KR100611071B1 - Method for forming mark in semiconductor processing - Google Patents

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Abstract

노광 공정에서 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크 형성 방법이 개시되어 있다. 하나의 웨이퍼에 대해 일련의 노광 공정을 수행할 때, 상기 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크를 1회 노광 시에 웨이퍼 상에 패턴으로 형성되는 샷 영역의 사이즈에 따라 각각 구별되는 형상을 갖도록 형성한다. 따라서 하나의 웨이퍼에 수회에 걸쳐 일련의 노광 공정이 수행되더라도 각 노광 공정시에서의 샷 영역의 경계를 용이하게 구분할 수 있다. 그러므로 상기 샷 영역의 경계를 바르게 구분하지 못하여 발생되는 검사 오류 및 공정 불량을 최소화 할 수 있다.A mark forming method for dividing a boundary of a shot region in an exposure process is disclosed. When performing a series of exposure processes on one wafer, a mark for separating the boundary of the shot region is formed to have a shape that is distinguished according to the size of the shot region formed in a pattern on the wafer in one exposure. do. Therefore, even if a series of exposure processes are performed several times on one wafer, the boundary of the shot region in each exposure process can be easily distinguished. Therefore, it is possible to minimize inspection errors and process defects caused by not properly distinguishing the boundary of the shot region.

Description

반도체 공정에서 마크 형성 방법{Method for forming mark in semiconductor processing}Method for forming mark in semiconductor processing

도 1a 내지 도 1c는 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크의 형상을 나타내는 도면이다.1A to 1C are diagrams showing the shape of a mark for distinguishing the boundary of the shot region.

도 2a 내지 도 2b는 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크의 형상을 나타내는 도면이다.2A to 2B are diagrams showing the shape of a mark for distinguishing the boundary of the shot region.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마크의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a method of forming a mark according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 설명에서 제1 마크를 형성한 일 예를 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating an example in which a first mark is formed in the description of FIG. 3.

도 5는 도 3의 설명에서 제2 마크를 형성한 일 예를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an example in which a second mark is formed in the description of FIG. 3.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 제1 마크 12 : 제2 마크 10: first mark 12: second mark

30 : 제1 샷영역 32 : 제2 샷 영역 30: first shot area 32: second shot area

본 발명은 반도체 공정에서 마크를 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세 하게는 노광 공정을 수행할 때 샷 영역의 경계를 표시하는 마크를 형성하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming a mark in a semiconductor process, and more particularly, to a method of forming a mark indicating a boundary of a shot region when performing an exposure process.

일반적으로 반도체 공정은 웨이퍼 상에 막을 증착하고, 상기 막에 패턴을 형성하면서 계속적으로 적층하여 이루어진다. 이를 위해 증착, 사진 공정, 식각 공정, 평탄화 공정, 이온 주입 공정을 포함하는 일련의 단위 공정들을 반복적으로 수행한다. 상기 단위 공정들 중에서 사진 공정은 미세한 선폭을 요구하는 최근의 고집적화된 반도체 장치를 구현함에 있어서 매우 중요한 공정중의 하나이다.In general, a semiconductor process is achieved by depositing a film on a wafer and continuously laminating it while forming a pattern on the film. To this end, a series of unit processes including a deposition, a photographic process, an etching process, a planarization process, and an ion implantation process are repeatedly performed. Among the unit processes, the photo process is one of the very important processes for implementing a recent highly integrated semiconductor device requiring a fine line width.

상기 사진 공정은 유기물인 포토레지스트층을 선택적으로 노광하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 기술이다. 구체적으로 설명하면, 상기 포토레지스트층을 마스크 패턴를 사용하여 선택적으로 노광한다. 그러면 상기 노광에 의해 상기 포토레지스트의 용해도가 변하게 되고, 현상 공정에 의해 용해도가 큰 부분을 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. The photo process is a technique of selectively exposing a photoresist layer, which is an organic material, to form a photoresist pattern. Specifically, the photoresist layer is selectively exposed using a mask pattern. As a result, the solubility of the photoresist is changed by the exposure, and a portion having high solubility is removed by the developing process to form a photoresist pattern.

