KR100953828B1

KR100953828B1 - 플라즈마 처리장치

Info

Publication number: KR100953828B1
Application number: KR1020080004619A
Authority: KR
Inventors: 안병대; 조상우
Original assignee: 주식회사 테스
Priority date: 2008-01-15
Filing date: 2008-01-15
Publication date: 2010-04-20
Also published as: KR20090078682A

Abstract

본 발명의 플라즈마 처리장치는 챔버와, 상기 챔버의 외측 상부에 마련되는 나선형의 안테나와, 상기 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 챔버 내의 하부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부와 가스 공급부 사이에 마련된 디퓨저를 포함하고, 상기 디퓨저는 플레이트와 상기 플레이트에 관통 슬릿이 형성되고, 상기 슬릿은 안테나에 흐르는 전류와 교차하는 방향으로 형성될 수 있다.

상기와 같은 발명은 고밀도의 플라즈마를 기판에 분사함으로써, 기판에 형성된 박막의 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.

플라즈마, 디퓨져, 챔버, 슬릿, 챔버

Description

플라즈마 처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고밀도의 플라즈마를 발생시켜 기판의 처리 효율을 높이기 위한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 기판의 표면에서 반응 기체를 반응시켜 필요한 재질의 막을 형성하는 공정을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 'CVD'라 한다) 공정이라 하고, 주로 플라즈마를 사용하여 수행된다. 이러한 증착 공정은 챔버 내에 배치된 기판의 상부에 플라즈마를 발생시키고, 이와 같이 발생된 플라즈마를 이용하여 활성화된 반응 기체를 기판의 상부면에 반응시켜 기판에 원하는 박막을 형성한다.

최근에는 대면적의 기판에 초고밀도 집적(ULSI) 회로를 형성하기 위해 기판의 처리 균일도를 높이려는 기술이 요구되고 있으며, 기판의 처리 균일도를 높이기 위해 플라즈마의 밀도 및 균일도를 높이려는 다양한 방법들이 제시되고 있다. 특히, 기판의 처리 균일도는 플라즈마의 밀도가 상당한 영향을 미치고 있으며, 플라즈마 밀도를 높이기 위해 챔버 내부의 압력을 높여 플라즈마의 밀도를 높이고 있 다.

하지만, 챔버 내에 고밀도의 플라즈마를 형성시키는 경우 플라즈마의 균일도가 감소되어 기판에 증착되는 박막의 균일도가 떨어지는 문제점이 발생되었다. 예를 들어, 고밀도의 플라즈마를 형성하기 위해 챔버 내의 압력을 상승시키면, 챔버 내에 압력이 높을수록 플라즈마의 밀도는 높아지지만, 반대로 플라즈마 속의 입자들의 평균자유거리(mean free path)가 짧아져 고밀도의 플라즈마가 기판에 도달하는 동안 플라즈마의 밀도가 낮아지는 문제점이 발생된다. 이와 같이, 밀도가 낮아진 플라즈마를 사용하여 기판 상에 박막을 형성하면, 기판 상에 형성되는 박막의 균일도가 떨어지고, 이로 인해 공정 수율이 떨어지는 문제점을 야기시킨다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 박막의 균일도를 높이기 위한 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리장치는 챔버와, 상기 챔버의 외측 상부에 마련되는 나선형의 안테나와, 상기 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 챔버 내의 하부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부와 가스 공급부 사이에 마련된 디퓨저를 포함하고, 상기 디퓨저는 플레이트와 상기 플레이트에 관통 슬릿이 형성되고, 상기 슬릿은 안테나에 흐르는 전류와 교차하는 방향으로 형성될 수 있다.

상기 슬릿은 플레이트의 중심부로부터 플레이트의 외측을 향해 방사상으로 연장 형성될 수 있다. 상기 슬릿은 다수개로 분할 형성될 수 있다. 상기 슬릿은 일부가 절곡 형성될 수 있다. 상기 플레이트에 형성된 슬릿의 상부 크기는 플레이트에 형성된 슬릿의 하부 크기와 상이하도록 형성될 수 있다. 상기 슬릿은 플레이트의 원주 방향을 향할수록 면적이 커질 수 있다.

상기 플레이트의 중심부에는 상하 관통 형성된 다수의 관통홀이 더 형성될 수 있다. 상기 관통홀의 직경은 1mm 내지 5mm 일 수 있다. 상기 플레이트의 두께는 5mm 내지 15mm 일 수 있다.

