KR100948066B1 - On die termination device and method for calibration of same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 입/출력 노드에서의 임피던스 매칭을 위해 사용되는 온 다이 터미네이션 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치는, 각각 서로 다른 입/출력 노드를 터미네이션 시키는 다수의 터미네이션 저항부; 상기 다수의 터미네이션 저항부 중 하나를 캘리브래이션 회로와 연결시켜주는 선택부; 및 상기 선택부에 의해 연결된 터미네이션 저항부와 외부저항의 저항값을 비교해가며 상기 연결된 터미네이션 저항부의 캘리브래이션 코드를 생성하는 상기 캘리브래이션 회로를 포함한다.The present invention relates to an on die termination device used for impedance matching at an input / output node of a semiconductor device. The on die termination device according to the present invention includes a plurality of termination resistors for terminating different input / output nodes. part; A selection unit connecting one of the plurality of termination resistors to a calibration circuit; And the calibration circuit comparing the resistance values of the termination resistor connected to the selector with the external resistor and generating a calibration code of the connected termination resistor.
온 다이 터미네이션, 캘리브래이션, 임피던스 매칭 On Die Termination, Calibration, Impedance Matching
Description
본 발명은 캘리브래이션 코드를 이용해 터미네이션 저항값을 결정하는 온 다이 터미네이션 장치에 있어서, 터미네이션 저항값의 정확도를 높이기 위한 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technique for increasing the accuracy of a termination resistance value in an on-die termination apparatus for determining a termination resistance value using a calibration code.
CPU, 메모리 및 게이트 어레이 등과 같이 직접회로 칩으로 구현되는 다양한 반도체장치들(semiconductor device)은 퍼스널 컴퓨터, 서버 또는 워크스테이션과 같은 다양한 전기적 제품 내로 합체되어 진다. 대부분의 경우에, 반도체장치는 외부에서 전송되는 각종 신호들을 입력 패드를 통해 수신하기 위한 수신회로와 내부의 신호를 출력 패드를 통해 외부로 제공하기 위한 출력회로를 가지고 있다.Various semiconductor devices implemented as integrated circuit chips such as CPUs, memories and gate arrays are incorporated into various electrical products such as personal computers, servers or workstations. In most cases, the semiconductor device has a receiving circuit for receiving various signals transmitted from the outside through the input pad and an output circuit for providing the internal signal to the outside through the output pad.
한편, 전기적 제품의 동작 스피드가 고속화 됨에 따라 상기 반도체 장치들간에 인터페이스되는 신호의 스윙 폭이 점차로 줄어들고 있다. 그 이유는 신호전달에 걸리는 지연시간을 최소화하기 위해서이다. 그러나 신호의 스윙 폭이 줄어들수록 외부 노이즈에 대한 영향은 증가되고, 인터페이스단에서 임피던스 미스매칭(impedance mismatching, 부정합 이라고도 함)에 따른 신호의 반사도 심각해진다. 상기 임피던스 미스매칭은 외부 노이즈나 전원전압의 변동, 동작온도의 변화, 제조공정의 변화 등에 기인하여 발생된다. 임피던스 미스매칭이 방생되면 데이터의 고속전송이 어렵게 되고 반도체장치의 데이터 출력단으로부터 출력되는 출력 데이터가 왜곡될 수 있다. 따라서, 수신 측의 반도체장치가 상기 왜곡된 출력신호를 입력단으로 수신할 경우 셋업/홀드 페일(setup.hold fail) 또는 입력레벨의 판단미스 등의 문제들이 빈번히 야기될 수 있다.Meanwhile, as the operating speed of an electrical product is increased, the swing width of a signal interfaced between the semiconductor devices is gradually reduced. The reason is to minimize the delay time for signal transmission. However, as the swing width of the signal decreases, the influence on external noise increases, and the reflection of the signal due to impedance mismatching (also referred to as mismatch) at the interface stage becomes more serious. The impedance mismatch occurs due to external noise, fluctuation in power supply voltage, change in operating temperature, change in manufacturing process, or the like. When impedance mismatching occurs, high-speed data transfer is difficult and output data output from the data output terminal of the semiconductor device may be distorted. Therefore, when the receiving semiconductor device receives the distorted output signal to the input terminal, problems such as setup / hold fail or input level determination error may frequently occur.
특히, 동작스피드의 고속화가 요구되는 메모리장치는 상술한 문제들의 해결을 위해 온 다이 터미네이션이라 불리우는 임피던스 매칭회로를 직접회로 칩내의 패드 근방에 채용하고 있다. 통상적으로 온 다이 터미네이션 스킴에 있어서, 전송측에서는 출력회로에 의한 소스 터미네이션이 행해지고, 수신측에서는 상기 입력패드에 연결된 수신회로에 대하여 병렬로 연결되어진 터미네이션 회로에 의해 병렬 터미네이션이 행해진다.In particular, a memory device that requires high speed of operation employs an impedance matching circuit called on die termination in the vicinity of a pad in an integrated circuit chip to solve the above problems. Typically, in an on die termination scheme, source termination by an output circuit is performed on the transmission side, and parallel termination is performed by a termination circuit connected in parallel with respect to the receiver circuit connected to the input pad on the receiver side.
