 한다)에 설명되어 있다. 신호 트레이스들의 길이를 따른 가드 트레이스들의 존재는 신호 트레이스들의 임피던스에 영향을 미치므로, 고빈드는 신호 트레이스들의 폭을 조정하여 임피던스 매칭을 제공하고 있다. As discussed above, cross-talk interference may occur between two transmission signal traces. For example, a transmission signal on one of the transmission signal traces may cause noise on adjacent transmission signal traces via electromagnetic coupling. One way to prevent such cross-talk is to U. S. Patent No. 6,531,932 to Govind et al. (Hereafter referred to as “Govind”), which provides noise shielding between signal traces by alternating guard traces between adjacent signal traces. ). Since the presence of guard traces along the length of the signal traces affects the impedance of the signal traces, the highbind adjusts the width of the signal traces to provide impedance matching.

고빈드에 설명된 방법의 한 가지 문제점은 개시된 가드 트레이스에 의해 영향을 받지 않는 주변 전기장을 유발하는 벤드와 같은 다양한 타입의 임피던스 불연속의 가능성을 해결하지 못한다는 것이다. 더욱이, 고빈드의 잡음 차폐 기술은 신호 트레이스의 물리적 속성이 이미 설정된 때 나타나는 문제점을 해결하지 못한다. 고빈드의 방법의 또 한 가지 문제점은 신호 트레이스의 실질적으로 전체 길이를 따라 가드 트레이스를 배치하고 신호 트레이스의 폭을 조정한다는 것이다. 이러한 설계 방법은 트레이스 라우팅, 전체 회로 크기 및 생산 비용을 포함하는 다른 설계 파라미터에 부정적인 영향을 줄 수 있다. One problem with the method described in the highbind is that it does not address the possibility of various types of impedance discontinuities, such as bends, which cause ambient electric fields that are not affected by the disclosed guard traces. Moreover, Govind's noise shielding technology does not solve the problem that occurs when the physical properties of the signal trace are already set. Another problem with Gobind's method is that it places guard traces along substantially the entire length of the signal traces and adjusts the width of the signal traces. This design method can negatively impact other design parameters, including trace routing, overall circuit size, and production cost.

본 발명의 실시예들은 예시적으로 설명되며, 첨부된 도면에 의해 제한되는 것을 의도하지 않는다.Embodiments of the present invention are described by way of example and are not intended to be limited by the accompanying drawings.

도 1은 전송 신호 트레이스의 전자기장을 나타내는 도면이다.1 is a diagram showing an electromagnetic field of a transmission signal trace.

도 2a는 임피던스 불연속을 가진 전송 신호 트레이스의 평면도이다.2A is a top view of a transmission signal trace with impedance discontinuities.

도 2b는 임피던스 불연속을 가진 전송 신호 트레이스의 주변 전기장을 나타내는 도면이다.FIG. 2B shows the ambient electric field of a transmission signal trace with impedance discontinuities. FIG.

도 3a는 전송 신호 트레이스 및 국부화된 비전송 신호 트레이스의 일 실시예의 평면도이다.3A is a top view of one embodiment of a transmit signal trace and a localized non-transmit signal trace.

도 3b는 전송 신호 트레이스 및 국부화된 비전송 신호 트레이스를 구비한 캐리어 기판의 일 실시예의 단면도이다.3B is a cross-sectional view of one embodiment of a carrier substrate having a transmit signal trace and a localized non-transmit signal trace.

도 3c는 국부화된 비전송 신호 트레이스를 구비한 전송 신호 트레이스에 대 한 전기장의 일 실시예를 나타내는 도면이다.3C is a diagram illustrating one embodiment of an electric field for a transmission signal trace with localized non-transmission signal traces.

도 4a는 사각형이고 각을 이루는 비전송 신호 트레이스의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4A illustrates one embodiment of a rectangular, angled, non-transmitted signal trace.

도 4b는 사각형 비전송 신호 트레이스의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4B is a diagram illustrating one embodiment of a rectangular non-transmitted signal trace.

도 4c는 원형 비전송 신호 트레이스의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4C is a diagram illustrating one embodiment of a circular non-transmitted signal trace.

도 4d는 육각형 비전송 신호 트레이스의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4D is a diagram illustrating one embodiment of a hexagonal non-transmitted signal trace.

도 4e는 윤곽 평행한(contoured parallel) 비전송 신호 트레이스의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4E illustrates one embodiment of a contoured parallel untransmitted signal trace.

도 5는 임피던스 매칭 방법의 일 실시예를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating an embodiment of an impedance matching method.

아래의 상세한 설명에서, 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위하여 다양한 특정 상세들이 설명된다. 그러나, 본 발명의 소정의 실시예들은 이러한 특정 상세 없이 실시될 수 있음을 이 분야의 당업자들은 이해할 것이다. 다른 예에서, 공지된 방법, 절차, 컴포넌트 및 회로는 제공되는 발명의 실시예들을 불명료하게 하지 않기 위하여 상세히 설명되지 않았다. In the following detailed description, various specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will be understood by those skilled in the art that certain embodiments of the present invention may be practiced without these specific details. In other instances, well-known methods, procedures, components and circuits have not been described in detail in order not to obscure the embodiments of the provided invention.

도 3a는 전송 신호 트레이스(305) 및 국부화된 비전송 신호 트레이스(315)의 일 실시예의 평면도를 나타낸다. 전송 신호 트레이스(305)는 데이터 보유 전송 신호와 같은 전송 신호를 전파하도록 설계된다. 전송 신호 트레이스(305)를 통한 전송 신호의 전파는 전류가 전송 신호 트레이스(305)를 통과할 때 생성되는 전자기파를 통해 이루어진다.3A shows a top view of one embodiment of transmit signal trace 305 and localized non-transmitted signal trace 315. The transmission signal trace 305 is designed to propagate a transmission signal, such as a data bearing transmission signal. Propagation of the transmission signal through the transmission signal trace 305 is via electromagnetic waves generated when current passes through the transmission signal trace 305.