본 발명은 플라즈마 디퓨저에 형성된 슬릿을 방사상으로 이격 형성함으로써, 디퓨저의 하부에 고주파 전계를 가할 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 플라즈마 디퓨저의 하부에 고주파 전계를 가함으로써, 플라즈마 디퓨저로부터 분사된 플라즈마의 밀도를 유지시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 고밀도의 플라즈마를 기판에 분사함으로써, 기판에 형성된 박막의 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명에 따른 디퓨저가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 개략 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 디퓨저를 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 디퓨저의 자기장의 분포를 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 2의 A-A를 나타낸 단면도이고, 도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 디퓨저를 나타낸 변형예이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 외부에 마련된 고주파 발생수단(200)과, 상기 챔버(100)의 내측벽에 형성된 가스 공급부(300)와, 상기 챔버(100) 내의 하부에 마련된 기판 지지부(400) 와, 상기 기판 지지부(400)와 대향 마련된 디퓨저(500)를 포함한다.

챔버(100)는 하부 챔버(100a)와, 상기 하부 챔버(100a)의 상부를 덮는 챔버 리드(100b)를 포함한다. 하부 챔버(100a)는 상부가 개방된 원통형 형상으로 형성되고, 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판의 형상에 따라 그 형성이 변경될 수 있다. 챔버 리드(100b)는 상기 하부 챔버(100a)의 상부를 폐쇄하는 역할을 하며, 하부 챔버(100a)의 상부와 기밀하게 접속하여 챔버(100) 내에서 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 형성된다. 여기서, 하부 챔버(100a)와 챔버 리드(100b)를 기밀하게 접속하기 위해 하부 챔버(100a)의 상부와 챔버 리드(100b)의 하부 사이에는 오링 등의 실링 부재(미도시)가 더 마련될 수 있다. 또한, 챔버 리드(100b)의 재질은 세라믹 또는 석영 등으로 형성될 수 있으며, 이는 챔버(100)의 외부에서 발생된 고주파 전력이 챔버(100) 내로 인가될 수 있도록 투과창 역할을 한다. 물론, 챔버 리드(100b)의 일부를 세라믹 또는 석영 등으로 형성하여 챔버 리드(100b)의 일부에만 투과창을 형성할 수 있다. 상기에서는 챔버(100)를 하부 챔버(100a)와 챔버 리드(100b)로 구분하였지만, 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되도록 기판 출입구(110)가 형성되며, 이러한 기판 출입구(110)는 챔버(100)의 타측벽에도 형성될 수 있다. 또한, 챔버(100)의 바닥면에는 챔버(100)의 내부를 배기하기 위한 배기부(120)가 마련되며, 이러한 배기부(120)에는 진공 펌프와 같은 배기 수단(130)이 연결된다. 물론, 배기부(120) 및 배기 수단(130)은 챔버(100)의 바닥면에 다수개가 형성될 수도 있다. 여기서, 배기 수단(130)은 공정이 수행될 경우 챔버(100) 내의 압력을 50mTorr 내지 1Torr 의 공 정 압력으로 유지시킬 수 있다.

고주파 발생수단(200)은 챔버(100)의 상부에 마련되며, 챔버 리드(100b)와 이격 마련된 안테나(210)와, 상기 안테나(210)에 고주파 전원을 인가하는 고주파 전원부(230)를 포함한다. 안테나(210)는 챔버 리드(100b)의 상부에 마련되며, 동심을 이루어 나선형을 이루도록 형성된다. 여기서, 안테나(210)는 다수의 회전수를 가지도록 형성할 수 있으며, 3회전 또는 5회전으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 안테나(210)는 챔버 리드(100b)로부터 1mm 내지 2mm 이격시킬 수 있으며, 이는 안테나(210)로부터 발생되는 고주파 전력이 손실되는 것을 방지할 수 있다. 안테나(210)의 외측에는 안테나(210)를 수납하도록 실드 부재(220)가 더 마련될 수 있으며, 이러한 실드 부재(220)는 안테나(210)로부터 발생된 고주파 전력이 누설되지 않도록 차폐하는 역할을 한다. 실드 부재(220)로는 알루미늄 등의 고주파 차폐 부재로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 챔버 리드(100b)의 상부면과 실드 부재(220)의 상부 내측면과의 거리는 80 내지 120mm, 바람직하게는 100mm로 형성되는 것이 바람직하다. 안테나(210)의 일측에는 고주파 전원부(230)가 연결되며, 안테나(210)와 고주파 전원부(230) 사이에는 고주파 정합기(240)가 더 마련될 수 있다. 이러한, 고주파 전원부(230) 및 고주파 정합기(240)는 실드 부재(220)의 외측에 마련되며, 안테나에 1.5kw 내지 3kw 범위의 고주파 전원을 인가하는 역할을 한다. 상기에서는 플라즈마 발생수단으로서, 고주파 전력을 사용하는 유도결합형 플라즈마 발생장치(ICP; Inductively coupled plasma)를 도시하였으나, 용랑성 결합에 의한 플라즈마 발생장치(CCP; Capacitively coupled plasma), 이 두가지 타입을 조합한 하이브리드 타입의 플라즈마 발생장치 등이 있으며, 마이크로파를 이용한 장치로 ECR(Electron cyclotron resonance) 플라즈마 발생장치, SWP(Surface wave plasma) 발생장치 등을 사용하여 챔버 내에 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

