KR100950933B1 - 광학용 대전방지 필름의 제조방법 - Google Patents

광학용 대전방지 필름의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광학용 대전방지 필름의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 광학용 대전방지 필름은 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%, 바인더용 수지 20 내지 30 중량% 및 잔량의 용매를 포함하는 전도성 용액을 절연성 투명고분자와 컴파운딩 후 사출하여 형성된 마스터 칩을 압출 성형함으로써, 광학용 대전방지 필름 내에 탄소나노튜브를 고분산으로 존재하게 함으로써 탄소나노튜브 고유의 물성이 충분히 발휘되어 표면저항이 105 내지 109Ω/면적 및 광투과율이 85% 이상으로, 종래의 탄소나노튜브 복합체에 비하여 물성이 개선된 광학용 대전방지 필름을 제공할 수 있다.
고분산, 탄소나노튜브, 대전방지 필름

Description

광학용 대전방지 필름의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL ANTISTATIC FILM}
본 발명은 광학용 대전방지 필름의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 고분산성의 탄소나노튜브를 함유하는 전도성 용액을 절연성 투명고분자와 컴파운딩 후 사출하여 마스터 칩을 형성하고 이를 압출 성형함으로써, 대전방지 필름 내에 탄소나노튜브를 고분산성으로 존재하게 함으로써 탄소나노튜브 고유의 물성이 충분히 발휘될 수 있는 광학용 대전방지 필름의 제조방법에 관한 것이다.
최근 평판 디스플레이(FPD;Flat Panel Display)가 기존의 브라운관 디스플레이의 약점을 보완하고 중대형의 다양한 디스플레이 영역에 보급됨에 따라 그 수요가 증가하고 있다. 특히, 액정 디스플레이(LCD;Liquid Crystal Display)는 평판 디스플레이 시장의 2/3 이상을 차지하고 있는 대표적인 평판 디스플레이로서, 평판 디스플레이 시장의 성장과 더불어 액정 디스플레이에 사용되는 다양한 종류의 광학필름 이 이머징 마켓(Emerging market)이 되었다.
액정 디스플레이는 화상을 형성하는 과정에서, 컬러필터와 박막 트랜지스터(TFT; thin film transistor)기판 각각의 상 하면에 편광필름 2장이 반드시 필요하고, 이외에도 시야각 확대 필름, 휘도 향상 필름, 보상필름 등 액정 디스플레이의 성능을 높이기 위해 다양한 필름이 사용되는데, 이를 총칭하여 광학필름이라 부른다.
일반적으로, 광학필름은 사용자에게 제공되기 전까지 표면 흠집이나 오염을 방지하기 위해 보호필름이 부착된 상태로 보관되며 보호필름은 광학필름이 액정 디스플레이에 장착된 후에 박리하여 제거된다. 이때 보호필름의 박리과정에서 박리대전전압이 발생하여 액정 디스플레이에 이물질 부착의 불량, 액정 디스플레이 패널의 회로파괴 등의 여러 가지 정전기 불량문제가 유발된다. 또한, 정전기가 액정의 배향에 영향을 미쳐 액정 배향상태가 왜곡되어 이를 보완하기 위한 추가 공정이 요구된다.
이에, 정전기로 인한 불량문제의 해결을 위해 광학필름 표면 또는 점착제층에 대전방지성을 부여할 수 있다. 일반적으로 대전방지성을 부여하는 방법에는 계면활성제, 도전성 카본블랙, 금속 충전제 등의 전도성 첨가제를 고분자에 포함시켜 표면 저항률을 낮추는 방법 또는 폴리티오펜, 폴리피롤 및 폴리아닐린 같은 전도성 고분자를 대전방지제로 사용하는 방법이 있다.
계면활성제를 사용한 대전방지제의 경우 대기 중의 수분을 흡수하여 대전방지 효과를 나타내므로 수분에 민감하게 반응하여 대전방지 성능이 짧은시간 내에 소멸되는 문제가 있고[대한민국 특허출원 제2005-0134014호], 이온성 계면활성제는 표면으로 이온이 전이되어 기저 필름에 석출되는 문제가 있어 전자제품 소재로의 적용이 불 가능할 수 있다[대한민국 특허출원 제2004-0043439호]. 또한, 전도성 고분자를 사용한 대전방지제의 경우, 용해성, 광투과성, 열적 안정성 및 외부환경 안정성이 낮은 단점이 있다[대한민국 특허출원 제2005-0118303호].