도시된 전송 신호 트레이스(305)는 폭(350) 및 길이(355)를 갖는다. 일 실시예에서, 이러한 물리적 속성은 전체 회로가 설계될 때 결정된다. 다른 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 폭(350) 및 길이(355)는 설계 또는 제조에 있어서 임의의 비전송 트레이스의 추가 전에 미리 결정된다. 일 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 폭(350)은 대략 30-50 마이크로미터의 범위일 수 있다. 다른 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 폭은 30-50 마이크로미터보다 크거나 작을 수 있다.The illustrated transmit signal trace 305 has a width 350 and a length 355. In one embodiment, this physical property is determined when the entire circuit is designed. In another embodiment, the width 350 and length 355 of the transmit signal trace 305 are predetermined prior to the addition of any non-transmitted trace in design or manufacture. In one embodiment, the width 350 of the transmit signal trace 305 may range from approximately 30-50 micrometers. In other embodiments, the width of the transmit signal trace 305 may be greater than or less than 30-50 micrometers.

도시된 바와 같이, 전송 신호 트레이스(305)는 임피던스 불연속을 나타내는 물리적 불연속을 포함한다. 물리적 불연속은 갑자기 꺽이는 벤드(sharp bend; 360)(근사 위치가 크로스 해칭되어 있다)의 형태에서 명확하다. 도시된 물리적 불연속은 갑자기 꺽이는 벤드(360) 및/또는 다른 임피던스 불연속 소스로부터 발생할 수 있는 임피던스 불연속의 대표적인 것일 뿐 제한적인 것은 아니다. 전술한 바와 같이, 전송 신호 트레이스(305) 상의 전송 신호의 전자기파 패턴은 임피던스 불연속으로 인하여 왜곡될 수 있다. 구체적으로, 임피던스 불연속은 주변 전기장(예를 들어, 도 2b에 도시된 바와 같음), 회절, 반사 등을 유발할 수 있다. As shown, the transmit signal trace 305 includes a physical discontinuity that represents an impedance discontinuity. Physical discontinuities are evident in the form of sharp bends 360 (approximate positions are cross-hatched). The physical discontinuities shown are representative of, but not limited to, impedance discontinuities that may arise from sudden bending bends 360 and / or other impedance discontinuous sources. As described above, the electromagnetic pattern of the transmission signal on the transmission signal trace 305 may be distorted due to impedance discontinuities. Specifically, impedance discontinuities can cause ambient electric fields (eg, as shown in FIG. 2B), diffraction, reflections, and the like.

도 3a는 또한, 전송 신호 트레이스(305)에 인접하지만 그로부터 물리적으로 분리된 복수의 비전송 트레이스(315)를 포함한다. 구체적으로, 비전송 트레이스(315)는 물리적 불연속 근처의 영역에서 전송 신호 트레이스(305) 근처에 배치된다. 동일한 방식으로, 비전송 트레이스(315)는 임피던스 불연속에 대응하는 영역에 위치하는데, 이는 임피던스 불연속이 물리적 불연속으로부터 발생하기 때문이다. 3A also includes a plurality of non-transmit traces 315 adjacent to but physically separated from transmit signal traces 305. Specifically, non-transmit trace 315 is disposed near transmit signal trace 305 in an area near physical discontinuities. In the same way, the non-transmission trace 315 is located in the region corresponding to the impedance discontinuity because the impedance discontinuity arises from the physical discontinuity.

각각의 비전송 트레이스(315)는 폭(365) 및 길이(370)를 갖는다. 일 실시예에서, 비전송 트레이스(315)의 폭(365)은 대략 전송 신호 트레이스(305)의 폭(350)과 동일할 수 있다. 대안으로, 비전송 트레이스(315)는 보다 크거나 작은 폭(365)을 가질 수 있다.Each non-transmitting trace 315 has a width 365 and a length 370. In one embodiment, the width 365 of the non-transmitted trace 315 may be approximately equal to the width 350 of the transmit signal trace 305. Alternatively, non-transmitting trace 315 may have a larger or smaller width 365.

유사한 방식으로, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 비전송 트레이스(315)의 다른 치수 및 간격에 따라 변할 수 있다. 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 또한, 대응하는 임피던스 불연속의 타입 또는 세기에 의존할 수 있다. 일 실시예에서, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 대략 전송 신호 트레이스(305)의 폭(350)의 3 내지 5배의 범위 내이며, 대략 물리적 불연속(즉, 벤드(360), 테이퍼 등) 또는 다른 임피던스 불연속 소스와 일치하는 중심을 갖는다.In a similar manner, the length 370 of the non-transmitting trace 315 may vary with other dimensions and spacing of the non-transmitting trace 315. The length 370 of the non-transmitting trace 315 may also depend on the type or intensity of the corresponding impedance discontinuity. In one embodiment, the length 370 of the non-transmitting trace 315 is approximately in the range of three to five times the width 350 of the transmission signal trace 305 and is approximately physical discontinuity (ie, bend 360, Taper, etc.) or other impedance discontinuous source.

대안으로, 비전송 트레이스(315)의 길이(370) 및 위치는 설계, 제조 또는 다른 고려 사항을 만족시키도록 변할 수 있다. 일 실시예에서, 비전송 트레이스(315)는, 특히 전송 신호 트레이스(305)가 그 폭(350)에 비해 상대적으로 짧은 길이(355)를 갖는 경우에 전송 신호 트레이스(305)의 실질적인 길이만큼 연장할 수 있다. 임피던스 불연속 근처에 위치하고 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)보다 상당히 작은 길이(370)를 갖는 비전송 트레이스(315)가 국부화된 비전송 트레이스(315)로서 지칭될 수 있다. Alternatively, the length 370 and position of the non-transmitting trace 315 can be varied to meet design, manufacturing or other considerations. In one embodiment, the non-transmitting trace 315 extends by the substantial length of the transmit signal trace 305, particularly when the transmit signal trace 305 has a relatively short length 355 relative to its width 350. can do. Non-transmit trace 315 located near the impedance discontinuity and having a length 370 significantly less than the length 355 of transmit signal trace 305 may be referred to as localized non-transmit trace 315.

