KR100942508B1 - An exhauster used in manufacturing semiconductor device - Google Patents

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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

성능을 향상시키고 수명을 연장시킬 수 있는 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치를 개시한다. 배기장치는 집진기 및 펌프부로 이루어진다. 펌프부는 공정이 수행되는 공정 챔버의 내부를 진공상태로 유지시키고, 공정 챔버 내부에서 발생된 반응 부산물을 배출시킨다. 집진기는 공정 챔버와 펌프부와의 사이에 구비되고 반응 부산물을 포획하여 반응 부산물이 펌프부로 유입되는 것을 방지한다. 이로써, 반응 부산물의 흡착 및 침전에 의한 펌프부의 기능 저하 및 수명 단축을 방지할 수 있다.An exhaust device for use in the manufacture of a semiconductor device capable of improving performance and extending its life is disclosed. The exhaust device consists of a dust collector and a pump portion. The pump unit maintains the interior of the process chamber in which the process is performed under vacuum and discharges reaction by-products generated in the process chamber. The precipitator is provided between the process chamber and the pump unit and traps the reaction by-products to prevent the reaction by-products from entering the pump unit. As a result, it is possible to prevent a decrease in the function of the pump part and a shortening of the life due to the adsorption and precipitation of the reaction by-products.

Description

반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치{AN EXHAUSTER USED IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}Exhaust system used for manufacturing semiconductor device {AN EXHAUSTER USED IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 반도체 장치의 제조에 사용되는 일반적인 배기장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram illustrating a general exhaust device used in the manufacture of a semiconductor device.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram illustrating an exhaust device according to an embodiment of the present invention.

도 3a는 도 2에 도시된 집진부의 확대 사시도이고, 도 3b는 도 3a에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ에 따른 집진부의 단면도이다.3A is an enlarged perspective view of the dust collector illustrated in FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the dust collector according to the cutting line I-I illustrated in FIG. 3A.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기장치의 집진부를 설명하기 위한 단면 사시도이다.4 is a cross-sectional perspective view illustrating a dust collecting part of the exhaust device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 공정 챔버 200 : 배기장치100: process chamber 200: exhaust device

210 : 펌프부 230 : 제1 펌프210: pump unit 230: first pump

250 : 제2 펌프 270, 670 : 집진부250: second pump 270, 670: dust collector

271, 671 : 사이클론 몸체 272, 672 : 흡입구271, 671: cyclone body 272, 672: inlet

273, 673 : 제1 배출구 274, 674 : 제2 배출구273, 673: first outlet 274, 674: second outlet

275, 675 : 집진통 300 : 스크러버275, 675: dust collector 300: scrubber

본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성능 및 수명을 증가시킬 수 있는 배기장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust device for use in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to an exhaust device capable of increasing performance and lifespan.

반도체 장치는 일반적으로 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등을 위한 일련의 단위 공정들을 순차적으로 수행함으로서 제조된다. 상기 단위 공정들의 수행에서는 상기 단위 공정들의 공정 조건에 적합한 제조장치가 사용된다. BACKGROUND Semiconductor devices are generally manufactured by sequentially performing a series of unit processes for film formation, pattern formation, metal wiring formation, and the like. In performing the unit processes, a manufacturing apparatus suitable for the process conditions of the unit processes is used.

일반적으로, 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 기판의 가공 공정들은 다양한 공정 가스들을 사용하고, 반도체 기판이 공기와 반응하지 않도록 하기 위해 대기압에 비해 매우 낮은 진공 상태에서 수행된다. In general, the processing of semiconductor substrates for manufacturing semiconductor devices uses a variety of process gases and is carried out in a very low vacuum compared to atmospheric pressure to ensure that the semiconductor substrate does not react with air.

따라서, 상기 가공 공정들이 진행되는 공정 챔버의 내부를 진공 상태로 만들기 위해 상기 공정 챔버와 연결되는 다양한 방식의 펌프가 사용되고 있다.Therefore, various types of pumps connected with the process chamber are used to vacuum the inside of the process chamber through which the processing processes are performed.

도 1은 반도체 장치의 제조에 사용되는 일반적인 배기장치(20)를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a general exhaust device 20 used in the manufacture of a semiconductor device.