이러한 단점을 개선하고자 폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxithiophene; PEDOT; 바이어사)을 폴리스티렌술폰산으로 도핑시킨 베이트론(Baytron)이 제조된바 있으나, 베이트론(Baytron) 자체도 수분산 용액이므로 고분자 필름, 유리 등의 기판에 대한 접착력, 강도 및 건조성에 의해 코팅성이 낮은 한계를 갖는다.
이에 따라, 최근 탄소나노튜브를 절연성 고분자에 충전제(filler)로써 첨가하여 기계적 강도와 전도특성을 향상시키는 여러 방안이 개발되고 있으며, 탄소나노튜브의 우수한 화학적, 기계적, 전기적, 열적 특성을 이용한 탄소나노튜브/고분자 복합체를 이용한 전도성 고분자의 응용분야가 각광받고 있다. 하지만, 탄소나노튜브의 나노 크기입자는 마이크로 크기의 입자와 비교 시 동일 부피대 표면적이 매우 증가됨에 따라 입자간의 인력(반데르발스 힘)이 매우 크게 작용하여 입자간 서로 응집하게 된다. 이로 인하여, 탄소나노튜브/고분자 복합체를 형성함으로써 물성을 향상시킬 수 있는 3차원적 네트워크 구조형성이 방해되기 때문에 복합체 내에서 탄소나노튜브의 우수한 특성이 충분히 발현되지 않는다.
이에, 본 발명자들은 탄소나노튜브 고유의 물성이 충분히 발휘된 광학용 대전방지 필름을 얻고자 노력한 결과, 고분산성의 탄소나노튜브를 함유하는 전도성 용액을 절연성 투명고분자와 컴파운딩 후 사출하여 마스터 칩을 형성하고 이를 압출 성형 하여, 광학용 대전방지 필름 내에 탄소나노튜브가 고분산성으로 존재하게 함으로써, 탄소나노튜브 고유의 물성이 충분히 발휘된 광학용 대전방지 필름을 제조함으로써, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 절연성 투명고분자에 탄소나노튜브가 고르게 분산된 광학용 대전방지 필름 및 고분산성의 탄소나노튜브를 이용한 상기의 광학용 대전방지 필름의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고분산성의 탄소나노튜브 용액의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기의 광학용 대전방지 필름을 채용한 광학필름을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%, 바인더용 수지 20 내지 30중량% 및 잔량의 용매를 포함하는 전도성 용액을 절연성 투명고분자의 필름 제조공정에 투입하여 압출 성형된 광학용 대전방지 필름을 제공한다. 이때, 상기 전도성 용액은 절연성 투명고분자와 컴파운딩되어 사출된 마스터 칩 형태이다.
또한, 본 발명은 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%, 바인더용 수지 20 내지 30중량% 및 잔량의 용매를 포함하는 전도성 용액이 절연성 투명고분자의 적어도 일면에 코팅된 광학용 대전방지 필름을 제공한다.
상기 절연성 투명고분자는 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트 및 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌으로 이루어진 군 에서 선택되는 어느 하나이다.
상기 탄소나노튜브는 0.002 내지 0.04㎛의 입자크기를 가지는 단일벽 탄소나노튜브(SWNT), 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 및 탄소나노섬유로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.
상기 고분산성의 탄소나노튜브는 산처리로 표면개질 하고 중성화한 후, 초음파처리하여 균일 분산된 것이고, 상기 바인더용 수지는 페놀, 멜라민, 자일렌, 에폭시, 아닐린 및 폴리우레탄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이며, 상기 용매는 물, 알코올, 케톤 및 에테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합용매이다.
상기 전도성 용액을 이용하여 제조된 광학용 대전방지 필름의 표면저항은 105 내지 109Ω/면적이다.
