KR100936718B1 - A method for repairing photomask - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것으로, 특히 결함 패턴이 크고, 제거되어야 할 부분이 분산된 경우에, 상기 제거되어야 할 부분을 한번에 일괄적으로 제거할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a repair method of a photomask, and more particularly, to a repair method of a photomask capable of collectively removing the portions to be removed at once, when the defect pattern is large and the portions to be removed are dispersed. .

본 발명의 포토마스크의 리페어 방법은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 포토마스크 상에 제거되어야 할 결함 패턴 부분이 노출될 수 있도록 상기 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 노출된 패턴을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하고 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In the repairing method of the photomask of the present invention, forming a photoresist on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask, exposing the photoresist so that a defect pattern portion to be removed on the photomask is exposed; Developing to form a space portion, characterized in that it comprises the step of removing the exposed pattern in a batch by the etching process and removing the photoresist.

포토마스크, 결함, 리페어 Photomask, defect, repair

Description

포토마스크의 리페어 방법{a method for repairing photomask}Repair method for photomask {a method for repairing photomask}

도 1은 일반적인 포토 마스크의 개략도이다.1 is a schematic view of a general photo mask.

도 2는 종래의 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 예시도이다.2 is an exemplary view for explaining a conventional repair method of a photomask.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 공정을 설명하기 위한 공정도이다.3 is a flowchart illustrating a repair process of a photomask according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것으로, 특히 결함 패턴이 크고, 제거되어야 할 부분이 분산된 경우에, 상기 제거되어야 할 부분을 한번에 일괄적으로 제거할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a repair method of a photomask, and more particularly, to a repair method of a photomask capable of collectively removing the portions to be removed at once, when the defect pattern is large and the portions to be removed are dispersed. .

도 1은 포토리소그라피(photolithography) 공정으로 패터닝을 할 때 사용되는 일반적인 포토마스크의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a general photomask used when patterning by a photolithography process.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 포토마스크는 투명기판(21)과 상기 투명기판(21) 상에 형성되며 광을 완전히 투과시키는 광투과부(21)와 광을 완전히 차단시키는 광차단부(23)를 가진다. 상기와 같은 종래의 일반적인 포토마스크를 이용하 여 노광→현상→에칭으로 이루어지는 포토리소그라피 공정을 적용하면 다양한 패턴을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 1, a general photomask is formed on the transparent substrate 21 and the transparent substrate 21 and has a light transmitting portion 21 for completely transmitting light and a light blocking portion 23 for completely blocking light. Has Using a conventional photomask as described above, various patterns may be formed by applying a photolithography process including exposure → development → etching.

그런데, 상기와 같은 구조로 이루어진 포토마스크는 설계된 대로 정확하게 패터닝되어야 한다. 그러나, 제조 과정 중에 다양한 원인으로 인하여 부정확한 패턴이 형성될 수 있으며, 원하지 않는 결함이 발생할 수 있다. However, the photomask having the above structure should be patterned exactly as designed. However, inaccurate patterns may be formed due to various causes during the manufacturing process, and unwanted defects may occur.

상기와 같이, 원하지 않는 결함이 발생한 경우에는, 결함을 제거하는 공정이 필요하고, 부정확한 패턴이 형성된 경우에도, 부정확한 패턴을 제거하는 리페어 공정이 수행되어야 한다.As described above, when an unwanted defect occurs, a process for removing the defect is required, and even when an incorrect pattern is formed, a repair process for removing the incorrect pattern should be performed.

도 2는 일반적인 포토마스크의 평면도로서, 결함 패턴을 제거하는 방법에 대하여 설명하기 위한 예시도이다.2 is a plan view of a general photomask, and is an exemplary view for explaining a method of removing a defect pattern.

도 2에 도시된 바와 같이, 소정의 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 제조한 후에, 도시된 바와 같이 특정 어레이(array) 패턴(13)이 더 형성된 경우에는 상기 어레이(array) 패턴(13)을 제거하는 리페어 공정을 수행해야 한다.As shown in FIG. 2, after fabricating a photomask in which a predetermined pattern is formed, in the case where a specific array pattern 13 is further formed as shown, the array pattern 13 is removed. The removal process must be performed.