도 1을 참조하면, 반도체 장치의 제조에 사용되는 일반적인 상기 배기장치(20)는 반도체 장치가 제조되는 공정 챔버(10) 및 상기 공정 챔버(10)로부터 발생하는 반응 부산물을 침전시키기 위한 스크러버(40)와의 사이에 구비된다.Referring to FIG. 1, a general exhaust device 20 used in the manufacture of a semiconductor device includes a process chamber 10 in which a semiconductor device is manufactured and a scrubber 40 for depositing reaction by-products generated from the process chamber 10. ) Is provided between.

상기 배기장치(20)는 상기 공정 챔버(10)와 연결된 제1 펌프(21) 및 상기 제1 펌프(21)와 연결된 제2 펌프(23)로 이루어지며, 상기 제1 펌프(21) 및 상기 제2 펌프(23)는 제1 배관(25)에 의해 연결되어 있다.The exhaust device 20 includes a first pump 21 connected to the process chamber 10 and a second pump 23 connected to the first pump 21, and the first pump 21 and the The second pump 23 is connected by the first pipe 25.

또한 상기 공정 챔버(10)와 상기 제1 펌프(21)는 제2 배관(31)에 의해 연결되고, 상기 제2 펌프(23)와 상기 스크루버(40)는 제3 배관(32)에 의해 연결된다.In addition, the process chamber 10 and the first pump 21 are connected by a second pipe 31, and the second pump 23 and the screwer 40 are connected by a third pipe 32. Connected.

상기 제1 및 제2 펌프(21, 23)는 상기 공정 챔버(10)를 진공상태로 유지하고, 상기 공정 챔버(10) 내에서 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물을 배기시키는 역할을 한다. The first and second pumps 21 and 23 maintain the process chamber 10 in a vacuum state and serve to exhaust unreacted gases and reaction by-products generated in the process chamber 10.

상기 제1 및 제2 펌프(21, 23)에 의해 상기 공정 챔버(10)로부터 배출되는 상기 미반응 가스 및 반응 부산물은 상기 스크루버(40)를 거쳐 최종적으로 배기된다.The unreacted gas and the reaction by-products discharged from the process chamber 10 by the first and second pumps 21 and 23 are finally exhausted through the scrubber 40.

그러나, 상기 공정 챔버(10) 내부에서 소정의 공정이 진행되고, 상기 공정에의해 발생된 미반응 가스 및 반응 부산물이 상기 배기장치(20)를 통하여 배기될 때, 상기 반응 부산물은 상기 배관(25, 31, 32) 및 상기 펌프(21, 23) 등에 흡착 및 침전된다. 따라서, 상기 펌프(21, 23)의 성능을 저하시키고 수명을 단축시킨다. 또한, 상기 배기(25, 31, 32)의 잦은 교체를 필요로 한다.However, when a predetermined process is performed in the process chamber 10, and the unreacted gas and reaction by-products generated by the process are exhausted through the exhaust device 20, the reaction by-products are separated from the pipe 25. And 31 and 32 and the pumps 21 and 23 are adsorbed and precipitated. Therefore, the performance of the pumps 21 and 23 is lowered and the service life is shortened. It also requires frequent replacement of the exhausts 25, 31, 32.

따라서, 본 발명의 목적은 성능 및 수명을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an exhaust device for use in the manufacture of semiconductor devices capable of improving performance and lifespan.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 특징에 따른 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치는, 공정 챔버와 연결되고, 상기 공정 챔버를 진공 상태로 유지하며 상기 공정 챔버에서 발생하는 가스 및 반응 부산물을 배출하기 위한 펌프부; 및 상기 공정 챔버와 상기 펌프부와의 사이에 구비되고, 상기 반응 부산물을 포획하여 상기 반응 부산물이 상기 펌프부로 유입되는 것을 방지하는 집진기를 포함하여 이루어진다.An exhaust device for use in the manufacture of a semiconductor device according to one aspect of the present invention for achieving the above object is connected to the process chamber, the gas generated in the process chamber while maintaining the process chamber in a vacuum and A pump unit for discharging reaction byproducts; And a dust collector provided between the process chamber and the pump unit to capture the reaction by-products and prevent the reaction by-products from entering the pump unit.

상기 집진기는 사이클론 몸체 및 집진통으로 이루어지고, 상기 가스 및 반응 부산물은 상기 사이클론 몸체에 의해 서로 분리되어 상기 반응 부산물을 상기 집진통에 저장된다. 또한, 상기 사이클론 몸체의 내주면에는 상기 반응 부산물이 상기 집진통으로 이동하기 용이하도록 가이드 홈이 형성된다.The dust collector consists of a cyclone body and a dust collector, and the gas and reaction by-products are separated from each other by the cyclone body to store the reaction by-products in the dust collector. In addition, a guide groove is formed on the inner circumferential surface of the cyclone body so that the reaction by-products are easily moved to the dust collecting container.

