KR100935600B1 - Column Decoder Of Semiconductor Integrated Circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명의 칼럼 디코더 회로는 셀 영역 구분 신호에 응답하여 제 1 셀 영역 및 제 2 셀 영역을 각각 활성화시키기 위한 제 1 셀 영역 활성화 신호 및 제 2 셀 영역 활성화 신호 중 어느 하나를 비활성화시키는 제어부; 칼럼 어드레스를 디코딩하여 제 1 프리 디코딩 신호 그룹 및 제 2 프리 디코딩 신호 그룹을 출력하는 프리 디코더; 제 1 셀 영역 활성화 신호와 제 2 셀 영역 활성화 신호 중 어느 하나의 비활성화에 응답하여 제 1 프리 디코딩 신호 그룹과 제 2 프리 디코딩 신호 그룹 중 어느 하나를 비활성화시키는 프리 디코딩 신호 전송부; 및 제 1 프리 디코딩 신호 그룹과 제 2 프리 디코딩 신호 그룹을 각각 입력받으며, 자신에게 입력된 신호 그룹이 비활성화된 경우 동작이 중지되는 제 1 메인 디코더 및 제 2 메인 디코더를 구비한다.
칼럼 디코더, 전류 감소
The column decoder circuit of the present invention includes a control unit which deactivates any one of a first cell region activation signal and a second cell region activation signal for activating the first cell region and the second cell region, respectively, in response to a cell region division signal; A predecoder for decoding the column address and outputting a first pre decoded signal group and a second pre decoded signal group; A pre-decoded signal transmitter for deactivating any one of the first pre-decoded signal group and the second pre-decoded signal group in response to deactivation of one of the first cell region activation signal and the second cell region activation signal; And a first main decoder and a second main decoder which receive the first pre-decoded signal group and the second pre-decoded signal group, respectively, and stop the operation when the signal group input thereto is deactivated.
Column Decoder, Current Reduction
Description
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 구체적으로는 칼럼 디코더에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and more particularly, to a column decoder.
도 1은 일반적인 반도체 집적 회로의 입출력 구성을 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram showing an input / output configuration of a general semiconductor integrated circuit.
도 1에 도시된 반도체 집적 회로는 셀 어레이(1), 비트라인 센스 앰프(2), 칼럼 선택 트랜지스터부(3), 라이트 드라이버(4), 메인 앰프(5), 데이터 입력 버퍼(6) 및 데이터 출력 버퍼(7)를 구비한다.The semiconductor integrated circuit shown in Fig. 1 includes a
상기 셀 어레이(1)는 복수의 메모리 셀들로 구성된다. 상기 비트라인 센스 앰프(2)는 비트 라인(BL)에 실린 데이터를 센싱 및 증폭시킨다. 상기 칼럼 선택 트랜지스터부(3)는 칼럼 선택 신호(Yi)에 따라 상기 비트 라인(BL)에 실린 데이터를 데이터 버스(Data Bus)로 전송한다. 상기 라이트 드라이버(4)는 라이트 동작시, 상기 입/출력 버스(I/O Bus)에 실린 데이터를 상기 데이터 버스(Data Bus)로 전송한다.The
상기 메인 앰프(5)는 리드 동작시 상기 데이터 버스(Data Bus)에 실린 데이 터를 상기 입/출력 버스(I/O Bus)로 전송한다. 상기 데이터 입력 버퍼(6)는 입출력 패드에 입력된 데이터를 버퍼링하여 상기 입/출력 버스(I/O Bus)로 입력한다. 상기 데이터 출력 버퍼(7)는 상기 입/출력 버스(I/O Bus)에 실린 데이터를 버퍼링하여 상기 입출력 패드로 출력한다. The
도 1에 도시된 반도체 집적 회로에서, 상기 셀에 기록된 데이터를 리드할 때, 로우/칼럼 어드레스를 디코딩하는 디코더의 출력 신호에 의해 상기 셀 어레이(1)에서 셀이 선택되고, 선택된 셀에 저장된 데이터는 워드라인(WL)이 인에이블되면, 상기 비트 라인(BL)에 실리게 된다. 상기 비트 라인 센스 앰프(2)가 상기 비트 라인(BL)에 실린 데이터를 증폭시키고, 칼럼 선택 신호(Yi)가 활성화되면 상기 칼럼 선택 트랜지스터부(3)에 의해 데이터 버스(Data Bus)로 상기 증폭된 데이터가 실린다. 상기 데이터 버스(Data Bus)에 실린 데이터는 상기 메인 앰프(5)를 통해 상기 입/출력 버스(I/O Bus)에 실린다. 상기 데이터 출력 버퍼(7)는 상기 입/출력 버스(I/O Bus)에 실린 데이터를 입출력 패드로 출력한다.In the semiconductor integrated circuit shown in Fig. 1, when reading data written to the cell, a cell is selected in the
또한, 상기 셀에 데이터를 라이트할 때, 데이터는 상기 입출력 패드, 상기 데이터 입력 버퍼(6), 상기 라이트 드라이버(4), 상기 칼럼 선택 트랜지스터부(3), 상기 비트 라인 센스 앰프(2) 순으로 전송되어 셀 어레이(1)에 저장된다.In addition, when data is written to the cell, data is inputted to the input / output pad, the
여기서 칼럼 선택 신호(Yi)는 칼럼 디코더에 의해 생성된다.Here, the column select signal Yi is generated by the column decoder.