상기 노광 공정은 1회 노광시에 웨이퍼의 소정 부위에 광이 조사되고, 상기 광이 조사된 부위에만 포토레지스트 패턴이 형성된다. 1회 노광시에 상기 광이 조사되는 부위의 넓이에 따라 상기 웨이퍼 상에 패턴이 형성되는 부위를 나타내는 샷 영역의 사이즈가 달라진다. 따라서 상기 노광 공정을 수행할 때는 상기 샷(shot)영역간의 경계를 구분할 수 있도록 마크(mark)를 형성한다.In the exposure step, light is irradiated to a predetermined portion of the wafer during one exposure, and a photoresist pattern is formed only at the portion to which the light is irradiated. The size of the shot region representing the portion where the pattern is formed on the wafer varies depending on the width of the portion to which the light is irradiated during one exposure. Therefore, when performing the exposure process, a mark is formed to distinguish the boundary between the shot regions.

상기 샷 영역의 경계에 마크를 형성하는 방법에 대한 일 예가 슈지 등(Tsuji, et al.)에게 허여된 미 합중국 특허 제 6,005,294호에 개시되어 있다. An example of a method of forming a mark at the boundary of the shot area is disclosed in US Pat. No. 6,005,294 to Tsuji, et al.

상기 마크는 하나의 웨이퍼에 수행되는 일련의 노광 공정 중에서 샷 영역의 사이즈가 가장 작은 노광 공정을 기준으로 하고, 상기 샷 영역의 각 모서리에 형성하였다. The mark was formed at each corner of the shot region based on the exposure process having the smallest size of the shot region among a series of exposure processes performed on one wafer.

그러나 반도체 장치의 제조를 위해 하나의 웨이퍼에서 수행되는 일련의 노광 공정에서, 상기 각각의 노광 공정에 의해 형성되는 샷 영역의 사이즈는 항상 동일하지 않다. 그러므로 상기 기준과 다른 샷 영역만큼 포토레지스트 패턴을 형성시키는 노광 장치를 사용하여 공정을 수행하면, 샷 영역의 경계를 구분하기가 매우 어렵다.However, in a series of exposure processes performed on one wafer for manufacturing a semiconductor device, the size of shot regions formed by each of the above exposure processes is not always the same. Therefore, when the process is performed using an exposure apparatus that forms the photoresist pattern by the shot region different from the reference, it is very difficult to distinguish the boundary of the shot region.

특히 상기 포토레지스트 패턴이 바르게 형성되었는가를 검사하고 계측하는 공정을 수행할 때 상기 샷 영역의 경계를 구분하기가 어려우며, 만일 상기 샷 영역의 경계를 바르게 구분하지 못하면 검사 오류가 발생되어 공정 불량을 야기하는 문제점이 있다. In particular, when performing the process of inspecting and measuring whether the photoresist pattern is correctly formed, it is difficult to distinguish the boundary of the shot region, and if the boundary of the shot region is not properly distinguished, an inspection error occurs and causes a process defect There is a problem.

따라서, 본 발명의 목적은 노광 공정에서 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크 형성 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a mark forming method for dividing the boundary of a shot region in an exposure process.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하나의 웨이퍼에 대해 일련의 노광 공정을 수행할 때, 상기 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크를 1회 노광 시에 웨이퍼 상에 패턴으로 형성되는 샷 영역의 사이즈에 따라 각각 구별되는 형상을 갖도록 형성한다.In order to achieve the above object, in the present invention, when performing a series of exposure process for one wafer, a shot region formed in a pattern on the wafer during one exposure of a mark for separating the boundary of the shot region It forms so that it may have a shape distinguished each according to the size of.

본 발명의 마크는 각각의 샷 영역의 각 모서리 부위에 형성된다. The mark of the present invention is formed at each corner portion of each shot region.                     

따라서 하나의 웨이퍼에 대해 일련의 노광 공정이 수행되더라도, 각 노광 공정시에서의 샷 영역의 경계를 용이하게 구분할 수 있다. 그러므로 상기 샷 영역의 경계를 바르게 구분하지 못하여 발생되는 검사 오류 및 공정 불량을 최소화 할 수 있다.Therefore, even if a series of exposure processes are performed on one wafer, the boundary of the shot region in each exposure process can be easily distinguished. Therefore, it is possible to minimize inspection errors and process defects caused by not properly distinguishing the boundary of the shot region.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1c는 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크의 형상을 나타내는 도면이다.1A to 1C are diagrams showing the shape of a mark for distinguishing the boundary of the shot region.