이로써, 상기 공정 챔버에서 발생된 반응 부산물은 상기 집진기에 의해 포획되어 상기 펌프부로 유입되는 것이 차단된다. 따라서, 상기 펌프부의 성능을 향상시키고 수명을 연장시킬 수 있다.As a result, the reaction by-products generated in the process chamber are blocked by the dust collector and prevented from entering the pump unit. Therefore, it is possible to improve the performance of the pump portion and extend the life.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도로서, 특히 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치를 설명하기 위한 것이다.FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating an exhaust device according to an embodiment of the present invention, and specifically, an exhaust device used for manufacturing a semiconductor device.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 배기장치(200)는 공정 챔버(100)와 스크러버(400)와의 사이에 구비된다.2, the exhaust device 200 according to an embodiment of the present invention is provided between the process chamber 100 and the scrubber 400.

상기 배기장치(200)는 펌프부(210) 및 집진부(270)로 이루어지며, 상기 배기장치(200)의 일 측은 상기 공정 챔버(100)와 흡입관(310)을 통해 연결되고, 타 측은 상기 스크러버(400)와 배출관(320)을 통해 연결된다. The exhaust device 200 is composed of a pump unit 210 and a dust collecting unit 270, one side of the exhaust device 200 is connected through the process chamber 100 and the suction pipe 310, the other side is the scrubber 400 is connected to the discharge pipe 320.                     

상기 펌프부(210)는 제1 펌프(230), 제2 펌프(250), 상기 제1 펌프(230)와 상기 제2 펌프(250)를 연결시키는 제1 연결관(280) 및 상기 집진부(270)와 상기 펌프부(210)를 연결시키는 제2 연결관(290)으로 이루어진다.The pump unit 210 may include a first pump 230, a second pump 250, a first connecting pipe 280 connecting the first pump 230 and the second pump 250, and the dust collecting unit ( 270 and the second connecting pipe 290 connecting the pump unit 210 is made.

한편, 상기 집진부(270)는 상기 공정 챔버(100)와 상기 펌프부(210)와의 사이에 구비되며, 상기 흡입관(310)에 의해 상기 공정 챔버(100)와 연결되고, 상기 제2 연결관(290)에 의해 상기 펌프부(210)와 연결된다.On the other hand, the dust collecting unit 270 is provided between the process chamber 100 and the pump unit 210, is connected to the process chamber 100 by the suction pipe 310, the second connecting pipe ( 290 is connected to the pump unit 210.

이하에서, 상기 공정 챔버(100)로부터 발생된 반응 부산물이 배출되는 과정을 간략하게 살펴본다.Hereinafter, the process of discharging the reaction by-products generated from the process chamber 100 will be briefly described.

먼저, 상기 공정 챔버(100) 내부에서 반도체 장치의 제조를 위한 일 공정을 위하여 상기 공정 챔버(100) 내부로 소정의 가스가 공급된다. 상기 공정 챔버(100)는 상기 가스를 이용하여 상기 반도체 장치를 제조하며, 상기 공정에서 상기 반응 부산물이 발생하고 미반응 가스가 상기 공정 챔버(100) 내부에 존재하게 된다.First, a predetermined gas is supplied into the process chamber 100 for one process for manufacturing a semiconductor device in the process chamber 100. The process chamber 100 manufactures the semiconductor device using the gas. In the process, the reaction by-products are generated and an unreacted gas is present in the process chamber 100.

상기 공정이 진행되는 도중 상기 공정 챔버(100) 내부는 진공상태를 유지하여야 하므로, 상기 펌프부(210)를 통하여 상기 공정 챔버(100) 내부를 진공상태로 유지한다. 이때, 상기 미반응 가스 및 상기 반응 부산물은 상기 펌프부(210)의 흡기에 의하여 상기 공정 챔버(100)로부터 상기 펌프부(210)로 이동한다. Since the process chamber 100 must maintain a vacuum state while the process is in progress, the process chamber 100 is maintained in a vacuum state through the pump unit 210. At this time, the unreacted gas and the reaction by-products are moved from the process chamber 100 to the pump unit 210 by the intake air of the pump unit 210.