본 발명은 나아가 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%를 바인더용 수지 20 내지 30중량% 및 잔량의 용매에 혼합하여 전도성 용액을 제조하고, 상기 전도성 용액을 절연성 투명고분자와 컴파운딩 후, 사출하여 마스터 칩을 형성하고, 상기 마스터 칩을 압출 성형하여 필름으로 제조하는 상기의 광학용 대전방지 필름의 제조방법을 제공한다. 이때, 압출 성형된 필름의 두께는 100 내지 500㎛이고, 상기 컴파운딩 단계에 전도성 용액 5 내지 8중량% 및 절연성 투명고분자 92 내지 95중량%로 투입된다.
상기 고분산성의 탄소나노튜브용액은 질산:황산의 혼합용매에 탄소나노튜브를 담지 한 후, 교반하여 표면개질하고, 결과되는 탄소나노튜브 용액을 pH 7이 될 때까지 중화시킨 다음, 디메틸아세트아마이드, 디메틸포름아마이드 및 N-피롤리돈으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유기용매에 넣은 후 4 내지 20KHz 초음파기기의 20 내지 60% 출력 하에 2 내지 10시간 동안 초음파처리 하는 것으로 제조된다.
본 발명은 더 나아가 상기 광학용 대전방지 필름을 시야각 확대필름, 휘도 향상필름 및 보상필름으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나에 채용하는 광학필름을 제공한다.
본 발명은 고분산성의 탄소나노튜브를 함유한 전도성 용액을 절연성 투명고분자에 적용한 광학용 대전방지 필름을 제공할 수 있으며, 광학용 대전방지 필름 내에 탄소나노튜브를 고분산성으로 존재하게 함으로써 탄소나노튜브 고유의 물성이 충분히 발휘되어 종래의 탄소나노튜브 복합체에 비하여 물성이 개선된 광학용 대전방지 필름을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 광학용 대전방지 필름의 제조방법 및 광학용 대전방지 필름을 채용한 광학필름을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.
일반적으로 탄소나노튜브는 저항이 10-4 내지 10-3Ω/cm의 매우 우수한 전도성을 갖지만, 분자간의 표면인력이 커서 자체적으로 응집되어 고유의 성질을 잃어버리고 고 분자 매트릭스와 탄소나노튜브 계면 사이의 부착력이 부족하여 우수한 물성이 충분히 발현되지 않는다.
이에, 본 발명은 고분산성의 탄소나노튜브를 함유하는 전도성 용액을 절연성 투명고분자에 적용함으로써 탄소나노튜브의 물성이 충분히 발현된 광학용 대전방지 필름을 제공한다.
본 발명의 특성에 따른 제1실시예는, 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%, 바인더용 수지 20 내지 30중량% 및 잔량의 용매를 포함하는 전도성 용액을 절연성 투명고분자의 필름 제조공정에 투입하여 압출 성형된 광학용 대전방지 필름을 제공한다. 이때, 상기 전도성 용액은 절연성 투명고분자와 컴파운딩되어 사출된 마스터 칩 형태이며, 전도성 용액 및 절연성 투명고분자의 최종적인 혼합상태가 마스터 칩 형태이어서 저장이 용이하고 필름 압출 단계가 간단하다.
본 발명의 다른 특성에 따른 제2실시예는, 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%, 바인더용 수지 20 내지 30 중량% 및 잔량의 용매를 포함하는 전도성 용액이 절연성 투명고분자의 적어도 일면에 코팅된 광학용 대전방지 필름을 제공한다.
본 발명의 고분산성의 탄소나노튜브는 카르복실기를 포함하도록 탄소나노튜브를 산처리하여 표면개질 하고 중성화한 후, 유기용매 내에서 초음파처리 함으로써 균일 분산된다. 상기 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액은 1 내지 8중량%가 바람직하며, 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액이 1중량% 미만이면 최종 성형된 광학용 대전방 지 필름 내의 탄소나노튜브의 함량이 충분하지 않아 대전방지 기능이 불량하고, 탄소나노튜브 함유용액이 8중량%를 초과하면 탄소나노튜브의 농도가 높아짐에 따라 미세한 분산제어가 어려워져 대전방지 필름의 투명성 및 광투과율이 저하될 수 있고, 코팅시 얼룩이 발생하는 문제가 있다.