이와 같은 경우에, 종래에는 레이져 빔 장치를 이용하여 상기 어레이(array) 패턴(13)을 제거하는 공정을 수행하였다. 상기 어레이(array) 패턴(13)에는 각각의 결함 패턴(11)이 복수개 포함되어 있고, 상기 레이져 빔 장치를 이용하여 결함을 제거하기 위해서는 상기 각각의 결함 패턴(11)에 대하여 일일이 레이져 빔을 조사하여 제거해야만 했다. 따라서, 결함이 발생한 상기 어레이(array) 패턴(13)을 제거하기 위해서는 필요 이상의 시간이 소요되는 문제점이 발생한다.In such a case, a process of removing the array pattern 13 is conventionally performed using a laser beam device. The array pattern 13 includes a plurality of defect patterns 11, and in order to remove defects by using the laser beam apparatus, laser beams are irradiated to the respective defect patterns 11 one by one. Had to be removed. Therefore, a problem occurs that takes longer than necessary to remove the array pattern 13 in which a defect occurs.

또한, 상기 레이져 빔을 이용하여 제거할 수 있는 사이즈는 약 30㎛ * 30㎛ 넓이에 한정되므로, 결함 패턴(11)이 그 이상인 경우에는 리페어 공정을 원할하게 수행할 수 없는 문제점이 발생한다.In addition, since the size that can be removed using the laser beam is limited to about 30 μm * 30 μm in width, when the defect pattern 11 is larger than that, a problem arises in that the repair process cannot be performed smoothly.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 자핑(zapping) 기술이 아닌 에칭 공정에 의하여 결함 부분을 제거하기 때문에, 각 결함 패턴이 넓은 경우에도(1㎜ * 1㎜ 이상) 리페어가 가능하고, 결함이 분산되어 제거되어야 할 부분이 많은 경우에도 한번에 일괄적으로 제거할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was devised to solve the above problems of the prior art, and since the defect portion is removed by an etching process rather than a zapping technique, even when each defect pattern is wide (1 mm * 1 mm or more) It is an object of the present invention to provide a method for repairing a photomask that can be repaired at once and even if there are many parts to be removed due to the dispersion of defects.

또한, 포토마스크에 잘못된 패턴이 들어가 있는 경우, 일괄적으로 한번에 잘못된 패턴을 제거할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a repair method of a photomask that can remove a wrong pattern at a time when a wrong pattern is contained in the photomask.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 포토마스크 상에 제거되어야 할 결함 패턴 부분이 노출될 수 있도록 상기 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 노출된 패턴을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하고 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In the repairing method of the photomask of the present invention proposed to solve the above technical problem, forming a photoresist on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask, the defect pattern portion to be removed on the photomask Exposing and developing the photoresist so as to be exposed to form a space portion, and collectively removing the exposed pattern by an etching process and removing the photoresist.

또한, 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하기 전에, 상기 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 즉, 포토마스크 상에 제거되어야 할 부분을 일괄적으로 정확하게 제거하기 위해서는 사전에 레이져 가공 장치의 얼라인먼트가 반드시 필요하다.In addition, before exposing and developing the photoresist, the method further comprises the step of correcting the laser beam irradiation position by grasping the position of the alignment mark formed on the edge portion of the photomask. In other words, alignment of the laser processing apparatus is necessary in advance in order to collectively and accurately remove the portions to be removed on the photomask.

또한, 상기 포토마스크의 리페어 방법은 제거되어야 각 결함 패턴이 1㎜ * 1㎜ 이상인 경우에도 적용 가능하고, 제거되어야 할 패턴이 분산된 경우에도 일괄적으로 제거할 수 있는 것을 특징으로 한다. 즉, 종래의 자핑(zapping) 기술에 의한 패턴 제거 방법은 30㎛ * 30㎛ 정도가 보통이었으나, 본 발명에 따르면, 더 넓은 결함 부위를 제거할 수 있고, 결함 부분을 한번에 일괄적으로 제거할 수 있다.In addition, the repair method of the photomask may be applicable even when each defect pattern is 1 mm * 1 mm or more to be removed, and may be collectively removed even when the pattern to be removed is dispersed. That is, in the conventional pattern removing method by zapping technique, the thickness of 30 µm * 30 µm was common. According to the present invention, a wider defect portion can be removed and the defect portions can be removed at once. have.