도 1a 내지 도 1c에 도시한 마크는 연속적으로 이어지는 라인 형태를 갖는다. 이러한 라인 형태의 마크는 일반적으로 하부막을 식각하기 위한 식각 마스크 로서의 포토레지스트 패턴을 형성할 때, 노광 공정에서 샷 영역의 경계를 표시한다. The marks shown in Figs. 1A to 1C have a continuous line shape. Such a line-shaped mark generally marks the boundary of the shot region in the exposure process when forming the photoresist pattern as an etch mask for etching the lower layer.

도 1a는 하나의 웨이퍼에 단위 공정들을 수행하여 반도체 장치로 제조될 때 까지 수행되는 일련의 노광 공정에서, 샷 영역의 사이즈가 가장 작은 노광 공정에서의 샷 영역인 기준 샷 영역의 경계를 표시하는 제1 마크(10)의 형상을 나타낸다.FIG. 1A is a diagram illustrating a boundary of a reference shot region, which is a shot region in an exposure process having a smallest shot region size, in a series of exposure processes performed until a semiconductor device is manufactured by performing unit processes on one wafer; FIG. The shape of the 1 mark 10 is shown.

그리고 도 1b 내지 도 1c는 상기 기준 샷 영역에 비해 샷 영역의 사이즈가 큰 노광 공정에서의 샷 영역의 경계를 표시하기 위한 제2 마크(12) 및 제3 마크(13)를 나타낸다. 1B to 1C show a second mark 12 and a third mark 13 for indicating the boundary of the shot area in an exposure process in which the size of the shot area is larger than that of the reference shot area.

도 2a 내지 도 2b는 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크의 형상을 나타내는 도면이다. 2A to 2B are diagrams showing the shape of a mark for distinguishing the boundary of the shot region.                     

도 2a 내지 도 2b에 도시한 마크는 다수개의 작은 패턴들로 이루어진 박스 형태를 갖는다. 이러한 박스 형태의 마크는 일반적으로 이온 주입을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 노광 공정에서 샷 영역의 경계를 표시한다. The marks shown in Figs. 2A to 2B have a box shape composed of a plurality of small patterns. This box-shaped mark generally marks the boundary of the shot region in an exposure process to form a photoresist pattern for ion implantation.

마찬가지로, 도 2a는 일련의 노광 공정에서, 샷 영역의 사이즈가 가장 작은 노광 공정에 의 샷 영역인 기준 샷 영역의 경계를 표시하는 제4 마크(20)의 형상을 나타낸다. 그리고 도 2b는 상기 기준 샷 영역에 비해 샷 영역의 사이즈가 큰 노광 공정에서의 샷 영역의 경계를 표시하기 위한 제5 마크(22)를 나타낸다. Similarly, FIG. 2A shows the shape of the fourth mark 20 which marks the boundary of the reference shot region which is the shot region in the exposure process with the smallest size of the shot region in the series of exposure processes. 2B illustrates a fifth mark 22 for displaying the boundary of the shot region in the exposure process in which the size of the shot region is larger than that of the reference shot region.

상기 마크들은 포토레지스트막을 노광할 때, 샷 영역의 각 모서리 부위에 형성하여 상기 샷 영역의 경계를 용이하게 구분할 수 있도록 한다.The marks are formed at each corner of the shot region when the photoresist film is exposed, so that the boundaries of the shot region can be easily distinguished.

상기 마크들의 형상을 도시하였지만 상기 형상은 일 예에 불과하며, 샷 영역의 사이즈에 따라 다양한 형상을 갖는 마크들을 형성할 수 있다. 다만, 상기 샷 영역의 사이즈가 작을 경우에 상기 웨이퍼에 형성되는 마크의 수가 많아지기 때문에, 상기 샷 영역의 사이즈가 작을수록 간단한 패턴의 마크를 형성하는 것이 바람직하다. Although the shapes of the marks are illustrated, the shapes are merely an example, and marks having various shapes may be formed according to the size of the shot region. However, when the size of the shot area is small, the number of marks formed on the wafer increases, so it is preferable to form a mark of a simple pattern as the size of the shot area is smaller.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마크의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a method of forming a mark according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 웨이퍼 상에 제 1막(S10)을 형성하고, 상기 제 1막 상에 포토레지스트막을 코팅한다.(S12) Referring to FIG. 3, a first film S10 is formed on a wafer, and a photoresist film is coated on the first film.