ZQ캘리브래이션(ZQ calibration)이란 PVT(Proces, Voltage, Temperature: 프로세스, 전압 , 온도)조건이 변함에 따라 변화하는 캘리브래이션 코드를 생성하는 과정을 말하는데, ZQ캘리브래이션 결과로 생성된 캘리브래이션 코드를 이용하여 온 다이 터미네이션 장치의 터미네이션 저항값을 조정하게 된다(캘리브래이션 노드인 ZQ노드를 이용하여 캘리브래이션이 이루어지기 때문에 ZQ캘리브래이션이라 한다).ZQ calibration refers to the process of generating a calibration code that changes as the PVT (Proces, Voltage, Temperature) process changes. The calibration generated as a result of the ZQ calibration A termination code is used to adjust the termination resistance of the on-die termination device (it is called ZQ calibration because calibration is performed using the ZQ node, which is a calibration node).
도 1은 캘리브래이션 동작을 하는 종래의 온 다이 터미네이션 장치의 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of a conventional on die termination apparatus for performing a calibration operation.
종래의 온 다이 터미네이션 장치는, 캘리브래이션 회로(110)와, 다수의 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115)를 포함하여 구성된다.The conventional on die termination device includes a
캘리브래이션 회로(110)는, 외부저항(101)과 자신의 내부에 있는 캘리브래이션 저항부(터미네이션 저항부와 동일하게 구성됨)의 저항값을 비교해가며 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 생성한다. 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)는 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115)의 저항값을 결정하는 코드로서 그 값이 반도체장치의 내부 조건에 따라 바뀌면서 반도체장치의 내부 조건이 변하더라도 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115)가 일정한 저항값을 유지하도록 해준다. 캘리브래이션 회로(110)에 대한 보다 상세한 설명은 도 2와 함께 후술하기로 한다.The
다수의 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115)는 반도체 칩의 각각의 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 터미네이션한다. 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115) 각각은 내부에 다수의 병렬 저항들을 포함하고 있으며, 이들이 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)에 의해 온/오프 되며 알맞은 저항값으로 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 터미네이션한다.The plurality of
입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)는 웨이퍼(wafer)의 관점에서 보자면 입/출력 패드(pad)라고도 볼 수 있으며 반도체 칩(chip)의 관점에서 보자면 입/출력 핀(pin)이라고 볼 수도 있다.The input / output nodes DQ0, DQ1, ..., DQ7, DQS, and DQSB can also be viewed as input / output pads from the wafer's point of view and from the semiconductor chip's point of view. It can also be thought of as an output pin.
도면은 반도체 메모리장치에 적용된 온 다이 터미네이션 장치의 예를 도시하고 있으므로, 입/출력 노드로 데이터 입/출력 노드(DQ0, DQ1,...DQ7)와 데이터 스 트로브 신호(DQS, DQSB)의 입/출력 노드를 도시하였다.Since the drawing shows an example of an on die termination device applied to a semiconductor memory device, the data input / output nodes DQ0, DQ1, ... DQ7 and data strobe signals DQS, DQSB are used as input / output nodes. I / O nodes are shown.
도 2는 도 1의 캘리브래이션 회로(110)의 상세 구성도이다.2 is a detailed configuration diagram of the
도면에 도시된 바와 같이, 종래의 캘리브래이션 회로(110)는, 캘리브래이션 저항부(210), 비교부(220), 카운터부(230)를 포함하여 구성된다.As shown in the figure, the
캘리브래이션 저항부(210)는 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)에 응답하여 각기 온/오프되는 다수의 병렬 저항을 포함하여 구성된다. 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)의 변화에 따라 온/오프되는 저항들의 종류 및 갯수가 바뀌기 때문에 캘리브래이션 저항부(210)의 전체 저항값은 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)에 의해 결정되게 된다.The
비교부(220)는 일반적인 비교기로 구성될 수 있으며, 기준전압(VREF, 일반적으로 1/2VDD의 레벨을 가진다)의 레벨과 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압 레벨을 비교하여 업/다운 신호(UP/DN)를 출력한다.The
그리고 카운터부(230)는 비교부(220)의 출력 값에 따라 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 카운팅한다. 업 신호 입력시 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)값을 증가시키고 다운 신호 입력시 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)값을 감소시킨다.The
전체적인 동작을 보면, 비교부(220)는 외부저항(201)과 캘리브래이션 저항부(210)의 저항비에 따라 변하는 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압과 기준전압(VREF)을 비교하여 업/다운 신호(UP/DN)를 생성한다. 카운터부(230)는 업/다운 신호(UP/DN)에 따라 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 가감하는데 가감된 캘리브 래이션 코드(CAl_CODE<0:N>)는 캘리브래이션 저항부(210)에 입력되어 캘리브래이션 저항부(210)의 전체 저항값을 변경하게 되고, 이는 다시 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압값을 변화시킨다. 이러한 동작은 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압과 기준전압(VREF)의 전압이 같아질 때까지 반복된다.Referring to the overall operation, the
캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압과 기준전압(VREF)의 전압이 같다는 것은 캘리브래이션 저항부(210)의 전체 저항값이 외부저항(201)의 저항값과 동일하다는 것을 의미하게 된다. 따라서 캘리브래이션 동작이 완성되면, 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)는 캘리브래이션 저항부(210)가 외부저항(201)의 저항값과 동일한 값을 갖게 하는 코드값을 가지게 된다. 이렇게 생성된 캘리브래이션 코드(CAL_CODE)는 캘리브래이션 저항부(210)와 동일하게 구성되며 입/출력 노드(DQ0, DQ1,...,DQ7, DQS, DQSB)를 터미네이션시키는 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115)로 입력되어 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115)가 알맞은 터미네이션 저항값을 가질 수 있게 한다.The same voltage of the calibration node ZQ and the voltage of the reference voltage VREF means that the total resistance of the
도 3은 도 1의 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115) 중 하나(111)를 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating one 111 of the
도면에 도시된 바와 같이, 터미네이션 저항부(111)는 캘리브래이션 회로(110) 내의 캘리브래이션 저항부(210)와 동일하게 구성된다. 터미네이션 저항부(111) 내의 병렬 저항들은 각각 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)에 응답하여 온/오프되며 알맞은 터미네이션 저항값을 갖게 된다.As shown in the figure, the
외부저항이 240Ω인 경우 캘리브래이션 동작이 완성되면 캘리브래이션 저항 부(210)도 240Ω의 저항값을 가지게 된다. 그리고 터미네이션 저항부(111)도 캘리브래이션 저항부(210)와 동일하게 구성되므로 터미네이션 저항부(111)도 240Ω의 저항값을 가지게 될 것이다. 그러나 터미네이션 저항부(111)는 항상 240Ω의 저항값으로 입/출력 노드(DQ0)를 터미네이션 시키는 것은 아니다. 120Ω 또는 60Ω 등의 저항값으로도 입/출력 노드(DQ0)를 터미네이션 시킬 수도 있다. 이러한 경우에는 도면과 같은 터미네이션 저항부(111)가 2개 또는 4개가 병렬로 연결되어 120Ω 또는 60Ω 등의 저항값으로 입/출력 노드(111)를 터미네이션 시킬 수 있도록 한다.If the external resistance is 240Ω, when the calibration operation is completed, the
240Ω의 저항을 2개 병렬로 연결하면 120Ω의 저항값을 가지게 되고, 240Ω의 저항을 4개 병렬로 연결하면 60Ω의 저항값을 가지게 되기 때문이다. 물론 터미네이션 저항부(111) 하나만이 입/출력 노드(DQ0)를 터미네이션시켜 240Ω의 저항값으로 입/출력 노드(DQ0)를 터미네이션 시키는 것도 가능하다.This is because connecting two 240Ω resistors in parallel has a resistance of 120Ω, and connecting four 240Ω resistors in parallel has a resistance of 60Ω. Of course, only one
이상에서 살펴본 종래의 온 다이 터미네이션 장치는, 캘리브래이션 회로(110)에서 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 생성하고, 생성된 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 각 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)에 위치한 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)로 전달해 각 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)의 터미네이션 저항값을 결정한다.The conventional on-die termination apparatus described above generates a calibration code (CAL_CODE <0: N>) in the
터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)은 각 입/출력 노드들(DQ0, DQ1,...DQ7, DQS, DQSB)에 위치하게 되고, 입/출력 노드들(DQ0, DQ1,...,DQ7, DQS, DQSB)의 갯수가 다수개이므로, 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)은 서로 상당히 큰 물리적 거리를 두고 분포하게 된다. 따라서 직접회로 상에서 구현 할 경우, 공정 차이(process variation)에 의하여, 각 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)은 의도와는 다르게 서로 다른 회로 특성을 가지게 될 수 있다.The
각 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)이 서로 다른 회로 특성을 가지게 된다면, 각 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)이 정확한 저항값을 가지기 위해 필요한 캘리브래이션 코드값(CAL_CODE<0:N>)은 서로 다를 수밖에 없다. 그러나 종래의 온 다이 터미네이션 장치에서는 모든 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)이 동일한 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 입력받는다. 그러므로 각 터미네이션 저항부들(111, 112, 113, 114, 115)이 갖는 터미네이션 저항값은 본래의 목표와는 다르게 다른 값을 갖게 된다는 문제가 있다.If each of the
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 서로 물리적인 거리를 두고 존재하는 터미네이션 저항부들이, 모두 정확한 터미네이션 저항값을 가질 수 있게 하고자 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and the purpose of the termination resistors existing at a physical distance from each other, to have an accurate termination resistance value.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치는, 각각 서로 다른 입/출력 노드를 터미네이션 시키는 다수의 터미네이션 저항부; 상기 다수의 터미네이션 저항부 중 하나를 캘리브래이션 회로와 연결시켜주는 선택부; 및 상기 선택부에 의해 연결된 터미네이션 저항부와 외부저항의 저항값을 비교해가며 상기 연결된 터미네이션 저항부의 캘리브래이션 코드를 생성하는 상기 캘리브래이션 회로를 포함한다.On die termination device according to the present invention for achieving the above object, a plurality of termination resistors for terminating each different input / output node; A selection unit connecting one of the plurality of termination resistors to a calibration circuit; And the calibration circuit comparing the resistance values of the termination resistor connected to the selector with the external resistor and generating a calibration code of the connected termination resistor.