전송 신호 트레이스(305) 상의 임피던스 불연속 근처의 위치에 국부화된 비전송 트레이스(315)를 제공하는 하나의 이점은 관련 제조 비용의 최소화이다. 예를 들어 긴 가드 트레이스가 아니라, 국부화된 비전송 트레이스(315)를 제공함으로써, 적어도 2가지 방법으로 제조 비용이 최소화될 수 있다. 첫째, 비전송 트레이스(315)를 형성하는 데 필요한 재료가 최소화된다. 둘째, 캐리어 기판(300)에 필요한 총 표면적이 최소화되어, 예를 들어 캐리어 기판(300)의 전체 설계의 불필요한 확대를 방지하거나, 대안으로 추가적인 데이터 보유 전송 신호 트레이스(305)를 위한 보다 큰 표면적을 확보할 수 있다. 소정의 실시예들에서, 비전송 트레이스(315)는 캐리어 기판(300) 상의 미사용 표면 영역으로 제한될 수 있으며, 이에 따라 캐리어 기판(300)의 표면적 또는 잠재적으로 원하는 회로 설계에 부정적인 영향이 미치지 않을 수 있다. One advantage of providing localized non-transmission traces 315 at locations near impedance discontinuities on transmission signal traces 305 is minimization of the associated manufacturing costs. For example, by providing localized non-transmitted traces 315 rather than long guard traces, manufacturing costs can be minimized in at least two ways. First, the material needed to form the non-transfer trace 315 is minimized. Second, the total surface area required for the carrier substrate 300 is minimized, for example to prevent unnecessary enlargement of the overall design of the carrier substrate 300, or alternatively to provide a larger surface area for additional data bearing transmission signal traces 305. It can be secured. In certain embodiments, the non-transfer trace 315 may be limited to an unused surface area on the carrier substrate 300 such that there will be no negative impact on the surface area or potentially desired circuit design of the carrier substrate 300. Can be.

도 3a에서는 전송 신호 트레이스(305)의 각 측에 하나의 비전송 트레이스(315)가 배치되어 있지만, 다른 실시예들은 전송 신호 트레이스(305)의 일측 또는 양측에 보다 적거나 많은 비전송 트레이스(315)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 일측 또는 타측에 단일 비전송 트레이스(315)가 배치될 수 있다. 대안으로, 전송 신호 트레이스(305)의 단일 측에 복수의 비전송 트레이스(315)가 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 각 측에 동일 수의 비전송 트레이스(315)가 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 일측 또는 양측에 복수의 비전송 트레이스(315)가 배치될 수 있다. In FIG. 3A, one non-transmit trace 315 is disposed on each side of the transmit signal trace 305, while other embodiments have fewer or more non-transmit traces 315 on one or both sides of the transmit signal trace 305. ) May be included. For example, in one embodiment, a single non-transmit trace 315 may be disposed on one side or the other side of the transmit signal trace 305. Alternatively, a plurality of non-transmit traces 315 may be disposed on a single side of the transmit signal trace 305. In other embodiments, the same number of non-transmit traces 315 may be disposed on each side of the transmit signal trace 305. In other embodiments, a plurality of non-transmit traces 315 may be disposed on one or both sides of the transmit signal trace 305.

비전송 트레이스들(315)은 동일 크기 또는 가변 크기를 가질 수 있다. 또한, 비전송 트레이스들(315)은 전송 신호 트레이스(305)로부터 동일 또는 가변 간격(375)으로 배치될 수 있다. 비전송 트레이스(315)와 전송 신호 트레이스(305) 사이의 간격(375)은 측면 간격(375)으로 지칭될 수 있다. 일 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)와 비전송 트레이스(315) 사이의 측면 간격(375)은 대략 15-20 마이크로미터 범위 내일 수 있다. 대안으로, 비전송 트레이스(315)는 전송 신호 트레이스(305)에 더 가깝게 또는 더 멀리 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 측면 간격(375)은 비전송 트레이스(315)의 길이(370) 이상으로 변할 수 있다. The non-transmitting traces 315 may have the same size or a variable size. In addition, the non-transmitting traces 315 may be disposed at the same or variable interval 375 from the transmission signal trace 305. The spacing 375 between the non-transmit trace 315 and the transmit signal trace 305 may be referred to as the lateral spacing 375. In one embodiment, the lateral spacing 375 between the transmit signal trace 305 and the non-transmit trace 315 may be in the range of approximately 15-20 micrometers. Alternatively, non-transmit trace 315 may be disposed closer or farther to transmit signal trace 305. In other embodiments, the lateral spacing 375 may vary beyond the length 370 of the non-transmitting trace 315.

도 3a 및 3b에 도시된 비전송 트레이스들(315) 각각은 또한 비아(320)를 포함한다. 비아들(320)은 도 3a에서 비전송 트레이스들(315) 각각 내에 원으로 표시되어 있다. 이들 비아(320)는 전송 신호 트레이스(305) 및 비전송 트레이스들(315)을 구비한 캐리어 기판(300)의 단면도를 나타내는 도 3b에 보다 명백하게 도시되어 있다. 도 3b의 캐리어 기판(300)은 또한, 기준면(310) 및 유전체층(325)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 전력면(330) 및 다른 유전체층(335)도 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 캐리어 기판(300)은 집적 회로(IC) 패키지일 수 있다. 대안으로, 캐리어 기판(300)은 회로 보드, 예를 들어 마더 보드, 도터 카드, 라인 카드 또는 트레이스를 사용하는 다른 타입의 구조를 나타낼 수 있다. Each of the non-transmitting traces 315 shown in FIGS. 3A and 3B also includes a via 320. Vias 320 are circled in each of the non-transmitting traces 315 in FIG. 3A. These vias 320 are more clearly shown in FIG. 3B, which shows a cross-sectional view of the carrier substrate 300 with the transmit signal trace 305 and the non-transmit traces 315. The carrier substrate 300 of FIG. 3B may also include a reference plane 310 and a dielectric layer 325. In other embodiments, power plane 330 and other dielectric layers 335 may also be provided. In one embodiment, the carrier substrate 300 may be an integrated circuit (IC) package. Alternatively, the carrier substrate 300 may represent another type of structure using a circuit board, such as a motherboard, daughter card, line card or trace.

도 3b에 도시된 단면도는 전송 신호 트레이스(305)의 두께(380)를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 두께(380)는 대략 15-20 마이크로미터 범위 내일 수 있다. 대안으로, 전송 신호 트레이스(305)의 두께(380)는 15-20 마이크로미터보다 크거나 작을 수 있다.The cross-sectional view shown in FIG. 3B shows the thickness 380 of the transmission signal trace 305. In one embodiment, the thickness 380 of the transmit signal trace 305 may be in the range of approximately 15-20 micrometers. Alternatively, the thickness 380 of the transmit signal trace 305 may be greater than or less than 15-20 micrometers.