상기 코팅된 포토레지스트막에 대해 제1 노광을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제1 노광 시에 제 1샷 영역의 경계를 표시하는 제1 마크를 동시 에 형성한다.(S14) A first exposure is performed on the coated photoresist film to form a photoresist pattern, and simultaneously forming a first mark indicating a boundary of the first shot region during the first exposure.

이를 좀 더 자세히 설명하면, 상기 포토레지스트막 상에 마스크를 개재하고 노광하여 상기 포토레지스트 패턴을 형성한다. In more detail, the photoresist pattern is formed by exposing a mask on the photoresist film.

그런데, 상기 노광 공정을 수행할 때 웨이퍼 전체에 광을 조사하여 일시에 포토레지스트 패턴을 형성하는 것이 아니라, 1회 노광 시에 소정의 부위에만 광이 조사되고 상기 광이 조사된 부위에만 포토레지스트 패턴이 형성된다. 그러므로 상기 웨이퍼 전체에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해서는 수회에 걸쳐 노광이 수행되어야 한다. However, when performing the exposure process, the entire photoresist pattern is not formed by irradiating light to the entire wafer at one time, but light is irradiated to only a predetermined portion during one exposure, and the photoresist pattern is applied only to the portion to which the light is irradiated. Is formed. Therefore, in order to form a photoresist pattern on the entire wafer, exposure must be performed several times.

이러한 1회 노광을 샷 이라고 하며, 상기 샷에 의해 상기 포토레지스트 패턴이 형성되는 영역을 샷 영역이라고 한다. 따라서 상기 1회 노광에 의해 광이 조사되는 범위가 넓을 경우에는 상기 샷 영역의 사이즈가 넓어지고, 반면에 상기 포토레지스트 패턴의 정렬 정밀도는 떨어지게 된다. 상기 샷 영역의 사이즈는 각 노광 공정을 수행하기 위한 장비마다 다르고, 하나의 웨이퍼에서 수행되는 일련의 노광 공정에서 모두 동일한 샷 영역을 가지면서 공정이 수행되는 것이 아니다. 따라서 상기 포토레지스트 패턴을 형성할 때 각 노광 공정에 의해 형성되는 샷 영역의 경계를 확인하는 마크도 함께 형성한다. Such a single exposure is called a shot, and an area where the photoresist pattern is formed by the shot is called a shot area. Therefore, when the light is irradiated by the single exposure is wide, the size of the shot area is wide, while the alignment accuracy of the photoresist pattern is inferior. The size of the shot region is different for each equipment for performing each exposure process, and the process is not performed while all have the same shot region in a series of exposure processes performed on one wafer. Therefore, when forming the photoresist pattern, a mark for checking the boundary of the shot region formed by each exposure process is also formed.

즉, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 상기 제1 노광을 수행할 때, 상기 제1 노광 공정에서의 제 1샷 영역의 경계를 표시하는 제1 마크를 동시에 형성한다. 상기 제1 마크는 상기 제1 샷영역의 각 모서리 부분에 형성되어 상기 제1 샷 영역의 경계를 구분할 수 있도록 한다. That is, when performing the first exposure for forming the photoresist pattern, a first mark that marks the boundary of the first shot region in the first exposure process is simultaneously formed. The first mark is formed at each corner portion of the first shot region so as to distinguish the boundary of the first shot region.                     

상기 제1 샷 영역은 상기 하나의 웨이퍼 상에 수행되는 일련의 노광 공정에서 가장 작은 샷 영역을 갖는 기준 샷 영역이다. 즉, 상기 제1 노광 공정은 1회 노광에 의해 포토레지스트 패턴이 형성되는 부위의 면적이 작다. 또한 상기 제1 노광 공정에 의해 상기 웨이퍼 상에 형성되는 제1 마크의 수는 많아진다. 그러므로 기준샷 영역을 표시하는 제1 마크는 단순한 패턴으로 형성하는 것이 바람직하다. The first shot region is a reference shot region having the smallest shot region in a series of exposure processes performed on the one wafer. That is, in the first exposure step, the area of the portion where the photoresist pattern is formed by one exposure is small. Further, the number of first marks formed on the wafer by the first exposure step increases. Therefore, it is preferable to form the first mark indicating the reference shot area in a simple pattern.