상기 반응 부산물의 대부분은 상기 펌브부(210)로 이동하는 중 상기 집진부(270)에 의해 포획되고, 미반응 가스 및 상기 집진부(270)에 의해 포획되지 않은 소량의 반응 부산물은 상기 펌프부(210)를 거쳐 상기 스크루버(400)에 보내진다. Most of the reaction by-products are captured by the dust collecting part 270 while moving to the pump part 210, and a small amount of reaction by-products which are not captured by the unreacted gas and the dust collecting part 270 are the pump part 210. Is sent to the scrubber (400).                     

상기 스크루버(400)는 상기 펌프부(210)에서 보내진 상기 미반응 가스 및 소량의 반응 부산물을 다시 한번 걸러 완전히 배기한다.The scrubber 400 completely exhausts the unreacted gas and the small amount of reaction by-products sent from the pump unit 210 once again.

도 3a는 도 2에 도시된 집진부의 확대 사시도이고, 도 3b는 도 3a에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ에 따른 집진부의 단면도이다.3A is an enlarged perspective view of the dust collector illustrated in FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the dust collector according to the cutting line I-I illustrated in FIG. 3A.

먼저 도 3a를 참조하면, 상기 집진부(270)는 크게 사이클론 몸체(271)와 집진통(275)로 이루어진다.First, referring to FIG. 3A, the dust collecting part 270 is composed of a cyclone body 271 and a dust collecting container 275.

상기 사이클론 몸체(271)는 원추형 원통이고, 상기 사이클론 몸체(271)에는 상기 원추형 원통의 내주면의 접선 방향을 따라 연장된 흡입구(272), 상기 사이클론 몸체(271)의 하부에 구비된 제1 배출구(273) 및 상기 사이클론 몸체(271)의 상부에 구비된 제2 배출구(274)를 포함한다.The cyclone body 271 is a conical cylinder, the cyclone body 271 has a suction port 272 extending along the tangential direction of the inner circumferential surface of the conical cylinder, the first outlet provided in the lower portion of the cyclone body 271 ( 273) and a second outlet 274 provided at an upper portion of the cyclone body 271.

상기 제1 배출구(273) 및 상기 제2 배출구(274)는 상기 사이클론 몸체(271)의 상부와 하부를 관통하는 중심선 상에 구비된다. The first outlet 273 and the second outlet 274 are provided on a center line penetrating the upper and lower portions of the cyclone body 271.

한편, 상기 집진통(275)은 내부에 반응 부산물이 저장되기 위한 소정의 공간을 가지며, 상기 집진통(275)의 상부에 구비된 연결관(276)을 통하여 상기 사이클론 몸체(271)와 결합한다.Meanwhile, the dust collecting container 275 has a predetermined space for storing reaction by-products therein, and is coupled to the cyclone body 271 through a connecting pipe 276 provided at an upper portion of the dust collecting container 275. .

도 3b를 참조하여 상기 반응 부산물(600)이 상기 집진기(270)에 의해 분리되는 과정을 살펴본다.Referring to Figure 3b looks at the process by which the reaction by-product 600 is separated by the dust collector 270.

먼저, 상기 반응 부산물(600)이 함유된 상기 미반응 가스가 상기 공정 챔버로부터 상기 흡입구(272)를 통해 상기 사이클론 몸체(271)로 유입된다.First, the unreacted gas containing the reaction byproduct 600 is introduced into the cyclone body 271 from the process chamber through the inlet 272.

상기 사이클론 몸체(271)로 유입된 상기 미반응 가스는 상기 사이클론 몸체(271) 내부를 나선형으로 회전하며 하강한다. 이때, 상기 미반응 가스에 함유된 상기 반응 부산물(600)은 원심력에 의해 상기 사이클론 몸체(271)의 내주면으로 모이게 된다.The unreacted gas introduced into the cyclone body 271 descends while rotating spirally inside the cyclone body 271. At this time, the reaction by-product 600 contained in the unreacted gas is collected by the centrifugal force to the inner circumferential surface of the cyclone body 271.

이후, 상기 반응 부산물(600)은 중력 때문에 상기 사이클론 몸체(271)의 내주면을 따라 아래로 흘러내리게 되고 상기 제1 배출구(273)를 통하여 상기 집진통(275)에 저장된다.Thereafter, the reaction by-product 600 flows down along the inner circumferential surface of the cyclone body 271 due to gravity and is stored in the dust collecting container 275 through the first outlet 273.