도 3b는 또한, 비전송 트레이스들(315)의 두께(385)를 도시하고 있다. 소정의 실시예들에서, 비전송 트레이스들(315)은 전송 신호 트레이스(305)의 두께(380)보다 크거나, 작거나, 대략 동일한 두께(385)를 가질 수 있다. 예를 들어, 비전송 트레이스(315)의 두께(385)는 대략 15-20 마이크로미터 범위 내일 수 있다.3B also shows the thickness 385 of the non-transmitting traces 315. In certain embodiments, the non-transmitting traces 315 may have a thickness 385 that is greater than, less than, or approximately equal to the thickness 380 of the transmit signal trace 305. For example, the thickness 385 of the non-transmitting trace 315 may be in the range of approximately 15-20 micrometers.

또한, 각각의 비전송 트레이스(315)는 전기적 도전 재료로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 비전송 트레이스(315)는 전송 신호 트레이스(305)를 구성하는 동일 타입의 도전 재료로 제조될 수 있다. 비전송 트레이스(315)는 또한, 전송 신호 트레이스(305)를 형성하는 데 이용되는 것과 동일한 프로세스를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 전송 신호 트레이스(305) 및 대응하는 비전송 트레이스(315)는 포토리소그래피 기술 또는 공지된 임의의 다른 트레이스 제조 기술을 이용하여 유전체층(325) 상에 형성될 수 있다.In addition, each non-transfer trace 315 may be formed of an electrically conductive material. In one embodiment, the non-transmission trace 315 may be made of the same type of conductive material that makes up the transmission signal trace 305. Non-transmit trace 315 may also be formed using the same process used to form transmit signal trace 305. For example, transmission signal trace 305 and corresponding non-transmission trace 315 may be formed on dielectric layer 325 using photolithography techniques or any other trace fabrication technique known in the art.

도 3b에 도시된 바와 같이, 전송 신호 트레이스(305) 및 비전송 트레이스(315)는 전송 신호 트레이스(305)와 기준면(310) 사이에 삽입된 유전체층(325) 상에 배치된다. 일 실시예에서, 유전체층(325)의 두께(390)는 약 30 마이크로미터일 수 있다. 대안으로, 유전체층(325)은 30 마이크로미터보다 크거나 작은 두께(390)를 가질 수 있다. As shown in FIG. 3B, transmission signal trace 305 and non-transmission trace 315 are disposed on dielectric layer 325 interposed between transmission signal trace 305 and reference plane 310. In one embodiment, the thickness 390 of the dielectric layer 325 may be about 30 micrometers. Alternatively, dielectric layer 325 may have a thickness 390 greater than or less than 30 micrometers.

일 실시예에서, 그리고 본 명세서에 설명되는 바와 같이, 기준면(310)은 접지면이다. 대안으로, 기준면(310)은 전력면일 수 있다. 다른 실시예에서, 캐리어 기판(300)은 다른 유전체층(335)에 의해 기준 접지면(310)으로부터 분리된 전력면(330)을 포함할 수 있다. 다른 실시예들은 보다 적거나 많은 접지면(310), 전력면(330) 및/또는 유전체층(325, 335)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐리어 기판(300)은 단일 측 또는 양측 캐리어 기판일 수 있다. 또한, 접지면(310), 전력면(330) 및 유전체층(325, 335)의 상대적인 위치가 변할 수 있다.In one embodiment, and as described herein, the reference plane 310 is a ground plane. Alternatively, reference plane 310 may be a power plane. In another embodiment, the carrier substrate 300 may include a power plane 330 separated from the reference ground plane 310 by another dielectric layer 335. Other embodiments may include fewer or more ground planes 310, power planes 330, and / or dielectric layers 325, 335. For example, the carrier substrate 300 may be a single side or both side carrier substrate. In addition, relative positions of the ground plane 310, the power plane 330, and the dielectric layers 325 and 335 may vary.

동일한 방식으로, 비전송 트레이스(315)를 기준면(310)에 접속시키기 위해 비아들(320)이 제공될 수 있다. 기준면(310)은 비전송 트레이스(315)로부터 떨어져 있는 하나 또는 여러 개의 층일 수 있다. 각각의 비전송 트레이스(315)에 대해 단일 비아(320)가 도시되어 있지만, 다른 실시예들은 하나 이상의 비전송 트레이스(315)에 대해 추가적인 비아들(320)을 제공할 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 비아들(320)은 비전송 트레이스(315)와 기준면(310) 사이에 삽입되는 유전체층(325)을 통과한다. In the same manner, vias 320 may be provided to connect non-transmitting trace 315 to reference plane 310. Reference plane 310 may be one or several layers away from non-transfer trace 315. Although a single via 320 is shown for each non-transmit trace 315, other embodiments may provide additional vias 320 for one or more non-transmit traces 315. As shown in FIG. 3B, vias 320 pass through dielectric layer 325 that is inserted between non-transfer trace 315 and reference plane 310.

도 3c는 국부화된 비전송 신호 트레이스(315)를 구비한 전송 신호 트레이스(305)에 대한 전기장(340)의 일 실시예를 나타낸다. 간명화를 위해, 전력면(330) 및 유전체층(325, 335)은 이 도면에 도시되지 않는다. 임피던스 불연속의 위치에서 전송 신호 트레이스(305)와 기준면(310) 사이에 전형적인 전기장(340)이 도시되어 있다. 전기장(340)은 유전체층(325) 내에 존재하며, 전송 신호 트레이스(305) 상의 임피던스 불연속에도 불구하고 비전송 트레이스(315)의 존재 때문에 주변 전기장(215)을 포함하지 않는다. 구체적으로, 비전송 트레이스(315)는 바람직하지 않은 주변 전기장(215) 및 대응하는 자기장을 끌어 당겨 없애는 작용을 함으로써, 나머지 전기장(340)이 도 1에 도시된 전형적인 전기장(130)과 거의 유사하게 된다. 3C illustrates one embodiment of an electric field 340 for a transmit signal trace 305 with a localized untransmitted signal trace 315. For simplicity, the power plane 330 and dielectric layers 325 and 335 are not shown in this figure. A typical electric field 340 is shown between the transmission signal trace 305 and the reference plane 310 at the location of the impedance discontinuity. The electric field 340 is present in the dielectric layer 325 and does not include the peripheral electric field 215 because of the presence of the non-transmitting trace 315 despite the impedance discontinuity on the transmit signal trace 305. Specifically, the non-transmitting trace 315 acts to attract and remove the undesirable peripheral electric field 215 and the corresponding magnetic field, such that the remaining electric field 340 is almost similar to the typical electric field 130 shown in FIG. do.