도 4는 도 3의 설명에서 제1 마크를 형성한 일 예를 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating an example in which a first mark is formed in the description of FIG. 3.

도 4를 참조하면, 점선으로 도시한 각각의 사각형만큼이 제1 샷 영역(30)을 나타내고, 상기 제1 샷 영역(30)의 각 모서리 부위에 제1 마크(10)가 형성되어 있다. 상기 제1 마크(10)는 상기 도 1a에 도시된 마크로 나타내었다. Referring to FIG. 4, the first shot region 30 is represented by each quadrangle indicated by a dotted line, and a first mark 10 is formed at each corner portion of the first shot region 30. The first mark 10 is represented by the mark shown in FIG. 1A.

상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 제1 막에 대해 소정의 단위 공정들을 수행한다.(S16) Predetermined unit processes are performed on the first film on which the photoresist pattern is formed (S16).

상기 단위 공정들은 상기 포토레지스트 패턴의 정렬 정밀도를 검사하고 계측하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 상기 제1막을 식각하여 제1막 패턴을 형성하는 공정들을 포함한다. The unit processes may include inspecting and measuring alignment accuracy of the photoresist pattern and forming a first layer pattern by etching the first layer using the photoresist pattern as an etching mask.

상기 포토레지스트 패턴의 정렬 정밀도를 검사하고 계측하는 공정에서 패턴이 정확히 형성되지 않은 것이 확인되면, 상기 포토레지스트막을 제거하고 리워크를 수행하여 공정 불량을 방지할 수 있기 때문에 상기 정렬 정밀도를 정확히 검사하는 것이 매우 중요하다. In the process of checking and measuring the alignment accuracy of the photoresist pattern, if it is confirmed that the pattern is not formed correctly, the process accuracy can be accurately checked because the process defect can be prevented by removing the photoresist film and performing a rework. It is very important.

상기 정렬 정밀도를 검사를 위해서는 샷 영역의 경계를 구분하여야 하며, 이는 상기 제1 마크에 의해 용이하게 구분할 수 있다. In order to check the alignment accuracy, the boundary of the shot area should be divided, which can be easily distinguished by the first mark.                     

상기 단위 공정들이 수행된 결과물 상에 제 2막을 형성하고(S18), 상기 제 2막 상에 포토레지스트를 코팅한다.(S20) A second film is formed on the resultant of the unit processes (S18), and a photoresist is coated on the second film (S20).

상기 코팅된 포토레지스트막에 대해 제2 노광을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제2 노광 시에 제2 샷 영역의 경계를 표시하는 제2 마크를 동시에 형성한다.(S22) 이 때 상기 제2 샷 영역은 상기 제1 샷 영역과 다른 사이즈를 갖는다. A second exposure is performed on the coated photoresist film to form a photoresist pattern, and at the time of the second exposure, a second mark that marks a boundary of the second shot region is simultaneously formed (S22). The second shot area has a different size from the first shot area.

상기 제2 마크는 상기 제2 샷 영역의 각 모서리 부위에 형성하여 상기 제2 샷 영역의 경계를 구분한다. 그리고 이 때 형성되는 제2 마크는 상기 제1 마크와는 구분되는 형상을 갖도록 한다. The second mark is formed at each corner of the second shot area to distinguish the boundary of the second shot area. The second mark formed at this time has a shape that is distinct from the first mark.

상기 제2 노광에서의 제2 샷 영역은 기준 샷인 상기 제1 샷 영역에 비해 1보다 큰 정수배의 사이즈를 갖는다. 그리고 상기 제2 마크를 형성할 때 상기 제2 마크가 형성되지 않는 부위에 한해, 상기 기준 샷 영역을 구분하기 위한 제1 마크를 더 형성시킨다. The second shot area in the second exposure has an integer multiple of one larger than the first shot area as a reference shot. The first mark for distinguishing the reference shot region is further formed only in a portion where the second mark is not formed when the second mark is formed.