한편, 상기 반응 부산물(600)이 분리된 상기 미반응 가스는 상기 사이클론 몸체(271)를 나선형으로 회전하다가 상기 사이클론 몸체(271)의 하부와 상부와의 압력차에 의해 상기 사이클론 몸체(271)의 상부로 상승한다. 그리고 상기 제2 배출구(274)를 통하여 배기된다.Meanwhile, the unreacted gas from which the reaction by-product 600 is separated rotates the cyclone body 271 in a helical manner, and then the unreacted gas of the cyclone body 271 is formed by the pressure difference between the lower part and the upper part of the cyclone body 271. To the top. And it is exhausted through the second outlet 274.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기장치의 집진부를 설명하기 위한 단면 사시도이다.4 is a cross-sectional perspective view illustrating a dust collecting part of the exhaust device according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 배기장치의 집진부(670)는 크게 사이클론 몸체(671) 및 집진통(675)을 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 4, the dust collecting part 670 of the exhaust apparatus according to another embodiment of the present invention includes a cyclone body 671 and a dust collecting tube 675.

상기 사이클론 몸체(671)는 원추형 원통이고, 상기 사이클론 몸체(671)에는 상기 원추형 원통의 내주면의 접선 방향을 따라 연장된 흡입구(672), 상기 사이클론 몸체(671)의 하부에 구비된 제1 배출구(673) 및 상기 사이클론 몸체(671)의 상부에 구비된 제2 배출구(674)를 포함한다.The cyclone body 671 is a conical cylinder, the cyclone body 671 has a suction port 672 extending along the tangential direction of the inner circumferential surface of the conical cylinder, a first outlet provided in the lower portion of the cyclone body 671 ( 673) and a second outlet 674 provided at an upper portion of the cyclone body 671.

상기 제1 배출구(673) 및 상기 제2 배출구(674)는 상기 사이클론 몸체(671)의 상부와 하부를 관통하는 중심선 상에 구비된다. The first outlet 673 and the second outlet 674 are provided on a center line penetrating the upper and lower portions of the cyclone body 671.                     

상기 사이클론 몸체(671)의 내주면에는 상기 사이클론 몸체(671)의 상부로부터 상기 사이클론 몸체(671)의 하부를 향하여 연장된 복수개의 가이드 홈(671a)이 형성되어 있다.The inner circumferential surface of the cyclone body 671 is formed with a plurality of guide grooves 671a extending from the upper portion of the cyclone body 671 toward the lower portion of the cyclone body 671.

상기 가이드 홈(671a)은 상기 사이클론 몸체(671)의 외측으로 돌출되어 있어 있으며, 상기 내주면에서 상기 반응 부산물이 이동하는 통로 역할을 한다.The guide groove 671a protrudes outward from the cyclone body 671 and serves as a passage through which the reaction by-products move on the inner circumferential surface.

한편, 상기 집진통(675)은 내부에 반응 부산물이 저장되기 위한 소정의 공간을 가지며, 상기 집진통(675)의 상부에 구비된 연결관(676)을 통하여 상기 사이클론 몸체(671)와 결합한다.Meanwhile, the dust collector 675 has a predetermined space for storing reaction by-products therein, and is coupled to the cyclone body 671 through a connection pipe 676 provided at an upper portion of the dust collector 675. .

이로써, 상기 집진부(670)의 흡입구(672)로 반응 부산물이 함유된 미반응 가스가 유입되면, 상기 미반응 가스는 상기 사이클론 몸체(671)를 따라 나선형으로 선회하며 하강한다.Thus, when the unreacted gas containing the reaction by-product flows into the suction port 672 of the dust collector 670, the unreacted gas is spirally rotated along the cyclone body 671 and descends.

이때, 상기 반응 부산물은 원심력에 의해 상기 사이클론 몸체(671)의 내주면으로 밀려나게 되고, 상기 사이클론 몸체(671)의 내주면에 형성된 복수개의 가이드 홈(671a)에 부딪친다.At this time, the reaction by-products are pushed to the inner circumferential surface of the cyclone body 671 by centrifugal force, and hit the plurality of guide grooves 671a formed on the inner circumferential surface of the cyclone body 671.