도 4a 내지 4e는 독립적으로 또는 서로 결합하여 사용될 수 있는 비전송 신호 트레이스들(315)의 다양한 다른 실시예들을 나타낸다. 전술한 바와 같이, 도 4a 내지 4d에 도시된 물리적 벤드(360) 및 도 4e에 도시된 물리적 테이퍼(395)는 전송 신호 트레이스(305) 상에 존재할 수 있는 임피던스 불연속의 대표적인 것이지만 제한적인 것은 아니다.4A-4E illustrate various other embodiments of untransmitted signal traces 315 that can be used independently or in combination with each other. As mentioned above, the physical bend 360 shown in FIGS. 4A-4D and the physical taper 395 shown in FIG. 4E are representative of, but not limited to, the impedance discontinuities that may exist on the transmission signal trace 305.

아래의 설명들 각각에서는, 하나 이상의 비전송 트레이스(315)가 전송 신호 트레이스(305)에 인접 배치된다. 전송 신호 트레이스(305)의 양측에 비전송 트레이스(315)가 도시되어 있지만, 다른 실시예들은 전송 신호 트레이스(305)의 일측 또는 양측에 보다 적거나 많은 비전송 트레이스(315)를 포함할 수 있다. 또한, 비전송 트레이스들(315) 각각은 기준면(310)에 대한 접속을 제공하기 위한 단일 비아(320)를 구비하는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 각각의 비전송 트레이스(315)에 대해 둘 이상의 비아(320)가 제공될 수 있다.In each of the descriptions below, one or more non-transmit traces 315 are disposed adjacent to the transmit signal traces 305. Although non-transmitted traces 315 are shown on both sides of the transmit signal trace 305, other embodiments may include fewer or more non-transmitted traces 315 on one or both sides of the transmit signal trace 305. . Also, each of the non-transmitting traces 315 is shown with a single via 320 to provide a connection to the reference plane 310. However, as noted above, more than one via 320 may be provided for each non-transmitting trace 315.

다수의 비전송 트레이스(315)가 단일 전송 신호 트레이스(305) 근처에 배치되는 경우, 비전송 트레이스들(315)은 패턴을 형성하도록 크기가 조절되어 배치될 수 있다. 대안으로, 비전송 트레이스들(315)은 패턴으로서 쉽게 식별될 수 없는 방식으로 배치될 수 있다. 또한, 소정의 실시예들에서, 각각의 비전송 트레이스(315)의 길이 및 폭은 임의의 다른 비전송 트레이스(315)의 물리적 속성들에 무관할 수 있다. 더욱이, 여러 비전송 트레이스들(315) 사이 및 각각의 비전송 트레이스(315)와 전송 신호 트레이스(305) 사이의 간격은 독립적으로 변할 수 있다.If multiple untransmitted traces 315 are disposed near a single transmit signal trace 305, the non-transmitted traces 315 may be sized and arranged to form a pattern. Alternatively, non-transmitting traces 315 may be placed in a manner that cannot be easily identified as a pattern. Also, in certain embodiments, the length and width of each non-transmitted trace 315 may be independent of the physical attributes of any other non-transmitted trace 315. Moreover, the spacing between the various non-transmit traces 315 and between each non-transmit trace 315 and the transmit signal trace 305 may vary independently.

도 4a는 전송 신호 트레이스(305)의 어느 한 측 상의 사각형이고 각진 복수의 비전송 트레이스(315)를 구체적으로 나타낸다. 각진 비전송 트레이스(315)는 물리적 불연속에 대응하는 영역에서 전송 신호 트레이스(305)의 각 측 상에 제공된다.4A specifically illustrates a plurality of rectangular and angled non-transmit traces 315 on either side of the transmit signal trace 305. An angular non-transmission trace 315 is provided on each side of the transmission signal trace 305 in the region corresponding to the physical discontinuity.

도 4b는 전송 신호 트레이스(305)의 일측 상의 여러 개의 사각형 비전송 트레이스(315) 및 전송 신호 트레이스(305)의 대향측 상의 단일 사각형 비전송 트레이스(315)를 구체적으로 나타내고 있다. 도면들 4c 및 4d는 각각 원형 및 육각형 비전송 트레이스(315)를 나타내고 있다는 점 외에는 도 4b와 유사하다. 다른 실시예에서, 비전송 트레이스(315)는 다른 규범적인 형상(삼각형, 타원형, 다이아몬드형 등) 및/또는 비규범적인 형상(파동, 지그재그 등)을 가질 수 있다.4B specifically illustrates several rectangular non-transmit traces 315 on one side of transmit signal trace 305 and a single rectangular non-transmit trace 315 on opposite sides of transmit signal trace 305. 4C and 4D are similar to FIG. 4B except that they show circular and hexagonal non-transfer traces 315, respectively. In other embodiments, non-transmitting traces 315 may have other normative shapes (triangles, ovals, diamonds, etc.) and / or non-normative shapes (waves, zigzag, etc.).

도 4e는 테이퍼(395) 형태의 물리적 불연속을 갖는 전송 신호 트레이스(305)의 양측의 윤곽을 따르는 복수의 비전송 트레이스(315)를 구체적으로 나타내고 있다. 일 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 각 측에 단일 비전송 트레이스(315)가 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 도시된 바와 같이, 복수의 비전송 트레이스(315)가 평행하게 또는 스태거식으로(staggered) 제공될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 윤곽(contoured) 비전송 트레이스들(315)이 곡선, 그루터기 모양, 테이퍼 등을 포함하는 임의 형상의 전송 신호 트레이스(305)의 윤곽을 따를 수 있다. 4E specifically illustrates a plurality of untransmitted traces 315 along the contours of both sides of the transmit signal trace 305 having a physical discontinuity in the form of a taper 395. In one embodiment, a single non-transmit trace 315 may be placed on each side of the transmit signal trace 305. In another embodiment, as shown, a plurality of non-transmitting traces 315 may be provided in parallel or staggered. In yet another embodiment, the contoured non-transmitting traces 315 may follow the contour of any shaped transmission signal trace 305 including curved, stumped, tapered, and the like.