따라서 상기 제1 마크에 의해 기준 샷 영역을 구분할 수 있을 뿐 아니라 현 노광 공정인 제2 노광 공정에서의 제2 샷 영역도 용이하게 구분할 수 있다. Therefore, not only the reference shot region can be distinguished by the first mark, but also the second shot region in the second exposure process which is the current exposure process can be easily distinguished.

도 5는 도 3의 설명에서 제2 마크를 형성한 일 예를 나타내는 도면이다. FIG. 5 is a diagram illustrating an example in which a second mark is formed in the description of FIG. 3.

도 5를 참조하면, 점선으로 도시한 각각의 사각형만큼이 제2 샷 영역(32)을 나타내고, 이는 상기 도 4에 도시한 제1 샷 영역(30)의 2배 사이즈를 가진다. Referring to FIG. 5, each square shown by a dotted line represents the second shot region 32, which is twice the size of the first shot region 30 illustrated in FIG. 4.

또한 상기 제2 마크(12)를 형성할 때 상기 제2 마크(12)가 형성되지 않는 부위에 한해, 상기 기준 샷 영역을 구분하기 위한 제1 마크(10)를 더 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 마크(10, 12)는 각각 상기 도 1a 및 1b에 도시한 마크를 사용하여 나타내었다. In addition, the first mark 10 for dividing the reference shot region is further formed only in a portion where the second mark 12 is not formed when the second mark 12 is formed. The first and second marks 10 and 12 are shown using the marks shown in Figs. 1A and 1B, respectively.

따라서 상기 제2 노광에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 정렬 정밀도를 검사하고 계측할 때, 상기 제2 마크에 의해 상기 제2 샷 영역을 용이하게 구분할 수 있고, 이로 인해 상기 검사시의 오류를 최소화 할 수 있다. 때문에 상기 검사 오류에 따른 반도체 장치의 불량을 미연에 방지할 수 있다. Therefore, when inspecting and measuring the alignment accuracy of the photoresist pattern formed by the second exposure, the second shot region can be easily distinguished by the second mark, thereby minimizing an error in the inspection. have. Therefore, the defect of the semiconductor device due to the inspection error can be prevented in advance.

계속적으로 상기 웨이퍼에 대해 일련의 노광 공정을 수행할 때, 상기 샷 영역의 사이즈에 따라 각각 구별되는 형상의 마크를 형성할 수 있다. 그리고, 식각 마스크로 사용되는 포토레지스트 패턴 뿐 아니라 이온 주입을 위한 포토레지스트 패턴에서도 상기와 같이 샷 영역의 사이즈에 따라 각각 구별되는 형상의 마크를 형성할 수 있음을 알려둔다. When continuously performing a series of exposure process on the wafer, it is possible to form a mark of each shape according to the size of the shot area. In addition, not only the photoresist pattern used as the etching mask, but also the photoresist pattern for ion implantation may form marks of different shapes depending on the size of the shot region as described above.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상기 웨이퍼에 대해 일련의 노광 공정을 수행할 때 상기 샷 영역의 사이즈에 따라 각각 구별되는 형상의 마크를 형성함으로서 샷 영역의 경계를 용이하게 구분할 수 있다. 따라서 상기 샷의 경계를 바르게 구분하지 못하여 발생되는 검사 오류를 방지하고, 상기 검사 오류에 의한 공정 불량을 최소화 하여 반도체 장치의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, when a series of exposure processes are performed on the wafer, the boundary of the shot region can be easily distinguished by forming marks of distinct shapes according to the size of the shot region. Therefore, it is possible to prevent inspection errors caused by not properly distinguishing the boundaries of the shots, and to minimize process defects caused by the inspection errors, thereby improving productivity of the semiconductor device.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변 경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.