도 2는 종래 기술에 따른 칼럼 디코더의 블록도이다.2 is a block diagram of a column decoder according to the prior art.
도 2에 도시된 칼럼 디코더 회로는 제1 내지 제3 프리 디코더(8-1 ~ 8-3), 제1 및 제2 메인 디코더(9-1, 9-2)를 포함한다.The column decoder circuit shown in FIG. 2 includes first to third pre decoders 8-1 to 8-3, and first and second main decoders 9-1 and 9-2.
상기 제1 프리 디코더(8-1)는 셀 영역 구분 신호 즉, 칼럼 어드레스(CA<13>)에 따라 칼럼 어드레스(CA<2:4>)를 프리디코딩하여 제1 업 프리 디코딩 신호(LAY234_U<0:7>) 또는 제1 다운 프리 디코딩 신호(LAY234_D<0:7>)를 출력한다. The first predecoder 8-1 predecodes the column addresses CA <2: 4> according to the cell region classification signal, that is, the column address CA <13>, and thus the first up-predecoded signal LAY234_U < 0: 7>) or the first down pre-decode signal LAY234_D <0: 7>.
상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)는 상기 셀 어레이(1)를 2 개의 영역으로 구분하는 어드레스이다. 예를 들면, 상기 셀 어레이(1)를 상부에 위치한 셀들과 하부에 위치한 셀들로 구분하기 위한 신호이며, 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)가 하이이면, 상부에 위치한 셀들을 지정하며, 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)가 로우이면, 하부에 위치한 셀들을 지정한다. The cell region division signal CA <13> is an address that divides the
상기 제2 및 제3 프리 디코더(8-2, 8-3)는 각각 다른 칼럼 어드레스(CA<5:7>,CA<8:9>)를 디코딩하여 제2 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>) 및 제3 프리 디코딩 신호(LAY89<0:3>)를 출력한다. The second and third predecoder 8-2 and 8-3 decode different column addresses CA <5: 7> and CA <8: 9>, respectively, so that the second predecoded signal LAY567 <0: 7>) and the third pre-decoded signal LAY89 <0: 3>.
상기 제1 메인 디코더(9-1)는 상기 제1 업 프리 디코딩 신호(LAY234_U<0:7>), 제2 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>) 및 제3 프리 디코딩 신호(LAY89<0:3>)를 입력받아 디코딩하여 업 칼럼 선택 신호(Yi_UP<0:255>)를 출력한다. The first main decoder 9-1 may include the first up pre decoding signal LAY234_U <0: 7>, the second pre decoding signal LAY567 <0: 7>, and the third pre decoding signal LAY89 <0. : 3>) is inputted and decoded to output an up-column selection signal (Yi_UP <0: 255>).
상기 제2 메인 디코더(9-2)는 상기 제1 다운 프리 디코딩 신호(LAY234_D<0:7>), 제2 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>) 및 제3 프리 디코딩 신호(LAY89<0:3>)를 입력받아 디코딩하여 다운 칼럼 선택 신호(Yi_DN<0:255>)를 생성한다.The second main decoder 9-2 may include the first down predecoded signal LAY234_D <0: 7>, the second predecoded signal LAY567 <0: 7>, and the third predecoded signal LAY89 <0. : 3>) is input and decoded to generate a down column selection signal (Yi_DN <0: 255>).
이와 같이, 상기 제1 내지 제3 프리 디코더(8-1~8-3)는 상기 칼럼 어드레스 의 일부를 각각 디코딩하고, 상기 제1 메인 디코더(9-1) 및 상기 제2 메인 디코더(9-2)는 상기 제1 내지 제3 프리 디코더(8-1~8-3)의 출력을 디코딩하여 복수의 칼럼 선택 신호(Yi_UP<0:255>,Yi_DN<0:255>)를 출력한다.As described above, the first to third pre decoders 8-1 to 8-3 decode portions of the column addresses, respectively, and the first main decoder 9-1 and the second
도 2에 도시된 칼럼 디코더 회로의 동작을 설명하면 다음과 같다. The operation of the column decoder circuit shown in FIG. 2 will now be described.