또한, 본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치는, 각각 서로 다른 입/출력 노드를 터미네이션 시키는 다수의 터미네이션 저항부; 캘리브래이션 코드의 생성을 위한 캘리브래이션 저항부; 상기 다수의 터미네이션 저항부와 상기 캘리브래이션 저항부 중 하나를 캘리브래이션 회로와 연결시키주는 선택부; 상기 선택부에 의해 연결된 저항부의 저항값과 외부저항의 저항값을 비교해가며 상기 연결된 저항부의 캘리브래이션 코드를 생성하는 상기 캘리브래이션 회로; 및 상기 캘리브래이션 저항부와 상기 캘리브래이션 회로의 초기 캘리브래이션 결과 생성된 캘리브래이션 코 드와 온 다이 터미네이션 장치의 동작 중 생성된 캘리브래이션 코드의 차이값을 상기 다수의 터미네이션 저항부로 전달해, 상기 다수의 터미네이션 저항부가 자신의 캘리브래이션 코드 값을 수정할 수 있도록 하는 업데이트 회로를 포함한다.In addition, the on-die termination device according to the present invention, each of the plurality of termination resistors for terminating different input / output nodes; A calibration resistor unit for generating a calibration code; A selection unit for connecting one of the plurality of termination resistors and the calibration resistor to a calibration circuit; The calibration circuit comparing the resistance of the resistor connected by the selector with the resistance of the external resistor and generating a calibration code of the connected resistor; And a difference value between a calibration code generated as a result of the initial calibration of the calibration resistor and the calibration circuit and a calibration code generated during the operation of the on-die termination device to the plurality of termination resistors. And, update circuitry to allow the plurality of termination resistors to modify their calibration code values.
또한, 본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 방법은, 다수의 입/출력 노드 중 하나를 외부저항이 연결되어 있는 캘리브래이션 노드에 연결하는 단계; 및 상기 연결된 입/출력 노드를 터미네이션 하는 터미네이션 저항부와 상기 외부저항의 저항값을 비교해 해당 터미네이션 저항부의 캘리브래이션 코드를 생성하는 단계를 포함하며, 상기 두 단계는 상기 다수의 입/출력 노드를 바꾸어가며 수행되어, 각각의 입/출력 노드 별로 캘리브래이션 코드를 생성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the calibration method of the on-die termination device according to the present invention comprises the steps of connecting one of the plurality of input / output nodes to the calibration node is connected to the external resistor; And generating a calibration code of the termination resistor unit by comparing a resistance value of the termination resistor unit with the termination resistor unit for terminating the connected input / output nodes, wherein the two steps include the plurality of input / output nodes. It is performed by changing, generating a calibration code for each input / output node.
바람직하게는, 상기 캘리브래이션 방법은 온 다이 터미네이션 장치의 동작 초기에 이루어지며, 초기 동작 이후에, 캘리브래이션 저항부를 상기 캘리브래이션 노드에 연결하여 캘리브래이션 코드의 생성을 하며, 상기 캘리브래이션 저항부를 통해 얻어지는 캘리브래이션 코드의 코드값 변화를 각각의 터미네이션 저항부로 업데이트해 주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.Preferably, the calibration method is performed at the beginning of an operation of an on die termination device, and after the initial operation, a calibration resistor is connected to the calibration node to generate a calibration code. The method may further include updating the code value change of the calibration code obtained through the braze resistor to each termination resistor.
바람직하게는, 상기 캘리브래이션 방법은 온 다이 터미네이션 장치의 동작 초기에 이루어지며, 초기 동작 이후에, 상기 터미네이션 저항부 중 하나를 상기 캘리브래이션 노드에 연결하여 캘리브래이션 코드의 생성을 하며, 상기 캘리브래이션 코드의 코드값 변화를 나머지 터미네이션 저항부로 업데이트해 주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.Preferably, the calibration method is performed at the beginning of the operation of the on-die termination device, and after the initial operation, one of the termination resistors is connected to the calibration node to generate a calibration code. The method may further include updating a code value change of the calibration code to the remaining termination resistor.
본 발명은 각 입/출력 노드에 구비된 터미네이션 저항부마다 별도의 캘리브래이션 코드를 생성한다.The present invention generates a separate calibration code for each termination resistor provided in each input / output node.
따라서 터미네이션 저항부들이 서로 회로 특성이 상이하다 하더라도, 모두 정확한 저항값을 가지고 입/출력 노드를 터미네이션시킬 수 있다는 장점이 있다.Therefore, even if the termination resistors have different circuit characteristics, they all have the advantage of being able to terminate the input / output nodes with the correct resistance.