도 5는 임피던스 매칭 방법(500)의 일 실시예를 나타낸다. 일 실시예에서, 임피던스 매칭 방법(500)은 비전송 트레이스(315)를 이용하여 전송 신호 트레이스(305) 상에 임피던스 매칭을 제공할 수 있다. 임피던스 매칭 방법(500)이 개별 블록 및 화살표를 구비한 흐름도의 형태로 도시되어 있지만, 단일 블록에 설명된 동작들은 다른 블록들에 설명된 다른 동작들에 의존하거나 독립적인 프로세스 또는 기능을 반드시 구성하는 것은 아니다. 더욱이, 본 명세서에서 동작들이 설명되는 순서는 단지 예시적일 뿐, 이러한 동작들이 다른 실시예들에서 발생할 수 있는 순서에 관하여 제한하는 것은 아니다. 예를 들어, 설명되는 동작들의 일부는 직렬로, 병렬로, 또는 교대 및/또는 반복적인 방식으로 발생할 수 있다.5 illustrates one embodiment of an impedance matching method 500. In one embodiment, impedance matching method 500 may provide impedance matching on transmit signal trace 305 using non-transmit trace 315. Although the impedance matching method 500 is shown in the form of a flow diagram with individual blocks and arrows, the operations described in a single block may be dependent upon other operations described in other blocks or necessarily constitute an independent process or function. It is not. Moreover, the order in which the operations are described herein is illustrative only and is not a limitation on the order in which these operations may occur in other embodiments. For example, some of the operations described may occur in series, in parallel, or in alternating and / or iterative fashion.

도시된 임피던스 매칭 방법(500)은 블록 505에서 전송 신호 트레이스(305)를 제공함으로써 시작된다. 일 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305)의 제공은 길이(355), 폭(350), 두께(380) 등과 같은 소정의 물리적 속성을 가진 전송 신호 트레이스의 설계를 구성할 수 있다. 대안으로, 전송 신호 트레이스(305)의 제공은 유전체층(325) 상에 또는 캐리어 기판(300) 내에 전송 신호 트레이스(305)를 형성하는 것을 포함할 수 있다. The illustrated impedance matching method 500 begins by providing a transmit signal trace 305 at block 505. In one embodiment, the provision of the transmit signal trace 305 may constitute the design of the transmit signal trace with certain physical properties, such as length 355, width 350, thickness 380, and the like. Alternatively, provision of the transmission signal trace 305 may include forming the transmission signal trace 305 on the dielectric layer 325 or in the carrier substrate 300.

전송 신호 트레이스(305)의 제공 후, 도시된 임피던스 매칭 방법(500)은 블록 510에서 전송 신호 트레이스(305)의 임피던스 불연속을 식별한다. 일 실시예에서, 임피던스 불연속은 임피던스 불연속을 생성하는 것으로 알려진 벤드(360) 또는 테이퍼(395)와 같은 물리적 특성에 의해 식별될 수 있다. 다른 실시예에서, 임피던스 불연속은 전송 신호 트레이스(305)의 설계의 분석을 수행함으로써 식별될 수 있다. 대안으로, 임피던스 불연속은 전송 신호 트레이스(305) 또는 유사 회로를 테스트함으로써 식별될 수 있다.After providing the transmit signal trace 305, the illustrated impedance matching method 500 identifies the impedance discontinuity of the transmit signal trace 305 at block 510. In one embodiment, impedance discontinuities may be identified by physical characteristics such as bend 360 or taper 395 known to produce impedance discontinuities. In another embodiment, the impedance discontinuity can be identified by performing an analysis of the design of the transmission signal trace 305. Alternatively, impedance discontinuities can be identified by testing the transmit signal trace 305 or similar circuitry.

임피던스 매칭 방법(500)은 블록 515에서 비전송 트레이스(315)의 치수를 결정함으로써 계속된다. 이러한 계산은 다양한 층의 물리적 속성을 포함하는 소정의 설계 및 제조 제한 사항들을 고려할 수 있다. 계산된 비전송 트레이스(315)의 치수는 길이(370), 폭(365), 두께(385) 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 비전송 트레이스(315) 각각의 물리적 치수가 결정될 수 있다.Impedance matching method 500 continues by determining the dimension of the non-transmitting trace 315 at block 515. This calculation may take into account certain design and manufacturing constraints, including the physical properties of the various layers. The dimensions of the calculated non-transfer trace 315 may include a length 370, a width 365, a thickness 385, and the like. In another embodiment, the physical dimensions of each of the plurality of non-transmitting traces 315 may be determined.

각각의 비전송 트레이스(315)의 다양한 길이는 비전송 트레이스들(315)의 소정의 실시예들에서 이용될 수 있다. 예를 들어, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 대략 전송 신호 트레이스(305)의 폭(350)의 3 내지 5배의 범위 내일 수 있다. 전송 신호 트레이스(305)의 폭(350)이 예를 들어 테이퍼(395)에 따라 변하는 경우, 관련 폭(350)은 보다 좁은 폭(350), 보다 넓은 폭(350) 또는 테이퍼(395)와 관련된 평균 폭(350)일 수 있다. 다른 실시예에서, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 대략 전송 신호 트레이스(305)의 폭(350)의 1 내지 10배의 범위 내일 수 있다. 다른 실시예에서, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 전술한 범위보다 작거나 클 수 있다.Various lengths of each non-transmit trace 315 may be used in certain embodiments of non-transmit traces 315. For example, the length 370 of the non-transmitted trace 315 may be in the range of three to five times the width 350 of the transmit signal trace 305. If the width 350 of the transmission signal trace 305 varies with, for example, the taper 395, the associated width 350 is associated with the narrower width 350, the wider width 350 or the taper 395. Average width 350. In other embodiments, the length 370 of the non-transmitted trace 315 may be approximately in the range of 1 to 10 times the width 350 of the transmit signal trace 305. In other embodiments, the length 370 of the non-transmitting trace 315 may be less than or greater than the aforementioned range.

대안으로, 비전송 트레이스(315)의 길이는 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)에 상대적으로 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)보다 실질적으로 작을 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "실질적으로 작다"는 표현은 최소 허용치가 아닌 비율(fraction) 만큼 보다 작은 것을 의미하는 것으로 이해된다. 즉, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)에 의존할 수 있다. Alternatively, the length of non-transmit trace 315 may be determined relative to the length 355 of transmit signal trace 305. In one embodiment, the length 370 of the non-transmit trace 315 may be substantially less than the length 355 of the transmit signal trace 305. As used herein, the phrase "substantially small" is understood to mean as small as the fraction rather than the minimum allowable value. That is, the length 370 of the non-transmission trace 315 may depend on the length 355 of the transmission signal trace 305.