이때, 탄소나노튜브의 형태 및 크기는 제한되지 않으나, 바람직하게는 0.002 내지 0.04㎛의 입자크기를 가지는 단일벽 탄소나노튜브(SWNT), 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 및 탄소나노섬유로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것이 가시광선 영역에서의 광투과도를 높이는데 효율적이다.
상기 바인더용 수지는 탄소나노튜브 함유의 전도성 용액과 절연성 투명 고분자 간의 결합 균일성, 부착성 향상 및 전도성 용액의 대전방지 기능에 대한 경시변화특성을 향상시키는 역할을 한다. 이때, 바인더용 수지가 20중량% 미만일 경우, 전도성 용액과 절연성 투명고분자 간의 결합 균일성 및 부착성이 저하되거나 전도성 용액의 경시변화 특성이 충분하지 않으며, 바인더용 수지가 30중량%를 초과할 경우 전도성 용액의 표면저항이 증가하여 대전방지 기능이 불량하고 탄소나노튜브의 분산성이 저하되어 코팅시 얼룩이 생기는 문제가 있다.
바인더용 수지로는 페놀, 멜라민, 자일렌, 에폭시, 아닐린 및 폴리우레탄으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나가 사용된다.
또한, 본 발명에서 사용되는 절연성 투명고분자는 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트 및 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나가 사용된다.
상기 용매는 물, 알코올, 케톤 및 에테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합용매가 사용된다.
또한, 상기 전도성 용액은 필요에 따라 분산제, 안정제 및 충진제 등의 첨가제를 선택적으로 더 포함할 수 있다.
상기 전도성 용액을 이용하여 제조된 광학용 대전방지 필름은 표면저항이 105 내지 109Ω/면적이며 광투과율은 85% 이상 더 나아가 90% 이상의 광학특성을 보인다.
본 발명은 또한 상기 광학용 대전방지 필름의 제조방법을 제공한다.
보다 상세하게는, 고분산성의 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%를 바인더용 수지 20 내지 30중량% 및 잔량의 용매에 혼합하여 전도성 용액을 제조하고, 상기 전도성 용액을 절연성 투명고분자와 컴파운딩 후, 사출하여 마스터 칩을 형성하고, 상기 마스터 칩을 압출 성형하는 단계로 이루어진다.
상기 고분산성의 탄소나노튜브는 탄소나노튜브를 질산 및 황산의 1:3 부피비 혼합용액에 담지한 후, 교반하여 카르복실기(-COOH)를 포함하도록 표면개질 하고, 산성화된 탄소나노튜브를 pH7이 될 때까지 중화시키고 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF) 및 N-메틸피롤리돈(NMP)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유기용매에 넣은 후, 초음파처리 하여 제조된다.
상기 탄소나노튜브는 질산 및 황산의 혼합용액에 담지하여 산처리 함으로써 탄소나노튜브 표면에 극성기가 도입되어 고분자와의 계면장력이 감소된다. 즉, 소수성인 탄소나노튜브에 관능기가 도입되어 친수성이 부여됨으로써 용매에 용이하게 분산될 수 있다. 산처리 단계를 거친 탄소나노튜브는 표면에 관능기가 도입됨과 동시에 구조적 결함이 발생하는데, 이에 의해 탄소나노튜브의 물성이 저하되는 것을 방지하기 위해 중화단계를 거친다.
상기 초음파처리는 유기용매 내에 탄소나노튜브를 균일하게 분산시키기 위한 것으로, 비극성 용매 내에서는 탄소나토튜브가 응집 및 침전되기 때문에 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF) 및 N-메틸피롤리돈(NMP)등의 극성 용매가 사용된다.
상기 초음파처리는 4 내지 20kHz 초음파기기의 20 내지 60% 출력에서 2 내지 10시간 동안 수행된다. 20kHz를 초과하는 주파수 영역의 초음파는 침투력이 크지만 캐비테이션(cavitation)이 낮고, 4kHz 미만의 주파수 영역에서는 그 반대현상이 나타난다. 따라서, 상기 범위 내의 주파수를 교대로 수행하면 고분산성의 탄소나노튜브를 얻을 수 있다.