또한, 초기 동작 이후에는 여러번 캘리브래이션 동작을 수행함이 없이 캘리브래이션 코드의 변경값만을 각 터미네이션 저항부들로 업데이트 해줌으로써, 여러개의 캘리브래이션 코드를 사용하면서도 빠른 캘리브래이션 동작을 보장할 수 있다는 장점이 있다.In addition, after the initial operation, only the change value of the calibration code is updated to the termination resistors without performing the calibration operation several times, thereby ensuring fast calibration operation while using multiple calibration codes. There is an advantage.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 구성도이다.4 is a block diagram of an on die termination apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치는, 각각 서로 다른 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 터미네이션 시키는 다수의 터미네이션 저항부(431~435); 다수의 터미네이션 저항부(431~435) 중 하나를 캘리브래이션 회로(410)와 연결시켜주는 선택부(420); 및 선택부(420)에 의해 연결된 터미네이션 저항부(431~435)와 외부저항(401)의 저항값을 비교해가며 연결된 터미네이션 저항 부(431~435)의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 생성하는 캘리브래이션 회로(410)를 포함한다.On die termination device according to the present invention, a plurality of termination resistors (431 ~ 435) for terminating different input / output nodes (DQ0, DQ1, ..., DQ7, DQS, DQSB), respectively; A
선택부(420)는 캘리브래이션 회로(410)와 다수의 터미네이션 저항부(431~435) 중 하나를 순차적으로 연결시킨다. SEL<0>가 인에이블되면 터미네이션 저항부(431)을 캘리브래이션 회로(410)에 연결시키며, SEL<1>이 인에이블되면 터미네이션 저항부(432)를, SEL<9>가 인에이블되면 터미네이션 저항부(435)를 캘리브래이션 회로(410)에 연결시킨다. 터미네이션 저항부(431~435)를 캘리브래이션 회로(410)에 연결시키는 것은, 각 터미네이션 저항부(431~435) 별로 별도의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 생성하기 위함이므로 SEL<0:9> 신호는 캘리브래이션 동작에 필요한 시간만큼의 시간차를 두고 차례로 인에이블 시키면 된다.The
선택부(420)는 캘리브래이션 회로(410) 내의 ZQ노드와 선택된 터미네이션 저항부(431~435)가 터미네이션하는 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 연결시키고, 캘리브래이션 회로(410) 내의 카운터부의 출력(CAL_CODE)과 선택된 터미네이션 저항부(431~435)의 캘리브래이션 코드 입력 노드들(CAL_CODE<0:N>_DQ0, CAL_CODE<0:N>_DQ1, ..., CAL_CODE<0:N>_DQ7, CAL_CODE<0:7>_DQS, CAL_CODE<0:7>_DQSB, 이하 이들을 함께 언급할 때는 CAL_CODE<0:N>_XX라 함)을 서로 연결한다. 그래야만 캘리브래이션 동작이 올바르게 이루어질 수 있기 때문이다.The
캘리브래이션 회로(410)는 종래와 동일하게 비교부 및 카운터부를 포함하지만 캘리브래이션 저항부(도 2의 210)는 포함하지 않는다. 본 발명에서는 캘리브래이션 회로(410) 내에서 캘리브래이션 저항부(도 2의 210)가 제거된 대신에 터미네 이션 저항부들(431~435)이 그 자리에 번갈아 연결되면서 각자의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성하기 때문이다.The
터미네이션 저항부들(431~435)은 기본적으로 종래와 동일하게 구성된다. 다만, 항상 캘리브래이션 회로(410)와 연결되지 아니하고 선택적으로 캘리브래이션 회로(410)와 연결되기 때문에, 캘리브래이션 회로(410)와 연결이 끊어졌을 때에도 자신의 캘리브래이션 코드값(CAL_CODE<0:N>_XX)을 유지하기 위한(플로팅 되지 않게 하기 위한) 래치수단을 포함할 수 있다. 래치수단은 간단하게 입/출력이 서로 연결된 인버터들로 구성될 수 있다. 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)는 모두 N+1개의 신호로 구성되므로, 각각의 터미네이션 저항부(431~435)마다 2(N+1)개의 인버터를 포함하는 래치수단이 구비되면 될 것이다.
참고로, 종래의 터미네이션 저항부들(도 1의 111, 112, 113, 114, 115)도, 그 설계에 따라 항상 캘리브래이션 코드들(CAL_CODE<0:N>)을 입력받지 아니하게 구성되는 경우가 있으며(예를 들어, 카운터부가 디스에이블되는 경우가 있을 수 있음), 외부의 제어신호에 의해 터미네이션 동작이 온/오프 되기도 한다. 이러한 터미네이션 저항부들은 이미 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 래치할 수 있는 래치수단이 구비되어 있을 것이므로, 새로운 래치수단을 필요로 하지는 않는다. 이러한 구성들은 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 잘 알고 있는 내용에 해당하므로 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.For reference, when the
본 발명의 전체적인 동작에 대해서 설명한다. 본 발명은 캘리브래이션 회로(410) 내에 캘리브래이션 저항부(도 2의 210)가 없는 대신에, 그 자리에 터미네 이션 저항부들(431~435)이 번갈아가면서 연결되어 각자의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성한다.The overall operation of the present invention will be described. According to the present invention, instead of the calibration resistor (210 in FIG. 2) in the
종래에는 캘리브래이션 회로(도 1의 110) 내에 캘리브래이션 저항부(도 2의 210)가 포함되어 있었으며, 캘리브래이션 저항부(210)의 저항값과 외부저항(101)의 저항값을 비교해가면서 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 생성했다. 그리고 동일한 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 모든 터미네이션 저항부들(111~115)에 공급해 터미네이션 저항부들(111~115)이 일정한 저항값을 갖도록 했다. 그러나 터미네이션 저항부(111~115)는 서로 상당한 거리를 두고 존재하기 때문에, 물리적인 특성에 서로 차이가 있을 수밖에 없었으며, 그 결과 터미네이션 저항부들(111~115)은 정확한 저항값을 갖기가 어려웠다.Conventionally, a calibration resistor (210 in FIG. 2) is included in the calibration circuit (110 in FIG. 1), and the resistance value of the