가스 공급부(300)는 챔버(100) 내에 반응 가스를 공급하는 역할을 하고, 챔버(100)의 내측벽 즉, 챔버 리드(100b)의 하부면에 인접한 하부 챔버(100a)의 내측벽 상부에 형성된다. 이러한 가스 공급부(300)는 몸체(310)와, 상기 몸체(310)에 연결된 가스 공급원(340)을 포함한다. 몸체(310)는 챔버(100)의 내측벽을 따라 하나 또는 다수개가 형성될 수 있으며, 몸체(310)의 내부에는 소정 공간이 마련된다. 몸체(310)의 일측에는 소정 공간과 연통되도록 공급홀(320)이 형성되며, 공급홀(320)은 챔버의 내부 공간을 향해 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 몸체(310) 내에 반응 가스를 공급하도록 가스 공급원(340)이 챔버(100) 외부에 마련되며, 가스 공급원(340)이 몸체(310)와 연통될 수 있도록 챔버(100)의 측벽에는 좌우로 관통 형성된 연결 구멍(330)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 몸체(310)는 내부는 빈 링 타입으로 형성되고, 링의 내면에 공급홀(320)이 형성될 수 있다.

기판 지지부(400)는 챔버(100) 내의 하부에 마련되고, 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 지지하는 역할을 한다. 이러한 기판 지지부(400)는 기판(S)을 지지하는 지지대(410)와, 상기 지지대(410)의 하부에 연결된 구동부(420)를 포함한다. 여기서, 지지대(410)는 통상 기판의 형상과 대응하는 형상으로 형성되며, 구동부(420)는 지지대(410)를 승하강 또는 회전시킬 수 있다. 여기서, 구동부(420)에는 모터 등의 부재가 연결될 수 있으며, 이에 의해 구동부(420)에 구동력을 제공할 수 있다.

본 발명에 따른 디퓨저(500)는 챔버(100) 내에 마련된 기판 지지부(400)와 대향하여 마련되며, 챔버(100) 내에 형성되어 플라즈마화된 반응 가스를 기판(S)을 향해 균일하게 분사하는 역할을 한다. 디퓨저(500)는 챔버(100) 내의 내측벽에 장착되며, 이러한 디퓨저(500)를 장착하기 위해 챔버(100) 내측에 단턱부를 형성하고, 단턱부의 상부에 디퓨저(500)를 안착시켜 고정할 수 있다. 여기서, 챔버(100)의 내측에 단턱부를 형성하지 않더라도 결합 부재(미도시)에 의해 챔버(100) 내측벽과 결합될 수 있음은 물론이다. 또한, 디퓨저(500)에 형성된 슬릿(520)은 안테나(210)에 흐르는 전류와 교차하는 방향 예를 들면, 전류와 직교된 방향으로 형성되기 때문에 챔버(100) 내에 발생된 자기장을 디퓨저(500)의 하부에도 형성시킬 수 있으며, 이로 인해 디퓨저(500)로부터 분사된 플라즈마화된 반응 가스의 밀도가 떨어지지 않도록 유지시킬 수 있다. 디퓨저(500)에 대해서는 이하 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 디퓨저(500)는 플레이트(510)와, 상기 플레이트(510)에 형성된 다수의 슬릿(520)을 포함한다. 플레이트(510)는 원형의 판 형상으로 형성될 수 있으며, 챔버(100)의 형상에 대응하는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 플레이트(510)는 아노다이징 처리된 알루미늄이나, 메탈 계열 또는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 또한, 플레이트(510)의 두께는 5mm 내지 15mm 로 형성되며, 바람직하게는 10mm로 형성된다. 물론, 플레이트(510)의 두께는 작을수록 더 효과적이다. 플레이트(510)에는 다수의 슬릿(520) 이 형성되며, 다수의 슬릿(520)은 플레이트(510)를 상하 관통하도록 형성된다. 이러한 슬릿(520)은 플레이트(510)의 반경 방향 즉, 플레이트(510)의 중심부로부터 플레이트(510)의 외측을 향해 방사상으로 연장되도록 형성된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 안테나(210)에 고주파 전력이 인가되면, 안테나(210)에 흐르는 전류(I)에 의해 전류(I) 방향과 수직을 이루도록 자기장(B)이 형성되고, 자기장(B)은 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520)을 거쳐 플레이트(510)에 하부로 연장되어 인가된다. 즉, 디퓨저(500)에서 분사된 플라즈마는 디퓨저(500)의 하부에 형성되는 자기장(B)에 수직 방향으로 형성되는 전기장(E)에 의해 플라즈마의 밀도를 유지시킬 수 있다. 이로 인해 고밀도의 플라즈마는 기판(S)에 증착되는 박막의 처리 효율을 높일 수 있는 효과가 있다. 여기서, 슬릿(520)은 외측을 향할수록 넓게 형성되도록 삼각 형상으로 형성되는 것이 바람직하며, 이는 플라즈마화된 반응 가스가 기판(S)의 상부 중심 영역에 집중되는 현상을 방지할 수 있어 플라즈마의 분포가 균일하도록 형성될 수 있다. 또한, 플레이트(510)의 상부의 플라즈마 도입부와 플레이트(510)의 하부의 플라즈마 배출부와의 크기 즉, 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520a) 상부의 크기와 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520b) 하부의 크기를 상이하게 형성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520a) 상부의 크기는 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520b) 하부의 크기보다 작게 형성될 수 있으며, 이는 플레이트(510)의 상부에 머무는 플라즈마화된 반응 가스를 플레이트(510)의 하부로 고르게 분산시킬 수 있다. 여기서, 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520a)의 상부와 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520b)의 하부는 경사지도록 연장되어 형성될 수 있 다. 물론, 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520b)의 하부 크기는 플레이트(510)에 형성된 슬릿(520a)의 상부 크기보다 크도록 형성할 수도 있다.