X8 모드에서는 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)에 의해 상부에 위치한 셀들 또는 하부에 위치한 셀들 중 하나가 선택된다. 예를 들면, 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)가 로직 하이이면 상부에 위치한 셀들이 선택되고, 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)가 로직 로우이면 하부에 위치한 셀들이 선택된다.In the X8 mode, one of the upper cells or the lower cells is selected by the cell region discrimination signal CA <13>. For example, if the cell region classification signal CA <13> is logic high, the cells located above are selected. If the cell region classification signal CA <13> is logic low, the cells located below are selected.
즉, 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)가 로직 하이이면 상기 제1 프리 디코더(8-1)는 제1 업 프리 디코딩 신호(LAY234_U<0:7>)를 활성화시키나, 상기 제1 다운 프리 디코딩 신호(LAY234_D<0:7>를 비활성화시킨다. That is, when the cell region classification signal CA <13> is logic high, the first pre decoder 8-1 activates the first up pre decoding signal LAY234_U <0: 7>, but the first down signal. The pre decoding signal LAY234_D <0: 7> is deactivated.
그리고, 상기 제1 업 프리 디코딩 신호(LAY234_U<0:7>)는 8개의 디코딩된 신호들로 구성되는데, 상기 칼럼 어드레스(CA<2:4>)에 해당하는 신호만 인에이블되고, 그 외 7 개의 신호는 디스에이블된다. 예를 들면, 상기 칼럼 어드레스(CA<2:4>)가 010이면 상기 제1 업 프리 디코딩 신호(LAY234_U<0:7>) 중 제1 업 프리 디코딩 신호(LAY234_U<2>)만 인에이블되고, 그 외의 신호는 디스에이블된다. 또한, 상기 제1 다운 프리 디코딩 신호(LAY234_D<0:7>)는 모두 디스에이블된다.The first up pre-decoded signal LAY234_U <0: 7> is composed of eight decoded signals. Only a signal corresponding to the column address CA <2: 4> is enabled. Seven signals are disabled. For example, when the column address CA <2: 4> is 010, only the first up pre decoding signal LAY234_U <2> of the first up pre decoding signals LAY234_U <0: 7> is enabled. , Other signals are disabled. In addition, all of the first down-free decoding signals LAY234_D <0: 7> are disabled.
또한, 상기 제2 프리 디코더(8-2) 및 상기 제3 프리 디코더(8-3)는 상기 칼럼 어드레스들(CA<5:7>,CA<8:9>)를 디코딩한 제2 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>) 및 제3 프리 디코딩 신호(LAY89<0:3>)를 출력한다. In addition, the second pre decoder 8-2 and the third pre decoder 8-3 are second pre-decoded by decoding the column addresses CA <5: 7> and CA <8: 9>. The signal LAY567 <0: 7> and the third pre-decoded signal LAY89 <0: 3> are output.
상기 제1 메인 디코더(9-1)는 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_U<0:7>) 내지 제3 프리 디코딩 신호(LAY89<0:3>)를 입력받아 칼럼 선택 신호(Yi_UP<0:255>) 중 칼럼 어드레스에 해당하는 칼럼 선택 신호(Yi_UP<i>)를 활성화시킨다. 상기 칼럼 선택 신호(Yi_UP<i>)는 상기 칼럼 선택 신호(Yi_UP<0:255>) 중 임의의 하나를 의미한다 The first main decoder 9-1 receives the first pre-decoded signal LAY234_U <0: 7> to the third pre-decoded signal LAY89 <0: 3> and receives the column selection signal Yi_UP <0: 255. Activate the column select signal (Yi_UP <i>) corresponding to the column address. The column select signal Yi_UP <i> means any one of the column select signals Yi_UP <0: 255>.
한편, 상기 제2 메인 디코더(9-2)는 비활성화된 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_D<0:7>)를 입력받기 때문에, 상기 칼럼 선택 신호(Yi_DN<0:255>) 중 활성화되는 신호가 없다. 그러나, 상기 제2 메인 디코더(9-2)는 활성화된 제2 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>) 및 활성화된 제3 프리 디코딩 신호(LAY89<0:3>)를 디코딩하기 위한 동작 때문에 불필요한 전류 소모가 발생된다.On the other hand, since the second main decoder 9-2 receives the deactivated first pre-decoded signal LAY234_D <0: 7>, one of the column selection signals Yi_DN <0: 255> is activated. none. However, because the second main decoder 9-2 decodes the activated second pre-decode signal LAY567 <0: 7> and the activated third pre-decode signal LAY89 <0: 3>. Unnecessary current consumption is generated.