상기 컴파운딩 단계는 전도성 용액 5 내지 8중량% 및 절연성 투명고분자 92 내지 95중량%를 컴파운더를 통해 혼합한 것으로서, 전도성 용액이 5중량% 미만일 경우 최종 형성된 광학용 대전방지 필름 내의 탄소나노튜브의 함량이 충분하지 않아 대전방지 기능이 효율적이지 않으며, 전도성 용액이 8중량%를 초과할 경우 대전방지 기능은 우수해지나 광학용 대전방지 필름 내의 탄소나노튜브의 함량이 높아짐에 따라 분산제어가 어려워 투명성 및 광투과율이 저하되는 문제가 있어 바람직하지 않다.
상기의 제조방법에 따라 제조된 광학용 대전방지 필름의 두께는 100 내지 500㎛이다.
본 발명은 나아가 상기 광학용 대전방지 필름을 시야각 확대필름, 휘도 향상필름 및 보상필름으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나에 채용한 광학필름을 제공한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다.
하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
< 제조예 > 고분산성의 탄소나노튜브 용액의 제조
다중벽 탄소나노튜브(일진나노텍사 CM 95 제품) 10g을 질산:황산이 1:3의 부피비로 혼합된 용액 450ml에 넣어 4시간동안 교반시키고, NaOH 용액을 이용하여 pH7이 될 때까지 중성화 과정을 거친 후, 디메틸포름아마이드의 유기용매에 넣어 20kHz의 주파수 및 300W의 에너지를 갖는 소니케이터로 3.5시간 동안 초음파 처리하여 고분산성의 탄소나노튜브의 용액을 제조하였다.　
< 실시예 1>
1) 상기 제조된 고분산성의 탄소나노튜브 1.5g, 우레탄 바인더 17g 및 에틸알코올과 이소프로필알코올이 1:1로 혼합된 혼합용매 65ml을 보울 믹서에 넣어 60rpm으로 1시간 동안 혼합하여 전도성 용액을 형성하였다.
2) 상기 전도성 용액 30g 및 아크릴로니트릴 부타디엔스티렌(ABS) 절연성 투명고분 자 칩 500g을 컴파운딩 시킨 후, 트윈 스크류의 사출기를 통해 마스터 칩(Master Chip)을 얻었다.
3) 상기의 마스터 칩을 싱글 스크류의 압출기에 넣어 200㎛ 두께의 광학용 대전방지 필름을 제조하였다.
< 실시예 2>
고분산성의 탄소나노튜브 용액의 첨가량이 2.5g인 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 광학용 대전방지 필름을 제조하였다.
< 실시예 3>
고분산성의 탄소나노튜브 용액의 첨가량이 3.5g인 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 광학용 대전방지 필름을 제조하였다.
< 실시예 4>
전도성 용액의 첨가량이 40g인 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 광학용 대전방지 필름을 제조하였다.
< 실시예 5>
전도성 용액의 첨가량이 40g인 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 실시하여 광학용 대전방지 필름을 제조하였다.
< 비교예 1>
5g의 탄소나노튜브를 황산과 질산이 혼합된 강산의 수용액에 담가 4시간 동안 산처리 하고 여과기를 통해 여과시킨 후, 이를 증류수를 사용하여 중성이 될 때까지 수회 세정하였다. 세정된 탄소나노튜브를 65℃의 열풍건조기에서 증발시켜 다시 분말 상태로 만들어 건조된 탄소나노튜브 3.5g을 절연성 투명 고분자 칩 500g과 함께 마스터 칩(master chip)형태로 얻어낸 후, 압출하여 200㎛의 광학용 대전방지 필름을 제조하였다.
< 비교예 2>
도전성 고분자로 폴리3,4-에틸렌디옥시티오펜(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene, PEDOT) 5중량부, 바인더용 수지로는 폴리에스테르 수지 100중량부 및 폴리스티렌술폰산 7중량부를 함유하는 수용액(고형분 0.8%)을 제조하였다. 이 수용액을 폴리에스테르 필름에 1㎛의 두께로 코팅 후, 100℃에서 2분간 건조하여 광학용 대전방지 필름을 제조하였다.