종래에는 챔버 내에 고밀도의 플라즈마를 형성시키는 경우 플라즈마의 균일도가 감소되어 기판에 증착되는 박막의 균일도가 떨어지는 문제점이 발생되었다.

이와 대조적으로, 본 발명의 디퓨저는 플라즈마가 분사되는 슬릿의 방향을 방사상으로 형성함으로써, 고주파 전력이 디퓨저의 하부면에까지 인가될 수 있으며, 이에 의해 플라즈마 균일도를 향상시키면서 초기 발생된 고밀도 플라즈마를 유지시켜 기판에 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 디퓨저는 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.

도 5에 도시된 바와 같이, 디퓨저(600)는 플레이트(610)와, 상기 플레이트(610)에 관통 형성된 다수의 슬릿(620)을 포함하고, 다수의 슬릿(620)은 플레이트(610)의 중심부로부터 방사상으로 이격 형성된다. 여기서, 방사상으로 이격 형성된 슬릿(620)은 도 5a에 도시된 바와 같이, 플레이트(510)의 중심부로부터 외측을 향하도록 다수개로 분할 형성될 수 있으며, 도 5b에 도시된 바와 같이, 중심부로부터 방사상으로 분할 형성된 슬릿(620)이 원주 방향으로 교차되어 형성될 수 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 슬릿(720)은 플레이트(710)의 중심부로부터 플레이트(710)의 외측을 향해 방사상으로 형성된 슬릿(720)의 일부는 절곡되어 형성되며, 일부가 절곡 형성된 슬릿(720)이 원주 방향으로 이격되어 형성된다.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 디퓨저(800)는 플레이트(810)와, 상기 플레 이트(810)의 중심부로부터 플레이트(810)의 외측을 향해 방사상으로 이격 형성된 다수의 슬릿(820)과, 상기 플레이트(810)의 중심부에 상하 관통 형성된 관통홀(830)을 포함한다. 여기서, 플레이트(810) 및 슬릿(820)에 구성에 대해서는 위와 동일하므로 생략한다.

관통홀(830)은 플레이트(810)의 중심부, 구체적으로 플레이트(810)의 상부에 형성된 슬릿(820)과 간섭되지 않도록 플레이트(810)의 중심부에 상하 관통 형성되며, 이러한 관통홀(830)은 플레이트(810)의 상부 중심부에 형성되는 플라즈마화된 반응 가스를 플레이트(810)의 하부로 분사하는 역할을 한다. 여기서, 관통홀(830)은 도 7a에 도시된 바와 같이, 원형의 형상으로 다수개가 형성될 수 있으며, 관통홀(830)의 직경은 1mm 내지 5mm로 형성될 수 있다. 여기서, 플레이트(810)에 형성된 슬릿(820)의 상부 크기는 플레이트(810)에 형성된 슬릿(820)의 하부 크기보다 작게 형성될 수 있으며, 이에 대응하도록 플레이트(810)에 형성된 관통홀(830)의 상부 크기를 플레이트(810)에 형성된 관통홀(830)의 하부 크기보다 작도록 형성할 수 있음은 물론이다. 또한, 도 7b에 도시된 바와 같이, 관통홀(830)은 슬릿(820)의 형상과 대응하도록 플레이트(810)의 중심부로부터 플레이트(810)의 외측을 향해 방사상으로 이격 형성될 수 있다. 물론, 관통홀(830)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다각 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다.