즉, 상기 제2 메인 디코더(9-2)와 상기 제1 메인 디코더(9-1) 중 어느 하나는 비활성화된 칼럼 선택 신호를 출력하더라도 상기 제2 프리 디코딩 신호(LAY567<i>) 및 상기 제3 프리 디코딩 신호(LAY89<i>)에 의해 사실상 구동되므로 불필요한 전류 소모가 발생한다.That is, even if one of the second main decoder 9-2 and the first main decoder 9-1 outputs the deactivated column select signal, the second pre-decoded signal LAY567 <i> and the first predecoder are output. Since it is actually driven by the three pre-decoded signals LAY89 <i>, unnecessary current consumption occurs.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로 메인 디코더의 불필요한 전류 소모를 감소시킬 수 있는 반도체 집적 회로의 칼럼 디코더를 제공하는데 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problem, and an object thereof is to provide a column decoder of a semiconductor integrated circuit capable of reducing unnecessary current consumption of a main decoder.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 칼럼 디코더 회로는 셀 영역 구분 신호에 응답하여 제 1 셀 영역 및 제 2 셀 영역을 각각 활성화시키기 위한 제 1 셀 영역 활성화 신호 및 제 2 셀 영역 활성화 신호 중 어느 하나를 비활성화시키는 제어부; 칼럼 어드레스를 디코딩하여 제 1 프리 디코딩 신호 그룹 및 제 2 프리 디코딩 신호 그룹을 출력하는 프리 디코더; 상기 제 1 셀 영역 활성화 신호와 상기 제 2 셀 영역 활성화 신호 중 어느 하나의 비활성화에 응답하여 상기 제 1 프리 디코딩 신호 그룹과 상기 제 2 프리 디코딩 신호 그룹 중 어느 하나를 비활성화시키는 프리 디코딩 신호 전송부; 및 상기 제 1 프리 디코딩 신호 그룹과 상기 제 2 프리 디코딩 신호 그룹을 각각 입력받으며, 자신에게 입력된 신호 그룹이 비활성화된 경우 동작이 중지되는 제 1 메인 디코더 및 제 2 메인 디코더를 구비한다.According to an aspect of the present invention, a column decoder circuit includes a first cell region activation signal and a second cell region activation signal for activating a first cell region and a second cell region in response to a cell region division signal. A control unit for deactivating any one; A predecoder for decoding the column address and outputting a first pre decoded signal group and a second pre decoded signal group; A pre-decoded signal transmitter to deactivate any one of the first pre-decoded signal group and the second pre-decoded signal group in response to deactivation of one of the first cell region activation signal and the second cell region activation signal; And a first main decoder and a second main decoder which receive the first pre-decoded signal group and the second pre-decoded signal group, respectively, and stop the operation when the signal group input thereto is deactivated.
본 발명에 따른 반도체 집적 회로의 칼럼 디코더 회로는 메인 디코더의 불필요한 동작 전류를 감소시킬 수 있다. The column decoder circuit of the semiconductor integrated circuit according to the present invention can reduce unnecessary operating current of the main decoder.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 칼럼 디코더의 블록도이다.3 is a block diagram of a column decoder according to the present invention.
도 3에 도시된 칼럼 디코더는 제어부(10), 프리 디코더(20), 프리 디코딩 신호 전송부(30) 및 메인 디코더(40)를 포함한다. The column decoder illustrated in FIG. 3 includes a
상기 제어부(10)는 동작 모드 신호(X16) 및 제1 셀 영역과 제2 셀 영역 중 어느 하나를 선택하기 위한 셀 영역 구분 신호(CA<13>)에 따라 제1 셀 영역을 활성화시키는 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN) 및 제2 셀 영역을 활성화시키기 위한 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN)를 출력한다.The
상기 프리 디코더(20)는 칼럼 어드레스(CA<2:4>,CA<8:9>,CA<5:7>)를 디코딩하여 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>, LAY89_1<0:3>, LAY234_2<0:7>, LAY89_2<0:3>, LAY567<0:7>)를 출력한다.The
상기 프리 디코더(20)는 업 프리 디코더(21) 및 다운 프리 디코더(22)를 포함한다.The
상기 업 프리 디코더(21)는 칼럼 어드레스(CA<2:4>,CA<8:9>)를 디코딩하여 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>) 및 제2 프리 디코딩 신호(LAY89_1<0:3>)를 출력한다.The up
상기 업 프리 디코더(21)는 제1 프리 디코더(21-1) 및 제2 프리 디코더(21-2)를 포함한다.The up
상기 제1 프리 디코더(21-1)는 칼럼 어드레스(CA<2:4>)를 디코딩하여 상기 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>)를 출력한다.The first pre decoder 21-1 decodes the column addresses CA <2: 4> and outputs the first predecoded signal LAY234_1 <0: 7>.