또한, 상기 노광 및 현상 공정에 의하여 형성되는 상기 공간부의 폭은 상기 포토마스크 상에 제거되어야 할 결함 패턴의 폭 보다 더 넓게 형성되는 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 노광 및 현상은 제거되어야 할 패턴 이상으로 수행하여, 에칭 공정에 의해 상기 제거되어야 할 패턴이 깨끗하게 제거됨과 아울러, 레이져 가공 장치의 얼라인 오차를 극복할 수 있도록 한다.In addition, the width of the space formed by the exposure and development process is characterized in that formed on the photomask is wider than the width of the defect pattern to be removed. That is, the exposure and development are performed more than the pattern to be removed, so that the pattern to be removed is removed by the etching process, and the alignment error of the laser processing apparatus can be overcome.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성수단으로 이루어져 있는 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the repair method of the photomask of the present invention consisting of the above configuration means.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 본 발명에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 이용하면, 도 2에 도시된 제거해야할 어레이 패턴(13)을 한번에 일괄적으로 제거할 수 있다.3 is a flowchart illustrating a repair method of a photomask according to an embodiment of the present invention. Using the repair method of the photomask according to the present invention, the array pattern 13 to be removed shown in FIG. 2 can be removed at once.

먼저, 도 3에 도시된 단계 S10에서와 같이, 포토마스크의 광투과부(21)와 광차단부(23) 상에 파지티브 성질을 가지는 포토레지스트(30)를 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 형성한다.First, as in step S10 illustrated in FIG. 3, a photoresist 30 having positive properties is formed on the light transmitting portion 21 and the light blocking portion 23 of the photomask by spin coating or the like. .

그런 다음, 상기 포토레지스트(30) 상에서 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분을 노광시켜 드로잉(drawing)을 수행한다. 상기 노광이 되는 부분은 현상 공정에 의하여 상기 포토마스크 상에서 제거되어야 할 결함 패턴(13) 부분이 노출될 수 있도록 상기 포토레지스트(30)가 제거되어야 할 부분이다. Then, the laser beam is irradiated onto the photoresist 30 to expose a desired portion to perform drawing. The exposed portion is a portion to which the photoresist 30 is to be removed so that a portion of the defect pattern 13 to be removed on the photomask is exposed by a developing process.

상기 포토레지스트(30)를 노광한 후에는, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 노광된 포토레지스트(30) 부분을 현상하여 소정의 공간부(40)를 형성한다. 상기 공간부(40)의 폭은 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 제거되어야 할 결함 패턴(13)의 폭보다 더 넓게 형성된다. 즉, 노광 및 현상 공정을 수행할 때부터, 상기 공간부(40)의 폭이 상기 결함 패턴(13) 보다 더 넓게 형성될 수 있도록 노광 및 현상 공정을 수행한다.After exposing the photoresist 30, as shown in step S20, the exposed photoresist 30 is developed to form a predetermined space portion 40. The width of the space portion 40 is formed to be wider than the width of the defect pattern 13 to be removed, as shown in step S20. That is, since the exposure and development processes are performed, the exposure and development processes are performed such that the width of the space 40 may be wider than that of the defect pattern 13.

상기와 같이, 공간부(40)의 폭을 상기 결함패턴(13)의 폭 보다 더 넓게 형성하는 이유는, 후술할 에칭 공정에 의하여 상기 제거되어야 할 결함 패턴(13)이 깨끗이 제거될 수 있도록 하기 위함이다. As described above, the reason why the width of the space portion 40 is formed to be wider than the width of the defect pattern 13 is to allow the defect pattern 13 to be removed to be removed by an etching process to be described later. For sake.

한편, 상기 포토레지스트(30)를 노광 및 현상하기 전에는, 상기 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 수행해야 한다. 즉, 제거되어야 할 결함 패턴(13)이 정확하게 노출될 수 있도록 노광하기 위해서는 상기 레이져 빔의 정렬이 필수적으 로 필요하다. 따라서, 노광을 수행하기 전에 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사위치를 보정 할 필요가 있다.Meanwhile, before exposing and developing the photoresist 30, the step of correcting the irradiation position of the laser beam should be performed. In other words, alignment of the laser beam is necessary to expose the defect pattern 13 to be accurately exposed. Therefore, before performing the exposure, it is necessary to determine the position of the alignment mark formed on the edge portion of the photomask to correct the irradiation position of the laser beam.