Claims (13)

하나의 웨이퍼에 대해 일련의 노광 공정을 수행할 때, 상기 샷 영역의 경계를 구분하기 위한 마크는 1회 노광 시에 웨이퍼 상에 패턴으로 형성되는 샷 영역의 사이즈에 따라 각각 구별되는 형상을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.When performing a series of exposure processes on one wafer, the marks for separating the boundaries of the shot regions are formed to have shapes that are distinguished according to the size of the shot regions formed in a pattern on the wafer during one exposure. A mark forming method in a semiconductor process, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 마크는 각각의 샷 영역의 각 모서리 부위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.The method of claim 1, wherein the mark is formed at each corner portion of each shot region. 제1항에 있어서, 상기 일련의 노광 공정 중에서 샷 영역의 사이즈가 가장 작은 노광 공정에서의 샷 영역을 기준 샷 영역으로 하고, 상기 기준 샷 영역과 다른 샷 영역을 갖는 노광 공정에서의 샷 영역들은 상기 기준 샷 영역의 사이즈에 대해 1보다 큰 정수배의 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.The shot region of claim 1, wherein the shot region in the exposure process having the smallest size of the shot region in the series of exposure processes is used as a reference shot region, and the shot regions in the exposure process having a shot region different from the reference shot region. A mark forming method in a semiconductor process characterized by having a size of an integer multiple greater than 1 with respect to the size of a reference shot region. 제3항에 있어서, 상기 기준 샷 영역과 다른 샷 영역을 갖는 노광 공정에서 는 상기 샷 영역을 구분하기 위한 제2 마크를 형성하고, 동시에 상기 제2 마크가 형성되지 않는 부위에 한하여 상기 기준 샷 영역을 구분하는 제1 마크를 더 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.The reference shot region according to claim 3, wherein in the exposure process having a shot region different from the reference shot region, the reference shot region is formed only in a portion where a second mark for distinguishing the shot region is formed and at the same time the second mark is not formed. And forming a first mark for dividing the mark. 제1항에 있어서, 상기 각각의 마크들은 라인으로 이루어지는 소정의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.The method of claim 1, wherein each of the marks has a predetermined shape consisting of lines. 제1항에 있어서, 상기 각각의 마크들은 다수개의 작은 패턴으로 이루어지는 소정의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.The method of claim 1, wherein each of the marks has a predetermined shape consisting of a plurality of small patterns. 반도체 기판상에 제1막을 형성하고 포토레지스트를 코팅하는 단계;Forming a first film on the semiconductor substrate and coating the photoresist; 상기 코팅된 포토레지스트에 대해 제1 노광을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이 때 상기 제1 샷 영역의 경계를 표시하는 제1 마크를 동시에 형성하는 단계; Performing a first exposure to the coated photoresist to form a photoresist pattern, and simultaneously forming a first mark indicating a boundary of the first shot region; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 제1막에 대해 소정의 단위 공정을 수행하는 단계;Performing a predetermined unit process on the first film on which the photoresist pattern is formed; 상기 단위 공정이 수행된 결과물 상에 제2막을 형성하고, 상기 제2막 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계;Forming a second film on the resultant of the unit process, and coating a photoresist on the second film; 상기 코팅된 포토레지스트에 대해 제2 노광을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이 때 제2 샷 영역의 경계를 표시하는 제2 마크를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.And forming a photoresist pattern by performing a second exposure on the coated photoresist, and forming a second mark indicating a boundary of the second shot region. 제7항에 있어서, 상기 제1 마크는 상기 제1 샷 영역의 각 모서리 부위에 형 성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the first mark is formed at each corner of the first shot region. 제7항에 있어서, 상기 제2 마크는 상기 제2 샷 영역의 각 모서리 부위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the second mark is formed at each corner of the second shot region. 제7항에 있어서, 상기 제1 마크와 제2 마크는 서로 구별되는 형상을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.The method of claim 7, wherein the first mark and the second mark are formed to have a shape distinct from each other. 제7항에 있어서, 상기 제1 샷 영역은 수행되는 일련의 노광 공정에서 가장 작은 샷 영역을 갖는 기준 샷 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the first shot region is a reference shot region having the smallest shot region in a series of exposure processes performed. 제7항에 있어서, 상기 제2 샷 영역은 상기 제1 샷 영역에 대해 1보다 큰 정수배의 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein the second shot region has an integer multiple of one greater than the size of the first shot region. 제1항에 있어서, 상기 제2 마크를 하고, 동시에 상기 제2 마크가 형성되지 않는 부위에 한하여 상기 기준 샷 영역을 구분하는 제1 마크를 더 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에서 마크 형성 방법.The method according to claim 1, further comprising: forming a first mark that separates the reference shot region only at a portion where the second mark is formed and at the same time the second mark is not formed.
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