예를 들어, 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)가 그 폭(350)에 비해 상대적으로 긴 경우, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)가 보다 짧은 비율은 약 25% 이상일 수 있다. 즉, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)의 약 75% 이하일 수 있다. For example, if the length 355 of the transmission signal trace 305 is relatively long relative to its width 350, then the rate at which the length 370 of the non-transmission trace 315 is shorter may be about 25% or more. . That is, the length 370 of the non-transmission trace 315 may be about 75% or less of the length 355 of the transmission signal trace 305.

그러나, 예를 들어, 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)가 그 폭(350)에 비해 그렇게 길지 않은 경우, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)가 보다 짧은 비율은 약 5% 이상일 수 있다. 즉, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 전송 신호 트레이스(305)의 길이(355)의 약 95% 이하일 수 있다. 다른 실시예들에서, 관련 비율은 전술한 예들보다 크거나 작을 수 있다. 유사하게, 비전송 트레이스(315)의 대응 길이(370)는 전술한 예들보다 작거나 클 수 있다. However, for example, if the length 355 of the transmit signal trace 305 is not so long relative to its width 350, then the rate at which the length 370 of the non-transmitted trace 315 is shorter will be at least about 5%. Can be. That is, the length 370 of the non-transmission trace 315 may be about 95% or less of the length 355 of the transmission signal trace 305. In other embodiments, the relevant ratio may be larger or smaller than the examples described above. Similarly, the corresponding length 370 of the non-transmitting trace 315 may be smaller or larger than the examples described above.

대안으로, 비전송 트레이스(315)의 길이(370)는 임피던스 불연속의 유효 길이에 상대적으로 결정될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 임피던스 불연속의 유효 길이는 임피던스 불연속의 효과, 즉 회절, 반사, 주변 전기장 등이 존재할 수 있는 전송 신호 트레이스(305)를 따른 근사 길이인 것으로 이해된다. 도면들을 참조하면, 갑자기 꺽이는 벤드(360)의 유효 길이는 도 3a 및 4a-4d에 도시된 크로스 해칭된 부분들에 대응할 수 있다. 유사하게, 테이퍼(395)의 유효 길이는 도 4e에 도시된 크로스 해칭된 부분에 대응할 수 있다. 일 실시예에서, 임피던스 불연속의 유효 길이는 설계 분석을 통해 결정될 수 있다. 대안으로, 유효 길이는 테스팅 및 측정을 통해 결정될 수 있다.Alternatively, the length 370 of the non-transmitting trace 315 can be determined relative to the effective length of the impedance discontinuity. As used herein, the effective length of the impedance discontinuity is understood to be the approximate length along the transmission signal trace 305 where the effects of the impedance discontinuity, i.e., diffraction, reflection, ambient electric field, etc., may exist. Referring to the figures, the effective length of the abrupt bending bend 360 may correspond to the cross hatched portions shown in FIGS. 3A and 4A-4D. Similarly, the effective length of taper 395 may correspond to the cross hatched portion shown in FIG. 4E. In one embodiment, the effective length of the impedance discontinuity can be determined through design analysis. Alternatively, the effective length can be determined through testing and measurement.

비전송 트레이스(315)의 치수를 결정하는 것과 함께, 임피던스 매칭 방법(500)은 블록 520에서 비전송 트레이스(315)의 상대 위치를 결정한다. 일 실시예에서, 비전송 트레이스(315)의 결정된 위치는 전송 신호 트레이스(305)의 임피던스 불연속에 대응하는 영역에 있다. 다른 실시예에서, 복수의 비전송 트레이스(315) 각각의 위치가 결정될 수 있다. In addition to determining the dimensions of the non-transmitting trace 315, the impedance matching method 500 determines the relative position of the non-transmitting trace 315 at block 520. In one embodiment, the determined position of the non-transmission trace 315 is in an area corresponding to the impedance discontinuity of the transmission signal trace 305. In another embodiment, the location of each of the plurality of non-transmitting traces 315 may be determined.

비전송 트레이스(315)의 개수, 치수 및 위치가 결정되면, 임피던스 매칭 방법(500)은 블록 525에서 전송 신호 트레이스(305) 및 비전송 트레이스(315) 양자를 구비한 회로의 생성과 함께 계속된다. 또한, 비전송 트레이스(315)는 회로의 생성과 함께, 블록 530에서 기준면(310)에 접속될 수 있다. Once the number, dimensions, and position of the non-transmitting traces 315 are determined, the impedance matching method 500 continues at block 525 with the creation of a circuit having both transmit signal traces 305 and non-transmit traces 315. . In addition, the non-transmission trace 315 may be connected to the reference plane 310 at block 530 with the generation of the circuit.

일 실시예에서, 전송 신호 트레이스(305) 및 비전송 신호 트레이스(315)는 전술한 바와 같이 캐리어 기판(300) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 캐리어 기판(300)은 집적 회로(IC) 패키지일 수 있다. 대안으로, 캐리어 기판(300)은 회로 보드, 예를 들어 마더 보드, 도터 카드, 라인 카드, 또는 트레이스를 이용하는 다른 타입의 구조를 나타낼 수 있다. In one embodiment, the transmit signal trace 305 and the non-transmit signal trace 315 may be formed on the carrier substrate 300 as described above. In one embodiment, the carrier substrate 300 may be an integrated circuit (IC) package. Alternatively, the carrier substrate 300 may represent a circuit board, such as a motherboard, daughter card, line card, or other type of structure using traces.

위의 설명에서, 본 발명은 그 특정의 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었다. 본 명세서 전반에서 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급은 그 실시예와 관련하여 설명되는 특정 특징, 구조 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미함을 이해해야 한다. 따라서, 본 명세서의 다양한 부분에서 "실시예" 또는 "일 실시예" 또는 "다른 실시예"에 대한 둘 이상의 언급은 반드시 모두가 동일 실시예를 언급하는 것은 아니라는 점이 강조되고 이해되어야 한다. 더욱이, 특정 특징, 구조 또는 특성은 본 발명의 하나 이상의 실시예에서 적절히 조합될 수 있다.In the above description, the invention has been described with reference to specific example embodiments thereof. Reference throughout this specification to “one embodiment” or “an embodiment” should be understood to mean that a particular feature, structure, or characteristic described in connection with the embodiment is included in at least one embodiment of the invention. . Thus, it should be emphasized and understood that two or more references to "an embodiment" or "an embodiment" or "another embodiment" in various parts of this specification are not necessarily all referring to the same embodiment. Moreover, certain features, structures or characteristics may be combined as appropriate in one or more embodiments of the invention.