이하에서는 본 발명에 따른 디퓨저가 구비된 플라즈마 처리장치의 동작을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.

외부로부터 기판(S)이 챔버(100) 내로 인입되어 지지대(410)의 상부에 안착 되면, 지지대(410)의 하부에 연결된 구동부(420)에 의해 지지대(410)는 소정 간격 상승하고, 이에 의해 지지대(410)의 상부에 안착된 기판(S)을 공정 위치로 배치시킨다. 이어서, 챔버(100)의 내측에 형성된 가스 공급부(300)로부터 반응 가스가 챔버(100) 내로 인입되고, 이와 동시에 또는 이후에 고주파 전원부(230)로부터 안테나(210)에 전원이 가해진다. 이후, 안테나(210)에는 전류(I)가 흐르고, 안테나(210)에 흐르는 전류(I) 방향의 수직 방향으로 자기장(B)이 형성된다. 자기장(B)은 디퓨저(500)의 상부와 디퓨저(500)에 형성된 슬릿(520)을 거쳐 디퓨저(500)의 하부에도 형성되며, 이에 의해 디퓨저(500)의 상부 및 하부에 자기장(B)의 수직 방향으로 전기장(E)이 형성된다. 이어서, 챔버(100) 내로 인입된 반응 가스는 디퓨저(500)의 상부에서 고밀도로 플라즈마화되며, 이로 인해 발생된 플라즈마는 디퓨저(500)의 슬릿(520)을 거쳐 기판(S)을 향해 분사된다. 여기서, 디퓨저(500)의 슬릿(520)을 거쳐 디퓨저(500)의 하부에 분사된 플라즈마는 디퓨저(500)의 하부에 형성된 전기장(E)에 의해 플라즈마의 밀도를 유지하며 기판(S)을 향해 분사된다. 기판(S)을 향해 분사된 고밀도의 플라즈마는 기판(S)의 상부면에 균일하게 증착되어 증착 공정을 마치게 된다.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 디퓨저가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 개략 단면도이다.

도 2는 본 발명에 따른 디퓨저를 나타낸 사시도이다.

도 3은 본 발명에 따른 디퓨저의 자기장의 분포를 나타낸 사시도이다.

도 4는 도 2의 A-A를 나타낸 단면도이다.

도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 디퓨저를 나타낸 변형예이다.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

100: 챔버 200: 고주파 발생수단

300: 가스 공급부 400: 기판 지지부

500: 디퓨저 510: 플레이트

520: 슬릿 530: 관통홀

Claims

챔버와,

상기 챔버의 외측 상부에 마련되는 나선형의 안테나와,

상기 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급부와,

상기 챔버 내의 하부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지부와,

상기 기판 지지부와 가스 공급부 사이에 마련된 디퓨저를 포함하고,

상기 디퓨저는,

플레이트와,

상기 플레이트에 형성되며 원주방향을 향할수록 면적이 커지는 관통 슬릿과,

상기 관통 슬릿과 간섭되지 않도록 상기 플레이트의 중심부에 형성된 다수의 관통홀을 구비하며,

상기 관통 슬릿은 안테나에 흐르는 전류와 교차하는 방향으로 형성되는 플라즈마 처리장치.
청구항 1에 있어서, 상기 슬릿은 플레이트의 중심부로부터 플레이트의 외측을 향해 방사상으로 연장 형성되는 플라즈마 처리장치.
청구항 2에 있어서, 상기 슬릿은 다수개로 분할 형성되는 플라즈마 처리장치.
청구항 2에 있어서, 상기 슬릿은 일부가 절곡 형성되는 플라즈마 처리장치.
청구항 1에 있어서, 상기 플레이트에 형성된 슬릿의 상부 크기는 플레이트에 형성된 슬릿의 하부 크기와 상이한 플라즈마 처리장치.
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청구항 1에 있어서, 상기 관통홀의 직경은 1mm 내지 5mm 인 플라즈마 처리장치.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플레이트의 두께는 5mm 내지 15mm 인 플라즈마 처리장치.