상기 제2 프리 디코더(21-2)는 칼럼 어드레스(CA<8:9>)를 디코딩하여 상기 제2 프리 디코딩 신호(LAY89_1<0:3>)를 출력한다.The second predecoder 21-2 decodes the column address CA <8: 9> and outputs the second predecoded signal LAY89_1 <0: 3>.
상기 다운 프리 디코더(22)는 칼럼 어드레스(CA<2:4>,CA<8:9>)를 디코딩하여 제3 프리 디코딩 신호(LAY234_2<0:7>) 및 제4 프리 디코딩 신호(LAY89_2<0:3>)를 출력한다.The down
상기 다운 프리 디코더(22)는 제3 프리 디코더(22-1) 및 제4 프리 디코더(22-2)를 포함한다.The down
상기 제3 프리 디코더(22-1)는 칼럼 어드레스(CA<2:4>)를 디코딩하여 상기 제3 프리 디코딩 신호(LAY234_2<0:7>)를 출력한다.The third pre decoder 22-1 decodes the column address CA <2: 4> and outputs the third predecoded signal LAY234_2 <0: 7>.
상기 제4 프리 디코더(22-2)는 칼럼 어드레스(CA<8:9>)를 디코딩하여 상기 제4 프리 디코딩 신호(LAY89_2<0:3>)를 출력한다.The fourth pre decoder 22-2 decodes the column addresses CA <8: 9> and outputs the fourth predecoded signal LAY89_2 <0: 3>.
또한, 상기 프리 디코더(20)는 칼럼 어드레스(CA<5:7>)를 디코딩하여 제1 메인 디코더(41) 및 제2 메인 디코더(42)에 공통으로 입력시키기 위한 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>)를 출력하는 제5 프리 디코더(23)를 추가로 포함한다. 상기 업 프리 디코더(21)의 출력이 상기 제1 메인 디코더(41)로 전송되고, 상기 다운 프리 디코더(22)의 출력이 상기 제2 메인 디코더(42)로만 전송됨에 비해, 상기 제5 프리 디코더(23)의 출력은 상기 제1 메인 디코더(41) 및 상기 제2 메인 디코더(42)에 공통으로 입력된다. In addition, the
상기 프리 디코딩 신호 전송부(30)는 상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN) 의 인에이블 여부에 따라 상기 제 1 및 제 2 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>, LAY89_1<0:3>)를 제1 메인 디코더(41)로 전송하고, 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN)의 인에이블 여부에 따라 상기 제 3 및 제 4 프리 디코딩 신호(LAY234_2<0:7>, LAY89_2<0:3>)를 제2 메인 디코더(42)로 전송한다.The
상기 프리 디코딩 신호 전송부(30)는 제1 프리 디코딩 신호 전송부(31) 및 제2 프리 디코딩 신호 전송부(32)를 포함한다.The
상기 제1 프리 디코딩 신호 전송부(31)는 제1 앤드 연산 유닛(31-1) 및 제2 앤드 연산 유닛(31-2)을 포함한다.The first
상기 제1 앤드 연산 유닛(31-1)은 상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN) 및 상기 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>)를 입력받아 논리곱 연산한다.The first AND operation unit 31-1 receives the first cell region activation signal UEQEN and the first pre-decoded signal LAY234_1 <0: 7> and performs an AND operation.
상기 제2 앤드 연산 유닛(31-2)은 상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN), 칼럼 어드레스 인에이블 신호(YAE) 및 상기 제2 프리 디코딩 신호(LAY89_1<0:3>)를 입력받아 논리곱 연산한다.The second AND operation unit 31-2 receives the first cell area activation signal UEQEN, the column address enable signal YAE, and the second pre-decoded signal LAY89_1 <0: 3> and receives a logic. Multiply
상기 제2 프리 디코딩 신호 전송부(32)는 제3 앤드 연산 유닛(32-1) 및 제4 앤드 연산 유닛(32-2)을 포함한다. The second
상기 제3 앤드 연산 유닛(32-1)은 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN) 및 상기 제3 프리 디코딩 신호(LAY234_2<0:7>)를 입력받아 논리곱 연산한다.The third AND operation unit 32-1 receives the second cell region activation signal LDQEN and the third pre-decoded signal LAY234_2 <0: 7> and performs an AND operation.