그러나 본 발명은 각각의 터미네이션 저항부들(431~435)을 캘리브래이션 회로(410)에 순차적으로 연결시켜가며 캘리브래이션 동작을 한다. 따라서 터미네이션 저항부(431~435)마다 각각의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 갖게 되고, 모든 터미네이션 저항부(431~435)가 정확한 저항값을 가질 수 있게 된다.However, in the present invention, each of the
도 5는 도 4의 캘리브래이션 회로(410)의 상세 실시예 구성도이다.FIG. 5 is a detailed block diagram of the
캘리브래이션 회로(410)는, 종래와 마찬가지로 외부저항이 연결된 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압과 기준전압(VREF, 일반적으로 1/2VDD)을 비교하는 비교부(510)와, 비교부(510)의 비교결과에 응답하여 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 카운팅하는 카운터부(520)를 포함한다. 그러나 종래와 같은 캘리브래이션 저항부(도 2의 210)는 포함하지 아니한다.The
캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 생성하는 캘리브래이션 동작시 종래의 캘리브래이션 저항부(210) 자리에는 터미네이션 저항부들(431~435)이 번갈아가며 연결된다. SEL<0> 신호가 인에이블되어 선택부(420)에서 터미네이션 저항부(431)를 선택하는 경우라면 캘리브래이션 노드(ZQ)와 DQ0 노드가 연결되며, CAL_CODE<0:N>_DQ0와 카운터의 출력 코드들(CAL_CODE<0:N>)이 연결된다. 즉, 종래의 캘리브래이션 저항부(210) 대신에 터미네이션 저항부(431)가 그대로 연결된다.In the calibration operation for generating the calibration code CAL_CODE <0: N>, the
따라서 캘리브래이션 회로(410)는 터미네이션 저항부(431)의 저항값과 외부저항(501)의 저항값을 비교하며 터미네이션 저항부(431)에 적합한 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>=CAL_CODE<0:N>_DQ0)를 생성하게 된다.Therefore, the
캘리브래이션 회로(410)가 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>)를 생성하는데 있어서, 종래의 캘리브래이션 저항부(210) 대신에 터미네이션 저항부(431~435)를 직접적으로 이용한다는 점을 제외하면, 캘리브래이션 회로(410)는 종래의 캘리브래이션 회로와 동일하게 동작하므로, 이에 대한 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 구성도이다.6 is a block diagram of an on-die termination device according to another embodiment of the present invention.
도 4의 실시예에서는 각각의 터미네이션 저항부(431~435)별로 별도의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성하는 실시예를 도시하였는데, 도 6의 실시예에서도 이와 동일하게 각각의 터미네이션 저항부(631~635)별로 별도의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성한다. 이에 더해서 도 6의 실시예는 일단 캘리브 래이션 코드들(CAL_CODE<0:N>_XX)이 생성된 후 반도체 칩 내의 조건들의 변경에 따른 코드 값의 변경을 업데이트 회로(640)에 의해 업데이트 해주는 방법을 더 개시한다.In the embodiment of FIG. 4, a separate calibration code CAL_CODE <0: N> _XX is generated for each of the
도 6의 실시예에 따른 본 발명의 온 다이 터미네이션 장치는, 각각 서로 다른 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 터미네이션 시키는 다수의 터미네이션 저항부(631~635); 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)의 생성을 위한 캘리브래이션 저항부(636); 다수의 터미네이션 저항부(631~635)와 캘리브래이션 저항부(636) 중 하나를 캘리브래이션 회로(610)와 연결시키주는 선택부(620); 선택부(620)에 의해 연결된 저항부(631~635, 636)의 저항값과 외부저항(601)의 저항값을 비교해가며 연결된 저항부(631~635, 636)의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성하는 캘리브래이션 회로(610); 및 캘리브래이션 저항부(636)와 캘리브래이션 회로(610)의 초기 캘리브래이션 결과 생성된 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)와 온 다이 터미네이션 장치의 동작 중 생성된 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)의 차이 값을 다수의 터미네이션 저항부(631~635)로 전달해, 다수의 터미네이션 저항부(631~635)가 자신의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX) 값을 수정할 수 있도록 하는 업데이트 회로(640)를 포함한다.In the on-die termination apparatus of the present invention according to the embodiment of Figure 6, a plurality of termination resistors (631 ~ 635) for terminating different input / output nodes (DQ0, DQ1, ..., DQ7, DQS, DQSB) ); A
캘리브래이션 저항부(636)는 종래의 캘리브래이션 저항부(도 2의 210)와 동일하게 구성되지만, SEL<10> 신호가 인에이블되는 경우에만 캘리브래이션 회로(610)와 연결되며, 그 이외의 경우에는 캘리브래이션 회로(610)와 연결되지 않는 다. 캘리브래이션 저항부(636)는 온 다이 터미네이션 장치의 동작 초기에 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)를 생성하고, 온 다이 터미네이션 장치의 동작 중에도 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)를 생성해, 그 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)의 차이값(변경값)을 업데이트 회로(640)가 각 터미네이션 저항부들(631~635)로 업데이트 해 줄 수 있게 하기 위해 구비되는 것으로 특정 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 터미네이션 하지는 않는다.The