상기 가이드 홈(671a)은 상기 사이클론 몸체(671)의 상부로부터 하부로 연장되어 형성되기 때문에 상기 가이드 홈(671a)에 부딪친 상기 반응 부산물은 상기 가이드 홈(671a)을 따라 상기 제1 배출구(673)를 경유하여 상기 집진통(675)으로 흘러내린다. 따라서, 상기 반응 부산물이 상기 사이클론 몸체(671)로부터 빠른 시간 내에 분리되어 상기 집진통(675)에 저장될 수 있다.Since the guide groove 671a extends from the top to the bottom of the cyclone body 671, the reaction by-product hitting the guide groove 671a is formed along the guide groove 671a. It flows down into the said dust collecting container 675 via. Accordingly, the reaction by-products may be separated from the cyclone body 671 in a short time and stored in the dust collecting container 675.

이와 같은 배기장치에 따르면, 반도체 장치의 제조 공정이 수행되는 공정 챔버 내부를 진공상태로 유지하고, 상기 공정 챔버로부터 발생하는 반응 부산물을 제거하도록 집진기 및 펌프부로 이루어진 배기장치를 구비한다. According to such an exhaust device, an exhaust device including a dust collector and a pump unit is provided to maintain a vacuum inside a process chamber in which a semiconductor device manufacturing process is performed and to remove reaction by-products generated from the process chamber.

상기 반응 부산물은 상기 펌프부에 의해 상기 공정 챔버로부터 배출되고, 상기 집진기에 의해 포획된다.The reaction by-product is discharged from the process chamber by the pump portion and captured by the dust collector.

이로써, 상기 배기장치의 펌프부로 상기 반응 부산물이 유입되는 것을 차단하여 상기 반응 부산물의 흡착 및 침전에 따른 상기 펌프부의 기능 저하 및 수명 단축을 방지할 수 있다.As a result, the reaction by-products may be blocked from being introduced into the pump unit of the exhaust device, thereby preventing a decrease in function and a shortening of the life of the pump unit due to the adsorption and precipitation of the reaction by-products.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

Claims (3)

반도체 장치가 제조되는 공정 챔버와 연결되고, 상기 공정 챔버를 진공상태로 유지하며 상기 공정 챔버에서 발생하는 가스 및 반응 부산물을 배출하기 위한 펌프부; 및A pump unit connected to a process chamber in which a semiconductor device is manufactured and maintaining a vacuum in the process chamber and discharging gas and reaction by-products generated in the process chamber; And 상기 공정 챔버와 상기 펌프부와의 사이에 구비되고, 상기 반응 부산물을 포획하여 상기 반응 부산물이 상기 펌프부로 유입되는 것을 방지하는 집진부; 및 A dust collecting unit provided between the process chamber and the pump unit and configured to capture the reaction by-products and prevent the reaction by-products from entering the pump unit; And 상기 펌프부와 연결되어 미반응 가스 및 상기 집진부에 의해 포획되지 않은 반응 부산물을 배기하는 스크루버를 포함하는 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치.And a screwer connected to the pump portion to exhaust unreacted gas and reaction by-products not captured by the dust collecting portion. 제1항에 있어서, 상기 집진부는,The method of claim 1, wherein the dust collecting unit, 원추 형상을 갖는 사이클론 몸체;A cyclone body having a conical shape; 상기 사이클론 몸체의 내주면의 접선방향으로 구비되고, 상기 가스 및 반응 부산물이 유입되는 흡입부;An inlet part provided in a tangential direction of an inner circumferential surface of the cyclone body and into which the gas and the reaction byproduct are introduced; 상기 사이클론 몸체의 하부에 구비되고, 상기 사이클론 몸체에 의해 걸러진 상기 반응 부산물이 배출되는 제1 배출구;A first outlet provided at a lower portion of the cyclone body and configured to discharge the reaction by-product filtered by the cyclone body; 상기 반응 부산물이 분리된 상기 가스가 배출되는 제2 배출구; 및A second outlet through which the gas from which the reaction byproduct is separated is discharged; And 상기 사이클론 몸체의 하측에 구비되고, 상기 제1 배출구로부터 배출되는 상기 반응 부산물을 저장하는 집진통을 포함하는 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치.An exhaust device provided in the lower side of the cyclone body, and used in the manufacture of a semiconductor device including a dust collector for storing the reaction by-products discharged from the first outlet. 제2항에 있어서, 상기 내주면에는 상기 사이클론 몸체의 상부로부터 하부로 연장된 가이드 홈이 형성되고, 상기 반응 부산물이 상기 가이드 홈을 따라 상기 집진통으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조에 사용되는 배기장치.The semiconductor device of claim 2, wherein a guide groove extending from an upper portion to a lower portion of the cyclone body is formed on the inner circumferential surface, and the reaction by-product moves to the dust collecting container along the guide groove. Exhaust system.
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