상기 제4 앤드 연산 유닛(32-2)은 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN), 상기 칼럼 어드레스 인에이블 신호(YAE) 및 상기 제4 프리 디코딩 신호(LAY89_2<0:3>)를 입력받아 논리곱 연산한다.The fourth AND operation unit 32-2 receives the second cell region enable signal LDQEN, the column address enable signal YAE, and the fourth predecoded signal LAY89_2 <0: 3>. Boolean operation
상기 메인 디코더(40)는 상기 제1 메인 디코더(41) 및 상기 제2 메인 디코더(42)를 구비한다.The
상기 제1 메인 디코더(41)는 상기 제1 앤드 연산 유닛(31-1)의 출력(LAY234_UP<0:7>), 상기 제2 앤드 연산 유닛(31-2)의 출력(LAY89_UP<0:3>) 및 상기 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>)를 디코딩하여 업 칼럼 선택 신호(Yi_UP<0:255>)를 출력한다. The first
상기 제2 메인 디코더(42)는 상기 제3 앤드 연산 유닛(32-1)의 출력(LAY234_DN<0:7>), 상기 제4 앤드 연산 유닛(32-2)의 출력(LAY89_DN<0:3>) 및 상기 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>)를 디코딩하여 다운 칼럼 선택 신호(Yi_DN<0:255>)를 출력한다.The second
도 4는 도 3에 도시된 상기 제어부(10)의 일 실시예를 나타낸 회로도이다.FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an embodiment of the
상기 제어부(10)는 테스트 제어 신호(TPARA), 동작 모드 신호(X16) 및 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)에 따라 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN) 및 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN)를 출력한다.The
상기 제어부(10)는 제1 내지 제3 노아 게이트(NOR1~NOR3) 및 제1 내지 제4 인버터(IV1~IV4)를 포함한다.The
상기 테스트 제어 신호(TPARA)는 상기 제1 셀 영역과 상기 제2 셀 영역을 동시에 활성화시키는 테스트 모드에서 활성화되고, 노멀 동작 모드에서 비활성화될 수 있다. 상기 동작 모드 신호(X16)는 한번에 입/출력되는 데이터의 개수가 16개로 정해진 경우에 로직 하이가 될 수 있다.The test control signal TPARA may be activated in a test mode for simultaneously activating the first cell region and the second cell region, and may be deactivated in a normal operation mode. The operation mode signal X16 may be logic high when the number of data input / output at one time is determined to be 16.
도 5는 도 3에 도시된 제2 메인 디코더(42)의 일부를 나타낸 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a part of the second
도 5에 도시된 상기 제2 메인 디코더(42)의 일부 회로는 제1 낸드 게이트(ND1), 제1 인버터(IV1) 내지 제16 인버터(IV16)를 포함한다.Some circuits of the second
상기 제1 낸드 게이트(ND1)는 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<i>) 및 제4 앤드 연산 유닛(32-2)의 출력(LAY89_DN<i>)을 입력받아 연산한다. 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<i>)는 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>) 중 임의의 하나를 의미하며, 제4 앤드 연산 유닛(32-2)의 출력(LAY89_DN<i>)은 제4 앤드 연산 유닛(32-2)의 출력(LAY89_DN<0:3>) 중 임의의 하나를 의미한다. 상기 제1 인버터(IV1) 내지 제8 인버터(IV8)는 각각 상기 제3 앤드 연산 유닛(32-1)의 출력(LAY234_DN<0:7>)을 입력받고, 상기 제1 낸드 게이트(ND1)의 출력에 따라 동작한다. 상기 제9 인버터(IV9) 내지 상기 제16 인버터(IV16)는 각각 상기 제1 인버터(IV1) 내지 상기 제8 인버터(IV8)의 출력을 입력받아 반전시켜 상기 칼럼 선택 신호(Yi_DN<0:7>)를 출력한다.The first NAND gate ND1 receives and receives a fifth pre-decoded signal LAY567 <i> and an output LAY89_DN <i> of the fourth AND operation unit 32-2. The fifth pre-decoded signal LAY567 <i> refers to any one of the fifth pre-decoded signals LAY567 <0: 7>, and outputs the LAY89_DN <i> of the fourth end operation unit 32-2. ) Denotes any one of the outputs LAY89_DN <0: 3> of the fourth end operation unit 32-2. Each of the first inverter IV1 to the eighth inverter IV8 receives the output LAY234_DN <0: 7> of the third and operation unit 32-1, respectively, and supplies the first NAND gate ND1. Act on output The ninth inverter IV9 to the sixteenth inverter IV16 receive the inverted outputs of the first inverter IV1 to the eighth inverter IV8, respectively, and invert the column selection signals Yi_DN <0: 7>. )
상기 제2 메인 디코더(42)는 상기 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<i>)과 그 반전 신호들, 상기 제4 앤드 연산 유닛(32-2)의 출력(LAY89_DN<i>)과 그 반전 신호들의 가능한 조합마다 도 5에 도시된 회로를 구비하고 있다.The second
도 3 내지 도 5에 도시된 본 발명에 따른 칼럼 디코더의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the column decoder according to the present invention shown in Figures 3 to 5 as follows.