업데이트 회로(640)는 온 다이 터미네이션 장치의 동작 초기에 캘리브래이션 저항부(636)와 캘리브래이션 회로(610)에 의해 생성되는 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)와, 온 다이 터미네이션 장치의 동작 중 캘리브래이션 저항부(636)와 캘리브래이션 회로(610)에 의해 생성되는 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)를 비교하여 그 차이값을 각각의 터미네이션 저항부(631~635)로 업데이트해 준다.The
선택부(620)는 온 다이 터미네이션 장치의 동작 초기에는 SEL<0:10> 신호를 순차적으로 인에이블시켜 모든 터미네이션 저항부(631~635) 및 캘리브래이션 저항부(636)가 자신만의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성할 수 있도록 한다. 그리고 초기 동작 이후에는 SEL<10> 신호만을 인에이블시켜, 캘리브래이션 저항부(636)만을 캘리브래이션 회로(610)와 연결시킨다. 초기동작 이후에는 캘리브래이션 저항부(636)만을 이용해 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)의 생성을 계속하고, 그 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)의 변경값을 각각의 터미네이션 저항부(631~635)로 업데이트해 주면 되기 때문이다.The
터미네이션 저항부들(631~635)은 기본적으로 종래와 동일하게 구성된다. 다만 초기 동작 이후 업데이트 회로(640)로부터 업데이트 정보(UPDATE)를 입력받아 자신의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)값을 변경해 주어야 하므로, 자신의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)값을 가감할 수 있는 덧셈/뺄셈 회로를 추가로 구비하면 된다. 덧셈/뺄셈 회로는 초기 동작시에는 동작하지 아니하다가 초기 동작 이후에는 업데이트 정보(UPDATE)에 따라 캘리브래이션 코드값을 증감할 수 있도록 하면 된다. 예를 들어, 초기 동작 이후에 업데이트 회로(640)로부터 코드값이 3이 증가 되었다는 정보가 입력되면 자신의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)값을 3만큼 증가시켜 주면 된다.Termination resistor parts 631 to 635 are basically configured in the same manner as in the prior art. However, since it is necessary to change the value of its calibration code CAL_CODE <0: N> _XX after receiving the update information UPDATE from the
이제 온 다이 터미네이션 장치의 전체 동작에 대해 설명한다.The overall operation of the on die termination device will now be described.
온 다이 터미네이션 장치의 초기 동작시에 SEL<0:10> 신호는 차례대로 인에이블된다. 따라서 각 터미네이션 저항부(631~635)와 캘리브래이션 저항부(636)는 차례대로 캘리브래이션 회로(610)에 연결되어 자신들의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성한다.In the initial operation of the on die termination device, the SEL <0:10> signals are enabled in turn. Accordingly, each of the termination resistors 631 to 635 and the
모든 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)가 생성된 초기 동작 이후에는 SEL<10> 신호만이 인에이블되어 캘리브래이션 저항부(636)만이 캘리브래이션 회로(610)와 연결된다. 즉, 초기 동작 이후에는 캘리브래이션 저항부(636)를 이용한 캘리브래이션 동작이 계속되며 캘리브래이션 저항부(636)의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)만이 칩 내의 조건에 따라 변경된다.After the initial operation in which all the calibration codes CAL_CODE <0: N> _XX are generated, only the SEL <10> signal is enabled, so that only the
업데이트 회로(640)는 초기 동작시 생성된 캘리브래이션 저항부(636)의 캘리 브래이션 코드(CAl_CODE<0:N>_DUMMY)와 그 이후의 캘리브래이션 코드(CAl_CODE<0:N>_DUMMY)를 비교하여 그 차이 값을 터미네이션 저항부들(631~635)로 업데이트 해준다. 예를 들어, 코드값이 3이 증가되었다, 코드값이 1이 감소되었다 등의 정보를 터미네이션 저항부들(631~635)로 업데이트해준다.The
본 발명에 따르면 터미네이션 저항부들(631~635)은 각자 자신만의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 가지고 동작을 시작한다. 그리고 초기 동작 이후의 코드의 변경은 모두 동시에 이루어진다. 어차피 각 터미네이션 저항부들(631~635) 마다 자신에 알맞은 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 가지고 동작을 시작하며, 그 이후 칩 내의 조건은 모두 동일하게 변경되기 때문에, 코드값의 업데이트는 모든 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)에 대해 똑같이 이루어지더라도 각각의 터미네이션 저항부(631~635)는 올바른 저항값을 유지할 수 있게 된다.According to the present invention, the termination resistors 631 to 635 start operation with their own calibration codes CAL_CODE <0: N> _XX. And code changes after the initial operation are all done at the same time. Since each termination resistors 631 to 635 start the operation with the appropriate calibration code (CAL_CODE <0: N> _XX), since the conditions in the chip are all changed the same, Even if the update is made the same for all calibration codes CAL_CODE <0: N> _XX, each termination resistor part 631 to 635 can maintain the correct resistance value.