< 실험예 1> 광학용 대전방지 필름 특성측정
1. 광투과율 및 헤이즈 측정방법
본 실험의 목적은 본 발명의 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 2의 광투과성능 및 광확산 성능을 알아보기 위한 것이다. 일본 니폰덴소쿠사 제작 헤이즈 측정기(AUTOMATIC DIGITAL HAZEMETER)에 10cm×10cm 크기로 샘플링한 광확산 필름 1매를 수직으로 놓고, 수직으로 놓여진 시료의 직각 방향으로 550nm의 파장을 갖는 빛을 투과시켜 나타난 값을 측정하였다.
이때 광투과율 값은 하기 수학식 1을 이용하여 산출하였다.
Figure 112008009483129-pat00001
또한, 헤이즈(HAZE) 값은 하기 수학식 2를 이용하여 산출하였다.
Figure 112008009483129-pat00002
2. 대전방지 측정방법
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 필름 표면의 대전방지성을 확인하기 위하여 표면저항을 측정하였다. 측정은 어드벤테스트사(Adventest Co.)의 저항측정기인 어드벤테스트를 이용하여 온도 23℃, 습도 50% RH(relative humidity ; 상대습도)의 환경 하에 시료를 설치하고, 100V 전압을 인가한 후 40초간 충전 후의 표면저항을 측정하였다.
Figure 112008009483129-pat00003
대전방지 필름의 표면저항이 1012Ω/면적 이하이면 실용상에 문제가 없으며 표면저항이 1010Ω/면적 또는 109Ω/면적 이하이면 우수한 대전방지성을 나타낸다. 본 발명의 광학용 대전방지 필름은 표면저항 105Ω/면적 내지 109Ω/면적의 대전방지 특성을 보임과 동시에 광투과율 85% 이상 더 나아가 90% 이상의 광학특성을 보이며, 분말상태의 탄소나노튜브를 이용하여 제조된 비교예 1의 광학용 대전방지 필름 및 통상의 전도성 고분자를 이용하여 제조된 비교예 2의 광학용 대전방지 필름에 비하여 우수한 효과를 나타낸다.
본 발명은 고분산성의 탄소나노튜브를 함유하는 전도성 용액을 절연성 투명고분자와 컴파운딩 후 사출하여 마스터 칩을 형성하고 이를 압출 성형함으로써 표면저항 이 105 내지 109Ω/면적이고, 광투과율이 85% 이상 더 나아가 90% 이상의 우수한 광학용 대전방지 필름 및 이를 채용한 광학필름을 제공할 수 있다.
본 발명은 또한 고분산성의 탄소나노튜브를 대전방지 필름에 적용하는 광학용 대전방지 필름의 제조방법 및 광학용 대전방지 필름을 채용한 광학필름을 제공할 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 실시예에 대해서만 상세히 기술되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (14)

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  10. 탄소나노튜브 함유용액 1 내지 8중량%를 바인더용 수지 20 내지 30중량% 및 잔량의 용매에 혼합하여 전도성 용액을 제조하고,
    상기 전도성 용액을 절연성 투명고분자와 컴파운딩 후, 사출하여 마스터 칩을 형성하고,
    상기 마스터 칩을 압출 성형하여 필름으로 제조하는 것을 특징으로 하는 광학용 대전방지 필름의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 압출 성형된 필름의 두께가 100 내지 500㎛인 것을 특징으로 하는 상기 광학용 대전방지 필름의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 컴파운딩 단계에 전도성 용액 5 내지 8중량% 및 절연성 투명고분자 92 내지 95중량%로 투입되는 것을 특징으로 하는 상기 광학용 대전방지 필름의 제조방법.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 함유용액은
    탄소나노튜브를 질산:황산의 혼합용매에 담지한 후, 교반하여 표면개질하고,
    결과되는 탄소나노튜브 용액을 pH7이 될 때까지 중화시킨 다음,
    디메틸아세트아마이드, 디메틸포름아마이드 및 N-피롤리돈으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유기용매에 넣은 후 4 내지 20KHz 초음파기기의 20 내지 60% 출력 하에 2 내지 10시간 동안 초음파처리 하여 균일 분산시킨 것을 특징으로 하는 상기 광학용 대전방지 필름의 제조방법.
  14. 삭제
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