X16 모드 또는 테스트 모드에서는, 도 4의 제어부(10)는 활성화된 상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN) 및 활성화된 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN)를 출력한다. In the X16 mode or the test mode, the
또한, 상기 제1 및 제3 프리 디코더(21-1,22-1)는 칼럼 어드레스(CA<2:4>)를 디코딩하여 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>) 및 제3 프리 디코딩 신호(LAY234_2<0:7>)를 출력한다. 예를 들면, 칼럼 어드레스(CA<2:4>)가 011이면 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>) 중 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_1<3>)만 인에이블되고, 나머지 7개의 신호는 디스에이블될 수 있다.The first and third free decoders 21-1 and 22-1 decode the column addresses CA <2: 4> to decode the first pre-decoded signals LAY234_1 <0: 7> and the third free. The decoded signal LAY234_2 <0: 7> is output. For example, when the column address CA <2: 4> is 011, only the first predecoded signal LAY234_1 <3> of the first predecoded signals LAY234_1 <0: 7> is enabled, and the remaining seven The signal can be disabled.
또한, 상기 제2 및 제4 프리 디코더(21-2,22-2)는 칼럼 어드레스(CA<8:9>)를 디코딩하여 상기 제2 프리 디코딩 신호(LAY89_1<0:3>) 및 제4 프리 디코딩 신호(LAY89_2<0:3>)를 출력한다.In addition, the second and fourth pre decoders 21-2 and 22-2 decode column addresses CA <8: 9> to decode the second pre-decoded signals LAY89_1 <0: 3> and fourth. The predecoded signal LAY89_2 <0: 3> is output.
또한, 상기 제5 프리 디코더(23)는 칼럼 어드레스(CA<5:7>)를 디코딩하여 상기 제5 프리 디코딩 신호(LAY567<0:7>)를 출력한다.The
상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN) 및 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN)가 인에이블되었으므로 상기 칼럼 어드레스 인에이블 신호(YAE)가 인에이블되면, 상기 프리 디코딩 신호 전송부(30)는 상기 제1 내지 제4 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>,LAY89_1<0:3>,LAY234_2<0:7>,LAY89_2<0:3>)와 동일한 로직 레벨의 상기 제1 내지 제4 앤드 연산 유닛(31-1,31-2,32-1,32-2)의 출력(LAY234_UP<0:7>, LAY89_UP<0:3>,LAY234_DN<0:7>,LAY89_DN<0:3>)을 모두 상기 메인 디코더(40)로 전송한다.When the column address enable signal YAE is enabled because the first cell region activation signal UEQEN and the second cell region activation signal LDQEN are enabled, the
따라서, 상기 제1 메인 디코더(41) 및 상기 제2 메인 디코더(42)는 모두 디코딩 동작을 수행하여 해당 칼럼 선택 신호(Yi_UP<0:255>,Yi_DN<0:255>)를 출력한 다.Therefore, the first
한편 X8 모드에서는, 도 4의 제어부(10)는 상기 셀 영역 구분 신호(CA<13>)에 따라 상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN) 및 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN) 중 하나의 신호는 인에이블시키고, 다른 하나의 신호는 디스에이블시킨다.Meanwhile, in the X8 mode, the
예를 들어, 상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN)는 인에이블되고, 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN)는 디스에이블되는 경우를 가정하자.For example, assume that the first cell region activation signal UEQEN is enabled and the second cell region activation signal LDQEN is disabled.