업데이트 회로(640)가 없는 경우(도 4와 같은 경우) 초기 동작 이후에도 각 터미네이션 저항부(631~635) 별로 따로 캘리브래이션 동작을 해서 일일이 코드를 업데이트 해주어야 한다. 그러나 도 6과 같이, 업데이트 회로(640)가 있는 경우에는 초기 동작 이후에는 하나의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)만을 생성하고, 코드의 변경 값만을 각 캘리브래이션 코드(CAl_CODE<0:N>_XX)에 업데이트 시키므로 캘리브래이션에 걸리는 시간을 현저히 줄일 수 있다는 장점이 있다.If there is no update circuit 640 (as shown in FIG. 4), even after the initial operation, each of the termination resistors 631 to 635 must be calibrated separately to update the code. However, as shown in FIG. 6, when the
도 6의 실시예에서는 초기 동작 이후에는 캘리브래이션 저항부(636)만을 이용해서 캘리브래이션 동작을 하고, 그 변경 값을 각각의 터미네이션 저항부(631~635)로 업데이트 해 주는 경우의 실시예를 도시하였다. 그러나 이와는 다르 게 초기 동작 이후에 특정의 터미네이션 저항부(예, 635)를 이용해 캘리브래이션 동작을 하고 그 코드(CAL_CODE<0:N>_DQSB)의 변경값을 다른 터미네이션 저항부들(631~634)로 업데이트 해주는 방식으로 회로를 설계할 수도 있다.In the embodiment of FIG. 6, after the initial operation, a calibration operation is performed using only the
예를 들어, 초기 동작 이후에는 터미네이션 저항부(635)만을 캘리브래이션 회로(610)에 연결시켜 캘리브래이션 동작을 계속하고, 변경된 코드(CAL_CODE<0:N>_DQSB)값에 대한 정보를 나머지 캘리브래이션 저항부(631~634)로 업데이트 해 주도록 설계할 수 있다. 이 경우 터미네이션 저항부(635)가 캘리브래이션 저항부(636)의 역할을 대신 수행하기 때문에 캘리브래이션 저항부(636)는 필요하지 않다.For example, after the initial operation, only the termination resistor unit 635 is connected to the
도 6과 같이 동작하는 온 다이 터미네이션 장치를 설계하는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 용이하게 할 수 있는 일에 해당하므로, 이에 대한 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.Designing an on-die termination device operating as shown in FIG. 6 corresponds to a thing that can be easily performed by those skilled in the art, and thus a detailed description thereof will be omitted. .
도 4에서 도 6을 다시 참조하여 본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 방법에 대해 알아본다.Referring to Figure 4 again to Figure 6 will be described with respect to the calibration method of the on-die termination apparatus according to the present invention.
본 발명에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 캘리브래이션 방법은, 다수의 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB) 중 하나를 외부저항(401)이 연결되어 있는 캘리브래이션 노드(ZQ)에 연결하는 단계; 및 상기 연결된 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 터미네이션 하는 터미네이션 저항부(431~435)와 상기 외부저항(401)의 저항값을 비교해 해당 터미네이션 저항부(431~435)의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성하는 단계를 포함하며, 상기 두 단계는 상기 다 수의 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB)를 바꾸어가며 수행되어, 각각의 입/출력 노드(DQ0, DQ1,..., DQ7, DQS, DQSB) 별로 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 생성하는 것을 특징으로 한다.In the calibration method of the on-die termination device according to the present invention, one of a plurality of input / output nodes (DQ0, DQ1, ..., DQ7, DQS, DQSB) is connected to an
상기 생성하는 단계, 즉 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)의 생성은, 상기 캘리브래이션 노드(ZQ)의 전압과 기준전압(VREF)을 비교해 상기 해당 터미네이션 저항부(431~435)의 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_XX)를 가감하는 방법으로 이루어진다(이상 도 4, 5에 관한 설명 참조).The generating step, that is, the generation of the calibration code CAL_CODE <0: N> _XX, compares the voltage of the calibration node ZQ and the reference voltage VREF to the
그리고 도 6에서와 같이 업데이트 회로(640)를 사용하는 경우에는, 상기와 동일한 방법으로 초기의 캘리브래이션 동작이 이루어진 이후에, 캘리브래이션 저항부(636)를 상기 캘리브래이션 노드(ZQ)에 연결하여 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)의 생성을 하며, 상기 캘리브래이션 저항부(636)를 통해 얻어지는 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DUMMY)의 코드값 변화를 각각의 터미네이션 저항부(631~635)로 업데이트해 주는 단계를 더 포함할 수 있다.In the case in which the
또한, 도 6의 설명의 마지막 부분에서 설명한 바와 같이, 캘리브래이션 저항부(636) 대신에 특정 터미네이션 저항부(예, 635)를 이용해 초기 동작 이후의 캘리브래이션을 하는 경우에는, 초기 동작 이후에, 상기 터미네이션 저항부 중 하나(635)를 상기 캘리브래이션 노드(ZQ)에 연결하여 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DQSB)의 생성을 하며, 상기 캘리브래이션 코드(CAL_CODE<0:N>_DQSB)의 코드값 변화를 나머지 터미네이션 저항부(631~634)로 업데이트해 주는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, as described in the last part of the description of FIG. 6, in the case of performing calibration after the initial operation using a specific termination resistor (eg, 635) instead of the
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
도 1은 캘리브래이션 동작을 하는 종래의 온 다이 터미네이션 장치의 전체 구성도.1 is an overall configuration diagram of a conventional on die termination device for performing a calibration operation.
도 2는 도 1의 캘리브래이션 회로(110)의 상세 구성도.FIG. 2 is a detailed configuration diagram of the
도 3은 도 1의 터미네이션 저항부(111, 112, 113, 114, 115) 중 하나(111)를 도시한 도면.FIG. 3 shows one 111 of the
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 구성도.4 is a block diagram of an on die termination apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 5는 도 4의 캘리브래이션 회로(410)의 상세 실시예 구성도.FIG. 5 is a detailed configuration diagram of the
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 온 다이 터미네이션 장치의 구성도.6 is a block diagram of an on-die termination device according to another embodiment of the present invention.
Claims (9)
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