만약, 상기 레이져 빔의 조사위치를 보정 하더라도, 미세한 오차가 발생한 경우에는, 상기 공간부(40)의 폭을 결함 패턴(13)의 폭보다 더 넓게 형성하기 때문에, 어느 정도의 오차는 극복할 수 있다.Even if the laser beam irradiation position is corrected, when a minute error occurs, the width of the space portion 40 is formed to be wider than that of the defect pattern 13, so that some error can be overcome. have.

상기와 같이, 포토레지스트(30)의 소정 부분을 현상한 후에는, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 상기 노출된 결함 패턴(13)을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하고, 단계 S40에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(30)를 제거하면, 결함 패턴(13)이 제거된 후의 포토마스크가 완성된다.As described above, after developing a predetermined portion of the photoresist 30, as shown in step S30, the exposed defect patterns 13 are collectively removed by an etching process, and as shown in step S40 As described above, when the photoresist 30 is removed, the photomask after the defect pattern 13 is removed is completed.

이상에서 설명한 포토마스크의 리페어 방법에 의하면, 레이져 빔 조사에 의한 결함 패턴 제거 방법이 아닌, 에칭 공정에 의한 결함 패턴 제거 방법을 이용하기 때문에, 결함 패턴이 1㎜ * 1㎜ 이상인 경우에도 적용 가능하고, 제거되어야 할 패턴이 분산된 경우에도 일괄적으로 제거할 수 있다.According to the repair method of the photomask described above, the defect pattern removal method by the etching process is used instead of the method of removing the defect pattern by laser beam irradiation, and therefore it is applicable even when the defect pattern is 1 mm * 1 mm or more. Even if the patterns to be removed are distributed, they can be removed collectively.

상기와 같은 구성 및 작용 그리고 바람직한 실시예를 가지는 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법에 의하면, 자핑(zapping) 기술이 아닌 에칭 공정에 의하여 결함 부분을 제거하기 때문에, 각 결함 패턴이 넓은 경우에도(1㎜ * 1㎜ 이상) 리페어가 가능하고, 결함이 분산되어 제거되어야 할 부분이 많은 경우에도 한번에 일괄적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.According to the repairing method of the photomask of the present invention having the above-described configuration, operation, and preferred embodiment, even if each defect pattern is wide (1 mm) because the defective portion is removed by an etching process rather than a zapping technique. * 1mm or more) Repair is possible, and even if there are many parts to be removed by dispersing defects, there is an advantage that can be removed at once.

또한, 설계 상과 다른 패턴이 형성되어 있는 경우, 일괄적으로 잘못된 패턴을 제거하여 용이하게 포토마스크를 리페어할 수 있는 장점이 있다.In addition, when a pattern different from the design is formed, there is an advantage that the photomask can be easily repaired by removing the wrong patterns in a batch.

Claims (4)

포토마스크의 리페어 방법에 있어서,In the repair method of a photomask, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 포토레지스트를 형성하는 단계;Forming a photoresist on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask; 상기 포토마스크 상에 제거되어야 할 결함 패턴 부분이 노출될 수 있도록 상기 포토레지스트를 노광하고 현상하여 상기 결함패턴이 나타난 패턴부분 폭보다 더 넓은 영역의 공간부를 형성하는 단계;Exposing and developing the photoresist so that a portion of the defect pattern to be removed is exposed on the photomask to form a space portion in a region wider than the width of the pattern portion where the defect pattern is exposed; 상기 노출된 결함 패턴을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하고 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.And removing the exposed defect patterns collectively by an etching process and removing the photoresist. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하기 전에, 상기 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.Before the exposure and development of the photoresist, the method of repairing the photomask, characterized in that for identifying the position of the alignment mark formed on the edge portion of the photomask correcting the irradiation position of the laser beam. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 포토마스크의 리페어 방법은 제거되어야 각 결함 패턴이 1㎜ * 1㎜ 이상인 경우에도 적용 가능하고, 제거되어야 할 패턴이 분산된 경우에도 일괄적으로 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.The repair method of the photomask is applicable even when each defect pattern is 1 mm * 1 mm or more to be removed, and the repair method of the photomask, which can be collectively removed even when the pattern to be removed is dispersed. . 삭제delete
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