상기 제1 내지 제5 프리 디코더(21-1,21-2,22-1,22-2,23)는 칼럼 어드레스(CA<2:4>,CA<8:9>,CA<5:7>)를 디코딩하여 제1 내지 제5 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>, LAY89_1<0:3>, LAY234_2<0:7>, LAY89_2<0:3>, LAY567<0:7>)를 출력한다.The first to fifth pre decoders 21-1, 21-2, 22-1, 22-2, and 23 are column addresses CA <2: 4>, CA <8: 9>, and CA <5: 7. > To decode the first to fifth pre-decoded signals LAY234_1 <0: 7>, LAY89_1 <0: 3>, LAY234_2 <0: 7>, LAY89_2 <0: 3>, and LAY567 <0: 7>. Output
상기 제1 프리 디코딩 신호 전송부(31)는 상기 제1 셀 영역 활성화 신호(UEQEN)가 인에이블되었므로, 상기 제1 프리 디코딩 신호(LAY234_1<0:7>) 및 상기 제2 프리 디코딩 신호(LAY89_1<0:3>)를 상기 제1 메인 디코더(41)로 전송한다. 그러나, 상기 제2 프리 디코딩 신호 전송부(32)는 상기 제2 셀 영역 활성화 신호(LDQEN)가 디스에이블이므로, 상기 제3 프리 디코딩 신호(LAY234_2<0:7>) 및 상기 제4 프리 디코딩 신호(LAY89_2<0:3>)의 전송을 차단하고, 고정된 레벨(예를 들어, 로우 레벨)의 신호를 상기 제2 메인 디코더(42)로 전송한다.Since the first cell region activation signal UEQEN is enabled, the first
따라서, 상기 제1 메인 디코더(41)는 상기 제1 앤드 연산 유닛(31-1)의 출력, 상기 제2 앤드 연산 유닛(31-2)의 출력 및 상기 제5 프리 디코딩 신 호(LAY567<0:7>)를 디코딩하여 칼럼 선택 신호(Yi_UP<0:255>)를 출력한다.Accordingly, the first
상기 제2 메인 디코더(42)의 상기 제1 인버터(IV1) 내지 상기 제8 인버터(IV8)는 상기 제3 앤드 연산 유닛(32-1)의 출력(LAY234_DN<0:7>)이 디스에이블되더라도, 일정한(static) 전압 레벨이기 때문에, 상기 제1 낸드 게이트(ND1)의 출력이 하이 레벨이 아닌 한, 동작하게 되고 전류 소모가 발생한다.The first inverter IV1 to the eighth inverter IV8 of the second
그러나 상기 제2 메인 디코더(42)는 도 5를 참조하면, 상기 제4 앤드 연산 유닛(32-2)의 출력(LAY89_DN<i>, i는 0 이상이고 3 이하인 정수)이 로우 레벨이므로 상기 제1 낸드 게이트(ND1)의 출력이 하이 레벨이 된다. 상기 제1 낸드 게이트(ND1)의 출력이 하이 레벨이므로 상기 제1 내지 제8 인버터(IV1~IV8)는 플로팅 상태가 되고, 전류 패스가 없으므로 전류 소모가 없게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 칼럼 디코더는 상기 제2 메인 디코더(42)에 의한 전류 소모를 감소시킬 수 있다.However, when the second
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. As such, those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative in all respects and not as restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
도 1은 일반적인 반도체 집적 회로의 데이터의 입출력 구성을 나타내는 블록도,1 is a block diagram showing an input / output configuration of data of a general semiconductor integrated circuit;
도 2는 종래 기술에 따른 칼럼 디코더 회로의 블록도,2 is a block diagram of a column decoder circuit according to the prior art;
도 3은 본 발명에 따른 칼럼 디코더의 일 실시예를 나타낸 블록도,3 is a block diagram showing an embodiment of a column decoder according to the present invention;
도 4는 도 3에 도시된 제어부의 일 실시예를 나타낸 회로도, 및4 is a circuit diagram illustrating an embodiment of a control unit illustrated in FIG. 3, and
도 5는 도 3에 도시된 제2 메인 디코더 회로의 일부를 나타낸 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a part of the second main decoder circuit shown in FIG. 3.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
1 : 셀 어레이 2 : 비트라인 센스 앰프1: cell array 2: bitline sense amplifier
3 : 칼럼 선택 트랜지스터부 4 :라이트 드라이버3: column select transistor portion 4: light driver
5 : 메인 앰프 6 : 데이터 입력 버퍼5: main amplifier 6: data input buffer
7 : 데이터 출력 버퍼 8-1~8-3 : 제1 내지 제3 프리 디코더7: Data Output Buffers 8-1 to 8-3: First to Third Predecoder
9-1,9-2 : 제1 메인 디코더, 제2 메인 디코더9-1,9-2: first main decoder, second main decoder
10 : 제어부 20 : 프리 디코더10
21 : 업 프리 디코더 22 : 다운 프리 디코더21: Up Free Decoder 22: Down Free Decoder
21-1,22-2 : 제1,제2 프리 디코더 22-1,22-2 : 제3,제4 프리 디코더21-1, 22-2: first and second pre decoders 22-1, 22-2: third and fourth pre decoders
30 : 프리 디코딩 신호 전송부 31,32 :제1,제2 프리 디코딩 신호 전송부30:
31-1,31-2 : 제1,제2 앤드 연산 유닛31-1,31-2: first and second end operation unit
32-1,32-2 : 제3,제4 앤드 연산 유닛32-1,32-2: third and fourth end operation units
40 : 메인 디코더 41 : 제1 메인 디코더40: main decoder 41: first main decoder
42 : 제2 메인 디코더 23 : 제5 프리 디코더42: second main decoder 23: fifth pre decoder
Claims (11)
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