그러나, 본 발명은 본 명세서에 설명되는 실시예들로 제한되지 않음이 자명하다. 첨부된 청구범위에 설명되는 본 발명의 보다 넓은 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 발명에 대한 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 의미로 간주되어야 한다. However, it is obvious that the present invention is not limited to the embodiments described herein. Various modifications and variations can be made to the present invention without departing from the broader spirit and scope of the invention as set forth in the appended claims. Accordingly, the specification and drawings are to be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense.

Claims

A transmit signal trace having a bend, a first length and a first width, the bend causing an impedance discontinuity with respect to the transmit signal trace;

The transmission disposed in the region corresponding to the impedance discontinuity and having a second length substantially smaller than the first length of the transmission signal trace, to provide a matched impedance on the transmission signal trace; A non-transmitting trace electromagnetically coupled to the transmit signal trace in the presence of a current on a signal trace;

Reference plane;

A dielectric layer interposed between the reference plane and the non-transfer trace; And

Via for connecting the non-transmitting trace to the reference plane

Device comprising a.

The apparatus of claim 1, wherein the second length of the non-transmitted trace is about three to five times the first width of the transmitted signal trace.

The apparatus of claim 1, wherein the second length of the non-transmitted trace is less than about 50% of the first length of the transmit signal trace.

The apparatus of claim 1, wherein the transmission signal on the transmission signal trace generates a fringing electric field in the impedance discontinuity, and the non-transmission trace reduces the peripheral electric field associated with the impedance discontinuity.

5. The apparatus of claim 4, wherein the second length of the non-transmitted signal trace is greater than approximately the effective length of the peripheral electric field.

5. The apparatus of claim 4, wherein the second length of the non-transmitted signal trace is less than approximately the effective length of the peripheral electric field.

The apparatus of claim 1, wherein the non-transmitting trace has a canonical shape.

8. The apparatus of claim 7, wherein the non-transmitting trace has a rectangular shape.

8. The apparatus of claim 7, wherein the non-transmitting trace has a circular shape.

8. The apparatus of claim 7, wherein the non-transfer traces have a hexagonal shape.

The apparatus of claim 1, wherein the non-transmitting trace has a non-normative shape.

12. The apparatus of claim 11, wherein the non-transmitting trace has a non-normative shape that is approximately parallel to the edge of the transmit signal trace.

delete

2. The transmission signal trace of claim 1, wherein the nontransmission trace is a first nontransmission trace, the apparatus further comprises a second nontransmission trace, and the second nontransmission trace is the transmission signal trace in an area corresponding to the impedance discontinuity. Disposed near, the second non-transmission trace having a third length substantially less than the first length of the transmission signal trace, the second non-transmission trace to provide a matched impedance on the transmission signal trace And electromagnetically couple to the transmit signal trace in the presence of a current on the transmit signal trace.

16. The apparatus of claim 15, wherein the first non-transmit trace is disposed on a first side of the transmit signal trace and the second non-transmit trace is disposed on a second side of the transmit signal trace.

16. The apparatus of claim 15, wherein the first and second non-transmit traces are disposed on a single side of the transmit signal trace, and the first non-transmit trace is inserted between the second non-transmit trace and the transmit signal trace. .

The device of claim 1, wherein the device comprises a carrier substrate.

19. The apparatus of claim 18, wherein the carrier substrate is an integrated circuit (IC) package.

19. The apparatus of claim 18, wherein the carrier substrate is a circuit board.

Claim 21 has been abandoned due to the setting registration fee.

Providing a transmit signal trace having a bend, a first length and a first width, the bend causing an impedance discontinuity for the transmit signal trace;

Determining a second length of non-transmit trace, wherein the second length of the non-transmit trace is substantially less than the first length of the transmit signal trace;

Pre-determining a first width of the transmission signal trace before determining a second length of the non-transmission trace; And

Determine where to place the non-transmitted trace near the transmit signal trace to electromagnetically couple the non-transmitted trace to the transmit signal trace in the region corresponding to the impedance discontinuity in the presence of a current on the transmit signal trace. step

How to include.

Claim 22 is abandoned in setting registration fee.

22. The method of claim 21, further comprising determining a second length of the non-transmitted trace to be about three to five times the predetermined first width of the transmitted signal trace.

Claim 23 was abandoned upon payment of a set-up fee.

22. The method of claim 21, further comprising determining a second length of the non-transmitted trace to be less than about 50% of the first length of the transmit signal trace.

Claim 24 was abandoned when the setup registration fee was paid.

22. The method of claim 21, further comprising determining a second length of the non-transmitted trace to be greater than an approximately effective length of the ambient electric field generated by the transmit signal on the transmit signal trace.

Claim 25 was abandoned upon payment of a registration fee.

22. The method of claim 21, further comprising determining a second length of the non-transmitted trace to be less than approximately an effective length of the surrounding electric field generated by the transmit signal on the transmit signal trace.

Claim 26 is abandoned in setting registration fee.

22. The method of claim 21, further comprising connecting the non-transmitting trace to a reference plane by electrical vias, wherein a dielectric layer is inserted between the transmission signal trace and the reference plane.

Claim 27 was abandoned upon payment of a registration fee.

22. The method of claim 21, further comprising placing the transmit signal trace and the non-transmit trace on a carrier substrate.

Providing a transmission signal trace having a bend, a first length and a predetermined first width, the bend causing an impedance discontinuity for the transmission signal trace; And

Reducing the peripheral electric field associated with the impedance discontinuity using a non-transmission trace disposed adjacent the impedance discontinuity and having a second length substantially less than the first length of the transmission signal trace, wherein the non-transmission trace is referenced to the reference plane and the Bonded to the reference plane by vias through a dielectric layer interposed between non-transfer traces

How to include.

29. The method of claim 28, wherein reducing the ambient electric field comprises electromagnetically coupling the untransmitted trace to the transmit signal trace in the presence of a current on the transmit signal trace by placing the nontransmit trace near the transmit signal trace. Method comprising the steps.

29. The method of claim 28, wherein the second length of the non-transmitted trace is about three to five times the first width of the transmitted signal trace.

29. The method of claim 28, wherein the second length of the non-transmit trace is less than about 50% of the first length of the transmit signal trace.

29. The method of claim 28, wherein the second length of the non-transmitting trace is approximately equal to the effective length of the peripheral electric field.

29. The method of claim 28, further comprising providing a matched impedance on the transmit signal trace.